JP2004091848A - 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004091848A JP2004091848A JP2002253671A JP2002253671A JP2004091848A JP 2004091848 A JP2004091848 A JP 2004091848A JP 2002253671 A JP2002253671 A JP 2002253671A JP 2002253671 A JP2002253671 A JP 2002253671A JP 2004091848 A JP2004091848 A JP 2004091848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source gas
- thin film
- film forming
- forming apparatus
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 177
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- -1 metal halide compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】原料ガスの切り換えを早くするために原料ガスが混合するのを防止するとともに、均一な成膜をするために原料ガスを均一に基板全面に広げることができる薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを原料ガス供給源２０から供給して反応室１０にある基板１１を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、原料ガス供給源２０に接続する主供給管３０と、第一の端部４１が主供給管３０に接続し、複数の第二の端部４２が反応室１０に接続するように複数に分岐する分岐管４０とを有し、第一の端部４１と複数の夫々の第二の端部４２との間のコンダクタンスが等しい。
【選択図】 図１
【解決手段】原料ガスを原料ガス供給源２０から供給して反応室１０にある基板１１を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、原料ガス供給源２０に接続する主供給管３０と、第一の端部４１が主供給管３０に接続し、複数の第二の端部４２が反応室１０に接続するように複数に分岐する分岐管４０とを有し、第一の端部４１と複数の夫々の第二の端部４２との間のコンダクタンスが等しい。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置に関し、特に、原料ガスを供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、基板上に形成する絶縁膜および金属配線膜等に対しては、薄膜化、複雑な形状への被覆性の良い成膜、ウエハ全体に対し巨視的に均一な成膜、ナノメートルレベルの微視的に平滑な成膜が望まれている。これらの要求を満たす成膜方法として、複数種の原料ガスを一種類ずつ交互に複数回にわたり反応室へ供給して反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する方法が最近注目されている。
【０００３】
かかる方法では、原料ガスの反応表面への吸着を経由して、原子層レベル又は分子層レベルで成膜を行い、これらの工程を繰り返して所定の厚さの薄膜を得ることができる。
【０００４】
より具体的には、先ず、第一の原料ガスを基板上に供給し、その吸着層を基板上に形成する。第一の原料ガスの反応室への供給を止めて、第一の原料ガスを真空引き又は不活性ガスによってパージし、その後、第二の原料ガスを基板上に供給し反応させる。第二の原料ガスの反応室への供給を止めた後に、第二の原料ガスを真空引き又は不活性ガスによってパージする。これらの工程を繰り返して所定の厚さの薄膜を得ることができる。
【０００５】
第一の原料ガスが基板に吸着した後に第二の原料ガスと反応するため、成膜温度の低温化を図ることができる。また、ホールに成膜をする場合は、従来のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で問題となっていたような、原料ガスがホール上部で反応消費されることによる被覆性の低下を避けることができる。更に、吸着層の厚さは、一般に原子、分子の単層又は多くても２、３層であるが、その温度と圧力で決定され、吸着層を作るのに必要以上の原料ガスが供給されると排出されるという自己整合性を有しているので、極薄膜の厚さを制御するのに良い。また、１回の成膜が、原子層レベル又は分子層レベルで行われるため、反応が完全に進行し易く、膜中に不純物が残留しにくくなり好適である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
かかる複数種の原料ガスを１種類ずつ複数回にわたり反応室へ供給して反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法を利用した薄膜形成装置では、成膜のプロセスに時間がかかるため、原料ガスの切り替えを高速で行って、成膜の生産性を向上させる必要がある。
【０００７】
また、基板上に均一な膜を形成するためには、原料ガスを反応室に導入する際に、原料ガスを基板の大きさ近くにまで広げて、基板上の全面を層流状に流れることが必要である。
【０００８】
ガスの流れを層流にするために、例えば、反応室の側面に、複数の穴を有するシャワーヘッド部を設け、シャワーヘッド部内と反応室内との圧力差でガスを横から押し出すようなサイドフローによって、反応室内の基板の上面に導入する方法がある。しかし、この方法では、反応室にガスを導入する際に、シャワーヘッド部内に原料ガスが滞留する部分を生じてしまう。従って、完全に原料ガスを切り換えることが出来ない。
【０００９】
そこで、本発明は、原料ガスの切り換えを早くするために原料ガスが混合するのを防止するとともに、基板に均一な成膜をするために原料ガスを均一に基板全面に広げることができる薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は請求項１に記載の如く、原料ガスを原料ガス供給源から供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記原料ガス供給源に接続する主供給管と、第一の端部が前記主供給管に接続し、複数の第二の端部が前記反応室に接続するように複数に分岐する分岐管とを有し、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しいことを特徴とする薄膜形成装置の原料ガス供給系により達成される。更に、上記目的は、請求項８に記載の如く、複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記原料ガス供給系は、前記原料ガス供給源に接続する主供給管と、第一の端部が前記主供給管に接続し、複数の第二の端部が前記反応室に接続するように複数に分岐する分岐管とを有し、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しいことを特徴とする薄膜形成装置によっても達成される。
【００１１】
請求項１又は８記載の発明によれば、分岐された分岐管の夫々の管の圧力損失は同一となり、分岐管の夫々の管からの原料ガスについて、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００１２】
また、請求項２に記載される如く、請求項１記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記分岐管は、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一で、全長に亘って均一な管の径を有することを特徴とする構成とすることができる。
【００１３】
請求項２記載の発明によれば、分岐管の夫々の管が均一な径を有し、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一であるため、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスを等しくすることが出来る。
【００１４】
請求項３に記載される如く、請求項２記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記分岐管は、前記主供給管が前記反応室に接続されている方向を中心線とした場合に線対称となるように分岐されていることを特徴とする構成とすることができる。
【００１５】
請求項３記載の発明によれば、前記分岐管は、前記主供給管が前記反応室に接続されている方向を中心線とした場合に線対称となるように分岐されている。従って、分岐管の夫々の管の第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一となる。よって、均一な径を有する分岐管の夫々の管において、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスを等しくすることが出来る。
【００１６】
また、請求項４に記載される如く、請求項１乃至３いずれか一項記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記分岐管の前記複数の夫々の第二の端部は、前記基板の径の全長と略同一の長さに亘って、反応室に接続していることを特徴とする構成とすることができる。
【００１７】
請求項４記載の発明によれば、原料ガスを均一に基板の全面に広げることができ、基板の略全面の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００１８】
請求項５に記載の如く、原料ガスを原料ガス供給源から供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記原料ガス供給源に接続する供給管と、第一の端部が前記供給管に接続し第二の端部が前記反応室に接続する接続部を有し、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には内壁の長さは減少する内壁構造を有することを特徴とする薄膜形成装置の原料ガス供給系により達成される。更に、請求項９に記載の如く、複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記原料ガス供給系は、前記原料ガス供給源に接続する供給管と、第一の端部が前記供給管に接続し第二の端部が前記反応室に接続する接続部を有し、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には内壁の長さは減少する内壁構造を有することを特徴とする薄膜形成装置により達成される。
【００１９】
請求項５又は９記載の発明によれば、第一の端部から第二の端部に向かう方向、即ち、原料ガスの進行方向に従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の幅を増大させ、且つ、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する他の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の高さを、減少させることにより、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００２０】
請求項６に記載の如く、請求項５記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記接続部の任意の箇所において、前記第一の端部から前記第二の端部に向かう方向と直交する開口面の面積は常に略同一であることを特徴とする構成であってもよい。
【００２１】
請求項６記載の発明によれば、接続部内での任意の箇所における開口面積は常に同一となっているため、接続部内を流動する原料ガスは、第一の端部から第二の端部との間において、常に略一定の流速を有する。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、流速分布を均一に保つことができる。
【００２２】
請求項７に記載の如く、請求項５記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には所定の比率で内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には所定の比率で内壁の長さが減少する内壁構造を有することを特徴とする構成であってもよい。
【００２３】
請求項７記載の発明によれば、第一の端部と第二の端部とは直線的に結ばれ、原料ガスの進行方向に従って、接続部の内壁の幅を一定の比率で増大させ、且つ、接続部の内壁の高さを、一定の比率で減少させることができる。従って、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止でき、基板の上面の全面において層流の状態で、流速分布を均一に保つことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施例を第一の原料ガス、即ち、成膜しようとする膜の物質を含む蒸気ガスとして高融点金属ハロゲン化合物のＴｉＣｌ４（四塩化チタン）を、第二の原料ガス、即ち、第一の原料ガスと反応性のあるガスとしてＮＨ３ ガス（アンモニア）を使い、前記原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり交互に反応室へ供給して反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する場合を例にとって説明する。
【００２５】
図１（ａ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図１（ｂ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。図１を参照するに、本発明の第一実施例にかかわる薄膜形成装置は、反応室１０と、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０と、本発明の特徴である原料ガス供給系、即ち、主供給管３０及び分岐管４０と、排気ポンプ７０等から構成される。
【００２６】
第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の流量を調節するバルブ２２を介して主供給管３０に接続している。主供給管３０の端部のうち、バルブ２２を介して第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０と接続していない側の端部３１は、反応室１０に接続され第一の原料ガスＴｉＣｌ４を反応室１０へ供給する分岐管４０の端部４１に接続している。分岐管４０の構造については後述する。
【００２７】
反応室１０内の中央には、被処理体である基板１１を水平に保持し、温度調整可能な保持体１２が配設されている。反応室１０の側面のうち、分岐管４０が接続している面と向かい合う面の全面には、排気口部７２が備えられている。排気口部７２は、排気管７１を介して、ドライポンプ等の排気ポンプ７０に接続し、反応室で発生した排ガスが、図示しないバルブで流量を調節されて流動する。
【００２８】
次に、本発明の特徴である分岐管４０の構造について説明する。図１（ａ）を参照するに、上述のように、分岐管４０の第一の端部４１は主供給管３０の端部３１に接続している。分岐管４０は、１本の管が、管の径を同一にしたまま分岐して形成されており、当該分岐した管の複数の第二の端部４２が反応室１０に接続している。
【００２９】
即ち、分岐管４０は、第一の端部４１から直線状に距離ｌ０延設され、距離ｌ０を有する部分の分岐管４０を中心線として線対称になるよう９０度曲げられ、直線状に距離Ｌ１分岐する。二手に分岐した分岐管４０は更に、夫々９０度曲がって、距離ｌ０を有する部分の分岐管４０と平行に、直線状に距離ｌ１延設される。こうして、分岐管４０は二本に分岐し、第一段を構成する。
【００３０】
二本に分岐された分岐管４０は、夫々、距離ｌ１を有する部分の分岐管４０を中心線として線対称になるよう９０度曲げられ、直線状に、距離Ｌ２分岐する。距離Ｌ２分岐した分岐管４０は更に、夫々９０度曲がって、距離ｌ１を有する部分の分岐管４０と平行に、直線状に距離ｌ２延設される。こうして、分岐管４０は合計四本に分岐し、第二段を構成する。
【００３１】
第二段を構成する夫々の分岐管４０は、更に、夫々、距離ｌ２を有する部分の分岐管４０を中心線として線対称になるよう９０度曲げられ、直線状に距離Ｌ３分岐する。距離Ｌ３分岐した分岐管４０は更に、夫々９０度曲がって、距離ｌ２を有する部分の分岐管４０と平行に、直線状に距離ｌ３延設される。こうして、分岐管４０は合計八本に分岐し、第三段を構成する。八本に分岐され、第三段を構成する分岐管４０の夫々の端部、即ち、分岐管４０の第二の端部４２が反応室１０に接続している。
【００３２】
このように、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０から供給される第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、主供給管３０を介して、八本に分岐され夫々が同一の径を有する分岐管４０内を流動し、反応室１０へ供給される。
【００３３】
従って、反応室１０の一側面上に、隣り合う八箇所の第二の端部４２が夫々、等間隔ずつ離れて設けられ、反応室１０へ第一の原料ガスＴｉＣｌ４が供給される。即ち、第一の原料ガスＴｉＣｌ４を均一に基板１１上の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００３４】
第一の原料ガスＴｉＣｌ４による成膜後は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の反応室１０への供給を停止して第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスを導入する。第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスの導入停止後に、ＮＨ３ ガスを反応室１０へ供給する。ＮＨ３ ガスの供給にあたり、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の場合と同様に、本発明の第一実施例の分岐管４０を利用すれば、ＮＨ３ ガスを均一に基板１１の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００３５】
上述のように、八本に分岐された分岐管８０の夫々は、同一径を有し、かつ、主供給管８０との接続点、即ち、第一の端部４１から、反応室との接続点、即ち、第二の端部４２までの管の長さを同一にしている。周知の如く、管の半径をａ［ｃｍ］、管の長さをＬ［ｃｍ］としたときに、Ｌ／ａ＞１００の関係が成立する場合、当該配管内のガスの分子流における流れ易さ、即ち、コンダクタンスは、ａ３に比例し、Ｌに反比例する。従って、上述のような構造下では、八本に分岐された分岐管４０の夫々の管において、第一の端部４１から第二の端部４２までのコンダクタンスは同一となり、圧力損失は同一となる。従って、第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、八本に分岐された分岐管４０の夫々の管から基板１１の上面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に維持して流動し、均一な成膜が可能となる。また、上述のように、従来のシャワーヘッド部を有する薄膜形成装置のように原料ガスの滞留という問題はなく、原料ガスの切り換えが遅延することを防止することが出来る。
【００３６】
上述のように、分岐された分岐管８０の夫々につき、第一の端部４１から第二の端部４２までの間において圧力損失を同一にするには、分岐された分岐管８０の夫々のコンダクタンス（圧力損失の逆数）を等しくすればよい。従って、分岐された分岐管８０の夫々のコンダクタンスが同一となる限りにおいては、図１に示すように分岐された分岐管８０の夫々の配管の径及び長さの何れもが同一でなくてもよい。
【００３７】
更に、図１に示す構造において、基板１１の全面に均一に成膜するためには、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の分布が、基板１１の幅と同じぐらいまで広げられるように分岐することが望ましいが、本発明では、複数以上であれば、特に分岐の数を限定しない。
【００３８】
次に本発明の第二実施例を説明する。図２（ａ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図２（ｂ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。
【００３９】
図２を参照するに、本発明の第二実施例にかかわる薄膜形成装置は、反応室１０と、本発明の特徴である原料ガス供給系、即ち、供給管３３及び接続部３５と、排気ポンプ７０と、図示しない第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源等から構成される。図示しない第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の流量を調節する図示しないバルブを介して供給管３３に接続している。供給管３３の端部３４は、本発明の特徴である接続部３５と接続している。接続部３５は、反応室１０の側面１３の全面に接続され、第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、供給管３３を通じて、接続部３５へ流動し、反応室の側面１３を介して反応室１０へ供給される。なお、接続部３５の構造については後述する。
【００４０】
反応室１０内の中央には、被処理体である基板１１を水平に保持し、温度調整可能な保持体１２が配設されている。反応室１０へ供給された第一の原料ガスＴｉＣｌ４により、基板１１に成膜がなされる。反応室１０の側面１３と向かい合う面１４の全面には、排気口部７２が備えられている。排気口部７２は、排気管７１を介して、ドライポンプ等の排気ポンプ７０に接続し、反応室で発生した排ガスは、図示しないバルブで流量が調節されて排気される。
【００４１】
次に、本発明の特徴である接続部３５の構造について説明する。図２を参照するに、接続部３５の一方の端部３６は、配管内の幅がａ［ｃｍ］、高さがｘ［ｃｍ］である矩形の縦断面形状を有し、供給管３３の端部３４に接続している。接続部３５の他方の端部３７は、配管内の幅が基板１１の径よりも略同じ長さたるｂ［ｃｍ］、高さがｙ［ｃｍ］である矩形の縦断面形状を有し、反応室１０の側面１３の全面に接続している。
【００４２】
ところで、図３は、接続部３５内の上半部の斜視図である。図３では、説明の便宜上、接続部３５内の上半部のみ示し、接続部３５内の下半部を省略しているが、下半部も上半部同様の構造を有する。
【００４３】
接続部３５内では、図２（ａ）に示されるように、配管内の幅についてａ＜ｂの関係があり、図２（ｂ）に示されるように、配管内の高さについてｘ＞ｙである。図２及び図３を参照するに、接続部３５の端部３６と端部３７との間は、曲線的に結ばれている。
【００４４】
具体的には、図２（ａ）を参照するに、接続部３５の幅方向に関しては、ガスの進行方向、即ち、接続部３５の端部３６から端部３７に向かって、接続部３５の幅方向に関する曲率半径が徐々に広がっていく。つまり、端部３４近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ１とし、接続部３５が端部３７へ向かうに従って、順に、接続配管の幅方向の曲率半径を、Ｒ２、Ｒ３とし、端部３７近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ４とした場合、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４という関係が成立して、接続部３５の幅が広くなる。
【００４５】
また、図２（ｂ）を参照するに、接続部３５の幅方向に関しては、ガスの進行方向、即ち、接続部３５の端部３６から端部３７に向かって、接続部３５の高さ方向に関する曲率半径が徐々に狭まっていく。つまり、端部３４近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ１’とし、接続部３５が端部３７へ向かうに従って、順に、接続配管の幅方向の曲率半径を、Ｒ２’、Ｒ３’とし、端部３７近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ４’とした場合、Ｒ１’＞Ｒ２’＞Ｒ３’＞Ｒ４’という関係が成立して、接続部３５の高さが短くなる。
【００４６】
このように、接続部３５は、端部３６から端部３７に向かって、幅が広くなるとの同時に高さが短くなる。
【００４７】
更に、接続部３５は、配管の全長に亘って縦断面の断面積（開口面の面積）が等しくなるように設定される。即ち、接続部３５内の任意の箇所における開口面３８において幅をｃ［ｃｍ］、高さをｚ［ｃｍ］とすると、接続部３５の開口面積について、ａ×ｘ＝ｂ×ｙ＝ｃ×ｚという関係が成り立つ。
【００４８】
接続部３５が上述のような構造を有しているのは以下の理由による、即ち、端部３７において、単に、基板１１の径と略同じ長さになるように開口面の幅を広げただけでは、端部３７を通過するときの原料ガスの流速は、端部３６を流動する際の流速に比し低下し、基板上では、基板１１の真中近傍だけに原料ガスが集中して流れてしまう。そこで、基板１１へのガスの進行方向に従って、当該ガスの流路の開口面の幅を広げるのと同時に、高さを短くして、ガスを端部３７へ流動させる。そうすると、流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。特に、接続部３５内での任意の箇所における開口面積を常に同一とすることにより、ガスの流速を一定とすることが可能となる。
【００４９】
このようにして、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０から供給される第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、流速を一定にして接続部３５内を流動し、反応室１０へ供給され、基板１１の径と略同じ長さにまで広げられて基板１１へ供給される。即ち、第一の原料ガスＴｉＣｌ４を均一に基板１１の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００５０】
第一の原料ガスＴｉＣｌ４による成膜後は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の反応室１０への供給を停止して第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスを導入する。第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスの導入停止後に、ＮＨ３ ガスを反応室１０へ供給する。ＮＨ３ ガスの供給にあたり、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の場合と同様に、本発明の第二実施例の接続部３５を利用すれば、ＮＨ３ ガスを均一に基板１１の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態でかつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。また、上述のように、従来の薄膜形成装置のようにシャワーヘッド部内に原料ガスが滞留することはなく、原料ガスの切り換えが遅延することを防止することが出来る。
【００５１】
ところで、図４は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の変形例の平面図である。上述した本発明の第二実施例においては、接続部３５の端部３６と端部３７との間は、曲線的に結ばれている。この変形例として、図４に示すように、接続部３５の端部３６と端部３７との間を直線的に結び、端部３６から端部３７にかけて、所定の比率で幅が広くなるとの同時に、所定の比率で高さが短くなる形式であってもよい。即ち、接続部３５の開口面の幅又は高さの変位率が一定か否かは問わず、本発明を適用することができる。
【００５２】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５３】
例えば、本発明は、使用する原料ガスは特に限定されない。例えば、第一の原料ガスとして、ＴｉＩ４、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４、ＴａＦ５、ＴａＣｌ５、ＴａＢｒ５、Ｔａ［Ｎ（ＣＨ３）２］５、ＷＦ６、Ｗ（ＣＯ）６、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２、Ａｌ（ＣＨ３）３、ＡｌＣｌ３、ＳｉＨ４等を使用してもよく、第二の原料ガスとして、Ｈ２、Ｂ２Ｈ６、Ｎ２Ｈ４、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ等を使用してもよい。
【００５４】
また、反応室１０に接続する排気口部７２の構造は特に限定されない。例えば、図１及び図２に示すように、反応室１０の側面の全面に接続して排気する形式でもよく、図２に示すように、本発明の第二実施例の接続部３５と同様の構造を有してもよい。
【００５５】
更に、本発明の第一実施例及び第二実施例では、反応室の側面から原料ガスを供給する所謂サイドフロー形式の場合を説明した。しかし、本発明は、サイドフロー形式の場合には限定されず、原料ガスを、反応室内に配設された保持体上に載置された基板の上方から反応室へ供給する場合にも適用することができる。
【００５６】
また、上述の実施例では、複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、ＣＶＤ装置に対しても適用することが可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、請求項１又は８記載の発明によれば、分岐された分岐管の夫々の管のコンダクタンスは同一となり、圧力損失が同一となり、分岐管の夫々の管からの原料ガスについて、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００５８】
請求項２記載の発明によれば、分岐管の夫々の管が均一な径を有し、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一であるため、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しくすることが出来る。
【００５９】
請求項３記載の発明によれば、前記分岐管は、前記主供給管が前記反応室に接続されている方向を中心線とした場合に線対称となるように分岐されている。従って、分岐管の夫々の管の第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一となる。よって、均一な径を有する分岐管の夫々の管において、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しくすることが出来る。
【００６０】
請求項４記載の発明によれば、原料ガスを均一に基板の全面に広げることができ、基板の全面の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００６１】
請求項５又は９記載の発明によれば、第一の端部から第二の端部に向かう方向、即ち、原料ガスの進行方向に従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の幅を増大させ、且つ、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する他の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の高さを、減少させることにより、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００６２】
請求項６記載の発明によれば、接続部内での任意の箇所における開口面積は常に同一となっているため、接続部内を流動する原料ガスは、第一の端部から第二の端部との間において、常に略一定の流速を有する。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができる。
【００６３】
請求項７記載の発明によれば、第一の端部と第二の端部とは直線的に結んで、原料ガスの進行方向に従って、接続部の内壁の幅を増大させ、且つ、接続部の内壁の高さを、減少させることができ、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図１（ｂ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図２（ｂ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。
【図３】接続部３５内の上半部の斜視図である。
【図４】本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の変形例の平面図である。
【符号の説明】
１０ 反応室
１１ 基板
１３ 側面
２０ 原料ガスの供給源
３０ 主供給管
３３ 供給管
３４ 供給管の端部
３５ 接続部
３６、３７ 接続配管の端部
４０ 分岐管
４１ 分岐管の第一の端部
４２ 分岐管の第二の端部
７０ 排気ポンプ
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置に関し、特に、原料ガスを供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、基板上に形成する絶縁膜および金属配線膜等に対しては、薄膜化、複雑な形状への被覆性の良い成膜、ウエハ全体に対し巨視的に均一な成膜、ナノメートルレベルの微視的に平滑な成膜が望まれている。これらの要求を満たす成膜方法として、複数種の原料ガスを一種類ずつ交互に複数回にわたり反応室へ供給して反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する方法が最近注目されている。
【０００３】
かかる方法では、原料ガスの反応表面への吸着を経由して、原子層レベル又は分子層レベルで成膜を行い、これらの工程を繰り返して所定の厚さの薄膜を得ることができる。
【０００４】
より具体的には、先ず、第一の原料ガスを基板上に供給し、その吸着層を基板上に形成する。第一の原料ガスの反応室への供給を止めて、第一の原料ガスを真空引き又は不活性ガスによってパージし、その後、第二の原料ガスを基板上に供給し反応させる。第二の原料ガスの反応室への供給を止めた後に、第二の原料ガスを真空引き又は不活性ガスによってパージする。これらの工程を繰り返して所定の厚さの薄膜を得ることができる。
【０００５】
第一の原料ガスが基板に吸着した後に第二の原料ガスと反応するため、成膜温度の低温化を図ることができる。また、ホールに成膜をする場合は、従来のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で問題となっていたような、原料ガスがホール上部で反応消費されることによる被覆性の低下を避けることができる。更に、吸着層の厚さは、一般に原子、分子の単層又は多くても２、３層であるが、その温度と圧力で決定され、吸着層を作るのに必要以上の原料ガスが供給されると排出されるという自己整合性を有しているので、極薄膜の厚さを制御するのに良い。また、１回の成膜が、原子層レベル又は分子層レベルで行われるため、反応が完全に進行し易く、膜中に不純物が残留しにくくなり好適である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
かかる複数種の原料ガスを１種類ずつ複数回にわたり反応室へ供給して反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法を利用した薄膜形成装置では、成膜のプロセスに時間がかかるため、原料ガスの切り替えを高速で行って、成膜の生産性を向上させる必要がある。
【０００７】
また、基板上に均一な膜を形成するためには、原料ガスを反応室に導入する際に、原料ガスを基板の大きさ近くにまで広げて、基板上の全面を層流状に流れることが必要である。
【０００８】
ガスの流れを層流にするために、例えば、反応室の側面に、複数の穴を有するシャワーヘッド部を設け、シャワーヘッド部内と反応室内との圧力差でガスを横から押し出すようなサイドフローによって、反応室内の基板の上面に導入する方法がある。しかし、この方法では、反応室にガスを導入する際に、シャワーヘッド部内に原料ガスが滞留する部分を生じてしまう。従って、完全に原料ガスを切り換えることが出来ない。
【０００９】
そこで、本発明は、原料ガスの切り換えを早くするために原料ガスが混合するのを防止するとともに、基板に均一な成膜をするために原料ガスを均一に基板全面に広げることができる薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は請求項１に記載の如く、原料ガスを原料ガス供給源から供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記原料ガス供給源に接続する主供給管と、第一の端部が前記主供給管に接続し、複数の第二の端部が前記反応室に接続するように複数に分岐する分岐管とを有し、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しいことを特徴とする薄膜形成装置の原料ガス供給系により達成される。更に、上記目的は、請求項８に記載の如く、複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記原料ガス供給系は、前記原料ガス供給源に接続する主供給管と、第一の端部が前記主供給管に接続し、複数の第二の端部が前記反応室に接続するように複数に分岐する分岐管とを有し、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しいことを特徴とする薄膜形成装置によっても達成される。
【００１１】
請求項１又は８記載の発明によれば、分岐された分岐管の夫々の管の圧力損失は同一となり、分岐管の夫々の管からの原料ガスについて、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００１２】
また、請求項２に記載される如く、請求項１記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記分岐管は、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一で、全長に亘って均一な管の径を有することを特徴とする構成とすることができる。
【００１３】
請求項２記載の発明によれば、分岐管の夫々の管が均一な径を有し、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一であるため、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスを等しくすることが出来る。
【００１４】
請求項３に記載される如く、請求項２記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記分岐管は、前記主供給管が前記反応室に接続されている方向を中心線とした場合に線対称となるように分岐されていることを特徴とする構成とすることができる。
【００１５】
請求項３記載の発明によれば、前記分岐管は、前記主供給管が前記反応室に接続されている方向を中心線とした場合に線対称となるように分岐されている。従って、分岐管の夫々の管の第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一となる。よって、均一な径を有する分岐管の夫々の管において、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスを等しくすることが出来る。
【００１６】
また、請求項４に記載される如く、請求項１乃至３いずれか一項記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記分岐管の前記複数の夫々の第二の端部は、前記基板の径の全長と略同一の長さに亘って、反応室に接続していることを特徴とする構成とすることができる。
【００１７】
請求項４記載の発明によれば、原料ガスを均一に基板の全面に広げることができ、基板の略全面の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００１８】
請求項５に記載の如く、原料ガスを原料ガス供給源から供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記原料ガス供給源に接続する供給管と、第一の端部が前記供給管に接続し第二の端部が前記反応室に接続する接続部を有し、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には内壁の長さは減少する内壁構造を有することを特徴とする薄膜形成装置の原料ガス供給系により達成される。更に、請求項９に記載の如く、複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記原料ガス供給系は、前記原料ガス供給源に接続する供給管と、第一の端部が前記供給管に接続し第二の端部が前記反応室に接続する接続部を有し、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には内壁の長さは減少する内壁構造を有することを特徴とする薄膜形成装置により達成される。
【００１９】
請求項５又は９記載の発明によれば、第一の端部から第二の端部に向かう方向、即ち、原料ガスの進行方向に従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の幅を増大させ、且つ、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する他の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の高さを、減少させることにより、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００２０】
請求項６に記載の如く、請求項５記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記接続部の任意の箇所において、前記第一の端部から前記第二の端部に向かう方向と直交する開口面の面積は常に略同一であることを特徴とする構成であってもよい。
【００２１】
請求項６記載の発明によれば、接続部内での任意の箇所における開口面積は常に同一となっているため、接続部内を流動する原料ガスは、第一の端部から第二の端部との間において、常に略一定の流速を有する。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、流速分布を均一に保つことができる。
【００２２】
請求項７に記載の如く、請求項５記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には所定の比率で内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には所定の比率で内壁の長さが減少する内壁構造を有することを特徴とする構成であってもよい。
【００２３】
請求項７記載の発明によれば、第一の端部と第二の端部とは直線的に結ばれ、原料ガスの進行方向に従って、接続部の内壁の幅を一定の比率で増大させ、且つ、接続部の内壁の高さを、一定の比率で減少させることができる。従って、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止でき、基板の上面の全面において層流の状態で、流速分布を均一に保つことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施例を第一の原料ガス、即ち、成膜しようとする膜の物質を含む蒸気ガスとして高融点金属ハロゲン化合物のＴｉＣｌ４（四塩化チタン）を、第二の原料ガス、即ち、第一の原料ガスと反応性のあるガスとしてＮＨ３ ガス（アンモニア）を使い、前記原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり交互に反応室へ供給して反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する場合を例にとって説明する。
【００２５】
図１（ａ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図１（ｂ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。図１を参照するに、本発明の第一実施例にかかわる薄膜形成装置は、反応室１０と、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０と、本発明の特徴である原料ガス供給系、即ち、主供給管３０及び分岐管４０と、排気ポンプ７０等から構成される。
【００２６】
第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の流量を調節するバルブ２２を介して主供給管３０に接続している。主供給管３０の端部のうち、バルブ２２を介して第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０と接続していない側の端部３１は、反応室１０に接続され第一の原料ガスＴｉＣｌ４を反応室１０へ供給する分岐管４０の端部４１に接続している。分岐管４０の構造については後述する。
【００２７】
反応室１０内の中央には、被処理体である基板１１を水平に保持し、温度調整可能な保持体１２が配設されている。反応室１０の側面のうち、分岐管４０が接続している面と向かい合う面の全面には、排気口部７２が備えられている。排気口部７２は、排気管７１を介して、ドライポンプ等の排気ポンプ７０に接続し、反応室で発生した排ガスが、図示しないバルブで流量を調節されて流動する。
【００２８】
次に、本発明の特徴である分岐管４０の構造について説明する。図１（ａ）を参照するに、上述のように、分岐管４０の第一の端部４１は主供給管３０の端部３１に接続している。分岐管４０は、１本の管が、管の径を同一にしたまま分岐して形成されており、当該分岐した管の複数の第二の端部４２が反応室１０に接続している。
【００２９】
即ち、分岐管４０は、第一の端部４１から直線状に距離ｌ０延設され、距離ｌ０を有する部分の分岐管４０を中心線として線対称になるよう９０度曲げられ、直線状に距離Ｌ１分岐する。二手に分岐した分岐管４０は更に、夫々９０度曲がって、距離ｌ０を有する部分の分岐管４０と平行に、直線状に距離ｌ１延設される。こうして、分岐管４０は二本に分岐し、第一段を構成する。
【００３０】
二本に分岐された分岐管４０は、夫々、距離ｌ１を有する部分の分岐管４０を中心線として線対称になるよう９０度曲げられ、直線状に、距離Ｌ２分岐する。距離Ｌ２分岐した分岐管４０は更に、夫々９０度曲がって、距離ｌ１を有する部分の分岐管４０と平行に、直線状に距離ｌ２延設される。こうして、分岐管４０は合計四本に分岐し、第二段を構成する。
【００３１】
第二段を構成する夫々の分岐管４０は、更に、夫々、距離ｌ２を有する部分の分岐管４０を中心線として線対称になるよう９０度曲げられ、直線状に距離Ｌ３分岐する。距離Ｌ３分岐した分岐管４０は更に、夫々９０度曲がって、距離ｌ２を有する部分の分岐管４０と平行に、直線状に距離ｌ３延設される。こうして、分岐管４０は合計八本に分岐し、第三段を構成する。八本に分岐され、第三段を構成する分岐管４０の夫々の端部、即ち、分岐管４０の第二の端部４２が反応室１０に接続している。
【００３２】
このように、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０から供給される第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、主供給管３０を介して、八本に分岐され夫々が同一の径を有する分岐管４０内を流動し、反応室１０へ供給される。
【００３３】
従って、反応室１０の一側面上に、隣り合う八箇所の第二の端部４２が夫々、等間隔ずつ離れて設けられ、反応室１０へ第一の原料ガスＴｉＣｌ４が供給される。即ち、第一の原料ガスＴｉＣｌ４を均一に基板１１上の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００３４】
第一の原料ガスＴｉＣｌ４による成膜後は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の反応室１０への供給を停止して第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスを導入する。第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスの導入停止後に、ＮＨ３ ガスを反応室１０へ供給する。ＮＨ３ ガスの供給にあたり、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の場合と同様に、本発明の第一実施例の分岐管４０を利用すれば、ＮＨ３ ガスを均一に基板１１の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００３５】
上述のように、八本に分岐された分岐管８０の夫々は、同一径を有し、かつ、主供給管８０との接続点、即ち、第一の端部４１から、反応室との接続点、即ち、第二の端部４２までの管の長さを同一にしている。周知の如く、管の半径をａ［ｃｍ］、管の長さをＬ［ｃｍ］としたときに、Ｌ／ａ＞１００の関係が成立する場合、当該配管内のガスの分子流における流れ易さ、即ち、コンダクタンスは、ａ３に比例し、Ｌに反比例する。従って、上述のような構造下では、八本に分岐された分岐管４０の夫々の管において、第一の端部４１から第二の端部４２までのコンダクタンスは同一となり、圧力損失は同一となる。従って、第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、八本に分岐された分岐管４０の夫々の管から基板１１の上面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に維持して流動し、均一な成膜が可能となる。また、上述のように、従来のシャワーヘッド部を有する薄膜形成装置のように原料ガスの滞留という問題はなく、原料ガスの切り換えが遅延することを防止することが出来る。
【００３６】
上述のように、分岐された分岐管８０の夫々につき、第一の端部４１から第二の端部４２までの間において圧力損失を同一にするには、分岐された分岐管８０の夫々のコンダクタンス（圧力損失の逆数）を等しくすればよい。従って、分岐された分岐管８０の夫々のコンダクタンスが同一となる限りにおいては、図１に示すように分岐された分岐管８０の夫々の配管の径及び長さの何れもが同一でなくてもよい。
【００３７】
更に、図１に示す構造において、基板１１の全面に均一に成膜するためには、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の分布が、基板１１の幅と同じぐらいまで広げられるように分岐することが望ましいが、本発明では、複数以上であれば、特に分岐の数を限定しない。
【００３８】
次に本発明の第二実施例を説明する。図２（ａ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図２（ｂ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。
【００３９】
図２を参照するに、本発明の第二実施例にかかわる薄膜形成装置は、反応室１０と、本発明の特徴である原料ガス供給系、即ち、供給管３３及び接続部３５と、排気ポンプ７０と、図示しない第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源等から構成される。図示しない第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の流量を調節する図示しないバルブを介して供給管３３に接続している。供給管３３の端部３４は、本発明の特徴である接続部３５と接続している。接続部３５は、反応室１０の側面１３の全面に接続され、第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、供給管３３を通じて、接続部３５へ流動し、反応室の側面１３を介して反応室１０へ供給される。なお、接続部３５の構造については後述する。
【００４０】
反応室１０内の中央には、被処理体である基板１１を水平に保持し、温度調整可能な保持体１２が配設されている。反応室１０へ供給された第一の原料ガスＴｉＣｌ４により、基板１１に成膜がなされる。反応室１０の側面１３と向かい合う面１４の全面には、排気口部７２が備えられている。排気口部７２は、排気管７１を介して、ドライポンプ等の排気ポンプ７０に接続し、反応室で発生した排ガスは、図示しないバルブで流量が調節されて排気される。
【００４１】
次に、本発明の特徴である接続部３５の構造について説明する。図２を参照するに、接続部３５の一方の端部３６は、配管内の幅がａ［ｃｍ］、高さがｘ［ｃｍ］である矩形の縦断面形状を有し、供給管３３の端部３４に接続している。接続部３５の他方の端部３７は、配管内の幅が基板１１の径よりも略同じ長さたるｂ［ｃｍ］、高さがｙ［ｃｍ］である矩形の縦断面形状を有し、反応室１０の側面１３の全面に接続している。
【００４２】
ところで、図３は、接続部３５内の上半部の斜視図である。図３では、説明の便宜上、接続部３５内の上半部のみ示し、接続部３５内の下半部を省略しているが、下半部も上半部同様の構造を有する。
【００４３】
接続部３５内では、図２（ａ）に示されるように、配管内の幅についてａ＜ｂの関係があり、図２（ｂ）に示されるように、配管内の高さについてｘ＞ｙである。図２及び図３を参照するに、接続部３５の端部３６と端部３７との間は、曲線的に結ばれている。
【００４４】
具体的には、図２（ａ）を参照するに、接続部３５の幅方向に関しては、ガスの進行方向、即ち、接続部３５の端部３６から端部３７に向かって、接続部３５の幅方向に関する曲率半径が徐々に広がっていく。つまり、端部３４近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ１とし、接続部３５が端部３７へ向かうに従って、順に、接続配管の幅方向の曲率半径を、Ｒ２、Ｒ３とし、端部３７近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ４とした場合、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４という関係が成立して、接続部３５の幅が広くなる。
【００４５】
また、図２（ｂ）を参照するに、接続部３５の幅方向に関しては、ガスの進行方向、即ち、接続部３５の端部３６から端部３７に向かって、接続部３５の高さ方向に関する曲率半径が徐々に狭まっていく。つまり、端部３４近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ１’とし、接続部３５が端部３７へ向かうに従って、順に、接続配管の幅方向の曲率半径を、Ｒ２’、Ｒ３’とし、端部３７近傍での接続部３５の幅方向の曲率半径をＲ４’とした場合、Ｒ１’＞Ｒ２’＞Ｒ３’＞Ｒ４’という関係が成立して、接続部３５の高さが短くなる。
【００４６】
このように、接続部３５は、端部３６から端部３７に向かって、幅が広くなるとの同時に高さが短くなる。
【００４７】
更に、接続部３５は、配管の全長に亘って縦断面の断面積（開口面の面積）が等しくなるように設定される。即ち、接続部３５内の任意の箇所における開口面３８において幅をｃ［ｃｍ］、高さをｚ［ｃｍ］とすると、接続部３５の開口面積について、ａ×ｘ＝ｂ×ｙ＝ｃ×ｚという関係が成り立つ。
【００４８】
接続部３５が上述のような構造を有しているのは以下の理由による、即ち、端部３７において、単に、基板１１の径と略同じ長さになるように開口面の幅を広げただけでは、端部３７を通過するときの原料ガスの流速は、端部３６を流動する際の流速に比し低下し、基板上では、基板１１の真中近傍だけに原料ガスが集中して流れてしまう。そこで、基板１１へのガスの進行方向に従って、当該ガスの流路の開口面の幅を広げるのと同時に、高さを短くして、ガスを端部３７へ流動させる。そうすると、流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。特に、接続部３５内での任意の箇所における開口面積を常に同一とすることにより、ガスの流速を一定とすることが可能となる。
【００４９】
このようにして、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の供給源２０から供給される第一の原料ガスＴｉＣｌ４は、流速を一定にして接続部３５内を流動し、反応室１０へ供給され、基板１１の径と略同じ長さにまで広げられて基板１１へ供給される。即ち、第一の原料ガスＴｉＣｌ４を均一に基板１１の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００５０】
第一の原料ガスＴｉＣｌ４による成膜後は、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の反応室１０への供給を停止して第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスを導入する。第一の原料ガスＴｉＣｌ４をパージするガスの導入停止後に、ＮＨ３ ガスを反応室１０へ供給する。ＮＨ３ ガスの供給にあたり、第一の原料ガスＴｉＣｌ４の場合と同様に、本発明の第二実施例の接続部３５を利用すれば、ＮＨ３ ガスを均一に基板１１の全面に広げることができ、基板１１の上面において層流の状態でかつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。また、上述のように、従来の薄膜形成装置のようにシャワーヘッド部内に原料ガスが滞留することはなく、原料ガスの切り換えが遅延することを防止することが出来る。
【００５１】
ところで、図４は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の変形例の平面図である。上述した本発明の第二実施例においては、接続部３５の端部３６と端部３７との間は、曲線的に結ばれている。この変形例として、図４に示すように、接続部３５の端部３６と端部３７との間を直線的に結び、端部３６から端部３７にかけて、所定の比率で幅が広くなるとの同時に、所定の比率で高さが短くなる形式であってもよい。即ち、接続部３５の開口面の幅又は高さの変位率が一定か否かは問わず、本発明を適用することができる。
【００５２】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５３】
例えば、本発明は、使用する原料ガスは特に限定されない。例えば、第一の原料ガスとして、ＴｉＩ４、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４、ＴａＦ５、ＴａＣｌ５、ＴａＢｒ５、Ｔａ［Ｎ（ＣＨ３）２］５、ＷＦ６、Ｗ（ＣＯ）６、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２、Ａｌ（ＣＨ３）３、ＡｌＣｌ３、ＳｉＨ４等を使用してもよく、第二の原料ガスとして、Ｈ２、Ｂ２Ｈ６、Ｎ２Ｈ４、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ等を使用してもよい。
【００５４】
また、反応室１０に接続する排気口部７２の構造は特に限定されない。例えば、図１及び図２に示すように、反応室１０の側面の全面に接続して排気する形式でもよく、図２に示すように、本発明の第二実施例の接続部３５と同様の構造を有してもよい。
【００５５】
更に、本発明の第一実施例及び第二実施例では、反応室の側面から原料ガスを供給する所謂サイドフロー形式の場合を説明した。しかし、本発明は、サイドフロー形式の場合には限定されず、原料ガスを、反応室内に配設された保持体上に載置された基板の上方から反応室へ供給する場合にも適用することができる。
【００５６】
また、上述の実施例では、複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、ＣＶＤ装置に対しても適用することが可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、請求項１又は８記載の発明によれば、分岐された分岐管の夫々の管のコンダクタンスは同一となり、圧力損失が同一となり、分岐管の夫々の管からの原料ガスについて、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００５８】
請求項２記載の発明によれば、分岐管の夫々の管が均一な径を有し、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一であるため、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しくすることが出来る。
【００５９】
請求項３記載の発明によれば、前記分岐管は、前記主供給管が前記反応室に接続されている方向を中心線とした場合に線対称となるように分岐されている。従って、分岐管の夫々の管の第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一となる。よって、均一な径を有する分岐管の夫々の管において、第一の端部と複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しくすることが出来る。
【００６０】
請求項４記載の発明によれば、原料ガスを均一に基板の全面に広げることができ、基板の全面の上面において層流の状態で成膜をすることが可能となる。
【００６１】
請求項５又は９記載の発明によれば、第一の端部から第二の端部に向かう方向、即ち、原料ガスの進行方向に従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の幅を増大させ、且つ、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する他の方向の接続部の内壁の長さ、即ち、接続部の内壁の高さを、減少させることにより、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができ、均一な成膜が可能となる。更に、原料ガスの滞留という従来の問題を排除でき、原料ガスの切り換えを高速で行うことが可能となり、成膜の生産性を向上させることが出来る。
【００６２】
請求項６記載の発明によれば、接続部内での任意の箇所における開口面積は常に同一となっているため、接続部内を流動する原料ガスは、第一の端部から第二の端部との間において、常に略一定の流速を有する。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができる。
【００６３】
請求項７記載の発明によれば、第一の端部と第二の端部とは直線的に結んで、原料ガスの進行方向に従って、接続部の内壁の幅を増大させ、且つ、接続部の内壁の高さを、減少させることができ、接続部を流動する原料ガスの流速が低下することを防止できる。従って、基板の上面の全面において層流の状態で、かつ、流速分布を均一に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図１（ｂ）は、本発明の第一実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の平面図であり、図２（ｂ）は、本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の縦断面図である。
【図３】接続部３５内の上半部の斜視図である。
【図４】本発明の第二実施例を利用した薄膜形成装置の変形例の平面図である。
【符号の説明】
１０ 反応室
１１ 基板
１３ 側面
２０ 原料ガスの供給源
３０ 主供給管
３３ 供給管
３４ 供給管の端部
３５ 接続部
３６、３７ 接続配管の端部
４０ 分岐管
４１ 分岐管の第一の端部
４２ 分岐管の第二の端部
７０ 排気ポンプ
Claims (9)
- 原料ガスを原料ガス供給源から供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記原料ガス供給源に接続する主供給管と、第一の端部が前記主供給管に接続し、複数の第二の端部が前記反応室に接続するように複数に分岐する分岐管とを有し、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しいことを特徴とする薄膜形成装置の原料ガス供給系。
- 前記分岐管は、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間の管の長さが同一で、全長に亘って均一な管の径を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系。
- 前記分岐管は、前記主供給管が前記反応室に接続されている方向を中心線とした場合に線対称となるように分岐されていることを特徴とする請求項２記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系。
- 前記分岐管の前記複数の夫々の第二の端部は、前記基板の径の全長と略同一の長さに亘って、反応室に接続していることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系。
- 原料ガスを原料ガス供給源から供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記原料ガス供給源に接続する供給管と、第一の端部が前記供給管に接続し第二の端部が前記反応室に接続する接続部を有し、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には内壁の長さは減少する内壁構造を有することを特徴とする薄膜形成装置の原料ガス供給系。
- 前記接続部の任意の箇所において、前記第一の端部から前記第二の端部に向かう方向と直交する開口面の面積は常に略同一であることを特徴とする請求項５記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系。
- 前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には所定の比率で内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には所定の比率で内壁の長さが減少する内壁構造を有することを特徴とする請求項５記載の薄膜形成装置の原料ガス供給系。
- 複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記原料ガス供給系は、前記原料ガス供給源に接続する主供給管と、第一の端部が前記主供給管に接続し、複数の第二の端部が前記反応室に接続するように複数に分岐する分岐管とを有し、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しいことを特徴とする薄膜形成装置。
- 複数種の原料ガスを一種類ずつ複数回にわたり原料ガス供給源から反応室へ供給する原料ガス供給系を備え、当該供給された原料ガスで反応室内に配設された基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記原料ガス供給系は、前記原料ガス供給源に接続する供給管と、第一の端部が前記供給管に接続し第二の端部が前記反応室に接続する接続部を有し、前記接続部は、第一の端部から第二の端部に向かうに従って、第一の端部から第二の端部に向かう方向と直交する一の方向には内壁の長さが増大し、前記直交する他の方向には内壁の長さは減少する内壁構造を有することを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002253671A JP2004091848A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002253671A JP2004091848A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004091848A true JP2004091848A (ja) | 2004-03-25 |
Family
ID=32059612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002253671A Pending JP2004091848A (ja) | 2002-08-30 | 2002-08-30 | 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004091848A (ja) |
Cited By (394)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008527748A (ja) * | 2005-01-18 | 2008-07-24 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 薄膜成長用反応装置 |
| JP2010062535A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-03-18 | Siltronic Ag | Ｃｖｄを用いて半導体ウェハに層を堆積させる方法及び前記方法を実施するためのチャンバ |
| KR20110131266A (ko) * | 2009-04-06 | 2011-12-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 리액터 및 그의 컴포넌트들 |
| JP2012519235A (ja) * | 2009-02-27 | 2012-08-23 | ケンブリッジ ナノテック インコーポレイテッド | Ａｌｄシステムおよび方法 |
| US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
| US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
| US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US8986456B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9029253B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same |
| US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
| US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
| US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
| US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
| US9177784B2 (en) | 2012-05-07 | 2015-11-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
| US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
| US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9891521B2 (en) | 2014-11-19 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing thin film |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US9899405B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| KR20180123634A (ko) | 2017-05-09 | 2018-11-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10249577B2 (en) | 2016-05-17 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming metal interconnection and method of fabricating semiconductor apparatus using the method |
| US10262859B2 (en) | 2016-03-24 | 2019-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Process for forming a film on a substrate using multi-port injection assemblies |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10468262B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by a cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| JP2020522132A (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 遠隔プラズマ酸化チャンバ |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| WO2023017212A1 (en) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | Beneq Oy | An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12125700B2 (en) | 2020-01-16 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
| US12131885B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma treatment device having matching box |
| US12129545B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Precursor capsule, a vessel and a method |
| US12148609B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon oxide deposition method |
| US12154824B2 (en) | 2020-08-14 | 2024-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| US12195852B2 (en) | 2020-11-23 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus with an injector |
| US12209308B2 (en) | 2020-11-12 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor and related methods |
| US12211742B2 (en) | 2020-09-10 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluid |
| US12217954B2 (en) | 2020-08-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning a surface |
| US12217946B2 (en) | 2020-10-15 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT |
| US12218000B2 (en) | 2020-09-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing method |
| US12218269B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| US12221357B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds |
| US12230531B2 (en) | 2018-04-09 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
| US12243747B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers |
| US12243742B2 (en) | 2020-04-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for processing a substrate |
| US12243757B2 (en) | 2020-05-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Flange and apparatus for processing substrates |
| US12241158B2 (en) | 2020-07-20 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming structures including transition metal layers |
| US12247286B2 (en) | 2019-08-09 | 2025-03-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same |
| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12266524B2 (en) | 2021-06-11 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron containing silicon germanium layers |
-
2002
- 2002-08-30 JP JP2002253671A patent/JP2004091848A/ja active Pending
Cited By (532)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10468291B2 (en) | 2005-01-18 | 2019-11-05 | Asm America, Inc. | Reaction system for growing a thin film |
| US8211230B2 (en) | 2005-01-18 | 2012-07-03 | Asm America, Inc. | Reaction system for growing a thin film |
| US9359672B2 (en) | 2005-01-18 | 2016-06-07 | Asm America, Inc. | Reaction system for growing a thin film |
| KR101332739B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2013-11-25 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 박막 성장용 반응 시스템 |
| JP2008527748A (ja) * | 2005-01-18 | 2008-07-24 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 薄膜成長用反応装置 |
| US8986456B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
| JP2010062535A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-03-18 | Siltronic Ag | Ｃｖｄを用いて半導体ウェハに層を堆積させる方法及び前記方法を実施するためのチャンバ |
| US8283262B2 (en) | 2008-07-16 | 2012-10-09 | Siltronic Ag | Method for depositing a layer on a semiconductor wafer by means of CVD and chamber for carrying out the method |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| JP2012519235A (ja) * | 2009-02-27 | 2012-08-23 | ケンブリッジ ナノテック インコーポレイテッド | Ａｌｄシステムおよび方法 |
| US9777371B2 (en) | 2009-02-27 | 2017-10-03 | Ultratech, Inc. | ALD systems and methods |
| KR101775318B1 (ko) | 2009-04-06 | 2017-09-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 리액터 및 그의 컴포넌트들 |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| KR101654958B1 (ko) | 2009-04-06 | 2016-09-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 리액터 및 그의 컴포넌트들 |
| US10844486B2 (en) | 2009-04-06 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10480072B2 (en) | 2009-04-06 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| JP2012522901A (ja) * | 2009-04-06 | 2012-09-27 | エイエスエム・アメリカ・インコーポレイテッド | 半導体プロセス反応器及びその構成要素 |
| KR20110131266A (ko) * | 2009-04-06 | 2011-12-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 프로세싱 리액터 및 그의 컴포넌트들 |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
| US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
| US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9892908B2 (en) | 2011-10-28 | 2018-02-13 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9340874B2 (en) | 2011-11-23 | 2016-05-17 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
| US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
| US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
| US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
| US9384987B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| US9029253B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same |
| US9177784B2 (en) | 2012-05-07 | 2015-11-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
| US9299595B2 (en) | 2012-06-27 | 2016-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
| US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
| US10566223B2 (en) | 2012-08-28 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
| US10023960B2 (en) | 2012-09-12 | 2018-07-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9605342B2 (en) | 2012-09-12 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US9228259B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US10366864B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US10340125B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9790595B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9412564B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
| US10361201B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device formed using selective epitaxial process |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10604847B2 (en) | 2014-03-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10561975B2 (en) | 2014-10-07 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9891521B2 (en) | 2014-11-19 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing thin film |
| US10438965B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9899405B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10312129B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US10720322B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top surface |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US12240760B2 (en) | 2016-03-18 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10262859B2 (en) | 2016-03-24 | 2019-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Process for forming a film on a substrate using multi-port injection assemblies |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10665452B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-26 | Asm Ip Holdings B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10249577B2 (en) | 2016-05-17 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming metal interconnection and method of fabricating semiconductor apparatus using the method |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10541173B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US10741385B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10943771B2 (en) | 2016-10-26 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10622375B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10644025B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468262B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by a cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US12106965B2 (en) | 2017-02-15 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| US10950432B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-03-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US11208724B2 (en) | 2017-05-09 | 2021-12-28 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
| KR20180123634A (ko) | 2017-05-09 | 2018-11-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 |
| JP7125427B2 (ja) | 2017-05-31 | 2022-08-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 遠隔プラズマ酸化チャンバ |
| US11615944B2 (en) | 2017-05-31 | 2023-03-28 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma oxidation chamber |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| JP2020522132A (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 遠隔プラズマ酸化チャンバ |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10672636B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-06-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10734223B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US11626313B2 (en) | 2017-11-03 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD913980S1 (en) | 2018-02-01 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12173402B2 (en) | 2018-02-15 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12230531B2 (en) | 2018-04-09 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11837483B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755923B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US12176243B2 (en) | 2019-02-20 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US12195855B2 (en) | 2019-06-06 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system including a gas detector |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US12107000B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US12129548B2 (en) | 2019-07-18 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| US12247286B2 (en) | 2019-08-09 | 2025-03-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US12230497B2 (en) | 2019-10-02 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12119220B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US12125700B2 (en) | 2020-01-16 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US12218269B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11837494B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US12243742B2 (en) | 2020-04-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for processing a substrate |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US12243747B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers |
| US12130084B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US12221357B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11798830B2 (en) | 2020-05-01 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US12243757B2 (en) | 2020-05-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Flange and apparatus for processing substrates |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12055863B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US12241158B2 (en) | 2020-07-20 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming structures including transition metal layers |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US12154824B2 (en) | 2020-08-14 | 2024-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12217954B2 (en) | 2020-08-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning a surface |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12211742B2 (en) | 2020-09-10 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluid |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US12148609B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon oxide deposition method |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12218000B2 (en) | 2020-09-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing method |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US12217946B2 (en) | 2020-10-15 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US12209308B2 (en) | 2020-11-12 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor and related methods |
| US12195852B2 (en) | 2020-11-23 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus with an injector |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| US12129545B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Precursor capsule, a vessel and a method |
| US12131885B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma treatment device having matching box |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| US12266524B2 (en) | 2021-06-11 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron containing silicon germanium layers |
| TWI833321B (zh) * | 2021-08-13 | 2024-02-21 | 芬蘭商班尼克公司 | 原子層沉積反應室以及原子層沉積反應器 |
| WO2023017212A1 (en) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | Beneq Oy | An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| US12266695B2 (en) | 2023-02-09 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004091848A (ja) | 薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置 | |
| US10400335B2 (en) | Dual-direction chemical delivery system for ALD/CVD chambers | |
| KR101151192B1 (ko) | 혼합 화학 프로세스를 위한 장치 및 방법 | |
| TWI394858B (zh) | 用於沉積具有降低電阻率及改良表面形態之鎢膜的方法 | |
| US7780785B2 (en) | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition | |
| KR100331544B1 (ko) | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 | |
| KR102071442B1 (ko) | 불소/탄소-부재 콘포멀한 텅스텐을 증착시키는 방법 | |
| KR100601821B1 (ko) | 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치 | |
| US6720027B2 (en) | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer | |
| US20030017268A1 (en) | .method of cvd titanium nitride film deposition for increased titanium nitride film uniformity | |
| CN112695294B (zh) | 半导体沉积反应器歧管 | |
| JPWO2003104524A1 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JPH07193015A (ja) | ウェハ処理チャンバ用ガス入口 | |
| US10770300B2 (en) | Remote hydrogen plasma titanium deposition to enhance selectivity and film uniformity | |
| KR20090083404A (ko) | 원자 층 증착을 위한 보텍스 챔버 리드 | |
| US20050069641A1 (en) | Method for depositing metal layers using sequential flow deposition | |
| KR102071501B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102210390B1 (ko) | 유동가능한 cvd를 위한 이중 원격 플라즈마 소스들의 통합 | |
| US6555166B2 (en) | Method for reducing the microloading effect in a chemical vapor deposition reactor | |
| JP7175169B2 (ja) | ＳｉＣエピタキシャル成長装置 | |
| JP3854555B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| KR102131933B1 (ko) | 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법 | |
| CN115852343A (zh) | 一种进气分配机构及具有其的cvd反应设备 | |
| JP7033882B2 (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
| KR20190072266A (ko) | 소스 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 증착 장치 |