[go: up one dir, main page]

JP6303592B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6303592B2
JP6303592B2 JP2014034336A JP2014034336A JP6303592B2 JP 6303592 B2 JP6303592 B2 JP 6303592B2 JP 2014034336 A JP2014034336 A JP 2014034336A JP 2014034336 A JP2014034336 A JP 2014034336A JP 6303592 B2 JP6303592 B2 JP 6303592B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
substrate
support pins
recess
turntable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014034336A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015159248A (ja
Inventor
立花　光博
光博 立花
裕二 高畠
裕二 高畠
学 本間
学 本間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014034336A priority Critical patent/JP6303592B2/ja
Priority to TW104105482A priority patent/TWI600790B/zh
Priority to US14/628,661 priority patent/US20150240357A1/en
Priority to KR1020150025789A priority patent/KR101867133B1/ko
Priority to CN201510087374.6A priority patent/CN104862668B/zh
Publication of JP2015159248A publication Critical patent/JP2015159248A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6303592B2 publication Critical patent/JP6303592B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、真空容器内に設けられた回転テーブル上の基板にガスを供給して処理を行う基板処理装置に関する。
半導体ウエハなどの基板（以下「ウエハ」と言う）にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの薄膜を成膜する手法として、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）を行う成膜装置が知られている。この成膜装置では、その内部が排気されて真空雰囲気とされる処理容器内に水平な回転テーブルが設けられ、当該回転テーブルにはその周方向に、ウエハが収納される凹部が複数設けられている。回転テーブルの間欠的な回転と、前記凹部の底面上を昇降する昇降ピンの動作とによって、順番に凹部にウエハが受け渡される。
ウエハの受け渡し後は、前記回転テーブルが回転しながら、当該回転テーブルに対向する複数のガスノズルからガスが供給される。前記ガスノズルとしては、例えば前記シリコン酸化膜を形成するために処理ガスを供給して処理雰囲気を形成するものと、回転テーブル上で各処理雰囲気を分離する分離ガスを供給するものと、が交互に配置される。このような成膜装置は、例えば特許文献１に記載されている。
特開２０１１−１５１３８７
ウエハの膜質を向上させるために、上記の成膜装置による処理時のウエハの温度を従来の温度よりも高く、アニールが行われる６００℃以上にすることが検討されている。このように処理を行う場合、上記の凹部へのウエハの受け渡し後、速やかに成膜処理を開始するために、ウエハの受け渡し時における回転テーブルの温度も例えば６００℃以上にされる。
しかし、そのような高温にされた前記凹部の底面上にウエハが載置されると、当該ウエハに反りが発生することが確認された。これは、前記底面上に載置してから所定の時間内においてウエハ全体の面積に対して当該ウエハへ流れる熱量が大きい、即ちウエハへの熱流束が大きいことにより、ウエハの面内の各部の温度が、比較的大きな差を持った状態で上昇することによるものと発明者は考えている。反りの発生後、さらにウエハの温度が上昇すると、前記凹部の底面と前記ウエハとが熱平衡状態となり、ウエハの面内の熱伝導により当該面内の温度勾配（温度差）が緩和され、ウエハの反りが解消される。
上記のようにウエハが反った状態では、当該ウエハが前記凹部の側壁の上端よりも上方に突出した状態となる場合がある。この状態で回転テーブルを回転させると、当該ウエハが後述の分離領域を構成する真空容器の天井部に干渉してしまうおそれがある。また、反りによってウエハの周縁部が凹部の側壁上に突出した状態で、前記回転テーブルが回転すると、遠心力によって当該周縁部が前記側壁上に乗り上げ、ウエハが前記凹部から脱離してしまうおそれがある。また、ウエハの下面が下方に突出するようにウエハが反ることによって、当該ウエハの下面と前記凹部の底面との接触面積が小さくなると、前記回転テーブルの回転時に発生する遠心力及び慣性力によって凹部内のウエハの位置が回転方向にずれてしまうことも懸念される。このようなウエハの反りは、ウエハへの熱流束が大きいこと以外にも、前記回転テーブルを加熱するヒーターの特性に起因して、ウエハの受け渡し時に前記凹部の底面内にて温度分布が形成される結果、ウエハの面内に温度勾配が形成されることによっても生じるおそれがある。
このような事情から、一の凹部へウエハを受け渡した後、ウエハの反りが緩和されるまで前記回転テーブルの回転を行うことができないため、成膜装置の生産性の向上を図ることが難しかった。前記特許文献１には、前記凹部の底面に基板を支持する突起を設けることについて記載されているが、上記のようにウエハを高温で処理することについて生じる問題については検討されていない。
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、真空雰囲気を形成して基板にガスを供給して処理を行う基板処理装置において、回転テーブルに受け渡された基板が反ることを防ぎ、それによって装置のスループットを高くすることができる技術を提供することである。
本発明の基板処理装置は、真空容器内にて回転テーブル上に載置した円形の基板を公転させながら、当該基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
前記基板を収納するために前記回転テーブルの一面側に形成され、その底面に当該回転テーブルを一面側から他面側に向けて貫通する複数の貫通孔が開口した凹部と、
前記回転テーブルの一面側において前記公転による基板の移動領域に対向して設けられた前記処理ガスの供給部と、
前記基板を６００℃以上に加熱して処理するために、前記回転テーブルを加熱する加熱部と、
前記凹部の底面において正三角形の頂点に各々位置し、基板の中心から当該基板の半径の２／３離れた箇所を各々支持して、前記基板を、当該凹部の底面から浮いた状態で支持するために設けられた３つの支持ピンと、
前記回転テーブルの上方に前記基板を搬送する基板搬送機構と前記凹部との間で当該基板を受け渡すために、その上端が当該回転テーブルよりも下方の位置と、当該回転テーブルよりも上方の位置との間を前記貫通孔を各々通過して昇降し、且つ当該基板を各々支持する複数の昇降部材と、
前記加熱部により前記回転テーブルが６００℃以上に加熱された状態で、前記基板を支持する前記複数の昇降部材が下降し、当該基板が前記昇降部材から前記凹部に受け渡されて前記各支持ピンに支持されるように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、３つの支持ピンにより基板が凹部の底面から浮いた状態で支持され、このときに支持ピンの配置によって、基板の自重による変形が抑えられる。これによって基板への伝熱速度が抑えられると共に、凹部の底面と、基板との距離が、基板の面内でばらつくことが抑えられる。結果として、基板がその面内で均一性高く加熱される。また、本発明の他の発明によれば、回転テーブルにおいて基板が載置される凹部の底面を構成する底面形成部は、当該底面の外側を構成するテーブル本体よりも熱の伝導性が高い材質を主成分として構成される。それによって、前記底面内での温度の均一性が高くなり、基板がその面内で均一性高く加熱される。また、本発明のさらに他の発明によれば、回転テーブルの凹部の底面から基板への伝熱速度が抑えられるように、基板の一面全体の面積に対して基板を支持する支持ピンが当該一面に接触する面積が規定される。これらの本発明の構成によって、基板の面内に温度差が形成されて反りが生じることを抑え、基板が凹部２１上へ突出することを抑えることができる。従って、一つの凹部へ基板受け渡し後、速やかに次の凹部に後続の基板を移載したり、速やかに基板に処理を開始することができるため、装置のスループットを向上させることができる。
本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の縦断面側図である。 上記の成膜装置の内部の概略構成を示す斜視図である。 前記成膜装置の横断平面図である。 前記成膜装置の回転テーブルの凹部の平面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 比較例の回転テーブルの縦断側面図である。 比較例の回転テーブルの縦断側面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 前記成膜装置の真空容器の周方向に沿った縦断側面図である。 前記成膜装置の真空容器の周方向に沿った縦断側面図である。 前記成膜装置の真空容器の周方向に沿った縦断側面図である。 成膜処理中のガスの流れを示す説明図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 比較例の回転テーブルの縦断側面図である。 比較例の回転テーブルの縦断側面図である。 第２の実施形態に係る回転テーブルの凹部の平面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 第２の実施形態の変形例に係る回転テーブルの縦断側面図である。 第３の実施形態に係る回転テーブルの凹部の平面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 前記回転テーブルの縦断側面図である。 第３の実施形態の変形例に係る回転テーブルの凹部の平面図である。 第１の実施形態の第１の変形例に係る前記凹部の平面図である。 第１の実施形態の第２の変形例に係る前記凹部の平面図である。 第１の実施形態の第３の変形例に係る前記凹部の平面図である。 第１の実施形態の第４の変形例に係る前記凹部の平面図である。
（第１の実施形態）
本発明の基板処理装置の一実施形態であり、例えばシリコンからなる基板であるウエハＷにＡＬＤを行う成膜装置１について図１〜図３を参照しながら説明する。図１は成膜装置１の縦断側面図であり、図２は成膜装置１の内部を示す概略斜視図であり、図３は成膜装置１の横断平面図である。成膜装置１は、概ね円形状の扁平な真空容器（処理容器）１１と、真空容器１１内に設けられた円板状の水平な回転テーブル２と、を備えている。真空容器１１は、天板１２と、真空容器１１の側壁及び底部をなす容器本体１３とにより構成されている。図１中１４は、容器本体１３の下側中央部を塞ぐカバーである。
回転テーブル２は石英により構成されており、回転駆動機構１５に接続され、当該回転駆動機構１５により、その中心軸周りに周方向に回転する。回転テーブル２の表面側（一面側）には、前記回転方向に沿って５つの円形の凹部２１が形成されている。この凹部２１内にウエハＷが収納される。ウエハＷはその直径が３００ｍｍの円形に構成される。凹部２１の径は、前記ウエハＷの径よりも若干大きく形成され、凹部２１の側壁は、ウエハＷの外形に沿って形成されている。回転テーブル２の回転により凹部２１内のウエハＷが前記回転テーブル２の中心軸周りに公転する。凹部２１の構成については、後に詳述する。
真空容器１１の側壁には、ウエハＷの搬送口１６が開口しており、ゲートバルブ１７により開閉自在に構成されている。搬送口１６を介して成膜装置１の外部のウエハ搬送機構１８が、真空容器１１内に進入することができる。ウエハ搬送機構１８は、搬送口１６に臨む凹部２１にウエハＷを受け渡す。
回転テーブル２上には、夫々回転テーブル２の外周から中心へ向かって伸びる棒状の第１の反応ガスノズル３１、分離ガスノズル３２、第２の反応ガスノズル３３及び分離ガスノズル３４が、この順で周方向に配設されている。これらのガスノズル３１〜３４は下方に開口部３５を備え、回転テーブル２の径に沿って夫々ガスを供給する。第１の反応ガスノズル３１はＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）ガスを、第２の反応ガスノズル３３はＯ3（オゾン）ガスを夫々吐出する。分離ガスノズル３２、３４はＮ2（窒素）ガスを吐出する。
前記真空容器１１の天板１２は、下方に突出する扇状の２つの突状部４１を備え、突状部４１は周方向に間隔をおいて形成されている。前記分離ガスノズル３２、３４は、夫々突状部４１にめり込むと共に、当該突状部４１を周方向に分割するように設けられている。前記第１の反応ガスノズル３１及び第２の反応ガスノズル３３は、各突状部４１から離れて設けられている。第１の反応ガスノズル３１の下方のガス供給領域を第１の処理領域Ｐ１、第２の反応ガスノズル３３の下方のガス供給領域を第２の処理領域Ｐ２とする。突状部４１、４１の下方は、分離ガスノズル３２、３４からのＮ2（窒素）ガスが供給される分離領域Ｄ、Ｄとして構成されている。
真空容器１１の底面において、回転テーブル２の径方向外側にはリングプレート３６が設けられ、このリングプレート３６には、回転テーブル２の回転方向に間隔をおいて、排気口３７、３７が開口している。各排気口３７には、排気管３８の一端が接続され、各排気管３８の他端は合流し、排気量調整機構３９を介して真空ポンプにより構成される排気機構３０に接続される。排気量調整機構３９により各排気口３７からの排気量が調整され、それによって真空容器１１内の圧力が調整される。
回転テーブル２の中心部領域Ｃ上の空間には、ガス供給管４３によりＮ2ガスが供給されるように構成されている。当該Ｎ2ガスは、天板１２の中央部下方にリング状に突出したリング状突出部４２の下方の流路を介して、回転テーブル２の径方向外側にパージガスとして流れる。リング状突出部４２の下面は、前記分離領域Ｄを形成する突状部４１の下面に連続するように構成されている。
図１中４４は、成膜処理中に回転テーブル２の下方へパージガスとしてＮ2ガスを供給するための供給管である。また、真空容器１１の底部にはリング状に空間４５が形成され、当該空間には、回転テーブル２の回転方向に沿って平面視同心円状に複数のヒーター４６が設けられている。図１中４７は、空間４５の上側を塞ぐプレートであり、後述の昇降ピン５３が通過する貫通孔４８が設けられている。ヒーター４６の輻射熱でプレート４７が加熱され、さらにそのプレート４７からの輻射熱で回転テーブル２が加熱されることにより、ウエハＷが加熱される。図１中４９は、成膜処理中に前記空間４５にＮ2ガスをパージガスとして供給するための供給管である。
真空容器１１の容器本体１３の底部には、前記プレート４７の貫通孔４８に重なるように、当該底部を上下方向に貫通する３つの貫通孔５１が穿設されている（便宜上、図１では２つのみ表示）。容器本体１３の下方側から貫通孔５１を塞ぐように、有底の筒状体５２が設けられており、当該筒状体５２内には、３本の昇降ピン５３が設けられている。これらの昇降ピン５３は各々前記貫通孔５１に進入するように設けられると共に、筒状体５２の外側に設けられる駆動機構５４に接続され、当該駆動機構５４により昇降自在に構成されている。
続いて、回転テーブル２の凹部２１の構成について、その平面図である図４も参照しながら説明する。凹部２１の底面２２には３つの貫通孔２３が設けられており、前記昇降ピン５３は、この貫通孔２３を介して回転テーブル２の上方を昇降することができる。凹部２１の底面２２の周縁部には、リング状に溝２４が形成されている。溝２４は、ウエハＷの周端部がウエハＷの中央部よりも下方に向かうように当該ウエハＷが反ったときに、前記周端部と凹部２１の底面２２とが擦れることを防ぐ役割を有するが、当該溝２４を設けずに凹部２１を構成してもよい。
底面２２には、３つの支持ピン２５が設けられている。支持ピン２５は円柱形に構成され、例えば石英により構成されている。図４に示す支持ピン２５の径Ｌ１は例えば１０ｍｍである。また、図１に示す支持ピン２５の高さＨ１は、例えば０．６ｍｍである。図４中、点Ｐは底面２２の中心であり、ウエハＷの中心は当該点Ｐに重なるように底面２２上に受け渡される。図中Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３は、各支持ピン２５の上面の中心点を示している。これら点Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３は、前記点Ｐを中心とする円（図４中２点鎖線で表示）の円周上に、この順で位置しており、当該２点鎖線の円の直径Ｌ２は２００ｍｍである。また、線分ＰＱ１と線分ＰＱ２とのなす角θ１、線分ＰＱ２と線分ＰＱ３とのなす角θ２、及び線分ＰＱ２と線分ＰＱ３とのなす角θ３は、互いに１２０°である。このように、ウエハＷが支持ピン２５により支持される各位置は、ウエハＷの中心からウエハＷの半径の２／３離れており、また、図４に示すように各支持ピン２５は正三角形の頂点に位置するように設けられている。
ところで、本発明は直径が４５０ｍｍであるウエハＷ（以降、４５０ｍｍウエハＷと記載）にも適用することができる。この４５０ｍｍウエハＷを支持する場合にも、その中心からウエハＷの半径の２／３離れた点、即ちウエハＷの中心から１５０ｍｍ離れた点を支持することができるように、支持ピン２５が配置される。そして、直径が３００ｍｍのウエハＷ（以降、３００ｍｍウエハＷと記載）を支持する場合と同様、底面２２において正三角形の頂点に位置するように各支持ピン２５が配置される。
ただし、装置の製造誤差や、基板の直径の誤差などが発生することが避けられないので、既述の凹部２１の底面２２において正三角形の頂点となり、且つ基板の中心から当該基板の半径の２／３離れた箇所を各々支持する位置から、支持ピン２５の位置が、１ｍｍずれていても本発明の権利範囲に含まれる。具体的に例えば、３００ｍｍウエハＷを支持する場合、３００ｍｍウエハＷの径方向に見た場合、上記の説明では支持ピン２５は、ウエハＷの中心から１００ｍｍ離れた位置を支持するものとして説明したが、ウエハＷの中心から９９〜１０１ｍｍ離れた位置を支持するように設けた場合にも本発明の権利範囲に含まれる。径方向だけではなく、ウエハＷの周方向における支持位置が１ｍｍずれた場合も本発明の権利範囲であるので上記のθ１〜θ３も正確に１２０°であることには限られない。
図５に示すように、これらの支持ピン２５により、ウエハＷは底面２２から浮いて支持され、それによって当該底面２２からウエハＷへの伝熱速度、即ち熱流束が抑えられる。詳しく説明すると、ウエハＷの受け渡し時に回転テーブル２はヒーター４６により加熱されている。支持ピン２５が設けられないとした場合、凹部２１の底面２２にウエハＷが直接接触する。つまり、ウエハＷの下面の全体ないしは略全体が回転テーブル２に接触するので、ウエハＷと回転テーブル２との接触面積は比較的大きい。従って、回転テーブル２からウエハＷの伝熱速度が大きい。そして、このように底面２２に載置されたウエハＷは、例えば当該底面２２内に形成されている温度分布の影響を受けて、その面内の各部に温度差が形成された状態で急速に伝熱される。結果として、ウエハＷの面内の各部間での前記温度差が緩和されないまま、ウエハＷが急速に温度上昇し、背景技術の項目で説明したようにウエハＷに反りが発生する。
しかし、前記支持ピン２５を設けることでウエハＷの下面の回転テーブル２との接触面積は、３つの支持ピン２５の上面の面積の合計となるので小さく抑えられ、それによって回転テーブル２からウエハＷへの伝熱速度が抑えられる。支持ピン２５からウエハＷへの伝熱された熱は、ウエハＷの面内に拡散する。回転テーブル２からのウエハＷへの伝熱速度が抑えられているので、ウエハＷの面内に十分に熱が拡散され、ウエハＷの面内の各部における温度勾配が緩和されながら、当該ウエハＷの面内における各部の温度が上昇していく。このように、ウエハＷの面内で温度勾配が形成されることが抑えられながら、ウエハＷが加熱されるので、ウエハＷにおける反りの発生、または反りが大きくなることが抑えられる。
ところで、各支持ピン２５を既述の位置に配置するのは、ウエハＷが支持ピン２５に受け渡されたときに、当該ウエハＷの自重による撓みを抑え、平板ないしは略平板となるように当該ウエハＷを底面２２上に載置することを目的とする。説明の便宜上、比較例として図６、図７を示す。図６では各支持ピン２５を、図４、図５に示した位置よりも凹部２１の中心Ｐから離れた位置に配置し、そのように配置された支持ピン２５に、ウエハＷが支持された状態を示している。当該ウエハＷは自重により、その中央部が周縁部よりも低くなるように、撓んだ状態で支持されている。図７では、各支持ピン２５を、図４に示した位置よりも凹部２１の中心Ｐに近い位置に配置し、そのように配置された支持ピン２５にウエハＷが支持された状態を示している。当該ウエハＷは自重により、その中央部が周縁部よりも高くなるように、撓んだ状態で支持されている。
図６、図７の支持ピン２５の配置ではウエハＷの撓みが大きく、ウエハＷの面内の各部と前記底面２２との距離の均一性が低い。それによってウエハＷの面内の各部が前記底面２２から受ける輻射熱の熱量の均一性が低く、ウエハＷの面内に温度差が形成されやすい。また、図６、図７に示した状態よりも撓みが大きくなるようにウエハＷが支持され、ウエハＷの一部が底面２２に接触すると、当該箇所は熱伝導により急速に温度が上昇するため、ウエハＷの面内の各部における温度差がさらに大きくなってしまう。
しかし図４、図５の支持ピン２５の配置では、図６、図７の支持ピン２５の配置に比べて前記撓みを抑えて載置することでき、それによって、ウエハＷの面内で底面２２から受ける輻射熱の均一性が高く、また、底面２２へのウエハＷの接触も防ぐことができる。従って、ウエハＷの面内の各部における温度差を抑えることができ、ウエハＷが反る、あるいは反りが大きくなることを防ぐことができる。また、図４、図５のように撓みを抑えて支持すれば、ウエハＷが反った場合においても、ウエハＷの凹部２１の上方へ突出する高さを抑えることができるが、この点については後述する。
支持ピン２５の高さＨ１（図１参照）は、上記の値に限られず、底面２２からの輻射熱により効率良くウエハＷを加熱し、且つ凹部２１からのウエハＷの突出を防ぐために、例えば０．０１ｍｍ〜１ｍｍに設定される。また、支持ピン２５の径Ｌ１（図４参照）についても上記の値に限られず、回転テーブル２の回転中にウエハＷが凹部２１から脱離しないようにウエハＷとの間に十分な摩擦力が得られ、且つウエハＷへの伝熱を有効に抑えることができる範囲で設定することができ、具体的には例えば５〜２０ｍｍとされる。
図２、図３に戻って、成膜装置１の他の各部について説明する。図中５５はクリーニングガスノズルであり、このクリーニングガスノズル５５は、その先端から回転テーブル２上に、例えばＣｌＦ3（三フッ化塩素）などのフッ素系ガスであるクリーニングガスを吐出する。フッ素系ガスは、フッ素またはフッ素化合物を主成分として含むガスである。吐出されたクリーニングガスは、回転テーブル２の周縁部から中心部へ向けて供給され、回転テーブル２に成膜された酸化シリコンを除去する。
図１に示すように、この成膜装置１には、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１０が設けられている。この制御部１０には、後述のように、搬送機構１８と回転テーブル２との間でのウエハＷの受け渡し、ウエハＷへの成膜処理及びクリーニング処理を実行するプログラムが格納されている。前記プログラムは、成膜装置１の各部に制御信号を送信して、各部の動作を制御する。
具体的には、図示しないガス供給源から各ガスノズル３１〜３４、ガスノズル５５、中心部領域Ｃなどへの各ガスの給断、回転駆動機構１５による回転テーブル２の回転速度の制御、排気量調整機構３９による各排気口３７、３７からの排気量の調整、駆動機構５４による昇降ピン５３の昇降、ヒーター４６への電力供給などの各動作が制御される。前記プログラムにおいては、これらの動作を制御して、後述の各処理が実行されるようにステップ群が組まれている。当該プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体から制御部１０内にインストールされる。
続いて、ウエハ搬送機構１８から回転テーブル２へのウエハＷの受け渡しについて、図８〜図１３を参照しながら説明する。図８〜図１０は回転テーブル２の径方向における縦断側面を示し、図１１〜図１３は回転テーブル２の周方向に沿った真空容器１１の縦断側面を示している。先ず、真空容器１１内は、排気口３７、３７により排気され、所定の圧力の真空雰囲気とされる。中心部領域Ｃ及び分離ガスノズル３２、３４からは、真空容器１１内の雰囲気がこれら中心部領域Ｃ、ガスノズル３２、３４に流入することを防ぐために、ごく少量のＮ２ガスが供給されている。
前記真空雰囲気下で、ヒーター４６により回転テーブル２が６００℃以上、例えば７２０℃に加熱されており、回転テーブル２の一の凹部２１が、その貫通孔２３と、回転テーブル２の下方のプレート４７の貫通孔４８とが重なるように位置している。当該凹部２１の位置を搬送口１６に臨む位置と表記する。このような状態でゲートバルブ１７が開放され、ウエハＷ（１枚目のウエハＷ）を保持したウエハ搬送機構１８が搬送口１６から真空容器１１内に進入し、前記凹部２１上に位置する（図８）。
昇降ピン５３が上昇してウエハＷの下面を搬送機構１８から突き上げると（図９）、ウエハ搬送機構１８は、次に真空容器１１内に搬送するウエハＷ（２枚目のウエハＷ）を受け取るために真空容器１１から退避する。昇降ピン５３が下降し、ウエハＷは昇降ピン５３上にてその自重により撓んだ状態で支持されながら、凹部２１の底面２２へ向けて下降し、図４で説明したようにウエハＷの中心点と、凹部２１の中心Ｐとが重なるように支持ピン２５に受け渡される（図１０）。昇降ピン５３はさらに下降して、ウエハＷの下面から離れ、プレート４７の下方で静止する。ウエハＷは、支持ピン２５により、図５で説明したように自重による撓みが抑えられ、平板となった状態で支持される。図１１においても、このように支持ピン２５に支持されたウエハＷを示している。
支持されたウエハＷは、支持ピン２５からの熱伝導及び凹部２１の底面２２からの輻射熱により加熱される。既述のように、支持ピン２５とウエハＷとの接触面積が小さいため、ウエハＷへの熱流束が抑えられ、ウエハＷの面内に温度勾配、つまり温度差が形成されることが抑えられる。それによって、ウエハＷに反りが発生することが抑えられながら、当該ウエハＷが昇温される。
前記昇降ピン５３の静止後、回転テーブル２が回転し、前記１枚目のウエハＷが受け渡された凹部２１の隣の凹部２１が、搬送口１６に臨む位置に向けて移動する。この回転テーブル２の回転中、前記１枚目のウエハＷは反りの発生が抑えられているため、凹部２１内に収まっている。即ち、当該ウエハＷの凹部２１の上方への突出が抑えられている。従って、当該１枚目のウエハＷは、回転テーブル２の上面に形成されている排気流の圧力を受け難い。そのため、回転テーブル２の回転による遠心力が作用しても、この１枚目のウエハＷに加わる力は小さく抑えられ、当該１枚目のウエハＷの凹部２１内での位置ずれや、凹部２１からの脱離が防がれる。
前記隣の凹部２１が搬送口１６に臨む位置に位置すると、回転テーブル２の回転が停止し、２枚目のウエハＷが１枚目のウエハＷと同じくこの凹部２１に受け渡されて、加熱される（図１２）。続いて、３枚目のウエハＷの受け渡しを行うために、回転テーブル２が回転し、２枚目のウエハＷが搬送された凹部２１の隣の凹部２１が、前記搬送口１６に臨む位置に移動する。この回転中も、反りが抑えられているため、１枚目のウエハＷ及び２枚目のウエハＷの位置ずれや凹部２１からの脱離が防がれる。また、この回転中において、昇温中の１枚目のウエハＷは、分離領域Ｄを形成する突状部４１及び分離ガスノズル３４の下方を通過する（図１１）。上記のように反りが抑えられ、凹部２１の上方へと突出していないため、当該１枚目のウエハＷは、突状部４１及び分離ガスノズル３４に干渉することなく、移動することができる。
３枚目のウエハＷも１枚目、２枚目のウエハＷと同様に凹部２１に受け渡されて、加熱される。その後も回転テーブル２の回転及び停止が繰り返し行われ、４枚目、５枚目のウエハＷが凹部２１に受け渡される。そして、この受け渡し動作中、回転テーブル２が回転するときに各凹部２１に受け渡されたウエハＷは、各々反りが抑えられているため、各突状部４１、分離ガスノズル３２、３４及び反応ガスノズル３１、３３へ干渉すること無く、移動しながら加熱される。また、凹部２１内での位置ずれ、凹部２１からの脱離も抑えられる。
５枚目のウエハＷの凹部２１への受け渡し後、ゲートバルブ１７が閉じられる。然る後、停止していた回転テーブル２が回転し、全てのウエハＷの温度が回転テーブル２の温度、例えば７２０℃になるように上昇する。そして、５枚目のウエハＷの受け渡しから所定の時間が経過すると、分離ガスノズル３２、３４及び中心部領域ＣへのＮ2ガスの供給量が上昇し、これら各部からのＮ2ガスの吐出量が上昇する。また、このＮ2ガスの吐出量の増大に並行して、第１の反応ガスノズル３１、第２の反応ガスノズル３３から夫々反応ガスが供給され、成膜処理が開始される。
ウエハＷは第１の反応ガスノズル３１の下方の第１の処理領域Ｐ１と第２の反応ガスノズル３３の下方の第２の処理領域Ｐ２とを交互に通過し、ウエハＷにＢＴＢＡＳガスが吸着し、次いでＯ３ガスが吸着してＢＴＢＡＳ分子が酸化されて酸化シリコンの分子層が１層あるいは複数層形成される。こうして酸化シリコンの分子層が順次積層されて、所定の膜厚のシリコン酸化膜が成膜される。また、酸化シリコン膜は、このように形成されながら６００℃以上に加熱されていることによりアニールされ、酸化シリコンの分子配列の歪みが解消される。
図１４では矢印で真空容器１１内のガスの流れを示している。分離ガスノズル３２、３４から前記分離領域Ｄに供給されたＮ2ガスが、当該分離領域Ｄを周方向に広がり、回転テーブル２上でＢＴＢＡＳガスとＯ3ガスとが混合されることを防ぐ。また、中心部領域Ｃに供給されたＮ2ガスが回転テーブル２の径方向外側に供給され、前記中心部領域ＣでのＢＴＢＡＳガスとＯ3ガスとの混合が防がれる。また、この成膜処理中には、ガス供給管４４、４９（図１参照）により、ヒーター収納空間４５及び回転テーブル２の裏面側にもＮ2ガスが供給され、反応ガスがパージされる。
所定の回数、回転テーブル２が回転して所定の膜厚のシリコン酸化膜が形成されると、各ガスノズル３１〜３４からの各ガスの供給、中心部領域ＣへのＮ2ガスの供給流量が低下する。回転テーブル２の回転が停止し、ゲートバルブ１７が開放される。ゲートバルブ１７が開放され、回転テーブル２の間欠的な回転と昇降ピンの昇降動作とにより、ウエハＷが順次搬送機構１８に受け渡されて真空容器１１の外に搬出される。全てのウエハＷが搬出されると、ゲートバルブ１７が閉じられる。
然る後、回転テーブル２が再度連続的に回転し、クリーニングガスノズル５５から回転テーブル２上にクリーニングガスが供給されてクリーニング処理が開始される。回転テーブル２に供給されたクリーニングガスは、回転テーブル２に成膜された酸化シリコンを分解し、この分解物と共に排気口３７へと吸引され、所定の回数、回転テーブル２が回転したら、クリーニングガスの供給が停止すると共に、回転テーブル２の回転が停止して、クリーニング処理が終了する。その後は再び真空容器１１内にウエハＷが搬送され、成膜処理が行われる。
ところで、既述した各図では、支持ピン２５上に受け渡されたときにウエハＷに反りが発生していないように示したが、若干の反りが発生する場合もある。図１５では、上記のように支持ピン２５にウエハＷが受け渡されたときに、ウエハＷの周縁部の高さが、中央部の高さよりも高くなるように当該ウエハＷが反った例を示している。このようにウエハＷが反っても、ウエハＷの昇温中にウエハＷの面内での伝熱が進行して当該面内での温度勾配が緩和されると、次第に反りが解消され、図５で示したように当該ウエハＷが平板状に戻る。
図１６では、支持ピン２５へ受け渡されたときにウエハＷが、図１５で示したように反る代わりに、その中央部の高さが、周縁部の高さよりも高くなるように反った例を示している。このようにウエハＷが反っても、上記のように温度勾配が緩和されると、図５で示したように当該ウエハＷが平板状に戻る。
ところで、比較例として挙げた図６の支持ピン２５により支持されたウエハＷが、前記図１５のウエハＷと同様に反った例を図１７に示している。上記のように図６のウエハＷは、支持ピン２５が凹部２１の中心Ｐから比較的大きく離れていることにより、周縁部の高さが高くなるように撓んで支持されているため、図１５のウエハＷと同様の反り量で反ったとしても、回転テーブル２の表面からウエハＷの上端までの高さが、より大きくなってしまう。つまり、図１５、図１７中に夫々示す前記ウエハＷの上端までの高さＨ１１、Ｈ１３については、Ｈ１１＜Ｈ１３となる。
また、比較例として挙げた図７の支持ピン２５により支持されたウエハＷが、前記図１６のウエハＷと同様に反った例を図１８に示している。上記のように図７のウエハＷは、支持ピン２５と凹部２１の中心Ｐとの距離が比較的近いことにより、中央部の高さが高くなるように撓んで支持されているため、図１６のウエハＷと同様の反り量で反っても、図１８に示すように回転テーブル２の表面からウエハＷの上端までの高さが大きくなってしまう。つまり、図１６、図１８中に夫々示す前記ウエハＷの上端までの高さＨ１２、Ｈ１４については、Ｈ１２＜Ｈ１４となる。
このように支持ピン２５を図４で説明したように配置することで、ウエハＷに反りが発生しても、凹部２１の側壁の上端からのウエハＷの突出量を抑えることができる。ウエハＷに反りが形成されていても、この突出量が抑えられていれば、回転テーブル２の回転中、気流の影響を受けにくいので、ウエハＷの位置ずれが起こり難く、またウエハＷが分離領域Ｄの突状部４１や各ノズル３１〜３４に干渉することも無い。つまり、ウエハＷに反りが発生していても、上記のウエハＷの移載や成膜処理を行うための回転テーブル２の回転を行うことができる。
この成膜装置１によれば、回転テーブル２の凹部２１の底面２２上に設けられた、支持ピン２５によってウエハＷが、その自重による撓みが抑えられた状態で支持されて加熱される。それによって、底面２２からウエハＷへの伝熱速度が抑えられると共に、ウエハＷの面内各部において底面２２から受ける輻射熱のばらつきが抑えられることにより、ウエハＷに反りが発生することが抑えられる。また、撓みが抑えられて支持されることで、反りが発生した場合の凹部２１上へのウエハＷの突出が抑えられる。従って、一の凹部２１にウエハＷが受け渡された後、次の凹部２１にウエハＷを受け渡すために早いタイミングで回転テーブル２を回転させることができるので、成膜装置１の各凹部２１に速やかにウエハＷを載置することができる。また、回転テーブル２を回転させた状態で最後に回転テーブル２に受け渡される５枚目のウエハＷが設定温度に達するのを待つことができ、設定温度に達した後は、公転する各ウエハＷに速やかに反応ガスを供給して成膜処理を行うことができる。つまり、設定温度に達して５枚目のウエハＷの反りが解消されてから回転テーブル２の回転を開始するよりも、反応ガスを吐出して成膜処理を開始するタイミングを早くすることができる。このようにウエハＷの載置に要する時間を短縮化すると共に、成膜処理の開始のタイミングの早期化を図ることができるため、成膜装置１のスループットを高くすることができる。また、ウエハＷの下面（裏面）と支持ピン２５との接触面積は比較的小さいので、当該下面が擦られることが抑えられため、パーティクルの発生の低減化を図ることができる。
ウエハＷの面内の温度分布を調整したり、ウエハＷの下面と凹部２１に対する摩擦力を高めて、より確実にウエハＷの脱離を防ぐために、支持ピン２５に加えて、当該支持ピン２５と同様に構成された支持ピン（便宜上、補助用支持ピンとする）を、凹部２１の底面２２に配置してもよい。つまり、３つの支持ピン２５と、前記補助用支持ピンとによりウエハＷが底面２２上に支持されるようにしてもよい。補助用支持ピンは１つであってもよいし、複数であってもよい。また、支持ピン２５としては、ウエハＷへの伝熱速度とウエハＷの撓みとが抑えられる構成であればよいため、その形状としては円柱形であることには限られず、例えば角柱形であってもよい。
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、回転テーブル２の構成について、第１の実施形態と異なっている。第２の実施形態の回転テーブル２は、テーブル本体６１と、底面形成部６２とにより構成される。この第２の実施形態の回転テーブル２の上面、縦断側面を、図１９、図２０に夫々示している。テーブル本体６１の上面に設けられる凹部の底部上に、扁平な円形に構成された前記底面形成部６２が設けられることで、上記のウエハＷの載置領域をなす凹部２１が構成されている。つまり、底面形成部６２の上面が凹部２１の底面２２を形成し、底面形成部６２の外周が凹部２１の溝２４を構成している。
テーブル本体６１は、石英により構成されている。底面形成部６２は、炭化シリコン（ＳｉＣ）を主成分として構成される本体部６３と、本体部６３の表面を覆う酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）の被膜６４により構成されている。被膜６４は、前記クリーニング時に本体部６３がクリーニングガスによりエッチングされることを防ぐために設けられている。前記底面形成部６２がＳｉＣを主成分として構成されるため、凹部２１の底面２２は、テーブル本体６１よりも熱の伝導性が高く、その面内において温度勾配の形成が抑えられる。
この第２の実施形態においては、図２０に示すように第１の実施形態と同様に昇降ピン５３によってウエハＷが凹部２１に向けて搬送され、図２１に示すように直接凹部２１の底面２２にウエハＷの下面全体が接触するように載置される。このようにウエハＷが載置されるので第１の実施形態に比べてウエハＷへの伝熱速度は大きいが、前記底面２２内での温度勾配が小さいので、ウエハＷの面内の各部において温度勾配が大きくなることが防がれながら、当該ウエハＷの面内の各部の温度が上昇する。つまり、ウエハＷの各部毎の熱流束の均一性が高く保たれた状態で、ウエハＷが加熱される。このようにウエハＷの加熱が進行することによって、第１の実施形態と同様に、ウエハＷの反りが抑えられる効果が得られる。従って、ウエハＷの凹部２１上への突出が抑えられるので、第１の実施形態と同じくウエハＷの凹部２１への受け渡しを速やかに行えると共に、成膜処理の開始のタイミングを早くすることができるという効果がある。
底面２２における熱伝導性が、当該底面２２の外側を構成すると共に石英からなるテーブル本体６１の熱伝導性よりも高ければよく、底面形成部６２の材質としては上記の例に限られない。例えば前記本体部６３を、ＳｉＣを主成分とする代わりに炭素を主成分として構成し、前記被膜６４により被覆された構成としてもよい。また、本体部６３を、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分として構成することもできる。前記クリーニングガスは、上記のようにフッ素あるいはフッ素化合物を含んでいるが、ＡｌＮは当該クリーニングガスによって腐食されにくいため、本体部６３をＡｌＮにより構成する場合、前記被膜６４を設けなくてもよい。
上記の第１の実施形態に、この第２の実施形態を組み合わせてもよい。つまり、図２２に示すように底面形成部６２上に、上記の支持ピン２５を設けてもよい。この場合も凹部２１の底面２２内における温度勾配が抑えられるため、当該底面２２各部からのウエハＷに供給される輻射熱の熱量のばらつきが抑えられる。従って、より確実にウエハＷの面内における温度勾配の形成を抑えることができるので、ウエハＷに反りが発生すること及び反りが大きくなることを抑えることができる。
（第３の実施形態）
図２３、図２４には、第３の実施形態の凹部２１の平面図、縦断側面図を夫々示している。第１の実施形態との差異点として、第３の実施形態の凹部２１の底面２２上には、支持ピン２５に代わり、多数の支持ピン７１が設けられており、支持ピン７１は平面視マトリクス状に配列されている。各支持ピン７１は円柱形状に構成され、第１の実施形態の支持ピン２５と同様、その上面にウエハＷを支持する。図２５は、支持ピン７１上にウエハＷが支持された状態を示している。このようにウエハＷを支持することで、支持ピン７１は支持ピン２５と同様に、ウエハＷの下面を凹部２１の底面２２から浮かせて、ウエハＷへの伝熱速度を低減させる。
そのようにウエハＷへの伝熱速度を制限するために、支持ピン７１とウエハＷとの接触面積の合計／ウエハＷの下面の面積×１００（単位：％）を、ウエハＷの支持ピンに対する接触率とすると、この接触率が８％〜１２％になるように支持ピン７１が設けられている。図２３中の支持ピン７１の径Ｌ３は、例えば５ｍｍである。図２４中の支持ピン７１の高さＨ１５は、例えば０．０１ｍｍ〜１ｍｍであり、この図２４の例では０．０５ｍｍである。第１の実施形態の支持ピン２５の高さＨ１と同様に、この支持ピン７１の高さＨ１５は、底面２２からの輻射熱により効率良くウエハＷを加熱し、且つ凹部２１からのウエハＷの突出を防ぐことができるように設定される。
この第３の実施形態においても第１の実施形態と同様に凹部２１に受け渡されたウエハＷの反りを抑えることができ、それによって第１の実施形態と同じくウエハＷの凹部２１への受け渡しを速やかに行うと共に、成膜処理の開始のタイミングを早くして、成膜装置１のスループットを向上させることができる。ところで多数の支持ピン７１のうち３つが、図４で説明した支持ピン２５と同じ位置に配置されるように構成してもよいし、そのように配置しなくてもよい。支持ピン７１のうち３つを、図４の支持ピン２５と同じ位置に配置した場合は、第１の実施形態と同様に、ウエハＷに反りが発生した場合においても、凹部２１上への当該ウエハＷの突出を、より確実に抑えることができる。
図２６は、第３の実施形態の変形例であり、図２３で示した例に比べると、支持ピン７１の本数が少ない。図２３に示すように支持ピン７１を配置して、ウエハＷの受け渡し後、底面２２内においてパーティクルの発生が見られる場合、ウエハＷが反ることによって支持ピン７１と擦れていることが考えられるので、パーティクルが発生した箇所の周辺の支持ピン７１を間引くことが有効である。図２６は、そのように支持ピン７１を間引いた構成の一例を示している。このように支持ピン７１の配置のレイアウトとしては、任意に設定することができる。支持ピン７１も、第１の実施形態の支持ピン２５と同じく円柱形にすることに限られず、任意の形状とすることができる。この第３の実施形態にも第２の実施形態を組み合わせて、凹部２１の底面を上記の底面形成部６２を用いて構成することができる。
本発明は、成膜装置の他に、処理ガスをプラズマ化して当該プラズマによってウエハＷの膜を改質したり、エッチングを行う装置などにも適用することができる。また形成する膜も酸化シリコン膜に限られない。例えばＡＬＤで窒化シリコン膜や窒化アルミニウム膜などを形成する場合にも、上記の成膜装置を適用することができる。
（第１の実施形態の変形例）
続いて、第１の実施形態の変形例の凹部２１について説明する。図２７に示した第１の変形例では、図４で説明した第１の実施形態と異なり、凹部２１に支持ピン２５が６つ設けられている。図２７及び後述の各変形例を示す図中の点線及び２点鎖線は、各支持ピン２５の位置関係を明確にするために示す、仮想の線である。また、この第１の変形例を含む各変形例では、凹部２１の底面２２の溝２４を示していないが、第１の実施形態と同様、この溝２４は設けてもよいし、設けなくてもよい。
前記６つの支持ピン２５のうちの３つを第１グループとすると、この第１グループの支持ピン２５は、図４で説明した位置と同じ位置に設けられており、各支持ピン２５の上面の中心点を、図４と同じくＱ１〜Ｑ３として示している。他の３つの支持ピン２５を第２グループとすると、第２グループの支持ピン２５の上面の中心点はＱ４〜Ｑ６として示している。点Ｑ４〜Ｑ６は、点Ｑ１〜Ｑ３と同じく、上記の点Ｐを中心とする円周上に位置し、点Ｑ４〜Ｑ６は正三角形の頂点に位置する。そして、点Ｐから凹部２１の底面２２を周方向に見ると、Ｑ４〜Ｑ６を頂点とする三角形の頂点と、Ｑ１〜Ｑ３を頂点とする三角形の頂点とが交互に設けられている。前記周方向に隣り合う点Ｑは、点Ｐから見てθａ＝６０°離れている。つまり点Ｑ１〜Ｑ６は、正六角形をなす。
このように、ウエハＷが支持ピン２５により支持される各位置は、ウエハＷの中心からウエハＷの半径の２／３離れており、且つウエハＷの中心を重心とする正六角形の頂点である。この第１の変形例においては、図４の第１の実施形態で説明した位置関係を持つ支持ピン２５が２グループ、底面２２に分散して設けられることで、より確実に撓みを抑えてウエハＷを水平形状に支持することができ、ウエハＷの底面２２への接触をより確実に防ぐことができる。それによって、ウエハＷの温度分布の均一性をより高くし、反りを抑えることができる。この第１の変形例についても、第１の実施形態で説明した支持ピン２５と同様に、上記した位置からウエハＷを支持する位置が１ｍｍずれた場合においても本発明の権利範囲である。つまり、支持ピン２５が厳密に正六角形の頂点に配置されていない場合も権利範囲に含まれる。以下、特に説明が無い限り、後述の他の支持ピンについても同様に誤差が許容される。
図２８には、第１の実施形態の第２の変形例の凹部２１を示している。この第２の変形例では、第１の変形例で説明した６つの支持ピン２５に加えて、当該支持ピン２５よりも上記の凹部２１の底面の中心点Ｐ寄りに、３つの支持ピンが設けられている。説明の便宜上、この３つの支持ピンを内側補助用支持ピン２６として説明する。内側補助用支持ピン２６は、配置される位置の違いを除いて、支持ピン２５と同様に構成されている。
この内側補助用支持ピン（第２の補助用支持ピン）２６の上面の中心を点Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３として示している。点Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３は、点Ｐを中心とし、ウエハＷの半径の１／３の大きさの半径を有する円の円周上に位置する。また、Ｑ１、Ｑ１２、Ｑ１３は正三角形の頂点に位置する。内側補助用支持ピン２６は貫通孔２３に干渉しないように設けられている。この例では点Ｐから周方向に見て隣り合う２つの支持ピン２５の点Ｑに対して、当該２つの支持ピン２５の間に位置する内側補助用支持ピン２６の点Ｑは、前記点Ｐまわりに各々θｂ＝３０°ずれるように、各内側補助用支持ピン２６が位置している。この第２の変形例については、第１の変形例で説明した２グループの支持ピン２５に加え、さらに補助用支持ピン２６によりウエハＷを支持するので、より確実にウエハＷの撓みを抑えて支持することができる。
図２９には、第３の変形例の凹部２１を示している。この第３の変形例では、第１の変形例で説明した６つの支持ピン２５に加えて、当該支持ピン２５よりも凹部２１の底面２２の周縁部側に６つの支持ピンが設けられている。説明の便宜上、この６つの支持ピンを外側補助用支持ピン２７として説明する。外側補助用支持ピン２７は、配置される位置の違いを除いて支持ピン２５と同様に構成されている。
この外側補助用支持ピン（第１の補助用支持ピン）２７の上面の中心を点Ｑ２１〜Ｑ２６として示している。点Ｑ２１〜Ｑ２６は、ウエハＷの周端よりも３ｍｍウエハＷの中心寄りの位置を支持するように設けられる。ここでいうウエハＷは、上記の３００ｍｍウエハＷの場合もあるし、４５０ｍｍウエハＷの場合もある。このようにＱ２１〜Ｑ２６を配置することで、外側補助用支持ピン２７は、ウエハＷの周端に接触しないようにウエハＷを支持する。また、前記点Ｑ２１〜２６は、支持ピン２５と同様に正六角形の頂点に位置する。この点Ｑ２１〜Ｑ２６を頂点とする正六角形の重心（中心）は、支持ピン２５の点Ｑ１〜Ｑ６を頂点とする正六角形の重心に一致する。点Ｐから周方向に見て、交互に支持ピン２５と外側補助用支持ピン２７とが設けられている。そして、前記周方向に隣り合う支持ピン２５及び外側補助用支持ピン２７について、当該支持ピン２５の点Ｑと前記点Ｐとがなす線分と、当該外側補助用支持ピン２７の点Ｑと前記点Ｐとがなす線分とがなす角をθｃとすると、θｃ＝３０°である。
この第３の変形例についても第２の変形例と同様に、撓みがより確実に抑えられるようにウエハＷを支持することができる。また、図１７などに示したように、ウエハＷがその中心部が低く周縁部が高くなるように反った場合、ウエハＷの中心寄りを支持ピンにより支持していると、凹部２１から突出する高さが大きくなってしまうおそれがあるため、前記内側補助用支持ピン２６を設けるよりも、当該外側補助用支持ピン２７を設けた方が、前記ウエハＷの突出する高さを抑えられるため好ましい。
ところで、上記のように外側補助用支持ピン２７を設ける理由としては、支持ピン２５よりも点Ｐから離れた位置でウエハＷを支持することで、ウエハＷを安定に支持することを目的とする。支持ピン２５に対して凹部２１の底面２２の径方向に外側補助用支持ピン２７の位置が離れるほど、ウエハＷの周縁部における撓みが抑えられる。しかし、ウエハＷの周端に支持ピンが接触してしまうと、パーティクルが発生しやすくなるため、既述のようにウエハＷの周端に接触しないように外側補助用支持ピン２７を設けている。
つまり、外側補助用支持ピン２７としては、上記の点Ｑ２１〜Ｑ２６がウエハＷの周端より３ｍｍ内側を支持するように設けることには限られない。具体的には、外側補助用支持ピン２７は、支持ピン２５に支持される位置よりも外側を、点Ｐを中心とする円周に沿って間隔をおいて支持するように設けられ、且つその上面がウエハＷの周端に接触しなければよい。従って、例えば点Ｑ２１〜Ｑ２６がウエハＷの周端より５ｍｍ内側を支持するように構成してもよい。ただし、上記したようにウエハＷを水平上に安定して載置するためには、支持ピン２５から離れた位置を支持した方がよく、且つ支持ピン２７がウエハＷの周端と接触するリスクを避けることとの兼ね合いから、上記の例では点Ｑ２１〜Ｑ２６はウエハＷの周端の３ｍｍ内側を支持するように構成している。なお、外側補助用支持ピン２７についても、支持ピン２５と同様に誤差が許容されるので、ウエハＷを支持する位置が厳密に正六角形になることに限られない。
図３０には、第１の実施形態の第４の変形例の凹部２１を示している。この第４の変形例においては、第１の変形例で示した６つの支持ピン２５に加えて、第２の変形例で示した内側補助用支持ピン２６及び第３の変形例で示した外側補助用支持ピン２７が設けられている。このように凹部２１を形成しても、撓みが抑えられるようにウエハＷを支持することができる。これら第１の実施形態の各変形例も、第２及び第３の実施形態に組み合わせることができる。
Ｗ ウエハ
Ｄ 分離領域
Ｐ１、Ｐ２ 処理領域
１ 成膜装置
１１ 真空容器
２ 回転テーブル
２１ 凹部
２２ 底面
２５、７１ 支持ピン
３１、３３ 反応ガスノズル
３２、３４ 分離ガスノズル
３７ 排気口
４１ 突状部

Claims (11)

  1. 真空容器内にて回転テーブル上に載置した円形の基板を公転させながら、当該基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
    前記基板を収納するために前記回転テーブルの一面側に形成され、その底面に当該回転テーブルを一面側から他面側に向けて貫通する複数の貫通孔が開口した凹部と、
    前記回転テーブルの一面側において前記公転による基板の移動領域に対向して設けられた前記処理ガスの供給部と、
    前記基板を６００℃以上に加熱して処理するために、前記回転テーブルを加熱する加熱部と、
    前記凹部の底面において正三角形の頂点に各々位置し、基板の中心から当該基板の半径の２／３離れた箇所を各々支持して、前記基板を、当該凹部の底面から浮いた状態で支持するために設けられた３つの支持ピンと、
    前記回転テーブルの上方に前記基板を搬送する基板搬送機構と前記凹部との間で当該基板を受け渡すために、その上端が当該回転テーブルよりも下方の位置と、当該回転テーブルよりも上方の位置との間を前記貫通孔を各々通過して昇降し、且つ当該基板を各々支持する複数の昇降部材と、
    前記加熱部により前記回転テーブルが６００℃以上に加熱された状態で、前記基板を支持する前記複数の昇降部材が下降し、当該基板が前記昇降部材から前記凹部に受け渡されて前記各支持ピンに支持されるように制御信号を出力する制御部と、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記支持ピンは正六角形の頂点に各々位置するように６つ設けられることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記支持ピンにより支持される基板の位置よりも当該基板の外側、且つ前記基板の周端から当該基板の中心側に離れた位置を支持するために、前記凹部の底面に複数設けられた第１の補助用支持ピンを備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記第１の補助用支持ピンは、前記凹部の底面において６つ、正六角形の頂点に各々位置するように設けられ、
    当該第１の補助用支持ピンによる正六角形の重心は、前記支持ピンによる正六角形の重心と一致することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記支持ピンにより支持される基板の位置よりも当該基板の内側を支持するために、前記凹部の底面に複数設けられた第２の補助用支持ピンを備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記基板は、直径３００ｍｍサイズのシリコンウエハであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記回転テーブルは、前記凹部の底面を構成する底面形成部と、前記底面の外側を構成するテーブル本体と、により構成され、
    前記底面内での温度の均一性を高くして、基板の面内における温度差を抑えるために、前記底面形成部は前記テーブル本体よりも熱伝導性が高い材質を主成分として構成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記底面形成部は、炭化シリコン、炭素あるいは窒化アルミニウムを主成分として構成されることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記底面形成部は、表面に酸化イットリウムがコーティングされていることを特徴とする請求項７または８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  10. 凹部の底面から基板への伝熱速度を抑えるために、前記支持ピンに支持される前記基板の一面の全体の面積に対して、当該一面における前記支持ピンに接触する面積の割合は、８％〜１２％であるように構成されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  11. 前記支持ピンの高さは、０．０１ｍｍ〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
JP2014034336A 2014-02-25 2014-02-25 基板処理装置 Active JP6303592B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014034336A JP6303592B2 (ja) 2014-02-25 2014-02-25 基板処理装置
TW104105482A TWI600790B (zh) 2014-02-25 2015-02-17 利用旋轉台之基板處理裝置
US14/628,661 US20150240357A1 (en) 2014-02-25 2015-02-23 Substrate processing apparatus using rotatable table
KR1020150025789A KR101867133B1 (ko) 2014-02-25 2015-02-24 회전 테이블을 이용하는 기판 처리 장치
CN201510087374.6A CN104862668B (zh) 2014-02-25 2015-02-25 利用旋转台的基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014034336A JP6303592B2 (ja) 2014-02-25 2014-02-25 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015159248A JP2015159248A (ja) 2015-09-03
JP6303592B2 true JP6303592B2 (ja) 2018-04-04

Family

ID=53881647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014034336A Active JP6303592B2 (ja) 2014-02-25 2014-02-25 基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150240357A1 (ja)
JP (1) JP6303592B2 (ja)
KR (1) KR101867133B1 (ja)
CN (1) CN104862668B (ja)
TW (1) TWI600790B (ja)

Families Citing this family (322)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
KR102297567B1 (ko) 2014-09-01 2021-09-02 삼성전자주식회사 가스 주입 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장비
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10428425B2 (en) * 2016-01-26 2019-10-01 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, method of depositing film, and non-transitory computer-readable recording medium
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6732483B2 (ja) * 2016-03-10 2020-07-29 大陽日酸株式会社 基板保持部材及び気相成長装置
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6750182B2 (ja) * 2016-06-08 2020-09-02 サムコ株式会社 基板処理装置
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102263614B1 (ko) 2016-11-03 2021-06-09 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 기판 로딩 시스템
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6863747B2 (ja) * 2017-01-05 2021-04-21 東レエンジニアリング株式会社 減圧乾燥装置
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102417931B1 (ko) * 2017-05-30 2022-07-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US11104996B2 (en) * 2017-11-27 2021-08-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heating stage and apparatus having the same
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
JP7321768B2 (ja) * 2018-05-23 2023-08-07 信越化学工業株式会社 化学気相成長装置および被膜形成方法
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
CN112513324B (zh) * 2018-08-09 2023-04-11 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
CN113284789A (zh) 2020-02-03 2021-08-20 Asm Ip私人控股有限公司 形成包括钒或铟层的结构的方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
JP2021181612A (ja) 2020-04-29 2021-11-25 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体ソースプリカーサ容器
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
CN113667953A (zh) 2020-05-13 2021-11-19 Asm Ip私人控股有限公司 用于反应器系统的激光器对准夹具
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
JP7523952B2 (ja) * 2020-05-29 2024-07-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
KR20210148914A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
CN113871296A (zh) 2020-06-30 2021-12-31 Asm Ip私人控股有限公司 衬底处理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011093A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN112018019B (zh) * 2020-08-11 2023-04-28 四川旭茂微科技有限公司 一种跳线吸盘及跳线吸取机构
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202218049A (zh) 2020-09-25 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
JP7607449B2 (ja) * 2020-12-23 2024-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板の受け渡し方法及び基板受け渡し装置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
JP2022185475A (ja) 2021-06-02 2022-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US20230114751A1 (en) * 2021-10-08 2023-04-13 Applied Materials, Inc. Substrate support
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN114999981B (zh) * 2022-08-02 2022-10-25 四川晁禾微电子有限公司 塑封三极管自动输送加工设备

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JPH09139352A (ja) * 1995-11-15 1997-05-27 Nec Corp 縦型炉用ウェーハボート
DE10003639C2 (de) * 2000-01-28 2003-06-18 Steag Rtp Systems Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
JP2001313243A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp ウエハ加熱装置
JP4312394B2 (ja) * 2001-01-29 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャックおよび基板処理装置
US6789498B2 (en) * 2002-02-27 2004-09-14 Applied Materials, Inc. Elements having erosion resistance
WO2004090960A1 (ja) * 2003-04-07 2004-10-21 Tokyo Electron Limited 載置台構造及びこの載置台構造を有する熱処理装置
US20050092439A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Keeton Tony J. Low/high temperature substrate holder to reduce edge rolloff and backside damage
US20060194516A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-31 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
JP4705378B2 (ja) * 2005-01-31 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP5008562B2 (ja) * 2005-07-28 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2007311726A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法。
JP2006319344A (ja) * 2006-05-26 2006-11-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置
JP2008251754A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Nikon Corp 基板搬送方法及び装置、並びに露光方法及び装置
EP2321846A4 (en) * 2008-08-12 2012-03-14 Applied Materials Inc ELECTROSTATIC FODDER ASSEMBLY
JP5253933B2 (ja) * 2008-09-04 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2010084230A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置及び回転テーブル
JP2011077171A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置
US8034723B2 (en) 2009-12-25 2011-10-11 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus and film deposition method
JP5549441B2 (ja) * 2010-01-14 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 保持体機構、ロードロック装置、処理装置及び搬送機構
JP5478280B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム
JP5644256B2 (ja) * 2010-08-20 2014-12-24 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法
JP5572515B2 (ja) * 2010-10-15 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP5869899B2 (ja) * 2011-04-01 2016-02-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー
US10242890B2 (en) * 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
JP5780062B2 (ja) * 2011-08-30 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び成膜装置
US20130189635A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 First Solar, Inc. Method and apparatus providing separate modules for processing a substrate
KR20130111029A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
JP5794194B2 (ja) * 2012-04-19 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2014017296A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd 成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101867133B1 (ko) 2018-06-12
KR20150100559A (ko) 2015-09-02
TW201542862A (zh) 2015-11-16
TWI600790B (zh) 2017-10-01
JP2015159248A (ja) 2015-09-03
CN104862668A (zh) 2015-08-26
CN104862668B (zh) 2019-07-23
US20150240357A1 (en) 2015-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6303592B2 (ja) 基板処理装置
US10475641B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5310512B2 (ja) 基板処理装置
JP5589878B2 (ja) 成膜装置
JP5107185B2 (ja) 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
CN102965643B (zh) 基板处理装置和成膜装置
TWI579954B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6698001B2 (ja) 処理装置及びカバー部材
JP6749225B2 (ja) クリーニング方法
KR20220108831A (ko) 반도체 프로세싱을 위한 웨이퍼 포지셔닝 페데스탈
JP2016143836A (ja) 基板処理装置
JP6062413B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5093078B2 (ja) 成膜装置
JP6618876B2 (ja) 基板処理装置、搬送方法およびサセプタ
US10790182B2 (en) Substrate holding mechanism and substrate processing apparatus using the same
JP5527106B2 (ja) 真空処理装置
JP6096588B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6481363B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
WO2020241461A1 (ja) ステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法
US9953829B2 (en) Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data
US20220389581A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160905

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170808

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20171228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6303592

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250