JP7125427B2 - 遠隔プラズマ酸化チャンバ - Google Patents

Description

［０００１］本開示の実施形態は、一般に、半導体デバイス製造に関し、特に、高アスペクト比構造の共形酸化のための処理チャンバに関する。

［０００２］シリコン集積回路の生産は、チップ上の最小フィーチャサイズを小さくしながら、デバイスの数を増やすという困難な要求を、製造ステップに課して来た。これらの要求は、種々の材料の層を難しいトポロジー上に堆積し、それらの層内にさらなるフィーチャをエッチングすることを含む製造ステップにまで広がっている。次世代ＮＡＮＤフラッシュメモリの製造プロセスは、特に困難なデバイスジオメトリとスケールを含む。ＮＡＮＤは、データを保持するための電力を必要としない不揮発性ストレージテクノロジの一種である。同じ物理空間内でメモリ容量を増やすために、３次元ＮＡＮＤ（３Ｄ ＮＡＮＤ）設計が開発された。通常、そのような設計は、交互になっている酸化物層と窒化物層を導入し、それらは、基板上に堆積され、その後、エッチングされて、基板に対して実質的に垂直に延びる１つ以上の表面を有する構造を生成する。１つの構造は、１００を超えるこのような層を有し得る。このような設計は、アスペクト比が３０：１以上の高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含むことができる。

［０００３］ＨＡＲ構造は、多くの場合、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）層でコーティングされている。そのような構造を共形酸化して均一な厚さの酸化物層を生成することは、困難である。単に間隙やトレンチを埋めるのではなく、ＨＡＲ構造上に共形に層を堆積するための、新しい製造ステップが必要である。

［０００４］したがって、改善された処理チャンバが、必要である。

［０００５］本開示の実施形態は、一般に、半導体デバイス製造に関し、特に、高アスペクト比構造の共形酸化のための処理チャンバに関する。一実施形態では、半導体処理チャンバのためのライナー部材が、第１の端部、第１の端部の反対側の第２の端部、およびライナー部材の表面に形成され第１の端部から第２の端部まで延びるチャネルを含む。チャネルは、第１の端部よりも第２の端部で広く、第１の端部よりも第２の端部で浅くなっている。

［０００６］別の実施形態では、ライナーアセンブリは、第１の端部、第１の端部の反対側の第２の端部、および本体を通って形成され第１の端部から第２の端部まで延びる導管を有する本体を含む。導管は、流体流路を画定し、導管は、流体流路に実質的に垂直な第１の方向に広がり、流体流路および第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に狭くなる。

［０００７］別の実施形態では、処理システムは、基板支持部と、基板支持部に結合されたチャンバ本体とを含む処理チャンバを含む。チャンバ本体は、第１の側部と、第１の側部の反対側の第２の側部とを含む。処理チャンバは、第１の側部に配置されたライナーアセンブリを、さらに含み、ライナーアセンブリは、分流器を含む。処理チャンバは、第２の側部に隣接して基板支持部に配置された分散ポンピング構造と、コネクタによって処理チャンバに結合された遠隔プラズマ源とを、さらに含み、コネクタは、ライナーアセンブリに接続されて、遠隔プラズマ源から処理容積部までの流体流路を形成する。

［０００８］本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で手短に要約された本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態のいくつかが、添付の図面に示されている。ただし、添付の図面は、例示的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定するものと見なされるべきではなく、他の同等に有効な実施形態を認め得ることに、留意されたい。

本明細書に記載の実施形態による処理システムの断面図である。 本明細書に記載の実施形態による処理システムの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による処理システムの概略上面図である。 本明細書に記載の実施形態によるチャンバ本体の斜視図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリを含むチャンバ本体の一部の断面斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による図１Ａ～図１Ｃの処理システムの一部の断面図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリの下部ライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による分流器の底面図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリの上部ライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による図１Ａ～図１Ｃの処理システムの一部の断面側面図である。 本明細書に記載の実施形態によるノズルの斜視図である。 図６Ａのノズルの断面図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による図１Ａ～図１Ｃの処理システムの一部の断面側面図である。 本明細書に記載の実施形態によるライナーの斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による分流器の斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による留め具の斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による、留め具によってライナーに固定された分流器の斜視図である。

［００２８］理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通の同一の要素を示すために、同一の参照番号が使用されている。１つの実施形態の要素および特徴は、さらに詳述することなく他の実施形態に有益に組み込むことができることが、予期されている。

［００２９］本開示の実施形態は、一般に、高アスペクト比構造の共形酸化のための処理チャンバに関する。処理チャンバは、チャンバ本体の第１の側部に配置されたライナーアセンブリと、第１の側部とは反対側のチャンバ本体の第２の側部に隣接して基板支持部に配置された２つのポンピングポートを含む。ライナーアセンブリは、処理チャンバの処理領域に配置された基板の中心から離れた方向に流体の流れを向かわせる分流器を含む。ライナーアセンブリは、ラジカルなどのプロセスガスとの相互作用を最小限に抑えるために、石英で製造することができる。ライナーアセンブリは、ラジカルの流れの狭窄を低減し、ラジカル濃度とフラックスが増加するように設計されている。２つのポンピングポートを個別に制御して、処理チャンバの処理領域を通るラジカルの流れを調整することができる。

［００３０］図１Ａは、本明細書に記載の実施形態による処理システム１００の断面図である。処理システム１００は、処理チャンバ１０２および遠隔プラズマ源１０４を含む。処理チャンバ１０２は、急速熱処理（ＲＴＰ）チャンバであってもよい。遠隔プラズマ源１０４は、例えば約６ｋＷの出力で動作することができる、マイクロ波結合プラズマ源などの任意の適切な遠隔プラズマ源とすることができる。遠隔プラズマ源１０４は、処理チャンバ１０２に結合され、遠隔プラズマ源１０４で形成されたプラズマを処理チャンバ１０２に向かって流す。遠隔プラズマ源１０４は、コネクタ１０６を介して処理チャンバ１０２に結合されている。明快にするため、図１Ａではコネクタ１０６の構成要素は省略されており、コネクタ１０６は、図３に関連して詳しく説明される。遠隔プラズマ源１０４で形成されたラジカルが、基板の処理中にコネクタ１０６を通って処理チャンバ１０２に流入する。

［００３１］遠隔プラズマ源１０４は、プラズマが生成される管１１０を囲む本体１０８を含む。管１１０は、石英またはサファイアから製造されてもよい。本体１０８は、入口１１２に結合された第１の端部１１４を含み、１つ以上のガス源１１８が、入口１１２に結合されて、１種以上のガスを遠隔プラズマ源１０４に導入することができる。一実施形態では、１つ以上のガス源１１８は、酸素含有ガス源を含み、１種以上のガスは、酸素含有ガスを含む。本体１０８は、第１の端部１１４の反対側の第２の端部１１６を含み、第２の端部１１６は、コネクタ１０６に結合されている。カップリングライナー（図示せず）が、第２の端部１１６で本体１０８内に配置されてもよい。カップリングライナーは、図３に関連して詳しく説明される。電源１２０（例えば、ＲＦ電源）が、プラズマの形成を促進するために遠隔プラズマ源１０４に電力を供給するために、マッチネットワーク１２２を介して遠隔プラズマ源１０４に結合されてもよい。プラズマ中のラジカルが、コネクタ１０６を介して処理チャンバ１０２に流される。

［００３２］処理チャンバ１０２は、チャンバ本体１２５、基板支持部１２８、および窓アセンブリ１３０を含む。チャンバ本体１２５は、第１の側部１２４と、第１の側部１２４の反対側の第２の側部１２６とを含む。いくつかの実施形態において、上部側壁１３４によって囲まれたランプアセンブリ１３２が、窓アセンブリ１３０の上に配置され、窓アセンブリ１３０に結合されている。ランプアセンブリ１３２は、複数のランプ１３６および複数の管１３８を含み、各ランプ１３６が、対応する管１３８内に配置され得る。窓アセンブリ１３０は、複数のライトパイプ１４０を含み、複数のランプ１３６によって生成された熱エネルギーが処理チャンバ１０２内に配置された基板に到達できるように、各ライトパイプ１４０は、対応する管１３８と位置合わせされ得る。いくつかの実施形態では、複数のライトパイプ１４０に流体的に結合された排気管１４４に真空をかけることにより、真空状態が、複数のライトパイプ１４０内に生成され得る。窓アセンブリ１３０は、窓アセンブリ１３０を通って冷却流体を循環させるために形成された導管１４３を有してもよい。

［００３３］処理領域１４６が、チャンバ本体１２５、基板支持部１２８、および窓アセンブリ１３０によって画定され得る。基板１４２が、処理領域１４６に配置され、反射板１５０の上方の支持リング１４８によって支持される。支持リング１４８は、基板１４２の回転を容易にするために、回転可能なシリンダ１５２に取り付けられてもよい。シリンダ１５２は、磁気浮上システム（図示せず）によって浮揚および回転させることができる。反射板１５０は、エネルギーを基板１４２の裏側に反射して、基板１４２の均一な加熱を促進し、処理システム１００のエネルギー効率を増進させる。基板１４２の温度の監視を容易にするために、複数の光ファイバプローブ１５４が、基板支持部１２８および反射板１５０を通って配置されてもよい。

［００３４］ラジカルが遠隔プラズマ源１０４から処理チャンバ１０２の処理領域１４６に流れるために、ライナーアセンブリ１５６が、チャンバ本体１２５の第１の側部１２４に配置される。ライナーアセンブリ１５６は、酸素ラジカルなどのプロセスガスとの相互作用を低減するために、石英などの耐酸化性の材料から製造されてもよい。ライナーアセンブリ１５６は、処理チャンバ１０２に流れるラジカルの流れの狭窄を低減するように設計されている。ライナーアセンブリ１５６は、以下に詳細に説明される。処理チャンバ１０２は、ライナーアセンブリ１５６からポンピングポートへのラジカルの流れを調整するために、チャンバ本体１２５の第２の側部１２６に隣接して基板支持部１２８に形成された分散ポンピング構造１３３を、さらに含む。分散ポンピング構造１３３は、チャンバ本体１２５の第２の側部１２６に隣接して配置される。分散ポンピング構造１３３は、図１Ｃに関連して詳細に説明される。

［００３５］コントローラ１８０が、処理チャンバ１０２および／または遠隔プラズマ源１０４などの処理システム１００の様々な構成要素に結合されて、その動作を制御することができる。コントローラ１８０は、一般に、中央処理装置（ＣＰＵ）１８２、メモリ１８６、およびＣＰＵ１８２のサポート回路１８４を含む。コントローラ１８０は、処理システム１００を直接制御してもよいし、特定のサポートシステム構成要素に関連する他のコンピュータまたはコントローラ（図示せず）を介して制御してもよい。コントローラ１８０は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために工業環境で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つであってよい。メモリ１８６、すなわちコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、フラッシュドライブ、または他の任意の形態の、ローカルもしくはリモートのデジタルストレージ、などの容易に入手可能なメモリのうちの１つ以上であってよい。サポート回路１８４は、従来の方法でプロセッサをサポートするためにＣＰＵ１８２に結合されている。サポート回路１８４は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、およびサブシステムなどを含む。コントローラ１８０を、処理システム１００の動作を制御する特定用途コントローラに変えるために、実行する、または呼び出すことができるソフトウェアルーチン１８８として、処理ステップがメモリ１８６に格納され得る。コントローラ１８０は、本明細書で説明される任意の方法を実行するように構成され得る。

［００３６］図１Ｂは、本明細書に記載の実施形態による処理システム１００の斜視図である。図１Ｂに示されるように、処理チャンバ１０２は、第１の側部１２４と、第１の側部１２４の反対側の第２の側部１２６とを有するチャンバ本体１２５を含む。基板１４２が処理チャンバ１０２に出入りできるように、スリットバルブ開口部１３１が、チャンバ本体１２５の第２の側部１２６に形成されている。処理システム１００は、明快にするために窓アセンブリ１３０とランプアセンブリ１３２が取り外されて、図１Ｂに示されている。処理チャンバ１０２は、支持体１６０によって支持されてもよく、遠隔プラズマ源１０４は、支持体１６２によって支持されてもよい。第１の導管１６４が、２つのポンピングポート（図１Ｂでは見えない）のうちの一方に結合され、バルブ１７０が、処理チャンバ１０２内のラジカルの流れを制御するために、第１の導管１６４に配置されてもよい。第２の導管１６６が、２つのポンピングポートのうちの他方のポンピングポート（図１Ｂでは見えない）に結合され、バルブ１７２が、処理チャンバ１０２内のラジカルの流れを制御するために、第２の導管１６６に配置されてもよい。第１および第２の導管１６４、１６６は、真空ポンプ（図示せず）に接続され得る第３の導管１６８に接続されてもよい。

［００３７］図１Ｃは、本明細書に記載の実施形態による処理システム１００の概略上面図である。図１Ｃに示すように、処理システム１００は、コネクタ１０６を介して処理チャンバ１０２に結合された遠隔プラズマ源１０４を含む。処理システム１００は、明快にするために窓アセンブリ１３０とランプアセンブリ１３２が取り外されて、図１Ｃに示されている。処理チャンバ１０２は、第１の側部１２４および第２の側部１２６を有するチャンバ本体１２５を含む。チャンバ本体１２５は、内縁部１９５および外縁部１９７を含むことができる。外縁部１９７は、第１の側部１２４および第２の側部１２６を含むことができる。内縁部１９５は、処理チャンバ１０２内で処理される基板の形状に類似した形状を有することができる。一実施形態では、チャンバ本体１２５の内縁部１９５は、円形である。外縁部１９７は、図１Ｃに示されるように長方形であってもよいし、または他の適切な形状であってもよい。一実施形態では、チャンバ本体１２５は、ベースリングである。ライナーアセンブリ１５６が、チャンバ本体１２５の第１の側部１２４に配置されている。ライナーアセンブリ１５６は、基板１４２の中心から流体の流れをそらせる分流器１９０を含む。分流器１９０がないと、基板１４２上に形成された酸化物層は、不均一な厚さを有し、基板の中心の酸化物層は、基板の縁部の酸化物層よりも最大４０パーセント厚くなり得る。分流器１９０を利用することにより、基板上に形成された酸化物層は、５パーセント以下の厚さ均一性を有することができる。

［００３８］処理チャンバ１０２は、２つ以上のポンピングポートを有する分散ポンピング構造１３３を含む（図１Ａ）。２つ以上のポンピングポートは、１つ以上の真空源に接続され、独立して流れが制御される。一実施形態では、図１Ｃに示すように、２つのポンピングポート１７４、１７６が、チャンバ本体１２５の第２の側部１２６に隣接して基板支持部１２８に形成される。２つのポンピングポート１７４、１７６は、離間しており、独立して制御することができる。ポンピングポート１７４は、導管１６４（図１Ｂ）に接続されてもよく、ポンピングポート１７４からのポンピングは、バルブ１７０により制御することができる。ポンピングポート１７６は、導管１６６（図１Ｂ）に接続されてもよく、ポンピングポート１７６からのポンピングは、バルブ１７２により制御することができる。各ポンピングポート１７４、１７６からのポンピングを個別に制御することにより、酸化物層の厚さ均一性をさらに改善することができる。処理チャンバ１０２を通って第１の側部１２４から第２の側部１２６に流れる酸素ラジカルなどの流体は、バルブ１７２および／またはバルブ１７０を開くことにより増加させることができる。処理チャンバ１０２を通って流れる流体の増加は、酸素ラジカル密度などの流体密度を増加させ、基板１４２上の堆積をより速くすることができる。ポンピングポート１７４およびポンピングポート１７６は、離間しており、独立して制御されるので、基板１４２の異なる部分を流れる流体を増加または減少させることができ、これにより、基板１４２の異なる部分の堆積を、より速くまたはより遅くして、基板１４２の異なる部分の酸化物層の厚さ不均一性を補償することができる。

［００３９］一実施形態では、２つのポンピングポート１７４、１７６は、チャンバ本体１２５の第１の側部１２４におけるガス流路に垂直な線１９９に沿って離間して配置される。図１Ｃに示すように、線１９９は、チャンバ本体１２５の第２の側部１２６に隣接していてもよく、線１９９は、基板支持リング１４８の外側にあってもよい。いくつかの実施形態では、線１９９は、基板支持リング１４８の一部と交差してもよい。いくつかの実施形態では、線１９９は、ガス流路に対して垂直ではなく、線１９９は、ガス流路に対して鋭角または鈍角を形成してもよい。ポンピングポート１７４、１７６は、図１Ｃに示されるように、基板支持部１２８内において処理チャンバ１０２の中心軸１９８に関して対称的に配置されてもよいし、または非対称的に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、２つより多いポンピングポートが、基板支持部１２８に形成される。

［００４０］図２Ａは、本明細書に記載の実施形態によるチャンバ本体１２５の斜視図である。図２Ａに示すように、チャンバ本体１２５は、第１の側部１２４、第１の側部１２４の反対側の第２の側部１２６、第１の側部１２４と第２の側部１２６の間の第３の側部２１０、および第３の側部２１０の反対側の第４の側部２１２を含む。スロット２０２が、第１の側部１２４に形成され、ライナーアセンブリ１５６（図１Ａ）が、スロット２０２内に配置される。様々なセンサがプロセス状態を監視するために、開口部２０８が、第３の側部２１０に形成されている。基板トンネル２０１が、チャンバ本体１２５に形成され、基板トンネル２０１は、スリットバルブ開口部１３１（図１Ｂ）に接続されている。基板トンネル２０１は、第１のガス通路２０３と第２のガス通路２０５に接続されている。第１のガス通路２０３および第２のガス通路２０５は、分散ポンピング構造１３３（図１Ｃ）に接続されている。一実施形態では、第１のガス通路２０３および第２のガス通路２０５は、基板トンネル２０１の両側から延び、第１のガス通路２０３および第２のガス通路２０５は、チャンバ本体１２５の第１の側部１２４から第２の側部１２６へのガス流路に実質的に垂直な軸に沿って配置される。一実施形態では、第１のガス通路２０３および第２のガス通路２０５のそれぞれが、チャンバ本体１２５に形成されたチャネルと、基板支持部１２８に向かって延びる導管とを含む。一実施形態では、第１のガス通路２０３は、ポンピングポート１７６に接続され、第２のガス通路２０５は、ポンピングポート１７４に接続される。一実施形態では、ガス通路２０３は、導管１６６（図１Ｂ）に接続され、ガス通路２０５は、導管１６４（図１Ｂ）に接続される。チャンバ本体１２５は、上面２１４を有し、スロット２０４が、上面２１４に形成されてもよい。スロット２０４は、１種以上のガスを処理チャンバ１０２に導入するために利用されてもよい。１つ以上の締め具（図示せず）がライナーアセンブリ１５６（図１Ａ）をチャンバ本体１２５に固定するために、１つ以上の開口部２０６が、上面２１４に形成されてもよい。

［００４１］図２Ｂは、ライナーアセンブリ１５６を含むチャンバ本体１２５の一部の断面斜視図である。図２Ｂに示されるように、ライナーアセンブリ１５６が、チャンバ本体１２５内に配置され、締め具２２０が、１つ以上の開口部２０６のうちの１つを通ってライナーアセンブリ１５６をチャンバ本体１２５に固定する。一実施形態では、締め具２２０は、ねじである。締め具カバー２２２が、締め具２２０を覆うために、開口部２０６に配置されてもよい。

［００４２］図３は、図１Ａ～図１Ｃの処理システム１００の一部の断面図である。図３に示すように、処理システム１００は、コネクタプレート３１４を介して処理チャンバ１０２のチャンバ本体１２５の第１の側部１２４に結合されたコネクタ１０６を含む。コネクタ１０６は、コネクタプレート３１４に結合された第１のフランジ３１０と、遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）に結合された第２のフランジ３１２とを含んでもよい。コネクタ１０６は、ステンレス鋼などの金属から製造されてもよい。ライナー３１６が、コネクタ１０６内に配置されてもよく、ライナー３１６は、石英などの耐酸化性の材料から製造されてもよい。ライナー３１６は、円筒形であってもよく、第１の端部３１８、第１の端部３１８の反対側の第２の端部３２０、および第１の端部３１８と第２の端部３２０との間の中央部３２２を含むことができる。いくつかの実施形態では、ライナー３１６は、円筒形ではなく、ライナー３１６は、第１の端部３１８から第２の端部３２０へ断面積が拡大してもよい。第１の端部３１８は、中央部３２２の壁厚よりも薄い壁厚を有してもよい。第１の端部３１８は、中央部３２２の外径と同じ外径と、中央部３２２の内径よりも大きい内径とを有してもよい。第２の端部３２０は、中央部３２２の壁厚よりも薄い壁厚を有してもよい。第２の端部３２０は、中央部３２２の外径よりも小さい外径と、中央部３２２の内径と同じ内径とを有してもよい。ライナー３１６は、１個の石英を機械加工することにより、または３Ｄプリンティングにより製造されてもよい。

［００４３］カップリングライナー３０２が、ライナー３１６に結合されてもよく、カップリングライナー３０２は、遠隔プラズマ源１０４の出口カップリングの内側など、遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）内に配置されてもよい。カップリングライナー３０２は、円筒形であってもよい。カップリングライナー３０２は、石英などの耐酸化性の材料から製造されてもよい。カップリングライナー３０２は、第１の端部３０４、第１の端部３０４の反対側の第２の端部３０６、および第１の端部３０４と第２の端部３０６との間の中央部３０８を含むことができる。第１の端部３０４は、中央部３０８の壁厚よりも薄い壁厚を有する。第１の端部３０４は、中央部３０８の外径よりも小さい外径と、中央部３０８の内径と同じ内径とを有する。第２の端部３０６は、中央部３０８の壁厚よりも薄い壁厚を有する。第２の端部３０４は、中央部３０８の外径よりも小さい外径と、中央部３０８の内径と同じ内径とを有する。カップリングライナー３０２の第２の端部３０６は、ライナー３１６の第１の端部３１８に結合されてもよく、ライナー３１６の第１の端部３１８は、カップリングライナー３０２の第２の端部３０６を囲んでもよい。カップリングライナー３０２の第２の端部３０６は、任意の適切な方法でライナー３１６の第１の端部３１８に結合されてよい。一実施形態では、カップリングライナー３０２の第２の端部３０６が、ライナー３１６の第１の端部３１８にしっかりと嵌り込むことができるように、カップリングライナー３０２の第２の端部３０６の外径が、ライナー３１６の第１の端部３１８の内径よりわずかに小さくてもよい。別の実施形態では、ライナー３１６の第１の端部３１８が、カップリングライナー３０２の第２の端部３０６にしっかりと嵌り込むことができるように、カップリングライナー３０２の第２の端部３０６の内径が、ライナー３１６の第１の端部３１８の外径よりわずかに大きくてもよい。別の実施形態では、カップリングライナー３０２の第２の端部３０６の壁厚は、ライナー３１６の第１の端部３１８の壁厚と同じである。第１の端部３１８および第２の端部３０６のうちの一方が、その上に形成された突起部を含み、第１の端部３１８および第２の端部３０６のうちの他方が、その中に形成された凹部を含む。第１の端部３１８が第２の端部３０６に結合されるとき、第１の端部３１８および第２の端部３０６のうちの一方の突起部は、第１の端部３１８および第２の端部３０６のうちの他方の凹部内にある。突起部は、第１の端部３１８および第２の端部３０６のうちの一方に形成された１つ以上の個別の突起部または連続した突起部であってもよく、凹部は、第１の端部３１８および第２の端部３０６のうちの他方に形成された１つ以上の対応する凹部または連続した凹部であってもよい。別の実施形態では、第１の端部３１８および第２の端部３０６は、互いと結合されたときに重なっている交互の部分を含むことができる。カップリングライナー３０２は、１個の石英を機械加工することにより、または３Ｄプリンティングにより製造されてもよい。

［００４４］ライナーアセンブリ１５６は、上部ライナー３２４および下部ライナー３２６を含むことができる。上部ライナー３２４および下部ライナー３２６は両方とも、石英などの耐酸化性の材料から製造されてもよい。上部ライナー３２４および下部ライナー３２６のそれぞれが、１個の石英を機械加工することにより、または３Ｄプリンティングにより製造されてもよい。下部ライナー３２６は、第１の部分３３６と第２の部分３３８を含む。第１の部分３３６が、スロット２０２（図２）内に配置されて、スロット２０２内の段３４４に対して押し付けられてもよい。この構成において、下部ライナー３２６が処理チャンバ１０２の処理領域１４６（図１Ａ）の中に滑り込むことが、防止される。上部ライナー３２４が、下部ライナー３２６上に配置されている。上部ライナー３２４は、第１の部分３４０と第２の部分３４２を含む。第１の部分３４０が、スロット２０２内に配置されて、スロット２０２内の段３４６に対して押し付けられてもよい。この構成において、上部ライナー３２４が処理チャンバ１０２の処理領域１４６の中に滑り込むことが、防止される。下部ライナー３２６の第１の部分３３６は、端部３３０を含み、上部ライナー３２４の第１の部分３４０は、端部３２８を含む。端部３３０および端部３２８は、開口部３３２を形成してもよく、ライナー３１６の第２の端部３２０を囲んでもよい。一実施形態では、端部３３０および端部３２８によって形成される開口部３３２は、円形の断面を有し、ライナー３１６の第２の端部３２０は、円筒形である。ライナー３１６の第２の端部３２０が、端部３３０および端部３２８によって形成された開口部３３２にしっかりと嵌り込むことができるように、ライナー３１６の第２の端部３２０の外径は、端部３３０および端部３２８によって形成された開口部３３２よりわずかに小さくてもよい。ライナー３１６の第２の端部３２０は、任意の適切な方法で端部３３０および端部３２８に結合されてよい。一実施形態では、ライナー３１６の第２の端部３２０は、カップリングライナー３０２の第２の端部３０６がライナー３１６の第１の端部３１８に結合されるのと同じ方法で、端部３３０および端部３２８に結合される。

［００４５］下部ライナー３２６の第１の部分３３６および上部ライナー３２４の第１の部分３４０は、スロット２０２の開口部３３２から引っ込んだ別の開口部３３４を形成してもよい。一実施形態では、開口部３３４は、レーストラック形状を有する。開口部３３４は、開口部３３２の断面積と実質的に同じまたはそれより大きい断面積を有する。下部ライナー３２６および上部ライナー３２４は、協働して流体流路を画定する。ライナーアセンブリ１５６は、本体３３９を含む。一実施形態では、本体３３９は、下部ライナー３２６および上部ライナー３２４を含む。導管３４３が、ライナーアセンブリ１５６の本体３３９を通って形成され、本体３３９の第１の端部３４１から本体３３９の第２の端部３４５まで延びている。導管３４３は、流体流路に実質的に垂直な第１の方向に広がり、流体流路および第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に狭くなる。動作中、遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）で形成されたラジカルは、カップリングライナー３０２、ライナー３１６、およびライナーアセンブリ１５６の導管３４３を通って、処理チャンバ１０２の処理領域１４６に流入する。ライナー３０２、３１６およびライナーアセンブリ１５６は、石英などの耐酸化性材料から製造されているので、ラジカルは、ライナー３０２、３１６およびライナーアセンブリ１５６の表面に接触した時に、再結合しない。加えて、開口部３３４の断面積は、開口部３３２の断面積と同じかそれより大きいので、ラジカルの流れは制限されず、処理領域１４６内のラジカル濃度とフラックスの増加につながる。

［００４６］図４Ａは、本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリ１５６の下部ライナー３２６の斜視図である。図４Ａに示されるように、下部ライナー３２６は、第１の端部３３０と、第１の端部３３０の反対側の第２の端部４０３とを含む。一実施形態では、図４Ａに示すように、端部３３０は、半円形であってもよい。端部３３０および端部３２８（図３）は、急激な狭窄のない流体の流れを提供する任意の形状を形成してよい。拡大チャネル４０５が、第１の端部３３０から第２の端部４０３まで延びている。第２の端部４０３は、チャンバ本体１２５（図１Ａ）の第１の側部１２４を越えて延びてもよい。第２の端部４０３は、円弧である部分４２０を含むことができ、部分４２０は、支持リング１４８（図１Ａ）の一部と実質的に平行であってもよい。拡大チャネル４０５は、第１の端部３３０から第２の端部４０３への流体流路に実質的に垂直な寸法Ｄにおいて拡大することができる。拡大チャネル４０５は、第１の端部３３０よりも第２の端部４０３で広く、第１の端部３３０よりも第２の端部４０３で浅くなっている。流体は、酸素ラジカルであってもよく、拡大チャネル４０５が、ラジカルの流れの狭窄をさらに低減する。拡大チャネル４０５は、湾曲した断面を有してもよい。

［００４７］下部ライナー３２６は、図４Ａに示されるように、第２の部分３３８の拡大チャネル４０５に配置された突起部４０２を含むことができる。突起部４０２は、分流器１９０（図１Ｃ）を固定するために利用される。図４Ｂは、本明細書に記載の実施形態による分流器１９０の底面図である。図４Ｂに示されるように、分流器１９０は、底面４０８と、底面４０８に形成された凹部４０４とを含む。分流器１９０は、下部ライナー３２６の第２の部分３３８の拡大チャネル４０５上に配置され、拡大チャネル４０５上に形成された突起部４０２が、下部ライナー３２６上に分流器１９０を固定するために、凹部４０４の内部に嵌合する。分流器１９０は、ラジカルなどの流体の流れを分割することができる任意の適切な形状を有することができる。一実施形態では、図４Ｂに示されるように、分流器１９０は、三角形の形状を有する。別の実施形態では、分流器１９０は、楕円形の形状を有する。別の実施形態では、分流器１９０は、円形の形状を有する。分流器１９０の形状は、分流器１９０の上方からの見え方に基づいている。分流器１９０は、高さを有することができる。一実施形態では、分流器１９０は、シリンダである。別の実施形態では、分流器１９０は、楕円形のシリンダである。分流器１９０は、下部ライナー３２６の第１の部分３３６に面する第１の端部４１０と、第１の端部４１０の反対側の第２の端部４１２とを有する。第１の端部４１０は、第２の端部４１２の幅よりも小さい幅を有することができる。一実施形態では、第１の端部４１０は、鋭角のエッジである。第１の端部４１０および第２の端部４１２は、表面４１４、４１６によって接合され得る。一実施形態では、図４Ｂに示すように、表面４１４、４１６のそれぞれが、直線状である。他の実施形態では、表面４１４、４１６の１つ以上が、湾曲していてもよい。

［００４８］図４Ｃは、本明細書に記載の実施形態によるライナーアセンブリ１５６の上部ライナー３２４の斜視図である。図４Ｃに示されるように、上部ライナー３２４は、第１の部分３４０と第２の部分３４２を含む。第１の部分３４０は、端部３２８を含む。一実施形態では、図４Ｃに示すように、端部３２８は、半円形であってもよい。端部３３０（図４Ａ）および端部３２８は、急激な狭窄のない流体の流れを提供する任意の形状を形成してよい。第２の部分３４２は、拡大チャネル４０５と同様の拡大チャネル（図示せず）を含むことができる。一実施形態において、上部ライナー３２４は、突起部４０２を含まないことを除いて、下部ライナー３２６と同一である。分流器１９０は、下部ライナー３２６上に配置されたとき、上部ライナー３２４と接触してもよく、または、分流器１９０が下部ライナー３２６上に配置されたとき、間隙が、分流器１９０と上部ライナー３２４との間に形成されてもよい。

［００４９］図５は、本明細書に記載の実施形態による図１Ａ～図１Ｃの処理システム１００の一部の断面図である。図５に示すように、処理システム１００は、コネクタプレート３１４を介して処理チャンバ１０２のチャンバ本体１２５の第１の側部１２４に結合されたコネクタ１０６を含む。コネクタ１０６は、コネクタプレート３１４に結合された第１のフランジ３１０と、遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）に結合された第２のフランジ３１２とを含んでもよい。ライナー５０２が、コネクタ１０６内に配置され得る。ライナー５０２は、石英などの耐酸化性の材料から製造されている。ライナー５０２は、円筒形であってもよく、第１の端部５０４、第１の端部５０４の反対側の第２の端部５０６、および第１の端部５０４と第２の端部５０６との間の中央部５０８を含むことができる。いくつかの実施形態では、ライナー５０２は、円筒形ではなく、ライナー５０２は、第１の端部５０４から第２の端部５０６へ断面積が拡大してもよい。第１の端部５０４は、中央部５０８の壁厚よりも薄い壁厚を有してもよい。第１の端部５０４は、中央部５０８の外径よりも小さい外径と、中央部５０８の内径と同じ内径とを有してもよい。第２の端部５０６は、中央部５０８の壁厚よりも薄い壁厚を有してもよい。第２の端部５０６は、中央部５０８の外径よりも小さい外径と、中央部５０８の内径と同じ内径とを有してもよい。ライナー５０２は、１個の石英を機械加工することにより、または３Ｄプリンティングにより製造されてもよい。

［００５０］カップリングライナー５１０が、ライナー５０２に結合されてもよく、カップリングライナー５１０は、遠隔プラズマ源１０４の出口カップリングの内側など、遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）内に配置されてもよい。カップリングライナー５１０は、円筒形であってもよい。カップリングライナー５１０は、石英などの耐酸化性の材料から製造されてもよい。カップリングライナー５１０は、第１の端部５１２、第１の端部５１２の反対側の第２の端部５１４、および第１の端部５１２と第２の端部５１４との間の中央部５１６を含むことができる。第１の端部５１２は、中央部５１６の壁厚よりも薄い壁厚を有する。第１の端部５１２は、中央部５１６の外径よりも小さい外径と、中央部５１６の内径と同じ内径とを有する。第２の端部５１４は、中央部５１６の壁厚よりも薄い壁厚を有する。第２の端部５１４は、中央部５１６の外径よりも小さい外径と、中央部５１６の内径と同じ内径とを有する。ライナー５１０の第２の端部５１４の内径および外径は、それぞれ、ライナー５０２の第１の端部５０４の内径および外径と同じであってもよい。カップリングライナー５１０の第２の端部５１４は、外部の締め具（図示せず）によってライナー５０２の第１の端部５０４に結合されてもよい。カップリングライナー５１０は、１個の石英を機械加工することにより、または３Ｄプリンティングにより製造されてもよい。

［００５１］ライナーアセンブリ１５６は、ノズル５２０、およびノズル５２０と接触しているライナー５２２を含むことができる。ノズル５２０およびライナー５２２は両方とも、石英などの耐酸化性の材料から製造されている。ノズル５２０およびライナー５２２のそれぞれが、１個の石英を機械加工することにより、または３Ｄプリンティングにより製造されてもよい。ノズル５２０は、チャンバ本体１２５のスロット２０２（図２）内に配置され得る。ノズル５２０は、ライナー５０２の第２の端部５０６に結合された端部５２４を含む。ノズル５２０の端部５２４の内径および外径は、それぞれ、ライナー５０２の第２の端部５０６の内径および外径と同じであってもよい。ノズル５２０は、ライナー５０２に面する第１の開口部５３２と、第１の開口部５３２の反対側の第２の開口部５３４とを含むことができる。第１の開口部５３２は、ライナー５０２の第２の端部５０６の形状に適合する形状を有する。一実施形態では、第２の端部５０６は、円筒形であり、第１の開口部５３２は、円形の断面積を有する。第２の開口部５３４は、ライナー５２２に形成された開口部の形状に適合する形状を有する。一実施形態では、第２の開口部５３４は、レーストラック形状を有する。第２の開口部５３４は、第１の開口部５３２の断面積と実質的に同じまたはそれより大きい断面積を有する。第１の開口部５３２および第２の開口部５３４は、表面５２６、５２８、５３０によって接続され得る。表面５２６、５２８、５３０は、拡大チャネル５３１を形成する連続的な曲面であってもよい。動作中、遠隔プラズマ源１０４で形成されたラジカルは、ライナー５１０、ライナー５０２、およびライナーアセンブリ１５６を通って、処理チャンバ１０２の処理領域１４６に流入する。ライナー５１０、５０２およびライナーアセンブリ１５６は、石英から製造されているので、ラジカルは、ライナー５１０、５０２およびライナーアセンブリ１５６の表面に接触した時に、再結合しない。加えて、第２の開口部５３４の断面積は、第１の開口部５３２の断面積と同じかそれより大きいので、ラジカルの流れは制限されず、処理領域１４６内のラジカル濃度とフラックスの増加につながる。一実施形態において、ライナー５１０、５０２およびライナーアセンブリ１５６は、処理システム１００で使用される。

［００５２］図６Ａは、本明細書に記載の一実施形態によるノズル５２０の斜視図であり、図６Ｂは、図６Ａのノズル５２０の断面図である。図６Ａおよび図６Ｂに示されるように、ノズル５２０は、第１の表面６０２と、第１の表面６０２の反対側の第２の表面６０４とを含む。第１の表面６０２は、コネクタ１０６（図５）のライナー５０２に面してもよく、第２の表面６０４は、ライナー５２２（図５）に面してもよい。端部５２４が、第１の表面６０２に配置されてもよい。第１の開口部５３２が、第１の表面６０２に形成され、第１の開口部５３２は、図６Ａに示されるように、円形の形状を有してもよい。第２の開口部５３４が、第２の表面６０４に形成され、第２の開口部５３４は、レーストラック形状を有してもよい。第２の開口部５３４は、第１の開口部５３２の直径より大きい長い寸法と、第１の開口部５３２の直径より小さい短い寸法とを含むことができる。ノズル５２０は、第１の端部６０１、第１の端部６０１の反対側の第２の端部６０３、および第１の端部６０１と第２の端部６０３との間に位置する部分６０５を含むことができる。第１の表面６０２を見たとき、第１および第２の端部６０１、６０３は、それぞれ長方形の形状を有することができ、部分６０５は、楕円形の形状を有することができる。部分６０５は、図６Ａに示される楕円形とは異なる形状を有してもよい。

［００５３］図５、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、表面５２６、５２８、５３０、６０８は、第１の開口部５３２を第２の開口部５３４に接続する。第２の開口部５３４の断面積が、第１の開口部５３２の断面積と実質的に同じかそれより大きくなるように、表面５２６、５２８、５３０、６０８は、第１の開口部５３２の形状から第２の開口部５３４の形状への移行を容易にする。表面５２６、５２８、５３０、６０８は、拡大チャネル５３１を形成する連続的な曲面であってもよい。一実施形態では、拡大チャネル５３１は、第２の開口部５３４のレーストラック形状の長い寸法などの１つの寸法において拡大しており、他方、第２の開口部５３４のレーストラック形状の短い寸法などの別の寸法において減少していてもよい。いくつかの実施形態では、表面５２６、５２８、５３０、６０８は、異なる曲率を有する別個の表面であってもよい。

［００５４］図７は、本明細書に記載の一実施形態によるライナー５２２の斜視図である。図７に示されるように、ライナー５２２は、第１の端部７０２と、第１の端部７０２の反対側の第２の端部７０４とを含む。第１の端部７０２は、コネクタ１０６および遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）に面してもよく、第２の端部７０４は、処理チャンバ１０２の処理領域１４６（図１Ａ）に面してもよい。凹部７０６が、ノズル５２０がその中に配置されるように第１の端部７０２に形成されてもよい。開口部７０８が、凹部７０６に形成され、ノズル５２０の第２の開口部５３４に結合する。開口部７０８は、ノズル５２０の第２の開口部５３４と同じ形状を有してもよい。一実施形態では、ノズル５２０の第２の開口部５３４およびライナー５２２の開口部７０８は、両方ともレーストラック断面形状を有する。第２の端部７０４は、第１のチャンバ壁１２４（図１Ａ）を越えて延びてもよい。第２の端部７０４は、部分７１４を含むことができる。一実施形態では、部分７１４は、円弧であり、支持リング１４８（図１Ａ）の一部と実質的に平行である。拡大チャネル７１２が、ライナー５２２内に形成され、拡大チャネル７１２は、開口部７０８から第２の端部７０４への流体流路に実質的に垂直な寸法Ｄにおいて拡大することができる。拡大チャネル７１２は、ラジカルの流れの狭窄を低減する。１つ以上の締め具（図示せず）がライナー５２２をチャンバ本体１２５（図５）に固定するために、１つ以上の開口部７１０が、ライナー５２２に形成されてもよい。

［００５５］図８は、本明細書に記載の実施形態による図１Ａ～図１Ｃの処理システム１００の一部の断面側面図である。図８に示すように、処理システム１００は、コネクタプレート３１４を介して処理チャンバ１０２のチャンバ本体１２５の第１の側部１２４に結合されたコネクタ１０６を含む。コネクタ１０６は、コネクタプレート３１４に結合された第１のフランジ３１０と、遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）に結合された第２のフランジ３１２とを含む。ライナー３１６が、コネクタ１０６内に配置されて、第１の端部３１８と、第１の端部３１８の反対側の第２の端部３２０とを含むことができる。カップリングライナー３０２が、ライナー３１６に結合されてもよく、カップリングライナー３０２は、遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）内に配置されてもよい。カップリングライナー３０２は、ライナー３１６の第１の端部３１８にしっかりと嵌合する第２の端部３０６を含むことができる。

［００５６］ライナーアセンブリ１５６は、ノズル５２０、およびノズル５２０と接触しているライナー５２２を含むことができる。ノズル５２０の端部５２４が、ライナー３１６の第２の端部３２０を囲むことができる。端部５２４は、ライナー３１６に面する第１の開口部５３２を形成する。ライナー３１６の第２の端部３２０が、第１の開口部５３２にしっかりと嵌り込むことができるように、ライナー３１６の第２の端部３２０の外径は、開口部５３２よりわずかに小さくてもよい。第２の端部３２０は、任意の適切な方法で端部５２４に結合されてよい。第２の開口部５３４は、ライナー５２２に形成された開口部７０８（図７）の形状に適合する形状を有する。動作中、遠隔プラズマ源１０４で形成されたラジカルは、カップリングライナー３０２、ライナー３１６、およびライナーアセンブリ１５６を通って、処理チャンバ１０２の処理領域１４６に流入する。ライナー３０２、３１６およびライナーアセンブリ１５６は、石英などの耐酸化性の材料から製造されているので、ラジカルは、ライナー３０２、３１６およびライナーアセンブリ１５６の表面に接触した時に、再結合しない。加えて、第２の開口部５３４の断面積は、第１の開口部５３２の断面積と同じかそれより大きいので、ラジカルの流れは制限されず、処理領域１４６内のラジカル濃度とフラックスの増加につながる。

［００５７］図９Ａは、本明細書に記載の実施形態によるライナー５２２の斜視図である。図９Ａに示されるように、ライナー５２２は、第１の端部７０２と、第１の端部７０２の反対側の第２の端部７０４とを含む。第１の端部７０２は、コネクタ１０６および遠隔プラズマ源１０４（図１Ａ）に面してもよく、第２の端部７０４は、処理チャンバ１０２の処理領域１４６（図１Ａ）に面してもよい。ライナー５２２は、上面９０２と、上面９０２の反対側の底面９０４とを、さらに含む。拡大チャネル７１２が、ライナー５２２内に上面９０２と底面９０４との間に形成される。スロット９０６が、底面９０４に形成されてもよく、スロット９０６は、図９Ａに示されるように、第２の部分９１０と第３の部分９１２との間に位置する第１の部分９０８を含む。スロット９０６の第１の部分９０８は、スロット９０６の第２の部分９１０および第３の部分９１２よりも大きい。

［００５８］図９Ｂは、本明細書に記載の実施形態による分流器１９０の斜視図である。図９Ｂに示すように、分流器１９０は、第１の端部４１０、第１の端部４１０の反対側の第２の端部４１２、および第１の端部４１０と第２の端部４１２を接続する表面４１４、４１６を有する。凹部９２０が、第２の端部４１２に形成されてもよい。凹部９２０は、留め具によってライナー５２２内に分流器１９０を固定するために利用される。図９Ｃは、本明細書に記載の実施形態による留め具９３０の斜視図である。留め具９３０は、第１の部分９３２と第２の部分９３４を含む。第１の部分９３２は、ライナー５２２の底面９０４に形成されたスロット９０６の第１の部分９０８に嵌り込むことができる大きさを有する。第１の部分９３２が、スロット９０６に固定されるように、第１の部分９３２の大きさは、スロット９０６の第２の部分９１０および第３の部分９１２よりも大きい。留め具９３０がスロット９０６の第１の部分９０８を通って落下するのを防止するため、第２の部分９３４が、ライナー５２２の底面９０４に載るように、留め具９３０の第２の部分９３４は、第１の部分９３２よりも大きい。第２の部分９３４は、分流器１９０の凹部９２０に嵌り込む大きさである。

［００５９］図１０は、本明細書に記載の実施形態による、留め具９３０によってライナー５２２に固定された分流器１９０の斜視図である。図１０に示されるように、第１の部分９３２（図９Ｃ）が、ライナー５２２の底面９０４に形成されたスロット９０６の第１の部分９０８（図９Ａ）に固定されるので、留め具９３０の第２の部分９３４は、ライナー５２２の底面９０４に固定される。留め具９３０の第２の部分９３４が、分流器１９０の凹部９２０に嵌り込むので、分流器１９０は、ライナー５２２に固定される。図１０に示すように、分流器１９０が処理チャンバ１０２内に落下するのが、留め具９３０によって防止されている。ライナー５２２内の拡大チャネル７１２が、高さＨ_１を有し、分流器１９０が、高さＨ_２を有する。分流器１９０が、ライナー５２２の拡大チャネル７１２にしっかりと嵌め込まれることができるように、高さＨ_２は、高さＨ_１よりわずかに小さくてもよい。いくつかの実施形態では、高さＨ_２は、高さＨ_１よりもはるかに小さく、例えば、Ｈ_１の７５パーセント、Ｈ_１の５０パーセント、またはＨ_１の２５パーセントなどである。

［００６０］上記は、本開示の実施形態に向けられているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考え出すこともでき、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (14)

1. 半導体処理チャンバのためのライナー部材であって、
   第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備えたノズルであって、前記ノズルの前記第１の開口部は円形の断面を有し、前記ノズルの前記第２の開口部は、前記ノズルの前記第１の開口部よりも広く且つ浅い楕円形の断面を有し、前記ノズルの前記第２の開口部は、前記ノズルの前記第１の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有する、ノズルと、
   第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備えたライナーであって、前記ライナーの前記第１の端部は前記ノズルの前記第２の端部に直接結合されており、前記ライナーの前記第２の開口部は、前記ライナーの前記第１の開口部の断面より広い断面を有するが、実質的に高さは同じである、ライナーと、
   前記ライナー部材に形成され、前記ノズルの前記第１の端部から前記ライナーの前記第２の端部まで延びるチャネルであって、前記ノズルの前記第１の端部におけるよりも前記ライナーの前記第２の端部においてより広く、前記ノズルの前記第１の端部におけるよりも前記ライナーの前記第２の端部においてより浅いチャネルと、
   を備えるライナー部材。
2. 前記ライナー部材が石英を含む、請求項１に記載のライナー部材。
3. 前記チャネル内に配置された突起部を、さらに備える、請求項１に記載のライナー部材。
4. 前記チャネル内に配置された分流器をさらに備え、前記分流器は前記突起部によって前記ライナー部材に固定されており、前記分流器は前記ライナーの高さより低い高さを有する、請求項３に記載のライナー部材。
5. 前記分流器が三角形の形状を有する、請求項４に記載のライナー部材。
6. ライナーアセンブリであって、
   第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備えたコネクタであって、前記コネクタの第２の開口部は、前記コネクタの第１の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有し、前記コネクタの第１の端部はさらに、前記コネクタの前記第１の開口部から半径方向外側に延びる第１のフランジを備え、前記コネクタの第２の端部はさらに、前記コネクタの前記第２の開口部から半径方向外側に延びる第２のフランジを備える、コネクタと、
   第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備えたノズルであって、前記ノズルの前記第１の端部は前記コネクタの前記第２の端部に直接結合されており、前記ノズルの前記第１の開口部は円形の断面を有し、前記ノズルの前記第２の開口部は、前記ノズルの前記第１の開口部よりも広く且つ浅い楕円形の断面を有し、前記ノズルの前記第２の開口部は、前記ノズルの前記第１の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有する、ノズルと、
   第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備えたライナーであって、前記ライナーの前記第１の端部は前記ノズルの前記第２の端部に直接結合されており、前記ライナーの前記第２の開口部は、前記ライナーの前記第１の開口部の断面より広い断面を有するが、実質的に高さは同じである、ライナーと、
   前記ライナーアセンブリを通って形成され、前記コネクタの前記第１の端部から前記ライナーの前記第２の端部まで延びる導管であって、前記導管が、流体流路を画定し、前記流体流路は、前記流体流路の主軸に実質的に垂直な第１の方向に広がり、前記流体流路の主軸および前記第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に狭くなる、導管と、
   を有する、ライナーアセンブリ。
7. 前記コネクタの前記第１の開口部および前記第２の開口部が円形である、請求項６に記載のライナーアセンブリ。
8. 前記ノズルの前記第１の開口部が、前記コネクタの前記第２の開口部より大きい直径を有する、請求項６に記載のライナーアセンブリ。
9. 処理チャンバ、並びに
   コネクタによって前記処理チャンバに結合された遠隔プラズマ源、
   を備える処理システムであって、
   前記処理チャンバは、
   基板支持部、
   前記基板支持部に結合されたチャンバ本体であって、前記チャンバ本体が、第１の側部および前記第１の側部の反対側の第２の側部を備え、前記チャンバ本体および前記基板支持部が、協働して処理容積部を画定する、チャンバ本体、
   前記第２の側部に隣接して前記基板支持部に配置された分散ポンピング構造、および
   前記第１の側部に配置されたライナーアセンブリ、
   を備え、前記ライナーアセンブリは、
   第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備えたノズルであって、前記ノズルの前記第１の開口部は円形の断面を有し、前記ノズルの前記第２の開口部は、前記ノズルの前記第１の開口部よりも広く且つ浅い楕円形の断面を有し、前記ノズルの前記第２の開口部は、前記ノズルの前記第１の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有する、ノズル、および
   第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備えたライナーであって、前記ライナーの前記第１の端部は前記ノズルの前記第２の端部に直接結合されており、前記ライナーの前記第２の開口部は、前記ライナーの前記第１の開口部の断面より広い断面を有するが、実質的に高さは同じである、ライナー、
   を備え、
   前記コネクタは、第１の開口部を有する第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の開口部を有する第２の端部とを備え、前記コネクタの第２の開口部は、前記コネクタの第１の開口部の断面積と等しいかまたはそれより大きい断面積を有し、前記コネクタの前記第２の端部は、前記ライナーアセンブリの前記ノズルの前記第１の端部に接続されて、前記遠隔プラズマ源から前記処理容積部までの流体流路を形成し、前記流体流路は、前記流体流路の主軸に実質的に垂直な第１の方向に広がり、前記流体流路の主軸および前記第１の方向に実質的に垂直な第２の方向に狭くなる、処理システム。
10. 前記分散ポンピング構造が、２つのポンピングポートを備える、請求項９に記載の処理システム。
11. 前記２つのポンピングポートが、ガス流路に垂直な線に沿って離間している、請求項１０に記載の処理システム。
12. 前記２つのポンピングポートが、前記処理チャンバの中心軸に関して対称的に配置されている、請求項１１に記載の処理システム。
13. ２つのバルブをさらに備え、各バルブが、前記２つのポンピングポートのうちの対応するポンピングポートに接続されている、請求項１０に記載の処理システム。
14. 分流器が、前記ライナーに配置されており、前記分流器は前記ライナーの高さよりも低い高さを有する、請求項９に記載の処理システム。

Images