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JP6634990B2 - セラミック電子部品およびその実装構造 - Google Patents

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Description

この発明は、セラミック電子部品およびその実装構造に関する。
セラミック電子部品は、故障によりその内部にショートパスが形成された場合、組み込まれた電子機器内にショート回路が形成され、当該電子機器に定格以上の電流（以下、単に「過電流」という）が流れてしまう場合がある。その結果、セラミック電子部品そのものや、電子機器内のショート回路に接続された電池および導体などが異常発熱し、発煙や発火に至る虞があった。このような問題を解消するために、過電流を遮断し得る電流ヒューズなどを組み込んだ回路構成が知られている。例えば、ＤＣラインのＰＮ間をまたいで、積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）を組み込む必要がある回路では、積層セラミックコンデンサの故障に起因したショートによる異常発熱、発煙および発火などの防止を目的として、図１４（Ａ）に示すように電流ヒューズが併用される場合がある。しかしながら、このようにした場合、電流ヒューズが機能することで回路が機能しなくなってしまうという問題や、電流ヒューズに対する信頼性の問題があった。なお、図１４（Ａ）において右側に位置する長方形はインバーターである。また、次に説明する図１４（Ｂ）においても同様である。
そこで、図１４（Ｂ）に示すように、積層セラミックコンデンサを複数個直列に接続して用いる場合がある。これにより、１つの積層セラミックコンデンサが故障してその内部にショートパスが形成されたとしても、他の積層セラミックコンデンサがＤＣ電流を遮断するため、ショート回路が形成されることを回避し得る。その結果、電流ヒューズが機能した場合でも回路は機能し続け、且つ積層セラミックコンデンサの故障に起因した異常発熱などを防止し得る。しかしながら、実際にこのような回路で１つの積層セラミックコンデンサが故障し、その内部にショートパスが形成された場合、その故障の仕方や積層セラミックコンデンサに流れるリップル電流によっては、故障した積層セラミックコンデンサが異常発熱し、実装基板や周囲の可燃物を焦がして発煙や発火に至る虞があった。なお、直列接続された積層セラミックコンデンサ全てが故障した場合に機能する電流ヒューズが用いられることも多い。しかしながら、このような電流ヒューズは、例えば、１つの積層セラミックコンデンサが故障したのみでは機能しないため、前述した異常発熱などを同様に回避することができない。
また、図１４（Ｃ）に示すようなＬＣ共振回路において、積層セラミックコンデンサのインピーダンスが十分に小さくなる周波数のＡＣ負荷のみが印加される場合、その内部にショートパスが形成された積層セラミックコンデンサのインピーダンスは、積層セラミックコンデンサ成分のインピーダンスに比べて十分に小さくならない。これにより、回路に流れる電流が極端に大きくなることもない。したがって、電流ヒューズを直列接続したとしても機能しない。しかしながら、故障した積層セラミックコンデンサは、自身に流れるＡＣ電流によって異常発熱し、実装基板や周囲の可燃物を焦がして発煙や発火に至る虞があった。なお、図１４（Ｃ）に示すようなＬＣ共振回路において、積層セラミックコンデンサが複数個直列に接続される場合や、複数個直列に接続された積層セラミックコンデンサが並列に接続される場合には、その中の１つの積層セラミックコンデンサが故障したことによる全体的な電流の変化はより小さいものとなる。
また、回路構成にかかわらず、セラミック電子部品の故障は、その内部にショートパスが形成される場合に限られない。例えば、単純に損失の増大による想定以上の発熱をきたすような劣化や故障も生じ得る。しかしながら、電流ヒューズでは、当然ながらこのような故障に対処し得ないため、上記したような発煙や発火などを回避することができない。なお、温度を検知することにより機能する温度ヒューズを用いることも考えられる。しかしながら、温度ヒューズは、セラミック電子部品の温度を直接検知することができないため、作動するまでに時間が掛かる。その結果、上記したような異常発熱による発煙や発火を回避することができない。さらに、故障時に発熱が予想されるセラミック電子部品に上記したような電流ヒューズを併用することは、回路設計や組み立てが困難になり得る。また、回路のＥＳＲやＥＳＬの増大を招き、回路におけるセラミック電子部品の性能発揮を妨げることになり、現実的ではない。
さらに、特許文献１に開示された保安機能付き電子部品のように、セラミック電子部品に直接ヒューズを取り付けることにより、セラミック電子部品それ自体にヒューズ機能を持たせる技術も知られている。特許文献１には、２個のセラミックコンデンサ素子を備え、その側面にそれぞれ銀−パラジウム（以下Ａｇ−Ｐｄ）を主成分とする導電塗料を塗布して乾燥させ、外部電極を形成し、一方の外部電極は、ガラス層を介してコ字状の外部端子が固定されており、この外部端子は電流ヒューズで外部電極と接続され、他方の外部電極は、コ字状の外部端子と接続されているから、コンデンサ素子に過電流が継続して流れた場合は、電流ヒューズが溶断しコンデンサが回路から切り離されるとした技術が開示されている。
しかしながら、特許文献１のように、セラミック電子部品に直接ヒューズを取り付ける場合、セラミック電子部品の外部電極を細くしたり、ヒューズ自体を細くしたりする必要がある。また、セラミック電子部品の内部において電流経路が複雑になるため、ＥＳＬが増大して高周波特性が悪化したり、ＥＳＲが増大して発熱および損失が増加したり、さらには、許容電流が低下したりしてしまう。すなわち、特許文献１のセラミック電子部品は、ヒューズ機能を持たない電子部品と比較して、性能が劣ることになってしまい、且つ組み込まれる回路によっては性能が全く不十分になってしまうという問題があった。
特開平１１−５４３５７号公報
それゆえに、この発明の目的は、その性能を損なうことなく、上記したような故障の際に確実に回路を開き、且つ異常発熱やそれにより生じ得る発煙および発火などの事故を防止することができる、セラミック電子部品およびその実装構造を提供することである。
この発明に係るセラミック電子部品は、複数のセラミック層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、積層体の表面のうち、少なくとも第１の端面に形成されることにより、複数の第１の内部電極層に電気的に接続される第１の外部電極と、積層体の表面のうち、少なくとも第２の端面に形成されることにより、複数の第２の内部電極層に電気的に接続される第２の外部電極と、電気的に絶縁可能な接合材を用いて、第１の外部電極と絶縁された状態で、第１の外部電極および積層体のうち少なくとも１つに接合される第１の基板接続端子と、電気的に絶縁可能な接合材を用いて、第２の外部電極と絶縁された状態で、第２の外部電極および積層体のうち少なくとも１つに接合される第２の基板接続端子と、第１の外部電極と第１の基板接続端子とを電気的に接続する第１の金属端子と、第２の外部電極と第２の基板接続端子とを電気的に接続する第２の金属端子とを備え、第１の金属端子は、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて第１の外部電極に接合され、且つその他方の端部が接合材とは異なる融点の接合手段を用いて第１の基板接続端子に接合され、第２の金属端子は、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて第２の外部電極に接合され、且つその他方の端部が接合材とは異なる融点の接合手段を用いて第２の基板接続端子に接合されることを特徴とする。
好ましくは、第１の金属端子の一方の端部と第１の外部電極とが接合される部分、および第２の金属端子の一方の端部と第２の外部電極とが接合される部分のそれぞれは、少なくとも電気的に接続可能な接合材の表面を覆うように、低融点の樹脂によりコーティングされている。
好ましくは、第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれは、低融点の樹脂によりコーティングされている。
好ましくは、第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれは、その一方の端部側に形成される複数の櫛歯部と、その他方の端部側に形成される櫛本体部とを含む櫛体形状である。
好ましくは、第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、複数から構成される。
この発明に係るセラミック電子部品の実装構造は、上記したいずれかに記載のセラミック電子部品と、セラミック電子部品が実装される実装基板とを備え、セラミック電子部品の第１の基板接続端子と、実装基板の第１のランド部とが電気的に接続され、且つセラミック電子部品の第２の基板接続端子と、実装基板の第２のランド部とが電気的に接続される。
好ましくは、セラミック電子部品の第１の基板接続端子と、実装基板の第１のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第１の螺子部材と、セラミック電子部品の第２の基板接続端子と、実装基板の第２のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第２の螺子部材とをさらに備える。
この発明に係るセラミック電子部品の実装構造は、セラミック電子部品と、セラミック電子部品が実装される実装基板とを備えるセラミック電子部品の実装構造であって、セラミック電子部品は、複数のセラミック層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、積層体の表面のうち、少なくとも第１の端面に形成されることにより、複数の第１の内部電極層に電気的に接続される第１の外部電極と、積層体の表面のうち、少なくとも第２の端面に形成されることにより、複数の第２の内部電極層に電気的に接続される第２の外部電極と、第１の外部電極と実装基板とを電気的に接続する第１の金属端子と、第２の外部電極と実装基板とを電気的に接続する第２の金属端子とを含み、実装基板は、第１の金属端子を介して第１の外部電極に電気的に接続される第１のランド部と、第２の金属端子を介して第２の外部電極に電気的に接続される第２のランド部とを含み、且つ電気的に絶縁可能な接合材を用いて、第１の外部電極と絶縁された状態で、第１の外部電極および積層体のうち少なくとも１つに接合され、且つ電気的に絶縁可能な接合材を用いて、第２の外部電極と絶縁された状態で、第２の外部電極および積層体のうち少なくとも１つに接合され、第１の金属端子は、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて第１の外部電極に接合され、且つその他方の端部が接合材とは異なる融点の接合手段を用いて第１のランド部に接合され、第２の金属端子は、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて第２の外部電極に接合され、且つその他方の端部が接合材とは異なる融点の接合手段を用いて第２のランド部に接合されることを特徴とする。
好ましくは、セラミック電子部品の第１の金属端子の他方の端部と、実装基板の第１のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第１の螺合部材と、セラミック電子部品の第２の金属端子の他方の端部と、実装基板の第２のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第２の螺合部材とをさらに備える。
好ましくは、第１の金属端子の一方の端部と第１の外部電極とが接合される部分、および第２の金属端子の一方の端部と第２の外部電極とが接合される部分のそれぞれは、低融点の樹脂によりコーティングされている。
好ましくは、第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれは、低融点の樹脂によりコーティングされている。
好ましくは、第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれは、その一方の端部側に形成される複数の櫛歯部と、その他方の端部側に形成される櫛本体部とを含む櫛体形状である。
好ましくは、第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、複数から構成される。
この発明によれば、その性能を損なうことなく、上記したような故障の際に確実に回路を開き、且つ異常発熱やそれにより生じ得る発煙および発火などの事故を防止することができる、セラミック電子部品およびその実装構造を提供し得る。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴及び利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品を示す外観斜視図である。 この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の長さ方向に沿った断面図である。 この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の通常時の状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。 この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の電気的な接続が切断された状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。 この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれが櫛体形状に形成された変形例の外観斜視図である。 この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれが複数のリボンにより構成された変形例の外観斜視図である。 この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造を示す外観斜視図である。 この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造を示す外観斜視図である。 この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造の長さ方向に沿った断面図である。 この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造の通常時の状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。 この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造の電気的な接続が切断された状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。 この発明に係るセラミック電子部品の効果を確かめるために発明者らが行った実験例１、実験例２および比較実験例１で用いた回路図である。 この発明に係るセラミック電子部品の効果を確かめるために発明者らが行った実験例２および実験例３で用いた回路図である。 この発明に係るセラミック電子部品の背景技術を説明するための回路図である。
１．セラミック電子部品
以下、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品について、図１〜４に基づいて説明する。図１は、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品を示す外観斜視図である。図２は、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の長さ方向に沿った断面図である。図３は、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の通常時の状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。図４は、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の電気的な接続が切断された状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。
この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、電子部品本体２０と、電子部品本体２０に電気的に絶縁可能な接合材を用いて接合される第１の基板接続端子７０ａと、電子部品本体２０と第１の基板接続端子７０ａとを電気的に接続する第１の金属端子８０ａとを備える。また、セラミック電子部品１０は、電子部品本体２０に電気的に絶縁可能な接合材を用いて接合される第２の基板接続端子７０ｂと、電子部品本体２０と第２の基板接続端子７０ｂとを電気的に接続する第２の金属端子８０ｂとを備える。
（電子部品本体２０）
電子部品本体２０は、直方体状に形成された積層体３０と、積層体３０の表面に形成された第１の外部電極６０ａおよび第２の外部電極６０ｂとを備える。
（積層体３０）
積層体３０は、複数のセラミック層４０と、複数の第１の内部電極層５０ａと、複数の第２の内部電極層５０ｂとが交互に積層されることにより直方体状に形成される。そして、積層体３０は、積層方向（図１および図２に示すＴ方向）において相対する第１の主面３２ａおよび第２の主面３２ｂと、積層方向に直交する幅方向（図１および図２に示すＷ方向）において相対する第１の側面３４ａおよび第２の側面３４ｂと、積層方向および幅方向に直交する長さ方向（図１および図２に示すＬ方向）において相対する第１の端面３６ａおよび第２の端面３６ｂとを含む。積層体３０は、その角部および稜線部に丸みを形成されることが好ましい。ここで、積層体３０の角部とは、上記した積層体３０の主面、側面および端面のうちの３面が交わる部分である。また、積層体３０の稜線部とは、上記した積層体３０の主面および側面のうちの２面が交わる部分である。積層体３０は、例えば、Ｌ寸法が４ｍｍ以上５０ｍｍ以下、Ｗ寸法が３ｍｍ以上５０ｍｍ以下、Ｔ寸法が１．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下に形成され得るが、他の寸法であってもよい。
セラミック層４０は、第１の内部電極層５０ａと第２の内部電極層５０ｂとの間に挟まれて積層される。セラミック層４０の１層あたりの厚みは、０．５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。また、セラミック層４０のセラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3またはＣａＺｒＯ3などの主成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。さらに、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加してもよい。
第１の内部電極層５０ａは、セラミック層４０の界面を平板状に延在し、その端部が積層体３０の第１の端面３６ａに露出する。一方、第２の内部電極層５０ｂは、セラミック層４０を介して第１の内部電極層５０ａと対向するようにセラミック層４０の界面を平板状に延在し、その端部が積層体３０の第２の端面３６ｂに露出する。したがって、第１の内部電極層５０ａは、セラミック層４０を介して第２の内部電極層５０ｂに対向する対向電極部と、当該対向電極部の第１の端面３６ａ側の端部から第１の端面３６ａまでの引出電極部と、第１の端面３６ａから露出した露出部とを有する。同様に、第２の内部電極層５０ｂは、セラミック層４０を介して第１の内部電極層５０ａに対向する対向電極部と、当該対向電極部の第２の端面３６ｂ側の端部から第２の端面３６ｂまでの引出電極部と、第２の端面３６ｂから露出した露出部とを有する。第１の内部電極層５０ａの対向電極部と、第２の内部電極層５０ｂの対向電極部とがセラミック層４０を介して互いに対向することにより、静電容量が発生する。その結果、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、コンデンサとして機能する。なお、セラミック電子部品１０は、セラミック材料としてＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミックを用いた場合、圧電部品として機能させることができる。また、セラミック電子部品１０は、セラミック材料としてスピネル系セラミックなどの半導体セラミックを用いた場合、サーミスタとして機能させることができる。さらに、セラミック電子部品１０は、セラミック材料としてフェライトなどの磁性体セラミックを用いた場合、インダクタとして機能させることができる。
第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂそれぞれの１層あたりの厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下程度であることが好ましい。また、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属のうち少なくとも１種を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金）など、適宜の導電材料により構成することができる。
（第１の外部電極６０ａおよび第２の外部電極６０ｂ）
第１の外部電極６０ａは、積層体３０の表面のうち、少なくとも第１の端面３６ａに形成されることにより、第１の内部電極層５０ａと電気的に接続される。なお、第１の外部電極６０ａは、積層体３０の第１の端面３６ａに形成された部分から延長されて、積層体３０の第１の主面３２ａ、第２の主面３２ｂ、第１の側面３４ａおよび第２の側面３４ｂそれぞれの一部まで至るように形成されてもよい。一方、第２の外部電極６０ｂは、積層体３０の表面のうち、少なくとも第２の端面３６ｂに形成されることにより、第２の内部電極層５０ｂと電気的に接続される。なお、第２の外部電極６０ｂは、積層体３０の第２の端面３６ｂに形成された部分から延長されて、積層体３０の第１の主面３２ａ、第２の主面３２ｂ、第１の側面３４ａおよび第２の側面３４ｂそれぞれの一部まで至るように形成されてもよい。
第１の外部電極６０ａは、積層体３０の表面に形成される第１の下地電極層６２ａと、第１の下地電極層６２ａの表面に形成される第１のめっき層６４ａとを含む。同様に、第２の外部電極６０ｂは、積層体３０の表面に形成される第２の下地電極層６２ｂと、第２の下地電極層６２ｂの表面に形成される第２のめっき層６４ｂとを含む。なお、第１の外部電極６０ａおよび第２の外部電極６０ｂのそれぞれは、半田により構成されてもよい。
第１の下地電極層６２ａは、積層体３０の表面のうち、少なくとも第１の端面３６ａに形成される。なお、第１の下地電極層６２ａは、積層体３０の第１の端面３６ａに形成された部分から延長されて、積層体３０の第１の主面３２ａ、第２の主面３２ｂ、第１の側面３４ａおよび第２の側面３４ｂそれぞれの一部まで至るように形成されてもよい。一方、第２の下地電極層６２ｂは、積層体３０の表面のうち、少なくとも第２の端面３６ｂに形成される。なお、第２の下地電極層６２ｂは、積層体３０の第２の端面３６ｂに形成された部分から延長されて、積層体３０の第１の主面３２ａ、第２の主面３２ｂ、第１の側面３４ａおよび第２の側面３４ｂそれぞれの一部まで至るように形成されてもよい。第１の下地電極層６２ａおよび第２の下地電極層６２ｂそれぞれの最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
第１の下地電極層６２ａおよび第２の下地電極層６２ｂそれぞれは、導電性金属およびガラスを含む。第１の下地電極層６２ａおよび第２の下地電極層６２ｂそれぞれの導電性金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。第１の下地電極層６２ａおよび第２の下地電極層６２ｂそれぞれのガラスは、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉなどを用いることができる。第１の下地電極層６２ａおよび第２の下地電極層６２ｂそれぞれは、ガラスを含むことにより、積層体３０との密着力を高めることができる。第１の下地電極層６２ａおよび第２の下地電極層６２ｂそれぞれは、上記したような導電性金属およびガラスを含む導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成することができる。なお、第１の下地電極層６２ａおよび第２の下地電極層６２ｂそれぞれは、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂと同時焼成することにより形成されてもよいし、第１の内部電極層５０ａおよび第２の内部電極層５０ｂを焼成した後に焼き付けることにより形成されてもよいし、他の方法により形成されてもよい。他の方法としては、例えば、導電性粒子および熱硬化性樹脂を含んだ樹脂層や、スパッタ法または蒸着法などの薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積した１μｍ以下の薄膜層などを含んでもよい。
（第１のめっき層６４ａおよび第２のめっき層６４ｂ）
第１のめっき層６４ａは、第１の下地電極層６２ａを覆うようにその表面に形成される。一方、第２の下地電極層６２ｂは、第２の下地電極層６２ｂを覆うようにその表面に形成される。第１のめっき層６４ａおよび第２のめっき層６４ｂそれぞれは、複数層であってもよい。第１のめっき層６４ａおよび第２のめっき層６４ｂそれぞれは、Ｎｉめっき層と、Ｎｉ層めっき層の表面に形成されたＳｎめっき層とからなる２層構造であることが好ましい。第１の下地電極層６２ａの表面にＮｉめっき層を形成することにより、第１の下地電極層６２ａが半田に侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面にＳｎめっき層を形成することにより、半田の濡れ性が向上するため、第１の外部電極６０ａに第１の金属端子８０ａを接合する作業を容易に行うことができる。なお、第２の下地電極層６２ｂの表面に形成されるＮｉめっき層、および当該Ｎｉめっき層の表面に形成されるＳｎめっき層についても同様の効果を奏するため、ここではその説明を繰り返さない。第１のめっき層６４ａおよび第２のめっき層６４ｂそれぞれの１層当たりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。第１のめっき層６４ａおよび第２のめっき層６４ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。
（第１の基板接続端子７０ａおよび第２の基板接続端子７０ｂ）
第１の基板接続端子７０ａは、第１の外部電極６０ａと絶縁された状態で、第１の外部電極６０ａおよび積層体３０のうち少なくとも１つに、電気的に絶縁可能な接合材を用いて接合される。当該接合材は、第１の外部電極６０ａの表面から積層体３０の表面の一部まで延びるように形成されることが好ましい。また、当該接合材は、第１の外部電極６０ａと第１の基板接続端子７０ａとの間隙を満たすように形成されることが好ましい。これにより、第１の基板接続端子７０ａと電子部品本体２０との接合強度を向上させることができ、且つ第１の外部電極６０ａと第１の基板接続端子７０ａとの絶縁性をより確実なものとすることができる。以下の説明において、当該接合部分を第１の絶縁接合部９０ａとする。
第２の基板接続端子７０ｂは、第２の外部電極６０ｂと絶縁された状態で、第２の外部電極６０ｂおよび積層体３０のうち少なくとも１つに、電気的に絶縁可能な接合材を用いて接合される。当該接合材は、第２の外部電極６０ｂの表面から積層体３０の表面の一部まで延びるように形成されることが好ましい。また、当該接合材は、第２の外部電極６０ｂと第２の基板接続端子７０ｂとの間隙を満たすように形成されることが好ましい。これにより、第２の基板接続端子７０ｂと電子部品本体２０との接合強度を向上させることができ、且つ第２の外部電極６０ｂと第１の基板接続端子７０ｂとの絶縁性をより確実なものとすることができる。以下の説明において、当該接合部分を第２の絶縁接合部９０ｂとする。
第１の基板接続端子７０ａには、実装の際に用いられる２つの第１の螺子孔７２ａが穿設される。同様に、第２の基板接続端子７０ｂには、実装の際に用いられる２つの第２の螺子孔７２ｂが穿設される。第１の螺子孔７２ａおよび第２の螺子孔７２ｂそれぞれは、平面視したとき略円形状である。なお、第１の螺子孔７２ａおよび第２の螺子孔７２ｂそれぞれは、平面視したとき円形状に限定されず、例えば、楕円形状、四角形状、三角形状などであってもよいし、枝分かれした略Ｙ字形状であってもよい。
第１の基板接続端子７０ａおよび第２の基板接続端子７０ｂのそれぞれは、例えば、リン青銅や高銅合金などにより形成される。また、電気的に絶縁可能な接合材としては、例えば、シリコーン系接着剤や低弾性率のエポキシ接着剤などを用いることができる。
（第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂ）
第１の金属端子８０ａは、第１の外部電極６０ａと第１の基板接続端子７０ａとを電気的に接続する。第１の金属端子８０ａは、第１の外部電極６０ａのうち、積層体３０の第１の端面３６ａに形成された部分に接合される一方の端部と、当該一方の端部の第１の基板接続端子７０ａ側の端縁（すなわち、図２および図３において下側端縁）から屈曲し、第１の基板接続端子７０ａに近づきながら外側（すなわち、図２および図３において右側）へと延びる本体部分と、当該本体部分の外側端縁（すなわち、図２および図３において右側端縁）から屈曲し、第１の基板接続端子７０ａの表面に接合される他方の端部とを含む。同様に、第２の金属端子８０ｂは、第２の外部電極６０ｂと第２の基板接続端子７０ｂとを電気的に接続する。第２の金属端子８０ｂは、第２の外部電極６０ｂのうち、積層体３０の第２の端面３６ｂに形成された部分に接合される一方の端部と、当該一方の端部の第２の基板接続端子７０ｂ側の端縁（すなわち、図２において下側端縁）から屈曲し、第２の基板接続端子７０ｂに近づきながら外側（すなわち、図２において左側）へと延びる本体部分と、当該本体部分の外側端縁（すなわち、図２において左側端縁）から屈曲し、第２の基板接続端子７０ｂの表面に接合される他方の端部とを含む。
第１の金属端子８０ａは、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて第１の外部電極６０ａに接合され、且つその他方の端部が当該接合材とは異なる融点の接合手段を用いて第１の基板接続端子７０ａに接合される。このとき、第１の金属端子８０ａは、弾性変形から元の形状に戻ろうとするため、その一方の端部が第１の外部電極６０ａから離間しようとしており、且つその他方の端部が第１の基板接続端子７０ａから離間しようとしている。言い換えると、第１の金属端子８０ａは、図３（および図２）において、その一方の端部を中心として右回転しようとしており、且つその他方の端部を中心として左回転しようとしている。しかしながら、第１の金属端子８０ａは、上記したように、その一方の端部が第１の外部電極６０ａに接合され、且つその他方の端部が第１の基板接続端子７０ａに接合されていることにより、弾性変形した状態を維持される。同様に、第２の金属端子８０ｂは、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて第２の外部電極６０ｂに接合され、且つその他方の端部が当該接合材とは異なる融点の接合手段を用いて第２の基板接続端子７０ｂに接合される。このとき、第２の金属端子８０ｂは、弾性変形から元の形状に戻ろうとするため、その一方の端部が第２の外部電極６０ｂから離間しようとしており、且つその他方の端部が第２の基板接続端子７０ｂから離間しようとしている。言い換えると、第２の金属端子８０ｂは、図２において、その一方の端部を中心として左回転しようとしており、且つその他方の端部を中心として右回転しようとしている。しかしながら、第２の金属端子８０ｂは、上記したように、その一方の端部が第２の外部電極６０ｂに接合され、且つその他方の端部が第２の基板接続端子７０ｂに接合されていることにより、弾性変形した状態を維持される。
第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれは、弾性変形可能な端子本体からなる。端子本体は、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうち１種以上を主成分として含む合金で形成される。端子本体は、ばね性を有した高銅合金であることが好ましい。これにより、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂは、正常動作時の電流による発熱に起因して誤作動することを防止され得る。また、そのばね性により電子部品本体２０が故障などで異常発熱を生じた際には、電子部品本体２０から確実に離間することができる。さらに、セラミック電子部品１０の等価直列抵抗（ＥＳＲ）を小さくすることが可能となる。高銅合金には、母材として、例えば、Ｃ７０２５、Ｃ７０３５、りん青銅、およびベリリウム銅などを用いることができる。端子本体の厚さは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。
端子本体の表面にめっき層が形成されてもよい。めっき層は、端子本体の表面に形成される下層めっきと、下層めっきの表面に形成される上層めっきとを含んでもよい。下層めっきおよび上層めっきのそれぞれは、複数層であってもよい。好ましくは、下層めっきは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうち１種以上を主成分として含む合金で形成される。より好ましくは、下層めっきは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうち１種以上を主成分として含む合金で形成される。これにより、バリア層として機能し、第１の半田接合部９４ａおよび第２の半田接合部９４ｂとの相互拡散や合金化が抑制され、耐熱性を向上させることができる。下層のめっきの厚さは、２．０μｍ以上６．０μｍ以下程度であることが好ましい。上層めっきは、例えば、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの１種以上を主成分として含む合金で形成される。好ましくは、上層めっきは、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金で形成される。これにより、第１の金属端子８０ａと第１の外部電極６０ａとの半田付き性、および第２の金属端子８０ｂと第２の外部電極６０ｂとの半田付き性を向上させることができる。上層めっきの厚さは、２．０μｍ以上１０．０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の金属端子８０ａの一方の端部と第１の外部電極６０ａとの接合、および第２の金属端子８０ｂの一方の端部と第２の外部電極６０ｂとの接合は、半田（接合材）を用いて行われる。当該半田としては、例えば、Ｓｎ系の半田を用いることができる。なお、多様な融点（例えば、固相線温度１３５℃以上１８３℃以下）のＳｎ系の半田を適宜用いることができる。以下の説明において、第１の金属端子８０ａの一方の端部と第１の外部電極６０ａとが接合される部分を第１の半田接合部９４ａとし、第２の金属端子８０ｂの一方の端部と第２の外部電極６０ｂとが接合される部分を第２の半田接合部９４ｂとする。
第１の金属端子８０ａの他方の端部と第１の基板接続端子７０ａとの接合、および第２の金属端子８０ｂの他方の端部と第２の基板接続端子７０ｂとの接合は、上記した第１の半田接合部９４ａおよび第２の半田接合部９４ｂとで用いられた半田と異なる融点の溶接（接合手段）により行われる。以下の説明において、第１の金属端子８０ａの他方の端部と第１の基板接続端子７０ａとが接合される部分を第１の溶接接合部９２ａとし、第２の金属端子８０ｂの他方の端部と第２の基板接続端子７０ｂとが接合される部分を第２の溶接接合部９２ｂとする。第１の溶接接合部９２ａおよび第２の溶接接合部９２ｂは、第１の半田接合部９４ａおよび第２の半田接合部９４ｂが溶融する温度においても、接合状態を維持する必要がある。なお、第１の溶接接合部９２ａおよび第２の溶接接合部９２ｂは、溶接以外にも、ＳｎＳｂから構成される比較的融点の高い半田や、導電性接着剤などの接合材を用いて行うことも可能である。また、溶接には接合材を用いない接合も含まれる。
第１の半田接合部９４ａおよび第２の半田接合部９４ｂのそれぞれは、少なくとも半田の表面を覆うように、低融点の樹脂によりコーティングされてもよい。また、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれが、低融点の樹脂によりコーティングされてもよい。これらのコーティングに用いる樹脂としては、例えば、ロジンやポリオレフィンワックス、ＰＥワックス、ＰＰワックスなどを挙げることができる。
（効果）
この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が半田を用いて第１の外部電極６０ａに接合され、且つその他方の端部が当該半田よりも融点が高い溶接により第１の基板接続端子７０ａに接合される第１の金属端子８０ａと、弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が半田を用いて第２の外部電極６０ｂに接合され、且つその他方の端部が当該半田よりも融点が高い溶接により第２の基板接続端子７０ｂに接合される第２の金属端子８０ｂとを備える。セラミック電子部品１０は、故障したとき、第１の半田接合部９４ａおよび第２の半田接合部９４ｂで用いられる半田が電子部品本体２０の発熱を検知することにより溶融する。このとき、当該半田は、電子部品本体２０の発熱を直接的に検知できるため、例えば、高周波交流の回路で用いられることなどにより、大きな過電流が流れない場合であっても、故障した電子部品本体２０を流れるリップル電流に起因した電子部品本体２０の異常発熱を感度良く検知することができる。なお、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのどちらか一方の接合が外れることにより、セラミック電子部品１０が組み込まれている回路を開くことができる。よって、必ずしも第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂの両方において、弾性変形した状態を保つ金属端子を用いる必要はない。しかしながら、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂの両方の接合が外れることにより、故障による異常発熱の箇所がどちらかに偏っており、且つ電子部品本体２０の第１の端面３６ａと第２の端面３６ｂとの間の距離が大きい場合に発生し得る検出遅延も抑制することができる。また、第１の基板接続端子７０ａおよび第２の基板接続端子７０ｂ、並びに第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれが、電子部品本体２０に直接接合して配設されるため、実装の際に省スペース化を図ることもできる。以上の通りであるため、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、その性能を損なうことなく、故障の際に確実に回路を開き、且つ異常発熱やそれにより生じ得る発煙および発火などの事故を防止することができる。
また、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、第１の金属端子８０ａの一方の端部と第１の外部電極６０ａとが接合される第１の半田接合部９４ａ、および第２の金属端子８０ｂの一方の端部と第２の外部電極６０ｂとが接合される第２の半田接合部９４ｂのそれぞれが、少なくとも当該接合において用いられる半田の表面を覆うように、低融点の樹脂によりコーティングされている。これにより、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、熱衝撃サイクルや高温環境に起因して半田クラックが生じることを抑制することができる。
さらに、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれが、低融点の樹脂によりコーティングされている。これにより、弾性変形した第１の金属端子８０ａの応力が第１の半田接合部９４ａに集中すること、および弾性変形した第２の金属端子８０ｂの応力が第２の半田接合部９４ｂに集中することを緩和することができる。その結果、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、通常時の状態において、第１の半田接合部９４ａおよび第２の半田接合部９４ｂが破断してしまうことを防止することができる。
なお、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、第１の金属端子８０ａの他方の端部と第１の基板接続端子７０ａとが溶接により接合され、第２の金属端子８０ｂの他方の端部と第２の基板接続端子７０ｂとが溶接により接合される。これにより、正常な通電時においては勿論、例えば、電子部品本体２０が故障して過電流が流れても、当該接合部分（第１の溶接接合部９２ａおよび第２の溶接接合部９２ｂ）の接合が破断してしまうことを抑制することができる。さらに、第１の金属端子８０ａと第１の基板接続端子７０ａとの接合が、第１の金属端子８０ａの他方の端部を第１の基板接続端子７０ａの表面に押し付けながら行われるため、弾性変形した状態を維持させたまま、第１の金属端子８０ａを接合する作業を容易に行うことが可能となる。第２の金属端子８０ｂと第２の基板接続端子７０ｂとの接合についても同様であるため、ここでは説明を繰り返さない。
なお、この実施の形態に係るセラミック電子部品１０は、第１の半田接合部９４ａおよび第２の半田接合部９４ｂにおいて、多様な融点のＳｎ系の半田を適宜用いることにより、検知温度を制御することが可能となる。
（変形例）
以下、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の変形例について、図５および図６に基づいて説明する。図５は、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれが櫛体形状に形成された変形例の外観斜視図である。図６は、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の第１の金属端子および第２の金属端子のそれぞれが複数のリボンにより構成された変形例の外観斜視図である。なお、ここで説明する変形例は、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂを除いて、上記した一実施の形態に係るセラミック電子部品１０と同様である。したがって、同一部分には同じ参照番号を付し、同様となる説明は繰り返さない。
第１の金属端子８０ａは、その一方の端部側（すなわち、第１の外部電極６０ａに接続される端部側）に形成される複数の櫛歯部と、その他方の端部側（すなわち、第１の基板接続端子７０ａに接続される端部側）に形成される櫛本体部とを含む櫛体形状であってもよい。同様に、第２の金属端子８０ｂは、その一方の端部側（すなわち、第２の外部電極６０ｂに接続される端部側）に形成される複数の櫛歯部と、その他方の端部側（すなわち、第２の基板接続端子７０ｂに接続される端部側）に形成される櫛本体部とを含む櫛体形状であってもよい。セラミック電子部品１０は、このような櫛体形状の第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂを備えることにより、電子部品本体２０と第１の基板接続端子７０ａおよび第２の基板接続端子７０ｂそれぞれとの線膨張係数差に起因する熱応力を緩和することができる。当該効果は、特に、セラミック電子部品１０が大型である場合に顕著となる。このように熱応力が緩和されることにより、熱衝撃サイクルなどにおいて、セラミック電子部品１０が破壊されることを抑制することができる。
第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれは、複数から構成されてもよい。このような場合、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれは、絶縁体により被覆された複数のリード線により構成されてもよいし、複数のリボンにより構成されてもよい。ここで、リボンとは、第１の外部電極６０ａまたは第２の外部電極６０ｂのうち、積層体３０の第１の主面３２ａに形成された部分に接合される一方の端部と、当該一方の端部の外側端縁から屈曲し、電子部品本体２０から離間するように外側へと略上方に延び、そこから滑らかに湾曲して、電子部品本体２０から離間するように外側へと略下方に延びる本体部分と、当該本体部分の外側端縁から屈曲し、第１の基板接続端子７０ａまたは第２の基板接続端子７０ｂの表面に接合される他方の端部とを含む。セラミック電子部品１０は、このような第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂを備えることにより、上記で説明した第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれが櫛体形状である場合と同様の効果を奏する。
なお、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂのそれぞれは、例えば、上記した実施の形態で説明した形状のもの（図１〜４）を複数備えることにより構成されてもよいし、櫛体形状のものを複数備えることにより構成されてもよいし、絶縁体により被覆されたリード線以外の複数の導線（例えば、露出した複数の金属線など）を備えることにより構成されてもよい。
なお、上記した実施の形態では、第１の金属端子８０ａの他方の端部と第１の基板接続端子７０ａとの接合に用いられる接合手段の融点が、第１の金属端子８０ａの一方の端部と第１の外部電極６０ａとの接合に用いられる接合材のそれやコーティングよりも高い場合について説明したが、この逆であってもよい。このような場合、セラミック電子部品１０は、例えば、故障により過電流が流れたとき、第１の金属端子８０ａの他方の端部と第１の基板接続端子７０ａとの接合が破断することにより、回路を開くことができる。
２．セラミック電子部品の製造方法
この発明に係るセラミック電子部品の製造方法の一例について、上記したセラミック電子部品を例にして説明する。
はじめに、複数のセラミック層と複数の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成された積層体と、積層体の表面に形成された第１の外部電極および第２の外部電極とを含む電子部品本体を作製する。具体的には次の通りである。
まず、セラミック粉末を含むセラミックペーストおよび内部電極形成用の導電性ペーストを準備する。
次に、セラミックペーストを、例えば、スクリーン印刷法などによりシート状に塗布して乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを作製する。
また、作製したセラミックグリーンシートの表面に、内部電極形成用の導電性ペーストを、例えば、スクリーン印刷法などにより所定のパターンで塗布して内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを用意する。また、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートも用意する。なお、セラミックグリーンシートや内部電極用の導電性ペーストには、例えば、公知のバインダや溶剤が含まれてもよい。
さらに、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その表面に内部電極パターンが形成されたセラミックシートを所定枚数積層し、その表面に内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザー積層体を作製する。
そして、必要に応じてマザー積層体を積層方向にプレスしてもよい。当該プレスの手段としては、静水圧プレスなどを用いることができる。
そして、マザー積層体を所定の寸法にカットすることにより、生の積層体を複数作製する。このとき、バレル研磨を施すことにより、生の積層体の角部や稜線部に丸みを形成してもよい。
次に、生の積層体を焼成することにより、その内部に第１の内部電極層および第２の内部電極層が配設され、その第１の端面に第１の内部電極層の端部が引き出され、且つその第２の端面に第２の内部電極層の端部が引き出された積層体を作製する。このときの焼成温度は、例えば、９００℃以上１３００℃以下程度とすることができる。なお、焼成温度は、この場合に限定されず、用いたセラミック材料や導電材料に応じて適宜設定することができる。
また、焼成後の積層体の表面のうち、少なくとも第１の端面および第２の端面それぞれに、外部電極形成用の導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより、第１の外部電極および第２の外部電極それぞれの下地電極層を形成する。このときの焼付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
さらに、必要に応じて下地電極層の表面にめっき層を形成してもよい。
上記のようにして、電子部品本体を作製することができる。
続いて、電子部品本体に第１の金属端子および第２の金属端子並びに第１の基板接続端子および第２の基板接続端子を接合し、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品を完成させる手順について説明する。
まず、上記の手順により作製した電子部品本体と、第１の金属端子および第２の金属端子並びに第１の基板接続端子および第２の基板接続端子とを準備する。
次に、電子部品本体の第１の外部電極のうち、積層体の第１の端面に形成された部分に、半田を用いて、第１の金属端子の一方の端部を接合する。同様に、電子部品本体の第２の外部電極のうち、積層体の第２の端面に形成された部分に、半田を用いて、第２の金属端子の一方の端部を接合する。
また、電気的に絶縁可能な接合材を用いて、第１の外部電極と絶縁された状態で、第１の外部電極および積層体のうち少なくとも１つに第１の基板接続端子を接合する。同様に、電気的に絶縁可能な接合材を用いて、第２の外部電極と絶縁された状態で、第２の外部電極および積層体のうち少なくとも１つに第２の基板接続端子を接合する。
最後に、第１の金属端子の他方の端部に、第１の外部電極に向かう方向の外力を加えるようにして、第１の金属端子を弾性変形させ、この状態を維持したまま、第１の金属端子の他方の端部と第１の基板接続端子とを溶接により接合する。同様に、第２の金属端子の他方の端部に、第２の外部電極に向かう方向の外力を加えるようにして、第２の金属端子を弾性変形させ、この状態を維持したまま、第２の金属端子の他方の端部と第２の基板接続端子とを溶接により接合する。
上記のようにして、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品を製造することができる。
３．セラミック電子部品の実装構造
（一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造）
以下、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造について、図７に基づいて説明する。図７は、この発明の一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造を示す外観斜視図である。なお、この実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造は、上記した一実施の形態に係るセラミック電子部品１０が実装基板１００に対して実装された構造である。したがって、同一部分には同じ参照番号を付し、セラミック電子部品１０についての同様となる説明は繰り返さない。
この実施の形態に係るセラミック電子部品１０の実装構造は、上記で説明したセラミック電子部品１０と、当該セラミック電子部品１０が実装される実装基板１００と、当該セラミック電子部品１０を実装基板１００に固定するための第１の螺子部材９８ａおよび第２の螺子部材９８ｂとを備える。
実装基板１００は、第１のランド部１１０ａと第２のランド部１１０ｂとを含む。
第１の螺子部材９８ａは、第１の基板接続端子７０ａに穿設された第１の螺子孔７２ａに通され、実装基板１００に螺合される。これにより、第１の基板接続端子７０ａは、第１のランド部１１０ａに電気的に接続された状態で固定される。同様に、第２の螺子部材９８ｂは、第２の基板接続端子７０ｂに穿設された第２の螺子孔７２ｂに通され、実装基板１００に螺合される。これにより、第２の基板接続端子７０ｂは、第２のランド部１１０ｂに電気的に接続された状態で固定される。
この実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造は、第１の基板接続端子７０ａに予め穿設された第１の螺子孔７２ａと、第２の基板接続端子７０ｂに予め穿設された第２の螺子孔７２ｂとを備える。これにより、実装作業を容易に行うことが可能となる。
なお、第１の螺子孔７２ａおよび第２の螺子孔７２ｂは予め穿設されなくてもよい。この場合、例えば、螺合作業を行う過程において、第１の螺子部材９８ａが第１の基板接続端子７０ａの一部を穿つことにより実装基板１００まで至り、且つ第２の螺子部材９８ｂにより第１の基板接続端子７０ａの一部を穿つことにより実装基板１００まで至る。このようにして、セラミック電子部品１０を実装基板１００に固定してもよい。なお、第１の螺子部材９８ａおよび第２の螺子部材９８ｂには、実装基板１００に予め雌螺子を形成しておき、これに対応した雄螺子を用いてもよいし、またはタッピングビスを用いるようにしてもよい。
（他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造）
以下、この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造について、図８〜１１に基づいて説明する。図８は、この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造を示す外観斜視図である。図９は、この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造の長さ方向に沿った断面図である。図１０は、この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造の通常時の状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。図１１は、この発明の他の実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造の電気的な接続が切断された状態を示す第１の外部電極近傍の長さ方向に沿った断面図である。なお、この実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造は、第１の基板接続端子７０ａおよび第２の基板接続端子７０ｂと、第１の金属端子８０ａおよび第２の金属端子８０ｂとを除いて、上記した一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造と同様である。したがって、同一部分には同じ参照番号を付し、同様となる説明は繰り返さない。
この実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造は、上記した一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造とは異なり、第１の基板接続端子７０ａおよび第２の基板接続端子７０ｂを備えない。そして、第１の金属端子８０ａの他方の端部（すなわち、実装基板１００側の端部）は、第１の螺子部材９８ａを通される第１の切欠き８２ａが形成されることにより、枝分かれした略Ｙ字状に形成される。同様に、第２の金属端子８０ｂの他方の端部（すなわち、実装基板１００側の端部）には、第２の螺子部材９８ｂを通される第２の切欠き８２ｂが形成されることにより、枝分かれした略Ｙ字状に形成される。
実装基板１００は、第１のランド部１１０ａおよび第２のランド部１１０ｂを備える。そして、第１の金属端子８０ａは、その第１の切欠き８２ａを通り抜けて実装基板１００に螺合される第１の螺子部材９８ａにより、第１のランド部１１０ａに電気的に接続された状態で固定される。同様に、第２の金属端子８０ｂは、その第２の切欠き８２ｂを通り抜けて実装基板１００に螺合される第２の螺子部材９８ｂにより、第２のランド部１１０ｂに電気的に接続された状態で固定される。当該固定部分は、上記した一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造における第１の溶接接合部９２ａおよび第２の溶接接合部９２ｂに相当する。そして、実装基板１００は、第１の外部電極６０ａおよび積層体３０のうち少なくとも１つに電気的に絶縁可能な接合材を用いて接合され、且つ第２の外部電極６０ｂおよび積層体３０のうち少なくとも１つに電気的に絶縁可能な接合材を用いて接合される。当該接合部分は、上記した一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造における第１の絶縁接合部９０ａおよび第２の絶縁接合部９０ｂに相当する。
この実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造は、第１の基板接続端子７０ａおよび第２の基板接続端子７０ｂを備えないため、上記した一実施の形態に係るセラミック電子部品の実装構造と比較して部品点数が少なく、小型且つ低背化することができる。
４．実験例
以下、この発明の効果を確認するために発明者らが行った実験例について説明する。図１２は、この発明に係るセラミック電子部品の効果を確かめるために発明者らが行った実験例１、実験例２および比較実験例１で用いた回路図であり、ＤＣラインのＰＮ間をまたぐようにセラミック電子部品を２個直列に接続して用いた場合を想定している。中央の２個直列に接続されたコンデンサが、試験対象となるセラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）である。左側に接続された回路により試験対象となる積層セラミックコンデンサにＤＣ電圧を印加し、且つ右側に接続された回路により試験対象となる積層セラミックコンデンサにリップル電圧を印加する。図１３は、この発明に係るセラミック電子部品の効果を確かめるために発明者らが行った実験例３で用いた回路図であり、図中右上に位置する試験対象となる積層セラミックコンデンサにＬＣ共振負荷を印加するものである。左側に接続された回路により試験対象となる積層セラミックコンデンサにＤＣ電圧を印加し、且つ右側に接続された回路により試験対象となる積層セラミックコンデンサにリップル電圧を印加する。
（実験例１）
実験例１では、この発明に係るセラミック電子部品として積層セラミックコンデンサを図１２のように直列接続した回路を作製し、当該積層セラミックコンデンサのフェールセーフ機能を評価した。なお、２個直列に接続した積層セラミックコンデンサのうち１つは、故障状態を再現するため、絶縁破壊電圧試験機を用いて絶縁破壊させた後、基板に実装した。また、図１２の回路において右側に接続されたコンデンサは、耐圧２ｋＶ、静電容量５００μＦである。
（実施例１）
上記した製造方法にしたがって、実施例１の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。実施例１の仕様および基板接続端子と実装基板の固定方法は次の通りである。
・チップサイズ（Ｌ寸法×Ｗ寸法×Ｔ寸法）：１６ｍｍ×２０ｍｍ×３．７ｍｍ（設計値）
・セラミック層：ＢａＴｉＯ3
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極の構造
下地電極層：Ｃｕ
めっき層 ：なし
・金属端子の構造
ＤＯＷＡ ＯＬＩＮ製 Ｃ７０３５ＴＭ０４
個数：合計２個（一対のみ）
基板接続端子側の端部（他方の端部）の形状：略Ｙ字形状
厚さ：０．１ｍｍ
・外部電極と金属端子との接合に用いた接合材：千住金属製Ｍ７０５
・外部電極と基板接続端子との接合に用いた接合材：シリコーン系接着剤 信越シリコーン製ＫＥ−１８３０
・基板接続端子と金属端子の接合方法：溶接
・基板接続端子と実装基板の固定方法：螺子止め
（電圧印加条件）
実験例１では、図１２の回路に次の条件で電圧を印加することにより、実施例１のフェールセーフ機能を評価した。
・印加電圧：ＤＣ４００Ｖ
・重畳電圧：ＡＣ １５ｋＨｚ、Ｖｐ−ｐ＝５６Ｖ
・静電容量（積層セラミックコンデンサ１個当たり）：１５ｕＦ（２直の合成容量７．５ｕＦ）
（実験例１の結果）
上記した実験条件において、ＤＣ電圧を印加し、この段階で異常がないことを確認した。次に、ＡＣ電圧を印加し、試験対象である実施例１（積層セラミックコンデンサ）にＡＣ電流を通電した。ＡＣ電圧の印加開始から４分経過したとき、あらかじめ絶縁破壊していた実施例１が温度２４０℃になったところで、外部電極と金属端子とを接合していた半田が溶融し、電気的な接続が切断されることが確認された。このとき、実施例１は発煙や発火に至らなかった。なお、実験中に回路がショートすることも無かった。以上の通りであるため、この発明に係るセラミック電子部品は、当該セラミック電子部品が２個以上直列接続される回路において、故障などにより過電流が流れた場合であっても、外部電極と金属端子との接合に用いられる半田が電子部品本体の発熱を直接的に検知することにより、合理的に電気的な接続を切断することができる。その結果、この発明に係るセラミック電子部品は、故障した際に確実に回路を開くことができるため、発煙や発火に至ることを防止することができる。また、当該半田は、回路を流れるリップル電流に起因した電子部品本体の発熱についても感度良く検知することができるため、当該発熱により発煙や発火が生じることを防止することができる。
（比較実験例１）
比較実験例１では、この発明に係るセラミック電子部品の比較例１としての積層セラミックコンデンサを実験例１と同様の図１２のように直列接続した回路を作製し、当該積層セラミックコンデンサのフェールセーフ機能を評価した。なお、２個直列に接続した積層セラミックコンデンサのうちの１つは、故障状態を再現するため、絶縁破壊電圧試験機を用いて絶縁破壊させた後、基板に実装した。安全のために、この実験で用いた設備には、測定温度が４００℃を超えた場合に自動的に電源をＯＦＦにする仕組みが備わっているが、その他の実験方法は上記した実験例１と同じである。
（比較例１）
上記した製造方法にしたがって作製した電子部品本体を用いて、比較例１の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。比較例１は、電子部品本体が上記した実施例１のそれと同様であるが、一対の金属端子が実施例１とは異なり弾性を有さず、且つ一対の基板接続端子を有さない構造である。比較例１の仕様および金属端子と実装基板の固定方法は次の通りである。
・チップサイズ（Ｌ寸法×Ｗ寸法×Ｔ寸法）：１６ｍｍ×２０ｍｍ×３．７ｍｍ（設計値）
・セラミック層：ＢａＴｉＯ3
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極の構造
下地電極層：Ｃｕ
めっき層 ：なし
・金属端子の構造
ベリリウム銅
個数：合計２個（一対のみ）
金属端子の形状：図５に示すような櫛体形状（すなわち、一対の金属端子それぞれが外部電極側に４つの櫛歯部を有し、且つ実装基板に櫛本体部が直接接合される形状）
厚さ：０．２ｍｍ
・外部電極と金属端子の接合方法：接合材として銅とガラスの複合ペーストを用いて、温度７００℃で焼付け
・金属端子と実装基板の固定方法：Ｍ７０５はんだを用いてリフロー実装
（電圧印加条件）
比較実験では、図１２の回路に次の条件で電圧を印加することにより、本発明のフェールセーフ機能を持たない場合の挙動を確認した。
・印加電圧：ＤＣ４００Ｖ
・重畳電圧：ＡＣ １５ｋＨｚ、Ｖｐ−ｐ＝５６Ｖ
・静電容量（積層セラミックコンデンサ１個当たり）：１５ｕＦ（２直の合成容量７．５ｕＦ）
（比較実験例１の結果）
上記した実験条件において、ＤＣ電圧を印加し、この段階で異常が無いことを確認した。次に、ＡＣ電圧を印加し、試験対象である比較例１（積層セラミックコンデンサ）にＡＣ電流を通電した。ＡＣ電圧の印加開始から１分経過したとき、あらかじめ絶縁破壊していた比較例１が温度５００℃に達したため、上記した安全装置によりＡＣ電圧の印加が停止した。なお、試験中において、回路がショートすることは無かった。試験後の基板から試験対象である比較例１を取り外して状態を確認したところ、あらかじめ絶縁破壊していた比較例１、および実装基板の当該比較例１が実装された部分が黒く焦げている状態を確認した。以上の結果から、比較例１（積層セラミックコンデンサ）を２個直列に接続し、そのうちの１つの比較例１の故障に起因してショート回路が形成されることを防いだとしても、ＡＣ電流の通電により故障した比較例１が異常発熱をきたし、発煙や発火に至る危険があることを確認した。
（実験例２）
上記した製造方法にしたがって、実施例２の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。なお、実施例２は、基板接続端子を備えない点を除いて、実施例１と同様の構造である。また、金属端子の他方の端部は実装基板のランド部に直接接続される。実施例２の仕様は次の通りである。
・チップサイズ（Ｌ寸法×Ｗ寸法×Ｔ寸法）：１６ｍｍ×２０ｍｍ×３．７ｍｍ（設計値）
・セラミック層：ＢａＴｉＯ3
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極の構造
下地電極層：Ｃｕ
めっき層 ：なし
・金属端子の構造
ＤＯＷＡ ＯＬＩＮ製 Ｃ７０３５ＴＭ０４
個数：合計２個（一対のみ）
実装基板側の端部（他方の端部）の形状：略Ｙ字形状
厚さ：０．１ｍｍ
・外部電極と金属端子との接合に用いた接合材：千住金属製Ｍ７０５
・外部電極および積層体と実装基板との接合に用いた接合材：シリコーン系接着剤 信越シリコーン製ＫＥ−１８３０
・金属端子と実装基板との固定方法：螺子止め
（電圧印加条件）
実験例２では、図１３の回路に次の条件で電圧を印加することにより、実施例２のフェールセーフ機能を評価した。
・印加電圧：ＤＣ４００Ｖ
・重畳電圧：ＡＣ １５ｋＨｚ、Ｖｐ−ｐ＝５６Ｖ
・静電容量（積層セラミックコンデンサ１個当たり）：１５ｕＦ（２直の合成容量７．５ｕＦ）
（実験例２の結果）
上記した条件で電圧の印加を開始したところ、経過時間２分、温度２３８℃になったところで、外部電極と金属端子とを接合していた半田が溶融し、電気的な接続が切断されることが確認された。このとき、実施例２は発煙や発火に至らなかった。以上の通りであるため、この発明に係るセラミック電子部品は、電子部品が２個以上直列に接続される回路において、故障などにより過電流が流れた場合であっても、外部電極と金属端子との接合に用いられる半田が電子部品本体の発熱を直接的に検知することにより、合理的に電気的な接続を切断することができる。その結果、この発明に係るセラミック電子部品は、故障した際に確実に回路を開くことができるため、発煙や発火に至ることを防止することができる。また、当該半田は、回路を流れるリップル電流に起因した電子部品本体の発熱についても感度良く検知することができるため、当該発熱により発煙や発火が生じることを防止することができる。
（実験例３）
上記した製造方法にしたがって、実施例３の試料（積層セラミックコンデンサ）を作製した。なお、実施例３は、基板接続端子を備えない点、および金属端子を合計４個（二対）備える点を除いて、実施例１と同様の構造である。また、金属端子の他方の端部は実装基板のランド部に直接接続される。実施例３の仕様は次の通りである。
・チップサイズ（Ｌ寸法×Ｗ寸法×Ｔ寸法）：１６ｍｍ×２０ｍｍ×３．７ｍｍ（設計値）
・セラミック層：Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極の構造
下地電極層：Ｃｕ
めっき層 ：なし
・金属端子の構造
ＤＯＷＡ ＯＬＩＮ製 Ｃ７０３５ＴＭ０４
個数：合計４個（二対）
実装基板側の端部（他方の端部）の形状：略Ｙ字形状
厚さ：０．１ｍｍ
・外部電極と金属端子との接合で用いた接合材：千住金属製Ｍ７０５
・外部電極および積層体と実装基板との接合に用いた接合材：シリコーン系接着剤 信越シリコーン製ＫＥ−１８３０
・金属端子と実装基板との固定方法：螺子止め
（電圧印加条件）
実験例３では、図１３の回路に次の条件でＡＣ電圧を印加することにより、実施例３のフェールセーフ機能を評価した。
・印加電圧：ＡＣ ２４ｋＨｚ、８００Ｖｐ−ｐ
・積層セラミックコンデンサの静電容量：１．２ｕＦ
（実験例３の結果）
上記した条件で電圧の印加を開始したところ、経過時間１分、温度２４０℃になったところで、外部電極と金属端子とを接合していた半田が溶融し、電気的な接続が切断されることが確認された。このとき、実施例３は発煙や発火に至らなかった。以上の通りであるため、この発明に係るセラミック電子部品は、電子部品が２個以上直列に接続され、且つＬＣ共振による交流しか流れない回路において、故障などにより過電流が流れた場合であっても、外部電極と金属端子との接合に用いられる半田が電子部品本体の発熱を直接的に検知することにより、合理的に電気的な接続を切断することができる。その結果、この発明に係るセラミック電子部品は、故障した際に確実に回路を開くことができるため、発煙や発火に至ることを防止することができる。また、当該半田は、回路を流れるＡＣ電流に起因した電子部品本体の発熱についても感度良く検知することができるため、当該発熱により発煙や発火が生じることを防止することができる。
なお、実験例１および実験例２並びに比較実験例１において、積層セラミックコンデンサが異常発熱して高温に達するまでの時間は、積層セラミックコンデンサの故障状態に依存する。したがって、高温に達するまでの時間の長短は、本発明の過熱防止機構の性能と直接的には関係がない。
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
１０ セラミック電子部品
２０ 電子部品本体
３０ 積層体
３２ａ 第１の主面
３２ｂ 第２の主面
３４ａ 第１の側面
３４ｂ 第２の側面
３６ａ 第１の端面
３６ｂ 第２の端面
４０ セラミック層
５０ａ 第１の内部電極層
５０ｂ 第２の内部電極層
６０ａ 第１の外部電極
６０ｂ 第２の外部電極
６２ａ 第１の下地電極層
６２ｂ 第２の下地電極層
６４ａ 第１のめっき層
６４ｂ 第２のめっき層
７０ａ 第１の基板接続端子
７０ｂ 第２の基板接続端子
７２ａ 第１の螺子孔
７２ｂ 第２の螺子孔
８０ａ 第１の金属端子
８０ｂ 第２の金属端子
８２ａ 第１の切欠き
８２ｂ 第２の切欠き
９０ａ 第１の絶縁接合部
９０ｂ 第２の絶縁接合部
９２ａ 第１の溶接接合部
９２ｂ 第２の溶接接合部
９４ａ 第１の半田接合部
９４ｂ 第２の半田接合部
９８ａ 第１の螺子部材
９８ｂ 第２の螺子部材
１００ 実装基板
１１０ａ 第１のランド部
１１０ｂ 第２のランド部

Claims (13)

  1. 複数のセラミック層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、
    前記積層体の表面のうち、少なくとも前記第１の端面に形成されることにより、前記複数の第１の内部電極層に電気的に接続される第１の外部電極と、前記積層体の表面のうち、少なくとも前記第２の端面に形成されることにより、前記複数の第２の内部電極層に電気的に接続される第２の外部電極と、
    電気的に絶縁可能な接合材を用いて、前記第１の外部電極と絶縁された状態で、前記第１の外部電極および前記積層体のうち少なくとも１つに接合される第１の基板接続端子と、電気的に絶縁可能な接合材を用いて、前記第２の外部電極と絶縁された状態で、前記第２の外部電極および前記積層体のうち少なくとも１つに接合される第２の基板接続端子と、
    前記第１の外部電極と前記第１の基板接続端子とを電気的に接続する第１の金属端子と、前記第２の外部電極と前記第２の基板接続端子とを電気的に接続する第２の金属端子とを備え、
    前記第１の金属端子は、その一方の端部が前記第１の外部電極から離間しようとするように弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて前記第１の外部電極に接合され、且つその他方の端部が前記接合材とは異なる融点の接合手段を用いて前記第１の基板接続端子に接合され、前記第２の金属端子は、その一方の端部が前記第２の外部電極から離間しようとするように弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて前記第２の外部電極に接合され、且つその他方の端部が前記接合材とは異なる融点の接合手段を用いて前記第２の基板接続端子に接合されることを特徴とする、セラミック電子部品。
  2. 前記第１の金属端子の一方の端部と前記第１の外部電極とが接合される部分、および前記第２の金属端子の一方の端部と前記第２の外部電極とが接合される部分のそれぞれは、少なくとも電気的に接続可能な接合材の表面を覆うように、ロジン、ポリオレフィンワックス、ＰＥワックス、ＰＰワックスのいずれかの樹脂によりコーティングされている、請求項１に記載のセラミック電子部品。
  3. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、ロジン、ポリオレフィンワックス、ＰＥワックス、ＰＰワックスのいずれかの樹脂によりコーティングされている、請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
  4. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、その一方の端部側に形成される複数の櫛歯部と、その他方の端部側に形成される櫛本体部とを含む櫛体形状である、請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品。
  5. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、複数から構成される、請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
  6. 請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック電子部品と、前記セラミック電子部品が実装される実装基板とを備え、
    前記セラミック電子部品の第１の基板接続端子と、前記実装基板の第１のランド部とが電気的に接続され、且つ
    前記セラミック電子部品の第２の基板接続端子と、前記実装基板の第２のランド部とが電気的に接続される、セラミック電子部品の実装構造。
  7. 前記セラミック電子部品の第１の基板接続端子と、前記実装基板の第１のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第１の螺子部材と、
    前記セラミック電子部品の第２の基板接続端子と、前記実装基板の第２のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第２の螺子部材とをさらに備える、請求項６に記載のセラミック電子部品の実装構造。
  8. セラミック電子部品と、前記セラミック電子部品が実装される実装基板とを備えるセラミック電子部品の実装構造であって、
    前記セラミック電子部品は、
    複数のセラミック層と、複数の第１の内部電極層と、複数の第２の内部電極層とが交互に積層されることにより直方体状に形成され、積層方向において相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを含む積層体と、
    前記積層体の表面のうち、少なくとも前記第１の端面に形成されることにより、前記複数の第１の内部電極層に電気的に接続される第１の外部電極と、前記積層体の表面のうち、少なくとも前記第２の端面に形成されることにより、前記複数の第２の内部電極層に電気的に接続される第２の外部電極と、
    前記第１の外部電極と前記実装基板とを電気的に接続する第１の金属端子と、前記第２の外部電極と前記実装基板とを電気的に接続する第２の金属端子とを含み、
    前記実装基板は、
    前記第１の金属端子を介して前記第１の外部電極に電気的に接続される第１のランド部と、前記第２の金属端子を介して前記第２の外部電極に電気的に接続される第２のランド部とを含み、且つ
    電気的に絶縁可能な接合材を用いて、前記第１の外部電極と絶縁された状態で、前記第１の外部電極および前記積層体のうち少なくとも１つに接合され、且つ電気的に絶縁可能な接合材を用いて、前記第２の外部電極と絶縁された状態で、前記第２の外部電極および前記積層体のうち少なくとも１つに接合され、
    前記第１の金属端子は、その一方の端部が前記第１の外部電極から離間しようとするように弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて前記第１の外部電極に接合され、且つその他方の端部が前記接合材とは異なる融点の接合手段を用いて前記第１のランド部に接合され、前記第２の金属端子は、その一方の端部が前記第２の外部電極から離間しようとするように弾性変形した状態を維持されたまま、その一方の端部が電気的に接続可能な接合材を用いて前記第２の外部電極に接合され、且つその他方の端部が前記接合材とは異なる融点の接合手段を用いて前記第２のランド部に接合されることを特徴とする、セラミック電子部品の実装構造。
  9. 前記セラミック電子部品の第１の金属端子の他方の端部と、前記実装基板の第１のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第１の螺合部材と、
    前記セラミック電子部品の第２の金属端子の他方の端部と、前記実装基板の第２のランド部とが電気的に接続された状態を固定するための第２の螺合部材とをさらに備える、請求項８に記載のセラミック電子部品の実装構造。
  10. 前記第１の金属端子の一方の端部と前記第１の外部電極とが接合される部分、および前記第２の金属端子の一方の端部と前記第２の外部電極とが接合される部分のそれぞれは、ロジン、ポリオレフィンワックス、ＰＥワックス、ＰＰワックスのいずれかの樹脂によりコーティングされている、請求項８または９に記載のセラミック電子部品の実装構造。
  11. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、ロジン、ポリオレフィンワックス、ＰＥワックス、ＰＰワックスのいずれかの樹脂によりコーティングされている、請求項８〜１０のいずれかに記載のセラミック電子部品の実装構造。
  12. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、その一方の端部側に形成される複数の櫛歯部と、その他方の端部側に形成される櫛本体部とを含む櫛体形状である、請求項８〜１１のいずれかに記載のセラミック電子部品の実装構造。
  13. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子のそれぞれは、複数から構成される、請求項８〜１２のいずれかに記載のセラミック電子部品の実装構造。
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