JP6339954B2 - 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット - Google Patents
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Description
本発明の他の一形態によれば洗浄薬液供給方法が提供される。この洗浄薬液供給方法は、洗浄薬液を基板洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給方法であって、第1薬液の流量を制御する工程と、希釈水の流量を制御する工程と、前記第1薬液と前記希釈水とを第1混合部に供給して、前記第1薬液と前記希釈水とを混合させる工程と、前記希釈水と前記第1薬液とを混合して得られた第1洗浄薬液を前記基板洗浄装置に供給する第1供給工程と、第2薬液の流量を制御する工程と、前記希釈水の供給先を、前記第1混合部から第2混合部へ切り替える工程と、前記第2薬液と前記希釈水を前記第2混合部に供給して、前記第2薬液と前記希釈水とを混合させる工程と、前記希釈水と混合して得られた第2洗浄薬液を前記基板洗浄装置に供給する第2供給工程と、を有する。
以下、本発明の第1実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る薬液供給装置を示す概略正面図である。本実施形態の薬液供給装置は、例えばアルカリ性の薬液である第1薬液と例えば酸性の薬液である第2薬液を、CMP装置が有する洗浄装置に供給可能に構成される。図1に示すように、第1実施形態に係る薬液供給装置100は、ケース101と、DIWCLCボックス110(希釈水制御部)と、第1薬液CLCボックス120(第1薬液制御部)と、第2薬液CLCボックス130(第2薬液制御部)と、を有する。DIWCLCボックス110は、DIW(希釈水)の供給を制御する。第1薬液CLCボックス120は、第1薬液の供給を制御する。第2薬液CLCボックス130は、第2薬液の供給を制御する。
図2は、本発明の第1実施形態に係る薬液供給装置100の薬液供給フロー図である。
成する。第1薬液CLCボックス120は、第1薬液供給源20から第1インライン混合器72に供給される第1薬液の流量を制御する。第2薬液CLCボックス130は、第2薬液供給源30から第2インライン混合器73に供給される第2薬液の流量を制御する。DIWCLCボックス110は、DIW供給源10から第1インライン混合器72又は第2インライン混合器73に供給されるDIWの流量を制御する。
第1薬液入口バルブ51と、配管91内の流体圧力を計測する圧力計52を備えている。第1薬液入口バルブ51は、例えば図示しない制御装置により開閉制御される。
第1洗浄薬液を洗浄装置200の薬液洗浄部220に供給するときは、まず、薬液ユーティリティボックス50の第1薬液入口バルブ51が開く。第1薬液CLCボックス120のCLC121で第1薬液の流量が調節され、第1薬液供給源20から第1インライン混合器72に所定流量の第1薬液が供給される。
2を開けることで、DIWCLCボックス110から第1インライン混合器72にDIWが供給される。このとき、第2DIW供給バルブ113を閉じておく。
Wの流量を制御することで、第1薬液及び第2薬液の希釈比率の変更に柔軟に対応することができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る薬液供給装置について説明する。図3は、本発明の第2実施形態に係る薬液供給装置100の薬液供給フロー図である。なお、第2実施形態に係る薬液供給装置100は、図1に示した薬液供給装置100と同様であるので、説明を省略する。
洗浄装置200は、研磨装置で研磨された半導体基板等の洗浄対象物をDIWを用いて洗浄するDIW洗浄部210aと、研磨装置で研磨された半導体基板等の洗浄対象物を希釈された薬液(洗浄薬液)を用いて洗浄する薬液洗浄部220aとを有する。DIW洗浄部210aは、DIW洗浄部210と同様に、例えば超音波水洗浄部やその他のDIW洗浄部等から構成される。薬液洗浄部220aは、薬液洗浄部220と同様に、例えばロール型洗浄部等から構成される。このDIW洗浄部210aと薬液洗浄部220aは、同一の洗浄槽230a内で共存する。
供給源30から第2インライン混合器73aに供給される第2薬液の流量を制御するように構成される。DIWCLCボックス110は、DIW供給源10aから第1インライン混合器72a又は第2インライン混合器73aに供給されるDIWの流量を制御するように構成される。
51aは、例えば図示しない制御装置により開閉制御され、配管91aに第1薬液を供給する。
様であるので説明を省略し、薬液洗浄部220aに第1洗浄薬液又は第2洗浄薬液を供給するプロセスについて説明する。
れず、第1洗浄薬液のみが供給される。
次に、本発明の第3実施形態に係る洗浄ユニットについて説明する。図4は、第3実施形態に係る洗浄ユニットが有する薬液供給装置を示す概略側面図である。薬液供給装置は、例えばフッ酸やアンモニアなどの薬液を、CMP装置の各部を洗浄するための洗浄装置に供給可能に構成される。
図5は、第3実施形態に係る洗浄ユニットが有する洗浄装置を示す概略斜視図である。洗浄装置は、図4に示した薬液供給装置100から供給された洗浄薬液を用いて、半導体基板及びCMP装置の各部を洗浄するための装置である。
置200の仕様に応じてこれらの数は適宜変更される。
薬液供給ボックス240は、薬液洗浄部220に供給する洗浄薬液の流量を測定するためのフローメータを有する(図6参照)。このフローメータとしては、従来は流体の差圧から流量を測定するオリフィス流量計が用いられていた。しかしながら、近年では、洗浄薬液の流量を測定することができる超音波流量計が開発されている。超音波流量計は、オリフィス流量計に比べて流量の測定範囲が広いので、本実施形態では、薬液供給ボックス240が有するフローメータとして、超音波流量計を採用している。
3b(薬液流量制御部混合部の一例に相当する)と、を備える。インライン混合器115は、薬液とDIWとを混合して洗浄薬液を生成する。DIWCLC111bは、DIW供給源10からインライン混合器115に供給されるDIWの流量を調節する。薬液CLC113bは、薬液供給源40からインライン混合器115に供給される薬液の流量を調節する。インライン混合器115は、生成した洗浄薬液を薬液洗浄部220に供給するように構成される。
の角度を有する方向も含む。言い換えれば、「鉛直方向」は、フローメータ225,227,229を通過する気泡が留まらずに上方へ移動することができる程度に、フローメータ225,227,229を通過する洗浄薬液の流れ方向が、鉛直方向に対して多少の角度を有する場合も含む。
61,61a…第2薬液入口バルブ
72,72a…第1インライン混合器
73,73a…第2インライン混合器
110…DIWCLCボックス
120…第1薬液CLCボックス
130…第2薬液CLCボックス
100…薬液供給装置
111b…DIWCLC
113b…薬液CLC
115…混合器
200…洗浄装置
225,227,229…フローメータ
231a,232a,233a…ノズル
Claims (12)
- 洗浄薬液を基板洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給装置であって、
第1薬液と希釈水とを混合して得られた第1洗浄薬液を、第1配管を介して前記基板洗浄装置に供給するための第1混合部と、
第2薬液と希釈水とを混合して得られた第2洗浄薬液を、第2配管を介して前記基板洗浄装置に供給するための第2混合部と、
前記第1配管内の前記第1薬液の流量に基づいて、前記第1混合部に供給される前記第1薬液の流量をフィードバック制御するための第1薬液制御部と、
前記第2配管内の前記第2薬液の流量に基づいて、前記第2混合部に供給される前記第2薬液の流量をフィードバック制御するための第2薬液制御部と、
前記第1混合部又は前記第2混合部に供給される前記希釈水の流量を制御するための希釈水制御部と、
前記希釈水の供給先を前記第1混合部から前記第2混合部へ、又は前記第2混合部から前記第1混合部へ切り替えるための希釈水供給切替部と、を有する、洗浄薬液供給装置。 - 前記第1薬液制御部は、前記第2洗浄薬液が前記基板洗浄装置に供給されている間、前記第1薬液の供給を停止するように構成され、
前記第2薬液制御部は、前記第1洗浄薬液が前記基板洗浄装置に供給されている間、前記第2薬液の供給を停止するように構成される、請求項1に記載された洗浄薬液供給装置。 - 前記希釈水供給切替部は、前記第1薬液制御部が前記第1薬液を前記第1混合部に供給している間前記希釈水を第1混合部へ供給し、前記第2薬液制御部が前記第2薬液を前記第2混合部に供給している間、前記希釈水を第2混合部へ供給するように構成される、請求項1又は2に記載された洗浄薬液供給装置。
- 前記第1薬液制御部に第1薬液を供給する第1薬液供給源と、
前記第2薬液制御部に第2薬液を供給する第2薬液供給源と、
前記第1薬液供給源と前記第1薬液制御部とを接続する管路上に設けられた第1薬液入口バルブと、
前記第2薬液供給源と前記第2薬液制御部とを接続する管路上に設けられた第2薬液入口バルブと、を有する、請求項1ないし3のいずれか一項に記載された洗浄薬液供給装置。 - 前記第1薬液及び前記第2薬液のうち、一方はアルカリ性の薬液であり、他方は酸性の薬液である、請求項1ないし4のいずれか一項に記載された洗浄薬液供給装置。
- 洗浄薬液を基板洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給方法であって、
第1薬液の流量を制御する工程と、
希釈水の流量を制御する工程と、
前記第1薬液と前記希釈水とを第1混合部に供給して、前記第1薬液と前記希釈水とを混合させる工程と、
前記希釈水と前記第1薬液とを混合して得られた第1洗浄薬液を前記基板洗浄装置に供給する第1供給工程と、
前記第1混合部に供給される前記第1薬液の流量に基づいて前記第1混合部に供給される前記第1薬液の流量をフィードバック制御する工程と、
第2薬液の流量を制御する工程と、
前記希釈水の供給先を、前記第1混合部から第2混合部へ切り替える工程と、
前記第2薬液と前記希釈水を前記第2混合部に供給して、前記第2薬液と前記希釈水とを混合させる工程と、
前記希釈水と混合して得られた第2洗浄薬液を前記基板洗浄装置に供給する第2供給工程と、
前記第1混合部に供給される前記第2薬液の流量に基づいて前記第2混合部に供給される前記第2薬液の流量をフィードバック制御する工程と、
を有する、洗浄薬液供給方法。 - 前記第1供給工程は、前記第2供給工程で前記第2洗浄薬液が前記基板洗浄装置に供給されている間、前記第1洗浄薬液の供給を停止する工程を有し、
前記第2供給工程は、前記第1供給工程で前記第1洗浄薬液が前記基板洗浄装置に供給されている間、前記第2洗浄薬液の供給を停止する工程を有する、請求項6に記載された洗浄薬液供給方法。 - 前記第1薬液及び前記第2薬液のうち、一方はアルカリ性の薬液であり、他方は酸性の薬液である、請求項6又は7に記載された洗浄薬液供給方法。
- 基板を洗浄する基板洗浄装置と、前記基板洗浄装置に洗浄薬液を供給する請求項1に記載された洗浄薬液供給装置とを有する洗浄ユニットであって、
前記基板洗浄装置は、
前記基板に洗浄薬液を供給するためのノズルと、
前記基板に供給される前記洗浄薬液の流量を測定する第1超音波流量計と、を有し、
前記第1超音波流量計は、前記ノズルの位置よりも低い位置に配置される、洗浄ユニット。 - 請求項9に記載された洗浄ユニットにおいて、
前記第1超音波流量計を通過する洗浄薬液の流れ方向が鉛直方向を向くように、前記第1超音波流量計が構成される、洗浄ユニット。 - 請求項9又は10に記載された洗浄ユニットにおいて、
前記洗浄薬液供給装置は、
薬液と希釈水とを混合して得られた洗浄薬液を前記基板洗浄装置に供給するための混合部と、
前記薬液の流量を制御して、前記混合部に前記薬液を供給する薬液流量制御部と、
前記希釈水の流量を制御して、前記混合部に前記希釈水を供給する希釈水流量制御部と、を有し、
前記薬液流量制御部及び前記希釈水流量制御部は、それぞれ第2超音波流量計及び第3超音波流量計を有し、
前記第2超音波流量計及び前記第3超音波流量計は、前記ノズルの位置よりも低い位置に配置される、洗浄ユニット。 - 請求項11に記載された洗浄ユニットにおいて、
前記第2超音波流量計を流れる希釈水の流れ方向と前記第3超音波流量計を通過する薬液の流れ方向とが、鉛直方向を向くように、前記第2超音波流量計及び前記第3超音波流量計が配置される、洗浄ユニット。
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