JP6722086B2

JP6722086B2 - 表示装置

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Inventors: 真啓久保田; 中村　則夫; 則夫中村
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Description

本発明は、表示装置に関する。

有機エレクトロルミネセンス（Electroluminescence：ＥＬ）を利用した画素を有する表示装置が知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１３−１０１２５９号公報

有機ＥＬの表示装置では、フレーム画像の更新タイミングからの時間経過に伴い、各画素の輝度が低下する現象が発生する。このため、最も輝度が低下したフレーム画像の更新直前と最も輝度の低下が少ない更新直後との間で生じる輝度差がフリッカとして視認されることがあった。

本発明は、更新前後のフリッカをより低減することができる表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様による表示装置は、発光素子を有する画素を有する表示部と、前記画素の発光タイミングを制御する制御部とを備え、前記制御部は、フレーム画像が表示される時間を所定の単位時間に分割し、前記単位時間あたりの光量が同じになるよう前記画素の発光の有無を切り替える。

図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図２は、実施形態に係る画像表示パネルの副画素の配列を示す図である。図３は、実施形態に係る画像表示パネルの断面構造を示す図である。図４は、実施形態に係る画像表示パネルの副画素の他の配列を示す図である。図５は、画像表示パネル駆動部の各構成と副画素との接続関係の一例を示す模式図である。図６は、副画素に係る構成の一例を示す模式的な回路図である。図７は、副画素のリセット及び発光に係る各種の信号の出力例を示すタイミングチャートである。図８は、制御回路によるＯＮ状態とＯＦＦ状態の切り替えの一例を示す図である。図９は、電荷保持用コンデンサ等に生じる静電容量の減少に伴う有機発光ダイオードの輝度の低下を模式的に示す図である。図１０は、変形例１の制御回路によるＯＮ状態とＯＦＦ状態の切り替えの一例を示す図である。図１１は、変形例２の制御回路によるＯＮ状態とＯＦＦ状態の切り替えの一例を示す図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示すブロック図である。図１に示すように、実施形態の表示装置１０は、信号処理部２０と、画像表示パネル駆動部３０と、画像表示パネル４０とを有する。信号処理部２０は、制御装置１１の画像出力部１２からの入力信号ＩＰ（ＲＧＢデータ）が入力され、入力信号ＩＰに所定のデータ変換処理を加えて生成した出力信号ＯＰを表示装置１０の各部に送る。画像表示パネル駆動部３０は、信号処理部２０からの信号に基づいて画像表示パネル４０の駆動を制御する。画像表示パネル４０は、画像表示パネル駆動部３０からの信号に基づいて画素４８が有する副画素４９の自発光体を点灯させて画像を表示する自発光型の画像表示パネルである。

最初に、画像表示パネル４０の構成について説明する。図２は、実施形態に係る画像表示パネル４０の副画素４９の配列を示す図である。図３は、実施形態に係る画像表示パネル４０の断面構造を示す図である。図１に示すように、画像表示パネル４０は、画素４８が、Ｐ_０×Ｑ_０個（行方向にＰ_０個、列方向にＱ_０個）、２次元のマトリクス状（行列状）に配列されている。このように、表示部として機能する画像表示パネル４０には、画素４８が設けられて表示出力が行われる領域としてアクティブエリアＡＡが設けられている。

画素４８は、複数の副画素４９を含む。具体的には、画素４８は、例えば図２に示すように、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとを有する。第１副画素４９Ｒは、第１色としての原色の赤色を表示する。第２副画素４９Ｇは、第２色としての原色の緑色を表示する。第３副画素４９Ｂは、第３色としての原色の青色を表示する。ただし、第１色、第２色、第３色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。以下において、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素４９という。

図３に示すように、画像表示パネル４０は、基板５１と、絶縁層５２，５３と、反射層５４と、下部電極５５と、自発光層５６と、上部電極５７と、絶縁層５８，５９と、色変換層としてのカラーフィルタ６１と、遮光層としてのブラックマトリクス６２と、基板５０とを備えている。基板５１は、シリコンなどの半導体基板、ガラス基板、樹脂基板などであって、上述した点灯駆動回路などを形成又は保持している。絶縁層５２は、上述した点灯駆動回路などを保護する保護膜であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。下部電極５５は、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとにそれぞれ設けられており、発光素子としての有機発光ダイオードＥＬ（図６参照）のアノード（陽極）となる導電体である。下部電極５５は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。絶縁層５３は、バンクと呼ばれ、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂとを区画する絶縁層である。反射層５４は、自発光層５６からの光を反射する金属光沢のある材料、例えば銀、アルミニウム、金などで形成されている。自発光層５６は、有機材料を含み、不図示のホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。

正孔を発生する層としては、例えば、芳香族アミン化合物と、その化合物に対して電子受容性を示す物質とを含む層を用いることが好ましい。ここで、芳香族アミン化合物とは、アリールアミン骨格を有する物質である。芳香族アミン化合物の中でも特に、トリフェニルアミンを骨格に含み、４００以上の分子量を有するものが好ましい。また、トリフェニルアミンを骨格に有する芳香族アミン化合物の中でも特にナフチル基のような縮合芳香環を骨格に含むものが好ましい。トリフェニルアミンと縮合芳香環とを骨格に含む芳香族アミン化合物を用いることによって、発光素子の耐熱性が良くなる。芳香族アミン化合物の具体例としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）、２，２’，３，３’−テトラキス（４−ジフェニルアミノフェニル）−６，６’−ビスキノキサリン（略称：Ｄ−ＴｒｉＰｈＡＱｎ）、２，３−ビス｛４−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：ＮＰＡＤｉＢｚＱｎ）等が挙げられる。また、芳香族アミン化合物に対して電子受容性を示す物質について特に限定はなく、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）等を用いることができる。

電子輸送性物質について特に限定はなく、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いることができる。また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質について特に限定はなく、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。また、リチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）等、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の中から選ばれた物質を、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質として用いても構わない。

例えば、赤色系の発光を得たいときには、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン等、６００ｎｍから６８０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また緑色系の発光を得たいときは、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等、５００ｎｍから５５０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また、青色系の発光を得たいときは、９，１０−ビス（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等、４２０ｎｍから５００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。以上のように、蛍光を発光する物質の他、ビス［２−（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（ＦＩｒ（ｐｉｃ））、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）、イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等の燐光を発光する物質も発光物質として用いることができる。

上部電極５７は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。なお本実施形態では、透光性導電材料の例としてＩＴＯを挙げたが、これに限定されない。透光性導電材料として、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）等の別の組成を有する導電材料を用いてもよい。上部電極５７は、有機発光ダイオードＥＬのカソード（陰極）になる。絶縁層５８は、上部電極５７を封止する封止層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。絶縁層５９は、バンクにより生じる段差を抑制する平坦化層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。基板５０は、画像表示パネル４０全体を保護する透光性の基板であり、例えば、ガラス基板を用いることができる。なお、図３においては、下部電極５５がアノード（陽極）、上部電極５７がカソード（陰極）の例を示しているが、これに限定されない。下部電極５５がカソード及び上部電極５７がアノードであってもよく、その場合は、下部電極５５に電気的に接続されている駆動用トランジスタＤＲＴ（図６参照）の極性を適宜変えることも可能であり、また、キャリア注入層（ホール注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（ホール輸送層及び電子輸送層）、発光槽の積層順を適宜変えることも可能である。

画像表示パネル４０は、カラー表示パネルであり、自発光層５６の発光成分のうち、副画素４９と画像観察者との間に、副画素４９の色に応じた色の光を通過させるカラーフィルタ６１が配置されている。画像表示パネル４０は、赤色、緑色、青色、及び白色に対応する色の光を発光することができる。また、画像表示パネル４０は、自発光層５６の発光成分がカラーフィルタ６１などの色変換層を介さず、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂの各々の色を発光することもできる。

図４は、実施形態に係る画像表示パネル４０の副画素４９の他の配列を示す図である。画像表示パネル４０は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗを含む副画素４９を２行２列で組み合わせた画素４８がマトリクス状に配置されている。第４副画素４９Ｗは、第１色、第２色及び第３色とは異なる第４色（例えば、白色）を表示する。このように、画像表示パネル４０は、画素４８内の副画素４９の配列を、任意に設定してもよい。なお、白色に対応する第４副画素４９Ｗと画像観察者との間のカラーフィルタ６１は、配置されていないようにしてもよいし、カラーフィルタ６１の代わりに透明な樹脂層が備えられていてもよい。透明な樹脂層を設けることで、第４副画素４９Ｗに大きな段差が生じることを抑制することができる。

信号処理部２０は、制御装置１１から入力される入力信号ＩＰを処理して出力信号ＯＰを生成する。信号処理部２０は、例えば、赤色（第１色）、緑色（第２色）、青色（第３色）の色の組み合わせによる入力信号ＩＰが示す入力値を、副画素４９の色の組み合わせで再現される色空間の再現値を示す出力信号ＯＰに変換して生成する。そして、信号処理部２０は、生成した出力信号ＯＰを画像表示パネル駆動部３０に出力する。

画像表示パネル駆動部３０は、例えば、信号出力回路３１、走査回路３２、電源回路３３、制御回路３４を有する。信号出力回路３１は、所謂ソースドライバとして機能し、信号処理部２０から出力された出力信号ＯＰを副画素４９の各々に割り当て、信号線Ｖｓｉｇを介して副画素４９の各々に出力する。走査回路３２は、所謂ゲートドライバとして機能し、副画素４９を行単位で駆動する駆動信号を含む各種の信号を出力する。電源回路３３は、有機発光ダイオードＥＬに流れる電流を生じさせる電圧を生成する。具体的には、電源回路３３は、例えば低電位部ＰＶＳＳ（図６参照）の電位よりも高い電位を示す電圧を生成して高電位部ＰＶＤＤに供給する。制御回路３４は、画素４８が有する副画素４９の発光タイミングを制御する。また、制御回路３４は、信号出力回路３１及び走査回路３２の動作に係る信号（動作制御信号Ｓｉｇ）を出力して信号出力回路３１と走査回路３２の動作を制御する。動作制御信号Ｓｉｇは、例えば信号出力回路３１及び走査回路３２に対するクロック信号等を含む。係るクロック信号は、例えば入力信号ＩＰに同期して制御回路３４を動作させるために制御装置１１から出力される同期信号ＣＬに応じて出力される。

以下、画像表示パネル駆動部３０と副画素４９との関係についてより詳細に説明する。図５は、画像表示パネル駆動部３０の各構成と副画素４９との接続関係の一例を示す模式図である。図６は、副画素４９に係る構成の一例を示す模式的な回路図である。図１、図５に示すように、信号出力回路３１は、信号線Ｖｓｉｇを介して画素４８が有する副画素４９の各々と接続されている。また、走査回路３２は、走査線ＳＧを介して画素４８が有する副画素４９の各々と接続されている。信号線Ｖｓｉｇは、列方向に並ぶ複数の副画素４９で共有されている。走査線ＳＧは、行方向に並ぶ複数の副画素４９で共有されている。信号出力回路３１は、出力信号ＯＰを信号線Ｖｓｉｇに出力する。走査回路３２は、駆動信号を走査線ＳＧに出力する。なお、図５では走査回路３２がアクティブエリアＡＡを挟んで対向する２辺に沿う２つの走査回路３２ａ，３２ｂとして設けられているが、これは走査回路３２の具体的構成例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。

図６に示すように、副画素４９は、制御用トランジスタＳＳＴと、駆動用トランジスタＤＲＴと、電荷保持用コンデンサＣｓと、ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴと、発光制御トランジスタＣＣＴとを含む。なお、ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴ及び発光制御トランジスタＣＣＴは、複数の副画素（例えば、１つの画素４８が有する第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂ）で共用される構成であってもよい。制御用トランジスタＳＳＴのゲートが走査線ＳＧに接続され、ドレインが信号線Ｖｓｉｇに接続され、ソースが駆動用トランジスタＤＲＴのゲートに接続されている。電荷保持用コンデンサＣｓの一端が駆動用トランジスタＤＲＴのゲートに接続され、他端が駆動用トランジスタＤＲＴのソースに接続されている。駆動用トランジスタＤＲＴのドレインが高電位部ＰＶＤＤ側に接続されており、駆動用トランジスタＤＲＴのソースが自発光体である有機発光ダイオードＥＬのアノード側に接続されている。有機発光ダイオードＥＬのカソードは、例えば基準電位として機能する低電位部ＰＶＳＳ（例えばアースとしての基準電位を示す電極）に接続されている。なお、図６は制御用トランジスタＳＳＴがｎチャネル型トランジスタ、駆動用トランジスタＤＲＴがｎチャネル型トランジスタの例を示しているが、それぞれのトランジスタの極性はこれに限定されない。必要に応じて、制御用トランジスタＳＳＴ及び駆動用トランジスタＤＲＴそれぞれの極性を決めればよい。また、図５、図６では、低電位部ＰＶＳＳに隣接する副画素４９のみ低電位部ＰＶＳＳからの矢印が図示されているが、実際には低電位部ＰＶＳＳは、例えばアクティブエリアＡＡ全体に広がる面部を有する電極を有し、全ての副画素４９が低電位部ＰＶＳＳと接続されている。

制御用トランジスタＳＳＴは、走査線ＳＧに駆動信号が出力されているタイミングで信号線Ｖｓｉｇに出力されている出力信号ＯＰに応じた電流を電荷保持用コンデンサＣｓに流すよう動作する。電荷保持用コンデンサＣｓは、出力信号ＯＰに応じた電流を静電容量として蓄積し、駆動用トランジスタＤＲＴのソース・ドレイン間を流れる電流を決定する。駆動用トランジスタＤＲＴのソース・ドレイン間には、高電位部ＰＶＤＤと低電位部ＰＶＳＳの電位差に応じた電圧が生じており、電荷保持用コンデンサＣｓに蓄積されている静電容量に応じて駆動用トランジスタＤＲＴが動作することで、当該電圧に基づいた電流が有機発光ダイオードＥＬに流れる。このようにして出力信号ＯＰに応じた電流が有機発光ダイオードＥＬに流れるようになっている。

本実施形態では、電荷保持用コンデンサＣｓの他端が接続されている駆動用トランジスタＤＲＴのソースにコンデンサＣａｄが設けられている。コンデンサＣａｄは、電荷保持用コンデンサＣｓと同様に静電容量を蓄積する。

また、高電位部ＰＶＤＤと低電位部ＰＶＳＳとの間には、駆動用トランジスタＤＲＴのドレイン側にＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴが設けられている。ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴのゲートがＥＬ電源開閉信号線ＢＧに接続され、ドレインが高電位部ＰＶＤＤに接続され、ソースが低電位部ＰＶＳＳ側に設けられている駆動用トランジスタＤＲＴのドレイン側に接続されている。ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴは、ＥＬ電源開閉信号線ＢＧの信号がハイになっている場合に導通する。

また、ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴと駆動用トランジスタＤＲＴとの間には、副画素４９の出力をリセットするためのリセット信号線Ｖｒｓｔが接続されている。リセット信号線Ｖｒｓｔの電圧は、例えば有機発光ダイオードＥＬに電流が流れないよう、例えばＰＶＳＳより１Ｖ〜２Ｖ程度低い電圧（例：−２［Ｖ］）に接続されている。また、リセット信号線Ｖｒｓｔには、リセット用トランジスタＲＳＴが設けられている。リセット用トランジスタＲＳＴのゲートがリセット信号線ＲＧと接続され、ソース及びドレインがリセット信号線Ｖｒｓｔに介在している。走査回路３２は、フレーム画像の更新に先立ってＥＬ電源開閉信号線ＢＧの信号をロウにして高電位部ＰＶＤＤからの高電位の伝送路を遮断するとともにリセット信号線ＲＧの信号をハイにしてＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴのソースからアノード間の配線をリセットする。

さらに、電荷保持用コンデンサＣｓの一端が接続されている駆動用トランジスタＤＲＴのゲートと制御用トランジスタＳＳＴとの間の配線には、コンデンサリセット用トランジスタＩＳＴのソースが接続されている。コンデンサリセット用トランジスタＩＳＴのゲートがコンデンサリセット信号線ＩＧと接続され、ドレインがリセット電位部Ｖｉｎｉと接続されている。リセット電位部Ｖｉｎｉの電圧は、駆動用トランジスタＤＲＴのソースに接続されているコンデンサ（例えば、電荷保持用コンデンサＣｓ等）をリセットするための電圧（例：１．２［Ｖ］〜１．３［Ｖ］）とされている。走査回路３２は、フレーム画像の更新に先立ってコンデンサリセット信号線ＩＧの信号をハイにして電荷保持用コンデンサＣｓ等の静電容量をリセットすることで、出力信号ＯＰが示す階調値に応じた有機発光ダイオードＥＬの発光状態をリセットする。その後、再度走査回路３２が駆動信号を走査線ＳＧに出力するタイミングに応じて信号出力回路３１が出力信号ＯＰを信号線Ｖｓｉｇに出力することで、副画素４９の出力の更新が行われる。すべての副画素４９の出力の更新が行われることで、フレーム画像の更新が行われる。本実施形態では、低電位部ＰＶＳＳは例えば０［Ｖ］又は０Ｖ未満であるが、これは一例であってこれに限られるものでない。

また、本実施形態では、高電位部ＰＶＤＤと低電位部ＰＶＳＳとを接続する有機発光ダイオードＥＬの配線上に発光制御トランジスタＣＣＴが設けられている。発光制御トランジスタＣＣＴのゲートが発光制御信号線ＣＧと接続され、ソース及びドレインが高電位部ＰＶＤＤと低電位部ＰＶＳＳとを接続する有機発光ダイオードＥＬの配線上に介在している。より具体的には、発光制御トランジスタＣＣＴのドレインがＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴのソースと接続され、ソースが駆動用トランジスタＤＲＴのドレインと接続されているが、これは発光制御トランジスタＣＣＴの配置の一例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。発光制御トランジスタＣＣＴは、走査回路３２から出力される発光制御信号線ＣＧの信号のハイ、ロウに応じて高電位部ＰＶＤＤと低電位部ＰＶＳＳとを接続する有機発光ダイオードＥＬの配線を開閉するスイッチとして機能する。発光制御トランジスタＣＣＴが閉じている場合、有機発光ダイオードＥＬは発光しない。

図７は、副画素４９のリセット及び発光に係る各種の信号の出力例を示すタイミングチャートである。本実施形態では、副画素４９のリセット及び出力信号ＯＰの更新は、副画素４９の行単位で行われる。図７では、隣接する２行の副画素４９の行のうち相対的に先にリセットが行われる副画素４９の行に接続されているリセット信号線ＲＧ、ＥＬ電源開閉信号線ＢＧ、発光制御信号線ＣＧ、コンデンサリセット信号線ＩＧ、走査線ＳＧをそれぞれＲＧ１、ＢＧ１、ＣＧ１、ＩＧ１、ＳＧ１としている。また、図７では、隣接する２行の副画素４９の行のうち相対的に後にリセットが行われる副画素４９の行に接続されているリセット信号線ＲＧ、ＥＬ電源開閉信号線ＢＧ、発光制御信号線ＣＧ、コンデンサリセット信号線ＩＧ、走査線ＳＧをそれぞれＲＧ２、ＢＧ２、ＣＧ２、ＩＧ２、ＳＧ２としている。図７では、２行の副画素４９の行に対する各種の信号のタイミングを例示しているが、他の副画素４９の行についても、隣接する２行の副画素４９の行間で同様の関係が成立する。すなわち、本実施形態の画像表示パネル４０は、列方向について副画素４９のリセット及び出力信号ＯＰの更新に係る走査が行われるよう設けられている。以下、ＲＧ１、ＢＧ１、ＣＧ１、ＩＧ１、ＳＧ１とＲＧ２、ＢＧ２、ＣＧ２、ＩＧ２、ＳＧ２とを区別する必要がない場合、リセット信号線ＲＧ、ＥＬ電源開閉信号線ＢＧ、発光制御信号線ＣＧ、コンデンサリセット信号線ＩＧ、走査線ＳＧの記載を用いて説明を行う。

まず、行単位での信号の順序について説明する。電荷保持用コンデンサＣｓのリセット動作に先立って、ＥＬ電源開閉信号線ＢＧの信号がハイからロウになるとともにリセット信号線ＲＧの信号がロウからハイになる。これによって、ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴを介した高電位部ＰＶＤＤと低電位部ＰＶＳＳとの間での電流が遮られるとともに、リセット信号線Ｖｒｓｔの電圧でＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴ−アノード間がリセットされる。次に、コンデンサリセット信号線ＩＧの信号がロウからハイになる。これによって、コンデンサリセット用トランジスタＩＳＴを通じてリセット電位部Ｖｉｎｉの電圧で電荷保持用コンデンサＣｓがリセットされる。本実施形態では、コンデンサリセット信号線ＩＧの信号をハイにする期間として、電荷保持用コンデンサＣｓのリセット期間ＲＳとオフセットキャンセル期間ＯＣとが設けられている。電荷保持用コンデンサＣｓのリセットに先立って信号がロウになっていたＥＬ電源開閉信号線ＢＧは、電荷保持用コンデンサＣｓのリセット期間ＲＳの完了に合わせて信号がハイになり、信号がハイになっていたリセット信号線ＲＧは電荷保持用コンデンサＣｓのリセット期間ＲＳの完了に合わせて信号がロウになる。オフセットキャンセル期間ＯＣの完了に伴い、コンデンサリセット信号線ＩＧの信号がハイからロウに戻る。その後、発光制御信号線ＣＧの信号がハイからロウになる。これによって、発光制御トランジスタＣＣＴを介した高電位部ＰＶＤＤと低電位部ＰＶＳＳとの間での電流が遮られる。これに合わせて、走査線ＳＧの信号がロウからハイになる。これによって、信号線Ｖｓｉｇを介して信号出力回路３１から出力された出力信号ＯＰに応じた電流が制御用トランジスタＳＳＴを通じて電荷保持用コンデンサＣｓ等に流れる。すなわち、電荷保持用コンデンサＣｓ等が出力信号ＯＰに応じた静電容量を蓄積する。

走査線ＳＧの信号がロウからハイになるタイミングは、オフセットキャンセル期間ＯＣ後に発光制御信号線ＣＧの信号がハイからロウになる冒頭のリロード期間ＲＲ内である。その後、発光制御信号線ＣＧの信号がロウからハイになれば、電荷保持用コンデンサＣｓ等の静電容量に応じた電流が高電位部ＰＶＤＤ−低電位部ＰＶＳＳ間で流れることで有機発光ダイオードＥＬが発光する（ＯＮ）状態になる。一方、発光制御信号線ＣＧの信号がロウである場合、高電位部ＰＶＤＤ−低電位部ＰＶＳＳ間の電流が発光制御トランジスタＣＣＴによって遮られることで有機発光ダイオードＥＬが発光しない（ＯＦＦ）状態になる。図７では、発光制御信号線ＣＧの信号によるＯＮ状態とＯＦＦ状態との切り替わりの一例を、「ＯＮ」及び「ＯＦＦ」の符号を付して例示している。ＯＦＦ状態は、リロード期間ＲＲと連続させることもできる。ＯＮ状態を最大限とした場合、発光制御信号線ＣＧの信号は破線Ｌが示すようなパターンを取る。

なお、副画素４９の各行におけるリセット信号線ＲＧ、ＥＬ電源開閉信号線ＢＧ、発光制御信号線ＣＧ、コンデンサリセット信号線ＩＧ、走査線ＳＧへの信号出力順は上記で説明した通りであるが、複数行の副画素４９について見た場合、ある１行のリセット期間ＲＳの完了を待たずに他の１行のリセット期間ＲＳが開始される。具体的には、例えば図７に示すように、ＲＧ１及びＢＧ１、ＩＧ１、ＲＧ２及びＢＧ２、ＩＧ２、ＣＧ１、ＳＧ１、ＣＧ２、ＳＧ２の順番でハイとロウが切り替わるタイミングが生じる。本実施形態では、行単位でリセット、リロード及、発光状態の切り替え等の諸制御が行われる場合を例示しているが、複数行単位でこれらの諸制御が行われてもよい。

以上、走査回路３２からの信号の出力タイミングについて説明したが、これらの出力タイミングは、制御回路３４が決定している。具体的には、例えば制御回路３４から走査回路３２に対する命令として機能する動作制御信号Ｓｉｇには、各行のリセット信号線ＲＧ、ＥＬ電源開閉信号線ＢＧ、発光制御信号線ＣＧ、コンデンサリセット信号線ＩＧ、走査線ＳＧへの信号の出力タイミングに係る指令が含まれており、走査回路３２が当該指令に応じて動作することで図７に例示するような信号の出力タイミング制御が実現されている。言い換えれば、制御回路３４は、例えばリロード期間ＲＲの完了後から次にリセット信号線ＲＧ及びＥＬ電源開閉信号線ＢＧへの信号出力パターンが切り替わるまでの間に発光制御信号線ＣＧへの信号出力パターンを切り替えることで、有機発光ダイオードＥＬのＯＮ状態とＯＦＦ状態とを切り替えることができる。

図８は、制御回路３４によるＯＮ状態とＯＦＦ状態の切り替えの一例を示す図である。制御部として機能する制御回路３４は、フレーム画像が表示される時間を所定の単位時間に分割し、後述する単位時間あたりの光量が同じになるよう副画素４９の発光の有無を切り替える。具体的には、例えば図８に示すように、制御回路３４は、１フレーム期間ＦＦを、複数の単位時間（例えば、８つの単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８）に等分割し、単位時間あたりの光量が同じになる有機発光ダイオードＥＬの発光パターンに対応した発光制御信号線ＣＧへの信号出力パターンを示す指令を走査回路３２に出力する。当該出力パターンは、例えば事前に行われた輝度及び単位時間あたりの光量の測定等の調査結果に基づいて予め決定されており、制御回路３４は、当該出力パターンで指令を出力するよう実装されている。

図９は、電荷保持用コンデンサＣｓ等に生じる静電容量の減少に伴う有機発光ダイオードＥＬの輝度の低下を模式的に示す図である。１フレーム期間ＦＦ内において副画素４９の階調値は更新されず同一であるが、実際には電荷保持用コンデンサＣｓ等に漏電が生じることで静電容量が減少する。係る静電容量の減少に伴い、例えば図９に示すように、有機発光ダイオードＥＬの輝度は１フレーム期間ＦＦ内で減少する。係る静電容量の減少による輝度の影響は、次のフレーム画像の表示に係るリセット期間ＲＳ及びリロード期間ＲＲを経て解消されるが、輝度の低下が解消されることで有機発光ダイオードＥＬの輝度が急激に変化することが生じ得る。具体的には、例えばフレーム画像の更新前後で副画素４９の階調値が最高階調値のまま変化しなかった場合、フレーム画像の更新前後に生じる有機発光ダイオードＥＬの輝度差は、１フレーム期間ＦＦ内に生じた輝度低下分ＤＷとなる。このため、１フレーム期間ＦＦを２等分した半フレーム期間ＨＦ_１，ＨＦ_２単位で有機発光ダイオードＥＬの光量Ｓ_ａ，Ｓ_ｂを比較すると、先行する半フレーム期間ＨＦ_１の光量Ｓ_ａに比して後続する半フレーム期間ＨＦ_２の光量Ｓ_ｂは減少している。このような光量の減少はフリッカとして視認されることがあり、表示出力内容の画質低下の一因となり得る。

そこで、本実施形態では、フレーム画像が表示される時間を所定の単位時間（例えば、８つの単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８）に分割し、単位時間あたりの光量が同じになるよう画素の発光の有無を切り替える。係る切替の具体例として、制御部は、係る単位時間内に画素が発光している発光時間帯（例えば後述する発光時間帯ｔ_１等）と画素が発光していない非発光時間帯（例えば後述する非発光時間帯Ｎｔ_１等）とをそれぞれ複数設ける。ここでいう画素とは、本実施形態の場合、画素４８が有する副画素４９をさす。

図８及び後述する図１０、図１１（以下、図８等）では、発光時間帯を下付き数字付きの「ｔ」で示し、非発光時間帯を下付き数字付きの「Ｎｔ」で示している。また、図８等では、発光時間帯における１つの有機発光ダイオードＥＬの光量を下付き数字付きの「ｓ」で示し、非発光時間帯によって設けられる１つの有機発光ダイオードＥＬの光量の減少分を下付き数字付きの「Ｎｓ」で示している。図８等では、非発光時間帯の「Ｎｔ」を記載した１フレーム期間ＦＦと、非発光時間帯によって設けられる１つの有機発光ダイオードＥＬの光量の減少分を示す「Ｎｓ」を記載した１フレーム期間ＦＦとを分けているが、これは符号を分かりやすく示す目的であえて分けて記載しているのであり、実際には非発光時間帯の「Ｎｔ」による有機発光ダイオードＥＬの光量の減少分が「Ｎｔ」と同一の下付き数字を有する「Ｎｓ」であり、この両者は対応するものである。例えば、図８における有機発光ダイオードＥＬの光量の減少分Ｎｓ_１，Ｎｓ_２，Ｎｓ_３，Ｎｓ_４，Ｎｓ_５，Ｎｓ_６，Ｎｓ_７，Ｎｓ_８，Ｎｓ_９，Ｎｓ_１０，Ｎｓ_１１，Ｎｓ_１２，Ｎｓ_１３，Ｎｓ_１４，Ｎｓ_１５，Ｎｓ_１６はそれぞれ、非発光時間帯Ｎｔ_１，Ｎｔ_２，Ｎｔ_３，Ｎｔ_４，Ｎｔ_５，Ｎｔ_６，Ｎｔ_７，Ｎｔ_８，Ｎｔ_９，Ｎｔ_１０，Ｎｔ_１１，Ｎｔ_１２，Ｎｔ_１３，Ｎｔ_１４，Ｎｔ_１５，Ｎｔ_１６による光量の減少分である。特筆しないが、図１０及び図１１でも同様である。また、図８等及び図９では、縦軸方向が有機発光ダイオードＥＬの輝度の高低を示し、横軸が時間の経過を示している。

本実施形態では、１つの単位時間内における複数の発光時間帯同士は同一の時間長を有し、１つの単位時間内における複数の非発光時間帯同士は同一の時間長を有する。具体的には、図８における１つの単位時間ＯＦ_１について説明すると、単位時間ＯＦ_１は、さらに２つのサブ単位時間ＳＦ_１，ＳＦ_２に等分されている。係る単位時間とサブ単位時間との関係は、符号を用いて例えばＯＦ_１＝（ＳＦ_１，ＳＦ_２）のように表すことができるものとする。１つのサブ単位時間ＳＦ_１には、非発光時間帯Ｎｔ_１と発光時間帯ｔ_１が設けられている。また、１つのサブ単位時間ＳＦ_２には、非発光時間帯Ｎｔ_２と発光時間帯ｔ_２が設けられている。ここで、非発光時間帯Ｎｔ_１と非発光時間帯Ｎｔ_２とは同一の時間長を有する。また、発光時間帯ｔ_１と発光時間帯ｔ_２とは同一の時間長を有する。すなわち、符号を用いて等式を記載すると、Ｎｔ_１＝Ｎｔ_２が成り立つ。また、ｔ_１＝ｔ_２が成り立つ。また、単位時間ＯＦ_１における有機発光ダイオードＥＬの光量は、光量ｓ_１と光量ｓ_２とを足し合わせた光量であり、符号を用いて式を記載すると、ｓ_１＋ｓ_２と表すことができる。

また、図８における１つの単位時間ＯＦ_１直後の１つの単位時間ＯＦ_２について説明すると、単位時間ＯＦ_２は、さらに２つのサブ単位時間ＳＦ_３，ＳＦ_４に等分されている。すなわち、ＯＦ_２＝（ＳＦ_３，ＳＦ_４）である。１つのサブ単位時間ＳＦ_３には、非発光時間帯Ｎｔ_３と発光時間帯ｔ_３が設けられている。また、１つのサブ単位時間ＳＦ_４には、非発光時間帯Ｎｔ_４と発光時間帯ｔ_４が設けられている。ここで、非発光時間帯Ｎｔ_３と非発光時間帯Ｎｔ_４とは同一の時間長を有する。また、発光時間帯ｔ_３と発光時間帯ｔ_４とは同一の時間長を有する。すなわち、Ｎｔ_３＝Ｎｔ_４及びｔ_３＝ｔ_４が成り立つ。また、単位時間ＯＦ_２における有機発光ダイオードＥＬの光量は、光量ｓ_３と光量ｓ_４とを足し合わせた光量であり、すなわち、ｓ_３＋ｓ_４と表すことができる。ここで、制御回路３４は、単位時間あたりの光量が同じになるように有機発光ダイオードＥＬの発光を制御している。すなわち、（ｓ_１＋ｓ_２）＝（ｓ_３＋ｓ_４）と表すことができる。

以上、図８における２つの単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２を例として説明したが、１フレーム期間ＦＦ内の他の単位時間ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８についても同様である。すなわち、ＯＦ_３＝（ＳＦ_５，ＳＦ_６）、ＯＦ_４＝（ＳＦ_７，ＳＦ_８）、ＯＦ_５＝（ＳＦ_９，ＳＦ_１０）、ＯＦ_６＝（ＳＦ_１１，ＳＦ_１２）、ＯＦ_７＝（ＳＦ_１３，ＳＦ_１４）、ＯＦ_８＝（ＳＦ_１５，ＳＦ_１６）である。また、Ｎｔ_５＝Ｎｔ_６、Ｎｔ_７＝Ｎｔ_８、Ｎｔ_９＝Ｎｔ_１０、Ｎｔ_１１＝Ｎｔ_１２、Ｎｔ_１３＝Ｎｔ_１４、Ｎｔ_１５＝Ｎｔ_１６が成り立つ。また、ｔ_５＝ｔ_６、ｔ_７＝ｔ_８、ｔ_９＝ｔ_１０、ｔ_１１＝ｔ_１２、ｔ_１３＝ｔ_１４、ｔ_１５＝ｔ_１６が成り立つ。また、（ｓ_１＋ｓ_２）＝（ｓ_３＋ｓ_４）＝（ｓ_５＋ｓ_６）＝（ｓ_７＋ｓ_８）＝（ｓ_９＋ｓ_１０）＝（ｓ_１１＋ｓ_１２）＝（ｓ_１３＋ｓ_１４）＝（ｓ_１５＋ｓ_１６）が成り立つ。

より具体的には、フレーム画像の更新後に次のフレーム画像の更新が行われるまで有機発光ダイオードＥＬの輝度が時間の経過に従って減少することを踏まえて、図８に示す例の場合、制御回路３４は、１フレーム期間ＦＦ内で相対的に後の単位時間における非発光時間帯を相対的に短くし、発光時間帯を相対的に長くしている。符号を用いて式で表すと、Ｎｔ_１＝Ｎｔ_２＞Ｎｔ_３＝Ｎｔ_４＞Ｎｔ_５＝Ｎｔ_６＞Ｎｔ_７＝Ｎｔ_８＞Ｎｔ_９＝Ｎｔ_１０＞Ｎｔ_１１＝Ｎｔ_１２＞Ｎｔ_１３＝Ｎｔ_１４＞Ｎｔ_１５＝Ｎｔ_１６が成り立つ。また、ｔ_１＝ｔ_２＜ｔ_３＝ｔ_４＜ｔ_５＝ｔ_６＜ｔ_７＝ｔ_８＜ｔ_９＝ｔ_１０＜ｔ_１１＝ｔ_１２＜ｔ_１３＝ｔ_１４＜ｔ_１５＝ｔ_１６が成り立つ。

なお、図８に示す例の場合、８つの単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８のそれぞれにおける有機発光ダイオードＥＬの光量が同じであることから、４つの単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４を含む半フレーム期間ＨＦ_１と４つの単位時間ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８を含む半フレーム期間ＨＦ_２との間でも有機発光ダイオードＥＬの光量が同じである。すなわち、２つの半フレーム期間ＨＦ_１，ＨＦ_２の各々を所定の単位時間として考えてもよい。これら例示された１フレーム期間ＦＦ内における所定の単位時間数、１つの単位時間内におけるサブ単位時間数等、各種の具体的事項はあくまで具体例であり、適宜変更可能である。

このように、制御回路３４は、１フレーム期間ＦＦ内における有機発光ダイオードＥＬの発光タイミングと非発光タイミングとのデューティ比を制御することで、単位時間あたりの光量を均一化することができる。

本実施形態では、１フレーム期間ＦＦは、例えば３０Ｈｚのリフレッシュレートにおいて１つのフレーム画像が表示される時間に対応する。また、半フレーム期間ＨＦ_１，ＨＦ_２はそれぞれ６０Ｈｚのリフレッシュレートにおいて１つのフレーム画像が表示される時間に対応する。また、単位時間ＯＦ_１，…，ＯＦ_８はそれぞれ２４０Ｈｚのリフレッシュレートにおいて１つのフレーム画像が表示される時間に対応する。また、サブ単位時間ＳＦ_１，…，ＳＦ_１６はそれぞれ４８０Ｈｚのリフレッシュレートにおいて１つのフレーム画像が表示される時間に対応する。これらの期間の具体的な時間はあくまで一例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。

以上、本実施形態によれば、フレーム画像が表示される時間を所定の単位時間（例えば、８つの単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８）に分割し、単位時間あたりの光量が同じになるよう副画素４９の発光の有無を切り替えるので、フレーム画像の更新前後における単位時間あたりの光量に差がなくなり、同じ光量で副画素４９が発光し続けているように見えるようになる。従って、更新前後のフリッカをより低減することができる。

また、単位時間内に副画素４９が発光している発光時間帯と副画素４９が発光していない非発光時間帯とをそれぞれ複数設けるので、１つのフレーム画像が表示される時間（１フレーム期間ＦＦ）内に発光時間帯及び非発光時間帯をより分散させて、１つの非発光時間帯を挟んで連続する発光時間帯同士の輝度差をより小さくすることができる。

また、１つの単位時間内における複数の発光時間帯同士が同一の時間長を有し、１つの単位時間内における複数の非発光時間帯同士が同一の時間長を有するので、単位時間内における制御回路３４による副画素４９の発光の制御をより単純化しやすくなる。すなわち、単位時間内は非発光時間帯と発光時間帯の時間長を変更することなく非発光時間帯と発光時間帯を繰り返せばよいので、指令を単純にすることができる。

（変形例）
以下、本発明に係る実施形態の変形例について説明する。変形例の説明に係り、実施形態と同様の構成については同じ符号を付して説明を省略することがある。変形例の具体的構成は、特筆する事項を除いて実施形態と同様である。

（変形例１）
図１０は、変形例１の制御回路３４によるＯＮ状態とＯＦＦ状態の切り替えの一例を示す図である。変形例１の制御回路３４は、フレーム画像の更新直後の単位時間内における画素（例えば、画素４８が有する副画素４９）の発光の有無の切り替わり頻度を他の単位時間内における当該画素の発光の有無の切り替わり頻度よりも高くする。

具体的には、変形例１では、図１０に示すように、単位時間ＯＦ_１が２つのサブ単位時間ＭＦ_１，ＭＦ_２を有し、単位時間ＯＦ_２が２つのサブ単位時間ＭＦ_３，ＭＦ_４を有する。一方、単位時間ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８は、サブ単位時間を有しない。また、変形例１では、サブ単位時間ＭＦ_１，ＭＦ_２，ＭＦ_３，ＭＦ_４の各々に１回ずつ発光時間帯及び非発光時間帯が設けられている。すなわち、サブ単位時間ＭＦ_１，ＭＦ_２，ＭＦ_３，ＭＦ_４を有する単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２の期間内には、発光時間帯ｔ_２１，ｔ_２２，ｔ_２３，ｔ_２４及び非発光時間帯Ｎｔ_２１，Ｎｔ_２２，Ｎｔ_２３，Ｎｔ_２４が設けられている。また、変形例１では、制御回路３４は、サブ単位時間ＭＦ_１，ＭＦ_２，ＭＦ_３，ＭＦ_４の各々で光量が同じになるよう副画素４９の発光の有無を切り替える。すなわち、サブ単位時間ＭＦ_１，ＭＦ_２，ＭＦ_３，ＭＦ_４の各々の発光時間帯ｔ_２１，ｔ_２２，ｔ_２３，ｔ_２４に応じた各々の光量ｓ_２１，ｓ_２２，ｓ_２３，ｓ_２４は等しい。すなわち、ｓ_２１＝ｓ_２２＝ｓ_２３＝ｓ_２４が成り立つ。なお、サブ単位時間ＭＦ_１，ＭＦ_２，ＭＦ_３，ＭＦ_４の各々の時間長は等しい。また、ｔ_２１＜ｔ_２２＜ｔ_２３＜ｔ_２４及びＮｔ_２１＞Ｎｔ_２２＞Ｎｔ_２３＞Ｎｔ_２４が成り立つ。

また、変形例１では、単位時間ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８の各々に１回ずつ発光時間帯及び非発光時間帯が設けられている。すなわち、単位時間ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８の期間内には、発光時間帯ｔ_２５，ｔ_２６，ｔ_２７，ｔ_２８，ｔ_２９，ｔ_３０及び非発光時間帯Ｎｔ_２５，Ｎｔ_２６，Ｎｔ_２７，Ｎｔ_２８，Ｎｔ_２９，Ｎｔ_３０が設けられている。発光時間帯ｔ_２５，ｔ_２６，ｔ_２７，ｔ_２８，ｔ_２９，ｔ_３０の各々に応じた有機発光ダイオードＥＬの光量は、光量ｓ_２５，ｓ_２６，ｓ_２７，ｓ_２８，ｓ_２９，ｓ_３０である。

なお、変形例１でも実施形態と同様、制御回路３４が単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８の各々で光量が同じになるよう副画素４９の発光の有無を切り替えている。すなわち、光量ｓ_２１と光量ｓ_２２を足し合わせた光量（ｓ_２１＋ｓ_２２）と、光量ｓ_２３と光量ｓ_２４を足し合わせた光量（ｓ_２３＋ｓ_２４）と、光量ｓ_２５と、光量ｓ_２６と、光量ｓ_２７と、光量ｓ_２８と、光量ｓ_２９と、光量ｓ_３０とは等しい。すなわち、（ｓ_２１＋ｓ_２２）＝（ｓ_２３＋ｓ_２４）＝ｓ_２５＝ｓ_２６＝ｓ_２７＝ｓ_２８＝ｓ_２９＝ｓ_３０が成り立つ。また、ｔ_２５＜ｔ_２６＜ｔ_２７＜ｔ_２８＜ｔ_２９＜ｔ_３０及びＮｔ_２５＞Ｎｔ_２６＞Ｎｔ_２７＞Ｎｔ_２８＞Ｎｔ_２９＞Ｎｔ_３０が成り立つ。

変形例１では、単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８の各々で光量が同じになるので、２つの単位時間を含む所定時間単位で見た場合でも、所定時間単位で光量が同じになる。すなわち、（ｓ_２１＋ｓ_２２）＋（ｓ_２３＋ｓ_２４）＝ｓ_２５＋ｓ_２６＝ｓ_２７＋ｓ_２８＝ｓ_２９＋ｓ_３０が成り立つ。また、変形例１では、上記の通り、単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２を含む所定時間のみサブ単位時間ＭＦ_１，ＭＦ_２，ＭＦ_３，ＭＦ_４を有し、４回の発光時間帯ｔ_２１，ｔ_２２，ｔ_２３，ｔ_２４及び４回の非発光時間帯Ｎｔ_２１，Ｎｔ_２２，Ｎｔ_２３，Ｎｔ_２４を有している。一方、単位時間ＯＦ_３，ＯＦ_４を含む所定時間は、２回の発光時間帯ｔ_２５，ｔ_２６及び２回の非発光時間帯Ｎｔ_２５，Ｎｔ_２６を有する。また、単位時間ＯＦ_５，ＯＦ_６を含む所定時間は、２回の発光時間帯ｔ_２７，ｔ_２８及び２回の非発光時間帯Ｎｔ_２７，Ｎｔ_２８を有する。また、単位時間ＯＦ_７，ＯＦ_８を含む所定時間は、２回の発光時間帯ｔ_２９，ｔ_３０及び２回の非発光時間帯Ｎｔ_２９，Ｎｔ_３０を有する。このように、変形例１では、単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２を含む所定時間における副画素４９の発光の有無の切り替わり頻度が他の所定時間内における副画素４９の発光の有無の切り替わり頻度よりも高い。言い換えれば、変形例１では、制御回路３４は、実施形態における２つ分の単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２を１つの単位時間として、フレーム画像の更新直後の単位時間内における副画素４９の発光の有無の切り替わり頻度を他の単位時間内における副画素４９の発光の有無の切り替わり頻度よりも高くしている。

以上、変形例１によれば、フリッカが視認されやすいフレーム画像の更新直後のタイミングにおける発光時間帯及び非発光時間帯をより分散させることで、より高い輝度の発光時間帯が連続することによるフリッカの顕在化をより確実に抑制することができる。また、フレーム画像の更新直後以外の単位時間で相対的に発光時間帯と非発光時間帯の切り替わり頻度を低下させることによって制御回路３４の処理負担及び消費電力を低減させることができる。

（変形例２）
図１１は、変形例２の制御回路３４によるＯＮ状態とＯＦＦ状態の切り替えの一例を示す図である。変形例２の制御回路３４は、フレーム画像の更新直前の単位時間内における画素（例えば、画素４８が有する副画素４９）の発光の有無の切り替わり頻度及びフレーム画像の更新直後の単位時間内における当該画素の発光の有無の切り替わり頻度を他の単位時間内における当該画素の発光の有無の切り替わり頻度よりも高くする。

具体的には、変形例２では、図１１に示すように、単位時間ＯＦ_１が２つのサブ単位時間ＳＦ_４１，ＳＦ_４２を有し、単位時間ＯＦ_８が２つのサブ単位時間ＳＦ_４９，ＳＦ_５０を有する。一方、単位時間ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７は、サブ単位時間を有しない。また、変形例２では、サブ単位時間ＳＦ_４１，ＳＦ_４２，ＳＦ_４９，ＳＦ_５０の各々に１回ずつ発光時間帯及び非発光時間帯が設けられている。すなわち、サブ単位時間ＳＦ_４１，ＳＦ_４２，ＳＦ_４９，ＳＦ_５０を有するフレーム画像の更新タイミング前後の単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_８の期間内には、発光時間帯ｔ_４１，ｔ_４２，ｔ_４９，ｔ_５０及び非発光時間帯Ｎｔ_４１，Ｎｔ_４２，Ｎｔ_４９，Ｎｔ_５０が設けられている。このように、変形例２では、制御回路３４は、フレーム画像の更新前後の単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_８における副画素４９の発光の有無の切り替わり頻度を他の単位時間ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７における副画素４９の発光の有無の切り替わり頻度よりも高くしている。

また、変形例２では、制御回路３４は、サブ単位時間ＳＦ_４１，ＳＦ_４２，ＳＦ_４９，ＳＦ_５０の各々で光量が同じになるよう副画素４９の発光の有無を切り替える。すなわち、サブ単位時間ＳＦ_４１，ＳＦ_４２，ＳＦ_４９，ＳＦ_５０の各々の発光時間帯ｔ_４１，ｔ_４２，ｔ_４９，ｔ_５０に応じた各々の光量ｓ_４１，ｓ_４２，ｓ_４９，ｓ_５０は等しい。すなわち、ｓ_４１＝ｓ_４２＝ｓ_４９＝ｓ_５０が成り立つ。なお、サブ単位時間ＳＦ_４１，ＳＦ_４２，ＳＦ_４９，ＳＦ_５０の各々の時間長は等しい。また、ｔ_４１＜ｔ_４２＜ｔ_４９＜ｔ_５０及びＮｔ_４１＞Ｎｔ_４２＞Ｎｔ_４９＞Ｎｔ_５０が成り立つ。

また、変形例２では、単位時間ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７の各々に１回ずつ発光時間帯及び非発光時間帯が設けられている。すなわち、単位時間ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７の期間内には、発光時間帯ｔ_４３，ｔ_４４，ｔ_４５，ｔ_４６，ｔ_４７，ｔ_４８及び非発光時間帯Ｎｔ_４３，Ｎｔ_４４，Ｎｔ_４５，Ｎｔ_４６，Ｎｔ_４７，Ｎｔ_４８が設けられている。発光時間帯ｔ_４３，ｔ_４４，ｔ_４５，ｔ_４６，ｔ_４７，ｔ_４８の各々に応じた有機発光ダイオードＥＬの光量は、光量ｓ_４３，ｓ_４４，ｓ_４５，ｓ_４６，ｓ_４７，ｓ_４８である。

なお、変形例２でも実施形態と同様、制御回路３４が単位時間ＯＦ_１，ＯＦ_２，ＯＦ_３，ＯＦ_４，ＯＦ_５，ＯＦ_６，ＯＦ_７，ＯＦ_８の各々で光量が同じになるよう副画素４９の発光の有無を切り替えている。すなわち、光量ｓ_４１と光量ｓ_４２を足し合わせた光量（ｓ_４１＋ｓ_４２）と、光量ｓ_４３と、光量ｓ_４４と、光量ｓ_４５と、光量ｓ_４６と、光量ｓ_４７と、光量ｓ_４８と、光量ｓ_４９と光量ｓ_５０を足し合わせた光量（ｓ_４９＋ｓ_５０）とは等しい。すなわち、（ｓ_４１＋ｓ_４２）＝ｓ_４３＝ｓ_４４＝ｓ_４５＝ｓ_４６＝ｓ_４７＝ｓ_４８＝（ｓ_４９＋ｓ_５０）が成り立つ。また、ｔ_４３＜ｔ_４４＜ｔ_４５＜ｔ_４６＜ｔ_４７＜ｔ_４８及びＮｔ_４３＞Ｎｔ_４４＞Ｎｔ_４５＞Ｎｔ_４６＞Ｎｔ_４７＞Ｎｔ_４８が成り立つ。

以上、変形例２によれば、フリッカが視認されやすいフレーム画像の更新前後のタイミングにおける発光時間帯及び非発光時間帯をより分散させることで、より低い輝度の発光時間帯とより高い輝度の発光時間帯が連続することによるフリッカの顕在化をより確実に抑制することができる。また、フレーム画像の更新前後以外の単位時間で相対的に発光時間帯と非発光時間帯の切り替わり頻度を低下させることによって制御回路３４の処理負担及び消費電力を低減させることができる。

なお、上記の実施形態及び変形例の各々（以下、実施形態等と記載）では、発光制御トランジスタＣＣＴを設け、その動作を制御することで有機発光ダイオードＥＬの発光タイミングを制御しているが、これはあくまで有機発光ダイオードＥＬの発光タイミング制御に係る具体的構成例であってこれに限られるものでない。例えば、ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴの動作内容に実施形態等における発光制御トランジスタＣＣＴの動作内容を追加し、ＥＬ電源開閉用トランジスタＢＣＴが発光制御トランジスタＣＣＴの機能を兼ね備えるようにしてもよい。

また、実施形態等では、所定の単位時間内で非発光時間帯が発光時間帯に先行しているが、非発光時間帯と発光時間帯の順番は逆であってもよい。

また、制御回路３４に相当する制御部としての構成は、画像表示パネル駆動部３０の一構成に限られない。制御部は、例えば画像表示パネル駆動部３０から独立して設けられた回路であってもよい。

また、実施形態等において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１０表示装置
２０信号処理部
３０画像表示パネル駆動部
３１信号出力回路
３２走査回路
３３電源回路
３４制御回路
４０画像表示パネル
４８画素
４９副画素
ＡＡアクティブエリア
ＢＣＴＥＬ電源開閉用トランジスタ
ＢＧＥＬ電源開閉信号線
Ｃａｄコンデンサ
ＣＣＴ発光制御トランジスタ
Ｃｓ電荷保持用コンデンサ
ＤＲＴ駆動用トランジスタ
ＩＧコンデンサリセット信号線
ＩＳＴコンデンサリセット用トランジスタ
ＲＧリセット信号線
ＲＳＴリセット用トランジスタ
ＳＧ走査線
ＳＳＴ制御用トランジスタ
ＰＶＤＤ高電位部
ＰＶＳＳ低電位部
Ｖｒｓｔリセット信号線
Ｖｉｎｉリセット電位部
Ｖｓｉｇ信号線

Claims

発光素子を有する画素を有する表示部と、
前記画素の発光タイミングを制御する制御部とを備え、
前記制御部は、フレーム画像が表示される時間を所定の単位時間に分割し、前記単位時間あたりの光量が同じになるよう前記画素の発光の有無を切り替え、前記フレーム画像の更新直後の単位時間内における前記画素の発光の有無の切り替わり頻度を他の単位時間内における前記画素の発光の有無の切り替わり頻度よりも高くする
表示装置。
発光素子を有する画素を有する表示部と、
前記画素の発光タイミングを制御する制御部とを備え、
前記制御部は、フレーム画像が表示される時間を所定の単位時間に分割し、前記単位時間あたりの光量が同じになるよう前記画素の発光の有無を切り替え、前記単位時間内に前記画素が発光している発光時間帯と前記画素が発光していない非発光時間帯とをそれぞれ複数設ける
表示装置。
前記制御部は、前記フレーム画像の更新直後の単位時間内における前記画素の発光の有無の切り替わり頻度を他の単位時間内における前記画素の発光の有無の切り替わり頻度よりも高くする
請求項２に記載の表示装置。
前記制御部は、前記フレーム画像の更新直前の単位時間内における前記画素の発光の有無の切り替わり頻度を他の単位時間内における前記画素の発光の有無の切り替わり頻度よりも高くする
請求項１又は３に記載の表示装置。
１つの単位時間内における複数の前記発光時間帯同士は同一の時間長を有し、
１つの単位時間内における複数の前記非発光時間帯同士は同一の時間長を有する
請求項２に記載の表示装置。