JP6651257B2 - 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置 - Google Patents
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Description
11a 表面
11b 裏面
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
17 改質層(改質領域)
21 テープ(ダイシングテープ)
21a 第1面
21b 第2面
31 投影像
33 影
35a,35b,35c,35d 不良領域
41 テープ(ダイシングテープ)
43 フレーム
L1 光
L2 レーザービーム
2 検査装置
4 保持テーブル
4a 保持面
6 光源
8 投影面
10 撮像ユニット(撮像手段)
12 判定ユニット(判定手段)
22 研削装置
24 チャックテーブル
24a 保持面
26 研削ユニット
28 スピンドル
30 マウント
32 研削ホイール
34 ホイール基台
36 研削砥石
42 レーザー加工装置
44 チャックテーブル
44a 保持面
46 レーザー照射ユニット
48 撮像ユニット
52 拡張装置
54 支持構造(保持テーブル)
56 拡張ドラム(支持基台、保持テーブル)
58 フレーム支持テーブル
60 クランプ
62 昇降機構(拡張手段)
64 シリンダケース
66 ピストンロッド
68 制御ユニット(制御手段)
102 レーザー加工装置
104 基台
104a 突出部
106 支持構造
106a 支持アーム
108 カセットエレベータ
110 カセット
112 仮置き機構
112a,112b ガイドレール
116 移動機構(加工送り機構、割り出し送り機構)
118 Y軸ガイドレール
120 Y軸移動テーブル
122 Y軸ボールネジ
124 Y軸パルスモータ
126 X軸ガイドレール
128 X軸移動テーブル
130 X軸ボールネジ
132 テーブルベース
134 チャックテーブル(保持テーブル)
134a 保持面
136 クランプ
138 レーザー照射ユニット
140 撮像ユニット
142 制御ユニット(制御手段)
Claims (8)
- 被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを照射することで、被加工物を破断する際の起点となる改質層を被加工物の内部に形成するとともに、該改質層に対応する凹凸を被加工物の露出した面に生じさせる改質層形成ステップと、
光源から放射される光を被加工物の露出した該面で反射させて投影面に照射することで、該凹凸が強調された投影像を形成するとともに、該投影像を撮像して画像を形成する撮像ステップと、
該画像に基づいて、該改質層の状態を判定する判定ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の検査方法。 - 被加工物は、複数の分割予定ラインによって区画された表面側の領域にデバイスが形成されたウェーハであり、
該改質層は、該分割予定ラインに沿って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の被加工物の検査方法。 - 該改質層形成ステップの前に、被加工物にダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、
該改質層形成ステップの後に、該ダイシングテープを拡張して被加工物に力を付与し、該改質層を破断の起点として被加工物を複数のチップに分割する拡張分割ステップと、を備え、
該拡張分割ステップは、該撮像ステップと並行して実施されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の被加工物の検査方法。 - 透過性を有する波長のレーザービームが照射されることで、内部に破断の起点となる改質層が形成されるとともに、露出した面に該改質層に対応する凹凸が生じた被加工物の該改質層を検査するための検査装置であって、
被加工物を保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、
被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、
該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、
形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、を備えることを特徴とする検査装置。 - 被加工物を保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザービームを照射することで、被加工物を破断する際の起点となる改質層を被加工物の内部に形成するとともに、該改質層に対応する凹凸を被加工物の露出した面に生じさせるレーザービーム照射手段と、
該レーザービームが照射された後の被加工物を保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、
被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、
該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、
形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、
各構成要素を制御する制御手段と、を備えることを特徴とするレーザー加工装置。 - 該保持テーブルは、該チャックテーブルであることを特徴とする請求項5に記載のレーザー加工装置。
- 透過性を有する波長のレーザービームが照射されることで、内部に破断の起点となる改質層が形成されるとともに、露出した面に該改質層に対応する凹凸が生じた被加工物を、該被加工物に貼着されたダイシングテープを介して支持する支持基台と、
該ダイシングテープを拡張する拡張手段と、
該被加工物を保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、
被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、
該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、
形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、
各構成要素を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする拡張装置。 - 該保持テーブルは、該支持基台であることを特徴とする請求項7に記載の拡張装置。
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JP2008012542A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
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JP5833362B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2015-12-16 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
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JP2014082418A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JPWO2014080918A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2017-01-05 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ |
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JP5603453B1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-08 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ保護用粘着テープ |
JP6224462B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2017-11-01 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置 |
JP2015207604A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6604715B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6347714B2 (ja) * | 2014-10-02 | 2018-06-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6360411B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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