JP6709029B2 - 組成物、組成物の製造方法、膜、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、赤外線吸収剤と、溶剤、とを含む組成物に関する。また、上記組成物の製造方法に関する。また、上記組成物を用いた膜、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置に関する。

ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などにはカラー画像の固体撮像素子である、ＣＣＤ（電荷結合素子）や、ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）が用いられている。これら固体撮像素子は、その受光部において赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードを使用しているために、視感度補正を行うことが必要であり、近赤外線カットフィルタを用いることが多い。

特許文献１には、非イオン性の近赤外線吸収化合物を含有する硬化性組成物を硬化して得られた成形体の表面に、有機溶媒１００質量部に対して複合酸化タングステン化合物を１〜５０質量部含む溶液を塗布して形成した層を有する赤外線吸収材料が記載されている。

特開２０１２−２０４４８号公報

組成物の粘度や、固形分濃度を調製して、所望の膜厚の近赤外線カットフィルタを製造することが行われている。例えば、赤外線吸収剤として銅化合物を用いた組成物の場合、組成物の粘度や固形分濃度を調整して、近赤外線カットフィルタの膜厚を１００μｍ程度にすることがある。

しかしながら、本発明者らの検討によれば、組成物の粘度や固形分濃度を高めるに伴い、近赤外線カットフィルタに欠陥が発生しやすいことが分かった。また、近年において、組成物の液安定性のさらなる向上が求められている。本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載の方法では、組成物の液安定性と、膜の欠陥抑制とを両立させることが困難であることが分かった。

よって、本発明の目的は、液安定性が良好で、欠陥の少ない膜を製造可能な組成物、組成物の製造方法、膜、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供することにある。

本発明者らが、鋭意検討した結果、赤外線吸収剤と、溶剤、とを含む組成物において、溶存酸素量を、所定の範囲にすることで、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は以下を提供する。
＜１＞ 赤外線吸収剤と、溶剤、とを含む組成物であって、０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存酸素量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌである、組成物。
＜２＞ ０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存気体量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌである、＜１＞に記載の組成物。
＜３＞ 赤外線吸収剤が銅化合物である、＜１＞または＜２＞に記載の組成物。
＜４＞ 固形分濃度が４０質量％以上である、＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の組成物。
＜５＞ ２５℃での粘度が、０．０５〜１０Ｐａ・ｓである、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の組成物。
＜６＞ さらに、架橋性基を有する化合物を含む、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の組成物。
＜７＞ 架橋性基を有する化合物は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含む、＜６＞に記載の組成物；ただし、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子であり、Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）から選択される１種であり、Ｒ^aおよびＲ^bは、それぞれ独立に１価の有機基を表し、Ｘが、Ｏ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）である場合、カルボニル基の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。
＜８＞ 架橋性基を有する化合物の含有量が、組成物の全固形分の１５質量％以上である、＜６＞または＜７＞に記載の組成物。
＜９＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、赤外線吸収剤と、溶剤、とを含む組成物Ａを、脱泡処理する工程を含む、組成物の製造方法。
＜１０＞ 組成物Ａは、２種類以上の溶剤を含み、２種類以上の溶剤のうち、最も沸点が高い溶剤の沸点と、最も沸点が低い溶剤の沸点との差が１０℃以上である、＜９＞に記載の組成物の製造方法。
＜１１＞ 超音波照射、および、減圧から選ばれる少なくとも１種類の方法により、脱泡処理を行う、＜９＞または＜１０＞に記載の組成物の製造方法。
＜１２＞ 組成物Ａをろ過処理した後、脱泡処理を行う、＜９＞〜＜１１＞のいずれかに記載の組成物の製造方法。
＜１３＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の組成物を用いてなる膜。
＜１４＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の組成物を用いてなる近赤外線カットフィルタ。
＜１５＞ ＜１４＞に記載の近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
＜１６＞ ＜１４＞に記載の近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュール。
＜１７＞ ＜１４＞に記載の近赤外線カットフィルタを有する画像表示装置。

本発明によれば、液安定性が良好で、欠陥の少ない膜を製造可能な組成物および、組成物の製造方法を提供可能になった。また、膜、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供可能になった。

本発明の実施形態に係る、近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。 カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。 カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書における基（原子団）の表記に於いて、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書中において、“（メタ）アクリレート”はアクリレートおよびメタクリレートを表し、“（メタ）アクリル”はアクリルおよびメタクリルを表し、“（メタ）アクリロイル”はアクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本発明で用いられる化合物の重量平均分子量および数平均分子量の測定方法は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定でき、ＧＰＣの測定によるポリスチレン換算値として定義される。
近赤外線とは、極大吸収波長領域が７００〜２５００ｎｍの光（電磁波）をいう。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。本発明における固形分は、２５℃における固形分である。

＜組成物＞
本発明の組成物は、赤外線吸収剤と、溶剤、とを含み、２５℃の液中の溶存酸素量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌである組成物である。組成物の溶存酸素量は、０．１〜３０ｍｇ／Ｌが好ましく、１〜１０ｍｇ／Ｌがより好ましく、１〜５ｍｇ／Ｌが更に好ましい。

本発明の組成物は、溶存酸素量を上記の範囲にすることで、液安定性が良好で、欠陥の少ない膜を製造可能な組成物とすることができる。すなわち、溶存酸素量が、上述した上限値以下であれば、組成物中における気泡成分の割合を少なくでき、欠陥の少ない近赤外線カットフィルタ等の膜を製造できる。また、溶存酸素量が、上述した下限値以上であれば、詳細な理由は不明であるが、液安定性に優れる。溶存酸素量を、上述した下限値以上とすることで液安定性が向上するメカニズムは、組成物中で素材が分解したときに発生するラジカルなどを、組成物中に含まれる微量の酸素によってクエンチできるためによるものと推定する。

本発明の組成物は、０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存気体量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌであることが好ましく、０．１〜３０ｍｇ／Ｌがより好ましく、１〜１０ｍｇ／Ｌがさらに好ましい。組成物中における溶存気体としては、酸素、水素、二酸化炭素、窒素などが挙げられる。
本発明において、組成物の溶存気体量および溶存酸素量は、ガスクロマトフラフィや溶存酸素計等の公知の方法で測定できる。例えば、溶存酸素量は、オービスフェア ５１０ガスアナライザー（（株）ハックウルトラ製）を用いて、飽和溶存酸素溶液との酸素分圧の比率から算出することができる。

本発明の組成物は、２５℃での粘度が、０．０５〜１０Ｐａ・ｓであることが好ましい。上限は、１．０Ｐａ・ｓ以下が好ましく、０．５Ｐａ・ｓ以下がより好ましい。下限は、０．０７５Ｐａ・ｓ以上が好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上がより好ましい。本明細書において、粘度の値は、後述する実施例に示す方法で測定した値である。
本発明の組成物の固形分濃度は、例えば、４０質量％以上が好ましい。下限は４５質量％以上が好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。上限は９５質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましい。
組成物の粘度や固形分濃度を高めるに伴い、組成物の製造時に気泡が混入して、組成物の溶存酸素量が多くなる傾向にあり、膜に欠陥が生じたり、組成物の液安定性が低下することがあったが、本発明によれば、溶存酸素量を上述した範囲にすることで、このような粘度や固形分濃度の組成物であっても、液安定性が良好で、欠陥の少ない膜を製造可能な組成物とすることができる。すなわち、粘度や固形分濃度の組成物の場合、本発明の効果がより顕著に得られる。
以下、本発明の組成物について詳細に説明する。

＜＜赤外線吸収剤＞＞
本発明の組成物は、赤外線吸収剤を含有する。赤外線吸収剤は、極大吸収波長が７００〜１２００ｎｍの範囲に有する化合物が好ましく、７００〜１０００ｎｍの範囲に有する化合物がより好ましい。赤外線吸収剤は、赤外領域の波長領域（好ましくは、波長７００〜１２００ｍｎの範囲）に吸収を有し、可視領域（好ましくは、波長４００〜６５０ｍｎの範囲）の波長の光を透過する化合物が好ましい。

赤外線吸収剤としては、例えば、銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ジインモニウム化合物、チオール錯体系化合物、遷移金属酸化物系化合物、クオタリレン系化合物、クロコニウム系化合物等が挙げられる。なかでも、近赤外線遮蔽性と可視透過性の両立に優れた膜を形成しやすいという理由から、銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物が好ましく、銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物がさらに好ましい。また、赤外線吸収剤は、本発明の効果が顕著に得られ易いという理由から、銅化合物が特に好ましい。

（銅化合物）
本発明において、赤外線吸収剤として用いる銅化合物は、銅錯体が好ましい。銅錯体としては、銅と、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）との錯体が好ましい。銅に対する配位部位としては、アニオンで配位する配位部位、非共有電子対で配位する配位原子が挙げられる。銅錯体は、配位子を２つ以上有していてもよい。配位子を２つ以上有する場合は、それぞれの配位子は同一であってもよく、異なっていてもよい。銅錯体は、４配位、５配位および６配位が例示され、４配位および５配位がより好ましく、５配位がさらに好ましい。また、銅錯体は、銅と配位子によって、５員環および／または６員環が形成されていることが好ましい。このような銅錯体は、形状が安定であり、錯体安定性に優れる。

本発明において、銅錯体は、フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であることも好ましい。ここで、フタロシアニン銅錯体とは、フタロシアニン骨格を有する化合物を配位子とする銅錯体である。フタロシアニン骨格を有する化合物は、分子全体にπ電子共役系が広がり、平面構造を取る。フタロシアニン銅錯体は、π−π＊遷移で光を吸収する。π−π＊遷移で赤外領域の光を吸収するには、配位子をなす化合物が長い共役構造をとる必要がある。しかしながら、配位子の共役構造を長くすると、可視光透過性が低下する傾向にある。このため、フタロシアニン銅錯体は、可視光透過性が不十分な場合がある。
また、銅錯体は、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であることも好ましい。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物を配位子とする銅錯体は、可視領域（例えば、４００〜６００ｎｍの波長領域）に吸収を有するため、可視光透過性が不十分な場合がある。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物としては、長い共役構造を有し、π−π＊遷移の光の吸収の大きい化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン骨格を有する化合物が挙げられる。

銅錯体は、例えば銅成分（銅または銅を含む化合物）に対して、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）を混合・反応等させて得ることができる。銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）は、低分子化合物であってもよく、ポリマーであってもよい。両者を併用することもできる。

銅成分は、２価の銅を含む化合物が好ましい。銅成分は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。銅成分としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、例えば、カルボン酸銅（例えば、酢酸銅、エチルアセト酢酸銅、ギ酸銅、安息香酸銅、ステアリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅など）、スルホン酸銅（例えば、メタンスルホン酸銅など）、リン酸銅、リン酸エステル銅、ホスホン酸銅、ホスホン酸エステル銅、ホスフィン酸銅、アミド銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、メチド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、硫酸銅、硝酸銅、過塩素酸銅、フッ化銅、塩化銅、臭化銅が好ましく、カルボン酸銅、スルホン酸銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、フッ化銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅がより好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、フェノキシ銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅が更に好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、塩化銅、硫酸銅が特に好ましい。

本発明において、銅錯体は、７００〜１２００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物が好ましい。銅錯体の極大吸収波長は、７２０〜１２００ｎｍの波長領域に有することがより好ましく、８００〜１１００ｎｍの波長領域に有することがさらに好ましい。極大吸収波長は、例えば、Ｃａｒｙ ５０００ ＵＶ−Ｖｉｓ−ＮＩＲ（分光光度計 アジレント・テクノロジー株式会社製）を用いて測定することができる。
銅錯体の上述した波長領域における極大吸収波長でのモル吸光係数は、１２０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が好ましく、１５０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がより好ましく、２００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がさらに好ましく、３００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がよりさらに好ましく、４００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が特に好ましい。上限は、特に限定はないが、例えば、３００００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以下とすることができる。銅錯体の上記モル吸光係数が、１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上であれば、薄膜であっても、赤外線遮蔽性に優れた膜を形成することができる。
銅錯体の８００ｎｍでのグラム吸光係数は、０．１１（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上が好ましく、０．１５（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がより好ましく、０．２４（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がさらに好ましい。
なお、本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、銅錯体を溶媒に溶解させて１ｇ／Ｌの濃度の溶液を調製し、銅錯体を溶解させた溶液の吸収スペクトルを測定して求めることができる。測定装置としては、島津製作所製ＵＶ−１８００（波長領域２００〜１１００ｎｍ）、Ａｇｉｌｅｎｔ製Ｃａｒｙ ５０００（波長領域２００〜１３００ｎｍ）などを用いることができる。測定溶媒としては、水、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、１，２，４−トリクロロベンゼン、アセトンが挙げられる。本発明では、上述した測定溶媒のうち、測定対象の銅錯体を溶解できるものを選択して用いる。なかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテルで溶解する銅錯体の場合は、測定溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルを用いることが好ましい。なお、溶解するとは、２５℃の溶媒に対する、銅錯体の溶解度が０．０１ｇ／１００ｇＳｏｌｖｅｎｔを超える状態を意味する。
本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、上述した測定溶媒のいずれか１つを用いて測定した値であることが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルでの値であることがより好ましい。

［低分子タイプの銅化合物］
銅化合物としては、例えば、下式（Ｃｕ−１）で表される銅錯体を用いることができる。この銅錯体は、中心金属の銅に配位子Ｌが配位した銅化合物であり、銅は、通常２価の銅である。例えば銅成分に対して、配位子Ｌとなる化合物またはその塩を混合・反応等させて得ることができる。
Ｃｕ（Ｌ）_n1・（Ｘ）_n2 式（Ｃｕ−１）
上記式中、Ｌは、銅に配位する配位子を表し、Ｘは、対イオンを表す。ｎ１は、１〜４の整数を表す。ｎ２は、０〜４の整数を表す。

Ｘは、対イオンを表す。銅化合物は、電荷を持たない中性錯体のほか、カチオン錯体、アニオン錯体になることもある。この場合、銅化合物の電荷を中和するよう、必要に応じて対イオンが存在する。
対イオンが負の対イオンの場合、例えば、無機陰イオンでも有機陰イオンでもよい。具体例としては、水酸化物イオン、ハロゲン陰イオン（例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等）、置換または無置換のアルキルカルボン酸イオン（酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン等）、置換または無置換のアリールカルボン酸イオン（安息香酸イオン等）、置換もしくは無置換のアルキルスルホン酸イオン（メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオン（例えばパラ−トルエンスルホン酸イオン、パラ−クロロベンゼンスルホン酸イオン等）、アリールジスルホン酸イオン（例えば１，３−ベンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオン等）、アルキル硫酸イオン（例えばメチル硫酸イオン等）、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（Ｂ^-（Ｃ₆Ｆ₅）₄）、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が挙げられ、ハロゲン陰イオン、置換もしくは無置換のアルキルカルボン酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が好ましい。
対イオンが正の対イオンの場合、例えば、無機もしくは有機のアンモニウムイオン（例えば、テトラブチルアンモニウムイオンなどのテトラアルキルアンモニウムイオン、トリエチルベンジルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等）、ホスホニウムイオン（例えば、テトラブチルホスホニウムイオンなどのテトラアルキルホスホニウムイオン、アルキルトリフェニルホスホニウムイオン、トリエチルフェニルホスホニウムイオン等）、アルカリ金属イオンまたはプロトンが挙げられる。
また、対イオンは金属錯体イオンであってもよく、特に対イオンが銅錯体、すなわち、カチオン性銅錯体とアニオン性銅錯体の塩であっても良い。

配位子Ｌは、銅に対する配位部位を有する化合物であり、銅に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する化合物が挙げられる。アニオンで配位する配位部位は、解離していてもよく、非解離でも良い。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）が好ましい。また、配位子Ｌは、可視透明性を向上させるために、芳香族などのπ共役系が連続して複数結合していないことが好ましい。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を１個有する化合物（単座配位子）と、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）とを併用することもできる。単座配位子としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する単座配位子が挙げられる。アニオンで配位する配位子としては、ハライドアニオン、ヒドロキシドアニオン、アルコキシドアニオン、フェノキシドアニオン、アミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、イミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたイミドを含む）、アニリドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアニリドを含む）、チオラートアニオン、炭酸水素アニオン、カルボン酸アニオン、チオカルボン酸アニオン、ジチオカルボン酸アニオン、硫酸水素アニオン、スルホン酸アニオン、リン酸二水素アニオン、リン酸ジエステルアニオン、ホスホン酸モノエステルアニオン、ホスホン酸水素アニオン、ホスフィン酸アニオン、含窒素へテロ環アニオン、硝酸アニオン、次亜塩素酸アニオン、シアニドアニオン、シアナートアニオン、イソシアナートアニオン、チオシアナートアニオン、イソチオシアナートアニオン、アジドアニオンなどが挙げられる。非共有電子対で配位する単座配位子としては、水、アルコール、フェノール、エーテル、アミン、アニリン、アミド、イミド、イミン、ニトリル、イソニトリル、チオール、チオエーテル、カルボニル化合物、チオカルボニル化合物、スルホキシド、へテロ環、あるいは、炭酸、カルボン酸、硫酸、スルホン酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、硝酸、または、そのエステルが挙げられる。

上記配位子が有するアニオンは、銅成分中の銅原子に配位可能なものであればよく、酸素アニオン、窒素アニオンまたは硫黄アニオンが好ましい。アニオンで配位する配位部位は、以下の１価の官能基群（ＡＮ−１）、または、２価の官能基群（ＡＮ−２）から選択される少なくとも１種であることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。

群（ＡＮ−１）

群（ＡＮ−２）

上記式中、Ｘは、ＮまたはＣＲを表し、Ｒは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
Ｒが表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましい。アルキル基の例としては、メチル基が挙げられる。アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子、カルボキシル基、ヘテロ基が挙げられる。置換基としてのヘテロ環基は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましく、１または２が好ましい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子は、窒素原子が好ましい。アルキル基が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよい。
Ｒが表すアルケニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルケニル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。アルケニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアルキニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキニル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。アルキニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。アリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表す。
ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。

アニオンで配位する配位部位の例として、モノアニオン性配位部位も挙げられる。モノアニオン性配位部位は、１つの負電荷を有する官能基を介して銅原子と配位する部位を表す。例えば、酸解離定数（ｐＫａ）が１２以下の酸基が挙げられる。具体的には、リン原子を含有する酸基（リン酸ジエステル基、ホスホン酸モノエステル基、ホスフィン酸基等）、スルホ基、カルボキシル基、イミド酸基等が挙げられ、スルホ基、カルボキシル基が好ましい。

非共有電子対で配位する配位原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子またはリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子または硫黄原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましく、窒素原子が特に好ましい。非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子である場合、窒素原子に隣接する原子が炭素原子、または、窒素原子であることが好ましく、炭素原子がより好ましい。

非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれる、または、以下の１価の官能基群（ＵＥ−１）、２価の官能基群（ＵＥ−２）、３価の官能基群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造に含まれることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。
群（ＵＥ−１）

群（ＵＥ−２）

群（ＵＥ−３）

群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中、Ｒ¹は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ²は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。

非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれていてもよい。非共有電子対で配位する配位原子が環に含まれる場合、非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、５〜１２員環が好ましく、５〜７員環がより好ましい。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子、ケイ素原子、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、カルボキシル基等が挙げられる。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよく、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造を含む基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアシル基、ヒドロキシ基が挙げられる。

非共有電子対で配位する配位原子が群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）で表される部分構造に含まれる場合、Ｒ¹は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ²は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルコキシ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、３〜９がより好ましい。
アリールオキシ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールオキシ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールオキシ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルキルチオ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜９がより好ましい。
アリールチオ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールチオ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールチオ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アシル基の炭素数は、２〜１２が好ましく、２〜９がより好ましい。

配位子が、１分子内に、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する場合、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができ、可視光透過性を高めつつ、モル吸光係数を大きくし易い。アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子の種類は、１種または２種以上であってもよい。炭素原子、または、窒素原子が好ましい。

配位子が、１分子内に、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する場合、非共有電子対で配位する配位原子は３つ以上有していてもよく、２〜５つ有していることが好ましく、４つ有していることがより好ましい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、２〜３が更に好ましく、３が特に好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができる。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、１種または２種以上であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、炭素原子が好ましい。

配位子は、少なくとも２つの配位部位を有する化合物（多座配位子ともいう）が好ましい。配位子は、配位部位を少なくとも３つ有することがより好ましく、３〜５個有することが更に好ましく、４〜５個有することが特に好ましい。多座配位子は、銅成分に対し、キレート配位子として働く。すなわち、多座配位子が有する少なくとも２つの配位部位が、銅とキレート配位することにより、銅錯体の構造が歪んで、可視光領域の高い透過性が得られ、赤外線の吸光能力を向上でき、色価も向上すると考えられる。

多座配位子は、アニオンで配位する配位部位を１つ以上と非共有電子対で配位する配位原子を１つ以上とを含む化合物、非共有電子対で配位する配位原子を２つ以上有する化合物、アニオンで配位する配位部位を２つ含む化合物等が挙げられる。これらの化合物は、それぞれ独立に、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、配位子となる化合物は、配位部位を１つのみ有する化合物を用いることもできる。

多座配位子は、下記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）で表される化合物であることが好ましい。例えば、配位子が４つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−３）、（ＩＶ−６）、（ＩＶ−７）、（ＩＶ−１２）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な５配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−１２）で表される化合物がより好ましい。また、例えば、配位子が５つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−４）、（ＩＶ−８）〜（ＩＶ−１１）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な５配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−９）〜（ＩＶ−１０）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物がより好ましく、（ＩＶ−１３）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）中、Ｘ¹〜Ｘ⁵⁹はそれぞれ独立して、配位部位を表し、Ｌ¹〜Ｌ²⁵はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｌ²⁶〜Ｌ³²はそれぞれ独立して３価の連結基を表し、Ｌ³³〜Ｌ³⁴はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。
Ｘ¹〜Ｘ⁴²はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−１）、または、群（ＵＥ−１）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ⁴³〜Ｘ⁵⁶はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−２）、または、群（ＵＥ−２）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ⁵⁷〜Ｘ⁵⁹はそれぞれ独立して、上述した群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｌ¹〜Ｌ²⁵はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数６〜１２のアリーレン基、−ＳＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ₂−または、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、−ＳＯ₂−またはこれらの組み合わせからなる基がより好ましい。
Ｌ²⁶〜Ｌ³²はそれぞれ独立して３価の連結基を表す。３価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を１つ除いた基が挙げられる。
Ｌ³³〜Ｌ³⁴はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。４価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。
ここで、群（ＡＮ−１）〜（ＡＮ−２）中のＲ、および、群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中のＲ¹は、Ｒ同士、Ｒ¹同士、あるいは、ＲとＲ¹間で連結して環を形成しても良い。

配位子をなす化合物の具体例としては、以下に示す化合物、後述する多座配位子の好ましい具体例として示す化合物、および、これらの化合物の塩が挙げられる。塩を構成する原子としては、金属原子、テトラブチルアンモニウムなどが挙げられる。金属原子としては、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子がより好ましい。アルカリ金属原子としては、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。アルカリ土類金属原子としては、カルシウム、マグネシウム等が挙げられる。また、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２の記載、特開２０１５−４３０６３号公報の段落００２１〜００３９の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

銅錯体は、例えば、以下の（１）〜（５）の態様が好ましい一例として挙げられ、（２）〜（５）がより好ましく、（３）〜（５）が更に好ましく、（４）または（５）が一層好ましい。
（１）２つの配位部位を有する化合物の１つまたは２つを配位子として有する銅錯体
（２）３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体
（３）３つの配位部位を有する化合物と２つの配位部位を有する化合物とを配位子として有する銅錯体
（４）４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体
（５）５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体

上記（１）の態様において、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物、または、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物の２つを配位子として有する場合、配位子の化合物は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、（１）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１〜３個とすることもできる。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましく、２つの配位部位を有する化合物が非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物の場合は配位力が強いという理由からアニオンで配位する単座配位子がより好ましく、２つの配位部位を有する化合物がアニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物の場合には錯体全体が電荷を持たないという理由から非共有電子対で配位する単座配位子がより好ましい。

上記（２）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を３つ有する化合物が更に好ましい。
また、（２）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもできる。また、１個以上とすることもでき、１〜３個以上がより好ましく、１〜２個がさらに好ましく、２個が一層好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましく、上述した理由によりアニオンで配位する単座配位子がより好ましい。

上記（３）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、アニオンで配位する配位部位と、非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましく、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物が更に好ましい。さらに、この２つのアニオンで配位する配位部位が異なっていることが特に好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物が更に好ましい。なかでも、３つの配位部位を有する化合物が、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物であり、２つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物である組み合わせが、特に好ましい。
また、（３）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。０個がより好ましい。

上記（４）の態様において、４つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を４つ有する化合物が更に好ましい。
また、（４）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもでき、２個以上とすることもできる。１個が好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましい。

上記（５）の態様において、５つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を５つ有する化合物が更に好ましい。
また、（５）の態様において、銅錯体は、更に、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。単座配位子の数は０個が好ましい。

多座配位子は、上述した配位子の具体例で説明した化合物のうち、配位部位を２以上有する化合物や、以下に示す化合物が挙げられる。

［リン酸エステル銅錯体］
本発明において、銅化合物として、リン酸エステル銅錯体を用いることもできる。リン酸エステル銅錯体は、銅を中心金属としリン酸エステル化合物を配位子とするものである。リン酸エステル銅錯体の配位子をなすリン酸エステル化合物は、下記式（Ｌ−１００）で表される化合物またはその塩が好ましい。
（ＨＯ）_n−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＲ¹）_3-n 式（Ｌ−１００）
式中、Ｒ¹は炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数１〜１８のアラルキル基、または炭素数１〜１８のアルケニル基を表すか、−ＯＲ¹が、炭素数４〜１００のポリオキシアルキル基、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、または、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基を表し、ｎは１または２を表す。ｎが１のとき、Ｒ²はそれぞれ同一でもよいし、異なっていてもよい。

上記式において、−ＯＲ¹の少なくとも１つが、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、または、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基を表すことが好ましく、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基を表すことがより好ましい。ポリオキシアルキル基、（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、および（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基の炭素数は、それぞれ、４〜２０であることが好ましく、４〜１０であることがより好ましい。
リン酸エステル化合物の分子量は、３００〜１５００であることが好ましく、３２０〜９００であることがより好ましい。

リン酸エステル化合物の具体例としては、上述した配位子が挙げられる。また、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

［スルホン酸銅錯体］
本発明において、銅化合物として、スルホン酸銅錯体を用いることもできる。スルホン酸銅錯体は、銅を中心金属としスルホン酸化合物を配位子とするものである。スルホン酸銅錯体の配位子をなすスルホン酸化合物は、下記式（Ｌ−２００）で表される化合物またはその塩が好ましい。
Ｒ²−ＳＯ₂−ＯＨ 式（Ｌ−２００）

式中、Ｒ²は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などを挙げることができる。
アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。
アリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜２５が好ましく、６〜１０がより好ましい。
ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、重合性基（好ましくは、ビニル基、（メタ）アクリロイルオキシ基）、（メタ）アクリロイル基などのエチレン性不飽和結合を有する基）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基、カルボン酸エステル基（例えば−ＣＯ₂ＣＨ₃）、ハロゲン化アルキル基（）、アルコキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、エーテル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルフィド基、アミド基、アシル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン原子を含有する酸基、アミノ基、カルバモイル基、カルバモイルオキシ基等が挙げられる。
上記のハロゲン化アルキル基としては、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。特に、フッ素原子を２つ以上有する炭素数が１〜１０のアルキル基が好ましい。ハロゲン化アルキル基は、直鎖、分岐および環状のいずれであってもよいが、直鎖または分岐が好ましい。ハロゲン化アルキル基における炭素数は、１〜１０がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜３がより好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基は、末端の構造が（−ＣＦ₃）であることが好ましい。フッ素原子で置換されたアルキル基は、フッ素原子の置換率が、５０〜１００％であることが好ましく、８０〜１００％であることがさらに好ましい。ここで、フッ素原子の置換率とは、フッ素原子で置換されたアルキル基において、水素原子がフッ素原子に置換されている比率（％）のことをいう。特に、ハロゲン化アルキル基としては、ペルフルオロアルキル基がより好ましく、炭素数１〜１０のペルフルオロアルキル基がさらに好ましく、トリフルオロエチル基及びトリフルオロメチル基がさらに好ましい。

上述したアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、二価の連結基を有していてもよい。二価の連結基としては、−（ＣＨ₂）_m−（ｍは１〜１０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜４の整数）、炭素数５〜１０の環状のアルキレン基、または、これらの基と、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＮＨ−および−ＣＯ−の少なくとも１つの組み合わせからなる基が好ましい。

式（Ｌ−２００）中、Ｒ²は、式量が３００以下の有機基であることが好ましく、式量が５０〜２００の有機基がより好ましく、式量６０〜１００の有機基がさらに好ましい。
式（Ｌ−２００）で表されるスルホン酸化合物の分子量は、８０〜７５０が好ましく、８０〜６００がより好ましく、８０〜４５０がさらに好ましい。

スルホン酸銅錯体は、下記式（Ｌ−２０１）で表される構造を有することが好ましい。
Ｒ^2A−ＳＯ₂−Ｏ−＊ （Ｌ−２０１）
式中、Ｒ^2Aは、式（Ｌ−２００）におけるＲ²と同義であり、好ましい範囲も同様である。

スルホン酸化合物の具体例としては、上述した配位子が挙げられる。また、特開２０１５−４３０６３号公報の段落００２１〜００３９の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

［ポリマータイプの銅化合物］
本発明において、銅化合物として、ポリマー側鎖に銅錯体部位を有する銅含有ポリマーを用いることができる。銅含有ポリマーは、ポリマー側鎖に銅錯体部位を有するので、銅を起点として、ポリマーの側鎖間に架橋構造が形成されると考えられ、耐熱性に優れた膜が得られると考えられる。なお、ポリマータイプの銅化合物（銅含有ポリマー）は、後述する樹脂とは異なる成分である。

銅錯体部位としては、銅と、銅に対して配位する部位（配位部位）とを有するものが挙げられる。銅に対して配位する部位としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する部位が挙げられる。また、銅錯体部位は、銅に対して４座配位または５座配位する部位を有することが好ましい。配位部位の詳細については、上述した低分子タイプの銅化合物で説明したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。

銅含有ポリマーは、配位部位を含むポリマー（ポリマー（Ｂ１）ともいう）と、銅成分との反応で得られるポリマーや、ポリマー側鎖に反応性部位を有するポリマー（以下ポリマー（Ｂ２）ともいう）と、ポリマー（Ｂ２）が有する反応性部位と反応可能な官能基を有する銅錯体とを反応させて得られるポリマーが挙げられる。銅含有ポリマーの重量平均分子量は、２０００以上が好ましく、２０００〜２００万がより好ましく、６０００〜２００，０００がさらに好ましい。

（スクアリリウム化合物）
スクアリリウム化合物は、下記一般式１で表される化合物が好ましい。
一般式１

一般式１中、環Ａおよび環Ｂは、それぞれ独立に、芳香族環を表し、
Ｘ^AおよびＸ^Bはそれぞれ独立に置換基を表し、
Ｇ^AおよびＧ^Bはそれぞれ独立に置換基を表し、
ｋＡは０〜ｎＡの整数を表し、ｋＢは０〜ｎＢの整数を表し、
ｎＡは、Ａ環に置換可能な最大の整数を表し、ｎＢは、Ｂ環に置換可能な最大の整数を表し、
Ｘ^AとＧ^A、Ｘ^BとＧ^Bは互いに結合して環を形成しても良く、Ｇ^AおよびＧ^Bがそれぞれ複数存在する場合は、互いに結合して環を形成していても良い。

一般式１において、Ｇ^AおよびＧ^Bはそれぞれ独立に置換基を表す。
置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＯＲ^c1、−ＣＯＲ^c2、−ＣＯＯＲ^c3、−ＯＣＯＲ^c4、−ＮＲ^c5Ｒ^c6、−ＮＨＣＯＲ^c7、−ＣＯＮＲ^c8Ｒ^c9、−ＮＨＣＯＮＲ^c10Ｒ^c11、−ＮＨＣＯＯＲ^c12、−ＳＲ^c13、−ＳＯ₂Ｒ^c14、−ＳＯ₂ＯＲ^c15、−ＮＨＳＯ₂Ｒ^c16または−ＳＯ₂ＮＲ^c17Ｒ^c18が挙げられる。Ｒ^c1〜Ｒ^c18は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。なお、−ＣＯＯＲ^c3のＲ^c3が水素原子の場合（すなわち、カルボキシル基）は、水素原子が解離してもよく（すなわち、カルボネート基）、塩の状態であってもよい。また、−ＳＯ₂ＯＲ^c15のＲ^c15が水素原子の場合（すなわち、スルホ基）は、水素原子が解離してもよく（すなわち、スルホネート基）、塩の状態であってもよい。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１２がさらに好ましく、１〜８が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。アルキル基は無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。
アルケニル基の炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜１２がさらに好ましく、２〜８が特に好ましい。アルケニル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。
アルキニル基の炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜１２がさらに好ましく、２〜８が特に好ましい。アルキニル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。
アリール基の炭素数は、６〜２５が好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１０が最も好ましい。
アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基のアリール部分は、上記アリール基と同様である。アラルキル基の炭素数は、７〜４０が好ましく、７〜３０がより好ましく、７〜２５が更に好ましい。
ヘテロアリール基は、単環または縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜８の縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜４の縮合環がより好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。ヘテロアリール基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロアリール基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましい。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、上述したＧ^AおよびＧ^Bで挙げた置換基が挙げられ、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられる。

一般式１において、Ｘ^AおよびＸ^Bはそれぞれ独立に置換基を表す。置換基は、活性水素を有する基が好ましく、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ₃Ｈ、−ＮＨＲ^x1、−ＮＲ^x1Ｒ^x2、−ＮＨＣＯＲ^x1、−ＣＯＮＲ^x1Ｒ^x2、−ＮＨＣＯＮＲ^x1Ｒ^x2、−ＮＨＣＯＯＲ^x1、−ＮＨＳＯ₂Ｒ^x1、−Ｂ（ＯＨ）₂、−ＰＯ（ＯＨ）₃および−ＮＨＢＲ^x1Ｒ^x2が好ましく、−ＯＨ、−ＮＨＣＯＲ^x1、−ＮＨＣＯＮＲ^x1Ｒ^x2、−ＮＨＣＯＯＲ^x1、−ＮＨＳＯ₂Ｒ^x1および−ＮＨＢＲ^x1Ｒ^x2がより好ましく、−ＮＨＣＯＲ^x1、−ＮＨＣＯＮＲ^x1Ｒ^x2、−ＮＨＣＯＯＲ^x1および−ＮＨＳＯ₂Ｒ^x1がさらに好ましく、−ＮＨＣＯＲ^x1および−ＮＨＳＯ₂Ｒ^x1が特に好ましい。

Ｒ^x1およびＲ^x2は、それぞれ独立して、置換基を表す。置換基としては、アルキル基、アリール基などが挙げられ、アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１５がより好ましく、１〜８が更に好ましく、１〜５が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよく、直鎖または分岐が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１２が更に好ましい。アルキル基およびアリール基は、置換基を有してもよく、無置換であってもよいが、置換基を有していることが好ましい。置換基としては、後述するＲ_Zで説明する置換基が挙げられる。例えば、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基等が挙げられ、耐熱性および耐光性の観点からハロゲン原子が好ましく、フッ素原子が更に好ましい。
Ｒ^x1およびＲ^x2は、フッ素原子を有する基が好ましく、フッ素原子を有するアルキル基または、フッ素原子を有するアリール基がより好ましく、フッ素原子を有するアルキル基が更に好ましく、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。

一般式１において、環Ａおよび環Ｂは、それぞれ独立に、芳香族環を表す。芳香族環は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。芳香族環は、芳香族炭化水素環であってもよく、芳香族複素環であってもよい。芳香族環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、および、フェナジン環が挙げられ、ベンゼン環またはナフタレン環が好ましく、ナフタレン環がより好ましい。
芳香族環は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、Ｇ^AおよびＧ^Bで説明した置換基が挙げられる。

一般式１において、Ｘ^AとＧ^A、Ｘ^BとＧ^Bは互いに結合して環を形成しても良く、Ｇ^AおよびＧ^Bがそれぞれ複数存在する場合は、Ｇ^A同士、または、Ｇ^B同士が互いに結合して環を形成していても良い。環としては、５員環または６員環が好ましい。環は単環であってもよく、複環であってもよい。Ｘ^AとＧ^A、Ｘ^BとＧ^B、Ｇ^A同士またはＧ^B同士が結合して環を形成する場合、これらが直接結合して環を形成してもよく、アルキレン基、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＢＲ−およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる２価の連結基を介して結合して環を形成してもよい。Ｘ^AとＧ^A、Ｘ^BとＧ^B、Ｇ^A同士またはＧ^B同士が、−ＢＲ−を介して結合して環を形成することが好ましい。Ｒは、水素原子または置換基を表す。置換基としてはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が挙げられる。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、および、ヘテロアリール基の詳細については、Ｇ^AおよびＧ^Bで説明した範囲と同義である。

一般式１において、ｋＡは０〜ｎＡの整数を表し、ｋＢは０〜ｎＢの整数を表し、ｎＡは、Ａ環に置換可能な最大の整数を表し、ｎＢは、Ｂ環に置換可能な最大の整数を表す。
ｋＡおよびｋＢは、それぞれ独立に０〜４が好ましく、０〜２がより好ましく、０〜１が特に好ましい。

一般式１で表される化合物は、下記一般式１−１で表される化合物が好ましい。この化合物は、耐熱性に優れている。
一般式１−１

式中、Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリールまたは、下式（Ｗ）で表される基を表し、
Ｒ³およびＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、または、アルキル基を表し、
Ｘ¹およびＸ²は、それぞれ独立に、酸素原子、または、−Ｎ（Ｒ⁵）−を表し、
Ｒ⁵は、水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、
Ｙ¹〜Ｙ⁴は、それぞれ独立に、置換基を表し、Ｙ¹とＹ²、および、Ｙ³とＹ⁴は、互いに結合して環を形成していてもよく、
Ｙ¹〜Ｙ⁴は、それぞれ複数有する場合は、互いに結合して環を形成していてもよく、
ｐおよびｓは、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、
ｑおよびｒは、それぞれ独立に０〜２の整数を表す；
−Ｓ¹−Ｌ¹−Ｔ¹ ・・・（Ｗ）
式（Ｗ）において、Ｓ¹は、単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基を表し、
Ｌ¹は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^L1−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＲ^L1−、−ＮＲ^L1ＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＯＲ^L2−、または、これらを組み合わせてなる基を表し、Ｒ^L1は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ^L2は、アルキレン基を表し、
Ｔ¹は、アルキル基、シアノ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、カルボキシ基、アミノ基、チオール基、スルホ基、ホスホリル基、ボリル基、ビニル基、エチニル基、アリール基、ヘテロアリール基、トリアルキルシリル基またはトリアルコキシシリル基を表す。

一般式１−１において、Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリールまたは、式（Ｗ）で表される基を表し、Ｒ¹およびＲ²の少なくとも一方は、式（Ｗ）で表される基を表すことが好ましい。一般式１−１において、Ｒ¹とＲ²は、同一であってもよく、異なる基であってもよい。Ｒ¹とＲ²が同じ基であることがより好ましい。なお、本明細書において、アリール基は、芳香族炭化水素基を意味し、ヘテロアリール基は、芳香族複素環基を意味する。

Ｒ¹およびＲ²が表すアルキル基の炭素数は、１〜４０が好ましい。下限は、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、１０以上が一層好ましく、１３以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルキル基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。分岐のアルキル基の分岐数は、例えば、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。分岐数が上記範囲であれば、溶剤溶解性が良好である。
Ｒ¹およびＲ²が表すアルケニル基の炭素数は、２〜４０が好ましい。下限は、例えば、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、８以上が一層好ましく、１０以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルケニル基は直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。分岐のアルケニル基の分岐数は、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。分岐数が上記範囲であれば、溶剤溶解性が良好である。
Ｒ¹およびＲ²が表すアリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１２が更に好ましい。
Ｒ¹およびＲ²が表すヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましい。

（式（Ｗ）で表される基）
次に、式（Ｗ）で表される基について説明する。
式（Ｗ）において、Ｓ¹は、単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基を表し、ホウ素原子との結合の安定性の観点から、アリーレン基またはヘテロアリーレン基が好ましく、アリーレン基がより好ましい。
アリーレン基は、単環であっても多環であってもよい。単環が好ましい。アリーレン基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。単環が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましい。
Ｓ¹が表す、アリーレン基およびヘテロアリーレン基の具体例としては、以下に示す構造が挙げられる。

式中、波線部分は一般式１−１のホウ素原子との結合位置を表し、＊は、Ｌ¹との結合位置を表し、Ｒ’は置換基を表し、Ｒ^Nは、水素原子またはアルキル基を表し、ｍは０以上の整数を表す。
Ｒ’が表す置換基としては、上述した一般式１のＧ^AおよびＧ^Bで説明した置換基が挙げられる。
Ｒ^Nが表すアルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜４が更に好ましく、１〜２が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれでもよい。
ｍは０以上の整数を表す。ｍの上限は、各基の最大置換数である。ｍは、０が好ましい。

式（Ｗ）において、Ｌ¹は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^L1−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＲ^L1−、−ＮＲ^L1ＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＯＲ^L2−または、これらを組み合わせてなる基を表し、Ｒ^L1は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｒ^L2は、アルキレン基を表す。
式（Ｗ）において、Ｌ¹は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^L1−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＲ^L1−、−ＳＯ₂−、−ＯＲ^L2−または、これらを組み合わせてなる基が好ましく、柔軟性および溶剤溶解性の観点から、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｏ−、−ＯＲ^L2−または、これらを組み合わせてなる基がより好ましく、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｏ−または−ＯＲ^L2−がさらに好ましく、アルキレン基、−Ｏ−、または−ＯＲ^L2−が特に好ましい。

Ｌ¹が表すアルキレン基の炭素数は、１〜４０が好ましい。下限は、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、１０以上が一層好ましく、１３以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルキレン基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。分岐数は、例えば、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。分岐数が上記範囲であれば、溶剤溶解性が良好である。
Ｌ¹が表すアルケニレン基およびアルキニレン基の炭素数は、２〜４０が好ましい。下限は、例えば、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、８以上が一層好ましく、１０以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルケニレン基およびアルキニレン基は直鎖、分岐のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。分岐数は、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。分岐数が上記範囲であれば、溶剤溶解性が良好である。

Ｒ^L1は、水素原子またはアルキル基を表し、水素原子が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜４が更に好ましく、１〜２が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれでもよい。

Ｒ^L2は、アルキレン基を表す。Ｒ^L2が表すアルキレン基は、Ｌ¹で説明したアルキレン基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

式（Ｗ）において、Ｔ¹は、アルキル基、シアノ基、ヒドロキシ基、ホルミル基、カルボキシ基、アミノ基、チオール基、スルホ基、ホスホリル基、ボリル基、ビニル基、エチニル基、アリール基、ヘテロアリール基、トリアルキルシリル基またはトリアルコキシシリル基を表す。
アルキル基、トリアルキルシリル基が有するアルキル基およびトリアルコキシシリル基が有するアルキル基の炭素数は、１〜４０が好ましい。下限は、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、１０以上が一層好ましく、１３以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルキル基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましい。
アリール基およびヘテロアリール基は、Ｒ¹およびＲ²で説明したアリール基およびヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

式（Ｗ）において、Ｓ¹が単結合で、Ｌ¹がアルキレン基で、Ｔ¹がアルキル基の場合は、Ｌ¹とＴ¹に含まれる炭素数の総和は、１３以上であることが好ましく、溶剤溶解性の観点から２１以上が好ましい。上限は、例えば４０以下が好ましく、３５以下がより好ましい。
また、Ｓ¹がアリーレン基の場合は、Ｌ¹とＴ¹に含まれる炭素数の総和は、５以上が好ましく、溶剤溶解性の観点から９以上が好ましく、１０以上がより好ましい。上限は、例えば４０以下が好ましく、３５以下がより好ましい。

式（Ｗ）の好ましい態様としては、Ｓ¹がアリーレン基またはヘテロアリーレン基であり、Ｌ¹がアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^L1−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＲ^L1−、−ＳＯ₂−、−ＯＲ^L2−または、これらを組み合わせてなる基であり、Ｔ¹がアルキル基またはトリアルキルシリル基である組み合わせが挙げられる。Ｓ¹は、アリーレン基がより好ましい。Ｌ¹は、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｏ−、−ＯＲ^L2−または、これらを組み合わせてなる基がより好ましく、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｏ−または−ＯＲ^L2−がさらに好ましく、アルキレン基、−Ｏ−、または−ＯＲ^L2−が特に好ましい。Ｔ¹はアルキル基がより好ましい。

式（Ｗ）において、−Ｌ¹−Ｔ¹部分は、分岐アルキル構造を含むことが好ましい。具体的には、−Ｌ¹−Ｔ¹部分は、分岐のアルキル基または分岐のアルコキシ基であることが特に好ましい。−Ｌ¹−Ｔ¹部分の分岐数は、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。−Ｌ¹−Ｔ¹部分の炭素数は、５以上が好ましく、９以上が好ましく、１０以上がより好ましい。上限は、例えば４０以下が好ましく、３５以下がより好ましい。

式（Ｗ）において、−Ｌ¹−Ｔ¹部分は、不斉炭素を含むことが好ましい。この態様によれば、一般式１−１で表される化合物が複数の光学異性体を含むことができ、その結果、化合物の溶剤溶解性をさらに向上できる。不斉炭素の数は１個以上が好ましい。不斉炭素の上限は特に限定はないが、例えば４以下が好ましい。

一般式１−１において、Ｒ³およびＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、または、アルキル基を表す。Ｒ³とＲ⁴は、同一であってもよく、異なる基であってもよい。Ｒ³とＲ⁴が同じ基であることがより好ましい。
Ｒ³およびＲ⁴が表すアルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜４が更に好ましく、１〜２が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれでもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
Ｒ³およびＲ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基であることが好ましく、水素原子またはメチル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。

一般式１−１において、Ｘ¹およびＸ²は、それぞれ独立に、酸素原子（−Ｏ−）、または、−Ｎ（Ｒ⁵）−を表す。Ｘ¹とＸ²は同一であってもよく、異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
Ｒ⁵は、水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
Ｒ⁵は、水素原子、アルキル基またはアリール基が好ましい。Ｒ⁵が表すアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述した一般式１のＧ^AおよびＧ^Bで説明した置換基が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜４が更に好ましく、１〜２が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれでもよい。
アリール基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましい。

Ｘ¹およびＸ²は、それぞれ独立に、酸素原子、または、下記のいずれかで表されることが好ましい。

式中、Ｒ^5aはアルキル基を表し、Ｒ⁶〜Ｒ⁸は、それぞれ独立に、置換基を表し、ａは０〜５の整数を表し、ｂおよびｃはそれぞれ０〜７の整数を表し、＊は連結手を表す。
Ｒ⁶〜Ｒ⁸が表す、置換基としては、上述した一般式１のＧ^AおよびＧ^Bで説明した置換基が挙げられる。

一般式１−１において、Ｙ¹〜Ｙ⁴は、それぞれ独立に、置換基を表す。
置換基としては、上述した一般式１のＧ^AおよびＧ^Bで説明した置換基が挙げられる。

一般式１−１において、Ｙ¹とＹ²、および、Ｙ³とＹ⁴は、互いに結合して環を形成していてもよい。例えば、Ｙ¹とＹ²とが互いに結合して、Ｙ¹及びＹ²に直結しているナフタレン環と併せて、例えば、アセナフテン環、アセナフチレン環等の３環等となっていてもよい。
Ｙ¹〜Ｙ⁴は、それぞれ複数有する場合は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。例えば、Ｙ¹が複数有する場合、Ｙ¹同士が互いに結合し、Ｙ¹およびＹ²に直結しているナフタレン環と併せて、例えば、アントラセン環、フェナントレン環等の３環等となっていてもよい。なお、Ｙ¹同士が互いに結合して環構造を形成する場合、Ｙ¹以外の置換基であるＹ²〜Ｙ⁴は必ずしも複数有する必要はない。また、Ｙ²〜Ｙ⁴は存在しなくてもよい。Ｙ²同士、Ｙ³同士およびＹ⁴同士が結合して環構造を形成する場合も同様である。
ｐおよびｓは、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、好ましくはそれぞれ０〜１であり、特に好ましくは０である。
ｑおよびｒは、それぞれ独立に０〜２の整数を表し、好ましくはそれぞれ０〜１であり、特に好ましくは０である。

なお、一般式（１）においてカチオンは、以下のように非局在化して存在している。

一般式１で表されるスクアリリウム化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる。また、特開２０１１−２０８１０１号公報の段落番号００４４〜００４９に記載の化合物が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。

（ピロロピロール化合物）
ピロロピロール化合物は、下記一般式２で表される化合物が好ましい。
一般式２

一般式２中、Ｒ^1aおよびＲ^1bは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、
Ｒ²〜Ｒ⁵は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ²とＲ³、Ｒ⁴とＲ⁵は、それぞれ結合して環を形成していてもよく、
Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＢＲ^AＲ^B、または金属原子を表し、Ｒ^AおよびＲ^Bは、各々独立に、水素原子または置換基を表し、
Ｒ⁶は、Ｒ^1aまたはＲ³と、共有結合もしくは配位結合していてもよく、Ｒ⁷は、Ｒ^1bまたはＲ⁵と、共有結合もしくは配位結合していてもよい。

一般式２中、Ｒ^1aおよびＲ^1bは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、アリール基またはヘテロアリール基が好ましく、アリール基がより好ましい。
Ｒ^1aおよびＲ^1bが表すアルキル基の炭素数は、１〜４０が好ましく、１〜３０がより好ましく、１〜２５が特に好ましい。アルキル基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。
Ｒ^1aおよびＲ^1bが表すアリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１２が更に好ましい。アリール基は、フェニルが好ましい。
Ｒ^1aおよびＲ^1bが表すヘテロアリール基は、単環または縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜８の縮合環が好ましく、単環または縮合数が２〜４の縮合環がより好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。ヘテロアリール基を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましく、３〜１０が特に好ましい。ヘテロアリール基は、５員環または６員環が好ましい。

上述したアリール基およびヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。溶媒に対する溶解性を向上できるという観点から置換基を有していることが好ましい。
置換基としては、酸素原子を含んでもよい炭化水素基、アミノ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、メルカプト基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、シリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基などが挙げられる。
アルキル基の炭素数は、１〜４０が好ましい。下限は、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、８以上が一層好ましく、１０以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルキル基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。分岐のアルキル基の炭素数は、３〜４０が好ましい。下限は、例えば、５以上がより好ましく、８以上が更に好ましく、１０以上が一層好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。分岐のアルキル基の分岐数は、例えば、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。分岐数が上記範囲であれば、溶剤溶解性が良好である。
アルケニル基の炭素数は、２〜４０が好ましい。下限は、例えば、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、８以上が一層好ましく、１０以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルケニル基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。分岐のアルケニル基の炭素数は、３〜４０が好ましい。下限は、例えば、５以上がより好ましく、８以上が更に好ましく、１０以上が一層好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。分岐のアルケニル基の分岐数は、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。分岐数が上記範囲であれば、溶剤溶解性が良好である。
アリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１２が更に好ましい。
酸素原子を含む炭化水素基としては、−Ｌ−Ｒ^x1で表される基が挙げられる。
Ｌは、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−（ＯＲ^x2）_m−または−（Ｒ^x2Ｏ）_m−を表す。Ｒ^x1は、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を表す。Ｒ^x2は、アルキレン基またはアリーレン基を表す。ｍは２以上の整数を表し、ｍ個のＲ^x2は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
Ｌは、−Ｏ−、−（ＯＲ^x2）_m−または−（Ｒ^x2Ｏ）_m−が好ましく、−Ｏ−がより好ましい。
Ｒ^x1が表すアルキル基、アルケニル基、アリール基は上述したものと同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｒ^x1は、アルキル基またはアルケニル基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
Ｒ^x2が表すアルキレン基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜５が更に好ましい。アルキレン基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましい。Ｒ^x2が表すアリーレン基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１２がより好ましい。Ｒ^x2はアルキレン基が好ましい。
ｍは２以上の整数を表し、２〜２０が好ましく、２〜１０がより好ましい。

置換基は、分岐アルキル構造を有する基が好ましい。この態様によれば、溶剤溶解性がより向上する。また、置換基は、酸素原子を含んでもよい炭化水素基が好ましく、酸素原子を含む炭化水素基がより好ましい。酸素原子を含む炭化水素基は、−Ｏ−Ｒ^x1で表される基が好ましい。Ｒ^x1は、アルキル基またはアルケニル基が好ましく、アルキル基がより好ましく、分岐のアルキル基が特に好ましい。すなわち、置換基は、アルコキシ基がより好ましく、分岐のアルコキシ基が特に好ましい。置換基が、アルコキシ基であることにより、耐熱性および耐光性にすぐれた赤外線吸収剤とすることができる。そして、分岐のアルコキシ基であることにより、溶剤溶解性が良好である。
アルコキシ基の炭素数は、１〜４０が好ましい。下限は、例えば、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、８以上が一層好ましく、１０以上が特に好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。アルコキシ基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、分岐が特に好ましい。分岐のアルコキシ基の炭素数は、３〜４０が好ましい。下限は、例えば、５以上がより好ましく、８以上が更に好ましく、１０以上が一層好ましい。上限は、３５以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。分岐のアルコキシ基の分岐数は、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましい。

Ｒ²〜Ｒ⁵は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基（アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基を含む）、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、シリル基などが挙げられる。

Ｒ²およびＲ³のいずれか一方と、Ｒ⁴およびＲ⁵のいずれか一方は、電子吸引性基であることが好ましい。
Ｈａｍｍｅｔｔのσｐ値（シグマパラ値）が正の置換基は、電子吸引性基として作用する。
本発明においては、Ｈａｍｍｅｔｔのσｐ値が０．２以上の置換基を電子吸引性基として例示することができる。σｐ値として好ましくは０．２５以上であり、より好ましくは０．３以上であり、特に好ましくは０．３５以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは０．８０である。
電子吸引性基の具体例としては、シアノ基（０．６６）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ：０．４５）、アルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＭｅ：０．４５）、アリールオキシカルボニル基（−ＣＯＯＰｈ：０．４４）、カルバモイル基（−ＣＯＮＨ₂：０．３６）、アルキルカルボニル基（−ＣＯＭｅ：０．５０）、アリールカルボニル基（−ＣＯＰｈ：０．４３）、アルキルスルホニル基（−ＳＯ₂Ｍｅ：０．７２）、アリールスルホニル基（−ＳＯ₂Ｐｈ：０．６８）などが挙げられる。特に好ましくは、シアノ基である。ここで、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。
Ｈａｍｍｅｔｔのσｐ値については、例えば、特開２００９−２６３６１４号公報の段落００２４〜００２５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

Ｒ²およびＲ³のいずれか一方と、Ｒ⁴およびＲ⁵のいずれか一方は、ヘテロアリール基が好ましい。
ヘテロアリール基は、単環、または、縮合環が好ましく、単環、または、縮合数が２〜８の縮合環が好ましく、単環、または、縮合数が２〜４の縮合環がより好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。ヘテロアリール基は、窒素原子を１個以上有することが好ましい。ヘテロアリール基を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましく、３〜１０が特に好ましい。ヘテロアリール基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロアリール基の具体例としては、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、トリアジル基、キノリル基、キノキサリル基、イソキノリル基、インドレニル基、フリル基、チエニル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、ナフトチアゾリル基、ベンズオキサゾリ基、ｍ−カルバゾリル基、アゼピニル基、およびこれらの基のベンゾ縮環基もしくはナフト縮環基などが挙げられる。
ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、上述したＲ²〜Ｒ⁵が表す置換基が挙げられる。ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、塩素原子が特に好ましい。アルキル基およびアルコキシ基の炭素数は、１〜４０が好ましく、１〜３０がより好ましく、１〜２５が特に好ましい。アルキル基およびアルコキシ基は直鎖または分岐が好ましく、直鎖が特に好ましい。アリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１２が更に好ましい。

一般式２において、Ｒ²とＲ³、Ｒ⁴とＲ⁵は、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ｒ²とＲ³、Ｒ⁴とＲ⁵が互いに結合して環を形成する場合は、５〜７員環（好ましくは５または６員環）を形成することが好ましい。形成される環としてはメロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましい。具体例としては、例えば、特開２０１０−２２２５５７号公報の段落番号００２６に記載の構造が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。
Ｒ²とＲ³、Ｒ⁴とＲ⁵が互いに結合して形成する環は、好ましくは１，３−ジカルボニル核、ピラゾリノン核、２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン核、２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核、２，４−チアゾリジンジオン核、２，４−イミダゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン核、２−イミダゾリン−５−オン核、３，５−ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェン−３−オン核、またはインダノン核であり、更に好ましくは１，３−ジカルボニル核、２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、３，５−ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェン−３−オン核、またはインダノン核である。

Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＢＲ^AＲ^B、または金属原子を表し、−ＢＲ^AＲ^Bがより好ましい。
アルキル基の炭素数は、１〜４０が好ましく、１〜３０がより好ましく、１〜２５が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、直鎖が特に好ましい。アルキル基は無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したＲ²〜Ｒ⁵が表す置換基が挙げられる。
アリール基の炭素数は、６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１２が更に好ましい。アリール基は無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したＲ²〜Ｒ⁵が表す置換基が挙げられる。
ヘテロアリール基は、単環または縮合環が好ましく、単環がより好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基の環を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。ヘテロアリール基を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましく、３〜５が特に好ましい。ヘテロアリール基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロアリール基は無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したＲ²〜Ｒ⁵が表す置換基が挙げられる。
金属原子としては、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、バリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、亜鉛、スズ、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、イリジウム、白金が好ましく、アルミニウム、亜鉛、バナジウム、鉄、銅、パラジウム、イリジウム、白金が特に好ましい。

−ＢＲ^AＲ^Bで表される基において、Ｒ^AおよびＲ^Bは、各々独立に、置換基を表す。Ｒ^AおよびＲ^Bが表す置換基としては、上述したＲ²〜Ｒ⁵が表す置換基が挙げられる。ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基およびヘテロアリール基が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。アルキル基およびアルコキシ基の炭素数は、１〜４０が好ましく、１〜３０がより好ましく、１〜２５が特に好ましい。アルキル基およびアルコキシ基は直鎖または分岐が好ましく、直鎖が特に好ましい。アルキル基およびアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子などが挙げられる。アリール基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１２がより好ましい。アリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などが挙げられる。ヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましい。ヘテロアリール基を構成する炭素原子の数は３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましく、３〜１２がより好ましく、３〜５が特に好ましい。ヘテロアリール基は、５員環または６員環が好ましい。ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子などが挙げられる。

一般式２において、Ｒ⁶は、Ｒ^1aまたはＲ³と、共有結合もしくは配位結合していてもよい。また、Ｒ⁷は、Ｒ^1bまたはＲ⁵と、共有結合もしくは配位結合していてもよい。

一般式２で表されるピロロピロール化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる。また、特開２０１０−２２２５５７号公報の段落番号００４９〜００６２に記載の化合物Ｄ−１〜Ｄ−１６２が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。以下の式中Ｐｈはフェニル基を表す。

（シアニン化合物）
シアニン化合物は、下記一般式３で表される化合物が好ましい。
一般式３

一般式３中、Ｚ¹およびＺ²は、それぞれ独立に、縮環してもよい５員または６員の含窒素複素環を形成する非金属原子群であり、
Ｒ¹⁰¹およびＲ¹⁰²は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基またはアリール基を表し、
Ｌ¹は、奇数個のメチン基を有するメチン鎖を表し、
ａおよびｂは、それぞれ独立に、０または１であり、
ａが０の場合は、炭素原子と窒素原子とが二重結合で結合し、ｂが０の場合は、炭素原子と窒素原子とが単結合で結合し、
式中のＣｙで表される部位がカチオン部である場合、Ｘ¹はアニオンを表し、ｃは電荷のバランスを取るために必要な数を表し、式中のＣｙで表される部位がアニオン部である場合、Ｘ¹はカチオンを表し、ｃは電荷のバランスを取るために必要な数を表し、式中のＣｙで表される部位の電荷が分子内で中和されている場合、ｃは０である。

一般式３において、Ｚ¹およびＺ²は、それぞれ独立に、縮環してもよい５員又は６員の含窒素複素環を形成する非金属原子群を表す。含窒素複素環には、他の複素環、芳香族環または脂肪族環が縮合してもよい。含窒素複素環は、５員環が好ましい。５員の含窒素複素環に、ベンゼン環又はナフタレン環が縮合している構造がさらに好ましい。含窒素複素環の具体例としては、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ナフトオキサゾール環、オキサゾロカルバゾール環、オキサゾロジベンゾフラン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトチアゾール環、インドレニン環、ベンゾインドレニン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ナフトイミダゾール環、キノリン環、ピリジン環、ピロロピリジン環、フロピロール環、インドリジン環、イミダゾキノキサリン環、キノキサリン環等が挙げられ、キノリン環、インドレニン環、ベンゾインドレニン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環が好ましく、インドレニン環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環が特に好ましい。含窒素複素環及びそれに縮合している環は、置換基を有していてもよい。置換基としては、一般式１のＧ^AおよびＧ^Bで説明した置換基が挙げられる。

一般式３において、Ｒ¹⁰¹およびＲ¹⁰²は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基またはアリール基を表す。
アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１２がさらに好ましく、１〜８が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。
アルケニル基の炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜１２がさらに好ましく、２〜８が特に好ましい。アルケニル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。
アルキニル基の炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜１２がさらに好ましく、２〜８が特に好ましい。アルキニル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。
アリール基の炭素数は、６〜２５が好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１０が最も好ましい。アリール基は無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。
アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基のアリール部分は、上記アリール基と同様である。アラルキル基の炭素数は、７〜４０が好ましく、７〜３０がより好ましく、７〜２５が更に好ましい。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基およびアリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられ、カルボキシル基およびスルホ基が好ましく、スルホ基が特に好ましい。カルボキシル基およびスルホ基は、水素原子が解離していてもよく、塩の状態であってもよい。

式３において、Ｌ¹は、奇数個のメチン基を有するメチン鎖を表す。Ｌ¹は、３、５または７のメチン基を有するメチン鎖が好ましい。
メチン基は置換基を有していてもよい。置換基を有するメチン基は、中央の（メソ位の）メチン基であることが好ましい。置換基の具体例としては、Ｚ¹およびＺ²の含窒素複素環が有してもよい置換基、および、下式（ａ）で表される基が挙げられる。また、メチン鎖の二つの置換基が結合して５または６員環を形成しても良い。

式（ａ）中、＊は、メチン鎖との連結部を表し、Ａ¹は、酸素原子または硫黄原子を表す。

一般式３において、ａおよびｂは、それぞれ独立に、０または１である。ａが０の場合は、炭素原子と窒素原子とが二重結合で結合し、ｂが０の場合は、炭素原子と窒素原子とが単結合で結合する。ａおよびｂはともに０であることが好ましい。なお、ａおよびｂがともに０の場合は、一般式３は以下のように表される。

一般式３において、式中のＣｙで表される部位がカチオン部である場合、Ｘ¹はアニオンを表し、ｃは電荷のバランスを取るために必要な数を表す。アニオンの例としては、ハライドイオン（Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-）、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、エチル硫酸イオン、ＰＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-またはＣｌＯ₄ ^-、トリス（ハロゲノアルキルスルホニル）メチドアニオン（例えば、（ＣＦ₃ＳＯ₂）₃Ｃ^-）、ジ（ハロゲノアルキルスルホニル）イミドアニオン（例えば（ＣＦ₃ＳＯ₂）₂Ｎ^-）、テトラシアノボレートアニオンなどが挙げられる。
一般式３において、式中のＣｙで表される部位がアニオン部である場合、Ｘ¹はカチオンを表し、ｃは電荷のバランスを取るために必要な数を表す。カチオンとしては、アルカリ金属イオン（Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺など）、アルカリ土類金属イオン（Ｍｇ²⁺、Ｃａ²⁺、Ｂａ²⁺、Ｓｒ²⁺など）、遷移金属イオン（Ａｇ⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺など）、その他の金属イオン（Ａｌ³⁺など）、アンモニウムイオン、トリエチルアンモニウムイオン、トリブチルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、グアニジニウムイオン、テトラメチルグアニジニウムイオン、ジアザビシクロウンデセニウムなどが挙げられる。カチオンとしては、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｍｇ²⁺、Ｃａ²⁺、Ｚｎ²⁺、ジアザビシクロウンデセニウムが好ましい。
一般式３において、式中のＣｙで表される部位の電荷が分子内で中和されている場合、Ｘ¹は存在しない。すなわち、ｃは０である。

一般式３で表される化合物は、下記（３−１）または（３−２）で表される化合物であることも好ましい。この化合物は、耐熱性に優れている。

式（３−１）および（３−２）中、Ｒ^1A、Ｒ^2A、Ｒ^1BおよびＲ^2Bは、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基またはアリール基を表し、
Ｌ^1AおよびＬ^1Bは、それぞれ独立に奇数個のメチン基を有するメチン鎖を表し、
Ｙ¹およびＹ²は、各々独立に−Ｓ−、−Ｏ−、−ＮＲ^X1−または−ＣＲ^X2Ｒ^X3−を表し、
Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、各々独立に水素原子またはアルキル基を表し、
Ｖ^1A、Ｖ^2A、Ｖ^1BおよびＶ^2Bは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＯＲ^c1、−ＣＯＲ^c2、−ＣＯＯＲ^c3、−ＯＣＯＲ^c4、−ＮＲ^c5Ｒ^c6、−ＮＨＣＯＲ^c7、−ＣＯＮＲ^c8Ｒ^c9、−ＮＨＣＯＮＲ^c10Ｒ^c11、−ＮＨＣＯＯＲ^c12、−ＳＲ^c13、−ＳＯ₂Ｒ^c14、−ＳＯ₂ＯＲ^c15、−ＮＨＳＯ₂Ｒ^c16または−ＳＯ₂ＮＲ^c17Ｒ^c18を表し、Ｖ^1A、Ｖ^2A、Ｖ^1BおよびＶ^2Bは、縮合環を形成していてもよく、
Ｒ^c1〜Ｒ^c18は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、
−ＣＯＯＲ^c3のＲ^c3が水素原子の場合および−ＳＯ₂ＯＲ^c15のＲ^c15が水素原子の場合は、水素原子が解離しても、塩の状態であってもよく、
ｍ１およびｍ２は、それぞれ独立に０〜４を表し、
式中のＣｙで表される部位がカチオン部である場合、Ｘ¹はアニオンを表し、ｃは電荷のバランスを取るために必要な数を表し、
式中のＣｙで表される部位がアニオン部である場合、Ｘ¹はカチオンを表し、ｃは電荷のバランスを取るために必要な数を表し、
式中のＣｙで表される部位の電荷が分子内で中和されている場合、Ｘ¹は存在しない。

Ｒ^1A、Ｒ^2A、Ｒ^1BおよびＲ^2Bが表す基は、一般式３のＲ¹⁰¹およびＲ¹⁰²で説明したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基およびアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。これらの基は無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられ、カルボキシル基およびスルホ基が好ましく、スルホ基が特に好ましい。カルボキシル基およびスルホ基は、水素原子が解離していてもよく、塩の状態であってもよい。Ｒ^1A、Ｒ^2A、Ｒ^1BおよびＲ^2Bがアルキル基を表す場合は、直鎖のアルキル基であることがより好ましい。

Ｙ¹およびＹ²は、各々独立に−Ｓ−、−Ｏ−、−ＮＲ^X1−または−ＣＲ^X2Ｒ^X3−を表し、−ＮＲ^X1−が好ましい。Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、各々独立に水素原子またはアルキル基を表し、アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が特に好ましい。アルキル基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、直鎖が特に好ましい。アルキル基は、メチル基またはエチル基が特に好ましい。

Ｌ^1AおよびＬ^1Bは、一般式３のＬ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｖ^1A、Ｖ^2A、Ｖ^1BおよびＶ^2Bが表す基は、一般式１のＧ^AおよびＧ^Bで説明した範囲と同義であり、好ましい範囲も同様である。
ｍ１およびｍ２は、それぞれ独立に０〜４を表し、０〜２が好ましい。
Ｘ¹が表すアニオンおよびカチオンは、一般式３のＸ¹で説明した範囲と同義であり、好ましい範囲も同様である。

一般式３で表される化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる。また、特開２００９−１０８２６７公報の段落番号００４４〜００４５に記載の化合物が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。なお、以下の表中、Ｅｔはエチル基を表す。

一般式３で表される化合物は、エフ・エム・ハーマー（Ｆ．Ｍ．Ｈａｒｍｅｒ）著「ヘテロサイクリック・コンパウンズーシアニンダイズ・アンド・リレイテッド・コンパウンズ（Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ Ｃｙａｎｉｎｅ Ｄｙｅｓ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）」、ジョン・ウィリー・アンド・サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ）社ーニューヨーク、ロンドン、１９６４年刊、およびデー・エム・スターマー（Ｄ．Ｍ．Ｓｔｕｒｍｅｒ）著「ヘテロサイクリック・コンパウンズースペシャル・トッピクス・イン・ヘテロサイクリック・ケミストリー（Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｓｐｅｃｉａｌｔｏｐｉｃｓ ｉｎ ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ ｃｈｍｉｓｔｒｙ）」、第１８章、第１４節、４８２〜５１５頁、ジョン・ウィリー・アンド・サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ）社−ニューヨーク、ロンドン、１９７７年刊、「ロッズ・ケミストリー・オブ・カーボン・コンパウンズ（Ｒｏｄｄ’ｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｃａｒｂｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）」２ｎｄ．Ｅｄ．ｖｏｌ．ＩＶ，ｐａｒｔＢ，１９７７年刊、第１５章、３６９〜４２２頁、エルセビア・サイエンス・パブリック・カンパニー・インク（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｉｎｃ．）社刊、ニューヨーク、特開平６−３１３９３９号公報および特開平５−８８２９３号公報等を参考にして容易に合成できる。

（フタロシアニン化合物）
フタロシアニン化合物は、下記式（ＰＣ）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＰＣ）において、Ｘ¹〜Ｘ¹⁶は、各々独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｍ¹は、Ｃｕ又はＶ＝Ｏを表す。

Ｘ¹〜Ｘ¹⁶が表す置換基は、上述した置換基Ｔで説明した基が挙げられ、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、アルキルチオ基、フェニルチオ基、アルキルアミノ基、アニリノ基が好ましい。
Ｘ¹〜Ｘ¹⁶のうち、置換基の数は、０〜１６が好ましく、０〜４がより好ましく、０〜１がさらに好ましく、０が特に好ましい。また、Ｍ¹は、Ｔｉ＝Ｏが好ましい。

一般式（ＰＣ）で表される化合物の具体例としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物や、特開２００６−３４３６３１号公報に記載のオキシチタニウムフタロシアニンなどが挙げられる。

（ナフタロシアニン化合物）
ナフタロシアニン化合物は、下記式（ＮＰＣ）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＮＰＣ）において、Ｘ¹〜Ｘ²⁴は、各々独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｍ¹は、Ｃｕ又はＶ＝Ｏを表す。Ｘ¹〜Ｘ²⁴が表す置換基は、上述した置換基Ｔ群で説明した基が挙げられ、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基、アルキルチオ基、フェニルチオ基、アルキルアミノ基、アニリノ基が好ましい。Ｍ¹は、Ｖ＝Ｏが好ましい。

一般式（ＮＰＣ）で表される化合物の具体例としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物が挙げられる。

赤外線吸収剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、１〜８０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましい。
赤外線吸収剤として銅化合物を用いる場合、銅化合物の含有量は、組成物の全固形分に対して、３０〜７０質量％が好ましい。上限は、６０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましい。下限は、３５質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましい。
また、赤外線吸収剤中における銅化合物の含有量は、５０〜１００質量％が好ましく、６０〜１００質量％がより好ましく、７０〜１００質量％が更に好ましい。また、赤外線吸収剤は、実質的に銅化合物のみであってもよい。赤外線吸収剤が、実質的に銅化合物のみである場合とは、赤外線吸収剤中における銅化合物の含有量が例えば９９質量％以上が好ましく、９９．９質量％以上がより好ましく、銅化合物のみで構成されていることが一層好ましい。

＜＜溶剤＞＞
本発明の組成物は溶剤を含有する。溶剤は、特に制限はなく、組成物の各成分を均一に溶解或いは分散しうるものであれば、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、水、有機溶剤を用いることができ、有機溶剤が好ましい。

有機溶剤としては、例えば、アルコール類（例えばメタノール）、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホラン等が好適に挙げられる。アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類の具体例としては、特開２０１２−１９４５３４号公報段落０１３６等に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。また、エステル類、ケトン類、エーテル類の具体例としては、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４９７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６０９]）に記載のものが挙げられる。
また、エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸シクロヘキシル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、オキシ酢酸アルキル（例えば、オキシ酢酸メチル、オキシ酢酸エチル、オキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３−オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、３−オキシプロピオン酸メチル、３−オキシプロピオン酸エチル等（例えば、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等））、２−オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−オキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル））、２−オキシ−２−メチルプロピオン酸メチル及び２−オキシ−２−メチルプロピオン酸エチル（例えば、２−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−エトキシ−２−メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸メチル、２−オキソブタン酸エチル等が挙げられる。
エーテル類として、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等が挙げられる。
ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン等が挙げられる。
芳香族炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン等が挙げられる。

溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上を組み合わせて用いる場合、２種類以上の溶剤のうち、最も沸点が高い溶剤の沸点と、最も沸点が低い溶剤の沸点との差が１０℃以上である組み合わせが好ましい。上記沸点の差は、２０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、７０℃以上が更に好ましい。上限は、例えば、１００℃以下が好ましい。なお、本発明において、溶剤の沸点の値は、０．１ＭＰａにおける値である。
２種類以上の溶剤を上記のように組み合わせて用いることで、組成物の溶存気体量や溶存酸素量を、本発明で規定する範囲に調整しやすい。例えば、赤外線吸収剤と溶剤とを含む組成物を脱泡等の処理を行って、組成物の溶存気体量や溶存酸素量を本発明で規定する範囲に調整する場合、組成物中に溶存している気体や酸素が脱泡しやすくなり、組成物の溶存気体量や溶存酸素量を本発明で規定する範囲に調整しやすい。なお、沸点の低い溶剤は、脱泡時に気泡と共に組成物から除去されることがあるので、溶存酸素濃度の調整後の組成物中には、殆ど残存していないこともある。
上記の有機溶剤の組み合わせとしては、例えば、沸点が１００℃以上（好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上）である溶剤Ａと、沸点が１３０℃以下（好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下）である溶剤Ｂとを、上記沸点の差が１０℃以上となるように、溶剤Ａと溶剤Ｂとからそれぞれ選択して用いることが好ましい。溶剤Ａとしては、例えば、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルアセテート、酢酸ブチルなどが挙げられる。溶剤Ｂとしては、メタノール、エタノール、２−ブタノールなどが挙げられる。溶剤Ａと溶剤Ｂとの組み合わせとしては、シクロヘキサノンとメタノールとの組み合わせなどが一例として挙げられる。

組成物中における溶剤の量は、固形分が１０〜９０質量％となる量が好ましい。下限は、１５質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。上限は、８０質量％以下が好ましく、７０質量％以下がより好ましい。

＜＜樹脂＞＞
本発明の組成物は、樹脂を含有することができる。樹脂としては、特に限定はない。例えば、（メタ）アクリル樹脂、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリパラフェニレン樹脂、ポリアリーレンエーテルフォスフィンオキシド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、環状オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、アクリロニトリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルアセトアミド樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、フルオレンポリカーボネート樹脂、フルオレンポリエステル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、フッ素化芳香族ポリマー樹脂、アリルエステル樹脂およびシルセスキオキサン樹脂などが挙げられる。これらの樹脂から１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。上記樹脂については、特開２０１４−２１８５９７号公報の段落００５６〜００６０の記載、特開２０１３−２１８３１２の段落００７４〜０１５６の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。

樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、２,０００〜２,０００,０００が好ましい。上限は、１,０００,０００以下が好ましく、５００,０００以下がより好ましい。下限は、３,０００以上が好ましく、５,０００以上がより好ましい。また、エポキシ樹脂の場合、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００以上が好ましく、２００〜２，０００，０００がより好ましい。上限は、１，０００，０００以下が好ましく、５００，０００以下がより好ましい。

（メタ）アクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸および／またはそのエステルに由来する構成単位を含むポリマーが挙げられる。具体的には、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル類、（メタ）アクリルアミドおよび（メタ）アクリロニトリルから選ばれる少なくとも１種を重合して得られるポリマーが挙げられる。

ポリエステル樹脂としては、ポリオール（例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン）と、多塩基酸（例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸及びこれらの芳香核の水素原子がメチル基、エチル基、フェニル基等で置換された芳香族ジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸等の炭素数２〜２０の脂肪族ジカルボン酸、及びシクロヘキサンジカルボン酸などの脂環式ジカルボン酸など）との反応により得られるポリマーや、カプロラクトンモノマー等の環状エステル化合物の開環重合により得られるポリマー（例えばポリカプロラクトン）が挙げられる。

エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。

樹脂は、酸基を有していてもよい。酸基としては、例えば、カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基、フェノール性ヒドロキシル基などが挙げられる。これら酸基は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよい。酸基を有する樹脂としては、特開２０１５−０４３０６３号公報の段落０１８０〜０２０２に記載のアルカリ可溶性樹脂が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。酸基を有する樹脂の酸価は、３０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。下限は、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましく、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上がより好ましい。上限は、１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下がより好ましい。酸基を有する樹脂の酸価は、３０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。下限は、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましく、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上がより好ましい。上限は、１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下がより好ましい。

本発明において、樹脂は、下記式（Ａ３−１）〜（Ａ３−６）で表される構成単位を有することも好ましい。

式中、Ｒ⁵は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ⁴〜Ｌ⁷はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹³はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。

Ｒ⁵は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ⁵は、水素原子またはメチル基が好ましい。

Ｌ⁴〜Ｌ⁷はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表し、水素原子が好ましい）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられ、アルキレン基、アリーレン基およびアルキレン基の少なくとも１つと−Ｏ−との組み合わせからなる基が好ましい。アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５より好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。

Ｒ¹⁰が表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、環状が好ましい。アルキル基は上述した置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。Ｒ¹⁰が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。Ｒ¹⁰は、環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。

Ｒ¹¹、Ｒ¹²が表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでも良く、直鎖状または分岐状が好ましい。アルキル基は上述した置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が更に好ましい。Ｒ¹¹，Ｒ¹²が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６が更に好ましい。Ｒ¹¹、Ｒ¹²は、直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。

Ｒ¹³が表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでも良く、直鎖状または分岐状が好ましい。アルキル基は上述した置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が更に好ましい。Ｒ¹³が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６が更に好ましい。Ｒ¹³は、直鎖状または分岐状のアルキル基、または、アリール基が好ましい。

樹脂の含有量は、組成物の全固形分に対して、１〜７０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上がより好ましく、１０質量％以上がさらに好ましい。上限は、例えば、６５質量％以下とすることもでき、６０質量％以下とすることもできる。樹脂は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜＜架橋性基を有する化合物（架橋性化合物）＞＞
本発明の組成物は、架橋性基を有する化合物（架橋性化合物）を含有することができる。本発明の組成物が、架橋性化合物を含有することにより、耐熱性および耐溶剤性に優れた近赤外線カットフィルタを製造できる。架橋性化合物としては、ラジカル、酸、熱により架橋可能な公知の化合物を用いることができる。例えば、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物、環状エーテル基を有する化合物、メチロール基を有する化合物、後述するＭ−Ｘで表される部分構造を有する化合物等が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、スチリル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられ、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基が好ましい。環状エーテル基としては、エポキシ基やオキセタニル基が挙げられ、エポキシ基が好ましい。

架橋性化合物は、モノマー、ポリマーのいずれの形態であってもよい。ポリマータイプの架橋性化合物は、例えば、後述するエポキシ樹脂や、架橋性基を有する構成単位を含む樹脂などが挙げられる。架橋性基を有する構成単位としては、下記（Ａ２−１）〜（Ａ２−４）などが挙げられる。

Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ¹は、水素原子またはメチル基が好ましい。

Ｌ⁵¹は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表し、水素原子が好ましい）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられ、アルキレン基、アリーレン基およびアルキレン基の少なくとも１つと−Ｏ−との組み合わせからなる基が好ましい。アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５より好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。

Ｐ¹は、架橋性基を表す。架橋性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、−Ｍ−（Ｘ²）_nで表される基などが挙げられる。−Ｍ−（Ｘ²）_nで表される基において、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子を表し、Ｘ²は置換基または配位子を表し、ｎ個のＸ²のうち、少なくとも１つが、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）から選択される１種であり、Ｘ²同士は、それぞれ結合して環を形成していてもよく、ｎは、ＭのＸ²との結合手の数を表す。

モノマータイプの架橋性化合物の分子量は、２０００未満が好ましく、１００以上２０００未満がより好ましく、２００以上２０００未満がさらに好ましい。上限は、例えば１５００以下が好ましい。ポリマータイプの架橋性化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、２,０００〜２,０００,０００が好ましい。上限は、１,０００,０００以下が好ましく、５００,０００以下がより好ましい。下限は、３,０００以上が好ましく、５,０００以上がより好ましい。また、環状エーテル基を有する化合物の場合、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００以上が好ましく、２００〜２，０００，０００がより好ましい。上限は、１，０００，０００以下が好ましく、５００，０００以下がより好ましい。

（エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物）
エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、３〜１５官能の（メタ）アクリレート化合物であることが好ましく、３〜６官能の（メタ）アクリレート化合物であることがより好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基を含む化合物の例としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００３３〜００３４の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。具体例としては、エチレンオキシ変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としてはＮＫエステルＡＴＭ−３５Ｅ；新中村化学社製）、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３３０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３２０；日本化薬株式会社製）ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ−３１０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ ；日本化薬株式会社製、Ａ−ＤＰＨ−１２Ｅ；新中村化学工業社製）、およびこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介している構造が好ましい。またこれらのオリゴマータイプも使用できる。また、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００３４〜００３８の重合性化合物の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０４７７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の［０５８５］）に記載の重合性モノマー等が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。また、ジグリセリンＥＯ（エチレンオキシド）変性（メタ）アクリレート（市販品としては Ｍ−４６０；東亜合成製）が好ましい。ペンタエリスリトールテトラアクリレート（新中村化学製、Ａ−ＴＭＭＴ）、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（日本化薬社製、ＫＡＹＡＲＡＤ ＨＤＤＡ）も好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。例えば、ＲＰ−１０４０（日本化薬株式会社製）などが挙げられる。

エチレン性不飽和結合を有する基を含む化合物としては、さらに、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基等の酸基を有していてもよい。酸基を有する化合物としては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルが挙げられる。脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシル基に、非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた多官能モノマーが好ましく、特に好ましくは、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトールおよび／またはジペンタエリスリトールであるものである。市販品としては、例えば、東亞合成株式会社製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、アロニックスシリーズのＭ−３０５、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０などが挙げられる。酸基を有する化合物の酸価は、０．１〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。下限は、５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましい。上限は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましい。

エチレン性不飽和結合を有する基を含む化合物は、カプロラクトン構造を有する化合物も好ましい態様である。カプロラクトン構造を有する化合物としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００４２〜００４５の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。市販品としては、例えばサートマー社製のエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ−４９４、日本化薬株式会社製のペンチレンオキシ鎖を６個有する６官能アクリレートであるＤＰＣＡ−６０、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ−３３０などが挙げられる。

本発明において、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、エチレン性不飽和結合を有する基を側鎖に有するポリマーを用いることもできる。側鎖にエチレン性不飽和結合を有する基を有する構成単位の含有量は、上記ポリマーを構成する全構成単位の５〜１００質量％であることが好ましい。下限は、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましい。上限は、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましく、７０質量％以下が特に好ましい。

上記ポリマーは、側鎖にエチレン性不飽和結合を有する基を有する構成単位の他に、他の構成単位を含んでいてもよい。他の構成単位は、酸基等の官能基を含んでいてもよい。官能基を含んでいなくてもよい。酸基としては、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基が例示される。酸基は１種類のみ含まれていても良いし、２種類以上含まれていても良い。酸基を有する構成単位の割合は、上記ポリマーを構成する全構成単位の０〜５０質量％であることが好ましい。下限は、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましい。上限は、３５質量％以下がより好ましく、３０質量％以下が更に好ましい。

上記ポリマーの具体例としては、例えば、（メタ）アリル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体などが挙げられる。上記ポリマーの市販品としては、ダイヤナ−ルＮＲシリーズ（三菱レイヨン株式会社製）、Ｐｈｏｔｏｍｅｒ６１７３（ＣＯＯＨ含有 ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ ａｃｒｙｌｉｃ ｏｌｉｇｏｍｅｒ．Ｄｉａｍｏｎｄ Ｓｈａｍｒｏｃｋ Ｃｏ．Ｌｔｄ．，製）、ビスコートＲ−２６４、ＫＳレジスト１０６（いずれも大阪有機化学工業株式会社製）、サイクロマーＰシリーズ（例えば、ＡＣＡ２３０ＡＡ）、プラクセル ＣＦ２００シリーズ（いずれもダイセル化学工業株式会社製）、Ｅｂｅｃｒｙｌ３８００（ダイセルユーシービー株式会社製）、アクリキュア−ＲＤ−Ｆ８(日本触媒社製)などが挙げられる。また、以下に示すポリマーも挙げられる。

（環状エーテル基を有する化合物）
本発明では、架橋性化合物として、環状エーテル基を有する化合物を用いることもできる。環状エーテル基としては、エポキシ基、オキセタニル基が挙げられ、エポキシ基が好ましい。
環状エーテル基を有する化合物は、側鎖に環状エーテル基を有するポリマー、分子内に２個以上の環状エーテル基を有するモノマーまたはオリゴマーなどが挙げられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。また単官能または多官能グリシジルエーテル化合物も挙げられ、多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が好ましい。環状エーテル基を有する化合物は、グリシジル（メタ）アクリレートやアリルグリシジルエーテル等のグリシジル基を有する化合物や、脂環式エポキシ基を有する化合物を用いることもできる。このようなものとしては例えば特開２００９−２６５５１８号公報段落００４５等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

環状エーテル基を有する化合物は、市販品を用いることもできる。環状エーテル基を有する化合物の市販品としては、例えば、特開２０１２−１５５２８８号公報段落０１９１等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ＪＥＲ８２７、ＪＥＲ８２８、ＪＥＲ８３４、ＪＥＲ１００１、ＪＥＲ１００２、ＪＥＲ１００３、ＪＥＲ１０５５、ＪＥＲ１００７、ＪＥＲ１００９、ＪＥＲ１０１０（以上、三菱化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ８６０、ＥＰＩＣＬＯＮ１０５０、ＥＰＩＣＬＯＮ１０５１、ＥＰＩＣＬＯＮ１０５５（以上、ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、ＪＥＲ８０６、ＪＥＲ８０７、ＪＥＲ４００４、ＪＥＲ４００５、ＪＥＲ４００７、ＪＥＲ４０１０（以上、三菱化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０、ＥＰＩＣＬＯＮ８３５（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＬＣＥ−２１、ＲＥ−６０２Ｓ（以上、日本化薬（株）製）等が挙げられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＪＥＲ１５２、ＪＥＲ１５４、ＪＥＲ１５７Ｓ７０、ＪＥＲ１５７Ｓ６５、（以上、三菱化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−７４０、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−７４０、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−７７０、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−７７５（以上、ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−６６０、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−６６５、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−６７０、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−６７３、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−６８０、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−６９０、ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−６９５（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＥＯＣＮ−１０２０（以上、日本化薬（株）製）等が挙げられる。
脂肪族エポキシ樹脂としては、ＡＤＥＫＡ ＲＥＳＩＮ ＥＰ−４０８０Ｓ、同ＥＰ−４０８５Ｓ、同ＥＰ−４０８８Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド２０８３、セロキサイド２０８５、ＥＨＰＥ３１５０、ＥＰＯＬＥＡＤ ＰＢ ３６００、同ＰＢ ４７００（以上、（株）ダイセル製）、デナコール ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ（以上、ナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。
その他にも、ＡＤＥＫＡ ＲＥＳＩＮ ＥＰ−４０００Ｓ、同ＥＰ−４００３Ｓ、同ＥＰ−４０１０Ｓ、同ＥＰ−４０１１Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＮＣ−２０００、ＮＣ−３０００、ＮＣ−７３００、ＸＤ−１０００、ＥＰＰＮ−５０１、ＥＰＰＮ−５０２（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＪＥＲ１０３１Ｓ（三菱化学（株）製）、リポキシ ＳＰＣＦ−９Ｘ（昭和電工（株）製）等が挙げられる。

（Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物）
本発明では、架橋性化合物として、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を用いることもできる。特に、赤外線吸収剤として銅化合物を用いる場合、架橋性化合物としてＭ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を用いることが好ましい。この態様によれば、耐熱性、耐溶剤性に優れた近赤外線カットフィルタを製造しやすい。

Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物において、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子であり、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒが好ましく、Ｓｉがより好ましい。

Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物において、Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）から選択される１種であり、アルコキシ基、アシルオキシ基およびオキシム基が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。なお、Ｘが、Ｏ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）である場合、カルボニル基（−ＣＯ−）の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。Ｒ^aおよびＲ^bは、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
Ｍ−Ｘで表される部分構造は、ＭがＳｉで、Ｘがアルコキシ基である組み合わせが好ましい。この組み合わせによれば、適度な反応性を有しているので、組成物の保存安定性を良好にできる。更にはより耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタを製造しやすい。

Ｘが表すアルコキシ基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜２が特に好ましい。アルコキシ基は直鎖、分岐、環状のいずれでもよいが、直鎖または分岐が好ましく、直鎖がより好ましい。アルコキシ基は、無置換であってもよく、置換基を有してもよいが、無置換が好ましい。置換基としては、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、アミノ基、イソアネート基、イソシアヌレート基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、スルホ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
Ｘが表すアシルオキシ基としては、例えば、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基等が挙げられる。例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基などが挙げられる。置換基としては上述したものが挙げられる。
Ｘが表すオキシム基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜５がさらに好ましい。例えば、エチルメチルケトオキシム基などが挙げられる。
Ｘが表すアミノ基としては、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、炭素数０〜３０のヘテロ環アミノ基等が挙げられる。例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ、Ｎ−１，３，５−トリアジン−２−イルアミノ等が挙げられる。置換基としては上述したものが挙げられる。
Ｒ^aおよびＲ^bが表す１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、−Ｒ¹⁰¹−ＣＯＲ¹⁰²で表される基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。アルキル基は、無置換であってもよく、上述した置換基を有していてもよい。アリール基の炭素数は、６〜２０が好ましく、６〜１２がより好ましい。アリール基は、無置換であってもよく、上述した置換基を有していてもよい。−Ｒ¹⁰¹−ＣＯＲ¹⁰²で表される基において、Ｒ¹⁰¹は、アリーレン基を表し、Ｒ¹⁰²はアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ¹⁰¹が表すアリーレン基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましい。アリーレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。アリーレン基は、無置換であってもよく、上述した置換基を有していてもよい。Ｒ¹⁰²が表すアルキル基およびアリール基は、Ｒ^a、Ｒ^bで説明したものが挙げられ、好まし範囲も同様である。

Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物は、低分子化合物、ポリマーのいずれの形態であってもよいが、より耐熱性に優れた膜を形成しやすいという理由からポリマーが好ましい。Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、低分子化合物の分子量は、１００〜１０００であることが好ましい。上限は、８００以下が好ましく、７００以下がより好ましい。なお、分子量は、構造式から求めた理論値である。Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、ポリマータイプの化合物の重量平均分子量は、５００〜３０００００であることが好ましい。下限は、１０００以上が好ましく、２０００以上がより好ましい。上限は、２５００００以下が好ましく、２０００００以下がより好ましい。

Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、低分子化合物としては、例えば、下記（ＭＸ１）で表される化合物が挙げられる。
Ｍ−（Ｘ¹）_m ・・・（ＭＸ１）
Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子を表し、Ｘ¹は置換基または配位子を表し、ｍ個のＸ¹のうち、少なくとも１つが、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）から選択される１種であり、Ｘ¹同士は、それぞれ結合して環を形成していてもよく、ｍは、ＭのＸ¹との結合手の数を表す。Ｒ^aおよびＲ^bは、それぞれ独立に１価の有機基を表す。なお、Ｘ¹が、Ｏ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）である場合、カルボニル基（−ＣＯ−）の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。

Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子であり、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒが好ましく、Ｓｉがより好ましい。Ｘ¹は置換基または配位子を表し、ｍ個のＸ¹のうち、少なくとも１つが、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）から選択される１種であり、ｍ個のＸ¹のうち、少なくとも１つが、アルコキシ基、アシルオキシ基およびオキシム基から選択される１種であることが好ましく、ｍ個のＸ¹のうち、少なくとも１つがアルコキシ基であることが更に好ましく、Ｘ¹の全てが、アルコキシ基であることがより好ましい。

置換基および配位子のうち、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）は、上述したものと同義であり、好ましい範囲も同様である。

ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基以外の置換基としては、炭化水素基が好ましい。炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基などが挙げられる。炭化水素基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、スチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、アミノ基、イソアネート基、イソシアヌレート基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、スルホ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１２がより好ましく、１〜８がさらに好ましい。分岐状のアルキル基の炭素数は、３〜２０が好ましく、３〜１２がより好ましく、３〜８がさらに好ましい。環状のアルキル基は、単環、多環のいずれであってもよい。環状のアルキル基の炭素数は、３〜２０が好ましく、４〜１０がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。
アルケニル基の炭素数は、２〜１０が好ましく、２〜８がより好ましく、２〜４がさらに好ましい。
アリール基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。

ＭがＳｉで表される化合物としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
市販品としては、信越シリコーン社製の ＫＢＭ−１３、ＫＢＭ−２２、ＫＢＭ−１０３、ＫＢＥ−１３、ＫＢＥ−２２、ＫＢＥ−１０３、ＫＢＭ−３０３３、ＫＢＥ−３０３３、ＫＢＭ−３０６３、ＫＢＥ−３０６３、ＫＢＥ−３０８３、ＫＢＭ−３１０３、ＫＢＭ−３０６６、ＫＢＭ−７１０３、ＳＺ−３１、ＫＰＮ−３５０４、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−３０３、ＫＢＭ−４０２、ＫＢＭ−４０３、ＫＢＥ−４０２、ＫＢＥ−４０３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２、ＫＢＭ−５０３、ＫＢＥ−５０２、ＫＢＥ−５０３、ＫＢＭ−５１０３、ＫＢＭ−６０２、ＫＢＭ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−９０３、ＫＢＥ−９１０３、ＫＢＭ−５７３、ＫＢＭ−５７５、ＫＢＭ−９６５９、ＫＢＥ−５８５、ＫＢＭ−８０２、ＫＢＭ−８０３、ＫＢＥ−８４６、ＫＢＥ−９００７などが挙げられる。

ＭがＴｉで表される化合物としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラオクチルチタネート、チタンジイソプロポキシビス（アセチルアセトネート）、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）、リン酸チタン化合物、チタニウムジ−２−エチルヘキソキシビス（２−エチル−３−ヒドロキシヘキソキシド）、チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンジイソプロポキシビス（トリエタノールアミネート）、ターシャリーアミルチタネート、テトラターシャリーブチルチタネート、テトラステアリルチタネート、チタン−１，３−プロパンジオキシビス（エチルアセトアセテート）、ドデシルベンゼンスルホン酸チタン化合物、チタンイソステアレート、チタンジエタノールアミネート、チタンアミノエチルアミノエタノレートなどが挙げられる。市販品としては、マツモトファインケミカル社製のオルガチックスシリーズ（例えば、ＴＡ−１０、ＴＡ−２１、ＴＡ−２３、ＴＡ−３０、ＴＣ−１００、ＴＣ−４０１、ＴＣ−７１０、ＴＣ−１０４０、ＴＣ−２０１、ＴＣ−７５０、ＴＣ−３００、ＴＣ−３１０、ＴＣ−３１５、ＴＣ−４００、ＴＡ−６０、ＴＡ−８０、ＴＡ−９０、ＴＣ−１２０、ＴＣ−２２０、ＴＣ−７３０、ＴＣ−８１０、ＴＣ−８００、ＴＣ−５００、ＴＣ−５１０など）、味の素ファインテクノ社製のプレンアクトシリーズ（例えば、ＴＴＳ、４６Ｂ、５５、４１Ｂ、３８Ｓ、１３８Ｓ、２３８Ｓ、３３８Ｘ、４４、９ＳＡ、ＥＴなど）が挙げられる。

ＭがＺｒで表される化合物としては、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシド、ジルコニウムテトラノルマルブトキシド、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノアセチルアセトネート、ジルコニウムジブトキシビス（エチルアセトアセテート）などが挙げられる。市販品としては、マツモトファインケミカル社製のオルガチックスシリーズ（例えば、ＺＡ−４５、ＺＡ−６５、ＺＣ−１５０、ＺＣ−５４０、ＺＣ−７００、ＺＣ−５８０、ＺＣ−２００、ＺＣ−３２０、ＺＣ−１２６、ＺＣ−３００など）が挙げられる。

ＭがＡｌで表される化合物としては、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどが挙げられる。市販品としては、味の素ファインテクノ社製のプレンアクト ＡＬ−Ｍなどが挙げられる。

Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物のうち、ポリマータイプの化合物としては、例えば、アクリル樹脂、アクリルアミド樹脂、スチレン樹脂、ポリシロキサンなどが挙げられる。なかでも、皮膜性の向上・塗布液粘度調整の容易性という理由からアクリル樹脂、アクリルアミド樹脂またはスチレン樹脂が好ましい。
ポリマータイプの化合物の具体例としては、例えば、下記（ＭＸ２−１）で表される構成単位、下記（ＭＸ２−２）で表される構成単位および下記（ＭＸ２−３）で表される構成単位から選ばれる１種を有するポリマーなどが挙げられる。

Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌから選択される原子を表し、Ｘ²は置換基または配位子を表し、ｎ個のＸ²のうち、少なくとも１つが、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）から選択される１種であり、Ｘ²同士は、それぞれ結合して環を形成していてもよく、Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ¹は単結合または２価の連結基を表し、ｎは、ＭのＸ²との結合手の数を表す。Ｒ^aおよびＲ^bは、それぞれ独立に１価の有機基を表す。なお、Ｘ²が、Ｏ＝Ｃ（Ｒ^a）（Ｒ^b）である場合、カルボニル基（−ＣＯ−）の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。

Ｍ、Ｘ²は、（ＭＸ１）のＭおよびＸ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ¹は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれも好ましいく、直鎖がより好ましい。アルキル基は、水素原子の一部または全部がハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）で置換されていてもよい。
Ｌ¹は単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ¹⁰−（Ｒ¹⁰は水素原子あるいはアルキル基を表し、水素原子が好ましい）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられ、アルキレン基、アリーレン基およびアルキレン基の少なくとも１つと−Ｏ−との組み合わせからなる基が好ましい。
アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５より好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。
アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましく、フェニレン基が特に好ましい。

上記ポリマータイプの化合物は、式（ＭＸ２−１）、（ＭＸ２−２）、（ＭＸ２−３）で表される構成単位の他に、他の構成単位を含有していてもよい。他の構成単位を構成する成分としては、特開２０１０−１０６２６８号公報の段落番号００６８〜００７５（対応する米国特許出願公開第２０１１／０１２４８２４号明細書の[０１１２]〜[０１１８]）に開示の共重合成分の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、上述した樹脂で説明した（Ａ３−１）〜（Ａ３−６）で表される構成単位を有することもできる。ポリマータイプの化合物としては、例えば、以下に示すポリマーが挙げられる。

上記ポリマータイプの化合物が、他の構成単位（好ましくは式（（Ａ３−１）〜（Ａ３−６）で表される構成単位）を含む場合、式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）で表される構成単位の合計と、他の構成単位の合計とのモル比は、９５：５〜２０：８０であることが好ましく、９０：１０〜４０：６０であることがより好ましい。式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）で表される構成単位の含有率を、上記範囲内で高めることで耐湿性および耐溶剤性がより向上する傾向にある。また、式（ＭＸ２−１）〜（ＭＸ２−３）で表される構成単位の含有率を上記範囲内で低くすることで、耐熱性がより向上する傾向にある。

架橋性化合物の含有量は、組成物の全固形分に対して、１５質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上がさらに好ましい。上限は、９０質量％以下が好ましく、８０質量％以下がより好ましく、７０質量％以下がさらに好ましい。
樹脂と架橋性化合物との合計含有量は、組成物の全固形分に対して、１５質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上がさらに好ましい。上限は、９０質量％以下が好ましく、８０質量％以下がより好ましく、７０質量％以下がさらに好ましい。
架橋性化合物は、ポリマータイプの架橋性化合物（好ましくは、架橋性基を有する構成単位を有する樹脂）の含有量が、全架橋性化合物の１０〜１００質量％であることが好ましい。下限は、３０質量％以上とすることもでき、５０質量％以上とすることもできる。上限は、９０質量％以下とすることもでき、７０質量％以下とすることもできる。
架橋性化合物は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜＜ゼラチン＞＞
本発明の組成物は、ゼラチンを含有してもよい。ゼラチンを含有することにより、耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタを形成しやすい。詳細なメカニズムは不明であるが、赤外線吸収剤とゼラチンとで会合体を形成しやすいためであると推測する。特に、赤外線吸収剤としてシアニン化合物を用いた場合、耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタを形成しやすい。

本発明において、ゼラチンとしては、その合成方法によって、酸処理ゼラチンおよびアルカリ処理ゼラチン（石灰処理など）があり、いずれも好ましく用いることができる。ゼラチンの分子量は、１０，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。また、ゼラチンのアミノ基やカルボキシル基を利用して変性処理した変性ゼラチンも用いることができる（例えば、フタル化ゼラチンなど）。ゼラチンとしては、イナートゼラチン（例えば、新田ゼラチン７５０）、フタル化ゼラチン（例えば、新田ゼラチン８０１）などを用いることができる。

近赤外線カットフィルタの耐水性及び機械的強度を高めるため、種々の化合物を用いてゼラチンを硬化させる事が好ましい。硬化剤は従来公知のものを使用することができ、例えばホルムアルデヒド、グルタルアルデヒドの如きアルデヒド系化合物類、米国特許第３，２８８．７７５号その他に記載されている反応性のハロゲンを有する化合物類、米国特許第３，６４２．４８６号、特公昭４９−１３５６３号その他に記載されている反応性のエチレン不飽和結合を持つ化合物類、米国特許第３，０１７，２８０号等に記載されているアジリジン系化合物類、米国特許第３，０９１，５３７号等に記載されているエホ士シ系化合物類、ムコクロル酸のようなハロゲンカルボキシルアルデヒド類、ジヒドロキシジオキサン、ジクロロジオキサン等ジオキサン類、あるいは又無機硬膜剤としてクロム明ばん、硫酸ジルコニウム等が挙げられる。具体例としては、１，３−ジビニルスルホニル−２−プロパノールが挙げられる。

ゼラチンの含有量は、組成物の全固形分に対し、１〜９９質量％が好ましい。下限は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。上限は、９５質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましい。

＜＜光重合開始剤＞＞
本発明の組成物は、光重合開始剤を含有してもよい。光重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対し、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましい。光重合開始剤は、１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

光重合開始剤としては、光により架橋性化合物の架橋（重合）を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。光で重合を開始させる場合、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましい。

光重合開始剤としては、少なくとも芳香族基を有する化合物であることが好ましく、例えば、アシルホスフィン化合物、アセトフェノン系化合物、α−アミノケトン化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール誘導体化合物、チオキサントン化合物、オキシム化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、トリハロメチル化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、ジアゾニウム化合物、ヨードニウム化合物、スルホニウム化合物、アジニウム化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール誘導体化合物、メタロセン化合物等のオニウム塩化合物、有機硼素塩化合物、ジスルホン化合物、チオール化合物などが挙げられる。
光重合開始剤としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落０２１７〜０２２８の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
オキシム化合物としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司社製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（ＡＤＥＫＡ社製）等を用いることができる。
アセトフェノン系化合物としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３６９、および、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３７９（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。またアシルホスフィン化合物としては市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−８１９やＤＡＲＯＣＵＲ−ＴＰＯ（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
本発明は、光重合開始剤として、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。フッ素原子を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０−２６２０２８号公報記載の化合物、特表２０１４−５００８５２号公報記載の化合物２４、３６〜４０、特開２０１３−１６４４７１号公報記載の化合物（Ｃ−３）などが挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれることとする。
また、光重合開始剤として、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることも可能である。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３−１１４２４９号公報の段落００３１〜００４７、特開２０１４−１３７４６６号公報の段落０００８〜００１２、００７０〜００７９に記載されている化合物や、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（ＡＤＥＫＡ社製）が挙げられる。

＜＜熱安定性付与剤＞＞
本発明の組成物は、熱安定性付与剤としてオキシム化合物を含有することもできる。特に、赤外線吸収剤として、銅化合物を用いた場合、オキシム化合物などの熱安定性付与剤を配合することで、赤外線吸収層の耐熱性をより向上できる。オキシム化合物としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司社製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（ＡＤＥＫＡ社製）等を用いることができる。また、上述したフッ素原子を有するオキシム化合物や、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることもできる。
熱安定性付与剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましい。

＜＜触媒＞＞
本発明の組成物は、触媒を含有してもよい。触媒を含有することで、耐溶剤性や耐熱性に優れた赤外線カットフィルタが得られ易い。特に、架橋性化合物として上述したＭ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を用いた場合、架橋反応を促進して、耐溶剤性や耐熱性に優れた赤外線カットフィルタが得られ易い。触媒としては、有機金属系触媒、酸系触媒、アミン系触媒が挙げられ、有機金属系触媒が好ましい。有機金属系触媒としては、トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）などが挙げられる。触媒の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜５質量％が好ましい。下限は、０．０５質量％以上が好ましい。上限は、３質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。

＜＜界面活性剤＞＞
本発明の組成物は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０００１〜５質量％が好ましい。下限は、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましい。上限は、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。赤外線吸収組成物は、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含有することが好ましい。被塗布面と塗布液との界面張力が低下して、被塗布面への濡れ性が改善される。このため、組成物の液特性（特に、流動性）が向上し、塗布厚の均一性や省液性がより改善する。その結果、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成を行える。

フッ素系界面活性剤のフッ素含有率は、３〜４０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、７質量％以上が更に好ましい。上限は、３０質量以下％が好ましく、２５質量％以下が更に好ましい。フッ素含有率が上述した範囲内である場合は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、溶解性も良好である。
フッ素系界面活性剤として具体的には、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００６０〜００６４（対応する国際公開ＷＯ２０１４／１７６６９号パンフレットの段落００６０〜００６４）等に記載の界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、メガファック Ｆ−１７１、同Ｆ−１７２、同Ｆ−１７３、同Ｆ−１７６、同Ｆ−１７７、同Ｆ−１４１、同Ｆ−１４２、同Ｆ−１４３、同Ｆ−１４４、同Ｒ３０、同Ｆ−４３７、同Ｆ−４７５、同Ｆ−４７９、同Ｆ−４８２、同Ｆ−５５４、同Ｆ−７８０（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）等が挙げられる。
フッ素系界面活性剤としてブロックポリマーを用いることもでき、具体例としては、例えば特開２０１１−８９０９０号公報に記載されたが化合物が挙げられる。また、下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。

上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３，０００〜５０，０００であり、例えば、１４，０００である。
また、エチレン性不飽和基を側鎖に有する含フッ素重合体をフッ素系界面活性剤として用いることもできる。具体例としては、特開２０１０−１６４９６５号公報００５０〜００９０段落および０２８９〜０２９５段落に記載された化合物、例えばＤＩＣ社製のメガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−７１８Ｋ、ＲＳ−７２−Ｋ等が挙げられる。なお、エチレン性不飽和基を側鎖に有する含フッ素重合体は、界面活性剤に該当し、上述した架橋性基を有する樹脂および架橋性化合物とは異なる成分である。
フッ素系界面活性剤は、特開２０１５−１１７３２７号公報の段落００１５〜０１５８に記載の化合物を用いることもできる。

ノニオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５３（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６７９]）等に記載のノニオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
カチオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５４（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８０]）に記載のカチオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
アニオン系界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）社製）等が挙げられる。
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、特開２０１２−２０８４９４号公報段落０５５６（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８２]）等に記載のシリコーン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

＜＜重合禁止剤＞＞
本発明の組成物は、重合禁止剤を含有してもよい。重合禁止剤としては、ハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ピロガロール、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ベンゾキノン、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩等が挙げられ、ｐ−メトキシフェノールが好ましい。重合禁止剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜５質量％が好ましい。

＜＜紫外線吸収剤＞＞
本発明の組成物は、紫外線吸収剤を含有してもよい。紫外線吸収剤は、公知の化合物を用いることができる。市販品としては、例えば、ＵＶ５０３（大東化学株式会社）などが挙げられる。紫外線吸収剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜１０質量％であることが好ましく、０．０１〜５質量％であることがより好ましい。

（酸化防止剤）
本発明の組成物は、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物などが挙げられる。分子量５００以上のフェノール化合物、分子量５００以上の亜リン酸エステル化合物又は分子量５００以上のチオエーテル化合物がより好ましい。これらは２種以上を混合して使用してもよい。フェノール化合物としては、フェノール系酸化防止剤として知られる任意のフェノール化合物を使用することができる。好ましいフェノール化合物としては、ヒンダードフェノール化合物が挙げられる。特に、フェノール性水酸基に隣接する部位（オルト位）に置換基を有する化合物が好ましい。前述の置換基としては炭素数１〜２２の置換又は無置換のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルへキシル基がより好ましい。また、同一分子内にフェノール基と亜リン酸エステル基を有する化合物（酸化防止剤）も好ましい。

また、酸化防止剤は、リン系酸化防止剤も好適に使用することができる。リン系酸化防止剤としてはトリス［２−［［２，４，８，１０−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−６−イル］オキシ］エチル］アミン、トリス［２−［（４，６，９，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−２−イル）オキシ］エチル］アミン、および亜りん酸エチルビス（２，４−ジｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が挙げられる。

これらは、市販品として容易に入手可能であり、アデカスタブ ＡＯ−２０、アデカスタブ ＡＯ−３０、アデカスタブ ＡＯ−４０、アデカスタブ ＡＯ−５０、アデカスタブ ＡＯ−５０Ｆ、アデカスタブ ＡＯ−６０、アデカスタブ ＡＯ−６０Ｇ、アデカスタブ ＡＯ−８０、アデカスタブ ＡＯ−３３０（（株）ＡＤＥＫＡ）などが挙げられる。

酸化防止剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．３〜１５質量％であることがより好ましい。酸化防止剤は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜＜他の成分＞＞
本発明の組成物は、例えば、分散剤、増感剤、硬化促進剤、フィラー、可塑剤、密着促進剤およびその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）をさらに含有することができる。これらの成分は、例えば、特開２０１２−００３２２５号公報の段落番号０１８３〜０２２８（対応する米国特許出願公開第２０１３／００３４８１２号明細書の[０２３７]〜[０３０９]）、特開２００８−２５００７４号公報の段落番号０１０１〜０１０２、段落番号０１０３〜０１０４、段落番号０１０７〜０１０９、特開２０１３−１９５４８０号公報の段落番号０１５９〜０１８４等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

＜組成物の製造方法＞
本発明の組成物は、赤外線吸収剤と、溶剤、その他必要に応じて前述の成分を混合して組成物Ａを調製し、０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存酸素量を０．１〜５０ｍｇ／Ｌに調整して製造できる。組成物の製造に際しては、各成分を一括配合してもよいし、各成分を溶剤に溶解・分散した後に逐次配合してもよい。また、配合する際の投入順序や作業条件は特に制約を受けない。
組成物の溶存酸素量を上述の範囲に調整する方法としては、例えば、組成物の溶存酸素量が、少なすぎる場合は、酸素や空気などの気体を組成物に曝気する等の方法で、組成物の溶存酸素量を上述の範囲に調整する方法が挙げられる。また、組成物の溶存酸素量が、多すぎる場合は、脱気処理を行って、組成物の溶存酸素量を調整する方法が挙げられる。脱気処理としては、超音波照射や、減圧による脱気などが挙げられる。減圧による脱気は、０．００１〜０．０１Ｐａの圧力下で、０〜５０℃の温度下で、１〜１０分間行う方法が挙げられる。

組成物の調製にあたり、異物の除去や欠陥の低減などの目的で、ろ過処理を行うことが好ましい。ろ過処理はフィルタでろ過することが好ましい。フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ナイロン（例えばナイロン−６、ナイロン−６，６）等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、０．０１〜７．０μｍ程度が適しており、好ましくは０．０１〜３．０μｍ程度、さらに好ましくは０．０５〜０．５μｍ程度である。この範囲とすることにより、後工程において均一及び平滑な組成物の調製を阻害する、微細な異物を確実に除去することが可能となる。また、ファイバ状のろ材を用いることも好ましく、ろ材としては例えばポリプロピレンファイバ、ナイロンファイバ、グラスファイバ等が挙げられ、具体的にはロキテクノ社製のＳＢＰタイプシリーズ（ＳＢＰ００８など）、ＴＰＲタイプシリーズ（ＴＰＲ００２、ＴＰＲ００５など）、ＳＨＰＸタイプシリーズ（ＳＨＰＸ００３など）のフィルタカートリッジを用いることができる。

フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。
また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社（ＤＦＡ４２０１ＮＸＥＹなど）、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
第２のフィルタは、上述した第１のフィルタと同様の材料等で形成されたものを使用することができる。

ろ過処理を行う場合、ろ過処理後の組成物に対して、溶存酸素量を、上述の範囲に調整することが好ましい。フィルタろ過により、溶存酸素量が変動する可能性があるためである。

本発明の組成物の製造方法は、上述の組成物Ａを脱泡処理する工程を含むことが好ましい。この態様によれば、組成物の溶存酸素量を上述の範囲に調整しやすい。
また、上記組成物Ａは、２種類以上の溶剤を含み、２種類以上の溶剤のうち、最も沸点が高い溶剤の沸点と、最も沸点が低い溶剤の沸点との差が１０℃以上（好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは５０℃以上、特に好ましくは７０℃以上）であることが好ましい。上記の有機溶剤の組み合わせとしては、例えば、沸点が１００℃以上（好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上）である溶剤Ａと、沸点が１３０℃以下（好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下）である溶剤Ｂとを、上記沸点の差が１０℃以上となるように、溶剤Ａと溶剤Ｂとからそれぞれ選択して用いることが好ましい。溶剤Ａ、溶剤Ｂについては、上述した有機溶剤で説明したものが挙げられる。この態様によれば、組成物Ａを脱泡処理する際に、組成物Ａに溶存している気体や酸素が脱泡しやすくなり、組成物の溶存酸素量を本発明で規定する範囲に調整しやすい。

＜膜、近赤外線カットフィルタ＞
次に、本発明の膜について説明する。本発明の膜は、上述した本発明の組成物を用いてなるものである。本発明の膜は、赤外遮蔽性および可視透明性に優れているので、赤外線カットフィルタとして好ましく用いることができる。すなわち、本発明の組成物は、近赤外線吸収組成物でもある。本発明の組成物は、近赤外線カットフィルタ用組成物として好適に用いることができる。本発明の膜は、パターンを有していてもよく、パターンを有さない膜（平坦膜）であってもよい。
また、本発明の近赤外線カットフィルタは、上述した本発明の組成物を用いてなるものである。

本発明の近赤外線カットフィルタは、波長４００〜５５０ｎｍの全ての範囲での光透過率が８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。可視領域での透過率は高いほど好ましく、波長４００〜５５０ｎｍで高透過率となることが好ましい。また、波長７００〜８００ｎｍの範囲の少なくとも１点での光透過率が２０％以下であることが好ましく、波長７００〜８００ｎｍの全ての範囲での光透過率が２０％以下であることがさらに好ましい。

本発明の近赤外線カットフィルタの膜厚は、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましく、２５０μｍ以下がさらに好ましく、２００μｍ以下が特に好ましい。膜厚の下限は、例えば、０．１μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。

本発明の近赤外線カットフィルタは、更に、紫外・赤外光反射膜や、紫外線吸収層を有していてもよい。紫外・赤外光反射膜を有することで、入射角依存性を改良する効果が得られる。紫外・赤外光反射膜としては、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００３３〜００３９、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落０１１０〜０１１４に記載の反射層を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。紫外線吸収層を有することで、紫外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。紫外線吸収層としては、例えば、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落００４０〜００７０、０１１９〜０１４５に記載の吸収層を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。

本発明の近赤外線カットフィルタは、近赤外線を吸収・カットする機能を有するレンズ（デジタルカメラや携帯電話や車載カメラ等のカメラ用レンズ、ｆ−θレンズ、ピックアップレンズ等の光学レンズ）および半導体受光素子用の光学フィルタ、省エネルギー用に熱線を遮断する近赤外線吸収フィルムや近赤外線吸収板、太陽光の選択的な利用を目的とする農業用コーティング剤、近赤外線の吸収熱を利用する記録媒体、電子機器用や写真用近赤外線フィルタ、保護めがね、サングラス、熱線遮断フィルム、光学文字読み取り記録、機密文書複写防止用、電子写真感光体、レーザー溶着、などに用いられる。またＣＣＤカメラ用ノイズカットフィルター、ＣＭＯＳイメージセンサ用フィルタとしても有用である。

＜近赤外線カットフィルタの製造方法＞
本発明の近赤外線カットフィルタは、本発明の組成物を用いて製造できる。具体的には、本発明の組成物を支持体などに適用して組成物層を形成する工程、組成物層を乾燥する工程および／または組成物層を硬化する工程などを経て製造できる。また、更にパターンを形成する工程を行ってもよい。膜厚、積層構造などについては、目的に応じて適宜選択することができる。

組成物層を形成する工程は、例えば、本発明の組成物を、支持体に滴下法（ドロップキャスト）、スピンコーター、スリットスピンコーター、スリットコーター、スクリーン印刷、アプリケータ塗布等を用いることにより実施できる。滴下法（ドロップキャスト）の場合、所定の膜厚で、均一な膜が得られるように、支持体上にフォトレジストを隔壁とする組成物の滴下領域を形成することが好ましい。組成物の滴下量および固形分濃度、滴下領域の面積を調整することで、所望の膜厚が得られる。乾燥後の膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
支持体は、ガラスなどの透明基板であってもよい。また、固体撮像素子であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた別の基板であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた平坦化層等の層であっても良い。

組成物層を乾燥する工程において、乾燥条件としては、各成分、溶剤の種類、使用割合等によっても異なる。例えば、８０℃〜２００℃の温度で、３０秒間〜１５分間が好ましい。

組成物層を硬化する工程において、組成物層の硬化方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。ここで、本発明において「露光」とは、各種波長の光のみならず、電子線、Ｘ線などの放射線照射をも包含する意味で用いられる。露光は放射線の照射により行うことが好ましく、露光に際して用いることができる放射線としては、特に、電子線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線や可視光が好ましく用いられる。露光方式としては、ステッパー露光や、高圧水銀灯による露光などが挙げられる。露光量は５〜３０００ｍＪ／ｃｍ²が好ましく、１０〜２０００ｍＪ／ｃｍ²がより好ましく、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ²が特に好ましい。全面露光処理の方法としては、例えば、組成物層の全面を露光する方法が挙げられる。全面露光により、膜中の架橋成分の硬化が促進され、上記膜の硬化が更に進行し、膜の耐溶剤性や耐熱性が向上する。上記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などの紫外線露光機が好適に挙げられる。また、全面加熱処理の方法としては、組成物層の全面を加熱する方法が挙げられる。全面加熱により、膜の耐溶剤性や耐熱性が向上する。
全面加熱における加熱温度は、１２０℃〜２５０℃が好ましく、１６０℃〜２２０℃がより好ましい。加熱温度が１２０℃以上であれば、加熱処理によって膜強度が向上し、２５０℃以下であれば、膜成分の分解を抑制できる。全面加熱における加熱時間は、３分〜１８０分が好ましく、５分〜１２０分がより好ましい。全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、赤外線（ＩＲ）ヒーターなどが挙げられる。

組成物層を硬化する工程において、硬化処理を行う前に、プリベーク（前加熱）を行ってもよい。加熱温度は、８０℃〜２００℃が好ましく、９０℃〜１５０℃がより好ましい。加熱時間は、３０〜２４０秒が好ましく、６０〜１８０秒がより好ましい。

組成物層を硬化する工程において、硬化処理を行った後に、さらに、ポストベーク（後加熱）を行ってもよい。後加熱は、硬化処理後の膜の硬化を完全なものとするための加熱処理である。加熱温度は、１００〜２４０℃が好ましい。膜硬化の観点から、２００〜２３０℃がより好ましい。加熱時間は、３０〜１０００秒が好ましく、６０〜５００秒がより好ましい。

パターンを形成する工程において、パターンの形成方法としては、フォトリソグラフィ法によるパターン形成や、ドライエッチング法によるパターンが挙げられる。

＜固体撮像素子、カメラモジュール＞
本発明の固体撮像素子は、本発明の近赤外線カットフィルタを含む。また、本発明のカメラモジュールは、本発明の近赤外線カットフィルタを含む。

図１は、本発明の実施形態に係る近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
図１に示すカメラモジュール１０は、固体撮像素子１１と、固体撮像素子の主面側（受光側）に設けられた平坦化層１２と、近赤外線カットフィルタ１３と、近赤外線カットフィルタの上方に配置され内部空間に撮像レンズ１４を有するレンズホルダー１５と、を備える。カメラモジュール１０は、外部からの入射光ｈνが、撮像レンズ１４、近赤外線カットフィルタ１３、平坦化層１２を順次透過した後、固体撮像素子１１の撮像素子部に到達するようになっている。

固体撮像素子１１は、例えば、基板１６の主面に、フォトダイオード、層間絶縁膜（図示せず）、ベース層（図示せず）、カラーフィルタ１７、オーバーコート（図示せず）、マイクロレンズ１８をこの順に備えている。カラーフィルタ１７（赤色のカラーフィルタ、緑色のカラーフィルタ、青色のカラーフィルタ）やマイクロレンズ１８は、固体撮像素子１１に対応するように、それぞれ配置されている。なお、平坦化層１２の表面に近赤外線カットフィルタ１３が設けられる代わりに、マイクロレンズ１８の表面、ベース層とカラーフィルタ１７との間、または、カラーフィルタ１７とオーバーコートとの間に、近赤外線カットフィルタ１３が設けられる形態であってもよい。例えば、近赤外線カットフィルタ１３は、マイクロレンズ表面から２ｍｍ以内（より好ましくは１ｍｍ以内）の位置に設けられていてもよい。この位置に設けると、近赤外線カットフィルタを形成する工程が簡略化でき、マイクロレンズへの不要な近赤外線を十分にカットすることができるので、近赤外線遮蔽性をより高めることができる。

本発明の近赤外線カットフィルタは、耐熱性に優れるため、半田リフロー工程に供することができる。半田リフロー工程によりカメラモジュールを製造することによって、半田付けを行うことが必要な電子部品実装基板等の自動実装化が可能となり、半田リフロー工程を用いない場合と比較して、生産性を格段に向上することができる。更に、自動で行うことができるため、低コスト化を図ることもできる。半田リフロー工程に供される場合、２５０〜２７０℃程度の温度にさらされることとなるため、近赤外線カットフィルタは、半田リフロー工程に耐え得る耐熱性（以下、「耐半田リフロー性」ともいう。）を有することが好ましい。本明細書中で、「耐半田リフロー性を有する」とは、１８０℃で１分間の加熱を行う前後で近赤外線カットフィルタとしての特性を保持することをいう。より好ましくは、２３０℃で１０分間の加熱を行う前後で特性を保持することである。更に好ましくは、２５０℃で３分間の加熱を行う前後で特性を保持することである。耐半田リフロー性を有しない場合には、上記条件で保持した場合に、近赤外線カットフィルタの近赤外線遮蔽性が低下したり、膜としての機能が不十分となる場合がある。
本発明のカメラモジュールは、更に、紫外線吸収層を有することもできる。この態様によれば、紫外線遮蔽性を高めることができる。紫外線吸収層は、例えば、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落００４０〜００７０、０１１９〜０１４５の記載を参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれることする。また、後述する紫外・赤外光反射膜を更に有することもできる。紫外線吸収層と紫外・赤外光反射膜は、両者を併用してもよく、いずれか一方のみであってもよい。

図２〜４は、カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタ周辺部分の一例を示す概略断面図である。

図２に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、平坦化層１２と、紫外・赤外光反射膜１９と、透明基材２０と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。紫外・赤外光反射膜１９は、近赤外線カットフィルタの機能を付与または高める効果を有し、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００３３〜００３９、ＷＯ２０１５／０９９０６０号の段落０１１０〜０１１４を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。透明基材２０は、可視領域の波長の光を透過するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００２６〜００３２を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。近赤外線吸収層２１は、上述した本発明の組成物を塗布することにより形成することができる。反射防止層２２は、近赤外線カットフィルタに入射する光の反射を防止することにより透過率を向上させ、効率よく入射光を利用する機能を有するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落００４０を参酌することができ、この内容は本願明細書に組み込まれる。

図３に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、反射防止層２２と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、紫外・赤外光反射膜１９とをこの順に有していてもよい。

図４に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線吸収層（近赤外線カットフィルタ）２１と、紫外・赤外光反射膜１９と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。

＜画像表示装置＞
本発明の画像表示装置は、本発明の近赤外線カットフィルタを有する。本発明の近赤外線カットフィルタは、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置などの画像表示装置に用いることもできる。例えば、各着色画素（例えば赤色、緑色、青色）とともに用いることにより、表示装置のバックライト（例えば白色発光ダイオード（白色ＬＥＤ））に含まれる赤外光を遮断し、周辺機器の誤作動を防止する目的や、各着色表示画素に加えて赤外の画素を形成する目的で用いることが可能である。

表示装置の定義や各表示装置の詳細については、例えば「電子ディスプレイデバイス（佐々木 昭夫著、（株）工業調査会 １９９０年発行）」、「ディスプレイデバイス（伊吹 順章著、産業図書（株）平成元年発行）」などに記載されている。また、液晶表示装置については、例えば「次世代液晶ディスプレイ技術（内田 龍男編集、（株）工業調査会 １９９４年発行）」に記載されている。本発明が適用できる液晶表示装置に特に制限はなく、例えば、上記の「次世代液晶ディスプレイ技術」に記載されている色々な方式の液晶表示装置に適用できる。

画像表示装置は、白色有機ＥＬ素子を有するものであってもよい。白色有機ＥＬ素子としては、タンデム構造であることが好ましい。有機ＥＬ素子のタンデム構造については、特開２００３−４５６７６号公報、三上明義監修、「有機ＥＬ技術開発の最前線−高輝度・高精度・長寿命化・ノウハウ集−」、技術情報協会、３２６−３２８ページ、２００８年などに記載されている。有機ＥＬ素子が発光する白色光のスペクトルは、青色領域（４３０ｎｍ−４８５ｎｍ）、緑色領域（５３０ｎｍ−５８０ｎｍ）及び黄色領域（５８０ｎｍ−６２０ｎｍ）に強い極大発光ピークを有するものが好ましい。これらの発光ピークに加え更に赤色領域（６５０ｎｍ−７００ｎｍ）に極大発光ピークを有するものがより好ましい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「％」および「部」は質量基準である。また、以下において、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートをＰＧＭＥＡと記す。また、ＮＭＲは核磁気共鳴の略称である。

＜重量平均分子量（Ｍｗ）の測定＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法で測定した。
カラムの種類：ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐ
ｅｒ ＡＷＭ―Ｈ（東ソー（株）製、６．０ｍｍ（内径）×１５．０ｃｍ）
展開溶媒：１０ｍｍｏｌ／Ｌ リチウムブロミドＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリジノン）溶液
カラム温度：４０℃
流量（サンプル注入量）：１０μＬ
装置名：ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）
検量線ベース樹脂：ポリスチレン

＜粘度の測定方法＞
Ｂ型粘度計を用いて、２５℃の組成物の粘度を測定した。

＜組成物の調製方法＞
（組成物１）
以下に示す銅錯体１を４５質量部と、以下に示す樹脂１を４９．９５質量部と、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）を５質量部と、トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（東京化成工業（株）製）を０．０５質量部と、シクロヘキサノンを１００質量部、を混合し、撹拌した後、孔径０．４５μｍのナイロン製フィルタ（日本ポール（株）社製）でろ過して組成物１を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１５０ｍＰ・ｓであった。
銅錯体１：下記構造

樹脂１：下記構造（Ｍｗ＝１．５万、主鎖に付記した数値は、各構成単位のモル比である）

（組成物２）
銅錯体１のかわりに、同量の銅錯体２を用いた以外は組成物１と同様にして組成物２を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１５０ｍＰ・ｓであった。
銅錯体２：下記構造

（組成物３）
銅錯体１のかわりに、同量の銅錯体３を用いた以外は組成物１と同様にして組成物３を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１５０ｍＰ・ｓであった。
銅錯体３：下記構造

（組成物４）
銅錯体１のかわりに、同量の銅錯体４を用いた以外は組成物１と同様にして組成物４を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１５０ｍＰ・ｓであった。
銅錯体４：下記化合物を配位子として有する銅錯体。

（組成物５）
銅錯体１のかわりに、同量の銅錯体５を用いた以外は組成物１と同様にして組成物５を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１５０ｍＰ・ｓであった。
銅錯体５：下記化合物を配位子として有する銅錯体。

（組成物６）
ナスフラスコに、酢酸銅一水和物７．００ｇ（３５．０６ｍｍｏｌ）、メタノール１４０ｇを加え、２０℃で１時間攪拌し、溶液（Ａ液）を得た。別の容器に、プライサーフＡ２１９Ｂ（第一工業製薬製）１．７５ｇ、ｎ−ブチルホスホン酸４．８２ｇをメタノール１００ｇに溶解し、溶液（Ｂ液）を得た。Ｂ液を、Ａ液に対して３時間かけて滴下した。この反応液を２０℃で１０時間撹拌した。その後、エバポレーター（水浴６０℃）で反応液から溶媒を留去した。溶媒が留去された固形分にトルエン１００ｇを加え、恒量になり、酢酸臭がしなくなるまでエバポレーターで留去した。収量８．７５ｇ（収率１００％）の青緑色固体が得られた。これにトルエン２１１ｇを加え、超音波照射を６時間行い、ｎ−ブチルホスホン酸銅塩トルエン分散液（１）を得た。
次に、フラスコに、トリエチレングリコールビス（２−エチルヘキサノエート） １．９０ｇ、トルエン２５０ｍｌ、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）５．００ｇを加えた。これに、ｍｅｓｏ‐エリスリトール４．８ｍｇをメタノール１ｍｌに溶かした溶液を加えた。これに上記ｎ−ブチルホスホン酸銅塩トルエン分散液（１）３．６５ｇ（銅塩を０．５８３ｍｍｏｌ含む）を添加し、２０℃で１０時間撹拌後、１．５時間超音波照射し、ＰＶＢを均一に溶解させて組成物６を得た。

（組成物７）
以下に示す樹脂２を８．０４質量部と、以下に示す化合物ＳＱ−２３を０．１質量部と、架橋性化合物としてＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ（日本化薬（株）社製）を０．０７質量部と、メガファックＲＳ−７２Ｋ（ＤＩＣ（株）社製）を０．２６５質量部と、光重合開始剤として下記化合物を０．３８質量部と、溶剤としてＰＧＭＥＡを８２．５１質量部とを混合し、撹拌した後、孔径０．４５μｍのナイロン製フィルタ（日本ポール（株）社製）でろ過して、組成物７を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、４ｍＰ・ｓであった。

樹脂２：下記化合物（Ｍｗ：４１０００、主鎖に付記した数値は、各構成単位のモル比である）

化合物ＳＱ−２３：下記構造

光重合開始剤：下記構造

（組成物８）
化合物ＳＱ−２３のかわりに、同量の下記化合物Ａ−５２を用いた以外は、組成物７と同様にして、組成物８を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、４ｍＰ・ｓであった。
化合物Ａ−５２：下記構造

（組成物９）
イオン交換水６９．５質量部に下記化合物Ｃ−１５を０．５質量部溶解させ、更にゼラチンの１０質量％水溶液３０．０質量部を加え、更に硬膜剤として１，３−ジビニルスルホニル−２−プロパノールを０．３質量部加え攪拌して、組成物９を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１０ｍＰ・ｓであった。
化合物Ｃ−１５：下記構造

（組成物１０）
化合物Ｃ−１５のかわりに、同量の下記化合物３１用いた以外は、組成物９と同様にして、組成物１０を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１０ｍＰ・ｓであった。
化合物３１：下記構造

（組成物１１）
樹脂２のかわりに、同量のアクリキュア−ＲＤ−Ｆ８（日本触媒（株）製）を用いた以外は、組成物７と同様にして組成物１１を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、４ｍＰ・ｓであった。

（組成物１２）
樹脂１のかわりに、同量のアクリキュア−ＲＤ−Ｆ８（日本触媒（株）製）を用いた以外は、組成物１と同様にして組成物１２を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、４ｍＰ・ｓであった。

（組成物１３）
組成物５において、フィルタろ過を行わなかった以外は、組成物５と同様にして組成物１３を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１５０ｍＰ・ｓであった。

（組成物１４）
組成物１において、メタノール５質量部を追加した以外は、組成物１と同様にして組成物１４を調整した。この組成物の２５℃における粘度は１４５ｍＰ・ｓであった。

（組成物１５）
組成物１において、シクロヘキサノンを６６．６質量部にした以外は、組成物１と同様にして組成物１５を調整した。この組成物の２５℃における粘度は３００ｍＰ・ｓであった。

（組成物１６）
組成物７において、ＰＧＭＥＡを１３質量部とした以外は、組成物７と同様にして組成物１６を調整した。この組成物の２５℃における粘度は１６ｍＰ・ｓであった。

（組成物１７）
化合物ＳＱ−２３のかわりに、同量の化合物Ａ−５２を用いた以外は、組成物１６と同様にして、組成物１７を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１６ｍＰ・ｓであった。

（組成物１８）
樹脂２のかわりに、同量のアクリキュア−ＲＤ−Ｆ８（日本触媒（株）製）を用いた以外は、組成物１６と同様にして組成物１８を調製した。この組成物の２５℃における粘度は、１６ｍＰ・ｓであった。

＜溶存酸素量調整法＞
（調整方法１）
調製した組成物に対し、常温（２５℃）で１気圧（０．１ＭＰａ）下にて、酸素を０．５Ｌ／分の速度でバブリングして、下記表に記載の溶存酸素量に調整した。なお、下記表に記載の溶存酸素量は、０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の値である。溶存酸素量は、オービスフェア ５１０ガスアナライザー（（株）ハックウルトラ製）を用いて、飽和溶存酸素溶液との酸素分圧の比率から算出した。

（調整方法２）
調整した組成物に対して、アスピレーターで０．１気圧（０．０１ＭＰａ）まで減圧して、下記表に記載の溶存酸素量に調整した。

（調整方法３）
調整した組成物に対して、２５℃で超音波照射することで下記表に記載の溶存酸素量に調整した。

＜近赤外線カットフィルタの製造＞
（製造例１）組成物１〜７、１２〜１５を使用した近赤外線カットフィルタの製造方法
溶存酸素量を下記表に調整した各組成物を、ガラスウェハ上に乾燥後の膜厚が１００μｍになるようにスピンコーターを用いて塗布し、１６０℃のホットプレートを用いて１．５時間加熱処理を行って、近赤外線カットフィルタを製造した。

＜近赤外線カットフィルタの製造＞
（製造例２）組成物８〜１１、１６〜１８を使用した近赤外線カットフィルタの製造方法
溶存酸素量を下記表に調整した各組成物を、スピンコーターを用いて塗布して塗膜を形成し、１００℃、１２０秒間の前加熱（プリベーク）を行った後、ｉ線ステッパーを用い、１０００ｍＪ／ｃｍ²で全面露光を行った。次いで、２２０℃、３００秒間の後加熱（ポストベーク）を行い、膜厚０．８μｍの近赤外線カットフィルタを製造した。

＜欠陥の評価＞
近赤外線カットフィルタの７．５×７．５ｃｍの範囲を、ルーペで観察（倍率１５倍）し、気泡の有無を評価した。気泡が見られない場合をＡ、気泡が１〜３個の場合をＢ、気泡が４個以上の場合をＣとした。

＜液安定性の評価＞
下記表に記載の溶存酸素量に調整した各組成物を、４５℃で３日加熱し、加熱前と加熱後の粘度の比率で液安定性を評価した。粘度変動が１％未満の場合をＡ、粘度変動が１％以上５％未満の場合をＢ、粘度変動が５％以上の場合をＣとした。

上記結果より、実施例は液安定性に優れていた。また、実施例の近赤外線カットフィルタは、欠陥が少なかった。これに対し、比較例の近赤外線カットフィルタは欠陥が多かった。

１０ カメラモジュール、１１ 固体撮像素子、１２ 平坦化層、１３ 近赤外線カットフィルタ、１４ 撮像レンズ、１５ レンズホルダー、１６ シリコン基板、１７ カラーフィルタ、１８ マイクロレンズ、１９ 紫外・赤外光反射膜、２０ 透明基材、２１ 近赤外線吸収層、２２ 反射防止層

Claims (24)

1. 銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物およびナフタロシアニン化合物から選ばれる少なくとも１種の赤外線吸収剤と、溶剤と、架橋性基を有する化合物とを含む組成物であって、
   ０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存酸素量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌであり、
   前記架橋性基を有する化合物は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含み、
   前記組成物の固形分濃度が４０質量％以上である、組成物；
   ただし、Ｍは、Ｓｉ、ＴｉおよびＺｒから選択される原子であり、Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ｂ）から選択される１種であり、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立に１価の有機基を表し、Ｘが、Ｏ＝Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ｂ）である場合、カルボニル基の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。
2. 前記ＭはＳｉであり、前記Ｘはアルコキシ基である、請求項１に記載の組成物。
3. 前記アルコキシ基の炭素数が１〜２である、請求項２に記載の組成物。
4. ０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存気体量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
5. ０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存酸素量が１〜１０ｍｇ／Ｌである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
6. 前記赤外線吸収剤が銅化合物である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
7. 固形分濃度が４５質量％以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
8. ２５℃での粘度が、０．０５〜１０Ｐａ・ｓである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
9. ２５℃での粘度が、０．１〜０．５Ｐａ・ｓである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
10. 前記架橋性基を有する化合物の含有量が、前記組成物の全固形分の１５質量％以上である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
11. 前記赤外線吸収剤の含有量が、前記組成物の全固形分に対して、１０〜８０質量％である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
12. 前記組成物は、２種類以上の溶剤を含み、２種類以上の溶剤のうち、最も沸点が高い溶剤の沸点と、最も沸点が低い溶剤の沸点との差が７０℃以上である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
13. 前記組成物は、２種類以上の溶剤を含み、２種類以上の溶剤は、沸点が１２０℃以上の溶剤と、沸点が１００℃以下の溶剤を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の組成物。
14. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物の製造方法であって、
    銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物およびナフタロシアニン化合物から選ばれる少なくとも１種の赤外線吸収剤と、溶剤と、架橋性基を有する化合物とを含む組成物Ａを、脱泡処理する工程を含み、
    前記架橋性基を有する化合物は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含む、組成物の製造方法；
    ただし、Ｍは、Ｓｉ、ＴｉおよびＺｒから選択される原子であり、Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ｂ）から選択される１種であり、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは、それぞれ独立に１価の有機基を表し、Ｘが、Ｏ＝Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ｂ）である場合、カルボニル基の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。
15. 前記組成物Ａは、２種類以上の溶剤を含み、２種類以上の溶剤のうち、最も沸点が高い溶剤の沸点と、最も沸点が低い溶剤の沸点との差が１０℃以上である、請求項１４に記載の組成物の製造方法。
16. 銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物およびナフタロシアニン化合物から選ばれる少なくとも１種の赤外線吸収剤と、溶剤と、架橋性基を有する化合物とを含み、０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存酸素量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌであり、前記架橋性基を有する化合物は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含む組成物の製造方法であって、
    銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物およびナフタロシアニン化合物から選ばれる少なくとも１種の赤外線吸収剤と、溶剤と、架橋性基を有する化合物とを含む組成物Ａを、脱泡処理する工程を含み、
    前記架橋性基を有する化合物は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含み、
    組成物Ａは、２種類以上の溶剤を含み、２種類以上の溶剤のうち、最も沸点が高い溶剤の沸点と、最も沸点が低い溶剤の沸点との差が７０℃以上である、
    組成物の製造方法；
    ただし、Ｍは、Ｓｉ、ＴｉおよびＺｒから選択される原子であり、Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ ^ａ ）（Ｒ ^ｂ ）から選択される１種であり、Ｒ ^ａ およびＲ ^ｂ は、それぞれ独立に１価の有機基を表し、Ｘが、Ｏ＝Ｃ（Ｒ ^ａ ）（Ｒ ^ｂ ）である場合、カルボニル基の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。
17. 銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物およびナフタロシアニン化合物から選ばれる少なくとも１種の赤外線吸収剤と、溶剤と、架橋性基を有する化合物とを含み、０．１ＭＰａにおける、２５℃の液中の溶存酸素量が０．１〜５０ｍｇ／Ｌであり、前記架橋性基を有する化合物は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含む組成物の製造方法であって、
    銅化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物およびナフタロシアニン化合物から選ばれる少なくとも１種の赤外線吸収剤と、溶剤と、架橋性基を有する化合物とを含む組成物Ａを、脱泡処理する工程を含み、
    前記架橋性基を有する化合物は、Ｍ−Ｘで表される部分構造を有する化合物を含み、
    組成物Ａは、沸点が１２０℃以上の溶剤と、沸点が１００℃以下の溶剤とを含む、
    組成物の製造方法；
    ただし、Ｍは、Ｓｉ、ＴｉおよびＺｒから選択される原子であり、Ｘは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ホスホリルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、オキシム基およびＯ＝Ｃ（Ｒ ^ａ ）（Ｒ ^ｂ ）から選択される１種であり、Ｒ ^ａ およびＲ ^ｂ は、それぞれ独立に１価の有機基を表し、Ｘが、Ｏ＝Ｃ（Ｒ ^ａ ）（Ｒ ^ｂ ）である場合、カルボニル基の酸素原子の非共有電子対でＭと結合する。
18. 超音波照射、および、減圧から選ばれる少なくとも１種類の方法により、前記脱泡処理を行う、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の組成物の製造方法。
19. 前記組成物Ａをろ過処理した後、前記脱泡処理を行う、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の組成物の製造方法。
20. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物を用いてなる膜。
21. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物を用いてなる近赤外線カットフィルタ。
22. 請求項２１に記載の近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
23. 請求項２１に記載の近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュール。
24. 請求項２１に記載の近赤外線カットフィルタを有する画像表示装置。

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