[go: up one dir, main page]

JP6785735B2 - 切断装置及び半導体パッケージの搬送方法 - Google Patents

切断装置及び半導体パッケージの搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6785735B2
JP6785735B2 JP2017171960A JP2017171960A JP6785735B2 JP 6785735 B2 JP6785735 B2 JP 6785735B2 JP 2017171960 A JP2017171960 A JP 2017171960A JP 2017171960 A JP2017171960 A JP 2017171960A JP 6785735 B2 JP6785735 B2 JP 6785735B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor package
cutting
transport mechanism
semiconductor
suction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017171960A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019047078A (ja
Inventor
幹司 石橋
幹司 石橋
直己 藤原
直己 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2017171960A priority Critical patent/JP6785735B2/ja
Priority to KR1020180080966A priority patent/KR102182956B1/ko
Priority to TW107129430A priority patent/TWI697042B/zh
Priority to CN201810980250.4A priority patent/CN109473376B/zh
Publication of JP2019047078A publication Critical patent/JP2019047078A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6785735B2 publication Critical patent/JP6785735B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Description

本発明は、切断装置及び半導体パッケージの搬送方法に関する。
従来技術として、例えば、特許文献1に加工物保持用チャックが開示されている。この加工物保持用チャックは、別々にされるべき複数の部品14及び該部品14の屑領域24を備える加工物13を、保持するチャックであって、加工物13を保持するように構成された加工物保持装置と、部品14を保持するように作動する第1圧力手段と、部品14が別々にされる間にチャック10の真上にある加工物13の屑領域24を保持するように作動する第2圧力手段と、部品14が別々にされた後で第1及び第2圧力手段を選択的に作動解除する手段と、第2圧力手段の作動を解除し及び第1圧力手段の作動を維持するとき、洗浄によってチャック10から屑領域24を自動的に除去する洗浄手段と、備える。
特許第3940076号公報
特許文献1に開示された加工物保持用チャックでは、部品14は、第1の真空源16によって供給される第1圧力手段によってチャック10上に保持される。屑領域24は、第2の真空源32によって供給される第2圧力手段によってチャック10上に保持される。これらの第1の真空源16及び第2の真空源32は独立かつ個別に制御し得る。すなわち、この加工物保持用チャックは、部品14を保持するための第1の真空源16と屑領域24を保持するための第2の真空源32とを有する。このことは、加工物保持用チャックにおいて真空吸引機構を2系統設けることになる。したがって、加工物保持用チャックの構成が複雑になり、加工物保持用チャックの製造コストが増大するという課題を有する。
本発明は上記の課題を解決するもので、搬送機構に半導体パッケージと不要部分とを分離させる分離機構を設けることによって、切断テーブルの構成を簡略化することができる切断装置及び半導体パッケージの搬送方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明に係る切断装置は、複数の半導体チップが樹脂封止されたワークを載置するテーブルと、ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断機構と、切断機構によって切断された複数の半導体パッケージを吸着して搬送する搬送機構とを備え、搬送機構は複数の半導体パッケージをそれぞれ吸引する複数の吸引孔と、半導体パッケージと不要部分とを分離させる分離機構とを備える。
上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体パッケージの搬送方法は、複数の半導体チップが樹脂封止されたワークをテーブルに載置する載置工程と、ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断工程と、複数の半導体パッケージを搬送機構に設けられた複数の吸引孔にそれぞれ吸着して搬送する搬送工程とを備え、搬送工程では、半導体パッケージと不要部分とを分離させる分離工程を含む。
本発明によれば、搬送機構に半導体パッケージと不要部分とを分離させる分離機構を設けることによって、切断テーブルの構成を簡略化することができる。
本発明に係る切断装置の概要を示す平面図である。 (a)〜(b)は、図1に示した切断装置で切断されるパッケージ基板を示す概要図であり、(a)は平面図、(b)正面図である。 (a)〜(c)は、図2に示したパッケージ基板を半導体パッケージと不要部分とに切断する工程を示す概略工程断面図である。 (a)〜(b)は、パッケージ基板を半導体パッケージと不要部分とに切断した状態を示す概要図であり、(a)は平面図、(b)はA−A線断面図である。 (a)〜(b)は、実施形態1において、半導体パッケージを搬送する搬送機構を示す概要図であり、(a)は下面図、(b)はB−B線断面図である。 (a)〜(c)は、図5に示した搬送機構によって半導体パッケージと不要部分とを分離させ、半導体パッケージのみを搬送機構によって搬送する工程を示す概略工程断面図である。 (a)〜(b)は、実施形態2において、半導体パッケージを搬送する搬送機構を示す概要図であり、(a)は下面図、(b)はC−C線断面図である。 (a)〜(c)は、実施形態3の搬送機構によって半導体パッケージと不要部分とを分離させ、半導体パッケージのみを搬送機構によって搬送する工程を示す概略工程断面図である。 (a)〜(c)は、実施形態4の搬送機構によって半導体パッケージと不要部分とを分離させ、半導体パッケージのみを搬送機構によって搬送する工程を示す概略工程断面図である。 (a)〜(b)は、実施形態5の搬送機構によって半導体パッケージと不要部分とを分離させ、半導体パッケージのみを搬送機構によって搬送する工程を示す概略工程断面図である。 (a)〜(c)は、実施形態6の搬送機構によって半導体パッケージと不要部分とを分離させ、半導体パッケージのみを搬送機構によって搬送する工程を示す概略工程断面図である。
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
〔実施形態1〕
(切断装置の構成)
図1を参照して、本発明に係る切断装置の構成について説明する。本実施形態においては、例えば、切断する対象物(ワーク)として、半導体チップが装着された基板を樹脂封止したパッケージ基板を切断する場合について説明する。図1に示されるように、切断装置1は、例えば、パッケージ基板2を供給する基板供給モジュールAとパッケージ基板2を切断する切断モジュールBと切断されて個片化された半導体パッケージを検査する検査モジュールCとを、それぞれ構成要素として備える。各構成要素は、それぞれ他の構成要素に対して着脱可能かつ交換可能である。
基板供給モジュールAには、パッケージ基板2を供給する基板供給部3が設けられる。パッケージ基板2は、例えば、基板と、基板が有する複数の領域に装着された複数の半導体チップと、複数の領域が一括して覆われるようにして形成された封止樹脂とを有する。パッケージ基板2は、搬送機構(図示なし)によって、基板供給モジュールAから切断モジュールBに搬送される。
切断モジュールBには、パッケージ基板2を吸着して切断するための切断テーブル4が設けられる。切断テーブル4の上には、パッケージ基板2を吸着するための吸着ジグ(図3参照)が取り付けられる。切断テーブル4は、移動機構5によって図のY方向に移動可能である。かつ、切断テーブル4は、回転機構6によってθ方向に回転可能である。
切断モジュールBには、パッケージ基板2を切断して複数の半導体パッケージに個片化する切断機構としてスピンドル7が設けられる。切断装置1は、例えば、1個のスピンドル7が設けられるシングルスピンドル構成の切断装置である。スピンドル7は、独立してX方向及びZ方向に移動可能である。スピンドル7には、パッケージ基板2を切断するための回転刃8が装着される。
スピンドル7には、高速回転する回転刃8に向かって切削水を噴射する切削水用ノズル、冷却水を噴射する冷却水用ノズル、切断屑などを洗浄する洗浄水を噴射する洗浄水用ノズル(いずれも図示なし)等が設けられる。切断テーブル4とスピンドル7とを相対的に移動させることによってパッケージ基板2が切断される。
切断モジュールBに2個のスピンドルが設けられるツインスピンドル構成の切断装置にすることも可能である。さらに、切断テーブルを2個設けて、それぞれの切断テーブルにおいてパッケージ基板2を切断するツインカットテーブル構成にすることも可能である。ツインスピンドル構成、ツインカットテーブル構成にすることによって切断装置の生産性を向上させることができる。
検査モジュールCには、パッケージ基板2を切断して個片化された複数の半導体パッケージ9を吸着して搬送する搬送機構10が設けられる。搬送機構10は、X方向及びZ方向に移動可能である。搬送機構10は、個片化された複数の半導体パッケージ9を一括して吸着して搬送する。
検査モジュールCには、個片化された複数の半導体パッケージ9を吸着して検査するための検査テーブル11が設けられる。搬送機構10によって、複数の半導体パッケージ9は検査テーブル11の上に一括して載置される。複数の半導体パッケージ9は、検査用のカメラ12によって表面及び裏面が検査される。
検査テーブル11で検査された複数の半導体パッケージ9は良品と不良品とに区別される。移送機構(図示なし)によって良品は良品用トレイ13に、不良品は不良品用トレイ(図示なし)にそれぞれ移送されて収納される。
基板供給モジュールAには制御部CTLが設けられる。制御部CTLは、切断装置1の動作、パッケージ基板2の搬送、パッケージ基板2の切断、個片化された半導体パッケージ9の搬送、半導体パッケージ9の検査、半導体パッケージ9の収納等を制御する。本実施形態においては、制御部CTLを基板供給モジュールAに設けた。これに限らず、制御部CTLを他のモジュールに設けても良い。また、制御部CTLは、複数に分割して、基板供給モジュールA、切断モジュールB及び検査モジュールCのうちの少なくとも2つのモジュールに設けても良い。
(パッケージ基板の構成)
図2を参照して、本実施形態において切断されるパッケージ基板2の構成について説明する。図2(b)に示されるように、パッケージ基板2は、基板14と基板14の主面側に装着された複数の半導体チップ15と複数の半導体チップ15を覆うように形成された封止樹脂16とを備える。半導体チップ15は、例えば、ボンディングワイヤ又はバンプ(いずれも図示なし)等を介して基板14に接続される。
図2(a)に示されるように、パッケージ基板2には、パッケージ基板2を切断して複数の半導体パッケージ9(図1参照)に個片化するため互いに交差する複数の切断予定線17が仮想的に設定される。複数の半導体チップ15は、複数の切断予定線17によって囲まれる複数の半導体パッケージ形成領域18にそれぞれ装着される。複数の切断予定線17によって囲まれる複数の半導体パッケージ形成領域18が、個片化されることにより半導体パッケージ9となる。
本実施形態に示すパッケージ基板2においては、複数の切断予定線17によって、複数の半導体パッケージ9を形成する半導体パッケージ形成領域18と半導体パッケージの形成に寄与しない不用部分となる複数の不用部分形成領域19とが設定される。複数の不用部分形成領域19は、半導体パッケージ形成領域18に隣接して設定される不用部分形成領域19aと半導体パッケージ形成領域18の角部に設定される不用部分形成領域19bとに分類される。
(切断テーブルの構成)
図3を参照して、本実施形態において使用される切断テーブル4の構成について説明する。図3(a)に示されるように、切断テーブル4は、切断装置1においてパッケージ基板2を切断して個片化するためのテーブルである。切断テーブル4には、パッケージ基板2に対応した吸着ジグ20が取り付けられる。吸着ジグ20は、金属プレート21と金属プレート21の上に固定された樹脂シート22とを備える。
吸着ジグ20には、パッケージ基板2に設定された複数の半導体パッケージ形成領域18を吸引する第1吸引孔23と複数の不用部分形成領域19(19a、19b)を吸引する第2吸引孔24とがそれぞれ設けられる。複数の第1吸引孔23及び複数の第2吸引孔24は、それぞれ切断テーブル4に形成された空間25につながる。切断テーブル4の空間25は、開口部26を介して吸引機構27に接続される。吸引機構27としては、例えば、真空ポンプ等が使用される。一つの吸引機構27によって、パッケージ基板2に設定された複数の半導体パッケージ形成領域18及び複数の不用部分形成領域19(19a、19b)を切断テーブル4に吸着することができる。すなわち、切断テーブル4の吸着機構を1系統の吸着機構によって構成することができる。したがって、切断テーブル4において、パッケージ基板2又は個片化された半導体パッケージ9を吸着する吸着機構の構成を簡略化することができる。
吸着ジグ20の樹脂シート22には、パッケージ基板2に設定された複数の切断予定線17に対応するように複数の切断逃げ溝28が形成される。パッケージ基板2を切断する際に、この切断逃げ溝28内を回転刃8が通過することにより、吸着ジグ20(樹脂シート22)を傷つけて切断屑等が発生することを抑制することができる。
(パッケージ基板の切断)
図3〜4を参照して、パッケージ基板2を切断して複数の半導体パッケージと複数の不用部分とに個片化する工程について説明する。
図3(a)に示されるように、まず切断テーブル4にパッケージ基板2を載置する。厳密には、切断テーブル4に取り付けられた吸着ジグ20の上にパッケージ基板2を載置するが、便宜上、切断テーブル4にパッケージ基板2を載置すると表現する。パッケージ基板2に設定された切断予定線17が、吸着ジグ20に形成された切断逃げ溝28の上に重なるようにパッケージ基板2を載置する。
次に、吸引機構27を使用してパッケージ基板2を切断テーブル4に吸着する。パッケージ基板2において、半導体パッケージ形成領域18は、第1吸引孔23、空間25及び開口部26を介して切断テーブル4に吸着される。不用部分形成領域19(19a、19b)は、第2吸引孔24、空間25及び開口部26を介して切断テーブル4に吸着される。本出願書類においては、図3(a)に示されるように、パッケージ基板、半導体パッケージ、不用部分等を吸引していることを明確にするために吸引している吸引力29を細い矢印によって示す。次に、スピンドル7(図1参照)に装着された回転刃8を、最も外側に設定された切断予定線17の上に配置する。
次に、図3(b)に示されるように、回転刃8を下降させて、パッケージ基板2の最も外側に設定された切断予定線17に沿ってパッケージ基板2を切断する。パッケージ基板2の外周部は切断テーブル4に吸着されていないので、切断されることによって外周端材30として切断テーブル4から除去される。このようにして、最も外側に設定された切断予定線17に沿ってパッケージ基板2を切断する。この結果、パッケージ基板2の外周部はすべて外周端材30として切断テーブル4から除去される。次に、スピンドル7に装着された回転刃8を、半導体パッケージ形成領域18の内側に設定された切断予定線17の上に配置する。
次に、図3(c)に示されるように、回転刃8を下降させて、すべての切断予定線17に沿ってパッケージ基板2を切断する。複数の切断予定線17に対応する位置には複数の切断溝(カーフ)31が形成される。パッケージ基板2は、複数の切断溝31によって複数の半導体パッケージ9と複数の不用部分32とに個片化される。複数の半導体パッケージ9は、第1吸引孔23を介して切断テーブル4に吸着される。複数の不用部分32は、第2吸引孔24を介して切断テーブル4にそれぞれ吸着される。複数の半導体パッケージ9及び複数の不用部分32は、同じ吸引機構27(1系統の吸着機構)を使用して切断テーブル4に一括して吸着される。したがって、切断テーブル4において、複数の半導体パッケージ9及び複数の不用部分32を吸着する吸着機構の構成を簡略化することができる。かつ、切断テーブル4の製造コストを抑制することができる。
図4(a)に示されるように、すべての切断予定線17に沿ってパッケージ基板2を切断することによって、半導体パッケージ形成領域18(図2(a)参照)は半導体パッケージ9に、不用部分形成領域19a(図2(a)参照)は不用部分32aに、不用部分形成領域19b(図2(a)参照)は不用部分32bにそれぞれ個片化される。半導体パッケージ9は、第1吸引孔23を介して切断テーブル4に吸着される。不用部分32a、32bは、第2吸引孔24を介して切断テーブル4に吸着される。
パッケージ基板2を切断する際には、切断による切断屑や汚れ等が半導体パッケージ9の表面及び側面に残ることがある。これらの切断屑や汚れ等は、さらに半導体パッケージ9を洗浄することによって取り除く。洗浄後は、エアや窒素などのガスを吹き付けて半導体パッケージ9を乾燥させる。しかしながら、半導体パッケージ9を乾燥させた状態においても、乾燥が十分でないと切断溝31の内部に水分が残る場合がある。切断溝31の内部に水分が残ると、不用部分32a、32bが水分によって半導体パッケージ9にくっつくという不具合が発生することがある。
(搬送機構の構成)
図5を参照して、本実施形態において使用される搬送機構の構成について説明する。搬送機構33は、半導体パッケージ9と不用部分32(32a、32b)とを分離して、半導体パッケージ9のみを吸着して搬送する搬送機構である。
図5(b)に示されるように、搬送機構33は、基台34と基台34の下面に取り付けられた吸着ジグ35とを備える。吸着ジグ35は、例えば、金属プレート36と金属プレート36の下面に固定された樹脂シート37とを備える。樹脂シート37を設けることによって、物理的な衝撃を緩和することができる。吸着ジグ35は、個片化された複数の半導体パッケージ9及び複数の不用部分32(32a、32b)に対応するように作製される。吸着ジグを、金属プレート又は樹脂シートのみで構成することもできる。
吸着ジグ35には、個片化された複数の半導体パッケージ9を吸引する複数の吸引孔38がそれぞれ設けられる。複数の吸引孔38は、搬送機構33の基台34に形成された空間39につながる。基台34の空間39は、開口部40を介して吸引機構41に接続される。吸引機構41としては、例えば、真空ポンプ等が使用される。吸引機構41によって、複数の半導体パッケージ9が搬送機構33に吸着される。したがって、搬送機構33においては、複数の半導体パッケージ9を吸着するために1系統の吸着機構が設けられる。
図5(a)に示されるように、吸着ジグ35には交差する連続した複数の凹部42が設けられる。連続した複数の凹部42には、複数の不用部分32a、32bに対応する位置に複数の突起状の弾性部材43がそれぞれ設けられる。突起状の弾性部材43は、例えば、ゴムなどの伸縮可能な弾性部材であることが好ましい。突起状の弾性部材43は、円柱状、円錐状、円錐柱状、角柱状、角錐状、角錐柱状の形状等に形成される。図5においては、例えば、円錐柱状に形成された弾性部材を示す。弾性部材43は、吸着ジグ35の表面から突出するように設けられる。
図5(b)に示されるように、半導体パッケージ9の厚さをa、吸着ジグ35の表面から弾性部材43の表面までの高さをbとすると、a<bとなるように弾性部材43の高さを設定することが好ましい。a<bに設定することで、aよりもbの方が長くなるので、a>bに比べて半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとをより分離しやすくなる。突起状の弾性部材43を設けることによって、個片化された半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることが可能となる。突起状の弾性部材43は、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させる分離機構として機能する。突起状の弾性部材43が不用部分32a、32bを分離させた状態で、搬送機構33が複数の半導体パッケージ9を吸着して搬送することができる。
本実施形態においては、複数の凹部42を交差する連続した複数の凹部として吸着ジグ35に形成した。これに限らず、複数の不用部分32a、32bに対応する位置に複数の独立した凹部を形成して、これらの凹部に複数の突起状の弾性部材を設けてもよい。
(半導体パッケージの搬送)
図6を参照して、個片化された不用部分32a、32bが半導体パッケージ9にくっついた場合であっても、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させて、半導体パッケージ9のみを吸着して搬送する方法について説明する。
図6(a)に示されるように、パッケージ基板2を個片化することによって、半導体パッケージ9は、第1吸引孔23を介して切断テーブル4に吸着され、不用部分32a、32bは、第2吸引孔24を介して切断テーブル4に吸着される。半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとは同じ(1系統の)吸引機構27(図3参照)よって切断テーブル4に吸着される。
次に、搬送機構33の複数の吸引孔38を複数の半導体パッケージ9に対応するように配置し、搬送機構33の複数の弾性部材43を複数の不用部分32a、32bに対応するように配置する。この場合には、半導体パッケージ9の厚さaと吸着ジグ35の表面から弾性部材43の表面までの高さbとの関係は、a<bとなる。
次に、図6(b)に示されるように、搬送機構33を下降させていく。搬送機構33を下降させることによって、まず弾性部材43の先端が不用部分32a、32bに接触する。さらに、搬送機構33を下降させることによって、弾性部材43が圧縮され弾性変形する。圧縮された弾性部材43の弾性復元力によって、弾性部材43が不用部分32a、32bを切断テーブル4に押し付ける。さらに、搬送機構33を下降させることによって、搬送機構33に取り付けられた吸着ジグ35(樹脂シート37)の表面が半導体パッケージ9に接触する。弾性部材43はさらに圧縮され、不用部分32a、32bをテーブル4にさらに押し付ける。
次に、搬送機構33の吸着ジグ35が半導体パッケージ9に接触した状態で、切断テーブル4において半導体パッケージ9及び不用部分32a、32bに対する吸着を解除する。次に、吸着ジグ35の吸引孔38を介して半導体パッケージ9を搬送機構33に吸着する。この状態において、半導体パッケージ9の吸着動作は切断テーブル4から搬送機構33へと移行する。不用部分32a、32bは、切断テーブル4への吸着が解除され、弾性部材43によって切断テーブル4に押し付けられる。
次に、図6(c)に示されるように、搬送機構33が複数の半導体パッケージ9を吸着した状態で搬送機構33を上昇させる。不用部分32a、32bは、弾性部材43によって切断テーブル4に押し付けられている。したがって、不用部分32a、32bが半導体パッケージ9にくっついていた場合であっても、弾性部材43によって半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることができる。吸着ジグ35の表面から弾性部材43の表面までの高さbを、半導体パッケージ9の厚さaよりも大きくしているので、弾性部材43が初期の状態(高さ)に戻った時には、半導体パッケージの側面と不用部分32a、32bの側面とを切り離すことができる。a<bに設定することで、aよりもbの方が長くなるので、a>bに比べて半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとをより分離しやすくなる。このことにより、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとをより安定して分離させることができる。したがって、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させて、半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。
(作用効果)
本実施形態の切断装置1は、複数の半導体チップが樹脂封止されたワークであるパッケージ基板2を載置する切断テーブル4と、パッケージ基板2を複数の半導体パッケージ9と複数の不要部分32a、32bとに切断する切断機構であるスピンドル7と、スピンドル7によって切断された複数の半導体パッケージ9を吸着して搬送する搬送機構33とを備え、搬送機構33は複数の半導体パッケージ9をそれぞれ吸引する複数の吸引孔38と、半導体パッケージ9と不要部分32a、32bとを分離させる分離機構である弾性部材43とを備える構成としている。
本実施形態の半導体パッケージ9の搬送方法は、複数の半導体チップが樹脂封止されたワークであるパッケージ基板2を切断テーブル4に載置する載置工程と、パッケージ基板2を複数の半導体パッケージ9と複数の不要部分32a、32bとに切断する切断工程と、複数の半導体パッケージ9を搬送機構33に設けられた複数の吸引孔38にそれぞれ吸着して搬送する搬送工程とを備え、搬送工程では、半導体パッケージ9と不要部分32a、32bとを分離させる分離工程を含む。
この構成によれば、切断装置1において、搬送機構33は複数の半導体パッケージ9を吸着する複数の吸引孔38と、半導体パッケージ9と不要部分32a、32bとを分離させる複数の弾性部材43とを備える。半導体パッケージ9に不用部分32a、32bがくっついた場合であっても、弾性部材43によって半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることができる。したがって、搬送機構33は、半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。このことにより、切断テーブル4における吸着機構を1系統にして、半導体パッケージ9と不要部分32a、32bとを一括して吸着することが可能となる。したがって、切断テーブル4の構成を簡略化して製造コストを低減することができる。
より詳細には、本実施形態によれば、切断装置1において、切断テーブル4は、複数の半導体パッケージ9を吸引する第1吸引孔23と複数の不用部分32a、32bを吸引する第2吸引孔24とを備える。第1吸引孔23及び第2吸引孔24は同じ(1系統の)吸引機構27に接続される。搬送機構33は、複数の半導体パッケージ9を吸引する吸引孔38と、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させる弾性部材43とを備える。
搬送機構33に設けられた弾性部材43によって、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させて、搬送機構33は半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。切断テーブル4においては、複数の半導体パッケージ9と複数の不要部分32a、32bとを同じ(1系統の)吸引機構27を使用して吸着することができる。したがって、切断テーブル4の構成を簡略化して製造コストを低減することができる。
〔実施形態2〕
(搬送機構の構成)
図7を参照して、実施形態2において使用される搬送機構の構成について説明する。実施形態1との違いは、分離機構としての弾性部材を連続して凹部に形成したことである。それ以外の構成は実施形態1と同じなので説明を省略する。
図7(a)、(b)に示されるように、搬送機構44は、基台34と基台34の下面に取り付けられた吸着ジグ45とを備える。実施形態1と同様に、吸着ジグ45は、金属プレート36と金属プレート36の下面に固定された樹脂シート37とを備える。吸着ジグ45において、複数の吸引孔38、空間39、開口部40、吸引機構41及び複数の凹部42の構成も実施形態1と同じである。複数の凹部42は、交差する連続した複数の凹部として吸着ジグ45に形成される。
連続した複数の凹部42には、複数の不用部分32a、32bに対応するように突起状の弾性部材46が連続して設けられる。突起状の弾性部材46は、ゴムなどの伸縮可能な弾性部材であることが好ましい。弾性部材46は、吸着ジグ35の表面から突出するように設けられる。
図7(b)に示されるように、半導体パッケージ9の厚さをa、吸着ジグ45の表面から弾性部材46の表面までの高さをbとすると、a<bとなるように弾性部材46の高さが設定される。実施形態1と同様に、吸着ジグ45の表面から弾性部材46の表面までの高さbを、半導体パッケージ9の厚さaよりも大きくしているので、弾性部材46が初期の状態に戻った時には、半導体パッケージの側面と不用部分32a、32bの側面とを切り離すことができる。したがって、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させて、半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。
本実施形態によれば、連続した弾性部材46によって半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させる。連続した弾性部材46を吸着ジグ45に設けているので、より安定して半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることができる。したがって、搬送機構44は、半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。切断テーブル4においては、複数の半導体パッケージ9と複数の不要部分32a、32bとを同じ(1系統の)吸引機構27を使用して吸着することができ、切断テーブル4の構成を簡略化することができる。
〔実施形態3〕
(搬送機構の構成及び動作)
図8を参照して、実施形態3において使用される搬送機構の構成及び動作について説明する。実施形態1との違いは、分離機構として弾性体に支持された棒状部材を用いたことである。それ以外の構成は実施形態1と基本的に同じなので説明を省略する。なお、図8においては、搬送機構の開口部40及び吸引機構41の図示を省略している。
図8(a)に示されるように、搬送機構47は、基台34と基台34の下面に取り付けられた吸着ジグ48とを備える。吸着ジグ48は、金属プレート49と金属プレート49の下面に固定された樹脂シート37とを備える。
吸着ジグ48には、複数の半導体パッケージ9を吸引する複数の吸引孔50がそれぞれ設けられる。さらに、吸着ジグ48には、複数の不用部分32a、32bに対応する位置に複数の独立した凹部51(図8(b)参照)がそれぞれ設けられる。複数の独立した凹部51には、例えば、弾性体52に支持された棒状部材53がそれぞれ設けられる。弾性体52としては、例えば、圧縮コイルばねなどが使用される。棒状部材53は、上下方向に移動することが可能である。棒状部材53の形状は、例えば、円柱状、円錐状、円錐柱状、角柱状、角錐状、角錐柱状の形状等に形成される。棒状部材53は、吸着ジグ48の表面から突出するように設けられる。
図8(a)に示されるように、半導体パッケージ9の厚さをa、吸着ジグ48の表面から棒状部材53の先端までの高さをcとすると、a<cとなるように棒状部材53の長さを設定する。a<cに設定することで、aよりもcの方が長くなるので、a>cに比べて半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとをより分離しやすくなる。棒状部材53を設けることによって、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることが可能となる。棒状部材53が、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させる分離機構として機能する。
図8(a)〜(c)に示されるように、棒状部材53が、不用部分32a、32bをテーブル4に押し付けることによって、棒状部材53が半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させる。したがって、棒状部材53が不用部分32a、32bを分離させた状態で、搬送機構47が複数の半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。本実施形態においても、実施形態1と同様の効果を奏する。
〔実施形態4〕
(搬送機構の構成及び動作)
図9を参照して、実施形態4において使用される搬送機構の構成及び動作について説明する。実施形態1との違いは、分離機構として吸着ジグにヒータを設けたことである。それ以外の構成は実施形態1と基本的に同じなので説明を省略する。なお、図9においても、搬送機構の開口部40及び吸引機構41の図示を省略している。
図9(a)に示されるように、搬送機構54は、基台34と基台34の下面に取り付けられた吸着ジグ55とを備える。吸着ジグ55は、金属プレート56と金属プレート56の下面に固定された樹脂シート37とを備える。
吸着ジグ55には、複数の半導体パッケージ9を吸引する複数の吸引孔57がそれぞれ設けられる。さらに、吸着ジグ55には、複数の不用部分32a、32bに対応する位置に複数のヒータ58がそれぞれ設けられる。複数のヒータ58は、複数の不用部分32a、32bに対応する位置にそれぞれ独立して設けてもよいし、交差する連続した複数のヒータとして設けてもよい。
図9(b)に示されるように、搬送機構54を下降させて吸着ジグ55(樹脂シート37)を半導体パッケージ9に接触させる。この状態でヒータ58を加熱する。切断溝31の内部に(半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとの間に)水分が残った場合であっても、ヒータ58からの輻射熱によって水分を除去することが可能となる。ヒータ58によって、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることができる。したがって、ヒータ58が不用部分32a、32bを分離させた状態で、搬送機構54が複数の半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。本実施形態においても、実施形態1と同様の効果を奏する。
〔実施形態5〕
(搬送機構の構成及び動作)
図10を参照して、実施形態5において使用される搬送機構の構成及び動作について説明する。実施形態1との違いは、分離機構として搬送機構に設けられたガス噴射孔にガスを供給するガス供給機構を設けたことである。それ以外の構成は実施形態1と基本的に同じなので説明を省略する。
図10(a)に示されるように、搬送機構59は、基台60と基台60の下面に取り付けられた吸着ジグ61とを備える。吸着ジグ61は、金属プレート62と金属プレート62の下面に固定された樹脂シート63とを備える。
搬送機構59には、複数の半導体パッケージ9を吸引する複数の吸引孔64がそれぞれ設けられる。複数の吸引孔64は、基台60と吸着ジグ61(金属プレート62及び樹脂シート63)を貫通するように形成される。複数の吸引孔64は、それぞれ吸引機構41に接続される。
搬送機構59には、複数の不用部分32a、32bにガスを噴射する複数のガス噴射孔65がそれぞれ設けられる。複数のガス噴射孔65は、基台60と吸着ジグ61を貫通するように形成される。複数のガス噴射孔65は、それぞれガス供給機構66に接続される。ガスとしては、エア又は窒素などが使用される。
図10(a)に示されるように、不用部分32a、32bが半導体パッケージ9にくっついて搬送機構59に持ち上げられる場合がある。そのような場合には、図10(b)に示されるように、ガス供給機構66からガス噴射孔65にガス67(太い矢印で示す)を供給する。ガス噴射孔65からガス67を噴射することによって、半導体パッケージ9にくっついていた不用部分32a、32bを下に落とすことができる。
ガス噴射孔65からガス67を噴射することによって、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることができる。したがって、不用部分32a、32bを分離させた状態で、搬送機構59が複数の半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。本実施形態においても、実施形態1と同様の効果を奏する。
〔実施形態6〕
(搬送機構の構成及び動作)
図11を参照して、実施形態6において使用される搬送機構の構成及び動作について説明する。実施形態1との違いは、分離機構として搬送機構(基台)の開口部にガス供給機構を接続したことである。それ以外の構成は実施形態1と基本的に同じなので説明を省略する。
図11(a)に示されるように、搬送機構68は、基台34と基台34の下面に取り付けられた吸着ジグ69とを備える。吸着ジグ69は、金属プレート70と金属プレート70の下面に固定された樹脂シート71とを備える。
吸着ジグ69には、複数の半導体パッケージ9を吸引する複数の吸引孔72がそれぞれ設けられる。複数の吸引孔72は、基台34に形成された空間39及び開口部40をそれぞれ介して吸引機構41に接続される。さらに、基台34の開口部40は、エア又は窒素を供給するガス供給機構73に接続される。ガス供給機構73は、搬送機構に設けてもよいし、例えば、工場内に配置されているガス供給機構を使用してもよい。
図11(a)に示されるように、複数の半導体パッケージ9及び複数の不用部分32a、32bを切断テーブル4に吸着した状態で、搬送機構68を複数の半導体パッケージ9の少し上方で停止させる。
図11(b)〜(c)に示されるように、ガス供給機構73から開口部40、空間39及び複数の吸引孔72を介して、ガス74(太い矢印で示す)を複数の半導体パッケージ9及び複数の不用部分32a、32bに向かって噴射する。ガス74を噴射しながら搬送機構68と切断テーブル4とを相対的に移動させる。半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとの間に水分が残った場合でも、ガス74によって水分を除去することが可能となる。ガス74によって、半導体パッケージ9と不用部分32a、32bとを分離させることができる。したがって、不用部分32a、32bを分離させた状態で、搬送機構68が複数の半導体パッケージ9のみを吸着して搬送することができる。本実施形態においても、実施形態1と同様の効果を奏する。
各実施形態においては、切断する対象物(ワーク)として、半導体チップが装着された基板を樹脂封止したパッケージ基板(封止済み基板)を使用した場合について説明した。パッケージ基板としては、BGAパッケージ基板、LGAパッケージ基板、CSPパッケージ基板などが使用される。さらには、ウェーハレベルパッケージにも本発明を適用することができる。また、切断する対象物(ワーク)として、半導体チップが装着されたリードフレームを樹脂封止したパッケージリードフレーム(封止済みリードフレーム)にも本発明を適用することができる。
以上のように、上記実施形態の切断装置は、複数の半導体チップが樹脂封止されたワークを載置するテーブルと、ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断機構と、切断機構によって切断された複数の半導体パッケージを吸着して搬送する搬送機構とを備え、搬送機構は複数の半導体パッケージをそれぞれ吸引する複数の吸引孔と、半導体パッケージと不要部分とを分離させる分離機構とを備える構成としている。
この構成によれば、分離機構によって半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の切断装置では、分離機構は、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられた弾性部材である。
この構成によれば、分離機構として弾性部材によって、半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の切断装置では、分離機構は、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられ、弾性体によって支持された棒状部材である。
この構成によれば、分離機構として弾性体によって支持された棒状部材によって、半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の切断装置では、分離機構は、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられたヒータである。
この構成によれば、分離機構としてヒータによって、半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の切断装置では、分離機構は、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられたガス噴射孔にガスを供給するガス供給機構である。
この構成によれば、分離機構としてガス供給機構から供給されたガスによって、半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の切断装置では、テーブルは複数の半導体パッケージをそれぞれ吸引する複数の第1吸引孔と複数の不要部分をそれぞれ吸引する複数の第2吸引孔とを備え、複数の第1吸引孔と複数の第2吸引孔とは同じ吸引機構に接続される構成としている。
この構成によれば、複数の半導体パッケージと複数の不要部分とを同じ吸引機構を使用してテーブルに吸着することができる。したがって、テーブルの構成を簡略化して製造コストを低減することができる。
上記実施形態の半導体パッケージの搬送方法は、複数の半導体チップが樹脂封止されたワークをテーブルに載置する載置工程と、ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断工程と、複数の半導体パッケージを搬送機構に設けられた複数の吸引孔にそれぞれ吸着して搬送する搬送工程とを備え、搬送工程では、半導体パッケージと不要部分とを分離させる分離工程を含む。
この方法によれば、搬送工程において、半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の半導体パッケージの搬送方法は、分離工程では、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられた弾性部材によって不要部分をテーブルに押し付けることにより半導体パッケージと不要部分とを分離させる。
この方法によれば、弾性部材によって不要部分をテーブルに押し付けることにより半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の半導体パッケージの搬送方法は、分離工程では、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられ、弾性体に支持された棒状部材によって不要部分をテーブルに押し付けることにより半導体パッケージと不要部分とを分離させる。
この方法によれば、弾性体に支持された棒状部材によって不要部分をテーブルに押し付けることにより半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の半導体パッケージの搬送方法は、分離工程では、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられたヒータにより半導体パッケージと不要部分との間に残る水分を低減させることによって半導体パッケージと不要部分とを分離させる。
この方法によれば、ヒータにより半導体パッケージと不要部分との間に残る水分を低減させることによって半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の半導体パッケージの搬送方法は、分離工程では、搬送機構において複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられたガス噴射孔にガスを供給し、不要部分にガスを噴射することによって半導体パッケージと不要部分とを分離させる。
この方法によれば、ガス噴射孔にガスを供給することにより半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。したがって、搬送機構は、半導体パッケージのみを吸着して搬送することができる。
さらに、上記実施形態の半導体パッケージの搬送方法は、分離工程では、さらに、搬送機構に設けられた複数の吸引孔にガスを供給し、搬送機構とテーブルとを相対的に移動させることによって複数の吸引孔から噴射されるガスにより半導体パッケージと不要部分との間に残る水分を低減させる水分低減工程を含む。
この方法によれば、搬送機構に設けられた吸引孔にガスを供給し、吸引孔からガスを噴射する。吸引孔から噴射されるガスにより半導体パッケージと不要部分との間に残る水分を低減させる。したがって、半導体パッケージと不要部分とを分離させることができる。
さらに、上記実施形態の半導体パッケージの搬送方法は、切断工程では、同じ吸引機構を使用して複数の半導体パッケージと複数の不要部分とをテーブルに吸着する。
この方法によれば、同じ吸引機構を使用して複数の半導体パッケージと複数の不要部分とをテーブルに吸着することができる。したがって、テーブルの構成を簡略化して製造コストを低減することができる。
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。
1 切断装置
2 パッケージ基板(ワーク)
3 基板供給部
4 切断テーブル(テーブル)
5 移動機構
6 回転機構
7 スピンドル(切断機構)
8 回転刃
9 半導体パッケージ
10、33、44、47、54、59、68 搬送機構
11 検査テーブル
12 検査用のカメラ
13 良品用トレイ
14 基板
15 半導体チップ
16 封止樹脂
17 切断予定線
18 半導体パッケージ形成領域
19、19a、19b 不用部分形成領域
20 吸着ジグ
21 金属プレート
22 樹脂シート
23 第1吸引孔
24 第2吸引孔
25 空間
26 開口部
27 吸引機構
28 切断逃げ溝
29 吸引力
30 外周端材
31 切断溝
32、32a、32b 不用部分
34、60 基台
35、45、48、55、61、69 吸着ジグ
36、49、56、62、70 金属プレート
37、63、71 樹脂シート
38、50、57、64、72 吸引孔
39 空間
40 開口部
41 吸引機構
42 凹部
43、46 弾性部材(分離機構)
51 凹部
52 弾性体
53 棒状部材(分離機構)
58 ヒータ(分離機構)
65 ガス噴射孔
66、73 ガス供給機構(分離機構)
67、74 ガス
A 基板供給モジュール
B 切断モジュール
C 検査モジュール
CTL 制御部
a 半導体パッケージの厚さ
b 吸着ジグの表面から弾性部材の表面までの高さ
c 吸着ジグの表面から棒状部材の表面までの高さ

Claims (6)

  1. 複数の半導体チップが樹脂封止されたワークを載置するテーブルと、
    前記ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断機構と、
    前記切断機構によって切断された前記複数の半導体パッケージを吸着して搬送する搬送機構とを備え、
    前記搬送機構は前記複数の半導体パッケージをそれぞれ吸引する複数の吸引孔と、前記半導体パッケージと前記不要部分とを分離させる分離機構とを備え、
    前記分離機構は、前記搬送機構において前記複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられた弾性部材である、切断装置。
  2. 複数の半導体チップが樹脂封止されたワークを載置するテーブルと、
    前記ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断機構と、
    前記切断機構によって切断された前記複数の半導体パッケージを吸着して搬送する搬送機構とを備え、
    前記搬送機構は前記複数の半導体パッケージをそれぞれ吸引する複数の吸引孔と、前記半導体パッケージと前記不要部分とを分離させる分離機構とを備え、
    前記分離機構は、前記搬送機構において前記複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられ、弾性体によって支持された棒状部材である、切断装置。
  3. 前記テーブルは前記複数の半導体パッケージをそれぞれ吸引する複数の第1吸引孔と前記複数の不要部分をそれぞれ吸引する複数の第2吸引孔とを備え、
    前記複数の第1吸引孔と前記複数の第2吸引孔とは同じ吸引機構に接続される、請求項1又は2のいずれか1項に記載の切断装置。
  4. 複数の半導体チップが樹脂封止されたワークをテーブルに載置する載置工程と、
    前記ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断工程と、
    前記複数の半導体パッケージを搬送機構に設けられた複数の吸引孔にそれぞれ吸着して搬送する搬送工程とを備え、
    前記搬送工程では、前記半導体パッケージと前記不要部分とを分離させる分離工程を含
    前記分離工程は、前記搬送機構において前記複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられた弾性部材によって前記不要部分を前記テーブルに押し付けることにより前記半導体パッケージと前記不要部分とを分離させる、半導体パッケージの搬送方法。
  5. 複数の半導体チップが樹脂封止されたワークをテーブルに載置する載置工程と、
    前記ワークを複数の半導体パッケージと複数の不要部分とに切断する切断工程と、
    前記複数の半導体パッケージを搬送機構に設けられた複数の吸引孔にそれぞれ吸着して搬送する搬送工程とを備え、
    前記搬送工程では、前記半導体パッケージと前記不要部分とを分離させる分離工程を含
    前記分離工程は、前記搬送機構において前記複数の不要部分に対応する位置にそれぞれ設けられ、弾性体に支持された棒状部材によって前記不要部分を前記テーブルに押し付けることにより前記半導体パッケージと前記不要部分とを分離させる、半導体パッケージの搬送方法。
  6. 前記切断工程では、同じ吸引機構を使用して前記複数の半導体パッケージと前記複数の不要部分とを前記テーブルに吸着する、請求項4又は5のいずれか1項に記載の半導体パッケージの搬送方法。
JP2017171960A 2017-09-07 2017-09-07 切断装置及び半導体パッケージの搬送方法 Active JP6785735B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017171960A JP6785735B2 (ja) 2017-09-07 2017-09-07 切断装置及び半導体パッケージの搬送方法
KR1020180080966A KR102182956B1 (ko) 2017-09-07 2018-07-12 절단 장치 및 반도체 패키지의 반송 방법
TW107129430A TWI697042B (zh) 2017-09-07 2018-08-23 切斷裝置以及半導體封裝的搬送方法
CN201810980250.4A CN109473376B (zh) 2017-09-07 2018-08-27 切断装置以及半导体封装的搬送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017171960A JP6785735B2 (ja) 2017-09-07 2017-09-07 切断装置及び半導体パッケージの搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019047078A JP2019047078A (ja) 2019-03-22
JP6785735B2 true JP6785735B2 (ja) 2020-11-18

Family

ID=65659944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017171960A Active JP6785735B2 (ja) 2017-09-07 2017-09-07 切断装置及び半導体パッケージの搬送方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6785735B2 (ja)
KR (1) KR102182956B1 (ja)
CN (1) CN109473376B (ja)
TW (1) TWI697042B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7154195B2 (ja) * 2019-07-26 2022-10-17 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法
JP7149249B2 (ja) * 2019-10-31 2022-10-06 Towa株式会社 搬送モジュール、切断装置及び切断品の製造方法
JP7068409B2 (ja) * 2020-09-23 2022-05-16 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法
KR102610004B1 (ko) * 2020-11-19 2023-12-05 세메스 주식회사 반도체 스트립 절단 및 분류 설비에서 패키지 건조 장치
JP7456399B2 (ja) * 2021-02-12 2024-03-27 株式会社村田製作所 シート搬送装置
CN114571615B (zh) * 2022-01-21 2023-10-20 江西红板科技股份有限公司 一种芯片封装装置及其封装系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4309084B2 (ja) * 2001-11-26 2009-08-05 アピックヤマダ株式会社 ダイシング装置
US6746022B2 (en) 2001-12-26 2004-06-08 Asm Assembly Automation Ltd. Chuck for holding a workpiece
TW201001566A (en) * 2008-06-24 2010-01-01 Powertech Technology Inc Jig and method for picking up a die
JP5202493B2 (ja) * 2009-10-21 2013-06-05 シャープ株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
WO2011128981A1 (ja) * 2010-04-13 2011-10-20 パイオニア株式会社 部品移送装置及び方法
KR101322531B1 (ko) * 2012-05-21 2013-10-28 세메스 주식회사 반도체 소자들을 픽업하기 위한 장치
JP6257266B2 (ja) * 2013-10-29 2018-01-10 Towa株式会社 電子部品の製造装置及び製造方法
JP6235391B2 (ja) * 2014-03-27 2017-11-22 Towa株式会社 検査用治具、切断装置及び切断方法
JP6312554B2 (ja) * 2014-08-13 2018-04-18 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法
KR102267946B1 (ko) * 2014-11-04 2021-06-22 세메스 주식회사 반도체 패키지 및 반도체 스트립 이송 장치
JP2017054956A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社ディスコ 被加工物の支持治具

Also Published As

Publication number Publication date
KR102182956B1 (ko) 2020-11-25
KR20190027706A (ko) 2019-03-15
TW201913772A (zh) 2019-04-01
TWI697042B (zh) 2020-06-21
JP2019047078A (ja) 2019-03-22
CN109473376B (zh) 2022-02-11
CN109473376A (zh) 2019-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6785735B2 (ja) 切断装置及び半導体パッケージの搬送方法
US6446354B1 (en) Handler system for cutting a semiconductor package device
CN106956370B (zh) 加工装置的搬送机构
JP6861602B2 (ja) 保持部材、保持部材の製造方法、保持機構及び製品の製造装置
TWI836770B (zh) 半導體封裝件分類裝置及方法
KR100385876B1 (ko) 반도체 패키지장치 절단용 핸들러 시스템
KR20210018090A (ko) 보호 부재 형성 방법 및 보호 부재 형성 장치
TWI737247B (zh) 切斷裝置及切斷品的製造方法
JP2010045196A (ja) 板状物の搬送機構
JP6044986B2 (ja) 切削装置
TWI747296B (zh) 法蘭盤端面修正裝置、切斷裝置、法蘭盤端面修正方法以及切斷品的製造方法
JP6579929B2 (ja) 加工装置
JP7068409B2 (ja) 切断装置及び切断品の製造方法
JP7138002B2 (ja) 搬送ユニット及び搬送方法
KR101812209B1 (ko) 레이저 마킹 장치 및 레이저 마킹 방법
JP4229029B2 (ja) プラズマ処理方法および部品実装方法
KR102158825B1 (ko) 반도체 패키지 픽업 장치
JP2019072776A (ja) 板状物の保持方法
JP7313766B2 (ja) 搬送機構、被加工物の搬送方法及び加工装置
JP4305329B2 (ja) 部品搬送用治具
JP5504022B2 (ja) 分割加工方法及び分割装置
JP3688125B2 (ja) 電子部品製造方法及び装置
JP2023106682A (ja) 樹脂封止装置
JP2025059732A (ja) 電子部品のピックアップ装置及び実装装置
KR102312862B1 (ko) 반도체 패키지 픽업 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190909

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200929

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201027

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6785735

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250