JP6793119B2 - 磁気記録媒体基板用ガラス、磁気記録媒体基板および磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
SiO2含有量が56〜75%、
Al2O3含有量が0.1〜10%、
Li2O含有量が0〜2%、
Na2OおよびK2Oの合計含有量が3〜15%、
MgO、CaOおよびSrOの合計含有量が14〜35%、
Ti酸化物含有量が0.20〜2.50%、
Sn酸化物およびCe酸化物の合計含有量が0.10〜1.55%、
Sb酸化物含有量が0〜0.02%、
であり、
SiO2およびAl2O3の合計含有量に対するLi2O含有量のモル比{Li2O/(SiO2+Al2O3)}が0.02以下であり、かつ
ガラス転移温度が600℃以上である磁気記録媒体基板用ガラス、
に関する。
Li2Oは、少量導入した場合でも耐熱性を低下(ガラス転移温度を低下)させる成分であるため、Li2Oの導入量を抑えること、具体的には、Li2Oの含有量を上記範囲とし、かつモル比{Li2O/(SiO2+Al2O3)}を0.02以下とすることが、ガラスの耐熱性向上に寄与すると本発明者は考えている。しかし一方で、かかる組成を有するガラスは熔解性が低い傾向があり、そのためガラス熔融中に泡が除去し難くなると考えられる。Li2Oはガラスの熔融性を向上させる働きをする成分でもあるためである。このような組成のガラスにおいて、上記の量で含まれるTi酸化物、ならびに上記の合計含有量で含まれるSn酸化物およびCe酸化物が清澄剤として清澄作用を発揮することにより、ガラス熔融中の泡の除去を促進できると、本発明者は推察している。以上により、耐熱性の向上と泡の低減とを両立することが可能になると、本発明者は考えている。
本発明の一態様は、上述のガラス組成を有し、かつガラス転移温度が600℃以上の磁気記録媒体基板用ガラス(以下、単に「ガラス」とも記載する。)に関する。以下、上述のガラスについて、更に詳細に説明する。
本発明では、ガラスのガラス組成を、酸化物基準で表示する。ここで「酸化物基準のガラス組成」とは、ガラス原料が熔融時にすべて分解されてガラス中で酸化物として存在するものとして換算することにより得られるガラス組成をいうものとする。また、特記しない限り、ガラス組成はモル基準(モル%、モル比)で表示するものとする。
本発明におけるガラス組成は、例えばICP−AES(Inductively Coupled Plasma - Atomic Emission Spectrometry)などの方法により求めることができる。定量分析は、ICP−AESを用い、各元素別に行われる。その後、分析値は酸化物表記に換算される。ICP−AESによる分析値は、例えば、分析値の±5%程度の測定誤差を含んでいることがある。したがって、分析値から換算された酸化物表記の値についても、同様に±5%程度の誤差を含んでいることがある。
また、本明細書および本発明において、構成成分の含有量が0%または含まないもしくは導入しないとは、この構成成分を実質的に含まないことを意味し、この構成成分の含有量が不純物レベル程度以下であることを指す。不純物レベル程度以下とは、例えば、0.01%未満であることを意味する。
Ce酸化物の含有量は、泡の一層の低減の観点から、好ましくは0.05%以上であり、より好ましくは0.10%以上であり、更に好ましくは0.15%以上である。また、同様の観点から、Ce酸化物の含有量は、好ましくは0.70%以下であり、より好ましくは0.50%以下であり、更に好ましくは0.40%以下である。
また、ガラス中の泡を一層低減する観点やガラスの熔融性を向上させる観点から、SiO2およびAl2O3の合計含有量に対するTi酸化物含有量のモル比{Ti酸化物/(SiO2+Al2O3)}は、0.030以下であることが好ましい。更に、モル比{Ti酸化物/(SiO2+Al2O3)}は、0.003〜0.030の範囲であることがより好ましく、0.005〜0.030の範囲であることが更に好ましく、0.005〜0.025の範囲であることが一層好ましい。
更に、耐熱性の向上(高Tg化)のために、上述のガラスにおいて、ガラスのネットワーク成分として含まれるSiO2およびAl2O3の合計含有量に対するLi2O含有量のモル比{Li2O/(SiO2+Al2O3)}は0.02以下であり、好ましくは0.01以下であり、更に好ましくは0である。
このように耐熱性向上のための組成調整がなされたガラスは、先に記載したように泡が除去し難くなると考えられるが、Ti酸化物の含有量、Sn酸化物およびCe酸化物の合計含有量を上述の範囲とすることにより、耐熱性の向上と泡の低減を両立することが可能となる。
高ヤング率化、高比弾性率化、低比重化、高熱膨張化と化学的耐久性の維持の観点から、CaOの含有量の好ましい範囲は6〜21%であり、より好ましい範囲は10〜20%、更に好ましい範囲は10〜18%、一層好ましい範囲は10〜15%である。
なお、上記観点からMgOおよびCaOの合計含有量の範囲を15〜35%とすることが好ましく、15〜32%とすることがより好ましく、15〜30%とすることが更に好ましく、15〜25%とすることが一層好ましく、15〜20%とすることがより一層好ましい。
上記観点からSrOおよびBaOの合計含有量を0〜5%とすることが好ましく、0〜3%とすることがより好ましく、0〜2%とすることが更に好ましく、0〜1%とすることが一層好ましく、0〜0.5%とすることがより一層好ましい。
B2O3は、脆さを低下させるとともに、熔融性を向上させる働きをするが、過剰導入により化学的耐久性が低下するため、その含有量の好ましい範囲は0〜3%、より好ましい範囲は0〜1%、さらに好ましい範囲は0〜0.5%であり、導入しないことが一層好ましい。
P2O5は、本発明の目的を損なわない範囲で少量導入することができるが、過剰導入により化学的耐久性が低下するため、その含有量を0〜1%とすることが好ましく、0〜0.5%とすることがより好ましく、0〜0.3%とすることが更に好ましく、導入しないことが一層好ましい。
以上説明した組成を有する上述のガラスは、高い耐熱性を有し、好ましくは、高剛性、高熱膨張係数も有することができる。以下、上述のガラスが有する好ましい物性について、順次説明する。
前述のとおり、磁気異方性エネルギーの高い磁性材料の導入などによって磁気記録媒体の高記録密度化を図る場合、磁性材料の高温処理などにおいて、磁気記録媒体基板は高温下に晒されることになる。その際、基板の平坦性が損なわれないようにするため、磁気記録媒体基板用ガラスには優れた耐熱性を有することが求められる。耐熱性の指標としてはガラス転移温度を用いることができ、上述の磁気記録媒体基板用ガラスは、先に記載した組成調整により、600℃以上のガラス転移温度を有する。これにより、高温処理後にも優れた平坦性を維持することができる。したがって、上述のガラスによれば、磁気異方性エネルギーの高い磁性材料を含む磁気記録層を有する磁気記録媒体の作製に好適な基板を提供することができる。ただし、上述のガラスは、磁気異方性エネルギーの高い磁性材料を含む磁気記録層を有する磁気記録媒体の基板用ガラスに限定されるものではなく、各種磁性材料を備えた磁気記録媒体の作製に用いることができる。
ガラス転移温度の好ましい範囲は620℃以上、より好ましい範囲は630℃以上、更に好ましい範囲は650℃以上、一層好ましい範囲は660℃以上、より一層好ましい範囲は670℃以上、更に一層好ましい範囲は675℃以上、なお一層好ましい範囲は680℃以上である。ガラス転移温度の上限は、例えば750℃程度であるが、ガラス転移温度が高いほど耐熱性の観点から好ましいため、特に限定されるものではない。
上述のガラスは、先に記載した組成により、高い耐熱性と泡の低減とを両立することができる。耐熱性の指標であるガラス転移温度については、先に記載した通りである。ガラス中の泡に関しては、単位質量あたりの泡の密度が、光学顕微鏡(倍率40〜100倍)により観察される直径0.03mm超の泡の密度として、好ましくは50個/kg未満であり、より好ましくは20個/kg未満であり、更に好ましくは10個/kg未満であり、一層好ましくは2個/kg以下であり、最も好ましくは0個/kgである。
ところで、磁気記録媒体を組み込んだHDD(ハードディスクドライブ)は、通常、中央部分をスピンドルモーターのスピンドルで押さえて磁気記録媒体そのものを回転させる構造となっている。そのため、磁気記録媒体基板とスピンドル部分を構成するスピンドル材料の各々の熱膨張係数に大きな差があると、使用時に周囲の温度変化に対してスピンドルの熱膨張・熱収縮と磁気記録媒体基板の熱膨張・熱収縮にずれが生じてしまい、結果として磁気記録媒体が変形してしまう現象が起きることがある。このような現象が生じると書き込んだ情報をヘッドが読み出せなくなってしまい、記録再生の信頼性を損なう原因となる。したがって磁気記録媒体の信頼性を高めるには、ガラス基板には、スピンドル材料(例えばステンレスなど)と同程度の高い熱膨張係数を有することが求められる。一般にHDDのスピンドル材料は、100〜300℃の温度範囲において70×10-7/℃以上の平均線膨張係数(熱膨張係数)を有するものであるところ、上述の磁気記録媒体基板用ガラスによれば、100〜300℃の温度範囲における平均線膨張係数を60×10-7/℃以上にすることができ、上記信頼性を向上することができる。上記平均線膨張係数の好ましい範囲は64×10-7/℃以上、より好ましい範囲は67×10-7/℃以上、更に好ましい範囲は70×10-7/℃以上、一層好ましい範囲は73×10-7/℃以上である。上記平均線膨張係数の上限は、スピンドル材料の熱膨張特性を考慮すると、例えば120×10-7/℃程度であることが好ましく、100×10-7/℃であることがより好ましく、88×10-7/℃であることが更に好ましい。
磁気記録媒体の変形としては、HDDの温度変化による変形の他、高速回転による変形がある。高速回転時の変形を抑制する上からは、磁気記録媒体基板用ガラスのヤング率を高めることが望まれる。上述の磁気記録媒体基板用ガラスによれば、ヤング率を75GPa以上にすることができ、高速回転時の基板変形を抑制し、磁気異方性エネルギーが比較的高い磁性材料を備えた高記録密度化された磁気記録媒体においても、データの読み取り、書き込みを正確に行うことができる。
ヤング率の好ましい範囲は75GPa以上、より好ましい範囲は78GPa以上であり、更に好ましい範囲は80GPa以上である。ヤング率の上限は、例えば95GPa程度であるが特に限定されるものではない。
磁気記録媒体を高速回転させたとき、変形しにくい基板を提供する上で、磁気記録媒体基板用ガラスの比弾性率を28MNm/kg以上にすることが好ましく、30MNm/kg以上にすることがより好ましい。その上限は、例えば35MNm/kg程度であるが特に限定されるものではない。比弾性率はガラスのヤング率を密度で除したものである。ここで密度とはガラスの比重に、g/cm3という単位を付けた量と考えればよい。ガラスの低比重化によって、比弾性率を大きくすることができることに加え、基板を軽量化することができる。基板の軽量化により、磁気記録媒体の軽量化がなされ、磁気記録媒体の回転に要する電力を減少させ、HDDの消費電力を抑えることができる。磁気記録媒体基板用ガラスの比重の好ましい範囲は3.0未満、より好ましい範囲は2.9以下、更に好ましい範囲は2.85以下であり、一層好ましい範囲は2.80以下である。
本発明の一態様にかかる磁気記録媒体基板は、上述の磁気記録媒体基板用ガラスからなる。上述の磁気記録媒体基板は、耐熱性に優れ(即ち、ガラス転移温度が600℃以上)、かつ泡が低減された磁気記録媒体基板であることができる。
本発明の一態様は、上述の磁気記録媒体基板上に磁気記録層を有する磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体は、磁気ディスク、ハードディスクなどと呼ばれ、デスクトップパソコン、サーバ用コンピュータ、ノート型パソコン、モバイル型パソコンなどの内部記憶装置(固定ディスクなど)、画像および/または音声を記録再生する携帯記録再生装置の内部記憶装置、車載オーディオの記録再生装置などに好適である。
磁気記録媒体は、例えば、磁気記録媒体基板の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層(磁気記録層)、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。
例えば、磁気記録媒体基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、DC(Direct Current)マグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、磁気記録媒体基板の主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばCrTi、下地層としては例えばCrRuを用いることができる。上記成膜後、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法によりC2H4を用いて保護層を成膜し、同一チャンバ内で、表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばPFPE(ポリフルオロポリエーテル)をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
表1に示す組成のガラスが得られるように、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物などの原料を秤量し、混合して調合原料とした。この調合原料を熔融槽に投入して1400〜1600℃の範囲で加熱、熔解して得られた熔融ガラスを、清澄槽において1400〜1550℃で6時間保持した後、温度を低下(降温)させて1200〜1400℃の範囲に1時間保持して清澄し、熔融ガラスを得た。
上記で得られた熔融ガラスから厚さ約1.2mmのガラス板(基板ブランク)を作製した。このガラス板の表面を平坦かつ平滑に研磨し、研磨面からガラス内部を光学顕微鏡で拡大観察(倍率40〜100倍)し、直径が0.03mm超の泡(以下、単に「泡」と記載する。)の数をカウントした。拡大観察した領域に相当するガラスの質量で、カウントした泡の数を割ったものを泡の密度とした。
泡密度ランクを、上記方法で求めた泡の密度に応じてSランク〜Fランクで評価した。具体的には、泡密度が0個/kgのものをSランク、泡が存在し、泡密度が2個/kg以下のものをAランク、泡密度が2個/kg超10個/kg未満のものをBランク、泡密度が10個/kg以上20個/kg未満のものをCランク、泡密度が20個/kg以上50個/kg未満のものをDランク、泡密度が50個/kg以上80個未満のものをEランク、泡密度が80個/kg以上のものをFランクとした。
各ガラスのガラス転移温度Tgおよび100〜300℃における平均線膨張係数αを、熱機械分析装置(TMA;Thermomechanical Analysis)を用いて測定した。
各ガラスのヤング率を超音波法にて測定した。
各ガラスの比重をアルキメデス法にて測定した。
上記(3)で得られたヤング率および(4)で得られた比重から、比弾性率を算出した。
表2に示す組成のガラスが得られるように、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物などの原料を秤量し、混合して調合原料とした。この調合原料を熔融槽に投入して1400〜1600℃の範囲で加熱、熔解して得られた熔融ガラスを、清澄槽において1400〜1550℃で6時間保持した後、温度を低下(降温)させて1200〜1400℃の範囲に1時間保持して清澄し、熔融ガラスを得た。表2に示す組成は、Ti酸化物(TiO2)、Sn酸化物(SnO2)およびCe酸化物(CeO2)以外の成分量を固定し、Ti酸化物、Sn酸化物およびCe酸化物の量を変化させた組成である。こうして得られた熔融ガラスから厚さ約1.2mmのガラス板(基板ブランク)をプレス成形により作製し、これらのガラス板を研削・研磨加工して平坦かつ平滑で透明なガラス基板を複数枚得た。
各ガラスについて、先に記載した方法により泡密度ランクの評価およびガラス転移温度の測定を行った。結果を表2に示す。
表3に示す組成のガラスが得られるように、酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物などの原料を秤量し、混合して調合原料とした。この調合原料を熔融槽に投入して1400〜1600℃の範囲で加熱、熔解して得られた熔融ガラスを、清澄槽において1400〜1550℃で6時間保持した後、温度を低下(降温)させて1200〜1400℃の範囲に1時間保持して清澄し、熔融ガラスを得た。表3に示す組成は、Ti酸化物(TiO2)、Sn酸化物(SnO2)およびCe酸化物(CeO2)以外の成分量を固定し、Ti酸化物、Sn酸化物およびCe酸化物の量を変化させた組成である。こうして得られた熔融ガラスから厚さ約1.2mmのガラス板(基板ブランク)をプレス成形により作製し、これらのガラス板を研削・研磨加工して平坦かつ平滑で透明なガラス基板を複数枚得た。
各ガラスについて、先に記載した方法により泡密度ランクの評価およびガラス転移温度の測定を行った。結果を表3に示す。
(1)基板ブランクの作製
次に、下記方法AまたはBにより、円盤状の基板ブランクを作製した。
(方法A)
清澄、均質化した上述の実施例の熔融ガラスを流出パイプから一定流量で流出するとともにプレス成形用の下型で受け、下型上に所定量の熔融ガラス塊が得られるよう流出した熔融ガラスを切断刃で切断した。そして熔融ガラス塊を載せた下型をパイプ下方から直ちに搬出し、下型と対向する上型および胴型を用いて、直径66mm、厚さ1.2mmの薄肉円盤状にプレス成形した。プレス成形品を変形しない温度にまで冷却した後、型から取り出してアニールし、基板ブランクを得た。なお、上述の成形では複数の下型を用いて流出する熔融ガラスを次々に円盤形状の基板ブランクに成形した。
(方法B)
清澄、均質化した上述の実施例の熔融ガラスを円筒状の貫通孔が設けられた耐熱性鋳型の貫通孔に上部から連続的に鋳込み、円柱状に成形して貫通孔の下側から取り出した。取り出したガラスをアニールした後、マルチワイヤーソーを用いて円柱軸に垂直な方向に一定間隔でガラスをスライス加工し、円盤状の基板ブランクを作製した。
なお、本実施例では上述の方法A、Bを採用したが、円盤状の基板ブランクの製造方法としては、下記方法C、Dも好適である。
(方法C)
上述の実施例の熔融ガラスをフロートバス上に流し出し、シート状のガラスに成形(フロート法による成形)し、次いでアニールした後にシートガラスから円盤状のガラスをくり貫いて基板ブランクを得ることもできる。
(方法D)
上述の実施例の熔融ガラスをオーバーフローダウンドロー法(フュージョン法)によりシート状のガラスに成形、アニールし、次いでシートガラスから円盤状のガラスをくり貫いて基板ブランクを得ることもできる。
上述の各方法で得られた基板ブランクの中心に貫通孔をあけて、外周、内周の研削加工を行い、円盤の主表面をラッピング、ポリッシング(鏡面研磨加工)して直径65mm、厚さ0.8mmの磁気ディスク用ガラス基板に仕上げた。得られたガラス基板は、1.7質量%の珪弗酸(H2SiF)水溶液、次いで、1質量%の水酸化カリウム水溶液を用いて洗浄し、次いで純水ですすいだ後に乾燥させた。実施例のガラスから作製した基板の表面を拡大観察したところ、表面荒れなどは認められず、平滑な表面であった。
以下の方法により、実施例のガラスから得られたガラス基板の主表面上に、付着層、下地層、磁気記録層、保護層、潤滑層をこの順に形成し、磁気ディスクを得た。
以上の製造工程により、磁気ディスクを得た。得られた磁気ディスクを、DFH機構を備えたハードディスクドライブ(フライングハイト:8nm)に搭載し、磁気ディスクの主表面上の記録用領域に、1平方インチあたり20ギガビットの記録密度で磁気信号を記録したところ、磁気ヘッドと磁気ディスク表面が衝突する現象(クラッシュ障害)は確認されなかった。
例えば、上述の例示されたガラス組成に対し、明細書に記載の組成調整を行うことにより、本発明の一態様にかかる磁気記録媒体基板用ガラスを作製することができる。
また、明細書に例示または好ましい範囲として記載した事項の2つ以上を任意に組み合わせることは、もちろん可能である。
Claims (8)
- モル%表示にて、
SiO2含有量が56〜75%、
Al2O3含有量が0.1〜10%、
Li2O含有量が0〜2%、
Na2OおよびK2Oの合計含有量が3〜15%、
MgO、CaOおよびSrOの合計含有量が14〜35%、
Ti酸化物含有量が0.20〜2.50%、
Sn酸化物およびCe酸化物の合計含有量が0.10〜1.55%、
Sb酸化物含有量が0〜0.02%、
であり、
SiO2およびAl2O3の合計含有量に対するLi2O含有量のモル比{Li2O/(SiO2+Al2O3)}が0.02以下であり、
Sn酸化物およびCe酸化物を必須成分として含み、
Sn酸化物およびCe酸化物の合計含有量に対するTi酸化物の含有量のモル比{Ti酸化物/(Sn酸化物+Ce酸化物)}が0.6以上、
SiO 2 およびAl 2 O 3 の合計含有量に対するTiO 2 含有量のモル比{TiO 2 /(SiO 2 +Al 2 O 3 )}が、0.034以下、かつ
ガラス転移温度が600℃以上である磁気記録媒体基板用ガラス。 - Sn酸化物の含有量が0.10〜1.50モル%である、請求項1に記載の磁気記録媒体基板用ガラス。
- Ce酸化物の含有量が0.05〜0.70モル%である、請求項1または2に記載の磁気記録媒体基板用ガラス。
- Ti酸化物、Sn酸化物およびCe酸化物の合計含有量が0.50〜4.00%である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体基板用ガラス。
- Sn酸化物およびCe酸化物の合計含有量に対するTi酸化物の含有量のモル比{Ti酸化物/(Sn酸化物+Ce酸化物)}が0.6〜10.0である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体基板用ガラス。
- SiO2およびAl2O3の合計含有量に対するTiO2含有量のモル比{TiO2/(SiO2+Al2O3)}が、0.030以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気記録媒体基板用ガラス。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気記録媒体基板用ガラスからなる磁気記録媒体基板。
- 請求項7に記載の磁気記録媒体基板上に磁気記録層を有する磁気記録媒体。
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