JP7083342B2 - 低反射膜付き透明基板、光電変換装置、低反射膜付き透明基板の低反射膜を形成するための塗工液及び低反射膜付き透明基板の製造方法 - Google Patents
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Description
前記低反射膜は、中実な球状で平均粒径が80~150nmであるシリカ微粒子が、シリカを主成分とするバインダによって固定されてなる多孔質膜であって、
前記バインダは、アルミニウム化合物をさらに含み、
前記低反射膜における成分の含有率が、質量%表示で、
前記シリカ微粒子 55~70%
前記バインダにおけるシリカ 25~40%
前記アルミニウム化合物をAl2O3に換算して 0.1~1.5%
有機成分 0.25~3%
であり、
前記低反射膜の膜厚が80~800nmであり、
前記低反射膜が形成されていない状態の前記透明基板の波長域380~850nmにおける平均透過率に対する、前記低反射膜付き透明基板の該波長域における平均透過率の増分、として定義される透過率ゲインが、2.5%以上であり、
前記有機成分が、βケトエステル及びβジケトンからなる群から選択される少なくともいずれか1つを含む、
低反射膜付き透明基板を提供する。
低反射膜付き透明基板の低反射膜を形成するための塗工液であって、
前記塗工液は、中実な球状で平均粒径が80~150nmであるシリカ微粒子と、加水分解性シリコン化合物と、アルミニウムキレート錯体と、溶媒とを含み、
前記加水分解性シリコン化合物は、式(I):SiX4(ここで、Xは、アルコキシ基、アセトキシ基、アルケニルオキシ基、アミノ基及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも1つである)に示す化合物を含み、
前記アルミニウムキレート錯体は、βケトエステル構造を有する多座配位子及びβジケトン構造を有する多座配位子からなる群から選択される少なくともいずれか1つの多座配位子と、アルミニウム原子に直接結合した1又は2個のアルコキシ基とを含み、
前記溶媒は、水と混和し、かつ、70℃以上180℃未満の沸点を有する有機溶媒を含み、
前記シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、前記加水分解性シリコン化合物に含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量との比(シリカ微粒子:加水分解性シリコン化合物)が、57:43~74:26であり、
前記シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、前記加水分解性シリコン化合物に含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量との和を100質量部としたときに、前記アルミニウムキレート錯体は、0.6~8質量部であり、
前記塗工液を用いて透明基板上に80~800nmの厚さの低反射膜を形成したときに、前記低反射膜が形成されていない状態の前記透明基板の波長域380~850nmにおける平均透過率に対する、前記低反射膜付き透明基板の該波長域における平均透過率の増分、として定義される透過率ゲインが2.5%以上である、
塗工液を提供する。
上記本発明の第1の態様にかかる低反射膜付き透明基板の製造方法であって、
前記製造方法は、
前記低反射膜を形成するための塗工液を前記透明基板に塗布する塗布工程と、
前記塗工液が塗布された前記透明基板を加熱する加熱工程と、
を含み、
前記塗工液は、上記本発明の第3の態様に係る塗工液であり、
前記加熱工程において、前記透明基板の表面が経験する最高温度が350℃以下であり、前記透明基板の表面が130℃以上の温度にある時間が5分以下である、
低反射膜付き透明基板の製造方法を提供する。
SiX4 (I)
低反射膜を形成するための塗工液を透明基板に塗布する塗布工程と、塗工液が塗布された透明基板を加熱する加熱工程と、を含み、前記塗工液が上記で説明した本実施形態の塗工液であり、前記加熱工程において、前記透明基板の表面が経験する最高温度が350℃以下であり、前記透明基板の表面が130℃以上の温度にある時間が5分以下である、製造方法、
を挙げることができる。
低反射膜の厚さは、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE-SEM)の写真を用いて求めた。低反射膜を電界放射型走査型電子顕微鏡(S-4500、株式会社日立製作所製)によって観察した。低反射膜の30°斜め上方からの断面におけるFE-SEM写真から、測定点5点での低反射膜の厚さの平均値を、低反射膜の厚さとした。
後述のとおり、本実施例及び比較例では、低反射膜付き透明基板の透明基板として透明導電膜付きガラス板が用いられ、ガラス板の透明導電膜が設けられていない側の面に低反射膜が形成された。反射率の測定では、低反射膜のみの反射率を測定するために、ガラス板の透明導電膜をサンドブラストにより除去し、その面に黒色塗料を塗布した。分光測色計(「CM2600d」、コニカミノルタ株式会社製)を用いて、ガラス板における低反射膜が形成された面の反射率曲線(反射スペクトル)を測定した。また、低反射膜が形成される前のガラス板の反射率についても、同様の方法で反射率曲線を求めた。低反射膜形成前後のガラス板の反射率について、波長域360~740nmにおける反射率を平均化し、低反射膜形成前後の平均反射率を求めた。低反射膜形成前の平均反射率から、低反射膜形成後の平均反射率を差し引いた差を求めて、反射率低減効果の評価を行った。
分光光度計(「U-4100」、株式会社日立ハイテクサイエンス製)を用い、低反射膜の形成前後における透明基板(ここではガラス板)の透過率曲線(透過スペクトル)をそれぞれ測定した。平均透過率は、波長380~850nmにおける透過率を平均化して算出した。低反射膜が形成されたガラス板の平均透過率の、該低反射膜が形成される前のガラス板の平均透過率に対する増分を透過率ゲインとした。
往復摩耗試験機(Taber Industries社製)を用い、低反射膜付き透明基板の低反射膜が形成されている面を摩耗子CS-10Fにて荷重4Nで70回又は250回摩耗した。70回摩耗を行った摩耗部について、上記の(反射特性)の試験と同様の方法で反射率曲線(反射スペクトル)を測定し、波長域360~740nmにおける可視光反射率の平均値を求めた。この70回摩耗後の可視光反射率の平均値と、低反射膜が形成される前のガラス板の波長域360~740nmにおける可視光反射率の平均値との差を求めて、70回摩耗後の反射率低減効果の評価を行った。また、250回摩耗を行った摩耗部については、摩耗実施前後の摩耗部の可視光反射率の変化を、分光測色計(「CM2600d」、コニカミノルタ株式会社製)にて計測した。なお、可視光反射率の変化についても、波長域360~740nmにおける可視光反射率の平均値によって求めた。
低反射膜付き透明基板を80℃の水に50時間浸漬した。その後、低反射膜付き透明基板を乾燥させて、往復摩耗試験機(Taber Industries社製)を用い、低反射膜付き透明基板の低反射膜が形成されている面を摩耗した。摩耗は、乾布(不織布)を低反射膜に接触させ、低反射膜にかかる荷重を4Nとして、乾布を4回往復運動させることにより実施した。摩耗試験後に低反射膜が形成されている側の面の平均反射率を測定し、摩耗試験前に測定しておいた低反射膜が形成されている側の面の平均反射率との差分を求めた。平均反射率は、波長域360~740nmの反射率の平均値であり、その測定方法は上記の(反射特性)に記載された方法と同じであった。
<塗工液の調製>
シリカ微粒子分散液(クォートロンPL-7、平均粒径125nmの略球状の一次粒子、固形分濃度23質量%、扶桑化学工業株式会社製)28.3質量部、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)58.6質量部、1N塩酸(加水分解触媒)1質量部を攪拌混合し、さらに撹拌しながらテトラエトキシシラン(正珪酸エチル、多摩化学工業株式会社製)12.1質量部を添加し、引き続き40℃に保温しながら8時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解し、加水分解液を得た。
実施例1では、透明導電膜付きガラス板の片側の主表面に低反射膜を形成して、低反射膜付き透明基板を得た。このガラス板は、通常のソーダライムシリケート組成からなり、オンラインCVD法を用いて片方の主表面に透明導電層を含む透明導電膜が形成された、厚さ3.2mmの日本板硝子株式会社製の透明導電膜付きガラス板であった。このガラス板を200×300mmに切断し、アルカリ溶液(アルカリ性洗浄液 LBC-1、レイボルド株式会社製)に浸漬して超音波洗浄機を用いて洗浄し、脱イオン水で水洗したのち常温で乾燥させて低反射膜を形成するためのガラス板とした。低反射膜を施す前のこのガラス板の透過特性を前述のとおり評価したところ、平均透過率83.2%であった。
<塗工液の調製>
加水分解液、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)、アルミニウムキレート錯体溶液を、加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)13.30g、アルミニウムキレート錯体溶液1.70gとした以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して64.2質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.6質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.33質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は0.84質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として2質量部であった。
実施例2では、前述の実施例2の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。その結果を表1に示す。
<塗工液の調製>
加水分解液、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)、アルミニウムキレート錯体溶液を、加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)12.45g、アルミニウムキレート錯体溶液2.55gとした以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して63.9質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.4質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.50質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は1.26質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として3質量部であった。
実施例3では、前述の実施例3の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。その結果を表1に示す。
<塗工液の調製>
加水分解液、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)、アルミニウムキレート錯体溶液を、加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)10.75g、アルミニウムキレート錯体溶液4.25gとした以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して63.1質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.0質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.82質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は2.07質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として5質量部であった。
実施例4では、前述の実施例4の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。その結果を表1に示す。
<塗工液の調製>
実施例5では、アルミニウムキレート錯体溶液として、アルミニウムエチルアセトアセテートジイソプロポキシド(和光純薬工業株式会社製)を、濃度10質量%となるように1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)に溶解したものを用いた。加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)13.30g、アルミニウムキレート錯体溶液1.700gを攪拌混合した。これら以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して64.2質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.5質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.37質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は0.93質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として2質量部であった。
実施例5では、前述の実施例5の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。その結果を表1に示す。
<塗工液の調製>
アルミニウムキレート錯体溶液の代わりに、塩化アルミニウム水溶液(AlCl3として濃度47.6質量%、塩化アルミニウム6水和物、試薬グレード、シグマアルドリッチ社製を脱イオン水に溶解)を用いた。加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)12.99g、塩化アルミニウム水溶液2.01gを攪拌混合した。これら以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して61.9質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して33.3質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は4.7質量%、有機成分は0質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、塩化アルミニウムとして6.5質量部であった。
比較例1では、前述の比較例1の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。ただし、水浸漬後の耐摩耗性の評価試験では、低反射膜付き透明基板の水への浸漬時間を20時間に短縮した。その結果を表2に示す。
<塗工液の調製>
比較例2では、アルミニウム化合物を含まない塗工液を調製した。具体的には、アルミニウムキレート錯体溶液を混合せずに、加水分解液85.00gと1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)15.00gとのみを混合攪拌した以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して65.0質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して35.0質量%、アルミニウム化合物は0質量%、有機成分は0質量%であった。
比較例2では、前述の比較例2の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。その結果を表2に示す。
<塗工液の調製>
加水分解液、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)、アルミニウムキレート錯体溶液を、加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)14.575g、アルミニウムキレート錯体溶液0.425gとした以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して64.8質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.9質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.084質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は0.21質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として0.5質量部であった。
比較例3では、前述の比較例3の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。その結果を表2に示す。
<塗工液の調製>
比較例4では、アルミニウムキレート錯体溶液として、アルミニウムトリスアセチルアセトネート(和光純薬工業株式社製)を、濃度10質量%となるように1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)に溶解したものを用いた。加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)13.30g、アルミニウムキレート錯体溶液1.70gを攪拌混合した。これら以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して63.6質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.3質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.31質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は1.80質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として2質量部であった。
比較例4では、塗工液においてアルミニウムキレート錯体が溶解せず、塗工液を用いた成膜を行うことができなかった。
<塗工液の調製>
比較例5では、アルミニウムキレート錯体溶液として、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート(和光純薬工業株式社製)を、濃度10質量%となるように1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)に溶解したものを用いた。加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)13.30g、アルミニウムキレート錯体溶液1.70gを攪拌混合した。これら以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して63.7質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.3質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.24質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は1.83質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として2質量部であった。
比較例5では、塗工液においてアルミニウムキレート錯体が溶解せず、塗工液を用いた成膜を行うことができなかった。
<塗工液の調製>
比較例6では、アルミニウムキレート錯体溶液の代わりに、アルミニウムトリ-sec-ブトキシド(東京化成工業株式会社製)を、濃度10質量%となるように1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)に溶解したものを用いた。加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)13.30g、アルミニウムトリ-sec-ブトキシド溶液1.70gを攪拌混合した。これら以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して64.7質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して34.9質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は0.41質量%、有機成分は0質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムトリ-sec-ブトキシドとして2質量部であった。
比較例6では、塗工液においてアルミニウムトリ-sec-ブトキシドが溶解せず、塗工液を用いた成膜を行うことができなかった。
<塗工液の調製>
加水分解液、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)、アルミニウムキレート錯体溶液を、加水分解液85.00g、1-メトキシ-2-プロパノール(溶媒)6.50g、アルミニウムキレート錯体溶液8.5gとした以外は、実施例1と同様に塗工液を調製した。この塗工液の固形分において、シリカ微粒子はSiO2に換算して61.3質量%、バインダに含まれる酸化ケイ素成分はSiO2に換算して33.0質量%、Al2O3に換算したアルミニウム化合物は1.59質量%、有機成分(アルミニウムキレート錯体の配位子由来の有機成分)は4.03質量%であった。この塗工液において、SiO2に換算したケイ素の酸化物(シリカ微粒子とテトラアルコキシシランに由来)を100質量部としたとき、アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体として10質量部であった。
比較例7では、前述の比較例7の塗工液を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射膜を形成し、前述の各特性を評価した。ただし、水浸漬後の耐摩耗性の評価試験では、低反射膜付き透明基板の水への浸漬時間を30時間に短縮した。その結果を表2に示す。
Claims (24)
- 透明基板と、前記透明基板の少なくとも一方の主表面に形成されている低反射膜とを含む、低反射膜付き透明基板であって、
前記低反射膜は、中実な球状で平均粒径が80~150nmであるシリカ微粒子が、シリカを主成分とするバインダによって固定されてなる多孔質膜であって、
前記バインダは、アルミニウム化合物をさらに含み、
前記低反射膜における成分の含有率が、質量%表示で、
前記シリカ微粒子 55~70%
前記バインダにおけるシリカ 25~40%
前記アルミニウム化合物をAl2O3に換算して 0.1~1.5%
有機成分 0.25~3%
であり、
前記低反射膜の膜厚が80~800nmであり、
前記低反射膜が形成されていない状態の前記透明基板の波長域380~850nmにおける平均透過率に対する、前記低反射膜付き透明基板の該波長域における平均透過率の増分、として定義される透過率ゲインが、2.5%以上であり、
前記有機成分が、βケトエステル及びβジケトンからなる群から選択される少なくともいずれか1つを含む、
低反射膜付き透明基板。 - 前記アルミニウム化合物は、アルミニウムキレート錯体であり、
前記アルミニウムキレート錯体が、βケトエステル構造を有する多座配位子及びβジケトン構造を有する多座配位子からなる群から選択される少なくともいずれか1つの多座配位子を含む、
請求項1に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記アルミニウムキレート錯体は、さらに、アルミニウム原子に直接結合した1又は2個のアルコキシ基を含む、
請求項2に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記アルコキシ基の炭素数が1~8である、
請求項3に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記アルコキシ基が、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基及びsec-ブトキシ基からなる群から選択されるいずれか1つである、
請求項4に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記アルミニウムキレート錯体に含まれる多座配位子の全てが、βケトエステル構造を有する、
請求項2~5のいずれか1項に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記βケトエステル構造において、
エステルを構成するカルボン酸の炭素数が4~6個であり、
エステルを構成するアルコールの炭素数が1~3個である、
請求項2~6のいずれか1項に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記βケトエステル構造において、
エステルを構成するカルボン酸の炭素数が4個であり、
エステルを構成するアルコールの炭素数が2個である、
請求項7に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記バインダにおけるシリカが、前記低反射膜を形成するための塗工液に添加された、加水分解性シリコン化合物又は加水分解性シリコン化合物の加水分解物に由来し、
該加水分解性シリコン化合物が、下記式(I)に示す化合物を含む、
請求項1~8のいずれか1項に記載の低反射膜付き透明基板。
SiX4 (I)
ここで、Xは、アルコキシ基、アセトキシ基、アルケニルオキシ基、アミノ基及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも1つである。 - 前記加水分解性シリコン化合物が、テトラアルコキシシランである、
請求項9に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記低反射膜付き透明基板を水に50時間浸漬した後に、前記低反射膜が形成されている面に対して乾布摩擦を実施する、水浸漬後の乾布摩擦耐久性試験について、
前記低反射膜が形成されている側の面の、前記試験の前後の波長域360~740nmにおける平均反射率の差が1%以下である、
請求項1~10のいずれか1項に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記透明基板がガラス板である、
請求項1~11のいずれか1項に記載の低反射膜付き透明基板。 - 前記透明基板の前記低反射膜が形成されている前記主表面とは反対側の主表面に、透明導電層を含む膜が形成されている、
請求項12に記載の低反射膜付き透明基板。 - 請求項1~13のいずれか1項に記載の低反射膜付き透明基板を備えた光電変換装置。
- 低反射膜付き透明基板の低反射膜を形成するための塗工液であって、
前記塗工液は、中実な球状で平均粒径が80~150nmであるシリカ微粒子と、加水分解性シリコン化合物と、アルミニウムキレート錯体と、溶媒とを含み、
前記加水分解性シリコン化合物は、式(I):SiX4(ここで、Xは、アルコキシ基、アセトキシ基、アルケニルオキシ基、アミノ基及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも1つである)に示す化合物を含み、
前記アルミニウムキレート錯体は、βケトエステル構造を有する多座配位子及びβジケトン構造を有する多座配位子からなる群から選択される少なくともいずれか1つの多座配位子と、アルミニウム原子に直接結合した1又は2個のアルコキシ基とを含み、
前記溶媒は、水と混和し、かつ、70℃以上180℃未満の沸点を有する有機溶媒を含み、
前記シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、前記加水分解性シリコン化合物に含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量との比(シリカ微粒子:加水分解性シリコン化合物)が、57:43~74:26であり、
前記シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、前記加水分解性シリコン化合物に含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量との和を100質量部としたときに、前記アルミニウムキレート錯体は、0.6~8質量部であり、
前記塗工液を用いて透明基板上に80~800nmの厚さの低反射膜を形成したときに、前記低反射膜が形成されていない状態の前記透明基板の波長域380~850nmにおける平均透過率に対する、前記低反射膜付き透明基板の該波長域における平均透過率の増分、として定義される透過率ゲインが2.5%以上である、
塗工液。 - 前記加水分解性シリコン化合物の加水分解触媒として、酸解離定数pKaが2.5以下の酸をさらに含む、
請求項15に記載の塗工液。 - 前記加水分解性シリコン化合物が、テトラアルコキシシランである、
請求項15又は16に記載の塗工液。 - 前記アルコキシ基の炭素数が1~8である、
請求項15~17のいずれか1項に記載の塗工液。 - 前記アルコキシ基が、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基及びsec-ブトキシ基からなる群から選択されるいずれか1つである、
請求項18に記載の塗工液。 - 前記アルミニウムキレート錯体に含まれる多座配位子の全てが、βケトエステル構造を有する、
請求項15~19のいずれか1項に記載の塗工液。 - 前記βケトエステル構造において、
エステルを構成するカルボン酸の炭素数が4~6個であり、
エステルを構成するアルコールの炭素数が1~3個である、
請求項15~20のいずれか1項に記載の塗工液。 - 前記βケトエステル構造において、
エステルを構成するカルボン酸の炭素数が4個であり、
エステルを構成するアルコールの炭素数が2個である、
請求項21に記載の塗工液。 - 請求項1~13のいずれか1項に記載の低反射膜付き透明基板の製造方法であって、
前記製造方法は、
前記低反射膜を形成するための塗工液を前記透明基板に塗布する塗布工程と、
前記塗工液が塗布された前記透明基板を加熱する加熱工程と、
を含み、
前記塗工液は、請求項15~22のいずれか1項に記載の塗工液であり、
前記加熱工程において、前記透明基板の表面が経験する最高温度が350℃以下であり、前記透明基板の表面が130℃以上の温度にある時間が5分以下である、
低反射膜付き透明基板の製造方法。 - 前記製造方法によって製造された前記低反射膜付き透明基板を水に50時間浸漬した後に、前記低反射膜が形成されている面に対して乾布摩擦を実施する、水浸漬後の乾布摩擦耐久性試験について、
前記低反射膜が形成されている側の面の、前記試験の前後の波長域360~740nmにおける平均反射率の差が1%以下である、
請求項23に記載の低反射膜付き透明基板の製造方法。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009280786A (ja) | 2008-04-21 | 2009-12-03 | Dainippon Toryo Co Ltd | 透明膜形成用組成物及び積層透明膜 |
JP2011251890A (ja) | 2010-05-07 | 2011-12-15 | Canon Inc | 酸化アルミニウム前駆体ゾル、光学用部材および光学用部材の製造方法 |
JP2013537873A (ja) | 2010-09-01 | 2013-10-07 | エージーシー グラス ユーロップ | 反射防止層を被覆されたガラス基板 |
JP2013228643A (ja) | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Central Glass Co Ltd | 低反射膜の形成方法およびその低反射膜付き部材 |
JP2014015543A (ja) | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Nissan Chem Ind Ltd | 低屈折率コーティング組成物 |
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---|---|---|---|---|
US6051665A (en) * | 1998-05-20 | 2000-04-18 | Jsr Corporation | Coating composition |
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US20070285776A1 (en) * | 2004-08-12 | 2007-12-13 | Fujifilm Corporation | Anti-Reflection Film |
US20070042173A1 (en) * | 2005-08-22 | 2007-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Antireflection film, manufacturing method thereof, and polarizing plate using the same, and image display device |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009280786A (ja) | 2008-04-21 | 2009-12-03 | Dainippon Toryo Co Ltd | 透明膜形成用組成物及び積層透明膜 |
JP2011251890A (ja) | 2010-05-07 | 2011-12-15 | Canon Inc | 酸化アルミニウム前駆体ゾル、光学用部材および光学用部材の製造方法 |
JP2013537873A (ja) | 2010-09-01 | 2013-10-07 | エージーシー グラス ユーロップ | 反射防止層を被覆されたガラス基板 |
JP2013228643A (ja) | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Central Glass Co Ltd | 低反射膜の形成方法およびその低反射膜付き部材 |
JP2014015543A (ja) | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Nissan Chem Ind Ltd | 低屈折率コーティング組成物 |
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