JP6601383B2 - インダクタ部品 - Google Patents

Description

この発明は、インダクタ部品に関するもので、特に、ドラム状コアの１対の鍔部間に板状コアが渡され、ドラム状コアの巻芯部上にワイヤを巻回した構造を有する巻線型のインダクタ部品に関するものである。

磁性体からなるドラム状コアを備えるインダクタ部品において、ドラム状コアの１対の鍔部間に、磁性体からなる板状コアを渡すようにドラム状コアに貼り合せ、それによって閉磁路を形成すれば、高インダクタンスを実現することができる。

しかし、この構成は、フェライトの比透磁率が高いという特性を利用するため、通常、低周波用途においてのみ有効である。

また、磁性体からなる板状コアを備えるインダクタ部品は、一般的に直流重畳特性が悪いことが知られている。そのため、たとえば特開２００４−３６３１７８号公報（特許文献１）などに記載されるように、ドラム状コアと板状コアとの間にギャップが設けられ、それによって、直流重畳特性の改善を図ることが行なわれている。このようなギャップ付き閉磁路構造によれば、磁気飽和が抑えられ、直流重畳特性を改善することができる。

特開２００４−３６３１７８号公報

しかし、上記のようなギャップ付き閉磁路構造によれば、直流重畳特性を改善できるものの、インダクタンス値（Ｌ値）の低下を招く。Ｌ値の低下を補償するためには、ワイヤのターン数を多くする必要があるが、ワイヤを巻回できるスペースは限られているため、ワイヤのターン数を多くするには限界がある。

一方、多層巻きの一種で、バンク巻きと言われる巻回方法がある。バンク巻きとは、巻芯部上でワイヤが二重以上に巻回された多層巻き部分を、巻芯部の長手方向に沿って複数個配置する巻回方法を言う。このバンク巻きによれば、限られたスペースに多くのターン数をもってワイヤを巻回することができる。しかし、この巻回方法によると、インダクタ部品の自己共振周波数が低くなるとともに、自己共振周波数より高周波側において、容量が非常に大きくなるため、インピーダンスの低下が著しい。そのため、バンク巻きという巻回方法は、通常、低周波用途に適した巻回方法であると言える。

そこで、この発明の目的は、高いインダクタンス、良好な直流重畳特性、および自己共振周波数より高周波側で高いインピーダンスを実現できる、インダクタ部品を提供しようとすることである。

この発明は、長手方向に延びる巻芯部および巻芯部の各端部にそれぞれ設けられた１対の鍔部を有する、磁性体からなるドラム状コアと、１対の鍔部間に渡されてドラム状コアに接着された、磁性体からなる板状コアと、巻芯部において巻回された、ワイヤと、ワイヤの各端部にそれぞれ電気的に接続された、１対の端子電極と、を備える、インダクタ部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。

鍔部と板状コアとの間には、平均２０μｍ以上かつ５０μｍ未満のギャップが形成されることを特徴とするとともに、ワイヤは、少なくとも１種類の整列されたバンク巻きを構成する部分を含み、整列されたバンク巻きを構成する部分は、巻芯部の長手方向に沿って複数個存在し、かつワイヤの全体のターン数の半分を超える部分を占めていることを特徴としている。

バンク巻きを実現するためには、いくつかのターンごとに、ワイヤを下層側から上層側へ移行させる部分を設ける必要がある。この部分では、巻芯部上で螺旋状に巻回されたワイヤの進行方向とは逆の方向にワイヤが戻される。したがって、以下では、この部分を戻り部分と呼ぶ。

上述の「整列されたバンク巻き」とは、バンク巻きを実現するためには避けられない、いくつかのターンごとに設けられるワイヤの戻り部分が、巻芯部の周面上の所定の一面などの特定の位置で生じている状態を言う。

また、ギャップを「２０μｍ以上」とすることで、直流重畳特性を十分に改善することができる。なお、通常、板状コアをドラム状コアに接着した場合の接着面の間隔は２０μｍよりももっと小さく、２０μｍ以上のギャップが形成される場合は、意図的にギャップを設けているとも言える。他方、ギャップが「５０μｍ未満」とされたのは、５０μｍを超えると、板状コアを設けたことによるインダクタンス向上の効果がほとんど期待できなくなるためである。

この発明によれば、閉磁路にギャップを設けることにより、直流重畳特性を改善しながら、Ｌ値の高周波特性化を図るとともに、整列されたバンク巻きを構成する部分を備えることにより、低容量化を図り、良好な高周波特性を実現する。

また、この発明によれば、上述の整列されたバンク巻きを構成する部分が、巻芯部の長手方向に沿って複数個あるので、共振の位置が安定するとともに、たとえ１つのバンク巻き部分でのワイヤがわずかにずれた場合でも、全体のインピーダンス特性に及ぼす影響を微小にできる。

また、バンク巻きを構成する部分が複数個あると、結果として、ワイヤの戻り部分が複数個あるということであり、インダクタ部品全体で生じる浮遊容量の合成容量を小さくすることができる。このような効果をより確実に得るためには、整列されたバンク巻きを構成する部分の各々において、巻芯部に接して巻回される下層側のワイヤのターン数は少ない方が良く、たとえば４ターン以下であることが好ましい。

この発明において、複数種類の整列されたバンク巻きを構成する部分が存在していてもよい。バンク巻きを構成する部分におけるワイヤのターン数が異なる場合、バンク巻きを構成する部分の種類が異なるということになる。さらにこの場合は、戻り部分が生じている特定の位置が、上述の複数種類の整列されたバンク巻き同士の間で異なってもよい。

この発明において、複数個の整列されたバンク巻きを構成する部分の少なくともいくつかは互いに隣り合っており、互いに隣り合う整列されたバンク巻きを構成する部分間の間隔は、ワイヤの平行に延びる部分において、３０μｍ以下であることが好ましい。この構成によれば、限られた長さの巻芯部に、より多くのターン数をもってワイヤを巻回し得ることに寄与し得るとともに、バンク巻きを構成する部分間の磁気的な結合が強くなり、より高いインピーダンスを実現することに寄与し得る。

この発明において、複数個の整列されたバンク巻きを構成する部分の少なくともいくつかの隣り合うものの間に、ワイヤが単層巻きにされた部分が配置されていてもよい。この構成によれば、ワイヤを巻回する工程において生じることがある巻線機が認識しているワイヤの位置と実際のワイヤの位置とのずれを、単層巻きの部分でリセットすることができ、ワイヤの巻回精度を向上させることができる。

この発明において、上記端子電極は、１対の鍔部における実装基板側に向く面にそれぞれ設けられることが好ましい。この場合、ワイヤの各端部の端子電極への接続部分は、１対の鍔部の、実装基板側に向く面において長手方向の直交方向における互いに逆側に位置していることが好ましい。この構成によれば、巻芯部に巻回されたワイヤを、より短い距離で端子電極にまで導くことができる。

この発明において、端子電極に接続されるワイヤの少なくとも一方の端部は、巻芯部上で単層巻きにされていてもよい。この構成によれば、ワイヤの巻回精度を向上させることができるばかりでなく、端子電極や、端子電極に付着したはんだとワイヤとの不所望な接触を生じにくくすることができる。

この発明において、上記ギャップを形成するため、板状コアと鍔部とが対向する部分において、板状コアおよび鍔部のいずれか一方には、板状コアおよび鍔部のいずれか他方に接する複数個の突起が設けられていることが好ましい。この構成によれば、突起によってギャップを安定して形成することができる。

この発明によれば、閉磁路にギャップを設けることで、良好な直流重畳特性を実現し、かつインダクタンス値の高周波特性化を図るとともに、この構成に、整列されたバンク巻きを組み合わせることで、自己共振周波数より高周波側で低容量化を実現し、チョークコイル（信号阻止用インダクタ）として、１ＧＨｚを越える高周波域まで使用できるインダクタ部品を提供することができる。

また、この発明によれば、整列されたバンク巻きを構成する部分が巻芯部の長手方向に沿って複数個存在しているので、自己共振周波数より高周波側で発生する共振をコントロールでき、非常に安定した高周波特性を保証することが可能になる。

この発明の第１の実施形態によるインダクタ部品３１を正面方向から模式的に示す断面図である。 図１に示したインダクタ部品３１の左側面図である。 図１に示したインダクタ部品３１におけるワイヤ３８の端部３８ａおい３８ｂの端子電極３９および４０への接続部分を示す、インダクタ部品３１の底面図である。 図１に示したインダクタ部品３１におけるワイヤ３８の拡大断面図である。 図１に示したインダクタ部品３１のインピーダンス−周波数特性を、比較例１および２の同特性と比較して示す図である。 図１に示したインダクタ部品３１のインダクタンス−周波数特性を、比較例１および２の同特性と比較して示す図である。 図１に示したインダクタ部品３１における１個の整列されたバンク巻きを構成する部分の等価回路図である。 この発明の第２の実施形態によるインダクタ部品５１を正面方向から模式的に示す断面図である。 この発明の第３の実施形態によるインダクタ部品５２を正面方向から模式的に示す断面図である。 この発明の第４の実施形態によるインダクタ部品５３を正面方向から模式的に示す断面図である。 この発明の第５の実施形態によるインダクタ部品５４を正面方向から模式的に示す断面図である。

図１ないし図７を参照して、この発明の第１の実施形態によるインダクタ部品３１について説明する。

インダクタ部品３１は、図１によく示されているように、長手方向に延びる巻芯部３２を有するドラム状コア３３を備える。ドラム状コア３３は、巻芯部３２の各端部にそれぞれ設けられた１対の鍔部３４および３５を備える。また、インダクタ部品３１は、１対の鍔部３４および３５間に渡されてドラム状コア３３に接着剤３６を介して接着された板状コア３７を備える。ドラム状コア３３および板状コア３７は、ともにフェライトのような磁性体からなり、閉磁路を構成する。

ドラム状コア３３に備える巻芯部３２は、図２において点線で示すように、四角形に近い六角形の断面形状を有していて、鍔部３４および３５の中心よりやや上方へずれた位置にある。なお、巻芯部３２の断面形状は四角形などの多角形であってもよい。また、巻芯部３２の周面における平面と平面とが交差する稜線部分は、アール面取りされることが好ましい。また、図示のドラム状コア３３では、巻芯部３２は鍔部３４および３５の中心より上方へずれていたが、ずれがなくてもよいし、下方へずれてもよい。

図２を参照して、インダクタ部品３１は、たとえば、高さ方向寸法Ｈが２．２ｍｍ以上かつ２．６ｍｍ以下、幅方向寸法Ｗが２．２ｍｍ以上かつ２．８ｍｍ以下とされる。また、巻芯部３２の断面形状における長径方向寸法Ｄ１は１．６ｍｍ以上かつ２．２ｍｍ以下とされる。また、図１を参照して、インダクタ部品３１の長手方向寸法Ｍは２．９ｍｍ以上かつ３．５ｍｍ以下とされ、板状コア３７の厚み方向寸法Ｔ１は０．５ｍｍ以上かつ０．８ｍｍ以下とされ、鍔部３４および３５の厚み方向寸法Ｔ２は０．４ｍｍ以上かつ０．７ｍｍ以下とされ、巻芯部３２の断面形状における短径方向寸法Ｄ２は０．７ｍｍ以上かつ１．１ｍｍ以下とされる。

巻芯部３２上には、ワイヤ３８が巻回される。ワイヤ３８の巻回態様の詳細については後述する。第１および第２の鍔部３４および３５における実装基板（図示せず。）側に向く面には、それぞれ、第１および第２の端子電極３９および４０が設けられる。端子電極３９および４０は、たとえば、導電性ペーストの焼付け、導電性金属のめっき、導電性金属片の貼付け等によって形成される。図３に示されるように、ワイヤ３８の第１および第２の端部３８ａおよび３８ｂは、それぞれ、第１および第２の端子電極３９および４０に電気的に接続される。これらの接続には、たとえば、熱圧着や溶接が適用される。

なお、図３は、インダクタ部品３１を実装基板側から示す底面図であるが、ワイヤ３８の図示は、上述の端部３８ａおよび３８ｂを除いて省略されている。

図３に示されるように、ワイヤ３８の端部３８ａおよび３８ｂの、端子電極３９および４０への接続部分は、１対の鍔部３４および３５の、実装基板側に向く面において長手方向の直交方向における互いに逆側に位置していることが好ましい。この構成によれば、巻芯部３２に巻回されたワイヤ３８を、より短い距離で端子電極３９および４０にまで導くことができる。特に、図３によく示されているように、端子電極３９および４０への接続部分は、１対の鍔部３４および３５の、実装基板側に向く面において、巻芯部３２の側面と接する位置付近にあることが好ましい。

なお、この実施形態では、端子電極３９および４０は、鍔部３４および３５の、実装基板側に向く面の全域にわたって形成されたが、ワイヤ３８の端部３８ａおよび３８ｂを接続するに足る部分にのみ形成されてもよい。また、ワイヤ３８の端部３８ａおよび３８ｂを接続する端子電極に並んで、ワイヤ３８の端部３８ａおよび３８ｂが接続されないダミーの端子電極が形成されてもよい。ダミーの端子電極は、インダクタ部品を実装基板に実装する際、実装基板側とはんだ付けされることにより、インダクタ部品の機械的な固定をより強固なものとするように機能する。

ワイヤ３８は、その断面が拡大されて図４に示されている。ワイヤ３８は、たとえば銅からなり、直径０．０６ｍｍ以上かつ０．０９ｍｍ以下の円形の断面を有する中心導体４１と、中心導体４１の周面を覆う絶縁被覆層４２と、からなる。

インダクタ部品３１において、鍔部３４および３５と板状コア３７との間には、図１に示されるように、ギャップＧが形成され、このギャップＧの寸法は平均２０μｍ以上かつ５０μｍ未満とされる。ここで、「平均２０μｍ以上かつ５０μｍ未満」とは、一方の鍔部３４または３５の端面に平行な面が現れるように、インダクタ部品３１を研磨した試料について、ギャップＧの寸法をたとえば幅方向（図２のＷが示す方向）に均等間隔で設定された５箇所で測定し、それら測定値を算術平均したものが「２０μｍ以上かつ５０μｍ未満」であるということである。なお、上述の５箇所は、平均的なギャップを反映させるため、鍔部３４および３５のアール部分や、ギャップＧを形成するために意図的に形成された突起４４の位置する箇所を避けて設定される。

上述のギャップＧは、閉磁路に介挿されるギャップとして機能する。したがって、ギャップＧは、特許文献１に記載の技術の場合と同様、インダクタ部品３１の直流重畳特性を改善する。ここで、ギャップを「２０μｍ以上」とすることで、直流重畳特性を十分に改善することができる。なお、通常、板状コアをドラム状コアに接着した場合の接着面の間隔は２０μｍよりももっと小さく、２０μｍ以上のギャップが形成される場合は、意図的にギャップを設けているとも言える。他方、ギャップＧが「５０μｍ未満」とされたのは、５０μｍを超えると、板状コア３７を設けたことによるインダクタンス向上の効果がほとんど期待できなくなるためである。

この実施形態では、ギャップＧをより安定して形成するため、板状コア３７と鍔部３４および３５とが対向する部分において、板状コア３７には、鍔部３４および３５に接する複数個の突起４４が設けられている。これら突起４４は、鍔部３４および３５側に設けられても、板状コア３７と鍔部３４および３５との双方に分配されて設けられてもよい。

図１において、ワイヤ３８の断面内には、第１の鍔部３４側から数えたターン序数「１」〜「２０」が記入されている。このようなワイヤ３８の断面内へのターン序数の記入は、後述する図８ないし図１１においても採用されている。

巻芯部３２において巻回されたワイヤ３８は、４個の整列されたバンク巻きを構成する部分（以下、「整列バンク巻き部分」と略称する。）Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３およびＢ４を備えている。

第１の整列バンク巻き部分Ｂ１は、ワイヤ３８の第１ターンないし第５ターン（以下、「ターン１〜５」のように表現する。）によって形成される。すなわち、下層側にはワイヤ３８のターン１〜３が位置され、これらターン１〜３が巻芯部３２上で螺旋状に巻回される。次いで、ワイヤ３８が約１．５ターン分戻され、後述する戻り部分Ｒを除いて、下層側のターン１および２間に形成される凹部に、上層側のターン４が嵌り込み、さらに、下層側のターン２および３間に形成される凹部に、上層側のターン５が嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。

この第１の整列バンク巻き部分Ｂ１では、ターン３からターン４へと移行する部分が、下層側から上層側へと移行する部分となり、この部分では、巻芯部３２上で螺旋状に巻回されたワイヤ３８の進行方向とは逆の方向にワイヤ３８が戻される。したがって、この部分が戻り部分Ｒとなる。戻り部分Ｒでは、ワイヤ３８の螺旋状の巻回状態が乱れるが、この実施形態では、戻り部分Ｒが、巻芯部３２の周面上の特定の位置、たとえば、図２に示した巻芯部３２の側方に向く側面４３に沿う位置で生じるようにされる。

次いで、第２の整列バンク巻き部分Ｂ２は、ワイヤ３８のターン６〜１０によって形成される。第１の整列バンク巻き部分Ｂ１における最終ターンである上層側のターン５の巻回の後、ワイヤ３８は下層側へ移行され、そこでターン６〜８が巻芯部３２上で螺旋状に巻回される。次いで、ワイヤ３８が約１．５ターン分戻され、戻り部分を除いて、下層側のターン６〜８の各間に形成される凹部に、上層側のターン９および１０が嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。ここでも、戻り部分は、巻芯部３２の側面４３に沿う位置で生じるようにされる。

詳細な説明を省略するが、第３および第４の整列バンク巻き部分Ｂ３およびＢ４においても、上述した第１および第２の整列バンク巻き部分Ｂ１およびＢ２の場合と同様の巻回態様が採用される。

このように、インダクタ部品３１では、４個の整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ４が、巻芯部３２の長手方向に沿って配置され、また、ワイヤ３８のターン数の半分を超える部分を占めている。なお、この実施形態では、整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ４は、ワイヤ３８のターン数のほぼ全体を占めている。

また、４個の整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ４の、互いに隣り合うものの間の間隔は、ワイヤ３８の平行に延びる部分において、３０μｍ以下でとされる。この構成によれば、限られた長さの巻芯部３２に、より多くのターン数をもってワイヤ３８を巻回し得ることが可能となるばかりでなく、整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ４間の磁気的な結合が強くなり、より高いインピーダンスを実現することに寄与し得る。

また、この実施形態では、戻り部分が、図２に示した巻芯部３２の側方に向く側面４３に沿う位置で生じるようにされたが、他の位置で生じるようにされてもよい。また、戻り部分は、巻芯部３２に周面上の１つの側面にのみ位置させるのではなく、たとえば、２つの側面に分けて位置させてもよい。

インダクタ部品３１は、一例として、インダクタンス値が２２μＨ以上かつ５６μＨ以下であり、直流抵抗値が０．０７Ω以上かつ１．２Ω以下であり、自己共振周波数が２５ＭＨｚ以上の電気的特性を有している。

図５には、実施例としてのインダクタ部品３１のインピーダンス−周波数特性が、比較例１および２の同特性と比較して示され、図６には、実施例としてのインダクタ部品３１のインダクタンス−周波数特性が、比較例１および２の同特性と比較して示されている。ここで、比較例１は、ワイヤを単層巻きにしたインダクタ部品を試料とするもので、比較例２は、ワイヤを無造作に（整列されない）バンク巻きにしたインダクタ部品を試料とするものである。そして、実施例ならびに比較例１および２の各々に係るインダクタ部品について、１ＭＨｚで測定した場合にほぼ同じインダクタンス値が得られるようにした。

図５を参照して、インピーダンス特性を見ると、実施例によれば、１ＧＨｚ付近の高周波域まで、高いインピーダンス値を維持することができる。特に、自己共振を超えた高周波域でのさらなる共振は、無造作なバンク巻きの比較例２に比べて、より低い周波数で現れている。また、実施例では、自己共振を超えた高周波域において、比較例２に比べて、より高いインピーダンス値が得られている。また、実施例は、バンク巻きを採用しているにもかかわらず、高周波側では、単層巻きの比較例１のインピーダンス特性にかなり近いインピーダンス特性を示している。このことは、実施例では、比較例１（単層巻き）と同様の特性をより短い巻芯部で実現することができ、小型化を実現可能であることを示している。

図６を参照して、インダクタンス特性については、実施例によれば、比較例１および２に比べて、１０ＭＨｚを超える高周波域までフラットなインダクタンス特性が得られている。すなわち、単層巻きの比較例１および無造作なバンク巻きの比較例２に比べて、実施例によれば、高周波域まで高いインダクタンス値が維持されている。

以下に、上記のような効果が生じる理由について考察する。

（１）インダクタンスの周波数特性が良い理由
一般的に、透磁率が低い磁性体は高周波特性が良い。この特性はスネークの限界線として広く知られている。そのため、高周波特性の良好なインダクタでは、比透磁率の低い材料が使われる。この手法はミクロ的に見て透磁率を下げることで高周波化を果たしている。

しかし、マクロ的に見た視点で透磁率を下げることでも同様の効果が期待できる。つまり、閉磁路構造の一部分に空気ギャップを設けることで閉磁路全体としての磁気抵抗を上げ（すなわち、磁気回路全体としてのマクロ的透磁率を下げ）、それによって、ギャップなしの場合に比べて、インダクタとしての高周波化を実現することができる。

この発明では、ドラム状コアと板状コアとの間にギャップを設けることで、インダクタンス特性を広帯域化している。透磁率の低い材料で高インダクタンスを得、それによって、高インダクタンスと高周波特性との両方を得ようとすると、直流重畳特性が悪くなる。そのため、高インダクタンスでかつ高周波特性を得ようとした場合には、ギャップ付き閉磁路が最適な手段となる。

（２）整列されたバンク巻きの効果
ギャップ付き閉磁路にした場合、閉磁路の磁気抵抗が高く、インダクタンスを高くできない。これを解決するためには、バンク巻き構造を採用することが考えられる。ただ、一般的な（整列されない）バンク巻きは浮遊容量が大きく、高周波特性が悪い（図６の「比較例２」参照）。そのため、通常は高周波特性を得たい部品には使用できない。

しかし、図１に示すような整列されたバンク巻き構造を採用することで、浮遊容量自体はやや増えるが、その増加量を最小限に留めることが可能になる。その上、バンク部分ではワイヤが互いに密着しているため、図５の「実施例」からわかるように、自己共振周波数を超えた早い段階で、さらなる共振が起こり、それによって等価的な容量が減少する。

この効果により、実際には単層巻き（平巻き）に比べ、浮遊容量がほとんど増えない。特に、自己共振周波数の１０倍前後の周波数（どこに共振が発生するかは巻き方による。）で共振が起き、それによって、共振以降のインピーダンス−周波数特性が上にシフトする。また、バンク巻きにおけるワイヤが整列配置されているため、常に同じ周波数特性を持つようになり、自己共振周波数以降のコントロールが可能になる。

図７には、インダクタ部品３１における１個の整列バンク巻き部分（たとえば、図１のターン１〜５など）の等価回路が示されている。図７において、Ｃ１は整列バンク巻き部分の外形全体で発生している浮遊容量である。Ｃ２〜Ｃ８は、巻線Ｌ１〜Ｌ５間で発生している浮遊容量であり、これらはワイヤが並行して隣り合うため、ワイヤ間の距離が常に同じであることから、概ね同程度の容量を持つ。Ｌ１〜Ｌ５は、１つの整列バンク巻き部分内の巻線の各ターンが持つインダクタンスである。これらインダクタンスＬ１〜Ｌ５は互いに近接しているため、隣り合うものの間で、高い結合係数をもって結合している。ただし、結合係数が高いのは、磁性体の比透磁率が低下する前の低周波域においてのみであり、それを超える高周波域では結合係数が下がっている。

その結果、インダクタンスＬ１〜Ｌ５の持つインダクタンス値は、結合係数を加味して考えると、下層側中央のインダクタンスＬ２のターンのインダクタンス値が最も大きく、両端のインダクタンスＬ１およびＬ３のインダクタンス値が最も小さく、いわゆる「まだら」状態となる。

電流ループを考えるとき、図７において、矢印で示すように、複数のループが存在する。これらの中で最も共振周波数が低いものが自己共振周波数として発現するが、自己共振周波数より高周波側にも複数の共振が発生することがこの回路図からもわかる。小ループでの共振が起こる度に局所的な周波数ではインピーダンスの落ち込みが見られるが、それ以降の周波数では等価的な浮遊容量が減少する。整列されたバンク巻き構造は、浮遊容量が発生するインダクタンス間のターン序数の差を一定の範囲で（なるべく小さく）抑えることで、この局所的なインピーダンスの落ち込みの発生する周波数を間接的にコントロールし、全体のインピーダンス特性を最適化かつ安定化させるものである。

以下、巻芯部３２におけるワイヤ３８の巻回態様についての変形例を図８ないし図１１を参照して説明する。図８ないし図１１は、図１に対応する図であって、図８ないし図１１において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。

図８に示したインダクタ部品５１では、巻芯部３２において巻回されたワイヤ３８は、６個の整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ６を備えている。

第１の整列バンク巻き部分Ｂ１は、ワイヤ３８のターン１〜３によって形成される。すなわち、下層側にはワイヤ３８のターン１および２が位置され、これらターン１および２が巻芯部３２上で螺旋状に巻回される。次いで、ワイヤ３８が約０．５ターン分戻され、戻り部分を除いて、下層側のターン１および２間に形成される凹部に、上層側のターン３が嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。

その後、第１の整列バンク巻き部分Ｂ１の場合と同様のワイヤ３８の巻回態様が採用されながら、順次、第２の整列バンク巻き部分Ｂ２がターン４〜６によって形成され、第３の整列バンク巻き部分Ｂ３がターン７〜９によって形成され、第４の整列バンク巻き部分Ｂ４がターン１０〜１２によって形成され、第５の整列バンク巻き部分Ｂ５がターン１３〜１５によって形成され、第６の整列バンク巻き部分Ｂ６がターン１６〜１８によって形成される。

第６の整列バンク巻き部分Ｂ６に続いて、ワイヤ３８は、ターン１９および２０において単層巻きにされた後、端子電極４０に接続される。

図８に示したインダクタ部品５１によれば、図１に示したインダクタ部品３１に比べて、整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ６における下層側の巻線と上層側の巻線との間に形成される浮遊容量をより小さくすることができる。

また、図８に示したインダクタ部品５１では、一方の端子電極４０に接続されるワイヤ３８の端部が単層巻きにされているため、ワイヤ３８の巻回精度を向上させることができるばかりでなく、端子電極４０や、端子電極４０に付着したはんだとワイヤ３８との不所望な接触を生じにくくすることができる。なお、第１および第２の端子電極３９および４０の各々に接続されるワイヤ３８の両端部が単層巻きにされてもよい。また、端子電極３９および４０の各々に接続されるワイヤ３８の端部に形成される単層巻き部分のターン数は４ターン以下であることが好ましい。

図９に示したインダクタ部品５２では、巻芯部３２において巻回されたワイヤ３８は、５個の整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ５を備えているが、第１ないし第３の整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ３と第４および第５の整列バンク巻き部分Ｂ４およびＢ５とは、バンク巻きの種類が異なっている。

第１の整列バンク巻き部分Ｂ１は、ワイヤ３８のターン１〜３によって形成される。すなわち、下層側にはワイヤ３８のターン１および２が位置され、これらターン１および２が巻芯部３２上で螺旋状に巻回される。次いで、ワイヤ３８が約０．５ターン分戻され、戻り部分を除いて、下層側のターン１および２間に形成される凹部に、上層側のターン３が嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。

その後、第１の整列バンク巻き部分Ｂ１の場合と同様のワイヤ３８の巻回態様が採用されながら、順次、第２の整列バンク巻き部分Ｂ２がターン４〜６によって形成され、第３の整列バンク巻き部分Ｂ３がターン７〜９によって形成される。

次に、ターン１０が単層巻きにされた後、第４の整列バンク巻き部分Ｂ４がターン１１〜１５によって形成される。すなわち、下層側にはワイヤ３８のターン１１〜１３が位置され、これらターン１１〜１３が巻芯部３２上で螺旋状に巻回され、次いで、ワイヤ３８が約１．５ターン分戻され、戻り部分を除いて、下層側のターン１１〜１３の各間に形成される凹部に、上層側のターン１４および１５がそれぞれ嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。

次に、第５の整列バンク巻き部分Ｂ５が、上述した第４の整列バンク巻き部分Ｂ４における巻回態様と同様の巻回態様をもって、ターン１６〜２０によって形成される。

この実施形態には、複数種類の整列バンク巻き部分が１つの巻芯部に沿って存在していてもよいことを明示する意義がある。また、複数種類とは、単にターン数が異なる場合だけではなく、戻り部分が生じる特定の位置が異なる場合も含む。

また、この実施態様では、隣り合う第３の整列バンク巻き部分Ｂ３と第４の整列バンク巻き部分Ｂ４との間に、ワイヤ３８が単層巻きにされたターン１０が配置されている。この構成によれば、ワイヤ３８を巻回する工程において生じることがある巻線機が認識しているワイヤ３８の位置と実際のワイヤ３８の位置とのずれを、単層巻きの部分でリセットすることができ、ワイヤ３８の巻回精度を向上させることができる。

図１０に示したインダクタ部品５３では、巻芯部３２において巻回されたワイヤ３８は、３個の整列バンク巻き部分Ｂ１〜Ｂ３を備えているが、さらに、第２および第３の整列バンク巻き部分Ｂ２およびＢ３の間に、比較的ターン数の多い単層巻き部分を備えている。

第１の整列バンク巻き部分Ｂ１は、ワイヤ３８のターン１〜５によって形成される。すなわち、下層側にはワイヤ３８のターン１〜３が位置され、これらターン１〜３が巻芯部３２上で螺旋状に巻回される。次いで、ワイヤ３８が約１．５ターン分戻され、戻り部分を除いて、下層側のターン１〜３の各間に形成される凹部に、上層側のターン４および５がそれぞれ嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。

その後、第１の整列バンク巻き部分Ｂ１の場合と同様のワイヤ３８の巻回態様が採用されながら、順次、第２の整列バンク巻き部分Ｂ２がターン６〜１０によって形成される。

次に、ターン１１〜１５が単層巻きにされる。

その後、第３の整列バンク巻き部分Ｂ３がターン１６〜２０によって形成される。すなわち、下層側にはワイヤ３８のターン１６〜１８が位置され、これらターン１６〜１８が巻芯部３２上で螺旋状に巻回され、次いで、ワイヤ３８が約１．５ターン分戻され、戻り部分を除いて、下層側のターン１６〜１８の各間に形成される凹部に、上層側のターン１９および２０がそれぞれ嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。

また、このインダクタ部品５３では、隣り合う整列バンク巻き部分Ｂ２およびＢ３の間に、ワイヤ３８が単層巻きにされたターン１６〜１８が配置されている。この構成によれば、単層巻きにされたターン数が前述したインダクタ部品５２の場合より多いので、ワイヤ３８を巻回する工程において生じることがある巻線機が認識しているワイヤ３８の位置と実際のワイヤ３８の位置とのずれを、単層巻きの部分でより容易にリセットすることができ、ワイヤの巻回精度をより容易に向上させることができる。

図１１に示したインダクタ部品５４では、巻芯部３２において巻回されたワイヤ３８は、２個の整列バンク巻き部分Ｂ１およびＢ２を備えているが、これら整列バンク巻き部分Ｂ１およびＢ２でのワイヤ３８の巻回態様は、上述した複数の実施形態における巻回態様とは異なっている。

第１の整列バンク巻き部分Ｂ１は、ワイヤ３８のターン１〜１１によって形成される。より詳細には、下層側に、ワイヤ３８のターン１および２が巻回され、次いで、ワイヤ３８が約０．５ターン分戻され、下層側のターン１および２の間に形成される凹部に、上層側のターン３が嵌り込むように、ワイヤ３８が巻回される。その後、上記ターン１〜３を土台として、ターン４が下層側に、そして約０．５ターン分戻され、ターン５が下層側のターン２および４の間に形成される凹部に嵌り込むように上層側に巻回される。

以後、同様にして、ターン６〜１１が下層側と上層側とに交互に位置するように巻回される。

その後、第２の整列バンク巻き部分Ｂ２が、ワイヤ３８のターン１２〜２２によって形成される。第２の整列バンク巻き部分Ｂ２でのワイヤ３８の巻回態様は、上述の第１の整列バンク巻き部分Ｂ１でのワイヤ３８の巻回態様と同様である。

図１１に示したインダクタ部品５４において採用されたワイヤ３８の巻回態様によれば、限られた寸法の巻芯部３２でのワイヤ３８のターン数を増やすことができる。したがって、インダクタンス値の向上に寄与し得る。

以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明したが、図示した各実施形態は、例示的なものであり、ワイヤのターン数などの点で種々に変更可能である。また、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。

３１，５１〜５４ インダクタ部品
３２ 巻芯部
３３ ドラム状コア
３４，３５ 鍔部
３６ 接着剤
３７ 板状コア
３８ ワイヤ
３９，４０ 端子電極
４４ 突起
Ｇ ギャップ
Ｂ１〜Ｂ６ 整列バンク巻き部分
Ｒ 戻り部分

Claims (8)

1. 長手方向に延びる巻芯部および前記巻芯部の各端部にそれぞれ設けられた１対の鍔部を有する、磁性体からなるドラム状コアと、
   前記１対の鍔部間に渡されて前記ドラム状コアに接着された、磁性体からなる板状コアと、
   前記巻芯部において巻回された、ワイヤと、
   前記ワイヤの各端部にそれぞれ電気的に接続された、１対の端子電極と、
   を備え、
   前記鍔部と前記板状コアとの間には、平均２０μｍ以上かつ５０μｍ未満のギャップが形成され、
   前記ワイヤは、少なくとも１種類の整列されたバンク巻きを構成する部分を含み、前記整列されたバンク巻きを構成する部分は、前記巻芯部の長手方向に沿って複数個存在し、かつ前記ワイヤの全体のターン数の半分を超える部分を占めている、
   インダクタ部品。
2. 前記整列されたバンク巻きを構成する部分の各々において、前記巻芯部に接して巻回される下層側の前記ワイヤのターン数は４ターン以下である、請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 複数種類の前記整列されたバンク巻きを構成する部分が存在する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
4. 複数個の前記整列されたバンク巻きを構成する部分の少なくともいくつかは互いに隣り合っており、互いに隣り合う前記整列されたバンク巻きを構成する部分間の間隔は、前記ワイヤの平行に延びる部分において、３０μｍ以下である、請求項１ないし３のいずれかに記載のインダクタ部品。
5. 複数個の前記整列されたバンク巻きを構成する部分の間に、前記ワイヤが単層巻きにされた部分が配置されている、請求項１ないし４のいずれかに記載のインダクタ部品。
6. 前記端子電極は、前記１対の鍔部における実装基板側に向く面にそれぞれ設けられ、前記ワイヤの各端部の前記端子電極への接続部分は、前記１対の鍔部の、実装基板側に向く面において前記長手方向の直交方向における互いに逆側に位置している、請求項１ないし５のいずれかに記載のインダクタ部品。
7. 前記端子電極に接続される前記ワイヤの少なくとも一方の端部は、前記巻芯部上で単層巻きにされている、請求項１ないし６のいずれかに記載のインダクタ部品。
8. 前記ギャップを形成するため、前記板状コアと前記鍔部とが対向する部分において、前記板状コアおよび前記鍔部のいずれか一方には、前記板状コアおよび前記鍔部のいずれか他方に接する複数個の突起が設けられている、請求項１ないし７のいずれかに記載のインダクタ部品。

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