JP6487933B2 - 低反射コーティング、低反射コーティング付ガラス板、低反射コーティングを有するガラス板、ガラス基板、光電変換装置、及び低反射コーティングを製造する方法 - Google Patents
低反射コーティング、低反射コーティング付ガラス板、低反射コーティングを有するガラス板、ガラス基板、光電変換装置、及び低反射コーティングを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6487933B2 JP6487933B2 JP2016551515A JP2016551515A JP6487933B2 JP 6487933 B2 JP6487933 B2 JP 6487933B2 JP 2016551515 A JP2016551515 A JP 2016551515A JP 2016551515 A JP2016551515 A JP 2016551515A JP 6487933 B2 JP6487933 B2 JP 6487933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflection coating
- low
- fine particles
- silica fine
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 177
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 177
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 68
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 233
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 111
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 88
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 54
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 34
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 claims description 2
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 9
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 8
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940063656 aluminum chloride Drugs 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000006103 coloring component Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- JGDITNMASUZKPW-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.Cl[Al](Cl)Cl JGDITNMASUZKPW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940009861 aluminum chloride hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
前記低反射コーティングは、中実な球状のシリカ微粒子が、金属酸化物を主成分とするバインダによって固定されてなる膜であって、
前記シリカ微粒子として、平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子を含み、
前記バインダは、金属酸化物としてシリカを含み、
前記低反射コーティングを基板に施すことにより得られる透過率ゲインが1.5%以上であることを特徴とする低反射コーティングを提供する。
ここで、透過率ゲインは、波長域380〜850nmにおける平均透過率に関し、前記低反射コーティングを施す前の前記基板の平均透過率に対する、前記低反射コーティングを施した前記基板の平均透過率の増分、として定義される。
本発明の低反射コーティングの第1の様態は、中実な球状のシリカ微粒子が、金属酸化物を主成分とするバインダによって固定されてなる多孔質膜からなる。バインダはアルミニウム化合物をさらに含んでもよく、主成分である金属酸化物は好ましくはシリカである。なお、本明細書において、「主成分」とは質量基準で最も多く含まれる成分を意味する。
本発明の低反射コーティングの第2の様態は、中実な球状のシリカ微粒子が、シリカを主成分とするバインダによって固定されてなる膜からなる。バインダによって固定されているシリカ微粒子は、平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子からなる。シリカは有機ポリマ材料より硬度が高く、屈折率が比較的低いため、バインダとシリカ微粒子からなる多孔質層の見かけの屈折率をさらに低減することができる。さらに、シリカからなる略球形で粒径がよく揃った一次粒子は、商業的スケールで低コストで生産されており、量、質、及びコスト的な入手性に優れる。バインダは、実質的にシリカからなっていてもよい。なお、本明細書において「実質的にシリカからなるバインダ」とは、本発明により得られるべき効果が損なわれない程度であればバインダにおけるシリカ以外の成分の少量の含有が許容されることを意味する。例えば、バインダにおけるシリカの含有率は99%以上であり、好ましくは99.5%以上であり、より好ましくは99.9%以上である。
本発明の低反射コーティングの第3の様態は、中実な球状のシリカ微粒子が、波長550nmにおける屈折率が1.5〜1.8のバインダによって固定されてなる膜からなり、シリカ微粒子は、平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子からなる。例えば、バインダは、シリカを主成分として含む。また、例えば、バインダは、高屈折率成分をさらに含む。
SiX4(I)
分光光度計(UV−3100PC、株式会社島津製作所製)を用い、低反射コーティングの形成前後における基板の透過率曲線(透過スペクトル)をそれぞれ測定した。平均透過率は、波長380〜850nmにおける透過率を平均化して算出した。低反射コーティングを施した基板の平均透過率の、該低反射コーティングを施す前の基板の平均透過率に対する増分を透過率ゲインとした。
大栄科学精器製作所社製の往復摩耗試験機を用いて各実施例に係る低反射コーティングが形成された基板及び比較例1に係る基板について往復摩耗試験を行った。まず、各実施例に係る低反射コーティングが形成された基板及び比較例1に係る基板を治具で固定した。ここで、各実施例では、低反射コーティング側を上向きにして低反射コーティングが形成された基板を治具で固定した。次に、直径19mmの円板状の摩耗子CS−10Fの円形面を低反射コーティング又は基板の表面に接触させて4Nの荷重を加えた。このとき、摩耗子CS−10Fと低反射コーティング又は基板の表面との接触面積は、284mm2であった。この状態で摩耗子CS−10Fを低反射コーティング又は基板の表面に対して50回直線的に往復運動させた。このときの摩耗子の速度を120mm/秒に設定し、摩耗子のストローク幅を120mmに設定した。往復摩耗試験後に、低反射コーティングの剥離状態を目視にて確認し、低反射コーティングの剥離がない場合を「〇」と評価した。
各実施例及び比較例に係る低反射コーティングを電界放射型走査型電子顕微鏡(FE−SEM)(日立製作所社製、型式:S−4500)を用いて観察した。低反射コーティングの30°斜め上方からの断面におけるFE−SEM写真から、測定点5点における低反射コーティングの厚みの平均値を、低反射コーティングの膜厚(平均膜厚)として算出した。
<コーティング液の調製>
シリカ微粒子分散液(クォートロンPL−7、平均粒径125nmの略球状の一次粒子、固形分濃度23重量%、扶桑化学工業株式会社製)55.1質量部、シリカ微粒子分散液(クォートロンPL−20、平均粒径220〜370nmの略球状の一次粒子、固形分濃度20重量%、扶桑化学工業株式会社製)1.6質量部、1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)18.0質量部、1N塩酸(加水分解触媒)1質量部を撹拌混合し、さらに撹拌しながらテトラエトキシシラン(正珪酸エチル、多摩化学工業株式会社製)24.3質量部、を添加し、引き続き40℃に保温しながら8時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解し、原液Aを得た。原液Aにおいて、シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、バインダに含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量の比は、65:35であり、シリカ微粒子合計100質量部に対する平均粒径200〜500nmのシリカ微粒子は2.5質量部であった。
実施例1では、透明導電膜付ガラス板を基板として、透明導電膜が形成されていない方の主平面に低反射コーティングを形成した。このガラス板は、通常のソーダライムシリケート組成からなり、オンラインCVD法を用い、片方の主平面に透明導電層を含む透明導電膜が形成されており、厚み3.2mmの日本板硝子株式会社製のガラス板であった。このガラス板を200mm×300mmの寸法に切断し、アルカリ溶液(アルカリ性洗浄液LBC−1、レイボルド株式会社製)に浸漬して超音波洗浄機を用いて洗浄し、脱イオン水で水洗したのち常温で乾燥させて低反射コーティングを形成するためのガラス板とした。低反射コーティングを施す前のこの基板の透過特性を前述のとおり評価したところ、平均透過率80.0%であった。
<コーティング液の調製>
シリカ微粒子分散液(KE−W30、平均粒径300nmの略球状の一次粒子、固形分濃度20.5重量%、株式会社日本触媒製)63.4質量部、1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)11.3質量部、1N塩酸(加水分解触媒)1.0質量部を撹拌混合し、さらに撹拌しながらテトラエトキシシラン(実施例1で用いたものと同じ)24.3質量部、を添加し、引き続き40℃に保温しながら8時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解し、原液Bを得た。原液Bにおいて、シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、バインダに含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量の比は、65:35であった。
実施例2では、前述のコーティング液B1を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射コーティングを施し、前述の各特性を評価した。その結果を表1に示す。
<コーティング液の調製>
シリカ微粒子分散液(クォートロンPL−20、平均粒径220〜370nmの略球状の一次粒子、実施例1で用いたものと同じ)71.2質量部、1−メトキシ−2−プロパノール(溶媒)7.8質量部、1N塩酸(加水分解触媒)1.0質量部を撹拌混合し、さらに撹拌しながらテトラエトキシシラン(実施例1で用いたものと同じ)20.0質量部、を添加し、引き続き40℃に保温しながら8時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解し、原液Cを得た。原液Cにおいて、シリカ微粒子をSiO2に換算した質量と、バインダに含まれる酸化ケイ素成分をSiO2に換算した質量の比は、71.2:28.8であった。
実施例3では、前述のコーティング液C1を用いた以外は実施例1と同じ手順で、低反射コーティングを施し、前述の各特性を評価した。その結果を表1に示す。
比較例1として、実施例1〜3で用いたものと同じ透明導電膜付ガラス板を基板であって、透明導電膜が形成されていない方の主平面について、低反射コーティングを施さないものを用いた。評価に先立ち、実施例1〜3と同様に洗浄し乾燥させた。
Claims (17)
- 基板の主表面の少なくとも片方に好適に施され得る低反射コーティングであって、
前記低反射コーティングは、中実な球状のシリカ微粒子が、金属酸化物を主成分とするバインダによって固定されてなる膜であり、
前記シリカ微粒子は、平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子と、平均粒径が80〜150nmであるシリカ微粒子とからなり、
前記シリカ微粒子の合計量100質量部に対して、前記平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子が2〜30質量部であり、
前記バインダは、金属酸化物としてシリカを主成分として含み、
前記バインダは、多孔質であり、
前記低反射コーティングにおける成分の含有率が、質量%表示で、
前記シリカ微粒子 55〜75%
前記バインダにおけるシリカ 25〜45%であり、
前記低反射コーティングを基板に施すことにより得られる透過率ゲインが1.5%以上であることを特徴とする低反射コーティング。
ここで、透過率ゲインは、波長域380〜850nmにおける平均透過率に関し、前記低反射コーティングを施す前の前記基板の平均透過率に対する、前記低反射コーティングを施した前記基板の平均透過率の増分、である。 - 前記バインダにおけるシリカが、前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液に添加された、加水分解性シリコン化合物または加水分解性シリコン化合物の加水分解物に由来し、
前記加水分解性シリコン化合物が、下記式(I)に示す化合物を含む、
請求項1に記載の低反射コーティング。
SiX4(I)
ここで、Xは、アルコキシル基、アセトキシ基、アルケニルオキシ基、アミノ基、及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも1つである。 - 前記加水分解性シリコン化合物が、テトラアルコキシシランである、請求項2に記載の低反射コーティング。
- 前記バインダはアルミニウム化合物をさらに含み、
前記低反射コーティングにおける含有率が、質量%表示で、前記アルミニウム化合物をAl2O3に換算して2〜7%である、請求項1に記載の低反射コーティング。 - 前記アルミニウム化合物が、前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液に添加された、水溶性の無機アルミニウム化合物に由来する、請求項4に記載の低反射コーティング。
- 前記無機アルミニウム化合物が、ハロゲン化アルミニウム又は硝酸アルミニウムである、請求項5に記載の低反射コーティング。
- 前記無機アルミニウム化合物が、塩化アルミニウムである、請求項5に記載の低反射コーティング。
- 基板の主表面の少なくとも片方に好適に施され得る低反射コーティングであって、
前記低反射コーティングは、中実な球状のシリカ微粒子が、金属酸化物を主成分とするバインダによって固定されてなる膜であり、
前記シリカ微粒子は、平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子からなり、
前記バインダは、金属酸化物としてシリカを主成分として含むとともに、高屈折率成分をさらに含み、
前記バインダの波長550nmにおける屈折率が1.5〜1.8であり、
前記低反射コーティングを基板に施すことにより得られる透過率ゲインが1.5%以上であることを特徴とする低反射コーティング。
ここで、透過率ゲインは、波長域380〜850nmにおける平均透過率に関し、前記低反射コーティングを施す前の前記基板の平均透過率に対する、前記低反射コーティングを施した前記基板の平均透過率の増分、である。 - 前記バインダに含まれる前記高屈折率成分は、チタン、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、クロム、アルミニウム、カドミウム、ストロンチウム、イットリウム、ユーロピウム、ランタンからなる群から選ばれた1以上の金属の化合物である、請求項8に記載の低反射コーティング。
- 前記選ばれた1以上の金属の化合物が、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、またはアルミニウム酸化物である、請求項9に記載の低反射コーティング。
- 請求項8に記載の低反射コーティングを、その主平面の少なくとも片方に有するガラス板であって、
前記シリカ微粒子は前記主平面上に配列され、
前記バインダは前記主平面から前記シリカ微粒子の直径の30%〜70%の厚みで前記主平面と前記シリカ微粒子の間に存在する、
低反射コーティング付ガラス板。 - 請求項1に記載の低反射コーティングを有するガラス板。
- 請求項11に記載の低反射コーティング付ガラス板または請求項12に記載の低反射コーティングを有するガラス板を用いたガラス基板であって、該低反射コーティングが形成されている主平面とは反対側の主平面に透明導電膜が形成されたガラス基板。
- 請求項11に記載の低反射コーティング付ガラス板または請求項12に記載の低反射コーティングを有するガラス板を用いた光電変換装置であって、該低反射コーティングが形成されている前記ガラス板の主平面が、光が入射する主表面である、光電変換装置。
- 低反射コーティングを製造する方法であって、
前記低反射コーティングを形成するためのコーティング液を基板に塗布した後に加熱する加熱工程を含み、
前記加熱工程において、
前記基板が経験する最高温度が350℃以下であり、
前記基板が200℃以上の温度にある時間が5分以下であり、
前記低反射コーティングは、中実な球状のシリカ微粒子が、金属酸化物を主成分とするバインダによって固定されてなる膜であり、
前記シリカ微粒子として、平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子を含み、
前記バインダは、金属酸化物としてシリカを含み、
前記低反射コーティングを基板に施すことにより得られる透過率ゲインが1.5%以上であることを特徴とする方法。
ここで、透過率ゲインは、波長域380〜850nmにおける平均透過率に関し、前記低反射コーティングを施す前の前記基板の平均透過率に対する、前記低反射コーティングを施した前記基板の平均透過率の増分、である。 - 前記加熱工程において、
前記基板が経験する最高温度が250℃以下であり、
前記基板が100℃以上の温度にある時間が2分以下である、
請求項15に記載の方法。 - 前記中実な球状のシリカ微粒子は、平均粒径が200〜600nmであるシリカ微粒子からなり、
前記バインダは、前記金属酸化物としてシリカを主成分として含み、
前記低反射コーティングにおける成分の含有率が、質量%表示で、
前記シリカ微粒子 55〜70%
前記バインダにおけるシリカ 30〜45%
である、請求項15又は16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014201599 | 2014-09-30 | ||
JP2014201599 | 2014-09-30 | ||
PCT/JP2015/004782 WO2016051718A1 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-17 | 低反射コーティング、低反射コーティング付ガラス板、低反射コーティングを有するガラス板、ガラス基板、および光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016051718A1 JPWO2016051718A1 (ja) | 2017-07-13 |
JP6487933B2 true JP6487933B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=55629789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016551515A Active JP6487933B2 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-17 | 低反射コーティング、低反射コーティング付ガラス板、低反射コーティングを有するガラス板、ガラス基板、光電変換装置、及び低反射コーティングを製造する方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6487933B2 (ja) |
WO (1) | WO2016051718A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230113808A (ko) | 2020-12-15 | 2023-08-01 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 광학 부재용의 도포액, 중합체, 경화막, 감광성 도포액,패턴 경화막, 광학 부재, 고체 촬상 소자, 표시 장치, 폴리실록산 화합물, 도포액에 이용하는 안정화제, 경화막의 제조 방법, 패턴 경화막의 제조 방법, 및 중합체의 제조 방법 |
KR102738418B1 (ko) * | 2024-08-30 | 2024-12-04 | (주)선우이앤씨 | 저반사를 구현한 bipv 태양광 모듈 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001047033A1 (en) * | 1999-12-20 | 2001-06-28 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photoelectric transducer and substrate for photoelectric transducer |
CN102438831B (zh) * | 2009-05-22 | 2015-08-05 | 东洋纺织株式会社 | 光学用易胶粘性聚酯膜 |
WO2011070714A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用カバーガラスおよびその製造方法 |
JP2014015543A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Nissan Chem Ind Ltd | 低屈折率コーティング組成物 |
JP6039962B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2016-12-07 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用カバーガラス |
JP6345599B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2018-06-20 | 共栄社化学株式会社 | ハードコート用組成物及びハードコート層が形成された成形品 |
-
2015
- 2015-09-17 JP JP2016551515A patent/JP6487933B2/ja active Active
- 2015-09-17 WO PCT/JP2015/004782 patent/WO2016051718A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016051718A1 (ja) | 2017-07-13 |
WO2016051718A1 (ja) | 2016-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6989650B2 (ja) | 低反射コーティング付ガラス基板、低反射コーティング付ガラス基板を製造する方法、及び光電変換装置 | |
US11442200B2 (en) | Low-reflection coated glass sheet, method for producing low-reflection coated substrate, and coating liquid for forming low-reflection coating of low-reflection coated substrate | |
JP6039962B2 (ja) | 光電変換装置用カバーガラス | |
US10329430B2 (en) | Low-reflection coated glass sheet, method for producing low-reflection coated substrate, and coating liquid for forming low-reflection coating of low-reflection coated substrate | |
JP6771388B2 (ja) | 低反射コーティング付ガラス板及び低反射コーティング付ガラス板を製造する方法 | |
JP6487933B2 (ja) | 低反射コーティング、低反射コーティング付ガラス板、低反射コーティングを有するガラス板、ガラス基板、光電変換装置、及び低反射コーティングを製造する方法 | |
CN106660863B (zh) | 低反射涂层、带低反射涂层的基板及光电转换装置 | |
CN104955782B (zh) | 带低反射涂层的玻璃板及其制造方法 | |
JP2017149589A (ja) | 低反射コーティング付きガラス板 | |
CN110546117B (zh) | 带低反射膜的透明基板、光电转换装置、用于形成带低反射膜的透明基板的低反射膜的涂覆液和带低反射膜的透明基板的制造方法 | |
JP7153638B2 (ja) | 低反射コーティング付きガラス物品 | |
WO2018198937A1 (ja) | 被膜付き透明基板、被膜付き透明基板の被膜を形成するための塗工液及び被膜付き透明基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190222 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6487933 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |