JP6720200B2 - 物理量検出装置 - Google Patents
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Description
図1は、電子燃料噴射方式の内燃機関制御システムに、本発明に係る物理量検出装置を使用した一実施例を示す、システム図である。エンジンシリンダ112とエンジンピストン114を備える内燃機関110の動作に基づき、吸入空気が被計測気体30としてエアクリーナ122から吸入され、主通路124である例えば吸気ボディ、スロットルボディ126、吸気マニホールド128を介してエンジンシリンダ112の燃焼室に導かれる。燃焼室に導かれる吸入空気である被計測気体30の物理量は、本発明に係る物理量検出装置300で検出され、その検出された物理量に基づいて燃料噴射弁152より燃料が供給され、吸入空気20と共に混合気の状態で燃焼室に導かれる。なお、本実施例では、燃料噴射弁152は内燃機関の吸気ポートに設けられ、吸気ポートに噴射された燃料が吸入空気である被計測気体30と共に混合気を成形し、吸気弁116を介して燃焼室に導かれ、燃焼して機械エネルギを発生する。
エアクリーナ122から取り込まれ主通路124を流れる吸入空気である被計測気体30の流量、温度、湿度、圧力などの物理量が物理量検出装置300により検出され、物理量検出装置300から吸入空気の物理量を表す電気信号が制御装置200に入力される。また、スロットルバルブ132の開度を計測するスロットル角度センサ144の出力が制御装置200に入力され、さらに内燃機関のエンジンピストン114や吸気弁116や排気弁118の位置や状態、さらに内燃機関の回転速度を計測するために、回転角度センサ146の出力が、制御装置200に入力される。排気ガス24の状態から燃料量と空気量との混合比の状態を計測するために、酸素センサ148の出力が制御装置200に入力される。
内燃機関の主要な制御量である燃料供給量や点火時期はいずれも物理量検出装置300の出力を主パラメータとして演算される。従って、物理量検出装置300の検出精度の向上や、経時変化の抑制、信頼性の向上が、車両の制御精度の向上や信頼性の確保に関して重要である。
2.1 物理量検出装置300の外観構造
図2−1〜図2−6は、物理量検出装置300の外観を示す図であり、図2−1は物理量検出装置300の正面図、図2−2は背面図、図2−3は左側面図、図2−4は右側面図、図2−5は平面図、図2−6は下面図である。
物理量検出装置300は、フランジ311から主通路124の中心方向に向かって延びる計測部331の中間部に第2副通路入口306aが設けられ、計測部331の先端部に第1副通路入口305aが設けられている。したがって、主通路124の内壁面近傍ではなく、内壁面から離れた中央部に近い部分の気体を第1副通路305及び第2副通路306にそれぞれ取り込むことができる。従って、物理量検出装置300は、主通路124の内壁面から離れた部分の気体の物理量を測定することができ、熱や内壁面近傍の流速低下に関係する物理量の計測誤差を低減できる。
フランジ311には、主通路124と対向する下面312に、窪み313が複数個設けられており、主通路124との間の熱伝達面を低減し、物理量検出装置300が熱の影響を受け難くしている。物理量検出装置300は、主通路124に設けられた取り付け孔から内部に計測部331が挿入され、主通路124にフランジ311の下面312が対向する。主通路124は例えば吸気ボディであり、主通路124が高温に維持されていることが多い。逆に寒冷地での始動時には、主通路124が極めて低い温度であることが考えられる。このような主通路124の高温あるいは低温の状態が種々の物理量の計測に影響を及ぼすと、計測精度が低下する。フランジ311は、下面312に窪み313を有しており、主通路124に対向する下面312と主通路124との間に空間が成形されている。したがって、物理量検出装置300に対する主通路124からの熱伝達を低減し、熱による測定精度の低下を防止できる。
外部接続部321は、フランジ311の上面に設けられてフランジ311から被計測気体30の流れ方向下流側に向かって突出するコネクタ322を有している。コネクタ322には、制御装置200との間を接続する通信ケーブルを差し込むための差し込み穴322aが設けられている。差し込み穴322a内には、図2−4に示すように、内部に4本の外部端子323が設けられている。外部端子323は、物理量検出装置300の計測結果である物理量の情報を出力するための端子および物理量検出装置300が動作するための直流電力を供給するための電源端子となる。
3.1 全体構造
次に、ハウジング302の全体構造について図3−1〜図3−5を用いて説明する。図3−1〜図3−5は、物理量検出装置300から表カバー303および裏カバー304を取り外したハウジング302の状態を示す図であり、図3−1はハウジング302の正面図、図3−2はハウジング302の背面図、図3−3はハウジング302の右側面図、図3−4はハウジング302の左側面図、図3−5は図3−1のA−A線断面図である。
計測部331の長さ方向先端側には、第1副通路305を成形するための副通路溝が設けられている。第1副通路305を形成するための副通路溝は、図3−1に示される表側副通路溝332と、図3−2に示される裏側副通路溝334を有している。表側副通路溝332は、図3−1に示すように、計測部331の下流側外壁338に開口する第1副通路出口305bから上流側外壁336に向かって移行するに従って漸次計測部331の基端側であるフランジ311側に湾曲し、上流側外壁336の近傍位置で、計測部331を厚さ方向に貫通する開口部333に連通している。開口部333は、上流側外壁336と下流側外壁338との間に亘って延びるように、主通路124の被計測気体30の流れ方向に沿って形成されている。
第2副通路306は、被計測気体30の流れ方向に沿うように、フランジ311と平行に第2副通路入口306aと第2副通路出口306bとの間に亘って一直線状に形成されている。第2副通路入口306aは、上流側外壁336の一部を切り欠いて形成され、第2副通路出口306bは、下流側外壁338の一部を切り欠いて形成されている。具体的には、図3−3に示すように、仕切壁335の上面に連続して沿う位置において、計測部331の裏面側から上流側外壁336の一部と下流側外壁338の一部を切り欠いて形成されている。第2副通路入口306aと第2副通路出口306bは、回路基板400の裏面と面一になる深さ位置まで切り欠かれている。第2副通路306は、回路基板400の基板本体401の裏面に沿って被計測気体30が通過するので、基板本体401を冷却するクーリングチャンネルとして機能する。回路基板400は、LSIやマイコンなどの熱を持つものが多く、これらの熱を基板本体401の裏面に伝達し、第2副通路306を通過する被計測気体30によって放熱することができる。
この形態では、上流側外壁336と下流側外壁338を切り欠くかわりに、上流側外壁336と下流側外壁338に貫通孔337を設けることにより、第2副通路入口306aと第2副通路出口306bを形成している。上述の図3−2〜図3−5に示す第2副通路のように、上流側外壁336と下流側外壁338をそれぞれ切り欠いて第2副通路入口306aと第2副通路出口306bを形成すると、かかる位置において上流側外壁336の幅と下流側外壁338の幅が局所的に狭くなっているので、モールド成形時の熱ひけ等により、切り欠きを起点として、計測部331が略くの字状に歪むおそれがある。本形態によれば、切り欠きのかわりに貫通孔を設けているので、計測部331が略くの字状に折れ曲がるのを防ぐことができる。したがって、ハウジング302に歪みにより被計測気体30に対する検出部の位置や向きが変わって検出精度に影響を与えるのを防ぐことができ、個体差がなく常に一定の検出精度を確保できる。
図5は表カバー303の外観を示す図であり、図5(a)は正面図、図5(b)は、図5(a)のB−B線断面図である。図6は裏カバー304の外観を示す図であり、図6(a)は正面図、図6(b)は図6(a)のB−B線断面図である。
次に、回路基板400のハウジング302への樹脂モールド工程による固定について説明する。副通路を成形する副通路溝の所定の場所、例えば本実施例では、表側副通路溝332と裏側副通路溝334のつながりの部分である開口部333に、回路基板400の流量検出部602が配置されるように、回路基板400がハウジング302に一体にモールドされている。
4.1 流量検出部602を備える計測用流路面430の成形
図7−1〜図7−3に回路基板400の外観を示す。なお、回路基板400の外観上に記載した斜線部分は、樹脂モールド工程でハウジング302を成形する際に樹脂により回路基板400が覆われて固定される固定面432および固定面434を示す。
ベース部402の上流側の端辺で且つ突出部403側の角部には、温度検出部451が設けられている。温度検出部451は、主通路124を流れる被計測気体30の物理量を検出するための検出部の一つを構成するものであり、回路基板400に設けられている。回路基板400は、第2副通路306の第2副通路入口306aから被計測気体30の上流に向かって突出する突出部450を有しており、温度検出部451は、突出部450でかつ回路基板400の裏面に設けられたチップ型の温度センサ453を有している。温度センサ453とその配線部分は、合成樹脂材で被覆されており、塩水の付着により電食が生ずるのを防いでいる。
図7−1で斜線の部分は、樹脂モールド工程において、ハウジング302に回路基板400を固定するために、樹脂モールド工程で使用する熱可塑性樹脂で回路基板400を覆うための、固定面432および固定面434を示している。計測用流路面430および計測用流路面430に設けられている流量検出部602と副通路の形状との関係が、規定に関係となるように、高い精度で維持されることが重要である。
5.1 物理量検出装置300の回路構成の全体
図8−1は物理量検出装置300の回路図である。物理量検出装置300は、流量検出回路601と、温湿度検出回路701を有している。
図9−1は物理量検出装置300から表カバー303を取り外したハウジング302の状態を示す正面図である。図9−2は図9−1の断面図である。
回路室Rcを密閉しかつ流量検出部602を第1副通路305中に晒すために、回路基板400は、計測部331の回路室Rcと第1副通路305との間に設けられた仕切り壁335によって仕切られている。回路室Rc内の回路と第1副通路305中に晒される様に実装されている流量検出部602の電気的接続は、回路基板400の内層導体801で行っている。通常、表層で配線接続すると効率が良いが、仕切り壁335が接触する回路基板400の表層面で配線接続すると、仕切り壁335の組み立て時に荷重が掛かり表層導体を保護するコーティング802及び、表層導体を損傷させる可能性がある。また、仕切り壁335の下部に表層導体が存在すると、表層導体の有る場所と無い場所による凹凸があり、損傷リスクが高くなる。これに対して、本発明では、内層導体801で電気的に接続しているので、損傷リスクが低く、製品としての信頼性を向上することができる。内層導体801は、仕切り壁335が位置する回路基板400の内層に設けられており、流量検出部602(センサ部)と回路室Rc内の回路(回路部)との間を電気的に接続している。
ハウジング302には、回路基板400を保持するベース803が設けられている。回路基板400は、回路基板400を保持するベース803に接着固定されている。仕切り壁335は、ハウジング302に一体化されている。仕切り壁335をハウジング302を形成するモールド樹脂とすることで、コネクタと一体化したハウジング302を形成することが出来る。
回路基板400はガラスエポキシ基板でできている。セラミック基板は基材自体が脆く、更に回路導体保護のためのコーティングはガラス剤を使用することが多く、コーティングも脆くなっている。したがって、仕切り壁335との間、あるいはハウジング302との間を接着固定する際に破損させ易い。ガラスエポキシ基板は、グラスファイバーで織った布をエポキシ樹脂で固めた基板であり、回路導体を保護するコーティングもエポキシ樹脂剤であり、仕切り壁335やハウジング302を接着固定する場合でもセラミック基板と比較して破損し難い。
回路基板400には貫通孔804が設けられており、回路室Rc内の電子部品と流量検出部602の電気的接続を貫通孔804を介して内層導体801で配線している。回路基板400をガラスエポキシ基板とする場合、積層してから貫通孔を形成するスルーホール基板が安価であるため、信頼性の高い物理量検出装置を安価で提供出来る。
回路基板400の貫通孔804は、仕切り壁355に沿って配置されている。貫通孔804を仕切り壁355に沿って配置することで、回路室Rc内の電子部品と流量検出部602の配線を短くすることが出来、回路上のノイズ低減や、インピーダンス低減が可能となり、回路安定性を向上することが出来る。
回路基板400に形成された貫通孔804を仕切り壁355から所定距離x以上離した位置に配置している。図9−6に示した様にハウジング302を形成する際、金型は仕切り壁335を形成するために、金型805が回路基板400に当たることになる。貫通孔804は空洞であるため、回路基板400の基材部分に対して強度が弱くなっている。貫通孔804に金型が当たり、押し込み量が大きくなると貫通孔804にクラックを発生させる要因となるため、金型805で貫通孔804に損傷を与えないためには、ばらつきも考えて、所定距離以上仕切り壁355から貫通孔804を離す必要があり、本実施例では、仕切り壁355から1.2mm以上離間した位置に貫通孔804を配置している。
貫通孔804には、金めっき807が施されており、内層導体801と表層導体806との間の導通が図られている。そして、回路基板400に形成され、少なくとも仕切り壁355近傍に配置された貫通孔804には、金属または樹脂等の充填材809が充填されて埋められている。貫通孔804が空洞である場合と比較し金属または樹脂の充填材809で埋められている方が回路基板400の強度は強くなる。したがって、仕切り壁355近傍に貫通孔804を配置する場合でも、貫通孔804における回路基板400の損傷を低減出来る。また、貫通孔804を金属または樹脂の充填材809にて埋めることで、ハウジング302の反りによる貫通孔804からのクラックの発生を防止することが出来る。
124 主通路
300 物理量検出装置
302 ハウジング
400 回路基板
404、405、406 貫通孔
407、408 切り欠き部
421A、421B 圧力センサ(第3検出部)
422 湿度センサ(第2検出部)
602 流量検出部(第1検出部)
Claims (7)
- 物理量を検出するセンサ素子が配置されるセンサ部と、回路素子が配置される回路部とを有する回路基板が、ハウジングにインサート成形された構造を有する物理量検出装置であって、
前記回路基板は、該回路基板の表層面に表層導体が存在する部分と前記表層導体が無い部分を有し、
前記ハウジングは、前記回路基板の表層面に表層導体が無い部分において前記回路基板に接触して前記回路基板の前記センサ部と前記回路部との間を仕切る仕切り壁を有し、
前記回路基板は、前記仕切り壁が前記表層面に接触する部分の内層において、前記センサ部と前記回路部との間に亘って、前記センサ部と前記回路部とを電気的に接続する内層導体を有することを特徴とする物理量検出装置。 - 請求項1に記載の物理量検出装置において、前記回路基板は、ガラスエポキシ基板からなることを特徴とする物理量検出装置。
- 請求項1に記載の物理量検出装置において、前記内層導体は、前記回路基板に設けられた貫通孔を介して電気的に接続されることを特徴とする物理量検出装置。
- 請求項3に記載の物理量検出装置において、前記貫通孔は、前記仕切り壁に沿って配置されていることを特徴とする物理量検出装置。
- 請求項3に記載の物理量検出装置において、前記貫通孔は、前記仕切り壁から1.2mm以上離間した位置に設けられていることを特徴とする物理量検出装置。
- 請求項3に記載の物理量検出装置において、前記貫通孔は、金属または樹脂の充填材にて埋められていることを特徴とする物理量検出装置。
- 請求項1に記載の物理量検出装置において、前記センサ部は、空気の一部を取り込む通路内に設けられたことを特徴とする物理量検出装置。
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