[go: up one dir, main page]

JP7055075B2 - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents

熱処理装置及び熱処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7055075B2
JP7055075B2 JP2018137086A JP2018137086A JP7055075B2 JP 7055075 B2 JP7055075 B2 JP 7055075B2 JP 2018137086 A JP2018137086 A JP 2018137086A JP 2018137086 A JP2018137086 A JP 2018137086A JP 7055075 B2 JP7055075 B2 JP 7055075B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow path
insulating material
processing container
heat insulating
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018137086A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020013967A (ja
Inventor
達也 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018137086A priority Critical patent/JP7055075B2/ja
Priority to CN201910644087.9A priority patent/CN110739244B/zh
Priority to KR1020190086338A priority patent/KR102466150B1/ko
Priority to TW108125232A priority patent/TWI759614B/zh
Priority to US16/515,144 priority patent/US11367633B2/en
Publication of JP2020013967A publication Critical patent/JP2020013967A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7055075B2 publication Critical patent/JP7055075B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D21/00—Arrangement of monitoring devices; Arrangement of safety devices
    • F27D21/0014—Devices for monitoring temperature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
    • G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
    • G05D23/1932—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D19/00—Arrangements of controlling devices
    • F27D2019/0003—Monitoring the temperature or a characteristic of the charge and using it as a controlling value

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Processing Of Meat And Fish (AREA)

Description

本開示は、熱処理装置及び熱処理方法に関する。
多数枚の基板に対して一括で熱処理を行うバッチ式の縦型熱処理装置が知られている。縦型熱処理装置では、例えば基板を収容する縦長の処理容器の長手方向に沿ってガス供給管が設けられており、ガス供給管の長手方向に沿って所定間隔で形成された複数のガス孔から水平方向に向けてガスが放出される。また、縦型熱処理装置では、処理容器を囲むようにヒータ装置が設けられており、ヒータ装置によって基板やガス供給管が加熱される。
また、処理容器とヒータ装置との間の空間に空気等の冷却流体を吹き出すための冷却手段を備える縦型熱処理装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
特開平７－９９１６４号公報 特開２００７－２２１０５９号公報
本開示は、処理容器の長手方向におけるガス供給管内のガスの温度を制御することができる技術を提供する。
本開示の一態様による熱処理装置は、基板を収容する縦長の処理容器と、前記処理容器の内壁面に沿って上下に延びるガス供給管を有するガス供給手段と、前記処理容器の周囲に設けられた断熱材と、前記断熱材の内壁面に沿って設けられた発熱体と、を有する加熱手段と、前記断熱材の外側に形成された第１流体流路と、前記断熱材を貫通し、一端が前記第１流体流路と連通し、他端が前記処理容器と前記断熱材との間の空間に連通し、前記ガス供給管に向けて冷却流体を吹き出す第１吹出孔と、を有する第１冷却手段と、前記断熱材の外側であって前記第１流体流路とは異なる位置に形成された第２流体流路と、前記断熱材を貫通し、一端が前記第２流体流路と連通し、他端が前記処理容器と前記断熱材との間の空間に連通し、前記処理容器に向けて冷却流体を吹き出す第２吹出孔と、を有する第２冷却手段と、前記第１流体流路及び前記第２流体流路と連通する流体供給路と、前記流体供給路の接続先を前記第１流体流路又は前記第２流体流路に切り替える流路切替手段と、を備え、前記第１吹出孔は、前記ガス供給管の長手方向に沿って複数設けられている。
本開示によれば、処理容器の長手方向におけるガス供給管内のガスの温度を制御することができる。
第１の実施形態の熱処理装置の構成例を示す概略図 図１の熱処理装置の第１冷却手段及び第２冷却手段の説明図 図１の熱処理装置の排熱手段の説明図 第２の実施形態の熱処理装置の構成例を示す概略図 第３の実施形態の熱処理装置の構成例を示す概略図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔第１の実施形態〕
（熱処理装置）
第１の実施形態の熱処理装置の一例について説明する。図１は、第１の実施形態の熱処理装置の構成例を示す概略図である。図２は、図１の熱処理装置の第１冷却手段及び第２冷却手段の説明図である。図３は、図１の熱処理装置の排熱手段の説明図である。
図１から図３に示されるように、熱処理装置は、処理容器１０、ガス供給手段３０、排気手段４０、加熱手段５０、第１冷却手段６０、第２冷却手段７０、流体供給路８０、排熱手段９０、制御手段１００等を有する。
処理容器１０は、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容する。処理容器１０は、下端部が開放された有天井の円筒形状の内管１１と、下端部が開放されて内管１１の外側を覆う有天井の円筒形状の外管１２とを有する。内管１１及び外管１２は、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて二重管構造となっている。
内管１１の天井部は、例えば平坦になっている。内管１１の一側には、その長手方向（上下方向）に沿ってガス供給管を収容する収容部１３が形成されている。一実施形態では、図２に示されるように、内管１１の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部１４を形成し、凸部１４内を収容部１３として形成している。
収容部１３に対向させて内管１１の反対側の側壁には、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の開口部１５が形成されている。
開口部１５は、内管１１内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。開口部１５の長さは、ウエハボート１６の長さと同じであるか、又は、ウエハボート１６の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。即ち、開口部１５の上端は、ウエハボート１６の上端に対応する位置以上の高さに延びて位置され、開口部１５の下端は、ウエハボート１６の下端に対応する位置以下の高さに延びて位置されている。
処理容器１０の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド１７によって支持されている。マニホールド１７の上端にはフランジ部１８が形成されており、フランジ部１８上に外管１２の下端部を設置して支持するようになっている。フランジ部１８と外管１２との下端部との間にはＯリング等のシール部材１９を介在させて外管１２内を気密状態にしている。
マニホールド１７の上部の内壁には、円環状の支持部２０が設けられており、支持部２０上に内管１１の下端部を設置して支持するようになっている。マニホールド１７の下端の開口部には、蓋部２１がＯリング等のシール部材２２を介して気密に取り付けられており、処理容器１０の下端の開口部、即ち、マニホールド１７の開口部を気密に塞ぐようになっている。蓋部２１は、例えばステンレス鋼により形成される。
蓋部２１の中央部には、磁性流体シール部２３を介してウエハボート１６を回転可能に支持する回転軸２４が貫通させて設けられている。回転軸２４の下部は、ボートエレベータよりなる昇降手段２５のアーム２５Ａに回転自在に支持されている。
回転軸２４の上端には回転プレート２６が設けられており、回転プレート２６上に石英製の保温台２７を介してウエハＷを保持するウエハボート１６が載置されるようになっている。従って、昇降手段２５を昇降させることによって蓋部２１とウエハボート１６とは一体として上下動し、ウエハボート１６を処理容器１０内に対して挿脱できるようになっている。ウエハボート１６は、処理容器１０内に収容可能であり、複数のウエハＷを所定間隔で保持する基板保持具である。
ガス供給手段３０は、マニホールド１７に設けられている。ガス供給手段３０は、内管１１内へ処理ガス、パージガス等の所定のガスを導入する。ガス供給手段３０は、石英製のガス供給管３１を有する。ガス供給管３１は、内管１１内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端がＬ字状に屈曲されてマニホールド１７を貫通するようにして支持されている。ガス供給管３１には、その長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔３２が形成されており、ガス孔３２より水平方向に向けてガスを放出できるようになっている。所定の間隔は、例えばウエハボート１６に支持されるウエハＷの間隔と同じになるように設定される。また、高さ方向の位置は、ガス孔３２が上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間に位置するように設定されており、ガスをウエハＷ間の空間に供給できるようになっている。ガスの種類としては、成膜ガス、エッチングガス、及びパージガスが用いられ、流量を制御しながら必要に応じてガス供給管３１を介してガスを供給できるようになっている。なお、ガス供給手段３０は、例えばガスの種類ごとに複数のガス供給管を有していてもよい。
排気手段４０は、内管１１内から開口部１５を介して排出され、内管１１と外管１２との間の空間Ｓ１を介してガス出口４１から排出されるガスを排気する。ガス出口４１は、マニホールド１７の上部の側壁であって、支持部２０の上方に形成されている。ガス出口４１には、排気通路４２が接続されている。排気通路４２には、圧力調整弁４３及び真空ポンプ４４が順次介設されて、処理容器１０内を排気できるようになっている。
加熱手段５０は、処理容器１０の周囲に設けられている。加熱手段５０は、例えばベースプレート２８上に設けられている。加熱手段５０は、処理容器１０内のウエハＷを加熱する。加熱手段５０は、例えば円筒形状の断熱材５１を有する。断熱材５１は、シリカ及びアルミナを主成分として形成されている。加熱手段５０は、処理容器１０内のウエハＷを加熱することができれば、特に限定されないが、例えば赤外線を放射して処理容器１０を加熱する赤外線ヒータであってよい。断熱材５１の内周には、線状の発熱体５２が螺旋状又は蛇行状に設けられている。発熱体５２は、加熱手段５０の高さ方向に複数のゾーンに分けて温度制御が可能なように構成されている。発熱体５２は、断熱材５１の内壁面に保持部材（図示せず）を介して保持されている。但し、発熱体５２は、断熱材５１の内壁面に凹部を形成し、凹部内に収容されていてもよい。
断熱材５１の形状を保持すると共に断熱材５１を補強するために、断熱材５１の外周はステンレス鋼等の金属製の外皮５３で覆われている。また、加熱手段５０の外部への熱影響を抑制するために、外皮５３の外周は水冷ジャケット（図示せず）で覆われている。
第１冷却手段６０は、処理容器１０の長手方向に沿って設けられたガス供給管３１に向けて冷却流体（例えば空気）を供給し、ガス供給管３１内のガスを冷却する。第１冷却手段６０は、例えばガス供給管３１からガスを供給してウエハＷに熱処理を行う際に用いられる。第１冷却手段６０は、第１流体流路６１と、複数の吹出孔６２と、分配流路６３と、を有する。
第１流体流路６１は、断熱材５１と外皮５３との間に高さ方向に複数（例えば５個）形成されている。第１流体流路６１は、例えば断熱材５１の外側に周方向に沿って円弧状に形成された円弧状流路である。第１流体流路６１は、処理容器１０の周方向においてガス供給管３１が設けられた位置と対応する位置に形成されている。第１流体流路６１は、例えば断熱材５１の外周に断熱材６４を貼り付けることにより形成される。一実施形態では、断熱材６４は、断熱材５１の外周にその下端から上端まで延びるように配置された２つの断熱材６４ａと、２つの断熱材６４ａを接続するように断熱材５１の外周に高さ方向に間隔を有して配置された複数の断熱材６４ｂと、を有する。断熱材５１の外側に断熱材６４ａ及び断熱材６４ｂを介して円筒形状の外皮５３を嵌めることにより、断熱材５１の外周に円弧状の第１流体流路６１が高さ方向に複数形成される。
吹出孔６２は、各第１流体流路６１から断熱材５１を貫通して形成されており、ガス供給管３１に向けて水平方向に冷却流体を吹き出す。吹出孔６２は、各第１流体流路６１の範囲内で高さ方向に複数（例えば２個）設けられている。但し、吹出孔６２は、各第１流体流路６１の範囲内で高さ方向に１個設けられていてもよい。吹出孔６２は、例えば外皮５３を装着する前に断熱材５１に対して内側又は外側からドリル等で孔を開けることにより形成される。また、吹出孔６２は、断熱材５１に吹出ノズルを埋め込んだものであってもよい。
分配流路６３は、外皮５３の外部に設けられており、冷却流体を第１流体流路６１の各々に分配して供給する。分配流路６３には、各第１流体流路６１に供給される冷却流体の流量を調整するバルブ等の流量調整手段６５が介設されている。これにより、各第１流体流路６１に供給される冷却流体の流量を独立して調整することができる。流量調整手段６５は、例えば温度センサ（図示せず）により検出されたガス供給管３１内のガスの温度に基づいて制御される。これにより、熱処理の実行中にフィードバック制御を行うことができるので、リアルタイムなガスの温度に基づき冷却流体の流量調整が可能となる。なお、分配流路６３には、流量調整手段６５が設けられていなくてもよい。この場合、第１流体流路６１ごとに吹出孔６２の孔径を変えることで、各第１流体流路６１から吹き出される冷却流体の流量を調整することができる。例えば、ガス供給管３１の上側を下側よりも冷却したい場合、複数の第１流体流路６１のうち上側に位置する吹出孔６２の孔径を大きくし、下側に位置する吹出孔６２の孔径を小さくする。
第２冷却手段７０は、処理容器１０に向けて冷却流体（例えば空気）を供給し、処理容器１０内のウエハＷを冷却する。第２冷却手段７０は、例えば熱処理の後、ウエハＷを急速降温させる際に用いられる。第２冷却手段７０は、第２流体流路７１と、複数の吹出孔７２と、分配流路７３と、を有する。
第２流体流路７１は、断熱材５１と外皮５３との間に高さ方向に複数（５個）形成されている。第２流体流路７１は、例えば断熱材５１の外側に周方向に沿って円弧状に形成された円弧状流路である。第２流体流路７１は、処理容器１０の周方向における第１流体流路６１とは異なる位置に形成されている。第２流体流路７１は、例えば断熱材５１の外周に断熱材７４を貼り付けることにより形成される。図１及び図２の例では、断熱材７４は、断熱材５１の外周に前述の２つの断熱材６４ａを接続するように断熱材５１の外周に高さ方向に間隔を有して配置された複数の断熱材７４ｂを有する。断熱材５１の外側に断熱材６４ａ及び断熱材７４ｂを介して円筒形状の外皮５３を嵌めることにより、断熱材５１の外周に第２流体流路７１が高さ方向に複数形成される。
吹出孔７２は、各第２流体流路７１から断熱材５１を貫通して形成されている。吹出孔７２は、空間Ｓ２の周方向に沿って螺旋状に旋回する冷却流体の流れを形成するために平面視で加熱手段５０の中心方向に対して所定の角度θ（例えばθ＝３５°）で傾斜して設けられている。吹出孔７２は、例えば外皮５３を装着する前に断熱材５１に対して内側又は外側からドリル等で孔を開けることにより形成される。また、吹出孔７２は、断熱材５１に吹出ノズルを埋め込んだものであってもよい。
分配流路７３は、外皮５３の外部に設けられており、冷却流体を各第２流体流路７１に分配して供給する。分配流路７３には、各第２流体流路７１に供給される冷却流体の流量を調整するバルブ等の流量調整手段（図示せず）が介設されている。これにより、各第２流体流路７１に供給される冷却流体の流量を独立して調整することができる。但し、分配流路７３には、流量調整手段が介設されていなくてもよい。
また、分配流路６３及び分配流路７３は、流体供給路８０に接続されている。流体供給路８０は、分配流路６３及び分配流路７３に冷却流体を供給する。流体供給路８０には、その接続先を分配流路６３又は分配流路７３に切り替えるバルブ等の流路切替手段８１が設けられている。流路切替手段８１は、例えば熱処理の際、流体供給路８０の接続先を第１流体流路６１に切り替える。これにより、熱処理の際、ガス供給管３１内のガスの温度を制御することができる。また、流路切替手段８１は、熱処理の後、ウエハＷの降温時に流体供給路８０の接続先を第２流体流路７１に切り替える。これにより、熱処理の後、ウエハＷを急速降温させることができる。
排熱手段９０は、複数の吹出孔６２よりも上方に設けられた排気口９１を有する。空間Ｓ２内の冷却流体は、排気口９１を介して熱処理装置の外部に排出される。熱処理装置の外部に排出された冷却流体は、熱交換器により冷却されて再び流体供給路８０に供給される。但し、熱処理装置の外部に排出された冷却流体は、再利用されることなく排出されてもよい。排気口９１と複数の吹出孔６２とは、平面視で重なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、複数の吹出孔６２から空間Ｓ２内に吹き出される冷却流体の流れが、ガス供給管３１の長手方向に沿って上昇する流れとなりやすい。そのため、ガス供給管３１が設けられている領域を集中的に冷却することができる。
制御手段１００は、熱処理装置の動作を制御する。制御手段１００は、例えばコンピュータであってよい。熱処理装置の全体の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体１０１に記憶されている。記憶媒体１０１は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。
（熱処理装置の動作）
第１の実施形態の熱処理装置の動作（熱処理方法）の一例について説明する。熱処理方法は、制御手段１００が熱処理装置の各部の動作を制御することにより実行される。
まず、昇降手段２５により多数枚のウエハＷを保持したウエハボート１６を処理容器１０内に搬入（ロード）し、蓋部２１により処理容器１０の下端の開口部を気密に塞ぎ密閉する。
続いて、排気手段４０により処理容器１０の内部の圧力が所定の真空度になるように排気する。続いて、ガス供給手段３０により処理容器１０内に成膜ガスを供給すると共に、加熱手段５０により処理容器１０内のウエハＷを加熱する。また、複数の吹出孔６２からガス供給管３１に向けて冷却流体を供給すると共に、ウエハボート１６を回転させる。これにより、ウエハＷに膜が形成される。
続いて、ガス供給手段３０からの成膜ガスの供給を停止する。また、加熱手段５０によるウエハＷの加熱を停止し、複数の吹出孔６２からの冷却流体の供給を停止すると共に、ウエハボート１６の回転を停止する。
続いて、吹出孔７２から処理容器１０に向けて冷却流体を吹き出すことにより、処理容器１０内のウエハＷを急速降温させる。そして、処理容器１０内のウエハＷが所定温度以下となった後、昇降手段２５によりウエハボート１６を処理容器１０内から搬出（アンロード）する。
以上に説明したように、第１の実施形態では、処理容器１０の内壁面に沿って上下に延びるガス供給管３１に向けて冷却流体を吹き出す吹出孔６２が、ガス供給管３１の長手方向に沿って複数設けられている。これにより、ガス供給管３１の長手方向において吹出孔６２から吹き出される冷却流体の流量を調整できるので、処理容器１０の長手方向におけるガス供給管３１内のガスの温度を制御することができる。その結果、ウエハＷに形成される膜の面内分布を調整することができる。
また、第１の実施形態では、第１流体流路６１は、上下方向に複数形成された円弧状流路と、複数の円弧状流路の各々に流れる冷却流体の流量を調整する流量調整手段６５と、を有する。これにより、熱処理の条件に応じて、処理容器１０内の長手方向におけるガス供給管３１内のガスの温度を制御することができる。
また、第１の実施形態では、複数の吹出孔６２よりも上方において空間Ｓ２と連通し、空間Ｓ２内の冷却流体を排出する排熱手段９０と、複数の吹出孔６２とが、平面視で重なる位置に設けられている。これにより、複数の吹出孔６２から空間Ｓ２内に吹き出される冷却流体の流れが、ガス供給管３１の長手方向に沿って上昇する流れとなりやすい。そのため、ガス供給管３１が設けられている領域を集中的に冷却することができる。
また、第１の実施形態では、排熱手段９０により回収された冷却流体は熱交換器で冷却されて再び流体供給路８０に導入される。これにより、冷却流体の使用量を抑制することができる。
また、第１の実施形態では、処理容器１０の外周の全体に向けて冷却流体を吹き出す吹出孔７２を有する第２冷却手段７０が設けられている。これにより、熱処理の後、第２冷却手段７０により空間Ｓ２内に冷却流体を導入して強制的に冷却することができるので、熱処理の後、ウエハＷを急速降温させることができる。そのため、１バッチのウエハＷの熱処理が終了した後、冷却流体を空間Ｓ２に供給することにより、速やかに処理容器１０を冷却し、次のバッチの熱処理に移行し、生産性を高めることができる。
また、第１の実施形態では、第１流体流路６１及び第２流体流路７１と連通する流体供給路８０の接続先を、第１流体流路６１又は第２流体流路７１に切り替える流路切替手段８１を備える。これにより、熱処理の際、ガス供給管３１内のガスの温度を制御し、且つ熱処理の後、ウエハＷを急速降温させることができる。
また、第１の実施形態では、ガス供給管３１は、内管１１の側壁の一部を外側へ向けて突出させて形成された収容部１３内に収容されている。これにより、吹出孔６２から吹き出される冷却流体による処理容器１０内のウエハＷの冷却を抑制しつつ、ガス供給管３１を効果的に冷却することができる。
〔第２の実施形態〕
第２の実施形態の熱処理装置の一例について説明する。図４は、第２の実施形態の熱処理装置の構成例を示す概略図である。
図４に示されるように、第２の実施形態の熱処理装置は、第１流体流路６１側（一端の側）から空間Ｓ２側（他端の側）に向かって斜め上方に傾斜する複数の吹出孔６２Ａを有する。なお、その他の構成については、第１の実施形態と同様である。
以上に説明したように、第２の実施形態では、処理容器１０の内壁面に沿って上下に延びるガス供給管３１に向けて冷却流体を吹き出す吹出孔６２Ａが、ガス供給管３１の長手方向に沿って複数設けられている。これにより、ガス供給管３１の長手方向において吹出孔６２Ａから吹き出される冷却流体の流量を調整できるので、処理容器１０の長手方向におけるガス供給管３１内のガスの温度を制御することができる。
特に、第２の実施形態では、第１流体流路６１側（一端の側）から空間Ｓ２側（他端の側）に向かって斜め上方に傾斜する複数の吹出孔６２Ａを有している。これにより、各吹出孔６２Ａから吹き出される冷却流体が外管１２に衝突して形成される冷却領域が縦長の楕円状となる。そのため、ガス供給管３１が設けられている領域を集中的に冷却することができる。
〔第３の実施形態〕
第３の実施形態の熱処理装置の一例について説明する。図５は、第３の実施形態の熱処理装置の構成例を示す概略図である。
図５に示されるように、第３の実施形態の熱処理装置は、第１流体流路６１及び第２流体流路７１に冷却流体を供給する流体供給路が別に設けられている。即ち、第３の実施形態の熱処理装置は、第１流体流路６１に冷却流体を供給する第１流体供給路８０ａと、第２流体流路７１に冷却流体を供給する第２流体供給路８０ｂと、を有する。
第１流体供給路８０ａは、分配流路６３を介して第１流体流路６１に冷却流体を供給する。第１流体供給路８０ａには、流量制御器８２が介設されており、流量制御器８２により流量が制御されたドライエアが供給される。
第２流体供給路８０ｂは、分配流路７３を介して第２流体流路７１に冷却流体を供給する。第２流体供給路８０ｂには、例えばブロア８３により空気が供給される。
以上に説明したように、第３の実施形態では、処理容器１０の内壁面に沿って上下に延びるガス供給管３１に向けて冷却流体を吹き出す吹出孔６２が、ガス供給管３１の長手方向に沿って複数設けられている。これにより、ガス供給管３１の長手方向において吹出孔６２から吹き出される冷却流体の流量を調整できるので、処理容器１０の長手方向におけるガス供給管３１内のガスの温度を制御することができる。
特に、第３の実施形態では、第１流体流路６１に冷却流体を供給する第１流体供給路８０ａと、第２流体流路７１に冷却流体を供給する第２流体供給路８０ｂと、を有する。これにより、第１流体流路６１に供給される冷却流体の種類及び流量と、第２流体流路７１に供給される冷却流体の種類及び流量と、を個別に設定することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、処理容器１０が内管１１と外管１２とを有する二重管構造である場合を説明したが、これに限定されず、例えば処理容器１０は一重管構造であってもよい。
１０ 処理容器
１１ 内管
１２ 外管
１３ 収容部
２４ 回転軸
３０ ガス供給手段
３１ ガス供給管
３２ ガス孔
５０ 加熱手段
５１ 断熱材
５２ 発熱体
６０ 第１冷却手段
６１ 第１流体流路
６２ 吹出孔
６５ 流量調整手段
７０ 第２冷却手段
７１ 第２流体流路
７２ 吹出孔
８０ 流体供給路
８１ 流路切替手段
９０ 排熱手段
Ｗ ウエハ

Claims (10)

  1. 基板を収容する縦長の処理容器と、
    前記処理容器の内壁面に沿って上下に延びるガス供給管を有するガス供給手段と、
    前記処理容器の周囲に設けられた断熱材と、前記断熱材の内壁面に沿って設けられた発熱体と、を有する加熱手段と、
    前記断熱材の外側に形成された第１流体流路と、前記断熱材を貫通し、一端が前記第１流体流路と連通し、他端が前記処理容器と前記断熱材との間の空間に連通し、前記ガス供給管に向けて冷却流体を吹き出す第１吹出孔と、を有する第１冷却手段と、
    前記断熱材の外側であって前記第１流体流路とは異なる位置に形成された第２流体流路と、前記断熱材を貫通し、一端が前記第２流体流路と連通し、他端が前記処理容器と前記断熱材との間の空間に連通し、前記処理容器に向けて冷却流体を吹き出す第２吹出孔と、を有する第２冷却手段と、
    前記第１流体流路及び前記第２流体流路と連通する流体供給路と、
    前記流体供給路の接続先を前記第１流体流路又は前記第２流体流路に切り替える流路切替手段と、
    を備え、
    前記第１吹出孔は、前記ガス供給管の長手方向に沿って複数設けられている、
    熱処理装置。
  2. 前記第１流体流路は、上下方向に複数形成されており、
    前記第１冷却手段は、前記複数の第１流体流路の各々に流れる冷却流体の流量を調整する流量調整手段を有する、
    請求項１に記載の熱処理装置。
  3. 前記複数の第１吹出孔の各々は、前記一端の側から前記他端の側に向かって斜め上方に傾斜している、
    請求項１又は２に記載の熱処理装置。
  4. 前記複数の第１吹出孔よりも上方において前記空間と連通し、前記空間内の冷却流体を排出する排熱手段を備える、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の熱処理装置。
  5. 前記排熱手段と前記複数の第１吹出孔とは、平面視で重なる位置に設けられている、
    請求項４に記載の熱処理装置。
  6. 前記排熱手段により排出された冷却流体は、熱交換器により冷却されて前記第１流体流路に再び供給される、
    請求項４又は５に記載の熱処理装置。
  7. 前記処理容器内で基板を保持する基板保持具を回転可能に支持する回転軸を備える、
    請求項１乃至６のいずれか一項に記載の熱処理装置。
  8. 前記処理容器は、下端部が開放された有天井の円筒形状の内管と、下端部が開放されて前記内管の外側を覆う有天井の外管とを有し、
    前記内管は、側壁の一部を外側へ向けて突出させて形成された収容部を有し、
    前記ガス供給管は、前記収容部内に収容されている、
    請求項１乃至７のいずれか一項に記載の熱処理装置。
  9. 基板を縦長の処理容器内に収容する工程と、
    前記処理容器の周囲に設けられた断熱材の内壁面に沿って設けられた発熱体により前記処理容器を加熱する工程と、
    前記処理容器の内壁面に沿って上下に延びるガス供給管からガスを供給する工程と、
    前記断熱材の外側に形成された流体流路から前記断熱材を貫通して前記処理容器と前記断熱材との間の空間に連通する複数の吹出孔により、前記ガス供給管に向けて冷却流体を吹き出す工程と、
    を有し、
    前記ガス供給管に向けて冷却流体を吹き出す工程は、前記ガス供給管からガスを供給する工程が実行されているときに行われる、
    熱処理方法。
  10. 前記断熱材の外側に形成された第２流体流路から前記断熱材を貫通して前記処理容器と前記断熱材との間の空間に連通する複数の第２の吹出孔により、前記処理容器に向けて冷却流体を吹き出す工程を有し、
    前記処理容器に向けて冷却流体を吹き出す工程は、前記ガス供給管からガスを供給する工程が実行されていないときに行われる、
    請求項９に記載の熱処理方法。
JP2018137086A 2018-07-20 2018-07-20 熱処理装置及び熱処理方法 Active JP7055075B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018137086A JP7055075B2 (ja) 2018-07-20 2018-07-20 熱処理装置及び熱処理方法
CN201910644087.9A CN110739244B (zh) 2018-07-20 2019-07-17 热处理装置和热处理方法
KR1020190086338A KR102466150B1 (ko) 2018-07-20 2019-07-17 열처리 장치 및 열처리 방법
TW108125232A TWI759614B (zh) 2018-07-20 2019-07-17 熱處理裝置及熱處理方法
US16/515,144 US11367633B2 (en) 2018-07-20 2019-07-18 Heat treatment apparatus and heat treatment method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018137086A JP7055075B2 (ja) 2018-07-20 2018-07-20 熱処理装置及び熱処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020013967A JP2020013967A (ja) 2020-01-23
JP7055075B2 true JP7055075B2 (ja) 2022-04-15

Family

ID=69161846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018137086A Active JP7055075B2 (ja) 2018-07-20 2018-07-20 熱処理装置及び熱処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11367633B2 (ja)
JP (1) JP7055075B2 (ja)
KR (1) KR102466150B1 (ja)
CN (1) CN110739244B (ja)
TW (1) TWI759614B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7055075B2 (ja) * 2018-07-20 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
KR102782608B1 (ko) * 2019-10-14 2025-03-14 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비
TW202146831A (zh) * 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN111519164B (zh) * 2020-04-28 2021-03-23 上海大学 一种基于ald技术制备氧化锌薄膜的装置及方法
JP7638752B2 (ja) 2021-03-29 2025-03-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP2022179884A (ja) * 2021-05-24 2022-12-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
CN114171437A (zh) * 2021-12-01 2022-03-11 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室
CN116007390A (zh) * 2022-12-15 2023-04-25 湖南优热科技有限责任公司 一种带有快速主动冷却系统的石墨化炉
KR102704328B1 (ko) * 2023-11-13 2024-09-09 (주) 예스티 반도체 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010226092A (ja) 2009-02-27 2010-10-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2012209517A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理制御システムおよび熱処理制御方法
JP2013062361A (ja) 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2014209569A (ja) 2013-03-25 2014-11-06 株式会社日立国際電気 断熱構造体及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260429A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Toshiba Corp 熱処理成膜装置
US5616264A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system
US5507639A (en) * 1993-06-30 1996-04-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus and method thereof
JP3151092B2 (ja) 1993-06-30 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP3583467B2 (ja) * 1994-05-30 2004-11-04 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
JP4365017B2 (ja) * 2000-08-23 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
JP4498210B2 (ja) * 2005-05-13 2010-07-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置およびｉｃの製造方法
JP4607678B2 (ja) * 2005-06-15 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、ヒータ及びヒータの製造方法
WO2007018142A1 (ja) * 2005-08-09 2007-02-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
TWI315080B (en) * 2005-08-24 2009-09-21 Hitachi Int Electric Inc Baseplate processing equipment, heating device used on the baseplate processing equipment and method for manufacturing semiconductors with those apparatus, and heating element supporting structure
JP4739057B2 (ja) 2006-02-20 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、ヒータ及びその製造方法
KR100932965B1 (ko) * 2007-02-09 2009-12-21 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 단열 구조체, 가열 장치, 가열 시스템, 기판 처리 장치 및반도체 장치의 제조 방법
KR100892937B1 (ko) * 2007-08-07 2009-04-09 주식회사 피에스티 냉각 장치
KR101451716B1 (ko) * 2008-08-11 2014-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법 및 성막 장치
JP5394360B2 (ja) * 2010-03-10 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置およびその冷却方法
JP5721219B2 (ja) * 2010-07-09 2015-05-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置
JP2012023073A (ja) * 2010-07-12 2012-02-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および基板の製造方法
JP5893280B2 (ja) * 2010-09-09 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP5645718B2 (ja) * 2011-03-07 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP5743746B2 (ja) * 2011-06-27 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 熱処理炉及び熱処理装置
KR101615584B1 (ko) * 2011-11-21 2016-04-26 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
CN104520975B (zh) * 2012-07-30 2018-07-31 株式会社日立国际电气 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
KR101751624B1 (ko) * 2012-12-07 2017-06-27 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP6078335B2 (ja) * 2012-12-27 2017-02-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム
JP6222833B2 (ja) * 2013-01-30 2017-11-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5809771B2 (ja) * 2013-07-31 2015-11-11 株式会社日立国際電気 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6237264B2 (ja) * 2014-01-24 2017-11-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP6255267B2 (ja) * 2014-02-06 2017-12-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、加熱装置、天井断熱体及び半導体装置の製造方法
KR101883583B1 (ko) * 2014-03-20 2018-07-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 천장부 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6385748B2 (ja) * 2014-07-24 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
KR101684929B1 (ko) * 2015-02-03 2016-12-21 국제엘렉트릭코리아 주식회사 발열체 및 히터 어셈블리 그리고 그것을 갖는 클러스터 설비
JP6512860B2 (ja) * 2015-02-24 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
JP6472356B2 (ja) * 2015-09-11 2019-02-20 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6464990B2 (ja) * 2015-10-21 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR102466140B1 (ko) * 2016-01-29 2022-11-11 삼성전자주식회사 가열 장치 및 이를 갖는 기판 처리 시스템
JP6651408B2 (ja) * 2016-04-28 2020-02-19 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
CN106409731B (zh) * 2016-11-09 2019-02-01 上海华力微电子有限公司 一种炉管的氮气冷却系统及晶圆和晶舟的冷却方法
WO2018105113A1 (ja) * 2016-12-09 2018-06-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体
JP6804309B2 (ja) * 2017-01-12 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び温度制御方法
JP6737215B2 (ja) * 2017-03-16 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP6703496B2 (ja) * 2017-03-27 2020-06-03 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6602332B2 (ja) * 2017-03-28 2019-11-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US11043402B2 (en) * 2017-09-12 2021-06-22 Kokusai Electric Corporation Cooling unit, heat insulating structure, and substrate processing apparatus
JP7055075B2 (ja) * 2018-07-20 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
CN112689887B (zh) * 2018-09-18 2024-09-27 株式会社国际电气 基板温度传感器、基板保持件、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
JP7101599B2 (ja) * 2018-11-27 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP7236922B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び成膜方法
KR102255315B1 (ko) * 2019-06-17 2021-05-25 에스케이하이닉스 주식회사 기판 처리장치 및 기판 처리방법
JP7236975B2 (ja) * 2019-10-08 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 制御装置、処理装置及び制御方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010226092A (ja) 2009-02-27 2010-10-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2012209517A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理制御システムおよび熱処理制御方法
JP2013062361A (ja) 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2014209569A (ja) 2013-03-25 2014-11-06 株式会社日立国際電気 断熱構造体及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI759614B (zh) 2022-04-01
JP2020013967A (ja) 2020-01-23
US11367633B2 (en) 2022-06-21
US20200026314A1 (en) 2020-01-23
CN110739244B (zh) 2024-05-24
TW202008467A (zh) 2020-02-16
KR102466150B1 (ko) 2022-11-10
KR20200010086A (ko) 2020-01-30
CN110739244A (zh) 2020-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7055075B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP5394360B2 (ja) 縦型熱処理装置およびその冷却方法
CN109494172B (zh) 冷却单元、绝热结构体、基板处理装置、以及半导体装置的制造方法
JP4739057B2 (ja) 熱処理装置、ヒータ及びその製造方法
CN105990197B (zh) 基板处理装置
JP6385748B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
KR100748820B1 (ko) 열처리 방법 및 열처리 장치
JP5394292B2 (ja) 縦型熱処理装置および圧力検知システムと温度センサの組合体
JP2002075890A (ja) 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
WO2017163376A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
TW202013587A (zh) 成膜裝置
WO2006134862A1 (ja) 熱処理装置
JP6998347B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
JP6736755B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5770042B2 (ja) 熱処理装置
JP2005183823A (ja) 基板処理装置
JP4495717B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2023152674A (ja) 処理装置、および温度調整方法
US20230317475A1 (en) Processing apparatus and temperature control method
US20230417488A1 (en) Heat treatment apparatus and temperature regulation method of heat treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190422

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220405

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7055075

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250