JP6549314B2 - Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system - Google Patents
Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system Download PDFInfo
- Publication number
- JP6549314B2 JP6549314B2 JP2018512124A JP2018512124A JP6549314B2 JP 6549314 B2 JP6549314 B2 JP 6549314B2 JP 2018512124 A JP2018512124 A JP 2018512124A JP 2018512124 A JP2018512124 A JP 2018512124A JP 6549314 B2 JP6549314 B2 JP 6549314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- deposition
- source
- vapor
- steam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 176
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 61
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 61
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 151
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
[0001]本開示は、蒸発材料、特に蒸発有機材料を一または複数の基板に堆積させるように構成された堆積システムに関する。本開示の実施形態は更に、蒸発材料を基板に堆積させるための堆積システムを有する堆積装置に関する。更なる実施形態は、具体的には、真空処理チャンバ内で基板に蒸発材料を堆積させるために堆積システムを操作する方法に関する。 [0001] The present disclosure relates to deposition systems configured to deposit evaporation material, particularly evaporation organic material, on one or more substrates. Embodiments of the present disclosure further relate to a deposition apparatus having a deposition system for depositing evaporation material on a substrate. A further embodiment relates specifically to a method of operating a deposition system to deposit evaporation material on a substrate in a vacuum processing chamber.
[0002]有機蒸発器は、有機発光ダイオード(OLED)の生産用ツールである。OLEDは、発光層が特定の有機化合物の薄膜を含む特殊な発光ダイオードである。有機発光ダイオード(OLED)は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造時に使用される。OLEDは、一般的な空間照明にも使用することができる。OLEDピクセルは直接発光し、バックライトを必要としないので、OLEDディスプレイの色、輝度、及び視野角の範囲は従来のLCDディスプレイの範囲よりも広い場合がある。したがって、OLEDディスプレイのエネルギー消費は、従来のLCDディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。更に、OLEDはフレキシブル基板上に製造することができるため、更なる用途がもたらされる。 Organic evaporators are tools for the production of organic light emitting diodes (OLEDs). OLEDs are special light emitting diodes in which the light emitting layer comprises a thin film of a specific organic compound. Organic light emitting diodes (OLEDs) are used in the manufacture of television screens, computer monitors, cell phones, other portable devices, and the like for displaying information. OLEDs can also be used for general spatial lighting. Because OLED pixels emit light directly and do not require backlighting, the range of color, brightness, and viewing angles of an OLED display may be wider than that of a conventional LCD display. Thus, the energy consumption of OLED displays is considerably less than the energy consumption of conventional LCD displays. Furthermore, OLEDs can be manufactured on flexible substrates, leading to further applications.
[0003]蒸発材料は通常、蒸気源の一または複数の出口によって基板の方へ向けられる。例えば、蒸気源は、蒸発材料のプルームを基板の方へ向けるように構成された複数のノズルを備えうる。蒸気源は、基板を蒸発材料でコーティングするために基板に対して移動しうる。 [0003] Evaporation material is usually directed towards the substrate by one or more outlets of a vapor source. For example, the vapor source may comprise a plurality of nozzles configured to direct a plume of evaporation material towards the substrate. The vapor source can move relative to the substrate to coat the substrate with the evaporation material.
[0004]蒸気源の一または複数の蒸気出口からの安定した蒸発材料のプルームは、基板に所定の均一性を有する材料パターンを堆積させるのに有益でありうる。蒸気源を立ちあげた後に蒸気源が安定するのに、ある程度時間がかかりうる。したがって、蒸気源を頻繁に停止させ、また始動させることは望ましくない場合があり、蒸気源を休止期間にも作動させ続けることができる。上記休止期間の間に、真空処理チャンバの壁が蒸気材料によってコーティングされうる危険性がありうる(「振りかけコーティング」)。 [0004] A plume of stable evaporation material from one or more vapor outlets of the vapor source can be useful for depositing a pattern of material having a predetermined uniformity on a substrate. It may take some time for the steam source to stabilize after the steam source has been turned on. Thus, frequent stopping and starting of the steam source may not be desirable, and the steam source can continue to operate even during idle periods. During the rest period, there may be a risk that the walls of the vacuum processing chamber may be coated with vapor material ("sprinkler coating").
[0005]したがって、システムの表面への振りかけコーティングを低減させながら、的確に基板に蒸発材料を堆積させるように構成された堆積システムを提供することが有益となる。 [0005] Therefore, it would be beneficial to provide a deposition system configured to precisely deposit evaporation material on a substrate while reducing sprinkling coating on the surface of the system.
[0006]上記に照らして、独立請求項に係る、堆積システム、堆積装置、及び堆積システムを操作する方法が提供される。更なる利点、特徴、態様、及び詳細は、従属請求項、本明細書、及び図面から明らかである。 In light of the above, there are provided a deposition system, a deposition apparatus, and a method of operating a deposition system according to the independent claims. Further advantages, features, aspects and details are evident from the dependent claims, the description and the drawings.
[0007]本開示の一態様によれば、堆積システムが提供される。堆積システムは、一又は複数の蒸気出口を有し、堆積位置と休止位置との間で移動可能である蒸気源と、シールドと、シールドを冷却するように位置づけされた冷却装置とを含む。 According to an aspect of the present disclosure, a deposition system is provided. The deposition system has one or more vapor outlets, and includes a vapor source movable between a deposition position and a rest position, a shield, and a cooling device positioned to cool the shield.
[0008]蒸気源は、一又は複数の蒸気出口がシールドの方へ向けられる休止位置に移動可能であってよい。 The steam source may be movable to a rest position where one or more steam outlets are directed towards the shield.
[0009]本開示の別の態様によれば、堆積装置が提供される。堆積装置は、基板を配置するための第1の堆積エリアと、第2の基板を配置するための第2の堆積エリアとを有する真空処理チャンバと、真空処理チャンバ内に配置された堆積システムとを含み、堆積システムの蒸気源は、第1の堆積エリアを越えて移動可能であり、第1の堆積エリアと第2の堆積エリアとの間で回転可能であり、第2の堆積エリアを越えて移動可能である。堆積システムは、シールドと、シールドを冷却するための冷却装置とを含む。 According to another aspect of the present disclosure, a deposition apparatus is provided. The deposition apparatus includes a vacuum processing chamber having a first deposition area for placing a substrate and a second deposition area for placing a second substrate, a deposition system disposed in the vacuum processing chamber, and And the deposition system vapor source is movable past the first deposition area, is rotatable between the first deposition area and the second deposition area, and is greater than the second deposition area. It is movable. The deposition system includes a shield and a cooling device for cooling the shield.
[0010]本開示の別の態様によれば、堆積システムを操作する方法が提供される。本方法は、蒸気源の一または複数の蒸気出口からの蒸発材料を基板の方へ向けることと、一または複数の蒸気出口からの蒸発材料が冷却されたシールドの方へ向けられる休止位置に蒸気源を移動させることとを含む。 [0010] According to another aspect of the present disclosure, a method of operating a deposition system is provided. The method includes directing evaporation material from one or more vapor outlets of the vapor source towards the substrate, and at the rest position where the evaporation material from the one or more vapor outlets is directed towards a cooled shield Moving the source.
[0011]本開示のさらなる態様によれば、本書に記載される堆積システム用の冷却されたシールドが提供される。 According to a further aspect of the present disclosure, a cooled shield is provided for the deposition system described herein.
[0012]本開示はまた、方法を実施するための装置部分を含む開示の方法を実施するための装置も対象とする。本方法は、ハードウェア構成要素、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータ、これらの2つの任意の組合せ、又は任意の他の方法で実施され得る。さらに、本開示はまた、記載の装置を操作する方法も対象とする。本開示は、装置のすべての機能を実施するための方法を含む。 [0012] The present disclosure is also directed to an apparatus for performing the disclosed method, including an apparatus portion for performing the method. The method may be implemented in hardware components, a computer programmed by appropriate software, any combination of these two or any other method. Furthermore, the present disclosure is also directed to methods of operating the described apparatus. The present disclosure includes methods for performing all the functions of the device.
[0013]本書に記載の本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、先ほど簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができよう。添付の図面は、本開示の実施形態に関し、以下において説明される。 [0013] A more specific description of the present disclosure, as briefly outlined above, can be obtained by reference to the embodiments so that the above-described features of the present disclosure described herein can be understood in detail. You see. The attached drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.
[0021]本開示の様々な実施形態をこれより詳細に参照していく。これらの実施形態の一又は複数の例が図中に示されている。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。下記において、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されているが、本開示を限定することが意図されているわけではない。更に、1つの実施形態の一部として図示又は説明されている特徴は、更なる実施形態を創出するために、他の実施形態で使用されることも、他の実施形態と併用されることも可能である。本記載には、このような修正例及び変形例が含まれることが意図されている。 [0021] Reference will now be made in detail to various embodiments of the present disclosure. One or more examples of these embodiments are shown in the figures. In the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same components. In the following, only the differences with regard to the individual embodiments are described. Each example is provided to illustrate the present disclosure, but is not intended to limit the present disclosure. Further, features illustrated or described as part of one embodiment may be used on or in combination with other embodiments to create further embodiments. It is possible. Such modifications and variations are intended to be included in this description.
[0022]図1Aは、本書に記載の実施形態に係る堆積システム100を示す概略図である。堆積システム100は、一又は複数の蒸気出口125を有する蒸気源120を含む。蒸気源120は、基板10をコーティングするために堆積位置(II)にある。堆積位置では、一または複数の蒸気出口は基板10が配置される堆積エリアの方へ向けられる。
[0022] FIG. 1A is a schematic diagram illustrating a
[0023]図1Bは、蒸気源120が休止位置(I)にある、図1Aの堆積システム100の概略図である。休止位置では、一または複数の蒸気出口125はシールド110の方へ向けられる。
[0023] FIG. 1B is a schematic view of the
[0024]蒸気源120は、一または複数の蒸気出口125が堆積位置(II)からシールド110の方へ向けられる休止位置(I)に、及び/又は一または複数の蒸気出口125が休止位置(I)から堆積エリアの方へ向けられる堆積位置(II)に移動可能であってよい。
[0024] The
[0025]蒸気源120は、堆積エリアに配置された基板10に蒸発材料を堆積させるための蒸発源として構成されうる。幾つかの実施形態では、蒸気源120は、一又は複数のるつぼと、一又は複数の分配パイプとを含み、一または複数の蒸気出口125は一又は複数の分配パイプに配設されうる。各るつぼは、関連する分配パイプと流体連結していてよい。蒸発材料は、るつぼから関連する分配パイプへ流れ込みうる。堆積システムが堆積位置にあるときに、蒸発材料のプルームが分配パイプの一または複数の蒸気出口から堆積エリアへ向けられうる。
The
[0026]図1Aでは、蒸発材料は、一又は複数の蒸気出口125から基板10へ向けられる。基板に材料パターンが形成されうる。幾つかの実施形態では、堆積中に基板10の前方、すなわち基板10と蒸気源120との間にマスク(図示せず)が配置される。マスクの開口パターンに対応する材料パターンが、基板に堆積されうる。幾つかの実施形態では、蒸発材料は有機材料である。マスクは、微細金属マスク(FMM)又は別の種類のマスク、例えばエッジ除外マスクであってよい。
In FIG. 1A, the evaporation material is directed to the
[0027]基板10への堆積後、蒸気源120は、図1Bに例示的に示す休止位置(I)に移動しうる。蒸気源120の休止位置(I)への移動は、蒸気源120とシールド110との間の相対移動であってよい。休止位置では、一又は複数の蒸気出口はシールド110の表面へ向けられる。
[0027] After deposition on the
[0028]幾つかの実施形態では、蒸気源120は、休止位置において及び/又は休止位置に移動している間、停止しない。したがって、蒸気源が休止位置(I)にあるときは、蒸発材料は、一または複数の蒸気出口125からシールド110へ向けられ、シールドの表面に凝結しうる。例えばシステムの休止時間の間など、休止位置においても蒸発し続けることによって、蒸気源の蒸気圧が基本的に一定に維持され得、後で蒸気源の整定時間を設けることなく、堆積を続けることができる。
[0028] In some embodiments, the
[0029]シールド110は、蒸気源120が休止位置(I)にあるときに、一又は複数の蒸気出口125からの蒸発材料の80%以上、具体的には90%以上、より具体的には99%以上がシールド110の表面の方へ向けられるように形成されうる。蒸発プルームがシールド110によって阻害され、遮蔽されるために、蒸気源120が休止位置にあるときの真空処理チャンバの他の表面の汚染が削減されうる、あるいは回避されうる。具体的には、チャンバの壁、真空処理チャンバに配置された装置、マスクキャリア、及び基板キャリアのコーティングが削減されうる又は回避されうる。幾つかの実施形態では、シールド110の表面は、ほとんどの蒸発材料がシールドの表面に凝結し、休止位置の別の表面に凝結しないように、例えば、0.5m2以上、具体的には1m2以上、より具体的には2m2以上等大きいものであってよい。
[0029] The
[0030]蒸気源120は、少なくとも一または複数の下記目的:(i)蒸気源を暖めるため;(ii)例えば暖めている間に、蒸気源に基本的に一定の蒸気圧が形成されるまで蒸気源を安定させるため;(iii)蒸気源の点検修理又は保守のため;(iv)例えば冷却中等に蒸気源を停止させるため;v)蒸気源を洗浄するため、例えば一または複数の蒸気出口を洗浄するため及び/又は蒸気出口の前方に配置されたシェーパ(Shaper)シールドを洗浄するため;(vi)マスク及び/又は基板の位置合わせ中に;(vii)待機時間及び休止期間中に休止位置(I)に移動されうる。例えば、休止位置は、堆積システムの休止期間におけるシステムの停止位置として使用されうる。幾つかの実施形態では、例えば蒸気源が休止位置に移動している間などに、真空処理チャンバ及び/又は堆積エリア内に配置されうるマスクはシールド110によって振りかけコーティングから保護されうる。
[0030] The
[0031]本書に記載の実施形態によれば、シールド110を冷却するための冷却装置112が提供される。冷却装置でシールドの温度を下げることによって、シールドの遮蔽効果を改善することができる。更に、シールド110を冷却することによって、シールドから蒸気源の方へ向けられる、マスク及び/又は基板の方へ向けられる熱放射を削減することができる。熱が原因で起こる移動を削減する又は回避することができ、堆積品質が改善されうる。
[0031] According to the embodiments described herein, a
[0032]蒸発材料は、例えば100℃以上、300℃以上、又は500℃以上等の何百度もの温度を有しうる。したがって、蒸発材料がシールドの表面に凝結したときに、シールド110は休止位置において加熱されうる。幾つかの実施形態では、蒸気源120はかなり長い期間にわたって、例えば位置合わせ又は洗浄のために数十秒にわたって、又は蒸気源の暖め及び点検修理のために数分にわたって休止位置にとどまる場合がある。シールド110の温度は冷却装置112によって下げることができ、シールドから蒸気源の方へ向けられる、またマスクの方へ向けられる熱放射を削減することができる。例えば、シールドの温度は100℃以下に維持することができる。マスクの熱的移動が削減されるため、堆積品質が向上しうる。幾つかの実施形態では、マスクは数ミクロンの範囲の構造を有する場合があるため、マスクの温度を一定にすることはマスク構造の熱起因の移動を削減するのに有益であることに留意すべきである。更に、シールド110の表面を冷却することによって、蒸発材料のシールドへの凝結が促進されうる。
The evaporation material may have a temperature of, for example, hundreds of degrees, such as 100 ° C. or more, 300 ° C. or more, or 500 ° C. or more. Thus, when evaporation material condenses on the surface of the shield, the
[0033]冷却装置は、シールドに接続された冷却ライン又は冷却チャネル;水冷却等の流体冷却;空気冷却等のガス冷却及び/又は熱電冷却のうちの少なくとも一又は複数を含みうる。幾つかの実施形態では、冷却装置は、冷却チャネルがシールドに取り付けられている、あるいはシールドに組み込まれている冷却回路を含む。水等の冷却液が、冷却回路内を循環しうる。 [0033] The cooling device may include at least one or more of a cooling line or a cooling channel connected to a shield; fluid cooling such as water cooling; gas cooling such as air cooling and / or thermoelectric cooling. In some embodiments, the cooling device includes a cooling circuit in which the cooling channel is attached to or integrated into the shield. A coolant, such as water, may circulate in the cooling circuit.
[0034]幾つかの実施形態では、冷却チャネルはシールドの前方部115に配設されうる。一または複数の蒸気出口125は、休止位置でほとんどの熱負荷が前方部115にかかりうるように、休止位置で前方部115の方へ向けられうる。シールド110は更に、前方部115に隣接して配置された一または複数の側方部116を含みうる。蒸気源が休止位置に移動している間、蒸発材料を遮蔽するために、一または複数の側方部116が配設されうる。蒸気源が移動している間、一または複数の側方部116が蒸気材料を阻害しうるため、マスクは蒸気源が移動している間、振りかけコーティングから保護されうる。幾つかの実施形態では、前方部115の2つの対向する側に2つの側方部116が配設されている。側方部116は湾曲していてよい。
[0034] In some embodiments, the cooling channel can be disposed in the
[0035]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、堆積システム100は、蒸気源120をシールド110とともに蒸気源搬送路Pに沿って移動させるように構成された第1のドライバを含みうる。例えば、蒸気源搬送路は、基板10が配置されている堆積エリアを越えて延在しうる。蒸気源120はシールド110とともに基板10を越えて、例えば基本的に一定の速度で移動させることが可能である。例えば、シールド110と蒸気源120とを、レールに沿って案内するように構成された蒸気源支持体、例えば蒸気源カートに配置することができる。幾つかの実施形態では、第1のドライバは、蒸気源支持体をレールに沿って蒸気源搬送路Pに沿って移動させるように構成することができ、蒸気源とシールドは蒸気源支持体によって支持されうる。幾つかの実施形態では、レールに接触せずに、例えば磁気浮上システムを介して、レールに沿って蒸気源支持体を搬送することが可能である。
[0035] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the
[0036]具体的には、第1のドライバは、蒸気源搬送路Pに沿って延在するレールに沿って、蒸気源をシールドとともに直線移動させるように構成されうる。 Specifically, the first driver may be configured to linearly move the steam source with the shield along a rail extending along the steam source transport path P.
[0037]シールド110が蒸気源120とともに蒸気源搬送路Pに沿って移動可能である場合、蒸気源とシールドとの間の距離は、堆積プロセスの間、短くあるいは一定になるように維持されうる。例えば、堆積中の蒸気源とシールドとの間の最大距離は、0.5m以下、具体的に0.2m以下であってよい。
[0037] If the
[0038]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、堆積システムは更に、蒸気源120をシールド110に対して休止位置(I)へ移動させるための第2のドライバを含みうる。つまり、第1のドライバは蒸気源をシールドとともに移動させるように構成することができ、第2のドライバは蒸気源をシールドに対して移動させるように構成することができるということである。図1A及び図1Bの実施形態では、蒸気源120はシールド110に対して回転軸Aの周りを堆積位置から休止位置まで回転可能である。例えば、蒸気源は、堆積位置から休止位置まで45°以上、及び135°以下の角度、具体的には約90°の角度で回転することができる。
[0038] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the deposition system further includes a second for moving the
[0039]蒸気源の回転には、蒸気源のいずれかの種類の揺動又は旋回運動が含まれ得、この結果、一または複数の蒸気出口の蒸発方向の方向が変更される。具体的には、回転軸は蒸気源の中心で交差しうる、蒸気源の外縁で交差しうる、又は蒸気源とは全く交差しない場合がある。 [0039] The rotation of the steam source may include any type of rocking or pivoting motion of the steam source, such that the direction of evaporation of one or more steam outlets is changed. Specifically, the rotational axis may intersect at the center of the steam source, may intersect at the outer edge of the steam source, or may not intersect at all with the steam source.
[0040]本書で使用する「装置の回転」とは、第1の配向から第1の配向とは異なる第2の配向への装置の移動として理解することができる。 [0040] "Rotation of the device" as used herein can be understood as the movement of the device from a first orientation to a second orientation different from the first orientation.
[0041]更に、蒸気源を回転させることによって、例えば蒸気源が堆積エリアの方へ向けて戻るように例えば蒸気源を約90°の角度だけ回転させることによって、又は例えば蒸気源を第2の基板が配置されうる第2の堆積エリアの方へ向けて例えば約90°の角度だけ回転させることによって、休止位置から堆積位置まで移動可能であってよい。 [0041] Furthermore, by rotating the vapor source, for example by rotating the vapor source by an angle of about 90 °, for example, so that the vapor source returns towards the deposition area, or, for example, It may be movable from the rest position to the deposition position by rotating it, for example by an angle of about 90 °, towards the second deposition area where the substrate may be placed.
[0042]回転軸Aは、基本的に垂直の回転軸であってよい。蒸気源120は、休止位置と堆積位置との間で、基本的に垂直の回転軸の周りを回転可能でありうる。具体的には、蒸気源120は、それぞれ基本的に垂直の方向に延在しうる1つ、2つ、あるいはそれ以上の分配パイプを含みうる。各分配パイプの長さに沿って、すなわち基本的に垂直の方向に沿って複数の蒸気出口を配設することができる。小型で空間の節約になる堆積システムを配設することが可能である。
[0042] The rotation axis A may be an essentially vertical rotation axis. The
[0043]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、シールド110の半径方向内側の面を蒸気源の方へ向けることが可能である。具体的には、シールド110は、蒸気源の周りに部分的に延在する湾曲部を含みうる。例えば、シールドは湾曲していてよく、蒸気源の周りに部分的に延在しうる2つの側方部116を含みうる。幾つかの実施形態では、シールドの湾曲部は、蒸気源の回転軸Aの周りに部分的に延在しうる。
[0043] In some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, it is possible to direct the radially inner surface of the
[0044]蒸気シールドが湾曲しているために、シールドの遮蔽効果はシールド110が回転軸Aの周りを回転している間に改善されうる。具体的には、シールドの回転中は一又は複数の蒸気出口とシールドの表面との間の距離がほぼ一定に保たれうる。
[0044] Due to the curvature of the vapor shield, the shielding effectiveness of the shield may be improved while the
[0045]幾つかの実施形態では、シールドの少なくとも一部は、蒸気源の周り、具体的には蒸気源の回転軸Aの周りに延在する円筒面の一部として成形される。 [0045] In some embodiments, at least a portion of the shield is shaped as part of a cylindrical surface that extends around the vapor source, specifically, about the rotational axis A of the vapor source.
[0046]幾つかの実施形態では、シールド110の湾曲部は、30°以上、具体的には60°以上、より具体的には90°以上の角度で蒸気源120の周りに延在しうる。したがって、蒸気源が30°以上、具体的には60°以上、より具体的には90°以上の角度で堆積位置から休止位置まで回転したときに、蒸発材料はシールドによって基本的に継続して遮蔽されうる。真空処理チャンバの汚染を削減することができ、真空処理チャンバへの熱放射が減少しうる。
[0046] In some embodiments, the curved portion of the
[0047]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、蒸気源が休止位置にあるときの一または複数の蒸気出口とシールドとの間の距離D1は、5cm以上及び30cm以下でありうる。具体的には、距離D1は5cm以上及び10cm以下でありうる。シールド110の遮蔽効果は更に、シールドと一または複数の蒸気出口との間に短い距離を置くことによって改善されうる。更に、蒸気源の熱負荷のほとんどが休止位置におけるシールドの小さい部分に局所化されるため、もっと小型の冷却装置が使用可能である。
[0047] In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the distance D1 between the one or more steam outlets and the shield when the steam source is in the rest position is 5 cm It may be more than and 30 cm or less. Specifically, the distance D1 may be 5 cm or more and 10 cm or less. The shielding effect of the
[0048]図2は、本書に記載の実施形態に係る、堆積システムのシールド110の斜視図である。シールド110は、図1Aの実施形態のシールドと類似している可能性があり、ここでは繰り返されない上記説明を参照することができる。
[0048] Figure 2 is a perspective view of a
[0049]シールド110は、蒸気源が休止位置にあるときに蒸気源の一又は複数の蒸気出口がシールドの表面の方へ向けられるように、蒸気源に隣接して配置されうる。シールドの少なくとも一部を冷却するために、冷却装置112を配設することができる。例えば、シールドの前方部115を冷却装置112で冷却することができる。前方部115は、蒸気源が休止位置にあるときに一または複数の蒸気出口の方へ向けられるシールドの部分として理解することができる。幾つかの実施形態では、前方部115はシールド110の中心部である。
[0049] The
[0050]シールド110は湾曲していてよく、蒸気源が配置されるエリアの周りに部分的に延在しうる。具体的には、シールドは一または複数の湾曲部を含みうる。例えば、シールドは、前方部115と、前方部115の2つの対向する側において前方部115に隣接して配置された2つの側方部116とを含みうる。2つの側方部116は、蒸気源が配置されるエリアの周りで湾曲していてよい。
[0050]
[0051]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、シールド110は、シート要素、例えば金属シートとして形成された複数の遮蔽部を含みうる。例えば、シールドは、一又は複数の蒸気出口の下の位置で基本的に水平配向に延在する底部119、一又は複数の蒸気出口の上の位置で基本的に水平配向に延在する上部118、蒸気源が休止位置にあるときに一又は複数の蒸気出口の前方で基本的に垂直配向に延在しうる前方部115、前方部115の2つの対向する側において基本的に垂直配向に延在しうる2つの湾曲した側方部、及び/又は基本的に垂直配向に延在し得、シールドの側方エッジを形成する2つの外側部117のうちの一又は複数を含みうる。
[0051] In some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the
[0052]底部119は、一又は複数の蒸気出口の最下部の出口の下に配置されうる。底部119は、蒸気源が休止位置にあるときに、真空処理チャンバの基部に向かって沈んでいく蒸発材料を遮蔽しうる。底部119は、基本的に水平方向に延在しうる。幾つかの実施形態では、底部119は、シールドのシート部分の底部エッジを形成しうる。幾つかの実施形態では、底部は、蒸気源の周り、具体的には蒸気源の回転軸の周りで延在する基本的に円環形を有しうる。
[0053]上部118は、一又は複数の蒸気出口の最上部の出口の上に配置されうる。上部118は、蒸気源が休止位置にあるときに、上方向に真空処理チャンバの上方エリアの方へ向けられた蒸発材料を遮蔽しうる。上部118は、基本的に水平方向に延在しうる。幾つかの実施形態では、上部118は、シールドのシート部の上面を形成しうる。幾つかの実施形態では、上部は、上方プレートの形状を有しうる。
[0053] The
[0054]前方部115は、蒸気源が休止位置にあるときに、一又は複数の蒸気出口の前方に配置されうる。前方部115は、シールドが休止位置にあるときに、蒸発材料の主要部分を阻害しうる。したがって、幾つかの実施形態によれば、前方部115を冷却装置112で冷却することができる。例えば、冷却装置112は、前方部に隣接して配置されうる、又は前方部に組み込まれうる冷却液用の冷却チャネル113を含みうる。幾つかの実施形態では、前方部115は基本的に垂直配向に延在しうる。
[0054] The
[0055]幾つかの実施形態では、シールド110は支持フレーム111を含みうる。シールド110のシート部は、支持フレーム111に固定されうる。具体的には、支持フレーム111は、前方部、側方部及び/又は外側部のうちの少なくとも一又は複数を保持し、支持するように構成されうる。支持フレーム111は、蒸気源をシールドとともに支持し、搬送するように構成された蒸気源支持体に支持されうる。冷却チャネル113の少なくとも一部は、シールド110の支持フレーム111に沿って延在しうる。例えば、冷却チャネル113は、支持フレーム111に固定されうる、あるいは組み込まれうる。
[0055] In some embodiments, the
[0056]2つの側方部116は、前方部115の2つの対向する側において前方部115の隣に配置されうる。側方部は、蒸気源の周りで湾曲していてよい。側方部は、基本的に垂直配向に延在しうる。
[0056] Two
[0057]幾つかの実施形態では、シールド110は更に、シールド110の側部エッジを形成する2つの外側部117を含みうる。外側部117は、基本的に垂直配向に延在しうる。例えば、第1の外側部は第1の側方部の隣に配設され得、第2の外側部は、前方部の反対側の第2の側方部の隣に配設されうる。2つの外側部117は、前方部に対して角度をなして、例えば45°以上、具体的には約90°の角度で延在しうる。例えば、2つの外側部117は、堆積エリアに配置された基板に対して少なくとも部分的に基本的に平行に延在しうる。シールドの遮蔽効果は、蒸気源の回転中に改善されうる。
[0057] In some embodiments, the
[0058]シールドのシート部は、消耗品として構成されうる。つまり、一又は複数のシート部はシートに取り外し可能に装着されうる、具体的には、シールドの隣接するシート部及び/又は支持フレーム111に取り外し可能に装着されうる。例えば、シート部の表面にコーティング材料の層が形成された時などに、一又は複数のシート部を定期的に交換する、及び/又は洗浄することが有益な場合がある。例えば、幾つかの実施形態では、前方部115は、洗浄するためにシールドから前方部を取り外すことができるように、支持フレーム111に取り外し可能に固定されうる。同様に、洗浄及び/又は交換するために、側方部及び/又は外側部をシールドから接続解除することができる。したがって、例えば蒸気源支持体から支持フレーム111を接続解除することなく、シールドの別々の区分又は部分を素早く交換することが可能でありうる。システムの中断時間が削減されうる。
The seat portion of the shield may be configured as a consumable item. That is, one or more sheet portions may be removably attached to the sheet, and in particular may be removably attached to adjacent sheet portions of the shield and / or the
[0059]冷却装置112は、前方部115を冷却するため、及び/又はシールドの他のシート部を冷却するための冷却液用の一または複数の冷却ライン又は冷却チャネル113を含みうる。
The
[0060]幾つかの実施形態では、シールド110の高さは、1m以上、具体的には2m以上である。具体的には、休止位置にあるシールドによって蒸気源からの蒸発材料が遮蔽されうるように、シールド110の高さを蒸気源120の高さよりも高くすることができる。蒸気源120は、1m以上、具体的には1.5m以上の高さを有しうる。
[0060] In some embodiments, the height of the
[0061]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、シールドの幅Wは50cm以上、具体的には1m以上であってよい。幅Wは、図1A及び図1Bに示すように、水平方向、例えば堆積中の基板10の配向に対して垂直の方向のシールド110の最大寸法であってよい。
[0061] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the width W of the shield may be 50 cm or more, specifically 1 m or more. The width W may be the largest dimension of the
[0062]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、シールドの平均曲率半径は30cm以上、具体的には60cm以上であってよい。 [0062] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the average radius of curvature of the shield may be 30 cm or more, specifically 60 cm or more.
[0063]図3は、本書に記載の実施形態に係る堆積システムの一部の概略断面図である。蒸気材料15がシールド110、具体的にはシールドの前方部115の方へ向けられる休止位置にある蒸気源120を示す。シールドの温度を低く維持し得、堆積エリアへの熱放射が低減しうるように、前方部115を冷却装置によって冷却することができる。
[0063] FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a portion of a deposition system according to embodiments described herein. The
[0064]図3に概略的に示すように、2つの側方部116は前方部115の両側で前方部115の隣に配置されうる。側方部は、蒸気源120が休止位置へ移動し、また休止位置から移動している間に、蒸発材料15を遮蔽しうる。具体的には、蒸気源は回転軸の周りで休止位置へ回転することができ、シールドは、湾曲した形で回転軸の周りに延在しうる。冷却チャネルは、シールドの支持フレームに配設可能である。冷却チャネルを支持フレームに配設することによって、冷却チャネルを交換せずにシート部を交換することができる。前方部115は、冷却チャネル113の一部を含む支持フレーム111の一部に固定されうる。
[0064] As schematically shown in FIG. 3, two
[0065]図4は、本書に記載の実施形態に係る堆積装置1000の概略図である。堆積装置は、基板を配置するための少なくとも1つの堆積エリアを有する真空処理チャンバ101を含む。例えば10mbar以下の圧力等の低大気圧が真空処理チャンバ内に供給されうる。本書に記載の実施形態に係る堆積装置100は、真空処理チャンバ101内に配置される。
[0065] FIG. 4 is a schematic view of a
[0066]図4の例示の実施形態では、2つの堆積エリアが、すなわちコーティングされる基板10を配置するための第1の堆積エリア103及びコーティングされる第2の基板20を配置するための第2の堆積エリア104が真空処理チャンバ101内に配設される。更に、本書に記載のいずれかの実施形態に係る堆積装置100は、真空処理チャンバ101内に配置される。第1の堆積エリア103及び第2の堆積エリア104は、堆積装置100の対向する側に配置されうる。
[0066] In the illustrated embodiment of FIG. 4, two deposition areas, namely a
[0067]幾つかの実施形態では、堆積システム100は、蒸発材料のプルームを基板の方へ向けるための一または複数の蒸気出口を有する一または複数の分配パイプを有する蒸気源120を含む。更に、堆積システム100は、シールド110と、シールド110を冷却するための冷却装置112とを含む。蒸気源120は、図4に示す堆積位置から、一又は複数の蒸気出口がシールド110の方へ向けられる休止位置へ移動可能である。堆積位置では、一又は複数の蒸気出口は、第1の堆積エリア又は第2の堆積エリアの方へ向けられる。
[0067] In some embodiments, the
[0068]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、蒸気源120は第1の堆積エリア103を越えて移動可能であり、第1の堆積エリア103と第2の堆積エリア104との間で回転可能であり、第2の堆積エリア104を越えて移動可能である。休止位置は、第1の堆積エリア103と第2の堆積エリア104との間の、蒸気源120の中間の回転位置でありうる。具体的には、蒸気源は約90°だけ、例えば図4に示す(第1の)堆積位置から休止位置へ時計回りに回転させることができる。蒸気源は同じ方向に約90°だけ、例えば休止位置から第2の基板20が配置されうる第2の堆積エリア104の方へ蒸発材料を向けるための第2の堆積位置へ時計回りに回転させることができる。あるいは、蒸気源は、例えば休止位置から(第1の)堆積位置へ反時計回りに戻るように回転させることができる。
[0068] In some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the
[0069]蒸気源120は、線形経路でありうる蒸気源搬送路Pに沿って移動可能であってよい。具体的には、第1の堆積エリア103を越えて及び/又は第2の堆積エリア104を越えて蒸気源搬送路Pに沿ってシールド110とともに蒸気源120を移動させるために、第1のドライバが配設されうる。
[0069] The
[0070]幾つかの実施形態では、シールド110と蒸気源120は、例えば真空処理チャンバ101内の蒸気源レール131に沿って移動可能な蒸気源カート等の蒸気源支持体128上に支持されうる。蒸気源120とシールド110とを担持する蒸気源支持体128の例を、図6に示す。蒸気源支持体128は、例えば磁気浮上システムを介して、蒸気源レール131に沿って非接触的に駆動されうる。
[0070] In some embodiments, the
[0071]図6の断面図に更に詳細に示すように、蒸気源120は、基本的に垂直方向に延在しうる1つ、2つ、又はそれ以上の分配パイプ122を含みうる。1つ、2つ、又はそれ以上の分配パイプ122の各分配パイプは、材料を蒸発するために構成されたるつぼ126と流体接続していてよい。更に、1つ、2つ、又はそれ以上の分配パイプの各分配パイプは、例えば1つ、2つ、又はそれ以上の分配パイプ122の長さに沿って配置されたノズル等の複数の蒸気出口125を含みうる。例えば、10個、20個、又はそれ以上の蒸発出口が、例えば基本的に垂直方向に、分配パイプの長さに沿って配設されうる。シールド110は、蒸気源の1つ、2つ、又はそれ以上の分配パイプの周りに少なくとも部分的に延在しうる。例えば、シールドは、1つ、2つ、又はそれ以上の分配パイプ122を45°以上、具体的には60°以上、より具体的には90°以上の角度で囲みうる。幾つかの実施形態では、水平断面内で蒸気出口から伝搬する蒸気材料のプルームの開口角は、30°と60°の間、具体的には約45°であってよい。
[0071] As shown in more detail in the cross-sectional view of FIG. 6, the
[0072]図6に、複数の蒸気出口125がシールド110の方へ向けられる休止位置にある堆積システムを示す。シールド110の表面は、冷却装置112で冷却され得る。蒸気源120の方へ向けられる、また蒸気エリアの方へ向けられる熱放射が低減しうる。
[0072] FIG. 6 shows the deposition system in a rest position where the plurality of
[0073]図4に更に詳細に示すように、堆積装置1000は、第1の堆積エリア103に配置された基板10と第2の堆積エリア104に配置された第2の基板20を連続的にコーティングするように構成されうる。蒸気源120が堆積エリア間を移動すると、蒸気源120は、一または複数の蒸気出口が冷却シールドの方へ向けられる休止位置に停止しうる。例えば、蒸気源120は、基板又はマスクの点検修理、保守、洗浄、待機、位置合わせのうちの少なくとも1つのために停止しうる。あるいは、蒸気源は休止位置で停止することなく、堆積エリア間を継続的に移動する。
[0073] As shown in more detail in FIG. 4, the
[0074]堆積装置1000は、一又は複数の基板にマスクを使って堆積させるように構成されうる。マスク11は基板10の前方の第1の堆積エリア103に配置されうる、及び/又は第2のマスク21は第2の基板20の前方の第2の堆積エリア104に配置されうる。
[0074] The
[0075]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、図4に示すように、遮蔽装置12はマスク11の周囲に、例えば蒸気源搬送路Pの方向にマスク11の2つの対向する側に隣接して配置されうる。幾つかの実施形態では、遮蔽装置12はフレームのようにマスク11を囲みうる。遮蔽装置は、マスク11を保持するマスクキャリアに取り付けられうる複数の遮蔽ユニットからなっていてよい。例えば、遮蔽装置12は、例えば洗浄等のために簡単に素早く交換可能であるように、マスクの周囲に取り外し可能に取り付けることができる。
[0075] In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, as shown in FIG. 4, the shielding
[0076]遮蔽装置12は、一又は複数の蒸気出口からマスク11の周囲の方へ向けられる蒸発材料を遮蔽するように構成されうる。マスクキャリアのコーティング及び/又は真空処理チャンバ101の壁のコーティングが低減しうる、又は回避されうる。例えば、基板10に堆積させた後、蒸気材料は、基板10に対して基本的に平行に延在し得且つ蒸気源搬送路Pに沿ってマスク11に隣接して配置されうる遮蔽装置12の方へ向けられうる。図4に示す堆積位置では、蒸発材料は遮蔽装置12の方へ向けられる。その後、蒸気源120は休止位置の方へ向かって回転し得、蒸発材料はシールド110の方へ向けられうる。洗浄労力が削減されうる。
[0077]幾つかの実施形態では、遮蔽装置12は第1の堆積エリア103においてマスク11の隣に配置され、第2の遮蔽装置22は第2の堆積エリア104において第2のマスク21の隣に配置される。例えば、第2の遮蔽装置22は、第2のマスク21の周囲に配置され、第2のマスク21の周囲の方へ向けられる蒸発材料を遮蔽するように構成される。具体的には、遮蔽装置12は、第1の堆積エリア103においてマスク11の周囲の方へ向けられる蒸発材料を遮蔽するために第1の堆積エリア103に配置され得、第2の遮蔽装置22は、第2の堆積エリア104においてマスク21の周囲へ向けられる蒸発材料を遮蔽するために第2の堆積エリア104に配置されうる。蒸気源が堆積エリア間を移動する間、シールド110により蒸発材料が遮蔽されうる。
[0077] In some embodiments, the shielding
[0078]幾つかの実施形態では、遮蔽装置12とシールド110との間の最低距離は10cm以下、具体的には5cm以下、より具体的には2cm以下であってよい、及び/又は第2の遮蔽装置22とシールド110との間の最低距離は、10cm以下、具体的には5cm以下、より具体的には2cm以下であってよい。シールドと遮蔽装置との間の遷移においてシールドと遮蔽装置の遮蔽面を越える振りかけコーティングが削減されうる、又は回避されうる。具体的には、シールドは、マスク11と第2のマスク21との間の真空処理チャンバ101の幅の50%を上回って、具体的には80%を上回って延在しうる。
[0078] In some embodiments, the minimum distance between the shielding
[0079]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、堆積位置から休止位置へ蒸気源が移動している間の、蒸気源120とシールド110との間の最低距離は、5cm以下、具体的には1cm以下である。つまり、蒸気源120とシールド110は、蒸気源が休止位置へ回転する間、互いに近づきうる。
[0079] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, between the
[0080]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、基板に堆積している間の、一又は複数の蒸気出口と基板との間の距離は、30cm以下、具体的には20cm以下、より具体的には15cm以下であってよい。蒸気出口と基板との間の距離が短いと、堆積している間にマスク11のエッジ領域において蒸発材料がわずかに侵入することになる。したがって、マスクと基板に達する蒸発プルームの面積は小さくてよいため、更に小型の遮蔽装置を配設することが可能である。更に、堆積品質が向上し得る。
[0080] In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the distance between the one or more vapor outlets and the substrate during deposition on the substrate is 30 cm or less Specifically, it may be 20 cm or less, more specifically 15 cm or less. If the distance between the vapor outlet and the substrate is short, evaporation material will penetrate slightly in the edge area of the
[0081]図5に、本書に記載の実施形態に係る、堆積システムを操作する方法の(a)から(f)の段階を示す。堆積システムは、図4の堆積システムに対応する可能性があり、ここでは繰り返されない以上の説明を参照することができる。 [0081] FIG. 5 illustrates stages (a) to (f) of a method of operating a deposition system according to embodiments described herein. The deposition system may correspond to the deposition system of FIG. 4 and reference may be made to the above description which is not repeated here.
[0082]図5の段階(a)では、蒸気源120は、蒸気源120の一または複数の蒸気出口125が第1の堆積エリアの方へ向けられる第1の堆積位置にある。蒸気源120が蒸気源搬送路Pに沿って基板10を越えてシールド110とともに移動している間に、マスク11を通して基板10に材料パターンが堆積される。
[0082] In step (a) of Figure 5, the
[0083]基板10に堆積させた後に、蒸発材料は、マスクの周囲に配置された遮蔽装置12の方へ向けられる。遮蔽装置は、簡単に交換及び/又は洗浄できる取り外し可能な構成要素であってよい。遮蔽装置12によって、マスクキャリアのコーティング及び/又は真空処理チャンバ101の壁のコーティングが削減されうる又は回避されうる。遮蔽装置12は、マスク11を保持し搬送するように構成されたマスクキャリアに取り付けられた遮蔽ユニットを備えうる。
After being deposited on the
[0084]図5の段階(b)では、蒸気源120は、例えば約90°の角度だけ時計回りに、一又は複数の蒸気出口125がシールド110の方へ向けられる休止位置(I)へ回転する。幾つかの実施形態では、蒸気源120は、所定の期間の間、休止位置にとどまりうる。例えば、蒸気源を洗浄するために、休止位置で蒸気源を少なくとも局所的に加熱することができる。
[0084] In step (b) of FIG. 5, the
[0085]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な幾つかの実施形態では、一または複数の蒸気出口125から伝搬する蒸発材料のプルームを成形するためのシェーパシールド123を一又は複数の蒸気出口125の前方に配置することができる。例えば、シェーパシールド123は、蒸気源120の一または複数の分配パイプに取り付けられ得、蒸発プルームを成形するための開孔が配設されうる。堆積している間、蒸発材料の一部は、シェーパシールド123によって阻害され、シェーパシールド123に付着しうる。蒸気源の休止位置(I)において、シェーパシールド123から付着した材料の少なくとも一部を取り除くためにシェーパシールド123を少なくとも局所的に加熱することによって、シェーパシールド123を洗浄することができる。加熱している間にシェーパシールド123から取り除かれた材料は、冷却されたシールド110の方へ伝搬し、その上に凝結する。例えば、幾つかの実施形態では、シェーパシールド123を加熱するためのヒータがシェーパシールドに取り付けられうる、あるいはシェーパシールドに組み込まれうる。ヒータは、熱電ヒータであってよい。
[0085] In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, one or more shaper shields 123 for shaping a plume of evaporation material propagating from one or
[0086]幾つかの実施形態では、蒸気源120は、10秒以上、具体的には20秒以上の間、休止位置にとどまりうる。例えば、蒸気源120は、洗浄のために蒸気源を局所的に加熱する、基板を位置合わせする、マスクを位置合わせする、基板を位置づけする、マスクを位置づけする、コーティングされた基板の真空処理チャンバからの搬送、コーティングされていない基板の真空処理チャンバへの搬送、堆積プロセスの循環頻度と同期させるための待機、蒸気源の停止又は電源切断のうちの少なくとも1つのために、休止位置(I)にとどまりうる。
[0086] In some embodiments, the
[0087]図5の段階(c)において、蒸気源120は、休止位置から第2の堆積位置の方へ、例えば約90°の角度だけ時計回りで回転する。第2の堆積位置において、蒸気源の一または複数の蒸気出口125は、第1の堆積エリアに対向して配置されうる第2の堆積エリアの方へ向けられる。コーティングされる第2の基板20は、第2の堆積エリアに配置されうる。第2のマスク21は、第2の基板20の前方に配置されうる。第2の遮蔽装置22は、第2のマスク21の周囲に配設されうる。第2の遮蔽装置22は、第2のマスク21の周囲の方へ向けられる蒸発材料を遮蔽するように構成されうる。第2の遮蔽装置22は、第2のマスク21を保持する及び搬送するように構成されたマスクキャリアに取り付けられる遮蔽ユニットを備えうる。
[0087] In step (c) of FIG. 5, the
[0088]図5の段階(d)において、蒸気源120は、材料パターンが第2の基板20に堆積される間に、シールド110とともに蒸気源搬送路Pに沿って移動する。第2の遮蔽装置22は、一又は複数の蒸気出口から第2のマスク21の周囲の方へ向けられる蒸発材料を遮蔽する。第2の基板20がコーティングされている間、別の基板が第1の堆積エリアに搬送され、マスク11に対して位置合わせされうる。
At step (d) of FIG. 5, the
[0089]図5の段階(e)において、蒸気源120は、休止位置(I)へ、シールド110に対して例えば約90°の角度だけ反時計回りに回転する。蒸気源が休止位置へ移動している間、シールド110の外側部は、一または複数の蒸気出口から第2のマスク21の方へ及び/又は第2の基板20の方へ向けられる蒸発材料を遮蔽しうる。つまり、シールドにより、蒸気源が回転している間、すでにコーティングされている第2の基板20及び/又は第2のマスク21に蒸発材料が達するのを防ぐことができる。
[0089] In step (e) of FIG. 5, the
[0090]蒸気源120は、例えば蒸気源を局所的に洗浄するために休止位置に停止しうる。あるいは、蒸気源120は、休止位置に停止せずに第1の堆積エリアの方へ回転しうる。休止位置はいつでも必要な時、例えば堆積プロセスを一時停止するため等に、蒸気源の停止位置として使用されうる。
[0090] The
[0091]図5の段階(f)において、蒸気源は休止位置から第1の堆積エリアの方へ、例えば約90°の角度だけ反時計回りに回転する。蒸発材料は、マスク11の周囲に配置され、マスク11を保持するマスクキャリアの汚染を防止する遮蔽装置12の方へ向けられうる。
[0091] In step (f) of FIG. 5, the vapor source rotates counterclockwise from the rest position towards the first deposition area, for example by an angle of about 90 °. The evaporation material can be arranged around the
[0092]その後、蒸気源120は、蒸気源搬送路に沿って第1の堆積エリアを越えて図5の段階(a)に示す位置の方へ移動しうる。
[0092] Thereafter, the
[0093]本書に記載の別の態様によれば、堆積システムを操作する方法が記載されている。堆積システムは、本書に記載のいずれかの実施形態による堆積システムであってよい。具体的には、堆積システムは、一又は複数の蒸気出口を有する蒸気源を含み、蒸気源は休止位置へ移動可能である。 [0093] According to another aspect described herein, a method of operating a deposition system is described. The deposition system may be a deposition system according to any of the embodiments described herein. Specifically, the deposition system includes a vapor source having one or more vapor outlets, the vapor source being movable to a rest position.
[0094]図7は、堆積システムを操作する方法を概略的に示すフロー図である。ボックス710において、蒸気材料は、蒸気源の一または複数の蒸気出口から基板の方へ向けられる。蒸気源は、蒸気源の一または複数の蒸気出口が堆積エリアの方へ向けられる堆積位置に配設されうる。マスクの開口パターンに対応する材料パターンが基板に堆積されうるように、蒸気源と基板との間にマスクが配置されうる。
[0094] FIG. 7 is a flow diagram that schematically illustrates a method of operating a deposition system. At
[0095]ボックス720において、蒸気源は、一または複数の蒸気出口からの蒸発材料が冷却されたシールドの方へ向けられる休止位置へ移動する。
[0095] At
[0096]ボックス730において、蒸気源は、休止位置から堆積位置へ戻るように移動する、あるいは、一又は複数の蒸気出口が別の堆積エリアの方へ向けられる別の堆積位置へ移動する。
[0096] At
[0097]ボックス720において、蒸気源が休止位置にあるときに、冷却されたシールドの方へ向けられた蒸気源の一部が加熱されうる。例えば、蒸気源は、休止位置で蒸気源を局所的に洗浄するために局所的に加熱される。一または複数の蒸気出口の前方に配置されたシェーパシールドを洗浄することができる。
[0097] At
[0098]蒸気源を休止位置へ移動することは、蒸気源を堆積位置から回転軸の周りで具体的には約90°の角度だけ回転させることを含むことができ、一又は複数の蒸気出口からの蒸発材料はその後、マスク及びシールドの周囲に配設された遮蔽装置によって遮蔽される。 [0098] Moving the vapor source to the rest position can include rotating the vapor source from the deposition position, specifically about an angle of about 90 °, around the rotation axis, and the one or more vapor outlets The evaporation material from is then shielded by a shielding device arranged around the mask and the shield.
[0099]遮蔽装置は、マスクを保持し、搬送するように構成されたマスクキャリアに固定されうる。遮蔽装置は、例えばフレームのようにマスクの隣に、及び/又はマスクを囲んで配設された複数の遮蔽ユニットを含みうる。 [0099] The shielding device may be secured to a mask carrier configured to hold and transport the mask. The shielding device may, for example, comprise a plurality of shielding units arranged next to the mask, such as a frame, and / or surrounding the mask.
[00100]蒸気源が休止位置へ回転する間は、最初蒸発材料はシールドの外側部によって遮蔽されうる。次に、蒸発材料はシールドの側方部によって遮蔽されうる。最後に、蒸発材料はシールドの冷却された前方部によって遮蔽されうる。休止位置において、一又は複数の蒸気出口はシールドの前方部の方へ向けられうる。 [00100] Initially, the evaporation material may be shielded by the outer portion of the shield while the vapor source is rotating to the rest position. The evaporation material can then be shielded by the sides of the shield. Finally, the evaporation material can be shielded by the cooled front of the shield. In the rest position, one or more steam outlets may be directed towards the front of the shield.
[00101]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。 [00101] While the above description is directed to embodiments of the present disclosure, other embodiments and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope of the present disclosure, and the present disclosure The scope of is determined by the following claims.
Claims (15)
一又は複数の蒸気出口(125)を有し、堆積位置(II)と休止位置(I)との間で移動可能である蒸気源(120)と、
シールド(110)と、
前記シールドを冷却するように位置づけされた冷却装置(112)
とを備え、
前記一又は複数の蒸気出口(125)が前記休止位置(I)にある前記シールド(110)の方へ向けられる堆積システム。 Deposition system (100),
A vapor source (120) having one or more vapor outlets (125) and movable between a deposition position (II) and a rest position (I);
With the shield (110)
A cooling device (112) positioned to cool the shield
Equipped with
The one or deposition system that is directed towards the shield (110) a plurality of steam outlets (125) is in the rest position (I).
を更に備える、請求項1に記載の堆積システム。 A first driver for moving the vapor source (120) along the transport path (P) with the shield (110); and the rest position (110) relative to the shield (110) further comprising at least one <br/> of the second driver for moving the I), deposition system according to claim 1.
・前記一又は複数の蒸気出口の下の位置で基本的に水平配向に延在する底部(119)、
・前記一又は複数の蒸気出口の上の位置で基本的に水平配向に延在する上部(118)、
・前記蒸気源が休止位置にあるときに、前記一又は複数の蒸気出口の前方で基本的に垂直配向に延在する前方部(115)、
・前記前方部の2つの対向する側において基本的に垂直配向に延在する2つの湾曲した側方部(116)、及び
・基本的に垂直配向に延在し、前記シールドのエッジを形成する2つの外側部(117)
の一又は複数を備える、請求項1から6のいずれか一項に記載の堆積システム。 Said shield (110) is
A bottom (119) extending in an essentially horizontal orientation at a position below the one or more steam outlets,
An upper portion (118) extending in an essentially horizontal orientation at a position above the one or more steam outlets,
A forward portion (115) extending in essentially vertical orientation in front of the one or more steam outlets when the steam source is in the rest position;
Two curved side portions (116) extending in essentially vertical orientation on two opposite sides of the front portion, and extending in essentially vertical orientation to form the edge of the shield Two outer parts (117)
One or a plurality, deposition system according to any one of claims 1 to 6.
堆積位置(II)と前記休止位置(I)の間を前記蒸気源(120)が移動している間の前記蒸気源(120)と前記シールド(110)との間の最低距離は、5cm以下である、請求項1から8のいずれか一項に記載の堆積システム。 The distance (D1) between the one or more steam outlets (125) and the shield when the steam source (120) is in the rest position (I) is between about 5 cm and about 30 cm ; And / or
The minimum distance between the vapor source (120) and the shield (110) while the vapor source (120) is moving between the deposition position (II) and the rest position (I) is less than 5 cm in it, the deposition system according to any one of claims 1 to 8.
基板(10)を配置するための第1の堆積エリア(103)と、第2の基板(20)を配置するための第2の堆積エリア(104)とを有する真空処理チャンバ(101)と、
前記真空処理チャンバ(101)内に配置された請求項1から11のいずれか一項に記載の堆積システムと
を備え、
前記堆積システムの前記蒸気源(120)は、前記第1の堆積エリア(103)を越えて移動可能であり、前記第1の堆積エリアと前記第2の堆積エリアとの間で回転可能であり、前記第2の堆積エリア(104)を越えて移動可能である、装置。 Deposition device (1000),
A vacuum processing chamber (101) having a first deposition area (103) for placing a substrate (10) and a second deposition area (104) for placing a second substrate (20);
A deposition system according to any one of the preceding claims, disposed in the vacuum processing chamber (101).
The vapor source (120) of the deposition system is movable beyond the first deposition area (103) and is rotatable between the first deposition area and the second deposition area. An apparatus movable across the second deposition area (104).
蒸気源(120)の一または複数の蒸気出口からの蒸発材料を基板(10)の方へ向けることと、
前記一または複数の蒸気出口からの蒸発材料が冷却されたシールド(110)の方へ向けられる休止位置(I)に前記蒸気源を移動させることと
を含む方法。 A method of operating a deposition system according to any one of the preceding claims, comprising
Directing evaporation material from one or more vapor outlets of the vapor source (120) towards the substrate (10);
Moving the vapor source to a rest position (I) where evaporation material from the one or more vapor outlets is directed towards a cooled shield (110).
を更に含む、請求項13に記載の方法。 When the steam source (120) is in the rest position (I), further comprising heating a portion of the vapor source, method of claim 1 3.
・マスク(11)の周囲に配設された遮蔽装置(12);
・前記シールドの外側部(117);及び前記シールドの冷却された前方部(115)
によってその後遮蔽される、請求項13又は14に記載の方法。 Moving the vapor source (120) to the rest position (I) comprises rotating the vapor source from a deposition position about a rotational axis (A), evaporation from the one or more vapor outlets Materials are: shielding devices (12) arranged around the mask (11);
- the outer portion of said shield (117); and cooled front portion of said shield (115)
Subsequently shielded by A method according to claim 1 3 or 14.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EPPCT/EP2017/056381 | 2017-03-17 | ||
EP2017056381 | 2017-03-17 | ||
PCT/EP2017/058829 WO2018166637A1 (en) | 2017-03-17 | 2017-04-12 | Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019512043A JP2019512043A (en) | 2019-05-09 |
JP6549314B2 true JP6549314B2 (en) | 2019-07-24 |
Family
ID=58537018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018512124A Active JP6549314B2 (en) | 2017-03-17 | 2017-04-12 | Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200224305A1 (en) |
JP (1) | JP6549314B2 (en) |
KR (1) | KR102158652B1 (en) |
CN (1) | CN108966659B (en) |
TW (1) | TWI664303B (en) |
WO (1) | WO2018166637A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109652773B (en) * | 2019-02-25 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Prevent subassembly and evaporation equipment |
WO2021052592A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of operating an evaporation source, evaporation system, and shield handling apparatus |
WO2021052595A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of operating an evaporation source, evaporation system, and shield handling apparatus |
JP7439253B2 (en) * | 2019-10-28 | 2024-02-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Idle Shield, Deposition Apparatus, Deposition System, and Methods of Assembling and Operating |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080006523A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Akihiro Hosokawa | Cooled pvd shield |
CN201214679Y (en) * | 2006-06-26 | 2009-04-01 | 应用材料股份有限公司 | Physical vapor deposition apparatus and related protecting cover member |
JP2008223102A (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
JP2014132101A (en) * | 2011-04-11 | 2014-07-17 | Tokyo Electron Ltd | Film deposition apparatus and film deposition method |
KR101920333B1 (en) * | 2013-12-10 | 2018-11-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Evaporation source for organic material, deposition apparatus for depositing organic material in a vacuum chamber, and method for evaporating an organic material |
CN106133184B (en) * | 2014-03-21 | 2020-03-17 | 应用材料公司 | Evaporation source for organic material |
-
2017
- 2017-04-12 WO PCT/EP2017/058829 patent/WO2018166637A1/en active Application Filing
- 2017-04-12 KR KR1020187008246A patent/KR102158652B1/en active IP Right Grant
- 2017-04-12 US US15/754,920 patent/US20200224305A1/en not_active Abandoned
- 2017-04-12 CN CN201780007161.5A patent/CN108966659B/en active Active
- 2017-04-12 JP JP2018512124A patent/JP6549314B2/en active Active
-
2018
- 2018-03-14 TW TW107108724A patent/TWI664303B/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108966659B (en) | 2021-01-15 |
TW201900908A (en) | 2019-01-01 |
US20200224305A1 (en) | 2020-07-16 |
KR20180115665A (en) | 2018-10-23 |
JP2019512043A (en) | 2019-05-09 |
TWI664303B (en) | 2019-07-01 |
WO2018166637A1 (en) | 2018-09-20 |
KR102158652B1 (en) | 2020-09-22 |
CN108966659A (en) | 2018-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6815390B2 (en) | How to operate the depositor, how to deposit the evaporated source material on the substrate, and the depositor | |
JP6549314B2 (en) | Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system | |
JP6941564B2 (en) | Evaporation source for depositing evaporated material and method for depositing evaporated material | |
JP6633185B2 (en) | Material deposition apparatus, vacuum deposition system and method therefor | |
TWI625876B (en) | Linear distribution pipe, a material deposition arrangement and a vacuum deposition apparatus using the same, and a method therefor | |
TW201625358A (en) | Crucible, a evaporation assembly having the same and a method using the same for evaporation purposes | |
WO2019063061A1 (en) | Material deposition arrangement, vacuum deposition system and methods therefor | |
JP7439253B2 (en) | Idle Shield, Deposition Apparatus, Deposition System, and Methods of Assembling and Operating | |
CN211814626U (en) | Tile for a protective cover, protective cover and deposition apparatus | |
JP2020023750A (en) | Methods of operating deposition apparatus, method of depositing evaporated source material on substrate, and deposition apparatus | |
TW201828368A (en) | Apparatus for deposition of a material on a substrate, system for depositing one or more layers on a substrate, and method for monitoring a vacuum deposition system | |
KR20230021169A (en) | Method of cooling a deposition source, chamber for cooling a deposition source and deposition system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180511 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6549314 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |