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JP6738591B2 - 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ - Google Patents

半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウェハをチップに個片化する処理方法に関し、より具体的にはプラズマダイシングを用いた半導体ウェハの処理方法とプラズマダイシングに用いる半導体ウェハ表面保護テープ、およびその処理方法によって得られる半導体チップに関する。
最近における半導体チップの薄膜化・小チップ化への進化はめざましく、特に、メモリカードやスマートカードの様な半導体ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードでは薄膜化が要求され、また、ＬＥＤ・ＬＣＤ駆動用デバイスなどでは小チップ化が要求されている。今後これらの需要が増えるにつれ半導体チップの薄膜化・小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる。
これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化した後、ダイシング工程を経て個々のチップに分割することにより得られるものである。このダイシング工程においては、ダイシングブレードにより切断されるブレードダイシング方式が用いられてきた。ブレードダイシング方式では切断時にブレードによる切削抵抗が半導体ウェハに直接かかることになり、この切削抵抗によって半導体チップに微小な欠け（チッピング）が発生することがある。チッピング発生は半導体チップの外観を損なうだけでなく、場合によっては抗折強度不足によるピックアップ時のチップ破損など、チップ上の回路パターンまで破損する可能性がある。また、こうしたブレードによる物理的なダイシング工程では、チップ同士の間隔であるカーフ（スクライブライン、ストリートともいう）の幅が厚みのあるブレード幅以下にはできず、一枚のウェハから取ることができるチップの収率を高くすることはできなかった。さらにウェハの加工時間が長いことも問題であった。
ブレードカット方式以外にもダイシング工程には様々な方式が利用されている。ウェハを薄膜化した後にダイシングを行う難しさに鑑みて、先に所定の厚み分だけウェハに溝を形成しておき、その後に研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行うＤＢＧ（先ダイシング）方式がある。この方式によれば、カーフ幅はブレードダイシング工程と同様だが、チップの抗折強度がアップしチップの破損を抑えることができるというメリットがある。
また、ダイシングをレーザーで行うレーザーダイシング方式がある。レーザーダイシングによればカーフ幅を狭くでき、ドライプロセスとなるメリットもあるが、レーザーによる切断時の昇華物でウェハ表面が汚れるという不都合があり、所定の液状保護材で保護する前処理を行う場合もある。また、ドライプロセスといっても完全なドライにはできない。そして、レーザーの場合もブレードより速い処理が可能であるが、１ラインずつ加工することには変わりがないため極小チップの製造にはそれなりに時間がかかる。
ダイシングを水圧で行うウオータージェット方式などのウェットプロセスを用いる場合は、ＭＥＭＳデバイスやＣＭＯＳセンサーなど表面汚染が気になるエリアで問題が起きる可能性がある。カーフ幅が狭くできず、チップ収率が上がらないといった不都合もある。
ウェハの厚み方向にレーザーで改質層を形成し、エキスパンドして分断し個片化するステルスダイシング方式は、カーフ幅をゼロにでき、ドライで加工できるというメリットがある。しかしながら、改質層形成時の熱履歴から思ったほどチップ抗折強度が上がらず、また、エキスパンドして分断する際にシリコン屑が発生する場合がある。さらに、隣接チップとのぶつかりがあり抗折強度不足に陥る可能性がある。
さらにステルスダイシングと先ダイシングを併せた方式として、薄膜化の前に先に所定の厚み分だけ改質層を形成しておき、その後に裏面からの研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行う狭スクライブ幅対応チップ個片化方式がある。この技術は、上記プロセスのデメリットを改善したものであり、ウェハ裏面研削加工中に応力でシリコンの改質層が劈開し個片化するため、カーフ幅がゼロでありチップ収率は高く、抗折強度もアップするというメリットがある。しかし、裏面研削加工中に個片化されるため、チップ端面が隣接チップとぶつかってチップコーナーが欠ける現象が見られる場合がある。
そしてプラズマダイシング方式がある（例えば、特許文献１参照）。プラズマダイシングは、マスクで覆っていない箇所をプラズマで選択的にエッチングすることで、半導体ウェハを分割する方法である。このダイシング方法を用いると、選択的にチップの分断が可能であり、スクライブラインが曲がっていても問題なく分断できる。また、エッチングレートが非常に高いことから近年ではチップの分断に最適なプロセスの１つとされてきた。
特開２００７−１９３８５号公報
プラズマダイシング方式では、六フッ化硫黄（ＳＦ６）や四フッ化炭素（ＣＦ４）など、ウェハとの反応性が非常に高いフッ素系のガスをプラズマ発生用ガスとして用いており、その高いエッチングレートから、エッチングしない面に対してマスクによる保護が必須であり、事前にレジストやテープによるマスク形成が必要となる。
このマスクを形成するには、特許文献１にも記載があるように、ウェハの裏面にレジストを塗布した後、ストリートに相当する部分をフォトリソグラフィプロセスで除去してマスクとする技術が一般的である。そのため、プラズマダイシングを行うためには、プラズマダイシング設備以外のフォトリソ工程設備が必要でありチップコストが上昇するという問題があった。また、プラズマエッチング後にレジスト膜が残った状態であるため、レジスト除去のために大量の溶剤を用い、レジストを除去できなかった場合には糊残りとなって不良チップが生じるおそれもあった。さらに、レジストによるマスキング工程を経るため、全体の処理プロセスが長くなるという不都合もあった。
本発明はこうした問題点に鑑みてなされたもので、プラズマダイシングを用いた半導体ウェハの処理において、チッピングの発生を抑え、かつプラズマダイシングを行う場合のこれまでの不都合を解消した新たな半導体ウェハの処理方法を提供することを目的とする。
また本発明は、この半導体ウェハの処理方法を通じて得られる半導体チップを提供すること、およびこの半導体ウェハの処理方法を行うために必要な表面保護テープを提供することを目的とする。
本発明の上記課題は以下の手段によって実現することができる。
［１］半導体ウェハの処理方法であって、
（ａ）パターン面側に、基材フィルム上に５〜３０μｍの厚さの粘着剤層を有し、基材フィルムの厚さが２５〜１１０μｍである、表面保護テープが貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削した裏面にウェハ固定テープを貼合して、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ１）前記基材フィルムを剥離する以前に紫外線を照射して前記粘着剤層を硬化させる工程、
（ｂ）パターン面側の表面から、前記半導体ウェハのストリートに相当する部分のＣＯ２レーザーによる切断および前記基材フィルムの剥離を含む工程により、半導体ウェハのパターン面側からストリートを開口する工程、
（ｃ）パターン面側の表面から、ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）パターン面側の表面から、Ｏ２プラズマにより前記粘着剤層を除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
［２］前記（ｂ）工程が、（ｉ）半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程、および、（ｉｉ）該表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程であることを特徴とする［１］に記載の半導体ウェハの処理方法。
［３］前記（ｂ）工程が、（ｉｉｉ）半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープのうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、および、（ｉｖ）該表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程であることを特徴とする［１］に記載の半導体ウェハの処理方法。
［４］前記（ａ）工程のウェハ固定テープが、ダイシングテープまたはダイシングダイボンディングテープであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
［５］前記（ｄ）工程の後、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程を含むことを特徴とする［１］〜［４］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
［６］ピックアップしたチップをダイボンディング工程に移行する工程を含むことを特徴とする［５］に記載の半導体ウェハの処理方法。
本発明によれば、チップ切断面のチッピングを低減することできる。また、製造設備を簡易化してプロセスコストを抑えることができる。
本発明の第１実施形態における半導体ウェハへの表面保護テープ貼合までの工程を説明する概略断面図であり、分図１（ａ）は半導体ウェハを示し、分図１（ｂ）は表面保護テープを貼合する様子を示し、分図１（ｃ）は表面保護テープを貼合した半導体ウェハを示す。 本発明の第１実施形態における半導体ウェハの薄膜化と固定までの工程を説明する概略断面図であり、分図２（ａ）は半導体ウェハの薄膜化処理を示し、分図２（ｂ）はウェハ固定テープを貼合する様子を示し、分図２（ｃ）は半導体ウェハをリングフレームに固定した状態を示す。 本発明の第１実施形態におけるマスク形成までの工程を説明する概略断面図であり、分図３（ａ）は表面保護テープから基材フィルムを引き剥がす様子を示し、分図３（ｂ）は表面保護テープの粘着剤層が剥き出しになった状態を示し、分図３（ｃ）はレーザーでストリートに相当する粘着剤層を切除する工程を示す。 本発明の第１実施形態におけるプラズマダイシングとプラズマアッシングの工程を説明する概略断面図であり、分図４（ａ）はプラズマダイシングを行う様子を示し、分図４（ｂ）はチップに個片化された状態を示し、分図４（ｃ）はプラズマアッシングを行う様子を示す。 本発明の第１実施形態におけるチップをピックアップするまでの工程を説明する概略断面図であり、分図５（ａ）はマスクとなった粘着剤層が除去された状態を示し、分図５（ｂ）はチップをピックアップする様子を示す。 本発明の第２実施形態における紫外線照射処理を行う前後の状態を説明する概略断面図であり、分図６（ａ）は半導体ウェハの表裏両面をそれぞれ表面保護テープとウェハ固定テープとで被覆し固定した状態を示し、分図６（ｂ）は紫外線が照射される様子を示し、分図６（ｃ）は表面保護テープから基材フィルムを引き剥がす様子を示す。 本発明の第３実施形態におけるレーザーでマスク形成を行う前後の状態を説明する概略断面図であり、分図７（ａ）は半導体ウェハの表裏両面をそれぞれ表面保護テープとウェハ固定テープとで被覆し固定した状態を示し、分図７（ｂ）はレーザーでストリート部分に相当する粘着剤層を切除する工程を示し、分図７（ｃ）は表面保護テープから基材フィルムを引き剥がす様子を示す。 本発明の第４実施形態における基材フィルムを引き剥がすまでの工程を説明する概略断面図であり、分図８（ａ）は半導体ウェハの表裏両面をそれぞれ表面保護テープとウェハ固定テープとで被覆し固定した状態を示し、分図８（ｂ）は紫外線が照射される様子を示し、分図８（ｃ）はレーザーでストリート部分に相当する表面保護テープを切除する工程を示し、分図８（ｄ）は基材フィルムを引き剥がす様子を示す。
本発明の半導体ウェハの処理方法は、以下に説明するように、パターン面を保護する表面保護テープもしくは表面保護テープの粘着剤のうち、ストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断してマスクを形成し、このマスクにより、ＳＦ６プラズマでダイシングを行うことで、フォトリソ工程が不要となり製造コストを抑えることができる。
本発明の半導体ウェハの処理方法は、少なくとも下記の（ａ）〜（ｄ）の工程を含む。
（ａ）パターン面側に、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護テープが貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削した裏面にウェハ固定テープを貼合して、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ）半導体ウェハのストリートに相当する部分のＣＯ２レーザーによる切断および基材フィルムの剥離を含む工程により、半導体ウェハのパターン面側からストリートを開口する工程、
（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハをストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ２プラズマにより粘着剤層を除去するアッシング工程
本発明では、（ｄ）工程の後、以下の工程を含むことが好ましい。
（ｅ）ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程
（ｆ）ピックアップしたチップをダイボンディング工程に移行する工程
ここで、上記（ｂ）工程において、表面保護テープから基材フィルムを剥離する工程を、ＣＯ２レーザーで切断する工程の前に行うか、後に行うかである。
具体的には、以下の工程であることが好ましい。
上記（ｂ）工程の第一の好ましい工程
（ｉ）半導体ウェハのパターン面に貼合した表面保護テープから基材フィルムを剥離して粘着剤層を表出させる工程および、（ｉｉ）表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程からなる。
上記（ｂ）工程の第二の好ましい工程
第二は、（ｉ）半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程、および、（ｉｉ）表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程からなる。
また、上記（ｂ）工程は、さらに、基材フィルムを剥離する以前に紫外線を照射して粘着剤層を硬化させる工程を含む。
ここで、上記（ｃ）工程のＳＦ６プラズマによるプラズマ処理は、半導体ウェハのパターン面側からストリートに相当する部分を開口しており、粘着剤層側から該開口部分に対してプラズマ処理することでチップが個片化される。
以下に、図面を参照して本発明の半導体ウェハの処理方法の好ましい実施態様を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明の半導体ウェハの処理方法は、下記に示すように、第１〜４の実施形態に分類される。
なお、以下に示す工程に用いられる装置及び材料は、特に断りのない限り、従来半導体ウェハの加工に用いられている装置等を使用することができ、その使用条件は常法により適切な条件を設定することができる。また、各実施形態で共通する材質、構造、方法、効果などについては重複記載を省略する。
＜第１実施形態［図１〜図５］＞
本発明の好ましい第１の実施形態である半導体ウェハの個片化方法を図１〜図５を参照して説明する。
半導体ウェハ１は、その表面Ｓに半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有している（図１(ａ)参照）。このパターン面２には、基材フィルム３ａに粘着剤層３ｂを設けた表面保護テープ３を貼合し（図１(ｂ)参照）、パターン面２が表面保護テープ３で被覆された半導体ウェハ１を得る（図１(ｃ)参照）。
次に、半導体ウェハ１の裏面Ｂをウェハ研削装置Ｍ１で研削し、半導体ウェハ１の厚みを薄くする（図２(ａ)参照）。その研削した裏面Ｂにはウェハ固定テープ４を貼合して（図２(ｂ)参照）、リングフレームＦに支持固定する（図２(ｃ)参照）。
半導体ウェハ１から表面保護テープ３の基材フィルム３ａを剥離するとともにその粘着剤層３ｂは半導体ウェハ１に残して（図３(ａ)参照）、粘着剤層３ｂを剥き出しにする（図３(ｂ)参照）。そして、表面Ｓの側からパターン面２に格子状等に適宜形成された複数のストリート（図示せず）に対してＣＯ２レーザーＬを照射して、粘着剤層３ｂを除去し開口する（図３(ｃ)参照）。
次に、表面Ｓ側からＳＦ６ガスのプラズマＰ１による処理を行いストリート部分で剥き出しになった半導体ウェハ１をエッチングし（図４(ａ)参照）、個々のチップ７に分割して個片化する（図４(ｂ)参照）、次いでＯ２ガスのプラズマＰ２によってアッシングを行い（図４(ｃ)参照）、表面Ｓに残った粘着剤層３ｂを取り除く（図５(ａ)参照）。そして最後に個片化されたチップ７をピンＭ２により突き上げコレットＭ３により吸着してピックアップする（図５(ｂ)参照）。
ここで、ＳＦ６ガスを用いた半導体ウェハのＳｉのエッチングプロセスはＢＯＳＣＨプロセスとも呼ばれ、露出したＳｉと、ＳＦ６をプラズマ化して生成したＦ原子とを反応させ、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）として除去するものであり、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）とも呼ばれる。一方、Ｏ２プラズマによる除去は、半導体製造プロセス中ではプラズマクリーナーとしても用いられる方法でアッシング（灰化）とも呼ばれ、対有機物除去の手法の一つである。半導体デバイス表面に残った有機物残渣をクリーニングするために行われる。
次に上記方法で用いた材料について説明する。
半導体ウェハ１は、片面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有するシリコンウェハなどであり、パターン面２は、半導体素子の回路などが形成された面であって、平面視においてストリートを有する。
表面保護テープ３は、基材フィルム３ａに粘着剤層３ｂを設けた構成からなり、パターン面２に形成された半導体素子を保護する機能を有する。即ち、後工程のウェハ薄膜化工程ではパターン面２で半導体ウェハ１を支持してウェハの裏面が研削されるために、この研削時の負荷に耐える必要がある。そのため、表面保護テープ３は単なるレジスト膜等とは異なり、パターン面に形成される素子を被覆するだけの厚みがあって、その押圧抵抗は低く、また研削時のダストや研削水などの浸入が起こらないように素子を密着できるだけの密着性が高いものである。
表面保護テープ３のうち基材フィルム３ａはプラスチックやゴム等からなり、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体、あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン−もしくはペンテン系共重合体等の単体もしくは２種以上を混合させたもの、さらにこれらにこれら以外の樹脂や充填材、添加剤等が配合された樹脂組成物をその材質として挙げることができ、要求特性に応じて任意に選ぶことができる。低密度ポリエチレンとエチレン酢酸ビニル共重合体の積層体や、ポリプロピレンとポリエチレンテレフタレートの積層体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートは好適な材質の一つである。
これらの基材フィルム３ａは、一般的な押出し法を用いて製造できるが、基材フィルム３ａを種々の樹脂を積層して得る場合には、共押出し法、ラミネート法などで製造され、この際通常のラミネートフィルムの製法に於いて普通に行われている様に、樹脂と樹脂の間に接着層を設けても良い。この様な基材フィルム３ａの厚さは、強・伸度特性、放射線透過性の観点から２５〜１１０μｍであり、２５μｍは好ましい態様の一つである。
粘着剤層３ｂは、パターン面２への貼着に際し半導体素子等を傷つけるものではなく、また、その除去の際に半導体素子等の破損や表面への粘着剤残留を生じさせないものであり、かつプラズマダイシングに際しマスクとして機能する耐プラズマ性が必要である。
そのため、粘着剤層３ｂにはこうした性質を有する非硬化性の粘着剤や、好ましくは放射線、より好ましくは紫外線硬化により粘着剤が三次元網状化を呈し、粘着力が低下すると共に剥離した後の表面に粘着剤などの残留物が生じ難い、紫外線硬化型や電子線のような電離性放射線硬化型等の放射線重合型の粘着剤を用いることができる。
なお、放射線とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線を含む概念である。
こうした粘着剤としては、アクリル系粘着剤や、このアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなる粘着剤とすることができる。
アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては質量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。
硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。
また、放射線で硬化する粘着剤は、放射線硬化型粘着剤と称され、放射線で硬化しない粘着剤は感圧型粘着剤と称される。
放射線硬化型粘着剤は、前記のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。放射線重合性化合物とは、例えば紫外線の照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。
更には、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とすることも可能である。
放射線重合性アクリル酸エステル共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。このような反応性の基としては、エチレン性不飽和基、すなわち、炭素−炭素二重結合を有する基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、スチリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリルロイルアミノ基などが挙げられる。
このような反応性の基は、例えば、共重合ポリマーの側鎖に、ヒドロキシ基を有する共重合体に、ヒドロキシ基と反応する基、例えば、イソシアネート基などを有し、かつ紫外線照射で重合反応することが可能な上記の反応性の基を有する化合物〔（代表的には、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート〕を反応させることによって得ることができる。
また、放射線により粘着剤層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することが出来る。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることが出来る。
２−エチルヘキシルアクリレートとｎ−ブチルアクリレートとの共重合体から成るアクリル系粘着剤に対して、紫外線硬化性の炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレート化合物を含有し、光開始剤および光増感剤、その他従来公知の粘着付与剤、軟化剤、酸化防止剤等を配合してなる粘着剤は好ましい態様の一つである。
放射線硬化型粘着剤もしくは放射線硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、特開２０１４−１９２２０４号公報の段落番号００３６〜００５５に記載されているものが好ましい。
粘着剤層３ｂの厚さは、５〜３０μｍである。５μｍよりも薄いとパターン面２に形成された素子等の保護が不十分となるおそれがあり、また、パターン表面の凹凸に対して密着不足である場合、ＳＦ６ガスの侵入によりデバイスに対してダメージが発生する。一方、１００μｍを超えるとＯ２プラズマでのアッシング処理が困難となる。なお、デバイスの種類にもよるが、パターン表面の凹凸は概ね数μｍ〜１５μｍ程度であるため、５〜３０μｍとする。
粘着剤層３ｂには、上記材質でなる粘着剤に加え、アンカー層を基材フィルム３ａ側に含めて設けることができる。このアンカー層は、通常、（メタ）アクリル共重合体と硬化剤を必須成分とするアクリル系粘着剤からなり、感圧型粘着剤が使用される。
基材フィルム３ａと粘着剤層３ｂとの層間には、基材フィルム３ａだけを引き剥がし易いように、密着性向上処理であるコロナ処理や、易接着プライマーコーティングなどは行わないことが好ましい。
また、同様の趣旨から、基材フィルム３ａの平滑面に対して粘着剤層３ｂを積層することが好ましく、基材フィルム３ａの凹凸面（シボ面）に対しては粘着剤層３ｂを積層しないことが好ましい。凹凸面に積層すると基材フィルム３ａに対する粘着剤層３ｂの密着性が高まるからである。また、基材フィルム３ａとして、粘着剤層３ｂとの間の剥離を容易にするセパレータを使用することも好ましい。
ウェハ固定テープ４は、半導体ウェハ１を保持し、プラズマダイシング工程にさらされても耐えうるプラズマ耐性が必要である。またピックアップ工程においては良好なピックアップ性や場合によってはエキスパンド性等も要求されるものである。こうしたウェハ固定テープ４には、上記表面保護テープ３と同様なテープを用いることができる。また一般的にダイシングテープと称される従来のプラズマダイシング方式で利用される公知のダイシングテープを用いることができる。また、ピックアップ後のダイボンディング工程への移行を容易にするために、粘着剤層と基材フィルムとの間にダイボンディング用接着剤が積層したダイボンディングテープを用いることもできる。
粘着剤層３ｂを切断するレーザー照射には、紫外線または赤外線のレーザー光を照射するレーザー照射装置を用いることができる。このレーザー光照射装置は、半導体ウェハ１のストリートに沿って移動自在にレーザー照射部を配設しており、粘着剤層３ｂを除去するために適切に制御された出力のレーザーを照射できる。レーザー光としてＣＯ２レーザーを用いれば数Ｗ〜数十Ｗの大出力を得ることが可能であり、レーザーの中でもＣＯ２レーザーを好適に利用できる。
プラズマダイシングおよびプラズマアッシングを行うにはプラズマエッチング装置を用いることができる。プラズマエッチング装置は、半導体ウェハ１に対してドライエッチングを行い得る装置であって、真空チャンバ内に密閉処理空間をつくり、高周波側電極に半導体ウェハ１が載置され、その高周波側電極に対向して設けられたガス供給電極側からプラズマ発生用ガスが供給されるものである。高周波側電極に高周波電圧が印加されればガス供給電極と高周波側電極との間にプラズマが発生するため、このプラズマを利用する。発熱する高周波電極内には冷媒を循環させて、プラズマの熱による半導体ウェハ１の昇温を防止している。
上記半導体ウェハの処理方法によれば、パターン面を保護する表面保護テープにプラズマダイシングにおけるマスク機能を持たせたことで、従来のプラズマダイシングプロセスで用いられていたレジストを設けるためのフォトリソ工程等が不要となる。特に表面保護テープを用いたため、マスクの形成に印刷や転写等の高度な位置合わせが要求される技術が不要で簡単に半導体ウェハ表面に貼合でき、レーザー装置があれば簡単にマスクを形成できる。
また、粘着剤層３ｂをＯ２プラズマで除去できるため、プラズマダイシングを行う装置と同じ装置でマスク部分の除去ができる。加えてパターン面２側（表面Ｓ側）からプラズマダイシングを行うため、ピッキング作業前にチップの上下を反転させる必要がない。これらの理由から設備を簡易化でき、プロセスコストを大幅に抑えることができる。
＜第２実施形態［図６］＞
本実施形態では第１実施形態における基材フィルム３ａを剥離する工程の前に、表面保護テープ３に紫外線等の放射線を照射して粘着剤層を硬化させる工程を含む点で第１実施形態と異なる。その他の工程は第１実施形態と同じである。
即ち、半導体ウェハ１の表面Ｓ側には表面保護テープ３を貼合し、半導体ウェハ１の研削した裏面Ｂ側にはウェハ固定テープ４を貼合し、リングフレームＦに支持固定した（図２(ｃ)、図６(ａ)参照）後、表面Ｓ側から表面保護テープ３に向けて紫外線ＵＶを照射する（図６(ｂ)参照）。そして、表面保護テープ３の粘着剤層３ｂを硬化させた後、基材フィルム３ａを取り除いて（図６(ｃ)参照）粘着剤層３ｂを剥き出しにする。そしてレーザーＬによりストリートに相当する部分の粘着剤層３ｂを切除する工程に移る。
本実施形態で用いる表面保護テープは、第１実施形態で示した表面保護テープ３の中でも紫外線等の放射線で硬化可能な材質を粘着剤層３ｂに用いたものである。
粘着剤層３ｂを紫外線等で硬化させることにより、基材フィルム３ａとの剥離を容易にし、また、プラズマダイシング時のプラズマ耐性を向上させることができる。
＜第３実施形態［図７］＞
第１実施形態では、表面保護テープ３の基材フィルム３ａを剥がしてからＣＯ２レーザーで粘着剤層３ｂを切断してストリート部分を開口していたが、本実施形態では、基材フィルム３ａを付けたままＣＯ２レーザーでその基材フィルム３ａと粘着剤層３ｂとの両層を切断してストリート部分を開口する点で異なる。
換言すれば、表面保護テープ３のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程と、表面保護テープ３からその基材フィルム３ａを剥離して表面保護テープ３の粘着剤層３ｂを表出させる工程と、を第１実施形態の表面保護テープ３からその基材フィルム３ａを剥離して表面保護テープ３の粘着剤層３ｂを表出させる工程と、表出した粘着剤層３ｂのうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断してストリートを開口する工程とに代えて実行する。
即ち、半導体ウェハ１の表面Ｓ側には表面保護テープ３を貼合し、半導体ウェハ１の研削した裏面Ｂ側にはウェハ固定テープ４を貼合し、リングフレームＦに支持固定した（図２(ｃ)、図７(ａ)参照）後、表面Ｓ側から格子状等に適宜形成された複数のストリート（図示せず）に対してＣＯ２レーザーＬを照射して、表面保護テープ３を除去しストリート部分を開口する（図７(ｂ)参照）。次に残ったマスク部分の基材フィルム３ａを取り除いて粘着剤層３ｂを剥き出しにする（図７(ｃ)）。そしてプラズマダイシング工程に移行する。
マスク部分に残った基材フィルム３ａの除去は、別途準備した粘着テープを、除去すべき基材フィルム３ａに貼り付け、その粘着テープとともに基材フィルム３ａを除去する方法を採用すると簡単に基材フィルム３ａを取り除くことができて好ましい。
本実施形態では、基材フィルム３ａごとレーザーで切断したため、基材フィルム部分を事前に剥離する工程が簡略化可能となる。
＜第４実施形態［図８］＞
本実施形態では第３実施形態における基材フィルム３ａを剥離する工程の前に、表面保護テープ３に紫外線等の放射線を照射して粘着剤層３ｂを硬化させる工程を含む点で第３実施形態と異なる。その他の工程は第３実施形態と同じである。
即ち、半導体ウェハ１の表面Ｓ側には表面保護テープ３を貼合し、半導体ウェハ１の研削した裏面Ｂ側にはウェハ固定テープ４を貼合し、リングフレームＦに支持固定した（図２(ｃ)、図８(ａ)参照）後、表面Ｓ側から表面保護テープ３に向けて紫外線ＵＶを照射する（図８(ｂ)参照）。そして、表面保護テープ３の粘着剤層３ｂを硬化させた後、表面Ｓ側から格子状等に適宜形成された複数のストリート（図示せず）に対してＣＯ２レーザーＬを照射して、表面保護テープ３を除去しストリート部分を開口する（図８(ｃ)参照）。次に残ったマスク部分の基材フィルム３ａを取り除いて粘着剤層３ｂを剥き出しにする（図８(ｄ)）。そしてプラズマダイシング工程に移行する。
本実施形態で用いる表面保護テープ３は、第１実施形態で示した表面保護テープ３の中でも紫外線等の放射線で硬化可能な材質を粘着剤層３ｂに用いたものである。
粘着剤層３ｂを紫外線等で硬化させることにより、基材フィルム３ａとの剥離を容易にし、また、プラズマダイシング時のプラズマ耐性を向上させることができる。
本実施形態の変形例として、レーザーによるストリート部分の開口を形成する工程を、紫外線照射工程に先んじて行うことができる。このようにしてもマスク部分の粘着剤層３ｂを硬化させることができる。
上記実施形態は本発明の一例であり、こうした形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に反しない限度において、各プロセスにおける公知のプロセスの付加や削除、変更等を行い得るものである。
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
実施例１
下記表１に示す構成からなる試料１〜８の表面保護テープを準備して、それぞれの表面保護テープを用いて次に示す工程の処理を行った。
まず、直径８インチのシリコンウェハのパターン面側にウェハと略同径となるように表面保護テープを貼合し、バックグラインダー〔ＤＦＤ８５４０（株式会社ディスコ製）〕にてウェハ厚が５０μｍになるまで研削した。次いで、研削されたウェハ裏面側にＵＶ硬化型ダイシングテープ〔ＵＣ−３５３ＥＰ−１１０（古河電工製）〕を貼合し、リングフレームにて支持固定した。次いで表面保護テープから基材フィルムを引き剥がし、剥き出しになった粘着剤層の上からシリコンウェハのストリート部分に沿って、ＣＯ２レーザーで粘着剤層を除去してストリート部分を開口した。
その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、０．５μｍ／分のエッチング速度で、剥き出しになった粘着剤層の面側からプラズマ照射して、プラズマダイシングを行い、ウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．０μｍ／分のエッチング速度で、アッシングを行い、粘着剤層を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射しダイシングテープの粘着力を低減させ、ピックアップ工程にて、チップをピックアップした。
Figure 0006738591
ここで、表１中のセパレータは東洋紡製 Ｅ７００６である。反応性Ｐは、ポリマーの分子中に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系粘着剤を主成分とする紫外線硬化型粘着剤であり、粘着剤層Ａは、アクリル系粘着剤と放射線重合性化合物を主成分とする紫外線硬化型粘着剤の層である。また、アンカー層の感圧型粘着剤はアクリル系共重合体と硬化剤を主成分とする感圧型の粘着剤である。
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、試料１〜８のいずれの表面保護テープを用いて実験した例でもチッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
実施例２
上記表１に示す構成からなる試料１〜８の表面保護テープを用いて実施例１の一部を変更する処理を行った。
即ち、基材フィルムの引き剥がしの前に紫外線を照射して粘着剤層を硬化する処理を行った。その他の処理は実施例１と同様にした。
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、試料１〜８のいずれの表面保護テープを用いて実験した例でもチッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
実施例３
上記表１に示す構成からなる試料１〜８の表面保護テープを用いて実施例１の一部を変更する処理を行った。
即ち、基材フィルムの引き剥がしの前にＣＯ２レーザーで基材フィルムと粘着剤層を除去してストリート部分を開口してから、基材フィルムを除去し、その後プラズマダイシング処理を行った。その他の処理は実施例１と同様にした。
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、試料１〜８のいずれの表面保護テープを用いて実験した例でもチッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
実施例４
上記表１に示す構成からなる試料１〜８の表面保護テープを用いて実施例３の一部を変更する処理を行った。
即ち、ＣＯ２レーザーを照射する前に紫外線を照射して粘着剤層を硬化する処理を行った。その他の処理は実施例３と同様にした。
ピックアップ後のチップをチェックしたところ、試料１〜８のいずれの表面保護テープを用いて実験した例でもチッピングは観測されなかった。また、良好にピックアップすることができた。
１ 半導体ウェハ
２ パターン面
３ 表面保護テープ
３ａ 基材フィルム
３ｂ 粘着剤層
４ ウェハ固定テープ
４ａ 粘着剤層または接着剤層
４ｂ 基材フィルム
７ チップ
Ｓ 表面
Ｂ 裏面
Ｍ１ ウェハ研削装置
Ｍ２ ピン
Ｍ３ コレット
Ｆ リングフレーム
Ｌ ＣＯ２レーザー
Ｐ１ ＳＦ６ガスのプラズマ
Ｐ２ Ｏ２ガスのプラズマ

Claims (6)

  1. 半導体ウェハの処理方法であって、
    （ａ）パターン面側に、基材フィルム上に５〜３０μｍの厚さの粘着剤層を有し、基材フィルムの厚さが２５〜１１０μｍである、表面保護テープが貼合された状態で半導体ウェハの裏面を研削し、研削した裏面にウェハ固定テープを貼合して、リングフレームで支持固定する工程、
    （ｂ１）前記基材フィルムを剥離する以前に紫外線を照射して前記粘着剤層を硬化させる工程、
    （ｂ）パターン面側の表面から、前記半導体ウェハのストリートに相当する部分のＣＯ２レーザーによる切断および前記基材フィルムの剥離を含む工程により、半導体ウェハのパターン面側からストリートを開口する工程、
    （ｃ）パターン面側の表面から、ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
    （ｄ）パターン面側の表面から、Ｏ２プラズマにより前記粘着剤層を除去するアッシング工程
    を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
  2. 前記（ｂ）工程が、（ｉ）半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程、および、（ｉｉ）該表出した粘着剤層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの処理方法。
  3. 前記（ｂ）工程が、（ｉｉｉ）半導体ウェハのパターン面に貼合した前記表面保護テープのうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をＣＯ２レーザーで切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、および、（ｉｖ）該表面保護テープから前記基材フィルムを剥離して前記粘着剤層を表出させる工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの処理方法。
  4. 前記（ａ）工程のウェハ固定テープが、ダイシングテープまたはダイシングダイボンディングテープであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
  5. 前記（ｄ）工程の後、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
  6. ピックアップしたチップをダイボンディング工程に移行する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェハの処理方法。
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