JP6607639B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6607639B2 JP6607639B2 JP2015251359A JP2015251359A JP6607639B2 JP 6607639 B2 JP6607639 B2 JP 6607639B2 JP 2015251359 A JP2015251359 A JP 2015251359A JP 2015251359 A JP2015251359 A JP 2015251359A JP 6607639 B2 JP6607639 B2 JP 6607639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- line
- wafer
- metal pattern
- axis direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 119
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 10
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000309466 calf Species 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
図3(b)に示すように、領域11〜16のラインLX1及びLX3には、銅などの金属からなるTEG(Test Element Group)と呼ばれる金属パターン17が形成されている。また、ラインLY3にも金属パターン18が形成されている。金属パターン17,18は、領域11〜16のそれぞれに、一定の周期にて形成されている。したがって、いずれの領域においても、同一箇所に金属パターン17,18が形成されている。図3(b)の例では、ラインLX1及びLX3並びにラインLY3に金属パターン17,18が形成されているが、金属パターンが形成されるラインは、これらのラインには限られない。金属パターン17,18は、各デバイスDに発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すためのテスト用素子としての役割を有している。金属パターン17,18も、レチクルを介したスパッタ、CVD等によって形成されるため、レチクルには、金属パターン17,18に対応したマスクが形成されている。
(1)ウェーハWの向きの調整
チャックテーブル2に保持されたウェーハWは、チャックテーブル2が−X方向に移動することにより、撮像手段90の下方に位置づけされる。そして、図4に示した2つのキーパターンKP、例えばX軸方向の両端部に位置する2つのキーパターンKPをパターンマッチングによって検出する。
次に、チャックテーブル2を回転させつつ、ウェーハWの周縁を例えば3箇所、例えば図5に示す周縁領域E1,E2,E3を撮像してそれぞれについての画像を取得し、エッジ検出することにより、制御手段80が、ウェーハWの周縁上の3点のX−Y座標をそれぞれ求める。具体的には、周縁領域E1,E2,E3のそれぞれの画像において、画素値があるしきい値以上変化した部分をエッジとして認識する画像処理を行うことによって、3点のX−Y座標を求める。制御手段80は、その3点の座標に基づき、ウェーハWの中心OのX−Y座標を求める。
次に、制御手段80は、記憶手段81にあらかじめ記憶されているウェーハWのサイズ(直径)に基づき、中心Oから半径分だけ外周側に離間した位置をウェーハWのエッジEとし、そのエッジのY座標を算出する。そして、エッジのY座標と、記憶手段81に記憶されたウェーハWのインデックスサイズ及びX軸方向のライン数に基づき、最初に切削する最外ラインのY座標を求め、記憶手段81に記憶させる。この最外ラインは、領域14,15,16のラインLX1である。このように、ウェーハWの中心Oを基準として最外ラインLX1を求めることにより、かりに、ウェーハWのチャックテーブル2への搬入時に、チャックテーブル2の中心とウェーハWの中心とが一致していなかったとしても、最外ラインLX1の位置を正確に求めることができる。
以上のようにして、切削加工及び切削加工によって形成される切削溝のチェックに必要な情報が記憶手段81に記憶され、アライメントステップが実施された後、各ラインに沿って実際の切削加工を行って切削溝を形成するとともに、切削加工によって形成される切削溝が所望の位置に形成されているか否かの検査(カーフチェック)を行う。制御部80は、金属パターン17,18が形成されているラインに関する情報を記憶手段81から読み出し、金属パターンが形成されていないラインを、カーフチェックの対象として決定する。図3(b)の例では、例えばラインLX4がカーフチェックの対象となる。
本ステップでは、金属パターン位置記憶ステップで記憶させた金属パターン17,18の周期及び位置情報に基づき、金属パターン17,18が形成された位置以外の位置において、カーフチェックを行う。すなわち、本ステップでは、ラインLX4の加工によって形成された切削溝33のカーフチェックを行う。
2:チャックテーブル 20:吸引部 21:枠体 22:クランプ部
23:回転駆動部 24:カバー
3:切削手段
30:ハウジング 31:スピンドル 32:切削ブレード 320:切り刃部
33:切削溝 34:切削液ノズル
4:X軸方向移動手段
40:ボールネジ 41:ガイドレール 42:モータ 43:軸受部 44:移動基台
5:Y軸方向移動手段
50:ボールネジ 51:ガイドレール 52:モータ 54:移動基台
60:静止基台
7:Z軸方向移動手段
70:ボールネジ 71:ガイドレール 72:モータ 74:支持部
80:制御手段 81:記憶手段
9:アライメント手段 90:撮像手段 90a:中心線
W:ウェーハ W1:表面 D:デバイス
L,LX1〜LX5,LY1〜LY3:分割予定ライン 11〜16:領域
T:テープ F:フレーム
17,18:金属パターン KP:キーパターン
Claims (1)
- 基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成され、且つ該分割予定ラインにテスト用の金属パターンがレチクルを介した投影露光により形成され一定の周期で配設されたウェーハを、該分割予定ラインに沿って切削ブレードを備える切削手段で加工するウェーハの加工方法であって、
該レチクル毎の該金属パターンの周期及び位置情報を切削装置の記憶手段に記憶させる金属パターン位置記憶ステップと、
該金属パターン位置記憶ステップを実施した後に、切削装置のアライメント手段によって該ウェーハの加工位置である該分割予定ラインを検出するアライメントステップと、
該アライメントステップを実施した後に、該切削手段によって該分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
から構成され、
該切削溝形成ステップの実施中に、該金属パターン位置記憶ステップで予め記憶した該金属パターンの周期及び位置情報に基づいて、該金属パターン位置以外の位置において該切削手段により形成された切削溝を含む領域を撮像手段で撮像して、該切削溝の位置と設定された加工位置との位置関係を計測する加工位置計測ステップを行うこと
を特徴とするウェーハの加工方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015251359A JP6607639B2 (ja) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | ウェーハの加工方法 |
TW105136685A TWI702642B (zh) | 2015-12-24 | 2016-11-10 | 晶圓的加工方法 |
KR1020160164454A KR102510828B1 (ko) | 2015-12-24 | 2016-12-05 | 웨이퍼의 가공 방법 |
CN201611166077.1A CN106920775B (zh) | 2015-12-24 | 2016-12-16 | 晶片的加工方法 |
SG10201610623YA SG10201610623YA (en) | 2015-12-24 | 2016-12-19 | Wafer processing method |
US15/388,062 US9779994B2 (en) | 2015-12-24 | 2016-12-22 | Wafer processing method |
DE102016226180.0A DE102016226180A1 (de) | 2015-12-24 | 2016-12-23 | Waferbearbeitungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015251359A JP6607639B2 (ja) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017117924A JP2017117924A (ja) | 2017-06-29 |
JP6607639B2 true JP6607639B2 (ja) | 2019-11-20 |
Family
ID=59010755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015251359A Active JP6607639B2 (ja) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9779994B2 (ja) |
JP (1) | JP6607639B2 (ja) |
KR (1) | KR102510828B1 (ja) |
CN (1) | CN106920775B (ja) |
DE (1) | DE102016226180A1 (ja) |
SG (1) | SG10201610623YA (ja) |
TW (1) | TWI702642B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6812079B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2021-01-13 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP2019046923A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6979312B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2021-12-08 | 株式会社ディスコ | アライメントパターンの設定方法 |
JP7064887B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-05-11 | 株式会社ディスコ | 加工装置の管理方法および加工装置 |
WO2021059937A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及び方法 |
JP7313253B2 (ja) * | 2019-10-10 | 2023-07-24 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7382833B2 (ja) * | 2020-01-06 | 2023-11-17 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP7463037B2 (ja) * | 2020-08-26 | 2024-04-08 | 株式会社ディスコ | 検査用基板及び検査方法 |
CN118431104B (zh) * | 2024-07-05 | 2024-10-01 | 迈为技术(珠海)有限公司 | 台盘控制方法及装置、晶圆开槽设备 |
CN118752623B (zh) * | 2024-09-05 | 2024-11-15 | 威讯联合半导体(德州)有限公司 | 一种晶圆切割方法、设备及计算机可读存储介质 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06224296A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウェーハのダイシング方法及び装置 |
JP3280747B2 (ja) * | 1993-05-11 | 2002-05-13 | 株式会社東京精密 | ダイシング加工管理方法および加工品質管理システム |
JPH09270446A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Toshiba Corp | 半導体検査装置 |
JPH10189443A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-07-21 | Nikon Corp | 位置検出用マーク、マーク検出方法及びその装置並びに露光装置 |
JP4377702B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2009-12-02 | 株式会社ディスコ | 切削溝の計測方法 |
JP4753170B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-08-24 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5134412B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-01-30 | 株式会社ディスコ | チッピング検出方法 |
JP2009278029A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
JP2010137309A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置の稼動開始時切削方法 |
JP5602548B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-10-08 | 株式会社ディスコ | 加工位置検出方法 |
JP2012151225A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削溝の計測方法 |
JP5904721B2 (ja) * | 2011-06-10 | 2016-04-20 | 株式会社ディスコ | 分割予定ライン検出方法 |
JP6108806B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-04-05 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6215730B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-10-18 | 株式会社ディスコ | 加工装置におけるウエーハの中心検出方法 |
JP6228044B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2017-11-08 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
JP6328513B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2018-05-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6465722B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2019-02-06 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
2015
- 2015-12-24 JP JP2015251359A patent/JP6607639B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-10 TW TW105136685A patent/TWI702642B/zh active
- 2016-12-05 KR KR1020160164454A patent/KR102510828B1/ko active Active
- 2016-12-16 CN CN201611166077.1A patent/CN106920775B/zh active Active
- 2016-12-19 SG SG10201610623YA patent/SG10201610623YA/en unknown
- 2016-12-22 US US15/388,062 patent/US9779994B2/en active Active
- 2016-12-23 DE DE102016226180.0A patent/DE102016226180A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10201610623YA (en) | 2017-07-28 |
KR102510828B1 (ko) | 2023-03-15 |
KR20170076554A (ko) | 2017-07-04 |
JP2017117924A (ja) | 2017-06-29 |
TWI702642B (zh) | 2020-08-21 |
US9779994B2 (en) | 2017-10-03 |
CN106920775B (zh) | 2021-02-19 |
DE102016226180A1 (de) | 2017-06-29 |
US20170186646A1 (en) | 2017-06-29 |
TW201732909A (zh) | 2017-09-16 |
CN106920775A (zh) | 2017-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6607639B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN106925897B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP5122378B2 (ja) | 板状物の分割方法 | |
CN1935480B (zh) | 晶片的对准方法 | |
JP7427333B2 (ja) | エッジアライメント方法 | |
JP6242619B2 (ja) | 加工装置 | |
KR102271652B1 (ko) | 피가공물의 절삭 방법 | |
TWI748082B (zh) | 雷射加工方法 | |
TW201641204A (zh) | 雷射加工裝置 | |
KR102186214B1 (ko) | 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법 | |
JP2009012127A (ja) | 切削装置 | |
TW202129729A (zh) | 加工裝置 | |
JP2012151225A (ja) | 切削溝の計測方法 | |
JP2001330413A (ja) | 厚さ測定方法および厚さ測定装置 | |
CN101383276A (zh) | 加工装置 | |
KR102119077B1 (ko) | 가공 방법 | |
JP2020017654A (ja) | アライメント方法 | |
JP6224462B2 (ja) | レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置 | |
JP5011003B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
JP7520456B2 (ja) | 切削ブレード刃先位置検出方法 | |
CN112123606B (zh) | 被加工物的切削方法 | |
CN113199156A (zh) | 加工装置 | |
CN109659273B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2022016821A (ja) | 傾き測定方法及び切削方法 | |
JP2024000391A (ja) | 被加工物の加工方法および加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6607639 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |