JP6281214B2 - 撮像素子パッケージ及び撮像装置 - Google Patents
撮像素子パッケージ及び撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6281214B2 JP6281214B2 JP2013184262A JP2013184262A JP6281214B2 JP 6281214 B2 JP6281214 B2 JP 6281214B2 JP 2013184262 A JP2013184262 A JP 2013184262A JP 2013184262 A JP2013184262 A JP 2013184262A JP 6281214 B2 JP6281214 B2 JP 6281214B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element substrate
- optical
- image pickup
- optical element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 138
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 132
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 61
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 31
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 27
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000010367 cloning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
撮像素子は近年の半導体微細加工技術の進展に伴い、高画素化がすすんでいる。撮像素子は基板に搭載され、汚染防止や損傷防止のために配置されるガラス基板とともにパッケージ構造を構成して撮像装置に用いられる。
特許文献2には、基板中及び基板上に形成された画素センサのアレイと、該基板に取り付けられ、該画素センサのアレイ上に横たわるスペーサープレートと、該スペーサープレート上にあり、前記スペーサープレート上の材料層に対するフォトリソグラフィによって前記画素センサのアレイの平面上に全体にわたって画像を形成するように配置されたファーフィールド・レンズとしての屈折率勾配レンズとを含んでなる構造体が開示されている。
その結果、接着剤層30に残留応力が生じやすくなるとともに、密着力の偏りが生じてしまう。また、リフロー加熱工程における半田付けなどにおいて、接着剤層30に剥離や破壊が生じてしまう可能性がある。
図1は、本実施形態にかかる撮像装置100の概略構成を示す説明図である。
この撮像装置100は、主に、撮像レンズ40と、撮像素子基板13及び光学素子基板23からなる撮像素子パッケージ10と、信号処理手段50とから構成される。
撮像素子基板13は、撮像素子11が実装されたPWB基板12から構成され、撮像素子11は、入射する光(例えば、撮像レンズ40からの入射光)を受光する受光素子である。
光学素子基板23は、使用帯域の光に対して透明な基板(以下、「透明基板」という)20の撮像素子11の受光面と対向する面の一部に、所望の光学機能を付与する光学機能構造21が選択的に形成された領域を有する。
光学機能構造21としては特に限定されないが、例えば、所望の光学成分を選択的に透過させる偏光フィルタや多層膜などが挙げられる。
<第1の実施形態>
図2は、本実施形態にかかる撮像素子パッケージの一例を示す要部の概略構成図であり、図2(A)は上面図、図2(B)は断面図を示す。なお、図2(A)は透明基板20を省略している。
撮像素子パッケージ構造としては、上記の構成の撮像素子基板13及び光学素子基板23を、例えば、図示しないインターポーザ基板上にダイボンディングを行い、ワイヤボンディングを行った後に樹脂封止を行うことにより得られる。
撮像素子11は、CCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)などを用いたイメージセンサであり、受光素子であるフォトダイオード11bと、マイクロレンズ11aからなる。フォトダイオード11bは、画素ごとに2次元的にアレイ配置されており、フォトダイオード11bの集光効率を上げるために、各フォトダイオード11bの入射側にマイクロレンズ11aが設けられている。1個のフォトダイオード11bを単位画素とする。
撮像素子基板13に設けられた支持部材14も均一な厚みであり、被接合領域となる表面(上端面)の水平方向の高さは均一である。
前記充填剤としては、例えば、球状シリカ粒子、球状ポリスチレン粒子などが挙げられる。
上述のように、充填剤としてスペーサ球を含有した接着剤を用いることにより、接着剤層30の厚みをより均一にし、接着剤内部の残留応力を低減することができる。
撮像素子基板13の被接合面(接着剤塗布領域)は水平方向の高さ(厚み)が均一な支持部材14の表面であり、該被接合面に接着剤が塗布される。支持部材14も、有機材料からなり、フォトリソグラフィ技術により形成されている。
支持部材24及び支持部材14を有機材料により形成することにより、接着剤との高い密着性が得られ、残留応力を低減させることができる。
接着剤は、被接合面の面積などにより適宜調整することができるが、例えば、厚み約5μm、幅80μmとなるように塗布される。
本実施形態の光学機能構造21を図3(A)に示す。
また、ワイヤグリッドはアルミニウム(Al)からなり、周期は約150nm、高さは約200nmである。
ワイヤグリッド素子を用いることにより、高コントラストかつ高透過率の画像を取得することが可能となる。
本実施形態の撮像素子パッケージは、光学機能構造21として、図3(B)に示す構造の混在型フィルタを用いた以外は第1の実施形態と同様である。
図3(B)に示す混在型フィルタは、平行四辺形の同じ面積の横方向ワイヤグリッド210aと縦方向ワイヤグリッド210bとが交互に配置されてなる。
隣接する領域との間隔が6μmであり、一画素の大きさとほぼ一致する。
また、ワイヤグリッドはアルミニウム(Al)からなり、周期は約150nm、高さは約200nmである。
光学機能構造21を、オートクローニング法により形成された直交する偏光方向の一次元フォトニック結晶多層膜とすることができる。
本実施形態では、光学機能構造21をオートクローニング法により形成された多層膜が領域ごとに配列してなる偏光子配列体からなる混在型フィルタを用いた以外は、第1の実施形態と同様である。
オートクローニング法によれば、屈折率差を比較的容易に選択することが可能であり、構造の自由度も高く、透明基板20上に直接成膜する方法や成膜したものを接続する方法により形成することもできる。
光学機能構造21が形成されていない領域の受光部15bでは輝度情報を取得し、光学機能構造21が形成されている領域の受光部15aでは偏光情報を取得するが、一次元フォトニック結晶を用いることにより、高コントラストで高透過率の画像を取得することが可能となる。
図4は、本実施形態にかかる撮像素子パッケージの一例を示す要部の概略構成図であり、図4(A)は上面図、図4(B)は断面図を示す。なお、図4(A)は透明基板20を省略している。
一方、光学素子基板23の被接合領域(後の接着剤層30が設けられる領域)は、光学機能構造21および/または光学機能構造21と同じ厚みに形成された支持部材24aの表面である。図4に示す例では、光学素子基板23の光学機能構造21と支持部材24aとが、同じ材料からなることが好ましい。また、本実施形態では、光学素子基板23の被接合領域は、撮像素子11を挟んで対向した位置である図4(A)における左右の位置に対となって設けられていることに加え、さらにこの図4(A)における左右の位置の上下端夫々から、水平方向に延伸して設けられている。換言すると、方形である撮像素子11の周囲を囲む四辺のうち、図4(A)において受光面15bが配された位置の上下の位置を除き、光学機能構造21および/または光学機能構造21と同じ厚みに形成された支持部材24aが設けられ、被接合領域となる。
反射防止膜22を設けて無反射構造とすることにより、光学機能構造21が形成されている領域とそれ以外の領域における透過率特性を向上させることができる。
可視光反射・赤外光透過構造を設けることにより、受光部15aでは赤外光による輝度情報を得ることができる。一方、受光部15bでは受光する全波長領域の輝度情報を得ることができ、通常の撮像装置と同様の画像を取得することができる。
支持部材24aを形成しない場合や、光学機能構造21と特性の異なる材料により形成した場合は、被接合面の水平方向の高さが不均一となり、接着剤を塗布した際に厚みが不均一となり、光学素子基板23に傾きが生じてしまう。可視光反射・赤外光透過構造の厚みは約6μmであり、接着剤の厚みが不均一になった場合の応力発生は大きくなる。
また、可視光反射・赤外光透過構造を所望の領域に成膜する方法としては、透明基板20に多層膜を成膜した後、その上にレジストパターンを塗布してエッチングを行う方法や、成膜を施したい箇所以外を遮断して成膜を行うマスク成膜法などが挙げられる。
図5は、本実施形態にかかる撮像素子パッケージの一例を示す要部の概略構成図であり、図5(A)は上面図、図5(B)は断面図を示す。なお、図5(A)は透明基板20を省略している。
第4の実施形態と同様、光学機能構造21と同じ材料により同じ厚みに形成された支持部材24aは、光学機能構造21と同じ可視光反射・赤外光透過構造であるが、受光部15bの領域外に配置されているため画像信号には影響せず、支持部材として機能するのみである。
図6は、本実施形態にかかる撮像素子パッケージの一例を示す要部の概略構成図であり、図6(A)は上面図、図6(B)は断面図を示す。なお、図6(A)は透明基板20を省略している。
具体的には図6(A)に示すように、方形の受光面15を取り囲む四辺において、一方の対向する二辺と他方の対向する二辺とが、間隙を有して設けられている。換言すると、光学素子基板23の被接合領域(後の接着剤層30が設けられる領域)が、間隙となる領域を除き撮像素子11の周囲を囲んで設けられている。
図7は、本実施形態にかかる撮像素子パッケージの一例を示す要部の概略構成図であり、図7(A)は上面図、図7(B)は断面図を示す。なお、図7(A)は透明基板20を省略している。
具体的には図7(A)に示すように、方形の受光面15を取り囲む四辺において、図7(A)中の左右に当たる対向する二辺には光学機能構造21と支持部材24aとが設けられている。一方、図7(A)中の上下に当たる対向する二辺には半円状の支持部材24aが所定の間隔をもって設けられている。換言すると、光学素子基板23の被接合領域(後の接着剤層30が設けられる領域)が、少なくとも一部を除き撮像素子11の周囲を囲んで設けられている。
ここで図8は、本発明にかかる撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面概略図である。図8に示す撮像素子パッケージの構成例では、図2に示した撮像素子パッケージの第1の実施形態をその要部に採用したものである。
得られた撮像素子パッケージは、マザーボードに実装することにより、偏光画像及び輝度画像を分割して取得可能な撮像装置に利用することができる。
また、光学機能構造として位相板を用いることもできる。さらに、サブ波長構造以外に、画素サイズと同等のサイズからなるマイクロレンズ配列体とすることもできる。
11 撮像素子
11a マイクロレンズ
11b フォトダイオード
12 PWB基板
13 撮像素子基板
14 支持部材
15 受光面
15a 受光部A
15b 受光部B
20 ガラス基板
21 光学機能構造(光学機能膜)
22 反射防止膜
23 光学素子基板
24 支持部材
30 接着剤層
40 撮像レンズ
50 信号処理部
60 インターポーザ基板
61 ハンダボール
62 封止樹脂
63 ワイヤ
100 撮像装置
210a 横方向ワイヤグリッド
210b 縦方向ワイヤグリッド
Claims (12)
- 入射した光を受光する撮像素子を有する撮像素子基板と、
前記撮像素子の受光面と対向する面の一部に、所望の光学機能を付与する光学機能構造が選択的に形成された領域を有する光学素子基板とを備え、
前記撮像素子基板は、前記撮像素子が配置されていない領域において前記光学素子基板と接着剤層を介して接合されてなり、
前記光学素子基板の被接合領域の水平方向の高さが均一であり、
前記光学素子基板の前記被接合領域が、前記光学機能構造および該光学機能構造と同じ厚みに形成された当該光学素子基板が有する支持部材の表面であり、
前記光学素子基板が有する前記光学機能構造と、前記光学素子基板が有する前記支持部材とが、同じ材料からなることを特徴とする撮像素子パッケージ。 - 前記光学素子基板の前記被接合領域が、前記撮像素子の周囲を囲んで設けられていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子パッケージ。
- 前記光学素子基板の前記被接合領域が、少なくとも前記撮像素子を挟んで対向した位置に対となって設けられていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子パッケージ。
- 前記光学素子基板の前記被接合領域が、少なくとも一部を除き前記撮像素子の周囲を囲んで設けられていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子パッケージ。
- 前記撮像素子基板は、前記撮像素子が配置されていない領域に、前記光学素子基板に向かって突出した支持部材を有し、
前記撮像素子基板が有する支持部材と前記光学素子基板とが接着剤層を介して接合されてなることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の撮像素子パッケージ。 - 前記接着剤層は、有機材料からなる接着剤、または有機材料と充填剤を含む接着剤を塗布して形成されることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
- 前記充填剤が、均一な大きさの球状スペーサ粒子であることを特徴とする請求項6に記載の撮像素子パッケージ。
- 前記光学機能構造は、入射した光の第一の偏光成分を透過させる第一偏光領域と、前記第一の偏光成分に直交する第二の偏光成分を透過させる第二偏光領域とが、2次元配列されてなる光学機能膜であることを特徴とする請求項1から7に記載の撮像素子パッケージ。
- 前記光学機能構造は、直交する偏光方向の一次元フォトニック結晶多層膜からなることを特徴とする請求項8に記載の撮像素子パッケージ。
- 前記光学機能構造は、可視光を反射し、赤外光を透過する多層膜からなることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
- 前記光学素子基板は、ガラス基板の前記光学機能構造を備える面の反対側の面に反射防止膜を備えることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
- 請求項1から11のいずれかに記載の撮像素子パッケージと、撮像レンズと、信号処理手段とを少なくとも備えることを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013184262A JP6281214B2 (ja) | 2013-06-06 | 2013-09-05 | 撮像素子パッケージ及び撮像装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013119506 | 2013-06-06 | ||
JP2013119506 | 2013-06-06 | ||
JP2013184262A JP6281214B2 (ja) | 2013-06-06 | 2013-09-05 | 撮像素子パッケージ及び撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015015444A JP2015015444A (ja) | 2015-01-22 |
JP6281214B2 true JP6281214B2 (ja) | 2018-02-21 |
Family
ID=52436951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013184262A Expired - Fee Related JP6281214B2 (ja) | 2013-06-06 | 2013-09-05 | 撮像素子パッケージ及び撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6281214B2 (ja) |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6398661U (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-25 | ||
JPH02278871A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2659852B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1997-09-30 | 株式会社クラレ | 撮像素子の製造方法 |
JPH0548361U (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-25 | ホーヤ株式会社 | 光電変換装置 |
JPH05191733A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JP3300476B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2002-07-08 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP3325825B2 (ja) * | 1997-03-29 | 2002-09-17 | 彰二郎 川上 | 3次元周期構造体及びその作製方法並びに膜の製造方法 |
JP3940553B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | アップコンバージョン光素子 |
JP2002247455A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 撮像部材及び撮像装置 |
JP2003017607A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 撮像素子収納用パッケージ |
JP3998234B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
TWI222705B (en) * | 2003-10-08 | 2004-10-21 | United Microelectronics Corp | Method and structure for a wafer level packaging |
JP2006032886A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール |
JP2006128647A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーチップおよびその製造方法 |
JP4950513B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-06-13 | パナソニック株式会社 | 赤外線デバイス集積装置の製造方法 |
JP5091066B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2012-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US8796798B2 (en) * | 2010-01-27 | 2014-08-05 | Ricoh Company, Ltd. | Imaging module, fabricating method therefor, and imaging device |
JP2011254444A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-12-15 | Ricoh Co Ltd | 撮像モジュール、撮像モジュールの製造方法および撮像装置 |
JP2012169528A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Ricoh Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2012220419A (ja) * | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | 検知装置 |
-
2013
- 2013-09-05 JP JP2013184262A patent/JP6281214B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015015444A (ja) | 2015-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8796798B2 (en) | Imaging module, fabricating method therefor, and imaging device | |
US7619678B2 (en) | Solid state imaging device and method for manufacturing the same | |
JP5009209B2 (ja) | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 | |
EP2190025B1 (en) | Imaging assembly | |
EP1389804B1 (en) | CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses | |
JP6222080B2 (ja) | 撮像素子パッケージ、撮像装置およびライトフィールドカメラ | |
TWI512956B (zh) | 光學成像裝置及其製造方法 | |
JP2003204053A (ja) | 撮像モジュール及び該撮像モジュールの製造方法、デジタルカメラ | |
JP5010699B2 (ja) | 光学素子およびカメラモジュール | |
CN107275353A (zh) | 固态成像装置 | |
JP2010103493A (ja) | 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
JP2006228837A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011138089A (ja) | ウェハレベルレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット | |
US20140284746A1 (en) | Solid state imaging device and portable information terminal | |
WO2012011326A1 (ja) | 撮像装置、内視鏡、および撮像装置の製造方法 | |
JP2009092860A (ja) | カメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法 | |
TW202114190A (zh) | 影像感測模組 | |
JP2015170638A (ja) | 撮像素子パッケージ及び撮像装置 | |
JP2010165939A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2000323692A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2009251249A (ja) | ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器 | |
TW201340302A (zh) | 光學裝置及光電模組及其製造方法 | |
JP2006080597A (ja) | 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法 | |
WO2024125658A1 (zh) | 一种摄像模组 | |
JP6281214B2 (ja) | 撮像素子パッケージ及び撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180108 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6281214 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |