JP7168615B2 - 光電子部品の製造方法、および光電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、光電子部品の製造方法に関する。さらに、本発明は、光電子部品に関する。

発光ダイオードまたは高性能発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光電子部品は、一般に、ポリオルガノシロキサン（シリコーン）から作製された透明部品を有する。しかし、これらの透明部品は、十分な温度安定性および青色光安定性を示さない。透明部品としてのその他の材料も、十分な青色光安定性および温度安定性がないか、あるいは、ガラスなどのように、ＬＥＤチップの許容限界を超えた加工温度を必要とする。したがって、代替物がないため、従来のポリオルガノシロキサンのそれほど有利ではない性質が、光電子部品の制限となる。使用される従来のポリオルガノシロキサンの限られた温度安定性および青色光安定性は、より低い最高周囲温度、ヒートシンクに対するより低い熱抵抗、および低い公称電流という規格に繋がる。高い透過率も、光電子部品の使用が制限される理由となり得る。例えば、硫黄もしくは硫化物含量が高い、または揮発性有機化合物の存在する雰囲気では、これらが光電子部品内に拡散して損傷を与える可能性がある。さらに、従来のシリコーンの高い熱膨張（２５０～３００ｐｐｍ）故に、例えば層間剥離を回避するために、特殊なハウジングの適用が必要となる。特に所望のハウジング形状で入手可能な従来のポリオルガノシロキサンは、貴金属を触媒とする付加反応によって架橋する。ポリマー鎖は、硬化プロセスで化合するが、ここでは重付加反応において、Ｓｉ－Ｈ結合がＣ－Ｃ二重結合と反応して、Ｓｉ－Ｃ結合を形成する。

本発明の課題の１つは、安定な光電子部品を提供する、光電子部品の製造方法を提供することである。特に、製造される光電子部品は、温度安定性および／または青色光安定性を有する。本発明の別の課題は、安定な、特に温度および／または青色光に安定な光電子部品を提供することである。

これらの課題は、独立請求項１に記載の光電子部品の製造方法によって解決される。本発明の有利な実施形態およびさらなる展開は、従属項の対象である。さらに、これらの課題は、請求項１５に記載の光電子部品によって解決される。

少なくとも１つの実施形態は、
Ａ） １次放射線の放出が可能な半導体を提供するステップ、
Ｂ） アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂、特にメトキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂、を提供するステップ、および
Ｃ） アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂、特にメトキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂を架橋して、３次元架橋ポリオルガノシロキサンを形成するステップを含み、３次元架橋ポリオルガノシロキサンの有機分が２５質量％以下、即ち最大で２５質量％である、方法である。

本発明者らは、本明細書に記載の方法が、従来のシリコーンを含む部品に比べて、温度安定性および／または青色光安定性が増大した部品を製造できることを認識した。架橋ポリオルガノシロキサンは、レンズ、ハウジング、キャスティング材料、および／または変換体素子に形成することができ、高出力ＬＥＤに理想的である。

少なくとも１つの実施形態によれば、光電子部品は半導体を含む。半導体は、半導体積層体を含む。半導体の半導体積層体は、好ましくは、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料に基づく。半導体材料は、好ましくは、Ａｌ_ｎＩｎ_{１－ｎ－ｍ}Ｇａ_ｍＮなどの窒化物化合物半導体材料、またはＡｌ_ｎＩｎ_{１－ｎ－ｍ}Ｇａ_ｍＰなどのリン化物化合物半導体材料でもあり、それぞれの式において、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、およびｎ＋ｍ≦１である、化合物半導体材料である。半導体材料は、Ａｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）とすることもできる。半導体積層体は、ドーパントおよび追加の成分を含有することができる。しかし、簡略化のために、半導体積層体の結晶格子の必須成分、即ちＡｌ、Ａｓ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ、またはＰ、のみを示した。たとえこれらの成分について、少量のその他の物質による部分的な置換および／または補完が可能な場合も、上記の通りとする。

半導体積層体は、少なくとも１つのｐｎ接合および／または１つもしくは複数の量子井戸構造を備えた活性層を含有する。半導体または半導体チップの動作中に、活性層内で電磁放射が発生する。このように、半導体は１次放射線を放出することができる。特に、１次放射線は、半導体の放射主面を介して放出される。特に、放射主面は、光電子部品の半導体積層体の成長方向に垂直の向きである。本記載および下記において、半導体チップの側面とは、光電子部品の半導体積層体の成長方向に平行に向いた側面を指す。１次放射線の波長または１次放射線の波長最大値は、好ましくは、紫外および／または可視および／またはＩＲスペクトルの範囲内であり、特に、４２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であり、例えば４４０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長である。

少なくとも１つの実施形態によれば、半導体は、発光ダイオード、略してＬＥＤである。その場合、半導体は、好ましくは、青色光、緑色光、赤色光を放出する性質を備えている。変換体素子が存在する場合、光電子部品は、白色混合光を放出するように特に構成される。

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂（１）、特にメトキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂を提供する、方法ステップＢ）を含む。アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂のアルコキシ含量は、１５質量％以上４０質量％以下、特に１７質量％以上３５質量％以下であり、例えば１７質量％以上３５質量％以下とすることができる。

少なくとも１つの実施形態によれば、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、アルコキシ含量が１７±４質量％のアルコキシ官能化メチルフェニルシリコーン樹脂である。特に、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、空気中の湿度が加わることによる触媒作用を使用する加水分解および縮合反応によって、室温で硬化する。適切な触媒は、例えば、強塩基と組み合わせたチタネートである。

少なくとも１つの実施形態によれば、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、アルコキシ含量が３５±４質量％のアルコキシ官能化メチルシリコーン樹脂である。特に、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、ジメチルシリコーン樹脂である。

特に、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、その硬化プロセスおよび／または架橋プロセスに次のような好ましい性質がある。体積がほとんど失われないこと、またはその架橋生成物が小さな体積しか占めず、外に拡散できるということ。このような性質は、層の厚さ方向における亀裂および欠陥の形成を防止する。さらに、得られる３次元架橋ポリオルガノシロキサンは、厚さが例えば最大３００μｍの、亀裂のない素子の製造を可能にするのに十分に高い柔軟性を有している。

少なくとも１つの実施形態によれば、方法ステップＢ）において、周囲湿度による縮合反応でポリオルガノシロキサンを形成する、フェニルおよび／またはメチル置換シロキサンを使用する。この場合も、亀裂または欠陥を形成することなく、厚さ数μｍの層、特に２０から８０μｍの厚みを有する層の形成が可能となる。３次元架橋ポリオルガノシロキサンは、光電子部品の包装に今日一般に使用される従来のシリコーンとは著しく異なる。３次元架橋ポリオルガノシロキサンは、ＩＲ分光法によって、またはそれらの硬度および／もしくは熱安定性を決定することによって、同定することができる。

少なくとも１つの実施形態によれば、ステップＢ）は、キャスティング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、圧縮成型、および／またはドクターブレーディングによって実施される。

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂を架橋して、３次元架橋ポリオルガノシロキサンを形成する、方法ステップＣ）を含む。特に、３次元架橋ポリオルガノシロキサンは、細かいメッシュ状であり、細かいメッシュ状の３次元Ｓｉ－Ｏ網目構造を形成する。本記載および下記において、細かいメッシュ状とは、硬化後の架橋されたポリオルガノシロキサンの有機分が２５質量％以下であることを意味する。特に、３次元架橋ポリオルガノシロキサンの有機分は、１３質量％以上１８質量％以下、または１４質量％以上１６質量％以下、例えば１５質量％である。有機分は、空気中での熱重量分析（ＴＧＡ）によって決定することができる。特に、有機分は、５００℃または１０００℃の温度で決定される。焼却プロセスは、５００℃以下または１０００℃以下で、一定重量になるまで行うことができる。有機分は、例えばメチルラジカルおよび／またはフェニルラジカルとすることができる。

少なくとも１つの実施形態によれば、ステップＣ）における架橋は、縮合架橋である。アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、付加反応によっては架橋されない。

少なくとも１つの実施形態によれば、架橋ポリオルガノシロキサンのショアＡ硬度は、７０を超える。ショア硬度の決定法は、規格ＤＩＮ－ＩＳＯ ８６８およびＤＩＮ－ＩＳＯ ７６１９－１に規定されている。

少なくとも１つの実施形態によれば、架橋ポリオルガノシロキサンは高温耐性を有する。特に、有機ラジカルとしてＣＨ_３基を有するポリオルガノシロキサンは、最高２５０℃の熱耐性を有し、有機ラジカルとしてＣＨ_３基およびフェニル基を有するポリオルガノシロキサンは、最高２８０℃の熱耐性を有する。

少なくとも１つの実施形態に係る架橋ポリオルガノシロキサン樹脂またはアルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂に、少なくとも１種の充填剤を添加する。特に、充填剤は二酸化チタンである。二酸化チタンを含む架橋ポリオルガノシロキサンは、特に、最高３８０℃の熱耐性を有する。

少なくとも１つの実施形態によれば、架橋ポリオルガノシロキサンまたはアルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂を、少なくとも１種の蛍光体、特にガーネットと混合する。その結果、特に架橋ポリオルガノシロキサンは、最高４００℃の熱耐性を有する。

少なくとも１つの実施形態によれば、架橋は、温度および／または湿度（特に空気湿度）、またはＵＶ放射を用いて、方法ステップＣ）で実施される。架橋は、方法ステップＣ）において、特に、室温以上２２０℃以下の温度で行われる。架橋は、方法ステップＣ）において、特に、温度および湿度を用いて行われる。

少なくとも１つの実施形態によれば、ステップＣ）で作製される架橋ポリオルガノシロキサンの質量は、２００℃までの温度では一定である。本記載および下記において、一定とは、５％未満または２％または１％の最大質量差が存在することを意味する。質量差は、本明細書では、架橋前後のポリオルガノシロキサンの質量の差を意味する。

少なくとも１つの実施形態によれば、架橋ポリオルガノシロキサンは、下記の構造式で表される。

式中、Ｒは、それぞれメチルラジカルおよび／またはフェニルラジカルである。この有機基は、良好な加工性、および充填剤との親和性を確実にする。

少なくとも１つの実施形態によれば、架橋ポリオルガノシロキサンが変換体素子として形成されるか、またはアルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂が変換体素子として形成される。架橋ポリオルガノシロキサンは、半導体のビーム経路内にある、または半導体のビーム経路内に配置される。特に、変換体素子は、半導体と、機械的および／または電気的および／または熱的に直接接触している、または上記のような接触状態に配置される。特に、変換体素子は、半導体チップの放射主面の上にある、または放射主面の上に直接配置される。

方法の少なくとも１つの実施形態によれば、この方法は、次のステップＤ）をさらに含む： アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂を、変換体素子として、少なくとも半導体の放射主面上に塗布するステップであって、変換体素子が、１次放射線を２次放射線に変換する少なくとも１種の蛍光体を含む。特に、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、変換体素子として、半導体チップの放射主面および側面の上に配置される。あるいは、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、変換体素子として、半導体チップの放射主面の上にのみ配置される。

ステップＤ）では、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂を、方法の少なくとも１つの実施形態により塗布し、架橋ポリオルガノシロキサンは、変換体素子として形成して、半導体チップの放射主面の上に直接配置する。特に、変換体素子は、半導体の１次放射線を２次放射線に変換する少なくとも１種の蛍光体をさらに含む。特に、２次放射線は、１次放射線とは異なる波長最大値、好ましくは１次放射線より大きい波長最大値を有する。

少なくとも１つの実施形態によれば、蛍光体は、ＹＡＧ蛍光体、ＬｕＡＧ蛍光体、ガーネット、オルトシリケート、アルカリ土類窒化物、カルシン、およびこれらの組合せからなる群から選択される。特に、蛍光体は、アルミニウムガーネット、例えばＹＡＧ：ＣｅまたはＬｕＡＧである。さらに、架橋ポリオルガノシロキサン中の蛍光体の含有量は、少なくとも５０質量％を占めてもよい。言い換えれば、蛍光体、好ましくはアルミニウムガーネット、アルカリ土類窒化物、またはこれらの組合せは、その少なくとも５０質量％が、方法ステップＣ）の後に、架橋ポリオルガノシロキサン中に分散される。

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、さらなる方法ステップを含む：少なくとも１種の蛍光体を、架橋ポリオルガノシロキサンまたはアルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂に導入するステップ。特に、蛍光体は、アルミニウムガーネットであり、架橋ポリオルガノシロキサン中に分散されるその含量は２５質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、または２質量％以下である。

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、以下の方法ステップＥ）をさらに含む：光電子部品のハウジングのリセス部内の少なくとも複数領域にボリュームキャストとして架橋ポリオルガノシロキサンを配置し、半導体が、架橋ポリオルガノシロキサンによって確実に取り囲まれ、且つその断面の厚さが少なくとも２５０μｍであり、蛍光体がアルミニウムガーネット、アルカリ土類窒化物、またはこれらの組合せであり、架橋ポリオルガノシロキサン（４）中の蛍光体の含量は、最大で２５質量％である。蛍光体が、アルミニウムガーネットとアルカリ土類窒化物との組合せである場合、「２５質量％以下」は、両方の蛍光体の重量部の合計を意味する。

特に、断面の厚さは、少なくとも２５０μｍ、例えば３００μｍである。

少なくとも１つの実施形態によれば、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、前駆体の加水分解によって作製される。

架橋ポリオルガノシロキサンは、少なくとも１つの実施形態に係る半導体のビーム経路内に配置される。

少なくとも１つの実施形態によれば、架橋ポリオルガノシロキサンは、ハウジングおよび／またはレンズとして形成される。

少なくとも１つの実施形態によれば、変換体素子は、ボリュームキャストとして形成される。あるいは、変換体素子は、層厚が２０μｍを超え１００μｍ未満である層として形成することができる。

光電子部品も提供される。光電子部品は、好ましくは、上述の方法を使用して製造される。このことは、方法に関して明らかにした全ての特徴が、光電子部品に関しても明らかにされたことを意味し、その逆も意味する。

図面に関連して以下に記述される例示的な実施形態から、さらなる利点、有利な実施形態、およびさらなる展開は明らかとなる。

図１のＡ～Ｃは、実施形態に係る光電子部品の製造方法を示す図である。 図２のＡおよびＢは、比較例に係るシリコーンおよびガラスの構造を示す図である。 図３は、実施形態に係る熱重量分析を示す図である。 図４のＡおよびＢは、それぞれ、実施形態に係る光電子部品を表す図である。

例示的な実施形態および図面において、同一、類似、または同じように動作する要素は、それぞれ同じ参照符号で表すことができる。ここに示した要素、およびそれら要素間の比率は、正しい縮尺に合っていると見なしてはいけない。むしろ、層、部品、要素、および面積などの個々の要素は、より良い表示性および／またはより良い理解のために、誇張されたサイズで表示する場合がある。

図１のＡ～Ｃは、一実施形態に係る光電子部品１００の製造方法を示す。図１のＡは、半導体３を基板またはキャリア２上に設けることを示す。例えば、キャリア２は、プリント回路基板とするか、またはガラスで作製することができる。半導体３は、リセス部１４に、ハウジング２１内に配置することができる。図１のＢは、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂１を提供することを示す。ここで、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂は、ハウジング２１のリセス部１４に配置される。特に、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂１は、キャストを形成する。次いで、図１のＣに示されるように、このアルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂１を架橋７に付すことができる。例えば、架橋７は、熱的におよび／またはＵＶ放射を用いて、必要な場合には空気湿度下で行うことができる。このように、アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂１から３次元架橋ポリオルガノシロキサン４が形成される。３次元架橋ポリオルガノシロキサン４は、細かいメッシュ状の３次元ＳｉＯ網目構造を有し、特に優れた高温安定性および／または青色光安定性を有する。特に、架橋ポリオルガノシロキサン４は、従来のシリコーン（図２のＡ、従来のシリコーンを参照）と比較して、より少ない有機基を含む。有機分は、架橋ポリオルガノシロキサン４の全含量に対して２５質量％以下である。架橋ポリオルガノシロキサン４の透過率は、従来のシリコーンより低い。さらに、架橋ポリオルガノシロキサン４は、柔軟な従来のシリコーンより硬い。架橋ポリオルガノシロキサン４は、温度安定性が約１５０℃である従来のシリコーンと比べて、２００℃超の温度安定性を有する。一方、架橋ポリオルガノシロキサン４は温度安定性がより高いため、このような架橋ポリオルガノシロキサン４の使用によって、従来のシリコーンに比べてより高いプロセス温度を選択することができる。

架橋ポリオルガノシロキサン４は、架橋の程度または密度に関し、従来のシリコーンの構造と、ガラスまたは溶融シリケートの構造との中間に位置する（図２のＡおよびＢを参照）。

アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂１は、キャスティングすることができる。キャスティングの際には、数ミリリットルのアルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂１を、例えば厚さ２ｍｍ未満となるように容器に充填し、架橋することで、架橋ポリオルガノシロキサン４を作製することができる。

例えば、いわゆるドロップキャスティングプロセスでは、１滴のアルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂１をキャリアに塗布することができ、特に厚み約０．５ｍｍまたは約０．３ｍｍの厚い層が作製される。

膜厚が１０μｍ未満または２５μｍ未満の薄い膜は、スピンコーティングによって作製することができる。

図３は、例示的な実施形態に係る熱重量分析（ＴＧＡ）を示す。グラフは、２００℃未満の温度では、観察される質量損失がごく小量であることを示す。６００℃以上では、約１５質量％～約８５質量％の重量損失を観察することができる。加熱速度に応じて、５００℃または１０００℃で、最大重量損失として２５％を観察することもできる（ここには図示していない）。

図４のＡおよびＢは、様々な実施形態における光電子部品１００の概略側面図を示す。特に、光電子部品１００は発光ダイオード（ＬＥＤ）である。

例示的な実施形態では、図４のＡに示されるように、架橋ポリオルガノシロキサン４は半導体３の全面を覆う。特に、架橋ポリオルガノシロキサン４は、半導体３の周りの厚さが一定である。

図４のＢによれば、半導体３はリセス部１４内に配置される。リセス部１４は、マトリックス材料とする架橋ポリオルガノシロキサン４のキャスト９で満たすことができる。架橋ポリオルガノシロキサン４は、１次放射線を２次放射線に変換するよう設計された、少なくとも１種の蛍光体１３を含んでいてもよい。言い換えれば、架橋ポリオルガノシロキサン４は、半導体３の周りに直接配置される。

図面に関連して記述された例示的な実施形態とそれらの特徴は、その組合せが図に明示されていなくても、さらなる例示的な実施形態に従って、互いに組み合わせることもできる。さらに、図に関連して記述される例示的な実施形態は、概略部分の記述に係る追加のまたは代替の特徴を有していてもよい。

本発明は、例示的な実施形態に基づく記述によって、これら実施形態に限定されるものではない。むしろ、本発明は、特に特許請求の範囲に記載の特徴の組合せのそれぞれを含む、新しい特徴のそれぞれおよび特徴の組合せのそれぞれを含む。これらの特徴または組合せは、それら自体が特許請求の範囲または例示的な実施形態に明示されなくとも、上記の通り含まれるものである。

本特許出願は、米国特許出願第６２／３２４，０２８号明細書の優先権を主張するものであり、その開示の内容は参照により本明細書に含まれる。

１００ 光電子部品
１ アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂
２ 基板またはキャリア
３ 半導体
４ 架橋ポリオルガノシロキサン
５ レンズ
６ リフレクタ
７ 架橋
８ １次放射線の放出
９ ボリュームキャスト
１０ ２次放射線の放出
１１ 変換体素子
１２ 放射主面
１３ 蛍光体
１４ リセス部
２１ ハウジング

Claims (13)

1. Ａ） １次放射線（８）の放出が可能な半導体（３）を提供するステップ、
   Ｂ） アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂（１）を提供するステップ、および
   Ｃ） 前記アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂（１）を架橋して、３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）を形成するステップ
   を含み、前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）の有機分が１３質量％以上１８質量％以下であり、且つ前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）が細かいメッシュ状であり、且つ細かいメッシュ状の３次元ＳｉＯ網目構造を形成し、
   前記アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂（１）が、アルコキシ含量が１７±４質量％のアルコキシ官能化メチルフェニルシリコーン樹脂またはアルコキシ含量が３５±４質量％のアルコキシ官能化メチルシリコーン樹脂である、光電子部品（１００）を製造する方法。
2. ステップＣ）での前記架橋が縮合架橋である、請求項１に記載の方法。
3. ステップＣ）での前記架橋が付加反応ではない、請求項２に記載の方法。
4. 前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）のショアＡ硬度が７０を超える、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）が、前記半導体（３）のビーム経路内に配置される、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
6. 下記ステップＤ）をさらに含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
   Ｄ） 前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）を、変換体素子（１１）として、前記半導体（３）の放射主面（１２）上に塗布するステップであって、前記変換体素子（１１）が、前記１次放射線（８）を２次放射線（１０）に変換する少なくとも１種の蛍光体（１３）を含むステップ。
7. 前記蛍光体が、アルミニウムガーネット、アルカリ土類窒化物、またはこれらの組合せであり、前記蛍光体の含量が、前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）の少なくとも５０質量％を占める、請求項６に記載の方法。
8. 下記ステップＥ）をさらに含む、請求項６に記載の方法。
   Ｅ） 前記光電子部品（１００）のハウジングのリセス部（１４）内の少なくとも複数領域にボリュームキャスト（９）として前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）を配置し、前記半導体（３）が、前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）によって確実に取り囲まれかつその断面の厚さが少なくとも２５０μｍであり、前記蛍光体（１３）がアルミニウムガーネット、アルカリ土類窒化物、またはこれらの組合せであり、前記蛍光体（１３）の含量が、前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）の２５質量％以下を占める、ステップ。
9. 前記３次元架橋ポリオルガノシロキサン（４）が、ハウジング（２１）またはレンズ（５）として形成される、請求項１～８のいずれか一項に記載の方法。
10. ステップＢ）が、キャスティング、ドロップキャスティング、スピンコーティング、ドクターブレーディング、スプレーコーティング、または圧縮成型によって実施される、請求項１～９のいずれか一項に記載の方法。
11. ステップＣ）において、前記架橋（７）を温度および／または湿度またはＵＶ放射を用いて実施する、請求項１～１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記架橋（７）が、ステップＣ）において室温以上２２０℃以下で実施される、請求項１１に記載の方法。
13. 前記アルコキシ官能化ポリオルガノシロキサン樹脂（１）が、前駆体の加水分解によって作製される、請求項１～１２のいずれか一項に記載の方法。

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