JP6874584B2 - 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
1.(A)下記式(a1)で表される繰り返し単位及び下記式(b1)で表される繰り返し単位を含むシリコーン樹脂、
(B)フィラー、並びに
(C)光酸発生剤
を含む感光性樹脂組成物。
2.前記シリコーン樹脂が、更に、下記式(a2)で表される繰り返し単位及び下記式(b2)で表される繰り返し単位を含む1の感光性樹脂組成物。
3.前記シリコーン樹脂が、更に、下記式(a3)で表される繰り返し単位及び下記式(b3)で表される繰り返し単位を含む1の感光性樹脂組成物。
4.前記シリコーン樹脂が、更に、下記式(a4)で表される繰り返し単位及び下記式(b4)で表される繰り返し単位を含む1の感光性樹脂組成物。
5.前記シリコーン樹脂が、更に、下記式(a5)で表される繰り返し単位及び下記式(b5)で表される繰り返し単位を含む1の感光性樹脂組成物。
6.(B)フィラーが、平均粒径0.01〜20μmの、シリカ又はシリコーンパウダーである1〜5のいずれかの感光性樹脂組成物。
7.(B)フィラーを20〜90質量%含む1〜6のいずれかの感光性樹脂組成物。
8.更に、(D)架橋剤を含む1〜7のいずれかの感光性樹脂組成物。
9.(D)架橋剤が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれる少なくとも1種である8の感光性樹脂組成物。
10.更に、(E)溶剤を含む1〜9のいずれかにの感光性樹脂組成物。
11.更に、(F)塩基性化合物を含む1〜10のいずれかの感光性樹脂組成物。
12.1〜11のいずれかの感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
13.支持フィルムと、該支持フィルム上に12の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
14.開口幅が10〜100μmであり、かつ深さが10〜120μmである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板と、12の感光性樹脂皮膜とを備える積層体。
15.(i)1〜11のいずれかの感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
(iii)前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
16.(i)13の感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付け、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
(iii)前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。
17.更に、(iv)現像によりパターン形成された樹脂皮膜を、100〜250℃の温度で後硬化する工程を含む15又は16のパターン形成方法。
18.前記基板が、開口幅が10〜100μmであり、かつ深さが10〜120μmである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有するものである15〜17のいずれかのパターン形成方法。
19.前記感光性樹脂組成物が、電気・電子部品保護用皮膜の材料である1〜11のいずれかの感光性樹脂組成物。
20.前記感光性樹脂組成物が、2つの基板を接合するための基板接合用皮膜の材料である1〜11のいずれかの感光性樹脂組成物。
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)所定のシリコーン樹脂を含むベース樹脂、(B)フィラー、及び(C)光酸発生剤を含むものである。
(A)成分のベース樹脂は、下記式(a1)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位a1ともいう。)及び下記式(b1)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位b1ともいう。)を含むシリコーン樹脂(以下、シリコーン樹脂Aともいう。)を含むものである。
(B)フィラーは、本発明の感光性樹脂組成物に、ウェハ保護性を与え、更に、耐熱性、耐湿性、強度等を向上させ、信頼性を上げることができる。フィラーとしては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ(溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ)、結晶シリカ粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩又は亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物、シリコーンゴムパウダー、シリコーンレジンパウダー、シリコーン複合パウダー等のシリコーンパウダー等を挙げることができる。これらのフィラーは、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末や、シリコーンレジンパウダー、シリコーン複合パウダー等のシリコーンパウダーが好ましい。
(C)成分である光酸発生剤は、好ましくは190〜500nmの光によって分解し、酸を発生するものである。前記発生した酸は、硬化触媒となる。本発明の感光性樹脂組成物は、酸発生剤の相溶性が優れるため、幅広い光酸発生剤を使用することができる。そのような光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イル−スルホネート誘導体、オキシムスルホネート誘導体、イミノスルホネート誘導体等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、(D)成分として架橋剤を含んでもよい。前記架橋剤は、(A)成分の式(2)〜(4)中のエポキシ基又はヒドロキシ基と縮合反応を起こし、パターンの形成を容易になし得るための成分であるとともに、光硬化後の樹脂皮膜の強度を更に上げるものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、更に、(E)成分として溶剤を含んでもよい。前記溶剤としては、前述した各成分や、後述する(F)成分及び添加剤を溶解し得るものであれば、特に限定されない。溶剤を配合することによって、感光性樹脂組成物の塗布性を向上させることができる。
更に、本発明の感光性樹脂組成物は、(F)成分として塩基性化合物を含んでもよい。前記塩基性化合物としては、光酸発生剤より発生した酸が感光性樹脂皮膜内を拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適している。前記塩基性化合物を配合することにより、解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制し、基板依存性又は環境依存性を小さくし、露光余裕度やパターン形状を向上させることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、前述した各成分以外に、その他の添加剤を含んでもよい。その他の添加剤としては、例えば、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、
(i)前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
(iii)前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、2つの基板を接合するための接着剤として使用できる。基板の接合方法としては、熱及び圧力の好適な条件下で、2つの基板間に接着性結合が形成されるように、本発明の組成物で皮膜を形成した基板を第2の基板と接合させる方法が挙げられる。皮膜を形成した基板及び第2の基板のいずれか一方又は両方が、ダイシング加工等によりチップ化されることもある。接合条件として、加熱温度は50〜200℃が好ましく、加熱時間は1〜60分間が好ましい。接合装置として、ウェハボンダ装置を使用し、荷重を加えながら減圧下でのウェハ同士の貼り付け、あるいはフリップチップボンダ装置を用いたチップ−ウェハ又はチップ−チップ接合を行うこともできる。基板間に形成された接着層は、後述する後硬化処理により結合力が高まり、永久接合となる。
本発明の感光性ドライフィルムは、支持フィルムと、該支持フィルム上に前記感光性樹脂皮膜とを備えるものである。
本発明の感光性ドライフィルムを用いたパターン形成方法は、
(i)前記感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付け、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
(iii)前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むものである。
本発明の積層体は、基板に、本発明の感光性樹脂組成物から得られる樹脂皮膜又は本発明の感光性ドライフィルムから得られる樹脂皮膜が形成されたものである。前記基板としては、通常の平坦な基板のほか、凹凸のある基板(例えば、開口幅が10〜100μmかつ深さが10〜120μmである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板)も好適に使用し得る。本発明の積層体は、基板と樹脂皮膜との密着性に優れ、また、基板がこのような凹凸を持つ場合にも高い平坦性を有する。
[合成例1]樹脂1の合成
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−1)135.5g(0.25モル)、化合物(S−3)28.5g(0.05モル)及び化合物(S−7)86.0g(0.2モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−5)58.2g(0.30モル)及び化合物(S−6)(y1=40、信越化学工業(株)製)604.0g(0.20モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂1を得た。樹脂1は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)により、式(a1)〜(a4)及び式(b1)〜(b4)で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、GPCにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂1のMwは42,000、シリコーン含有率は69.1質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−2)26.5g(0.10モル)、化合物(S−3)57.0g(0.10モル)、化合物(S−4)18.6g(0.10モル)及び化合物(S−7)86.0g(0.20モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−5)58.2g(0.30モル)及び化合物(S−6)(y1=20、信越化学工業(株)製)317g(0.20モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂2を得た。樹脂2は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)により、式(a1)〜(a5)及び式(b1)〜(b5)で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、GPCにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂2のMwは40,000、シリコーン含有率は56.3質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−2)66.3g(0.25モル)、化合物(S−4)9.3g(0.05モル)及び化合物(S−7)86.0g(0.20モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−5)58.2g(0.30モル)及び化合物(S−6)(y1=40、信越化学工業(株)製)604.0g(0.20モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂3を得た。樹脂3は、1H−NMR及び29Si−NMR(Bruker社製)により、式(a1)〜(a5)及び式(b1)〜(b5)で表される繰り返し単位を含むものであることを、また、GPCにおいて各原料のピークの消失を確認したため仕込み比どおりのポリマーが合成されていることをそれぞれ確認した。樹脂3のMwは46,000、シリコーン含有率は73.3質量%であった。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコに、化合物(S−1)39.2g(0.10モル)、化合物(S−2)26.5g(0.10モル)、化合物(S−3)57.0g(0.10モル)及び化合物(S−7)86.0g(0.20モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃まで加熱した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5質量%)1.0gを投入し、化合物(S−5)97.0g(0.50モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計/アルケニル基の合計=1/1(モル比))。滴下終了後、100℃まで加熱し、6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去し、樹脂4を得た。樹脂4のMwは46,000、シリコーン含有率は0質量%であった。
[実施例1〜13及び比較例1〜11]
表1及び2に記載の配合量に従って、(A)シリコーン樹脂、(B)フィラー、(C)光酸発生剤、(D)架橋剤、(E)溶剤及び(F)塩基性化合物を配合し、その後常温にて攪拌、混合、溶解した後、テフロン(登録商標)製1.0μmフィルターで精密濾過を行い、実施例1〜13及び比較例1〜11の感光性樹脂組成物を得た。
シリコーンパウダー
・X−52−7030(信越化学工業(株)製、平均粒径0.8μm)
・X−52−854(信越化学工業(株)製、平均粒径0.7μm)
シリカ
・YA010C((株)アドマテックス製、平均粒径0.01μm)
・YA100C((株)アドマテックス製、平均粒径0.1μm)
フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)を用いて、表1及び2に記載した感光性樹脂組成物をそれぞれ前記支持フィルム上に塗布した。次いで、100℃に設定された熱風循環オーブン(長さ4m)を5分間で通過させることにより乾燥し、支持フィルム上に感光性樹脂皮膜を形成し、感光性ドライフィルムを得た。前記感光性樹脂皮膜の上から、保護フィルムとしてのポリエチレンフィルム(厚さ50μm)をラミネートロールで圧力1MPaにて貼り合わせ、保護フィルム付き感光性ドライフィルムを作製した。各感光性樹脂皮膜の膜厚は表3及び4に記載した。なお、感光性樹脂皮膜の膜厚は光干渉式厚膜測定機により測定した。
(1)パターン形成及びその評価
前記保護フィルム付き感光性ドライフィルムは、保護フィルムを剥離し、真空ラミネーターTEAM-100RF((株)タカトリ製)を用いて、真空チャンバー内の真空度を80Paに設定し、支持フィルム上の感光性樹脂皮膜をマイグレーション試験用基板(導電材料が銅、導電部間隔及び導電部幅が20μm、導電部厚み4μmの櫛形電極基板)に密着させた。温度条件は110℃とした。常圧に戻した後、前記基板を真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離した。次に、基板との密着性を高めるため、ホットプレートにより130℃で5分間予備加熱を行った。得られた感光性樹脂皮膜に対してラインアンドスペースパターン及びコンタクトホールパターンを形成するためにマスクを介し、405nmの露光条件でコンタクトアライナ型露光装置を使用して露光した。光照射後、ホットプレートにより120℃で5分間PEBを行った後冷却し、前記基板をPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)にて300秒間スプレー現像を行い、パターンを形成した。
感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂皮膜の絶縁破壊強さを評価するため、表1に記載した各感光性樹脂組成物を13cm×15cm、厚さ0.7mmの鉄板上にバーコーターにて塗布し、180℃のオーブンで2時間加熱して、感光性樹脂皮膜を得た。感光性樹脂組成物は、得られる皮膜の膜厚が0.2μmとなるよう塗布した。この感光性樹脂皮膜を使用して、絶縁破壊試験機TM−5031AM(多摩電測(株)製)により、各皮膜の絶縁破壊強さを測定した。
前述したパターン形成した硬化後の実施例1〜13及び比較例1〜11の感光性樹脂フィルム付きウェハをダイシングブレードを備えるダイシングソー(DAD685、DISCO社製、スピンドル回転数は40,000rpm、切断速度は20mm/sec)を使用して10mm×10mm角の試験片を得た。得られた試験片(各10片づつ)をヒートサイクル試験(−25℃で10分間保持、125℃で10分間保持を2,000サイクル繰り返した。)に供し、ヒートサイクル試験後の樹脂フィルムのウェハからの剥離状態、クラックの有無を確認した。全く剥離・クラックを生じなかったものを良好、1つでも剥離を生じたものを剥離、1つでもクラックが生じたものをクラックとした。
前述した信頼性評価で作製した試験片の試験前質量を測定し、その後、試験片を200℃に加熱したオーブンに2,000時間放置した後、試験片をオーブンから取り出し、試験後質量を測定した。試験前後の質量変化率が0.5%未満だった場合を良好、試験前後の質量変化率が0.5%以上だった場合を不良として判定した。
Claims (19)
- (A)下記式(a1)で表される繰り返し単位、下記式(b1)で表される繰り返し単位、下記式(a5)で表される繰り返し単位及び下記式(b5)で表される繰り返し単位を含むシリコーン樹脂、
(B)フィラー、並びに
(C)光酸発生剤
を含む感光性樹脂組成物。
- 前記シリコーン樹脂が、更に、下記式(a2)で表される繰り返し単位及び下記式(b2)で表される繰り返し単位を含む請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- 前記シリコーン樹脂が、更に、下記式(a4)で表される繰り返し単位及び下記式(b4)で表される繰り返し単位を含む請求項1記載の感光性樹脂組成物。
- (B)フィラーが、平均粒径0.01〜20μmの、シリカ又はシリコーンパウダーである請求項1〜4のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- (B)フィラーを20〜90質量%含む請求項1〜5のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(D)架橋剤を含む請求項1〜6のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- (D)架橋剤が、ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれる少なくとも1種である請求項7記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(E)溶剤を含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 更に、(F)塩基性化合物を含む請求項1〜9のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜10のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物から得られる感光性樹脂皮膜。
- 支持フィルムと、該支持フィルム上に請求項11記載の感光性樹脂皮膜とを備える感光性ドライフィルム。
- 開口幅が10〜100μmであり、かつ深さが10〜120μmである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有する基板と、請求項11記載の感光性樹脂皮膜とを備える積層体。
- (i)請求項1〜10のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、該基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
(iii)前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。 - (i)請求項12記載の感光性ドライフィルムの感光性樹脂皮膜を基板に貼り付け、前記基板上に感光性樹脂皮膜を形成する工程、
(ii)前記感光性樹脂皮膜を、フォトマスクを介して露光し、露光後加熱処理を行う工程、及び
(iii)前記露光後加熱処理を行った感光性樹脂皮膜を現像液にて現像し、非露光部を溶解除去してパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法。 - 更に、(iv)現像によりパターン形成された樹脂皮膜を、100〜250℃の温度で後硬化する工程を含む請求項14又は15記載のパターン形成方法。
- 前記基板が、開口幅が10〜100μmであり、かつ深さが10〜120μmである溝及び孔のいずれか一方又は両方を有するものである請求項14〜16のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 前記感光性樹脂組成物が、電気・電子部品保護用皮膜の材料である請求項1〜10のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
- 前記感光性樹脂組成物が、2つの基板を接合するための基板接合用皮膜の材料である請求項1〜10のいずれか1項記載の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017153901A JP6874584B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
US16/056,629 US11526078B2 (en) | 2017-08-09 | 2018-08-07 | Photosensitive resin composition, photosensitive resin coating, photosensitive dry film, laminate, and pattern forming process |
EP18187713.5A EP3441818B1 (en) | 2017-08-09 | 2018-08-07 | Photosensitive resin composition, photosensitive resin coating, photosensitive dry film, laminate, and pattern forming process |
KR1020180092562A KR102589951B1 (ko) | 2017-08-09 | 2018-08-08 | 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 피막, 감광성 드라이 필름, 적층체, 및 패턴 형성 방법 |
TW107127542A TWI797149B (zh) | 2017-08-09 | 2018-08-08 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性乾膜、層合體及圖案形成方法 |
CN201810899848.0A CN109388023B (zh) | 2017-08-09 | 2018-08-09 | 感光性树脂组合物、感光性树脂涂层、感光性干膜、层合体和图案形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017153901A JP6874584B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019032454A JP2019032454A (ja) | 2019-02-28 |
JP6874584B2 true JP6874584B2 (ja) | 2021-05-19 |
Family
ID=63168327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017153901A Active JP6874584B2 (ja) | 2017-08-09 | 2017-08-09 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11526078B2 (ja) |
EP (1) | EP3441818B1 (ja) |
JP (1) | JP6874584B2 (ja) |
KR (1) | KR102589951B1 (ja) |
CN (1) | CN109388023B (ja) |
TW (1) | TWI797149B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
PL3603110T3 (pl) | 2017-10-25 | 2021-04-06 | Ps Audio Design Oy | Układ przetwornika |
US11294284B2 (en) * | 2018-07-17 | 2022-04-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and pattern forming process |
JP7147500B2 (ja) * | 2018-11-19 | 2022-10-05 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び反射防止膜 |
EP4001344A4 (en) * | 2019-07-16 | 2023-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE DRY FILM, COATING PRODUCT AND METHOD OF MAKING PATTERNS |
US20210200081A1 (en) * | 2019-12-31 | 2021-07-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern formation methods |
CN113292938B (zh) * | 2021-06-21 | 2023-03-28 | 焦作卓立膜材料股份有限公司 | 用于激光加工电子线路板的非光敏掩蔽膜及其制备方法 |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3220972A (en) | 1962-07-02 | 1965-11-30 | Gen Electric | Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst |
US3159601A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes |
US3159662A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Addition reaction |
US3775452A (en) | 1971-04-28 | 1973-11-27 | Gen Electric | Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes |
US4470831A (en) | 1981-01-22 | 1984-09-11 | Toray Industries, Inc. | Permselective membrane |
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US5240971A (en) | 1991-12-05 | 1993-08-31 | General Electric Company | UV-curable epoxysilicone-polyether block copolymers |
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JPH1180362A (ja) | 1997-08-29 | 1999-03-26 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | シルフェニレンシルアルキレンポリマーの製造方法 |
US6072016A (en) | 1997-12-29 | 2000-06-06 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silphenylene polymer and composition containing same |
JP3767676B2 (ja) | 2000-09-12 | 2006-04-19 | 信越化学工業株式会社 | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP4336999B2 (ja) | 2007-01-31 | 2009-09-30 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 |
JP4549382B2 (ja) | 2007-12-14 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 新規シルフェニレン化合物およびその製造方法 |
JPWO2009123032A1 (ja) * | 2008-04-02 | 2011-07-28 | Jsr株式会社 | 含ケイ素重合体を含む組成物およびその硬化物 |
US8729402B2 (en) | 2008-05-20 | 2014-05-20 | Kaneka Corporation | Polyimide precursor composition, use of the of the same, and production method of the same |
JP5413340B2 (ja) | 2009-09-30 | 2014-02-12 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
TWI516527B (zh) * | 2009-12-10 | 2016-01-11 | 信越化學工業股份有限公司 | 光固化性樹脂組成物,圖案形成法和基板保護膜,以及使用該組成物之膜狀黏著劑及黏著片 |
JP4959778B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2012-06-27 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、該組成物を用いたフィルム状接着剤及び接着シート |
JP5459196B2 (ja) | 2009-12-15 | 2014-04-02 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5373696B2 (ja) | 2010-05-07 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 新規シルフェニレン骨格含有シリコーン型高分子化合物及びその製造方法 |
JP5310656B2 (ja) | 2010-06-18 | 2013-10-09 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン含有光硬化性組成物、それを用いたパターン形成方法およびその方法により得られる光半導体素子 |
JP5691987B2 (ja) | 2010-10-13 | 2015-04-01 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、そのドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5373736B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着剤シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置 |
JP5630451B2 (ja) | 2011-02-23 | 2014-11-26 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着性ドライフィルム |
JP5512580B2 (ja) | 2011-03-16 | 2014-06-04 | 信越化学工業株式会社 | フィルム状モールド材、モールドされた半導体ウエハ、及び半導体装置 |
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JP5547685B2 (ja) * | 2011-05-23 | 2014-07-16 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置保護用材料、並びに半導体装置 |
JP5846060B2 (ja) | 2011-07-27 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP5958262B2 (ja) * | 2011-10-28 | 2016-07-27 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP5788852B2 (ja) | 2011-11-01 | 2015-10-07 | 信越化学工業株式会社 | フルオロオキシアルキレン基含有ポリマー組成物、該組成物を含む表面処理剤、該表面処理剤で処理された物品及び光学物品 |
TWI428698B (zh) * | 2011-11-25 | 2014-03-01 | Chi Mei Corp | 感光性樹脂組成物、黑色矩陣、彩色濾光片及其液晶顯示元件 |
JP5846110B2 (ja) | 2011-12-09 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5942859B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2016-06-29 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム |
KR102003806B1 (ko) * | 2012-01-27 | 2019-07-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 수지 조성물, 광경화성 드라이 필름 |
JP5767161B2 (ja) | 2012-05-08 | 2015-08-19 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法 |
JP2014006507A (ja) | 2012-06-01 | 2014-01-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜並びに電気・電子部品 |
JP2014122276A (ja) | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | アダマンタン骨格含有化合物、シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
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JP6194862B2 (ja) | 2014-07-29 | 2017-09-13 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
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JP6361566B2 (ja) | 2015-04-24 | 2018-07-25 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法 |
JP6571585B2 (ja) | 2015-06-08 | 2019-09-04 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法 |
JP6613901B2 (ja) | 2016-01-07 | 2019-12-04 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ変性シリコーン樹脂及びその製造方法、硬化性組成物及び電子部品 |
JP6534948B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2019-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、フリップチップ型半導体装置の製造方法、半導体装置及びフリップチップ型半導体装置 |
JP6499102B2 (ja) | 2016-03-04 | 2019-04-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、及び積層体 |
JP2017153901A (ja) | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 三井化学株式会社 | 吸収体及び衛生用品 |
JP6616743B2 (ja) | 2016-06-30 | 2019-12-04 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
JP6798513B2 (ja) | 2017-02-03 | 2020-12-09 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性樹脂皮膜、及びパターン形成方法 |
JP6915405B2 (ja) | 2017-06-29 | 2021-08-04 | 信越化学工業株式会社 | ポリ(メタ)アクリレート並びにそれを含むコーティング組成物および被覆物品 |
JP6866802B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-04-28 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
JP6870657B2 (ja) | 2018-05-17 | 2021-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
JP6919626B2 (ja) | 2018-05-17 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格を含むポリマー |
US11548985B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-01-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Siloxane polymer containing isocyanuric acid and polyether skeletons, photosensitive resin composition, pattern forming process, and fabrication of opto-semiconductor device |
JP7056541B2 (ja) | 2018-12-19 | 2022-04-19 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 |
-
2017
- 2017-08-09 JP JP2017153901A patent/JP6874584B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-07 US US16/056,629 patent/US11526078B2/en active Active
- 2018-08-07 EP EP18187713.5A patent/EP3441818B1/en active Active
- 2018-08-08 KR KR1020180092562A patent/KR102589951B1/ko active Active
- 2018-08-08 TW TW107127542A patent/TWI797149B/zh active
- 2018-08-09 CN CN201810899848.0A patent/CN109388023B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI797149B (zh) | 2023-04-01 |
KR20190016923A (ko) | 2019-02-19 |
US11526078B2 (en) | 2022-12-13 |
CN109388023B (zh) | 2023-12-22 |
JP2019032454A (ja) | 2019-02-28 |
CN109388023A (zh) | 2019-02-26 |
EP3441818B1 (en) | 2023-12-06 |
TW201917149A (zh) | 2019-05-01 |
EP3441818A1 (en) | 2019-02-13 |
KR102589951B1 (ko) | 2023-10-13 |
US20190049843A1 (en) | 2019-02-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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