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JP6237826B2 - Package, light emitting device, and manufacturing method thereof - Google Patents

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  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本開示は、パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法に関する。   The present disclosure relates to a package, a light emitting device, and a manufacturing method thereof.

LEDは、バックライト、照明、車載部品、ディスプレイ等の市場において、小型化、高効率化、高出力化、高信頼性等の要求が強くなっており、それらの性能を向上させた発光装置が提供されている。特に、モバイル用のバックライトは薄型化が進み、それに伴って、発光装置も超薄型化となっている。市場のこれらの要望に応えるため、様々な発光装置が提供されている。
従来の発光装置は、セラミックスパッケージや樹脂パッケージの上に、反射層を備えており、この反射層によって、光の取り出し効率を上げている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。前記した反射層は、マスクを使用し、蒸着、スパッタリング、塗布等の方法で形成されている。
In the market for backlights, lighting, in-vehicle components, displays, etc., there is a strong demand for downsizing, high efficiency, high output, high reliability, and so on. Is provided. In particular, backlights for mobile use have been reduced in thickness, and accordingly, light emitting devices have also been reduced in thickness. In order to meet these demands on the market, various light emitting devices are provided.
A conventional light emitting device includes a reflective layer on a ceramic package or a resin package, and the light extraction efficiency is increased by the reflective layer (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). The reflection layer described above is formed by a method such as vapor deposition, sputtering, or coating using a mask.

特開2008−160032号公報JP 2008-160032 A 特開2014−158011号公報JP 2014-158011 A

前記マスクを使用する方法では、一対のリードを備えた小型の発光装置やパッケージでは、リード間のエリアが微小エリアであるため、マスクの位置合わせが困難で、精度良くリード間に反射層を形成することが困難である。
また、マスクを使用しない場合、例えば塗布により反射層を形成させる場合、反射層の材料を塗布した後、この反射層材料が流動するため、反射層が必要なエリアに形成することが困難であったり、また、反射層の膜厚にムラが生じるおそれがあったりしている。
In the method using the mask, in a small light emitting device or package having a pair of leads, since the area between the leads is a minute area, it is difficult to align the mask, and the reflective layer is accurately formed between the leads. Difficult to do.
In addition, when a mask is not used, for example, when a reflective layer is formed by coating, it is difficult to form the reflective layer in an area where the reflective layer is necessary because the reflective layer material flows after coating the reflective layer material. In addition, there is a possibility that unevenness occurs in the thickness of the reflective layer.

そこで、本開示に係る実施形態は、高精度に配置された反射膜を備えるパッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法を提供する。   Therefore, an embodiment according to the present disclosure provides a package and a light-emitting device including a reflective film arranged with high accuracy, and methods for manufacturing the same.

本開示の実施形態に係るパッケージは、凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第1樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第2樹脂体と、前記凹部の側壁の内面と、前記第2樹脂体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有する。   A package according to an embodiment of the present disclosure includes a pair of leads disposed on a bottom surface of a recess, a first resin body that forms a sidewall of the recess, a second resin body disposed between the pair of leads, A reflective film covering an inner surface of the side wall of the recess and an upper surface and a lower surface of the second resin body;

本開示の実施形態に係る発光装置は、前記パッケージと、前記パッケージの前記凹部の底面において前記一対のリードの少なくとも一方に配置される発光素子と、を有する。   A light emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes the package and a light emitting element disposed on at least one of the pair of leads on the bottom surface of the recess of the package.

本開示の実施形態に係るパッケージの製造方法は、凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第1樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第2樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、を有する。   A package manufacturing method according to an embodiment of the present disclosure includes a pair of leads disposed on a bottom surface of a recess, a first resin body that forms a side wall of the recess, and a second resin disposed between the pair of leads. A step of preparing a resin molded body comprising a body, a step of forming a reflective film on at least the entire bottom surface of the concave portion and the inner surface of the side wall of the concave portion, and the concave portion in the resin molded body on which the reflective film is formed. Peeling the reflective film formed on the pair of leads.

本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第1樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第2樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、前記反射膜が剥離された前記一対のリードの少なくとも一方に発光素子を載置する工程と、を備える。   A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes a pair of leads disposed on a bottom surface of a recess, a first resin body that forms a side wall of the recess, and a second disposed between the pair of leads. A step of preparing a resin molded body comprising a resin body, a step of forming a reflective film on at least a bottom surface of the concave portion and an entire inner surface of a side wall of the concave portion, and the resin molded body on which the reflective film is formed, Separating the reflective film formed on the pair of leads in the recess, and placing a light emitting element on at least one of the pair of leads from which the reflective film has been peeled.

本開示の実施形態に係るセラミックスパッケージは、凹部の底面に配置される一対の配線と、前記凹部の側壁を形成する第1セラミックス体と、前記一対の配線間に配置される第2セラミックス体と、前記凹部の側壁の内面と、前記第2セラミックス体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有する。   A ceramic package according to an embodiment of the present disclosure includes a pair of wires disposed on a bottom surface of a recess, a first ceramic body that forms a sidewall of the recess, and a second ceramic body disposed between the pair of wires. And a reflective film covering the inner surface of the side wall of the recess and the upper and lower surfaces of the second ceramic body.

本開示の実施形態に係るパッケージ及び発光装置は、高精度に配置された反射膜を備えている。また、本開示の実施形態に係るパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法は、高精度に配置された反射膜を形成することができる。   A package and a light emitting device according to an embodiment of the present disclosure include a reflective film arranged with high accuracy. In addition, the package manufacturing method and the light emitting device manufacturing method according to the embodiment of the present disclosure can form a reflective film arranged with high accuracy.

第1実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a perspective view which shows a light-emitting device. 第1実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a top view of a light-emitting device. 第1実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図2のIII−III断面矢視図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is the III-III cross-sectional view of FIG. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの平面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a top view of a lead frame. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、樹脂成形体の平面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a top view of a resin molding. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図5のVI−VI断面矢視図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is VI-VI cross-section arrow line view of FIG. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜の形成方法の一例を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a figure which shows an example of the formation method of a reflecting film. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を備える樹脂成形体の平面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a top view of a resin molding provided with a reflecting film. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図8のIX−IX断面矢視図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is the IX-IX cross-sectional arrow view of FIG. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を剥離する方法の一例を示す図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a figure which shows an example of the method of peeling a reflecting film. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜が剥離された樹脂成形体の平面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a top view of the resin molding from which the reflecting film was peeled. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図11のXII−XII断面矢視図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is a XII-XII cross-sectional arrow view of FIG. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、発光素子が載置された樹脂成形体の断面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is sectional drawing of the resin molding in which the light emitting element was mounted. 第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、第3樹脂体で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment, and is sectional drawing of the resin molding in which the light emitting element was covered with the 3rd resin body. 第2実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、絶縁膜で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment, and is sectional drawing of the resin molding which covered the light emitting element with the insulating film. 第3実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、他の樹脂成形体の平面図である。It is a figure which shows the outline of the manufacturing process of the light-emitting device which concerns on 3rd Embodiment, and is a top view of another resin molding. 第4実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 4th Embodiment, and is a perspective view which shows a light-emitting device. 第4実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す正面図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 4th Embodiment, and is a front view which shows a light-emitting device. 第4実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図18のXIX−XIX断面矢視図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 4th Embodiment, and is the XIX-XIX cross-sectional arrow view of FIG. 第5実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 5th Embodiment, and is a top view of a light-emitting device. 第5実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図20のXXI−XXI断面矢視図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 5th Embodiment, and is a XXI-XXI cross-sectional arrow view of FIG. 第6実施形態に係る発光装置の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 6th Embodiment.

以下、実施形態の一例を示すパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置を説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。   Hereinafter, a manufacturing method of a package and a manufacturing method of a light-emitting device, and a package and a light-emitting device showing an example of an embodiment will be described. Note that the drawings referred to in the following description schematically show the present embodiment, and therefore, the scale, interval, positional relationship, etc. of each member are exaggerated, or some of the members are not shown. There may be. Moreover, in the following description, the same name and code | symbol indicate the same or the same member in principle, and detailed description is abbreviate | omitted suitably.

(第1実施形態)
<発光装置の構成>
図面を用いて説明する。図1は、第1実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。図2は、第1実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。図3は、第1実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図2のIII−III断面矢視図である。
第1実施形態に係る発光装置1は、第1樹脂体24及び第2樹脂体25を含むパッケージ20と、発光素子30と、第3樹脂体40と、ワイヤ50と、を備えている。
(First embodiment)
<Configuration of light emitting device>
This will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram schematically illustrating the light emitting device according to the first embodiment, and is a perspective view illustrating the light emitting device. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating the light emitting device according to the first embodiment, and is a top view of the light emitting device. FIG. 3 is a diagram illustrating an outline of the light emitting device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. 2.
The light emitting device 1 according to the first embodiment includes a package 20 including a first resin body 24 and a second resin body 25, a light emitting element 30, a third resin body 40, and a wire 50.

<パッケージの構成>
パッケージ20は、リード23と、第1樹脂体24と、第2樹脂体25と、反射膜27とを備え、リード23と第1樹脂体24及び第2樹脂体25と、は一体成形されている。
パッケージ20の全体の形状は、上面側が正方形状の略直方体である。パッケージ20は、外側の面として、下面20a、側面20b及び上面20cを有している。パッケージ20の高さ、長さ、幅は特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。パッケージ20の形状は、略立方体、略六角柱等の多角形形状としてもよい。
<Package structure>
The package 20 includes a lead 23, a first resin body 24, a second resin body 25, and a reflective film 27. The lead 23, the first resin body 24, and the second resin body 25 are integrally formed. Yes.
The overall shape of the package 20 is a substantially rectangular parallelepiped whose upper surface side is square. The package 20 has a lower surface 20a, a side surface 20b, and an upper surface 20c as outer surfaces. The height, length, and width of the package 20 are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose and application. The shape of the package 20 may be a polygonal shape such as a substantially cube or a substantially hexagonal column.

ここで、パッケージ20の下面20aは、外部の実装基板等に対して実装面となる。下面20aは、第1樹脂体24の下面及び第2樹脂体25の下面25bに形成された反射膜27と、反射膜27から露出するリード23と、で構成されている。下面20aにおけるリード23は、パッケージ20の周縁側部分(第1樹脂体24の下面)及び離間して第2樹脂体25の設けられている部分以外では反射膜27から露出している。   Here, the lower surface 20a of the package 20 is a mounting surface with respect to an external mounting substrate or the like. The lower surface 20 a includes a reflection film 27 formed on the lower surface of the first resin body 24 and the lower surface 25 b of the second resin body 25, and leads 23 exposed from the reflection film 27. The leads 23 on the lower surface 20 a are exposed from the reflective film 27 except for the peripheral side portion (the lower surface of the first resin body 24) of the package 20 and the portion where the second resin body 25 is spaced apart.

パッケージ20の側面20bは、第1樹脂体24と、第1樹脂体24の隅部において露出するリード23と、から構成されている。側面20bにおけるリード23は、パッケージ20の四隅において、矩形状に露出している。なお、側面20bにおいて第1樹脂体24とリード23とは略同一面に形成されている。   The side surface 20 b of the package 20 includes a first resin body 24 and leads 23 exposed at the corners of the first resin body 24. The leads 23 on the side surface 20 b are exposed in a rectangular shape at the four corners of the package 20. Note that the first resin body 24 and the lead 23 are formed on substantially the same surface on the side surface 20b.

パッケージ20の上面20cは、平面視では矩形状に形成され中央に、上方に開口した凹部26を備えている。上面20cの側では、凹部26の開口部26cの周縁上面、凹部26の内面26b及び、凹部26の底面26aにおいて一対のリード23,23間に配置される第2樹脂体25の上面25aに、反射膜27が設けられている。   The upper surface 20c of the package 20 is formed in a rectangular shape in a plan view and includes a concave portion 26 opened upward in the center. On the upper surface 20c side, on the peripheral upper surface of the opening 26c of the recess 26, the inner surface 26b of the recess 26, and the upper surface 25a of the second resin body 25 disposed between the pair of leads 23 on the bottom surface 26a of the recess 26, A reflective film 27 is provided.

[凹部]
凹部26の底面26aにはリード23が露出しており、このリード23に発光素子30が載置されている。凹部26の側壁26dは第1樹脂体24で構成されている。側壁26dの外面は、パッケージ20の側面20bを構成する。
側壁26dの内面26bには滑らかな傾斜を設けてもよいし、表面に細かい凹凸を設け、光を散乱させる形状としてもよい。
凹部26は、平面視で円形状の開口部26cを有している。開口部26cの形状としては、円形として示しているが、略楕円形状、略多角形形状等を採ることができる。また、凹部26は、側壁26dの内面26bが開口部26cの側に拡がる形状となっている。
[Concave]
A lead 23 is exposed on the bottom surface 26 a of the recess 26, and the light emitting element 30 is placed on the lead 23. A side wall 26 d of the recess 26 is constituted by the first resin body 24. The outer surface of the side wall 26 d constitutes the side surface 20 b of the package 20.
A smooth slope may be provided on the inner surface 26b of the side wall 26d, or fine irregularities may be provided on the surface to scatter light.
The recess 26 has a circular opening 26c in plan view. The shape of the opening 26c is shown as a circle, but may be a substantially elliptical shape, a substantially polygonal shape, or the like. In addition, the recess 26 has a shape in which the inner surface 26b of the side wall 26d extends toward the opening 26c.

[リード]
リード23は、凹部26の底面26aに配置される。リード23は、正負一対となるように離間させて配置されている。一対のリード23,23は、アノード電極、カソード電極にそれぞれ相当し、それぞれ導電性が異なることを意味する。
[Lead]
The lead 23 is disposed on the bottom surface 26 a of the recess 26. The leads 23 are spaced apart so as to form a pair of positive and negative. The pair of leads 23 and 23 correspond to an anode electrode and a cathode electrode, respectively, meaning that the respective conductivity is different.

リード23の長さ、幅、厚さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。リード23の材質は、例えば銅や銅合金が好ましい。リード23の最表面は、例えば、銀やアルミニウム等の反射率の高い金属材料にて被覆されていることが好ましい。   The length, width, and thickness of the lead 23 are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose and application. The material of the lead 23 is preferably copper or a copper alloy, for example. The outermost surface of the lead 23 is preferably covered with a highly reflective metal material such as silver or aluminum.

本実施形態では、凹部26の底面26aに露出したリード23及びパッケージ20の下面20aのリード23にはメッキが施されている。
リード23の上面(凹部26の底面26a)にはメッキが施されているので、発光素子30からの光の反射率を高めることができる。
また、リード23は、底面(パッケージ20の下面20a)がメッキされているため、半田等の導電性部材との接合強度が増す。
なお、本実施形態では、リード23は、側面20bから露出した面がメッキされていない。メッキされていない理由として、この面は、後記するようにパッケージ20を個片化した際に現れた切断面の状態をそのまま使用しているからである。
In the present embodiment, the lead 23 exposed on the bottom surface 26 a of the recess 26 and the lead 23 on the lower surface 20 a of the package 20 are plated.
Since the upper surface of the lead 23 (the bottom surface 26a of the recess 26) is plated, the reflectance of light from the light emitting element 30 can be increased.
Further, since the bottom surface of the lead 23 (the lower surface 20a of the package 20) is plated, the bonding strength with a conductive member such as solder increases.
In the present embodiment, the surface of the lead 23 exposed from the side surface 20b is not plated. The reason for not being plated is that this surface uses the state of the cut surface that appears when the package 20 is separated as described later.

[第1樹脂体、第2樹脂体]
第1樹脂体24は、リード23を固定すると共に凹部26の側壁26dを構成している。第2樹脂体25は、一対のリード23,23間に配置される。第1樹脂体24及び第2樹脂体25は、同じ樹脂で一体成形されている。以下では、第1樹脂体24及び第2樹脂体25を構成する樹脂のことを第1樹脂という。
第1樹脂としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。
熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、不飽和ポリエステル等を用いることができる。
熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂等を用いることができる。
凹部26の側壁26dの内面26bにおいて光を効率よく反射するために、第1樹脂に光反射部材が含有されていても構わない。例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、ガラスフィラー、シリカ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。
[First resin body, second resin body]
The first resin body 24 fixes the lead 23 and constitutes a side wall 26 d of the recess 26. The second resin body 25 is disposed between the pair of leads 23 and 23. The first resin body 24 and the second resin body 25 are integrally formed of the same resin. Hereinafter, the resin constituting the first resin body 24 and the second resin body 25 is referred to as a first resin.
Examples of the first resin include a thermoplastic resin and a thermosetting resin.
In the case of a thermoplastic resin, for example, polyphthalamide resin, liquid crystal polymer, polybutylene terephthalate (PBT), unsaturated polyester, or the like can be used.
In the case of a thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, a urethane resin, an acrylate resin, or the like can be used.
In order to efficiently reflect light on the inner surface 26b of the side wall 26d of the recess 26, the first resin may contain a light reflecting member. For example, titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, glass filler, silica, magnesium oxide, antimony oxide, aluminum hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, and barium carbonate are relatively stable against moisture. Moreover, it is preferable because of its high refractive index and excellent thermal conductivity.

[反射膜]
反射膜27は、第1樹脂体24及び第2樹脂体25の上面側と、下面側とに設けられている。反射膜27は、具体的には、凹部26の側壁26dの内面26bと、第2樹脂体25の上面25a及び下面25bとを少なくとも覆うように設けられている。反射膜27の形成範囲の部分では、発光素子30からの光量が比較的多いため、反射膜27を設けることで、発光装置1の正面方向からの光取り出し効率の向上に特に貢献することができる。なお、露出する一対のリード23は、反射膜27に覆われていない。
[Reflective film]
The reflective film 27 is provided on the upper surface side and the lower surface side of the first resin body 24 and the second resin body 25. Specifically, the reflective film 27 is provided so as to cover at least the inner surface 26b of the side wall 26d of the recess 26 and the upper surface 25a and the lower surface 25b of the second resin body 25. Since the amount of light from the light emitting element 30 is relatively large in the portion where the reflective film 27 is formed, providing the reflective film 27 can particularly contribute to improving the light extraction efficiency from the front direction of the light emitting device 1. . The exposed pair of leads 23 is not covered with the reflective film 27.

本実施形態では、パッケージ20の側面20bにおいて、第1樹脂体24は反射膜27に覆われていない。その理由として、この面は、後記するようにパッケージ20を個片化した際に現れた切断面の状態をそのまま使用しているからである。   In the present embodiment, the first resin body 24 is not covered with the reflective film 27 on the side surface 20 b of the package 20. The reason for this is that, as will be described later, the state of the cut surface that appears when the package 20 is separated into pieces is used as it is.

反射膜27は、光反射部材の粒子を含有した薄膜である。この反射膜27は、有機溶媒に光反射部材の粒子を分散させた分散液を乾燥させて形成することができる。分散液における光反射部材の含有率は、例えば、1〜30重量%とすることができる。   The reflective film 27 is a thin film containing particles of a light reflecting member. The reflective film 27 can be formed by drying a dispersion in which particles of a light reflecting member are dispersed in an organic solvent. The content of the light reflecting member in the dispersion can be set to 1 to 30% by weight, for example.

有機溶媒は、特に限定されないが、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、トルエン、アセトン、タービネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ヘキサン、トリデカン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、メチルイソブチルケトン(MIBK)、メチルエチルケトン等を挙げることができる。有機溶剤は基材との濡れ性を調整するために1種類以上の混合溶液として用いても良い。   The organic solvent is not particularly limited. For example, ethanol, isopropyl alcohol, xylene, toluene, acetone, tervineol, diethylene glycol monobutyl ether, hexane, tridecane, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl ethyl ketone, and the like. Can be mentioned. The organic solvent may be used as one or more mixed solutions in order to adjust the wettability with the substrate.

光反射部材は、例えば、TiO2(酸化チタン)、Al23(酸化アルミニウム)、ZrO2(酸化ジルコニウム)、ZnO(酸化亜鉛)等の金属酸化物や、ガラスフィラー、SiO(酸化ケイ素)等の白色顔料等の可視光領域で屈折率が高い材料が好ましい。屈折率は1.4〜2.8が好ましく、1.5〜2.8がより好ましい。なかでも、屈折率の高い酸化チタンは、可視光領域で良好な反射性が得られるため好ましい。光反射部材で反射膜が形成された第1樹脂体24と第2樹脂体25の反射率は、可視光の反射率が70%以上、若しくは80%以上が好ましい。特に、発光素子の出射する波長域において反射率が70%以上、若しくは80%以上が好ましい。光反射部材に含まれる酸化チタン等の白色顔料の配合量は50重量%以上、95重量%以下であればよく、60重量%〜95重量%が好ましいが、これに限定されない。 Examples of the light reflecting member include metal oxides such as TiO 2 (titanium oxide), Al 2 O 3 (aluminum oxide), ZrO 2 (zirconium oxide), and ZnO (zinc oxide), glass filler, and SiO 2 (silicon oxide). A material having a high refractive index in the visible light region such as a white pigment is preferred. The refractive index is preferably 1.4 to 2.8, and more preferably 1.5 to 2.8. Among these, titanium oxide having a high refractive index is preferable because good reflectivity can be obtained in the visible light region. The reflectivity of the first resin body 24 and the second resin body 25 on which the reflection film is formed of the light reflecting member is preferably such that the reflectivity of visible light is 70% or more, or 80% or more. In particular, the reflectance is preferably 70% or more, or 80% or more in the wavelength region emitted from the light emitting element. The amount of white pigment such as titanium oxide contained in the light reflecting member may be 50% by weight or more and 95% by weight or less, and is preferably 60% by weight to 95% by weight, but is not limited thereto.

また、光反射部材の粒子は、平均粒径が1〜1000nm、好ましくは5〜300nm、さらに好ましくは10〜200nmであるナノ粒子であることが更に好ましい。ナノ粒子を用いることで、薄膜で反射率の高い反射膜27を形成することができるため、発光装置1を薄型とするためには好適である。ナノ粒子の分散液を乾燥させて反射膜27を形成することで、第1樹脂体24及び第2樹脂体25の表面から剥がれにくい緻密な膜とすることができるため、信頼性の高い発光装置1を構成することができる。   The particles of the light reflecting member are more preferably nanoparticles having an average particle diameter of 1 to 1000 nm, preferably 5 to 300 nm, more preferably 10 to 200 nm. By using the nanoparticles, the reflective film 27 having a high reflectance can be formed with a thin film, which is suitable for making the light emitting device 1 thin. Since the nanoparticle dispersion is dried to form the reflective film 27, a dense film that does not easily peel off from the surfaces of the first resin body 24 and the second resin body 25 can be obtained. Therefore, a highly reliable light-emitting device 1 can be configured.

ナノ粒子の粒径としては、良好な光反射性及び第1樹脂体24及び第2樹脂体25との良好な密着性が得られるように、平均粒径が1〜100nmとすることが好ましく、1〜50nmとすることが特に好ましい。   As the particle diameter of the nanoparticles, it is preferable that the average particle diameter is 1 to 100 nm so that good light reflectivity and good adhesion with the first resin body 24 and the second resin body 25 are obtained. The thickness is particularly preferably 1 to 50 nm.

なお、本明細書において、ナノ粒子の粒子径は、レーザー回折法を用いた測定で、粒子径の平均値とする。粒子の大きさは測定する個数基準(個数分布)を用いる。
また、反射膜27に含有させる光反射部材と、第1樹脂体24及び第2樹脂体25に含有させる光反射部材とは、同種の物質であってもよく、異なる種類の物質であってもよく、また、これらの物質の粒径も、同じであってもよく、異なるものであってもよい。
Note that in this specification, the particle diameter of the nanoparticles is an average value of particle diameters measured by a laser diffraction method. For the size of the particles, the number reference (number distribution) to be measured is used.
In addition, the light reflecting member contained in the reflective film 27 and the light reflecting member contained in the first resin body 24 and the second resin body 25 may be the same type of material or different types of materials. Moreover, the particle diameters of these substances may be the same or different.

パッケージの平面視の外縁の短辺の長さが、例えば100〜200μm程度の発光装置において、発光素子を載置する凹部に設ける反射膜の膜厚が仮に10μm程度もの厚みがあると、反射膜によって凹部が狭くなる。そのため、凹部には相対的に小型で低出力の発光素子しか載置できず、結果として、この発光装置が相対的に暗く発光することになる。
また、発光素子を載置する凹部の底面でリード間を跨ぐワイヤ50は、このリード間に配置される樹脂部の上に反射膜を設ける場合、反射膜が厚いと、ワイヤ50の形状が滑らかに設けることができなくなる。反射膜が仮に10μm程度もの厚みを有していると、ワイヤ50が尖って曲がった形状になるため、熱により第3樹脂体40が収縮したり膨張したりすることで、応力によりワイヤ50の破断、断線、接続部の剥がれ等が懸念される。
そのため、本実施形態のパッケージ20において、反射膜27の平均厚みTは、安定した膜厚で形成することができ、かつ良好な反射性が得られるように、10〜1000nm、好ましくは10〜500nm、さらに好ましくは50〜200nmとすることが特に好ましい。これにより、発光装置1は、パッケージ20の凹部26に、相対的に大型で高出力の発光素子30を載置できるため、相対的に明るく発光することができる。また、第2樹脂体25の上面25aに形成する反射膜27を、上記範囲内の膜厚に設定することにより、凹部26の底面26aでリード23,23間を跨ぐワイヤ50の形状を、滑らかに折り曲げた形状に維持することができる。なお、反射膜27を形成する際に、ナノ粒子を高濃度で含有する分散液を乾燥させることで、10〜500nm程度の薄膜を容易に形成することができる。
In a light emitting device having a short side length of the outer edge of the package in a plan view of, for example, about 100 to 200 μm, if the thickness of the reflective film provided in the recess for mounting the light emitting element is about 10 μm, As a result, the recess is narrowed. Therefore, only a relatively small and low-output light emitting element can be placed in the recess, and as a result, the light emitting device emits light relatively darkly.
Further, the wire 50 straddling between the leads on the bottom surface of the concave portion on which the light emitting element is placed is provided with a reflective film on the resin portion disposed between the leads. When the reflective film is thick, the shape of the wire 50 is smooth. Can no longer be provided. If the reflective film has a thickness of about 10 μm, the wire 50 has a sharp and bent shape. Therefore, the third resin body 40 contracts or expands due to heat, so that the stress of the wire 50 is increased due to stress. There are concerns about breakage, disconnection, peeling of the connecting portion, and the like.
Therefore, in the package 20 of this embodiment, the average thickness T of the reflective film 27 is 10 to 1000 nm, preferably 10 to 500 nm, so that it can be formed with a stable film thickness and good reflectivity can be obtained. More preferably, the thickness is particularly preferably 50 to 200 nm. Thereby, since the light emitting device 1 can place the relatively large and high output light emitting element 30 in the recess 26 of the package 20, it can emit light relatively brightly. Further, by setting the reflective film 27 formed on the upper surface 25a of the second resin body 25 to a film thickness within the above range, the shape of the wire 50 straddling the leads 23, 23 at the bottom surface 26a of the recess 26 can be made smooth. It can be maintained in a bent shape. In addition, when forming the reflective film 27, a thin film of about 10 to 500 nm can be easily formed by drying a dispersion containing nanoparticles at a high concentration.

パッケージ20は、外部の実装基板に例えば半田接合されると、パッケージ20の下面20aに半田層が接着される。仮に、第2樹脂体25の表面に反射膜27を備えていなかった場合、第2樹脂体25を透過した光は、半田層に吸収され外部に取り出すことができなくなる。これに対して、本実施形態のパッケージ20は、第2樹脂体25の上面25a及び下面25bに反射膜27を備えているので、第2樹脂体25に光が吸収されることを抑制することができ、かつ、第2樹脂体25に僅かな光が吸収されたとしても、第2樹脂体25の下面25bの反射膜27で上方に反射するので、光取り出し効率を上げることができる。   When the package 20 is soldered, for example, to an external mounting substrate, a solder layer is bonded to the lower surface 20 a of the package 20. If the reflective film 27 is not provided on the surface of the second resin body 25, the light transmitted through the second resin body 25 is absorbed by the solder layer and cannot be extracted outside. On the other hand, since the package 20 of the present embodiment includes the reflective film 27 on the upper surface 25a and the lower surface 25b of the second resin body 25, the light absorption by the second resin body 25 is suppressed. Even if a small amount of light is absorbed by the second resin body 25, it is reflected upward by the reflective film 27 on the lower surface 25b of the second resin body 25, so that the light extraction efficiency can be increased.

[発光素子]
発光素子30は、パッケージ20の凹部26の底面26aにおいて一対のリード23の少なくとも一方に配置される。発光素子30は、ワイヤ50を介してリード23と電気的に接続している。ここで用いられる発光素子30は形状や大きさ等が特に限定されない。発光素子30の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色(波長430〜490nmの光)の発光素子としては、GaN系やInGaN系を用いることができる。InGaN系としては、InAlGa1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y<1)等を用いることができる。なお、発光素子30は、フェイスアップ構造のものを使用することができる他、フェイスダウン構造のものも使用することができる。
[Light emitting element]
The light emitting element 30 is disposed on at least one of the pair of leads 23 on the bottom surface 26 a of the recess 26 of the package 20. The light emitting element 30 is electrically connected to the lead 23 via the wire 50. The shape and size of the light emitting element 30 used here are not particularly limited. As the luminescent color of the light emitting element 30, the thing of arbitrary wavelengths can be selected according to a use. For example, a GaN-based or InGaN-based light-emitting element can be used as a blue light-emitting element (light having a wavelength of 430 to 490 nm). The InGaN-based, In X Al Y Ga 1- X-Y N (0 ≦ X ≦ 1,0 ≦ Y ≦ 1, X + Y <1) , or the like can be used. The light emitting element 30 can be a face-up structure or a face-down structure.

[第3樹脂体]
第3樹脂体40は、パッケージ20の凹部26内に実装された発光素子30等を覆うものである。第3樹脂体40は、発光素子30等を、外力、埃、水分等から保護すると共に、発光素子30等の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。
第3樹脂体40を構成する樹脂のことを以下では第3樹脂と呼ぶ。第3樹脂としては、熱硬化性樹脂、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明な材料を挙げることができる。このような材料に加えて、所定の機能を持たせるために、蛍光体や光反射率が高い物質等のフィラーを含有させることもできる。
[Third resin body]
The third resin body 40 covers the light emitting element 30 and the like mounted in the recess 26 of the package 20. The third resin body 40 is provided to protect the light emitting element 30 and the like from external force, dust, moisture, and the like, and to improve the heat resistance, weather resistance, and light resistance of the light emitting element 30 and the like.
Hereinafter, the resin constituting the third resin body 40 is referred to as a third resin. Examples of the third resin include a thermosetting resin, for example, a transparent material such as a silicone resin, an epoxy resin, and a urea resin. In addition to such a material, a filler such as a phosphor or a substance having a high light reflectance can also be included in order to have a predetermined function.

第3樹脂は、例えば蛍光体を混合することで、発光装置1の色調調整を容易にすることができる。   The third resin can facilitate the color tone adjustment of the light emitting device 1 by mixing phosphors, for example.

第3樹脂に含有させるフィラーとしては、例えば、SiO、TiO、Al、ZrO、MgO等の光反射率が高い物質を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料を用いることができる。 As the filler to be contained in the third resin, for example, a material having a high light reflectance such as SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , MgO can be suitably used. For the purpose of cutting undesired wavelengths, for example, organic or inorganic coloring dyes or coloring pigments can be used.

[ワイヤ]
ワイヤ50は、発光素子30や保護素子等の電子部品と、リード23とを電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤ50の材質としては、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Pt(白金)、Al(アルミニウム)等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れたAuを用いるのが好ましい。なお、ワイヤ50の太さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
[Wire]
The wire 50 is a conductive wiring for electrically connecting the electronic component such as the light emitting element 30 and the protection element and the lead 23. Examples of the material of the wire 50 include metals such as Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Pt (platinum), Al (aluminum), and alloys thereof. It is preferable to use Au excellent in thermal conductivity and the like. In addition, the thickness of the wire 50 is not specifically limited, It can select suitably according to the objective and a use.

[その他]
発光装置1には、保護素子としてツェナーダイオードを設けることもできる。ツェナーダイオードは、発光素子30と離れて凹部26の底面26aのリード23に載置することができる。また、ツェナーダイオードは、凹部26の底面26aのリード23に載置され、その上に発光素子30を載置する構成を採ることもできる。
[Others]
The light emitting device 1 may be provided with a Zener diode as a protective element. The Zener diode can be placed on the lead 23 on the bottom surface 26 a of the recess 26 apart from the light emitting element 30. Further, the Zener diode may be mounted on the lead 23 on the bottom surface 26a of the recess 26, and the light emitting element 30 may be mounted thereon.

本実施形態に係るパッケージ20及び発光装置1は、高精度に配置された反射膜27を備えるので、発光素子や蛍光体からの光を、従来よりも反射させて、発光上面の方に光を取り出すことができる。発光装置1は、光取り出し効率を上げることができ、光束を向上させることができる。   Since the package 20 and the light emitting device 1 according to the present embodiment include the reflective film 27 arranged with high accuracy, the light from the light emitting element and the phosphor is reflected more than before, and the light is directed toward the light emitting upper surface. It can be taken out. The light emitting device 1 can increase the light extraction efficiency and improve the luminous flux.

[発光装置の製造方法]
以下では、複数の発光装置に対応した複数の基板がアレイ状に配置された集合基板の形態で製造する場合について説明する。第1実施形態に係る発光装置の製造方法は、集合基板としての樹脂成形体を準備する工程と、反射膜を形成する工程と、一部の反射膜を剥離する工程と、発光素子を載置する工程と、第3樹脂で発光素子を覆う工程と、個片化工程と、を行うこととしている。
[Method for Manufacturing Light Emitting Device]
Below, the case where it manufactures with the form of the aggregate substrate by which the some board | substrate corresponding to several light-emitting devices is arrange | positioned at array form is demonstrated. The manufacturing method of the light emitting device according to the first embodiment includes a step of preparing a resin molded body as a collective substrate, a step of forming a reflective film, a step of peeling off a part of the reflective film, and a light emitting element. A step of covering the light-emitting element with the third resin, and a step of dividing into individual pieces.

<樹脂成形体を準備する工程>
図4は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの平面図である。図5は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、樹脂成形体の平面図である。図6は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図5のVI−VI断面矢視図である。
<Process for preparing resin molding>
FIG. 4 is a diagram schematically showing the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a plan view of the lead frame. FIG. 5 is a diagram showing an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a plan view of a resin molded body. FIG. 6 is a diagram illustrating an outline of the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in FIG. 5.

樹脂成形体21は、リードフレーム22と、樹脂部29とを備えており、複数の発光装置に対応した複数の凹部26を備えている。リードフレーム22には、所定のパターンで貫通孔22aが形成されている。所定のパターンは、個片化した際に異種電極となるように2つのリード領域に分かれており、かつ、この2つのリードを保持しつつリード領域を囲むようになっている。貫通孔22aに沿って個片化するため、直線形状が好ましい。リードフレーム22は、平板状の金属板を用いることができるが、段差や凹凸を設けた金属板も用いることができる。リードフレーム22は、平板状の金属板に打ち抜き加工やエッチング加工等を行ったものである。   The resin molded body 21 includes a lead frame 22 and a resin portion 29, and includes a plurality of concave portions 26 corresponding to a plurality of light emitting devices. Through holes 22a are formed in the lead frame 22 in a predetermined pattern. The predetermined pattern is divided into two lead areas so as to form different electrodes when separated into individual pieces, and surrounds the lead area while holding the two leads. In order to divide into pieces along the through hole 22a, a linear shape is preferable. The lead frame 22 can be a flat metal plate, but can also be a metal plate provided with steps or irregularities. The lead frame 22 is obtained by punching or etching a flat metal plate.

貫通孔22aは、樹脂成形体21を個片化してパッケージ20とした際、リード23が正負一対となるように形成されている。また、貫通孔22aは、樹脂成形体21を切断する際に、リード23を切断する面積を少なくするように形成されている。例えば、正負一対のリード23となるように横方向に貫通孔22aを設ける。細長い貫通孔の幅(一対のリード23,23間の幅W)は、1mm以下、例えば500〜800μmであると、パッケージを小型化できるので好ましい。また、樹脂成形体21を個片化する際の切り出し部分に相当する位置に貫通孔22aを設ける。ただし、リードフレーム22の一部が脱落しないように、又は、パッケージ20の側面20bにリード23を露出させるためにリードフレーム22の一部を連結しておく。例えばダイシングブレード90(図14参照)を用いて樹脂成形体21をダイシングするため、貫通孔22aは、縦及び横若しくは斜めに直線的に形成されていることが好ましい。このダイシングされる部分に相当する位置の貫通孔22a,22a間が1つのパッケージ20の構成となる。   The through holes 22a are formed so that the leads 23 form a pair of positive and negative when the resin molded body 21 is separated into the package 20. Further, the through hole 22a is formed so as to reduce an area for cutting the lead 23 when the resin molded body 21 is cut. For example, the through holes 22 a are provided in the lateral direction so as to form a pair of positive and negative leads 23. The width of the elongated through hole (the width W between the pair of leads 23, 23) is preferably 1 mm or less, for example, 500 to 800 μm because the package can be reduced in size. Moreover, the through-hole 22a is provided in the position corresponded to the cut-out part at the time of dividing the resin molding 21 into pieces. However, a part of the lead frame 22 is connected so that a part of the lead frame 22 does not fall off or the lead 23 is exposed to the side surface 20b of the package 20. For example, in order to dice the resin molded body 21 using a dicing blade 90 (see FIG. 14), it is preferable that the through holes 22a are linearly formed vertically and horizontally or diagonally. The space between the through holes 22a and 22a corresponding to the portion to be diced is a single package 20.

リードフレーム22は、例えば、銅や銅合金等の電気良導体を用いて形成される。また、発光素子30からの光の反射率を高めるために、銀やアルミニウム等の金属メッキを施すことができる。貫通孔22aを設けた後やエッチング処理を行った後等、上金型と下金型とで挟み込む前に金属メッキを施すことが好ましいが、リードフレーム22が樹脂部29と一体成形される前に金属メッキを施すこともできる。   The lead frame 22 is formed using, for example, a good electrical conductor such as copper or copper alloy. Further, in order to increase the reflectance of light from the light emitting element 30, metal plating such as silver or aluminum can be applied. Although it is preferable to perform metal plating before sandwiching between the upper mold and the lower mold, such as after the through hole 22a is provided or after the etching process, before the lead frame 22 is integrally molded with the resin portion 29. Metal plating can also be given to this.

リードフレーム22におけるリード23は、成型後のリード23に相当する部分を意味し、個片化する後の状態をいう。リード23は、個片化されたときの凹部26の底面26aに配置される。樹脂部29は、成型後の第1樹脂体24と第2樹脂体25に相当する部分を意味し、個片化する前の状態をいう。このうち、第1樹脂体24は、個片化されたときの凹部26の側壁26dを形成する。第2樹脂体25は、個片化されたときの一対のリード23間に配置される。   The lead 23 in the lead frame 22 means a portion corresponding to the lead 23 after molding, and means a state after being separated into pieces. The lead 23 is disposed on the bottom surface 26a of the recess 26 when separated. The resin part 29 means a part corresponding to the first resin body 24 and the second resin body 25 after molding, and means a state before being singulated. Among these, the 1st resin body 24 forms the side wall 26d of the recessed part 26 when it is separated into pieces. The second resin body 25 is disposed between the pair of leads 23 when separated.

樹脂成形体21を製造する工程は、例えば下記(1)から(5)の工程を有する。
(1)貫通孔22aを有する平板状のリードフレーム22を準備する。
(2)リードフレーム22を上下に分割されたモールド金型の上金型と下金型で挟み込む。
(3)樹脂部29の材料、すなわち酸化チタン等の光反射部材が含有された第1樹脂を金型に注入する。
(4)注入された第1樹脂を硬化又は固化する。
(5)金型から成形体を取り出して第1樹脂の注入痕を切除する。
なお、第1樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合、トラスファーモールドにより製造することが好ましい。この場合、熱硬化性樹脂を硬化させるために、オーブンで加熱処理する。なお、樹脂成形体21を射出成形、圧縮成形、押出成形で形成させることもできる。
The process of manufacturing the resin molded body 21 includes the following processes (1) to (5), for example.
(1) A flat lead frame 22 having a through hole 22a is prepared.
(2) The lead frame 22 is sandwiched between the upper mold and the lower mold of the mold mold that is divided vertically.
(3) The material of the resin part 29, that is, the first resin containing a light reflecting member such as titanium oxide is poured into the mold.
(4) The injected first resin is cured or solidified.
(5) The molded product is taken out from the mold and the injection trace of the first resin is excised.
In addition, when using a thermosetting resin as 1st resin, it is preferable to manufacture by a transfer mold. In this case, heat treatment is performed in an oven in order to cure the thermosetting resin. The resin molded body 21 can also be formed by injection molding, compression molding, or extrusion molding.

<反射膜を形成する工程>
図7は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜の形成方法の一例を示す図である。図8は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を備える成形基板の平面図である。図9は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図8のIX−IX断面矢視図である。
<Step of forming a reflective film>
FIG. 7 is a diagram illustrating an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a diagram illustrating an example of a method of forming a reflective film. FIG. 8 is a diagram illustrating an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a plan view of a molded substrate including a reflective film. FIG. 9 is a diagram illustrating an outline of the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 8.

反射膜27を形成する工程では、個片化されたときのパッケージ20において少なくとも凹部26の底面26a及び凹部26の側壁26dの内面26bの全面に反射膜27を形成する。ここで、凹部26の底面26aとは、個片化されたときのパッケージ20において第2樹脂体25の上面25aに相当する部分である。   In the step of forming the reflective film 27, the reflective film 27 is formed on the entire surface of at least the bottom surface 26a of the recess 26 and the inner surface 26b of the side wall 26d of the recess 26 in the package 20 when separated. Here, the bottom surface 26 a of the recess 26 is a portion corresponding to the upper surface 25 a of the second resin body 25 in the package 20 when separated.

本実施形態では、準備された樹脂成形体21を、光反射部材の分散液である有機溶剤71に浸漬し、その後、乾燥させることで、反射膜27を形成する。浸漬時間や乾燥時間は、樹脂成形体21上に、平均厚みTが10〜300nmの反射膜27が形成されるように適宜設定することができる。この有機溶剤71として、光反射部材の粒子(ナノ粒子)が有機溶媒中に分散したスラリーを用いる。有機溶剤71には、1〜100nmの粒子径を持つ金属酸化物が主に含まれている。ナノ粒子は酸化チタンであることが好ましい。   In this embodiment, the prepared resin molded body 21 is immersed in an organic solvent 71 that is a dispersion liquid of a light reflecting member, and then dried to form the reflective film 27. The immersion time and the drying time can be appropriately set so that the reflective film 27 having an average thickness T of 10 to 300 nm is formed on the resin molded body 21. As the organic solvent 71, a slurry in which the particles (nanoparticles) of the light reflecting member are dispersed in the organic solvent is used. The organic solvent 71 mainly contains a metal oxide having a particle size of 1 to 100 nm. The nanoparticles are preferably titanium oxide.

このようにナノ粒子が有機溶媒中に分散したスラリーで樹脂成形体21をコーティングすることで、パッケージの複雑形状に追従でき、高精度で、ち密な反射膜27が形成される。すなわち、光反射部材の分散液で樹脂成形体21に反射膜27を形成することにより、例えば、凹部26の内側の第2樹脂体25の上面25aや下面25b等の絶縁部に対して選択的に、光反射部材を含む反射膜27を成膜することができる。   By coating the resin molded body 21 with the slurry in which the nanoparticles are dispersed in the organic solvent in this way, the complicated shape of the package can be followed, and the dense reflective film 27 can be formed with high accuracy. That is, by forming the reflective film 27 on the resin molded body 21 with the dispersion liquid of the light reflecting member, for example, selective to the insulating portions such as the upper surface 25a and the lower surface 25b of the second resin body 25 inside the recess 26. In addition, the reflective film 27 including the light reflecting member can be formed.

以下では、反射膜27が形成された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体21bと表記する。樹脂成形体21bはその表面のすべてに反射膜27が形成されている。すなわち、個片化されたときのパッケージ20におけるリード23、第1樹脂体24及び第2樹脂体25の表面のすべてに反射膜27が形成されている。   Hereinafter, the resin molded body after the reflection film 27 is formed is referred to as a resin molded body 21b. The resin molded body 21b has a reflection film 27 formed on the entire surface thereof. That is, the reflective film 27 is formed on all the surfaces of the lead 23, the first resin body 24, and the second resin body 25 in the package 20 when separated into pieces.

<一部の反射膜を剥離する工程>
図10は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を剥離する方法の一例を示す図である。図11は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜が剥離された成形基板の平面図である。図12は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図11のXII−XII断面矢視図である。
<Step of removing a part of the reflective film>
FIG. 10 is a diagram illustrating an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a diagram illustrating an example of a method of peeling the reflective film. FIG. 11 is a diagram illustrating an outline of the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a plan view of the molded substrate from which the reflective film has been peeled off. FIG. 12 is a diagram illustrating an outline of the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line XII-XII in FIG. 11.

一部の反射膜27を剥離する工程は、樹脂成形体21bにおいて凹部26内の一対のリード23に形成された反射膜を剥離する工程である。この工程では、まず、樹脂成形体21bを電解液に浸漬して樹脂成形体21bに電流を通電する。例えば電解バリ取り装置を用いることができる。   The step of peeling off some of the reflective films 27 is a step of peeling off the reflective films formed on the pair of leads 23 in the recess 26 in the resin molded body 21b. In this step, first, the resin molded body 21b is immersed in an electrolytic solution, and a current is passed through the resin molded body 21b. For example, an electrolytic deburring device can be used.

電解バリ取り装置は、電解槽80と電気回路とを備えており、電解槽80は所定の電解液81で満たされる。電源82の陰極には陰極板83が接続され、電源82の陽極には陽極板84が接続され、陰極板83及び陽極板84は電解液81の中に浸される。なお、複数の陰極板83及び陽極板84は、例えば絶縁された状態で格子状に配置されて、各陰極板83は電解処理対象物を保持する機能を兼用している。樹脂成形体21bは、そのリードフレーム22が陰極板83に電気的に接続される。樹脂成形体21bはその全体が電解液81の中に浸された状態で陰極板83に保持される。   The electrolytic deburring device includes an electrolytic bath 80 and an electric circuit, and the electrolytic bath 80 is filled with a predetermined electrolytic solution 81. A cathode plate 83 is connected to the cathode of the power source 82, an anode plate 84 is connected to the anode of the power source 82, and the cathode plate 83 and the anode plate 84 are immersed in the electrolytic solution 81. The plurality of cathode plates 83 and anode plates 84 are arranged in a grid, for example, in an insulated state, and each cathode plate 83 also has a function of holding an electrolytic treatment object. The lead frame 22 of the resin molded body 21 b is electrically connected to the cathode plate 83. The resin molded body 21 b is held by the cathode plate 83 in a state where the entire resin molded body 21 b is immersed in the electrolytic solution 81.

電解バリ取り装置のスイッチ85をオンすると、電気分解により、陰極側に水素が発生する。樹脂成形体21bに通電する電流値は、電解バリ取り装置の一般的な電流値でも構わないが、必要な反射膜27を残して不要な一部の反射膜27を効率よく除去するためには、500A/m〜3000A/mの電流密度で通電することが好ましい。より、好ましくは、1000A/m〜2500A/mである。 When the switch 85 of the electrolytic deburring device is turned on, hydrogen is generated on the cathode side by electrolysis. The current value to be applied to the resin molded body 21b may be a general current value of an electrolytic deburring device. However, in order to efficiently remove an unnecessary part of the reflection film 27 while leaving the necessary reflection film 27. , it is preferable to be energized at a current density of 500A / m 2 ~3000A / m 2 . More, preferably, 1000A / m 2 ~2500A / m 2.

電解バリ取りであれば、リード23の上に形成された反射膜27の部分には、電位が生じるので、水素が発生し、表面の反射膜27が剥離する。なお、第1樹脂体24及び第2樹脂体25の上に形成された反射膜27の部分には、電位が生じないので、水素が発生せず、表面の反射膜27が剥離しない。   In the case of electrolytic deburring, since a potential is generated in the portion of the reflective film 27 formed on the lead 23, hydrogen is generated and the reflective film 27 on the surface peels off. Since no potential is generated in the portion of the reflective film 27 formed on the first resin body 24 and the second resin body 25, hydrogen is not generated and the reflective film 27 on the surface does not peel off.

樹脂成形体21bには、直流電流と交流電流とを交互に通電させてもよい。この場合、直流電流を通電する期間は、交流電流を通電する期間よりも長くする。このように、水素を発生させる期間の途中に、水素を発生させない期間を設けることで、反射膜27を剥離させる力を抑制できる。その結果、必要な反射膜27がその近傍の不要な反射膜27に引っ張られて剥がされることを防止できる。   A direct current and an alternating current may be alternately supplied to the resin molded body 21b. In this case, the period during which the direct current is applied is longer than the period during which the alternating current is applied. Thus, by providing a period during which hydrogen is not generated during the period during which hydrogen is generated, the force for peeling the reflective film 27 can be suppressed. As a result, it is possible to prevent the necessary reflective film 27 from being pulled and peeled off by the unnecessary reflective film 27 in the vicinity thereof.

一部の反射膜27を剥離する工程では、電解バリ取りを行った後、樹脂成形体21cの一対のリード23,23上に浮遊した反射膜を除去する工程を有する。この工程では、例えばウォータージェットを用いることができる。これにより、後述する、発光素子30等の電子部品の実装やワイヤボンディングの信頼性を向上させることができる。ここまでの工程により、複雑形状、高精度、ち密な高い反射率の反射膜27を樹脂部の表面に備えるパッケージ20の集合体を形成させることができる。なお、ここでは第1樹脂体24から露出しているリード23の形状は、円と直線とで構成されているが、平面視で湾曲状、波状、凹凸状などの複雑形状であっても、高精度で反射膜27を形成できる。   The step of peeling off some of the reflective films 27 includes a step of removing the reflective film floating on the pair of leads 23 and 23 of the resin molded body 21c after electrolytic deburring. In this step, for example, a water jet can be used. Thereby, it is possible to improve the reliability of mounting electronic components such as the light emitting element 30 and wire bonding, which will be described later. Through the steps so far, it is possible to form an assembly of the package 20 provided with the reflection film 27 having a complicated shape, high accuracy, and a dense high reflectance on the surface of the resin portion. Here, the shape of the lead 23 exposed from the first resin body 24 is composed of a circle and a straight line. The reflective film 27 can be formed with high accuracy.

以下では、不要な一部の反射膜27が除去された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体21cと表記する。この樹脂成形体21cを個片化した場合、図1のパッケージ20となる。このパッケージ20において、反射膜27は、凹部26の側壁26dの内面26bにリード23との境界まで形成され、かつ、第2樹脂体25の上面25a及び下面25bにリード23との境界まで形成されている。また、反射膜27は、パッケージ20の下面20aにおいて、第1樹脂体24の下面にリード23との境界まで形成されている。さらに、第1樹脂体24とリード23との境界に沿うように反射膜27が形成されている。   Hereinafter, the resin molded body after the unnecessary part of the reflection film 27 is removed is referred to as a resin molded body 21c. When the resin molded body 21c is singulated, the package 20 shown in FIG. 1 is obtained. In the package 20, the reflective film 27 is formed on the inner surface 26 b of the side wall 26 d of the recess 26 up to the boundary with the lead 23, and is formed on the upper surface 25 a and the lower surface 25 b of the second resin body 25 up to the boundary with the lead 23. ing. Further, the reflective film 27 is formed on the lower surface of the first resin body 24 up to the boundary with the lead 23 on the lower surface 20 a of the package 20. Further, a reflective film 27 is formed along the boundary between the first resin body 24 and the lead 23.

<発光素子を載置する工程>
図13は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、発光素子が載置された成形基板の断面図である。発光素子30を載置する工程では、樹脂成形体21cの凹部26内に配置される一対のリード23,23の少なくとも一方に発光素子30を載置する。ここでは、発光素子30がフェイスアップ構造であるものとしているので、リード23上の発光素子30を実装する場所へ、ダイボンド樹脂を塗布して、発光素子30を実装し、次に、ダイボンド樹脂を硬化するために、オーブンで加熱処理する。
<The process of mounting a light emitting element>
FIG. 13 is a diagram illustrating an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view of a molded substrate on which the light emitting element is placed. In the step of placing the light emitting element 30, the light emitting element 30 is placed on at least one of the pair of leads 23 and 23 disposed in the recess 26 of the resin molded body 21 c. Here, since the light emitting element 30 is assumed to have a face-up structure, a die bond resin is applied to the place where the light emitting element 30 is mounted on the lead 23, the light emitting element 30 is mounted, and then the die bond resin is applied. To cure, heat treatment in an oven.

なお、発光装置1の製造方法は、保護素子を載置する工程を有してもよい。この場合、樹脂成形体21cの凹部26内で保護素子を実装する場所へ、Agペースト剤を塗布してから、保護素子を実装し、Agペースト剤を硬化させるために、オーブンで加熱処理する。   In addition, the manufacturing method of the light-emitting device 1 may have the process of mounting a protective element. In this case, the Ag paste agent is applied to the place where the protective element is mounted in the recess 26 of the resin molded body 21c, and then the protective element is mounted and heat-treated in an oven in order to cure the Ag paste agent.

発光装置1の製造方法では、続いて、ワイヤボンディング装置を用い、導電性のワイヤ50で、発光素子30とリード23とを電気的に接続させる。なお、保護素子を載置した場合、保護素子とリードとを電気的に接続させる。以下では、発光素子30が実装された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体21dと表記する。   In the method for manufacturing the light emitting device 1, the light emitting element 30 and the lead 23 are then electrically connected by the conductive wire 50 using a wire bonding apparatus. When the protective element is placed, the protective element and the lead are electrically connected. Hereinafter, the resin molded body after the light emitting element 30 is mounted is referred to as a resin molded body 21d.

<第3樹脂で発光素子を覆う工程>
図14は、第1実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、第3樹脂体で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。樹脂で発光素子を覆う工程は、樹脂成形体21dにおいて、発光素子30の上から、例えば樹脂塗布装置を用いて、第3樹脂を塗布する。第3樹脂は、熱硬化性樹脂のほか、蛍光体、無機フィラー、有機フィラーの少なくとも、1つを含有させることができる。塗布に続いて、第3樹脂を硬化させるために、オーブンで加熱処理を行う。
<Process for covering light emitting element with third resin>
FIG. 14 is a diagram illustrating an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment, and is a cross-sectional view of a resin molded body in which the light emitting element is covered with a third resin body. In the step of covering the light emitting element with the resin, the third resin is applied to the resin molded body 21d from above the light emitting element 30 using, for example, a resin coating device. In addition to the thermosetting resin, the third resin can contain at least one of a phosphor, an inorganic filler, and an organic filler. Following application, heat treatment is performed in an oven to cure the third resin.

第3樹脂の充填量は、発光素子30等の電子部品やワイヤ50等が被覆される量であればよい。この材料の充填量を必要最小限にする場合には、第3樹脂体40の表面を図示するようにほぼ平坦な形状とする。なお、第3樹脂体40にレンズ機能をもたせる場合には、第3樹脂体40の表面を盛り上がらせて砲弾型形状や凸レンズ形状としてもよい。以下では、第3樹脂体40が形成された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体21eと表記する。   The filling amount of the third resin may be an amount that covers the electronic components such as the light emitting element 30 and the wires 50. In order to minimize the filling amount of this material, the surface of the third resin body 40 is formed into a substantially flat shape as illustrated. When the third resin body 40 has a lens function, the surface of the third resin body 40 may be raised so as to have a bullet shape or a convex lens shape. Hereinafter, the resin molded body after the third resin body 40 is formed is referred to as a resin molded body 21e.

<個片化工程>
個片化工程は、樹脂成形体21eを切断して、個片化した発光装置を得る工程である。樹脂成形体21eのリードフレーム22には、所定のパターンで貫通孔22aが形成されており、凹部26に配置された貫通孔22aを除くその他の貫通孔22aを通る位置で樹脂成形体21eを切断する。例えば、樹脂成形体21eをダイシングシートに張りつけ、ダイシングブレード90で、樹脂成形体21eの樹脂部29とリードフレーム22とを同時に切断する。
<Individualization process>
The singulation step is a step of cutting the resin molded body 21e to obtain an individual light emitting device. Through holes 22a are formed in a predetermined pattern in the lead frame 22 of the resin molded body 21e, and the resin molded body 21e is cut at a position passing through the other through holes 22a except for the through holes 22a arranged in the recess 26. To do. For example, the resin molded body 21e is attached to a dicing sheet, and the resin portion 29 and the lead frame 22 of the resin molded body 21e are simultaneously cut with a dicing blade 90.

本実施形態に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、マスクを使用することなく、準備された樹脂成形体21を、光反射部材の分散液である有機溶剤71に浸漬し、全体に反射膜27を形成した後で、一部の不要な反射膜27を除去するので、反射膜27を必要なエリアに形成することができる。   According to the manufacturing method of the package and the light emitting device according to the present embodiment, the prepared resin molded body 21 is immersed in the organic solvent 71 which is a dispersion liquid of the light reflecting member without using a mask, and is reflected on the whole. After the film 27 is formed, a part of the unnecessary reflection film 27 is removed, so that the reflection film 27 can be formed in a necessary area.

また、上記製造方法において、表面全体に反射膜27が形成された樹脂成形体21Bを電解液に浸漬し、陰極に接続された樹脂成形体21bに直流電流を通電すれば、水素の発生によりリード23の上から不要な反射膜27を容易に除去することができる。そのため、例えばリード23,23間に配置される第2樹脂体25の上面25a及び下面25bといった微小エリアにもリード23との境界まで精度良く反射膜27を形成することができる。また、第1樹脂体24とリード23との境界に沿うように反射膜27を形成することができる。   Further, in the above manufacturing method, if the resin molded body 21B having the reflection film 27 formed on the entire surface is immersed in an electrolytic solution and a direct current is passed through the resin molded body 21b connected to the cathode, lead is generated due to the generation of hydrogen. Unnecessary reflection film 27 can be easily removed from above 23. Therefore, for example, the reflective film 27 can be accurately formed up to the boundary with the lead 23 also in a minute area such as the upper surface 25a and the lower surface 25b of the second resin body 25 disposed between the leads 23 and 23. In addition, the reflective film 27 can be formed along the boundary between the first resin body 24 and the lead 23.

(第2実施形態)
図15は、第2実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、絶縁膜で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。本実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子を載置する工程の後、かつ、第3樹脂で発光素子を覆う工程の前に、絶縁膜で発光素子を覆う工程をさらに有してもよい。
(Second Embodiment)
FIG. 15 is a diagram illustrating an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the second embodiment, and is a cross-sectional view of a resin molded body in which the light emitting element is covered with an insulating film. The method for manufacturing a light emitting device according to this embodiment further includes a step of covering the light emitting element with an insulating film after the step of placing the light emitting element and before the step of covering the light emitting element with the third resin. Also good.

発光素子30を載置した後にワイヤ50を用いる場合、絶縁膜60は、ワイヤ50を設けた後に形成するのが好ましい。本実施形態では、発光素子30が実装された後の樹脂成形体21dにおいて、発光素子30及びワイヤ50の上から絶縁膜60を形成する。   When the wire 50 is used after the light emitting element 30 is placed, the insulating film 60 is preferably formed after the wire 50 is provided. In the present embodiment, the insulating film 60 is formed on the light emitting element 30 and the wire 50 in the resin molded body 21d after the light emitting element 30 is mounted.

絶縁膜60は、樹脂成形体21dの上面のほぼ全域を被覆するように設けることが好ましい。絶縁膜60の材料としては、透光性のものが好ましく、また、主として無機化合物を用いることが好ましい。具体的には、Al、SiO、TiO、ZrO、ZnO、Nb、MgO、In、Ta、HfO、SeO、Y等の酸化物や、SiN、AlN、AlON等の窒化物、MgF等のフッ化物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、又は、混合して用いてもよい。もしくは、積層させるようにしてもよい。 The insulating film 60 is preferably provided so as to cover almost the entire upper surface of the resin molded body 21d. As a material of the insulating film 60, a light-transmitting material is preferable, and it is preferable to mainly use an inorganic compound. Specifically, oxidation of Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , ZnO, Nb 2 O 5 , MgO, In 2 O 3 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , SeO, Y 2 O 3, etc. And nitrides such as SiN, AlN, and AlON, and fluorides such as MgF 2 . These may be used alone or in combination. Alternatively, it may be laminated.

絶縁膜60の膜厚については、第3樹脂体40/絶縁膜60の界面や、絶縁膜60/リード23の界面において多重反射で光の損失が起きないように薄くすることが好ましい。
絶縁膜60の膜厚は第3樹脂体40の膜厚よりも薄い。絶縁膜60の膜厚は略一定である。絶縁膜60として用いる材料の種類によって膜厚の好ましい範囲は多少異なるが、絶縁膜60の膜厚は、約1nm〜300nmが好ましく、より好ましくは5nm〜100nmである。絶縁膜60を多層とする場合には、層全体の膜厚がこの範囲内となるようにすることが好ましい。
The film thickness of the insulating film 60 is preferably thin so as not to cause light loss due to multiple reflection at the interface of the third resin body 40 / insulating film 60 and the interface of the insulating film 60 / lead 23.
The film thickness of the insulating film 60 is thinner than the film thickness of the third resin body 40. The thickness of the insulating film 60 is substantially constant. Although the preferable range of the film thickness is somewhat different depending on the type of material used for the insulating film 60, the film thickness of the insulating film 60 is preferably about 1 nm to 300 nm, more preferably 5 nm to 100 nm. When the insulating film 60 is a multilayer, it is preferable that the film thickness of the entire layer be within this range.

このような絶縁膜60は、Atomic Layer Deposition(ALD)法、スパッタ法、蒸着法等によって形成することができる。なかでも、ALD法は、形成される被膜が緻密であり、段差(凹凸)を有する形状の被覆性が高く、均一な厚さの被膜を形成することができるため好ましい。特に、ALD法で形成したAlからなる被膜は、水分等の雰囲気に対するバリア性が高く、好ましい。これにより、例えばリード23上の銀メッキの変色を効果的に抑制することができる。 Such an insulating film 60 can be formed by an atomic layer deposition (ALD) method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. Among these, the ALD method is preferable because the formed film is dense, the shape having a step (unevenness) is high, and a film having a uniform thickness can be formed. In particular, a film made of Al 2 O 3 formed by the ALD method is preferable because it has a high barrier property against an atmosphere such as moisture. Thereby, for example, discoloration of silver plating on the lead 23 can be effectively suppressed.

(第3実施形態)
図16は、第3実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、他の樹脂成形体の平面図である。本実施形態に係るパッケージ及び発光装置の製造方法では、例えば図16に示す樹脂成形体21Cを準備することとしてもよい。樹脂成形体21Cは、リードフレーム22Cと、個々のパッケージに相当する複数の樹脂部29Cとを備えており、各樹脂部29Cは凹部26を備えている。樹脂成形体21Cでは樹脂部29Cが個片化されているので、個片化工程では、リードフレーム22Cだけが切断される。
(Third embodiment)
FIG. 16 is a diagram illustrating an outline of a manufacturing process of the light emitting device according to the third embodiment, and is a plan view of another resin molded body. In the method for manufacturing a package and a light emitting device according to this embodiment, for example, a resin molded body 21C shown in FIG. 16 may be prepared. The resin molded body 21 </ b> C includes a lead frame 22 </ b> C and a plurality of resin portions 29 </ b> C corresponding to individual packages, and each resin portion 29 </ b> C includes a recess 26. Since the resin portion 29C is separated into pieces in the resin molded body 21C, only the lead frame 22C is cut in the separation step.

リードフレーム22Cは、板状の部材であり、凹部26の周囲に所定形状の貫通孔223を有している。貫通孔223は、樹脂成形体21Cを個片化した際、リード23が正負一対となるように形成されている。リードフレーム22Cは、貫通孔223の周囲を取り囲む枠体220と、吊りリード221と、ハンガーリード222と、を備えている。
吊りリード221は、枠体220から貫通孔223の側に向かって突出しリード23に接続されている。この吊りリード221は、樹脂部29C及びリード23,23を枠体220に支持するための部位であって、個片化する際に切り離されるものである。
ハンガーリード222は、枠体220から貫通孔223の側に向かって突出し、吊りリード221とは直交するように配置されている。このハンガーリード222は、その先端部で樹脂部29Cを支持するための部位であって、切断されるものではない。また、個片化後に、ハンガーリード222の基端部を所定の治具で突くことで、パッケージを、リードフレーム22Cから容易に取り外すことができる。
The lead frame 22 </ b> C is a plate-like member and has a through hole 223 having a predetermined shape around the recess 26. The through holes 223 are formed so that the leads 23 form a pair of positive and negative when the resin molded body 21C is separated. The lead frame 22 </ b> C includes a frame body 220 that surrounds the periphery of the through hole 223, a suspension lead 221, and a hanger lead 222.
The suspension lead 221 protrudes from the frame body 220 toward the through hole 223 and is connected to the lead 23. The suspension lead 221 is a part for supporting the resin portion 29C and the leads 23 and 23 on the frame body 220, and is separated when being separated into individual pieces.
The hanger lead 222 protrudes from the frame body 220 toward the through hole 223 and is disposed so as to be orthogonal to the suspension lead 221. The hanger lead 222 is a part for supporting the resin part 29C at its tip part and is not cut. In addition, after singulation, the package can be easily removed from the lead frame 22C by protruding the base end portion of the hanger lead 222 with a predetermined jig.

樹脂成形体21Cを用いて反射膜を形成する工程を行うと、樹脂部29Cの上面20cに加えて側面20bにも反射膜27が形成される。つまり、個片化されたときのパッケージにおいて、第1樹脂体24及び第2樹脂体25は、全面が反射膜27により覆われる。したがって、側面20bにも反射膜27が形成されたパッケージ及び発光装置を製造することができる。これにより、凹部26の側壁26dの内面26bから第1樹脂体24に僅かな光が吸収されたとしても、パッケージの側面20bの反射膜27で反射するので、光取り出し効率を上げることができる。   When the step of forming the reflection film using the resin molded body 21C is performed, the reflection film 27 is also formed on the side surface 20b in addition to the upper surface 20c of the resin portion 29C. That is, the entire surface of the first resin body 24 and the second resin body 25 is covered with the reflective film 27 in the package when separated into pieces. Therefore, a package and a light emitting device in which the reflective film 27 is formed also on the side surface 20b can be manufactured. Thereby, even if a slight amount of light is absorbed by the first resin body 24 from the inner surface 26b of the side wall 26d of the recess 26, it is reflected by the reflective film 27 on the side surface 20b of the package, so that the light extraction efficiency can be increased.

(第4実施形態)
<発光装置の構成>
図17は、第4実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。図18は、第4実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す正面図である。図19は、第4実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図18のXIX−XIX断面矢視図である。発光装置1Bは、パッケージ20Bと、発光素子30Bと、第3樹脂体40と、ワイヤ50と、を備えている。この発光装置1Bでは、パッケージ20B及び発光素子30Bの形状が第1実施形態に係る発光装置1と相違している。以下では、第1実施形態に係る発光装置1と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。発光素子30Bは、平面視で横長の四角形に形成されている点が第1実施形態に係る発光素子30と異なっている。
(Fourth embodiment)
<Configuration of light emitting device>
FIG. 17 is a diagram schematically illustrating the light emitting device according to the fourth embodiment, and is a perspective view illustrating the light emitting device. FIG. 18 is a diagram schematically showing the light emitting device according to the fourth embodiment, and is a front view showing the light emitting device. FIG. 19 is a diagram schematically illustrating the light emitting device according to the fourth embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line XIX-XIX in FIG. The light emitting device 1B includes a package 20B, a light emitting element 30B, a third resin body 40, and a wire 50. In the light emitting device 1B, the shapes of the package 20B and the light emitting element 30B are different from those of the light emitting device 1 according to the first embodiment. Below, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as the light-emitting device 1 which concerns on 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted. The light emitting element 30B is different from the light emitting element 30 according to the first embodiment in that the light emitting element 30B is formed in a horizontally long rectangle in plan view.

パッケージ20Bは、外形が、発光装置1Bの厚さ方向であるZ軸方向に扁平に形成された略直方体形状を有しており、液晶ディスプレイのバックライト用の光源などに好適に用いられるサイドビュー型の実装に適している。パッケージ20Bは、リード23と、第1樹脂体24と、第2樹脂体25と、反射膜27とを備え、リード23と第1樹脂体24及び第2樹脂体25と、は一体成形されている。第1樹脂体24は、発光装置1Bの正面側(Y軸のマイナス方向)に開口する凹部26を有している。つまり、凹部26の側壁26dは第1樹脂体24で構成されている。   The package 20B has a substantially rectangular parallelepiped shape whose outer shape is formed flat in the Z-axis direction that is the thickness direction of the light-emitting device 1B, and is preferably used as a light source for a backlight of a liquid crystal display. Suitable for type implementation. The package 20B includes a lead 23, a first resin body 24, a second resin body 25, and a reflective film 27. The lead 23, the first resin body 24, and the second resin body 25 are integrally molded. Yes. The 1st resin body 24 has the recessed part 26 opened to the front side (minus direction of a Y-axis) of the light-emitting device 1B. That is, the side wall 26 d of the recess 26 is constituted by the first resin body 24.

パッケージ20Bにおいて、凹部26は、正面視で、横長の開口部を有している。より具体的には、開口は、正面視で長方形の下辺の中央部が下方に台形状に膨らんだ八角形の形状をしている。また、凹部26の底面26aは、横長の八角形をした長尺形状を有している。凹部26の底面26aには、一対のリード23,23が露出するように設けられ、一方のリード23に発光素子30Bが搭載されている。   In the package 20B, the recess 26 has a horizontally long opening in front view. More specifically, the opening has an octagonal shape in which the central portion of the lower side of the rectangle swells downward in a trapezoidal shape when viewed from the front. The bottom surface 26a of the recess 26 has an elongated shape that is a horizontally long octagon. A pair of leads 23, 23 are provided on the bottom surface 26 a of the recess 26 so as to be exposed, and the light emitting element 30 </ b> B is mounted on one of the leads 23.

凹部26の側壁26dの内面には滑らかな傾斜を設けてもよいし、表面に細かい凹凸を設け、光を散乱させる形状としてもよい。なお、傾斜を設けずに、凹部26の底面26aに対して略垂直な面で構成されてもよい。凹部26の側壁26dのうち、発光装置1Bの厚さ方向(Z軸方向)に互いに対向して設けられた上壁部26e及び下壁部26fは、他の壁部よりも薄く形成されている。すなわち、上壁部26e及び下壁部26fは、発光装置1Bの幅方向(X軸方向)に互いに対向して設けられた2つの側壁部よりも薄く形成されている。凹部26の底面26aに設けられた一対のリード23は、下壁部23dの外側面の側から突出し、さらに屈曲して第1樹脂体24の下面に沿って延伸するように設けられている。   A smooth slope may be provided on the inner surface of the side wall 26d of the recess 26, or fine irregularities may be provided on the surface to scatter light. In addition, you may comprise by the surface substantially perpendicular | vertical with respect to the bottom face 26a of the recessed part 26, without providing an inclination. Of the side wall 26d of the recess 26, the upper wall portion 26e and the lower wall portion 26f provided to face each other in the thickness direction (Z-axis direction) of the light emitting device 1B are formed thinner than the other wall portions. . That is, the upper wall portion 26e and the lower wall portion 26f are formed thinner than two side wall portions provided to face each other in the width direction (X-axis direction) of the light emitting device 1B. The pair of leads 23 provided on the bottom surface 26 a of the recess 26 are provided so as to protrude from the outer surface side of the lower wall portion 23 d, bend further, and extend along the lower surface of the first resin body 24.

パッケージ20Bは、発光装置1Bの背面(Y軸のマイナス方向)側に、射出成形法で第1樹脂体24及び第2樹脂体25を形成する際の、金型内へ樹脂材料を注入するゲートの痕跡が形成されている。ゲート痕は第1樹脂体24により形成され、反射膜27により覆われている。第2樹脂体25は、一対のリード23,23間に配置されている。この第2樹脂体25において、発光装置1Bの正面(Y軸のプラス方向)の面(上面25a)には反射膜27が設けられている。また、第1樹脂体24においては、凹部26の側壁26dの内面26bと、凹部26の開口部26cの周囲の面を含むパッケージ20Bの表面とが、反射膜27に覆われている。なお、凹部26内には第3樹脂体40が充填されている。
この発光装置1Bは、第1実施形態と同様に集合基板の形態で製造することができる。なお、リードフレームは、モールドされた後、切断され、その後、リードフレームのうち、所定部位が屈曲され、パッケージ20Bのリード23,23の外部接続端子部が形成される。
The package 20B is a gate for injecting a resin material into a mold when the first resin body 24 and the second resin body 25 are formed by injection molding on the back surface (minus direction of the Y-axis) of the light emitting device 1B. Traces of are formed. The gate mark is formed by the first resin body 24 and is covered with the reflective film 27. The second resin body 25 is disposed between the pair of leads 23 and 23. In the second resin body 25, a reflective film 27 is provided on the front surface (upper surface 25a) of the light emitting device 1B (the positive direction of the Y axis). In the first resin body 24, the inner surface 26 b of the side wall 26 d of the recess 26 and the surface of the package 20 B including the surface around the opening 26 c of the recess 26 are covered with the reflective film 27. The recess 26 is filled with a third resin body 40.
The light emitting device 1B can be manufactured in the form of a collective substrate as in the first embodiment. The lead frame is molded and then cut, and then a predetermined portion of the lead frame is bent to form external connection terminal portions of the leads 23 and 23 of the package 20B.

発光装置1Bは、サイドビュー型の実装に適するようにリード23,23が設けられている。また、サイドビュー型の発光装置1Bとして、より薄型となるようにパッケージ20Bが構成されている。サイドビュー型のパッケージは厚さ方向に設けられた側壁の厚みが薄いため、サイドビュー型の発光装置は厚さ方向に光が漏れやすい。しかしながら、発光装置1Bは、樹脂体全体が反射膜27で覆われており、上壁部26e及び下壁部26fの内面及び外面も反射膜27で覆われている。したがって、薄壁部分から漏れ出す光を低減し、光束を向上させることができる。   The light emitting device 1B is provided with leads 23 and 23 so as to be suitable for side view type mounting. Further, the package 20B is configured to be thinner as the side-view type light emitting device 1B. Since the side-view type package has a thin side wall provided in the thickness direction, the side-view type light emitting device tends to leak light in the thickness direction. However, in the light emitting device 1B, the entire resin body is covered with the reflective film 27, and the inner surface and the outer surface of the upper wall portion 26e and the lower wall portion 26f are also covered with the reflective film 27. Therefore, the light leaking from the thin wall portion can be reduced and the luminous flux can be improved.

(第5実施形態)
<発光装置の構成>
図20は、第5実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。図21は、第5実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図20のXXI−XXI断面矢視図である。発光装置1Cは、パッケージ20Cと、発光素子30と、第3樹脂体40と、ワイヤ50と、を備えている。この発光装置1Cでは、パッケージ20Cの形状が第1実施形態に係る発光装置1と相違している。以下では、第1実施形態に係る発光装置1と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
(Fifth embodiment)
<Configuration of light emitting device>
FIG. 20 is a diagram schematically illustrating the light emitting device according to the fifth embodiment, and is a top view of the light emitting device. FIG. 21 is a diagram schematically illustrating the light emitting device according to the fifth embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line XXI-XXI in FIG. 20. The light emitting device 1C includes a package 20C, a light emitting element 30, a third resin body 40, and a wire 50. In the light emitting device 1C, the shape of the package 20C is different from that of the light emitting device 1 according to the first embodiment. Below, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as the light-emitting device 1 which concerns on 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted.

パッケージ20Cは、凹部26の底面26aに素子実装部28を備えている。このパッケージ20Cは、一対のリード23,23の他に素子実装部28を備えている。素子実装部28は、発光素子39が接合されるランド部(ダイパッド部)である。発光素子30は、素子実装部28に載置され、一対のリード23,23とそれぞれ電気的に接続される。   The package 20 </ b> C includes an element mounting portion 28 on the bottom surface 26 a of the recess 26. The package 20 </ b> C includes an element mounting portion 28 in addition to the pair of leads 23 and 23. The element mounting portion 28 is a land portion (die pad portion) to which the light emitting element 39 is bonded. The light emitting element 30 is placed on the element mounting portion 28 and is electrically connected to the pair of leads 23 and 23, respectively.

本実施形態では、素子実装部28は、リード23と同じ導電材料で構成されている。ただし、一対のリード23,23から発光素子30に通電するので、素子実装部28には通電されない。このような素子実装部28は、例えば図16に示すリードフレーム22Cにおいて、1つのパッケージに対応する1つのハンガーリード222を延伸して、一対のリード23,23の隙間に配置させる形状へ変形することで、形成することができる。
なお、素子実装部28を、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂部材で構成した場合、この素子実装部28を例えばいずれか一方のリード23の上に形成するようにしてもよい。
In the present embodiment, the element mounting portion 28 is made of the same conductive material as that of the lead 23. However, since the light emitting element 30 is energized from the pair of leads 23, 23, the element mounting portion 28 is not energized. For example, in the lead frame 22C shown in FIG. 16, such an element mounting portion 28 is deformed into a shape in which one hanger lead 222 corresponding to one package is extended and disposed in a gap between the pair of leads 23 and 23. Thus, it can be formed.
In addition, when the element mounting part 28 is comprised, for example with resin members, such as an epoxy resin and a silicone resin, you may make it form this element mounting part 28 on any one lead 23, for example.

(第6実施形態)
<発光装置の構成>
図22は、第6実施形態に係る発光装置の概略を示す断面図である。発光装置1Dは、セラミックスパッケージ20Dと、発光素子30と、第3樹脂体40と、ワイヤ50と、を備えている。この発光装置1Dでは、セラミックスパッケージ20Dの形状及び材料が第1実施形態に係る発光装置1と相違している。以下では、第1実施形態に係る発光装置1と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
(Sixth embodiment)
<Configuration of light emitting device>
FIG. 22 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting device according to the sixth embodiment. The light emitting device 1D includes a ceramic package 20D, a light emitting element 30, a third resin body 40, and a wire 50. In the light emitting device 1D, the shape and material of the ceramic package 20D are different from those of the light emitting device 1 according to the first embodiment. Below, the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as the light-emitting device 1 which concerns on 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted.

セラミックスパッケージ20Dは、全体の形状が略直方体であって、上面に凹部26が設けられている。このセラミックスパッケージ20Dは、第2セラミックス体140と、その上に設けられた第1セラミックス体130と、を有する。第1セラミックス体130及び第2セラミックス体140は、1又は複数の絶縁性のシートが積層されて成る。   The overall shape of the ceramic package 20D is a substantially rectangular parallelepiped, and a recess 26 is provided on the upper surface. The ceramic package 20D includes a second ceramic body 140 and a first ceramic body 130 provided thereon. The first ceramic body 130 and the second ceramic body 140 are formed by laminating one or a plurality of insulating sheets.

第1セラミックス体130及び第2セラミックス体140の材料としては、例えばセラミックスを挙げることができる。セラミックスは、主材料を、アルミナ(Al23)、窒化アルミニウム(AlN)、ムライトなどから選択することが好ましい。これらの主材料に焼結助剤などを加え焼結することでセラミックスの基材が得られる。低温同時焼成セラミックスも使用することができる。 Examples of the material of the first ceramic body 130 and the second ceramic body 140 include ceramics. For ceramics, the main material is preferably selected from alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), mullite, and the like. A ceramic substrate can be obtained by adding a sintering aid or the like to these main materials and sintering. Low temperature co-fired ceramics can also be used.

光を効率よく反射するために、セラミックスの基材には、光反射率の高い材料(例えば、酸化チタン等の白色フィラーなど)が含有されている。また、焼成前のグリーンシートの段階で種々のパターン形状の配線を施すことができる。セラミックスの材料を焼成した後、下地層の上に、金、銀、銅あるいはアルミニウムを材料として、めっき法やスパッタリングにより金属材料が配置される。   In order to reflect light efficiently, the ceramic base material contains a material having high light reflectance (for example, a white filler such as titanium oxide). Moreover, wiring of various pattern shapes can be applied at the stage of the green sheet before firing. After the ceramic material is fired, a metal material is disposed on the underlayer by plating or sputtering using gold, silver, copper, or aluminum as a material.

第2セラミックス体140は略板状であり、第1セラミックス体130には孔が形成されている。これら第2セラミックス体140と第1セラミックス体130とが積層されて、凹部26が形成される。第1セラミックス体130は凹部26の側壁26dを形成する。凹部26には、その底面26aからセラミックスパッケージ20Dの下面に亘るように、一対の配線110,120が離間させて配置されている。一対の配線110,120間には第2セラミックス体140が配置される。発光装置1Dとして使用される際、配線110,120は、アノード電極、カソード電極に相当する。発光素子30は、例えば、配線110の上に載置される。また、発光素子30の上面に設けられた素子電極(図示せず)と、配線110,120と、はワイヤ50によりそれぞれ接続されている。そして、発光素子30は、第3樹脂体40により封止されている。   The second ceramic body 140 is substantially plate-shaped, and a hole is formed in the first ceramic body 130. The second ceramic body 140 and the first ceramic body 130 are laminated to form the recess 26. The first ceramic body 130 forms the side wall 26 d of the recess 26. In the recess 26, a pair of wirings 110 and 120 are arranged apart from each other so as to extend from the bottom surface 26a to the lower surface of the ceramic package 20D. A second ceramic body 140 is disposed between the pair of wirings 110 and 120. When used as the light emitting device 1D, the wirings 110 and 120 correspond to an anode electrode and a cathode electrode. The light emitting element 30 is placed on the wiring 110, for example. Further, an element electrode (not shown) provided on the upper surface of the light emitting element 30 and the wirings 110 and 120 are connected to each other by a wire 50. The light emitting element 30 is sealed with the third resin body 40.

セラミックスパッケージ20Dの下面の外側は、外部の基板に実装される側の面である。セラミックスパッケージ20Dの下面側には、配線110,120からそれぞれ配線111,121を介して連続する配線112,122が設けられている。つまり、配線112,122は、配線110,120を介して、発光素子30の2つの素子電極とそれぞれ接続されている。なお、凹部26に配置される配線110,120の最表面は、例えば、銀等の反射率の高い金属材料にて被覆されていることが好ましい。   The outer side of the lower surface of the ceramic package 20D is a surface on the side mounted on an external substrate. On the lower surface side of the ceramic package 20D, wirings 112 and 122 continuous from the wirings 110 and 120 via the wirings 111 and 121, respectively, are provided. That is, the wirings 112 and 122 are connected to the two element electrodes of the light emitting element 30 through the wirings 110 and 120, respectively. In addition, it is preferable that the outermost surfaces of the wirings 110 and 120 disposed in the recess 26 are covered with a metal material having a high reflectance such as silver.

反射膜27は、凹部26の側壁26dの内面26bを覆っている。また、反射膜27は、第2セラミックス体140の上面、具体的には、凹部26の底面26aにおいて配線110と配線120との間に配置された部分を覆っている。また、反射膜27は、第2セラミックス体140の下面、具体的には、セラミックスパッケージ20Dの下面において配置配線112と配線122との間に配置された部分を覆っている。さらに、反射膜10は、第1セラミックス体130の上面、具体的には、凹部26の開口部26cの周囲の面を覆っている。この発光装置1Dは、第1実施形態と同様に集合基板の形態で製造することができる。   The reflective film 27 covers the inner surface 26 b of the side wall 26 d of the recess 26. The reflective film 27 covers the top surface of the second ceramic body 140, specifically, the portion disposed between the wiring 110 and the wiring 120 on the bottom surface 26 a of the recess 26. Further, the reflective film 27 covers the lower surface of the second ceramic body 140, specifically, the portion disposed between the placement wiring 112 and the wiring 122 on the lower surface of the ceramic package 20D. Further, the reflective film 10 covers the upper surface of the first ceramic body 130, specifically, the surface around the opening 26 c of the recess 26. The light emitting device 1D can be manufactured in the form of a collective substrate, as in the first embodiment.

本発明の発光装置の性能を確かめるために以下の実験を行った。発光装置1と同様の形状の発光装置(以下、実施例1という)を製造した。実施例1の発光装置の製造方法は以下の通りである。   In order to confirm the performance of the light emitting device of the present invention, the following experiment was conducted. A light emitting device having the same shape as the light emitting device 1 (hereinafter referred to as Example 1) was manufactured. The manufacturing method of the light-emitting device of Example 1 is as follows.

集合基板としての樹脂成形体21を準備した。樹脂成形体21のリードフレーム22は、銅合金で形成され、表面に銀のメッキが施されたものを用いた。第1樹脂体24の材料は、光反射部材として酸化チタンを10重量%含有したエポキシ樹脂を用いた。また、第2樹脂体25も、酸化チタンを10重量%含有したエポキシ樹脂を用いた。第1樹脂体24及び第2樹脂体25に使用する酸化チタンは0.2μmの平均粒径のものを使用する。また、反射膜のために、有機溶媒にトルエンを用いて、光反射部材として30nmの粒子径を持つ酸化チタンを用いた分散液(15重量%)のスラリーを用意した。   A resin molded body 21 as a collective substrate was prepared. The lead frame 22 of the resin molded body 21 is made of a copper alloy and has a surface plated with silver. The material of the first resin body 24 was an epoxy resin containing 10% by weight of titanium oxide as a light reflecting member. The second resin body 25 was also an epoxy resin containing 10% by weight of titanium oxide. The titanium oxide used for the first resin body 24 and the second resin body 25 has an average particle diameter of 0.2 μm. For the reflection film, a slurry of a dispersion (15 wt%) using toluene as an organic solvent and titanium oxide having a particle diameter of 30 nm as a light reflection member was prepared.

反射膜を形成する工程では、このスラリーに樹脂成形体21を浸漬し、その後、乾燥させて、反射膜27が形成された樹脂成形体21bを生成した。そして、一部の反射膜を剥離する工程では、電解バリ取り装置を用意して、水を電解液として、樹脂成形体21bに1500A/mの電流密度で通電した。そして、電解槽80から取り出した樹脂成形体21c上に浮遊した樹脂バリ及び反射膜をウォータージェットで除去した。また、発光素子30として、ピーク波長450nmのGaN系の青色発光素子を用いた。さらに、第3樹脂体40として、YAG蛍光体を含有したシリコーン樹脂を用いた。金属部分であるリードフレーム22上には反射膜27が残っておらず、第1樹脂体24の部分にのみ反射膜27が配置されていた。 In the step of forming the reflective film, the resin molded body 21 was immersed in this slurry and then dried to produce the resin molded body 21b on which the reflective film 27 was formed. And in the process of peeling one part reflective film, the electrolytic deburring apparatus was prepared and it supplied with electricity at the current density of 1500 A / m < 2 > to the resin molding 21b by using water as electrolyte solution. And the resin burr | flash and reflection film which floated on the resin molding 21c taken out from the electrolytic vessel 80 were removed with the water jet. As the light emitting element 30, a GaN-based blue light emitting element having a peak wavelength of 450 nm was used. Furthermore, a silicone resin containing a YAG phosphor was used as the third resin body 40. The reflective film 27 did not remain on the lead frame 22, which is a metal part, and the reflective film 27 was disposed only on the first resin body 24.

完成した実施例1の発光装置の平面サイズは、3mm×3mmであり、一対のリード23,23間の幅Wは600μmである。また、以下では、反射膜を形成する工程を行わずに同様に製造した発光装置を比較例1と呼ぶ。   The planar size of the completed light emitting device of Example 1 is 3 mm × 3 mm, and the width W between the pair of leads 23 and 23 is 600 μm. Hereinafter, a light emitting device manufactured in the same manner without performing the step of forming the reflective film is referred to as Comparative Example 1.

<色調比較の結果>
色度測定装置を用いた実験の結果、比較例1及び実施例1の発光装置は、xy色度値におけるxの値及びyの値が共に0.34の色調を有していた。色調については反射膜27の有無による差異は無視できると結論できる。
<Results of color comparison>
As a result of an experiment using the chromaticity measuring device, the light emitting devices of Comparative Example 1 and Example 1 had a color tone in which both the x value and the y value in the xy chromaticity value were 0.34. It can be concluded that the difference in color tone due to the presence or absence of the reflective film 27 can be ignored.

<光束比較の結果>
光束測定装置を用いた実験の結果、比較例1について測定された光束を100%としたときに、実施例1について測定された光束は101%となった。反射膜27によって光束を1%高める効果を確認した。
<Results of light flux comparison>
As a result of the experiment using the light beam measuring device, the light beam measured for Example 1 was 101% when the light beam measured for Comparative Example 1 was taken as 100%. The effect of increasing the luminous flux by 1% by the reflection film 27 was confirmed.

Figure 0006237826
Figure 0006237826

以上、本開示の実施形態に係るパッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法について、具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。   As described above, the package, the light emitting device, and the manufacturing method thereof according to the embodiments of the present disclosure have been specifically described. However, the gist of the present invention is not limited to these descriptions, and the description of the claims Should be interpreted widely. Needless to say, various changes and modifications based on these descriptions are also included in the spirit of the present invention.

本実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等、種々の光源に利用することができる。   The light emitting device according to the present embodiment includes a backlight source of a liquid crystal display, various lighting fixtures, a large display, various display devices such as advertisements and destination guides, and further an image reading in a digital video camera, a facsimile, a copier, a scanner, etc. It can be used for various light sources such as a device and a projector device.

1,1B,1C,1D 発光装置
20,20B,20C, パッケージ
20D セラミックスパッケージ
20a 底面
20b 側面
20c 上面
21,21C 樹脂成形体
21b,21c,21d,21e 樹脂成形体
22 リードフレーム
22a 貫通孔
22C リードフレーム
220 枠体
221 吊りリード
222 ハンガーリード
223 切欠部
23 リード
24 第1樹脂体(樹脂部)
25 第2樹脂体(樹脂部)
25a 上面
25b 下面
26 凹部
26a 底面
26b 内面
26c 開口部
26d 側壁
26e 上壁部
26f 下壁部
27 反射膜
28 素子実装部
29,29C 樹脂部
30 発光素子
40 第3樹脂体
50 ワイヤ
60 絶縁膜
70 容器
71 有機溶剤
80 電解槽
81 電解液
82 電源
83 陰極板
84 陽極板
85 スイッチ
90 ダイシングブレード
110,120 配線
130 第1セラミックス体
140 第2セラミックス体
T 反射膜の平均厚み
1, 1B, 1C, 1D Light emitting device 20, 20B, 20C, Package 20D Ceramic package 20a Bottom surface 20b Side surface 20c Top surface 21, 21C Resin molded body 21b, 21c, 21d, 21e Resin molded body 22 Lead frame 22a Through hole 22C Lead frame 220 Frame 221 Hanging lead 222 Hanger lead 223 Notch portion 23 Lead 24 First resin body (resin portion)
25 Second resin body (resin part)
25a upper surface 25b lower surface 26 recess 26a bottom surface 26b inner surface 26c opening 26d side wall 26e upper wall portion 26f lower wall portion 27 reflecting film 28 element mounting portion 29, 29C resin portion 30 light emitting element 40 third resin body 50 wire 60 insulating film 70 container 71 Organic Solvent 80 Electrolytic Cell 81 Electrolyte 82 Power Source 83 Cathode Plate 84 Anode Plate 85 Switch 90 Dicing Blade 110, 120 Wiring 130 First Ceramic Body 140 Second Ceramic Body T Average Thickness of Reflecting Film

Claims (24)

凹部の底面に配置される一対のリードと、
前記凹部の側壁を形成する第1樹脂体と、
前記一対のリード間に配置される第2樹脂体と、
前記凹部の側壁の内面と、前記第2樹脂体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有するパッケージ。
A pair of leads disposed on the bottom surface of the recess;
A first resin body forming a sidewall of the recess;
A second resin body disposed between the pair of leads;
A package comprising a reflective film covering an inner surface of a side wall of the recess and an upper surface and a lower surface of the second resin body.
前記第1樹脂体は、前記凹部の開口部の周辺の全面が前記反射膜により覆われている請求項1に記載のパッケージ。   2. The package according to claim 1, wherein the first resin body has an entire surface around the opening of the recess covered with the reflective film. 前記第1樹脂体及び前記第2樹脂体は、全面が前記反射膜により覆われている請求項1に記載のパッケージ。   The package according to claim 1, wherein the first resin body and the second resin body are entirely covered with the reflective film. 前記反射膜は、前記凹部の側壁の内面に前記リードとの境界まで形成され、かつ、前記第2樹脂体の上面及び下面に前記リードとの境界まで形成されている請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のパッケージ。   The said reflecting film is formed to the boundary with the said lead on the inner surface of the side wall of the said recessed part, and is formed to the boundary with the said lead on the upper surface and lower surface of the said 2nd resin body. The package according to any one of the above. 前記反射膜の平均厚みは、10〜1000nmである請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のパッケージ。   The package according to claim 1, wherein an average thickness of the reflective film is 10 to 1000 nm. 前記反射膜は、1〜100nmの粒子径を持つ金属酸化物が主に含まれている請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のパッケージ。   The package according to claim 1, wherein the reflective film mainly contains a metal oxide having a particle diameter of 1 to 100 nm. 前記金属酸化物は、酸化チタンである請求項6に記載のパッケージ。   The package according to claim 6, wherein the metal oxide is titanium oxide. 前記第1樹脂体及び前記第2樹脂体は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種を含む請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のパッケージ。   The first resin body and the second resin body include at least one selected from the group consisting of epoxy resins, modified epoxy resins, silicone resins, modified silicone resins, acrylate resins, and urethane resins. The package according to any one of 7 above. 発光素子を実装する素子実装部をさらに備える請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のパッケージ。   The package as described in any one of Claims 1 thru | or 8 further equipped with the element mounting part which mounts a light emitting element. 凹部の底面に配置される一対の配線と、
前記凹部の側壁を形成する第1セラミックス体と、
前記一対の配線間に配置される第2セラミックス体と、
前記凹部の側壁の内面と、前記第2セラミックス体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有するセラミックスパッケージ。
A pair of wires disposed on the bottom surface of the recess;
A first ceramic body forming a sidewall of the recess;
A second ceramic body disposed between the pair of wires;
A ceramic package comprising: an inner surface of a side wall of the concave portion; and a reflective film that covers an upper surface and a lower surface of the second ceramic body.
請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のパッケージと、
前記パッケージの前記凹部の底面において前記一対のリードの少なくとも一方に配置される発光素子と、を有する発光装置。
A package according to any one of claims 1 to 8,
And a light emitting device disposed on at least one of the pair of leads on the bottom surface of the recess of the package.
請求項9に記載のパッケージと、
前記パッケージの前記凹部の底面において前記素子実装部に載置され、前記一対のリードとそれぞれ電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置。
A package according to claim 9;
A light emitting device having a light emitting element mounted on the element mounting portion on the bottom surface of the recess of the package and electrically connected to the pair of leads.
請求項10に記載のセラミックスパッケージと、
前記セラミックスパッケージの前記凹部の底面において前記一対の配線の少なくとも一方に配置される発光素子と、を有する発光装置。
The ceramic package according to claim 10;
And a light emitting element disposed on at least one of the pair of wirings on a bottom surface of the concave portion of the ceramic package.
前記発光素子を覆い、前記凹部内に配置される第3樹脂体を備えている請求項11乃至請求項13のいずれか一項に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 11, further comprising a third resin body that covers the light-emitting element and is disposed in the recess. 凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第1樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第2樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、
少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、を有し、
前記反射膜を剥離する工程は、前記反射膜が形成された樹脂成形体を電解液に浸漬して前記樹脂成形体に電流を通電するパッケージの製造方法。
Preparing a resin molded body comprising a pair of leads disposed on the bottom surface of the recess, a first resin body forming a side wall of the recess, and a second resin body disposed between the pair of leads; ,
Forming a reflective film on at least the bottom surface of the recess and the entire inner surface of the sidewall of the recess;
Have a, a step of removing the reflective film the reflective film is formed on the pair of leads of the recess in the resin molded body formed,
The step of peeling off the reflective film is a method of manufacturing a package in which a resin molded body on which the reflective film is formed is immersed in an electrolytic solution and current is passed through the resin molded body .
前記電流は、直流電流である請求項15に記載のパッケージの製造方法。 The package manufacturing method according to claim 15 , wherein the current is a direct current . 前記反射膜を剥離する工程は、
前記反射膜が形成された樹脂成形体に、500A/m〜3000A/mの電流密度で通電する工程と、
当該樹脂成形体の一対のリード上に浮遊した反射膜を除去する工程と、を有する請求項16に記載のパッケージの製造方法。
The step of peeling the reflective film includes
The resin molded article reflecting film is formed, a step of energizing at a current density of 500A / m 2 ~3000A / m 2 ,
The method for manufacturing a package according to claim 16 , further comprising a step of removing the reflective film floating on the pair of leads of the resin molded body.
前記反射膜を形成する工程は、前記準備された樹脂成形体を、1〜100nmの粒子径を持つ金属酸化物が主に含まれている有機溶剤中に浸漬する請求項15乃至請求項17のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。 The step of forming the reflective film, the prepared resin molding of claims 15 to 17 is immersed in an organic solvent in which the metal oxide having a particle size of 1~100nm is included in the main The manufacturing method of the package as described in any one of Claims. 前記反射膜を形成する工程は、前記準備された樹脂成形体上に、平均厚みが10〜1000nmの反射膜を形成する請求項15乃至請求項18のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。 The method of manufacturing a package according to any one of claims 15 to 18 , wherein in the step of forming the reflective film, a reflective film having an average thickness of 10 to 1000 nm is formed on the prepared resin molded body. . 凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第1樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第2樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、
少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、
前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、
前記反射膜が剥離された前記一対のリードの少なくとも一方に発光素子を載置する工程と、を備え
前記反射膜を剥離する工程は、前記反射膜が形成された樹脂成形体を電解液に浸漬して前記樹脂成形体に電流を通電する発光装置の製造方法。
Preparing a resin molded body comprising a pair of leads disposed on the bottom surface of the recess, a first resin body forming a side wall of the recess, and a second resin body disposed between the pair of leads; ,
Forming a reflective film on at least the bottom surface of the recess and the entire inner surface of the sidewall of the recess;
Peeling the reflective film formed on the pair of leads in the recess in the resin molded body on which the reflective film is formed;
Placing a light emitting element on at least one of the pair of leads from which the reflective film has been peeled , and
The step of peeling off the reflective film is a method of manufacturing a light emitting device in which a resin molded body on which the reflective film is formed is immersed in an electrolytic solution and current is supplied to the resin molded body .
前記発光素子を載置する工程後、第3樹脂で前記発光素子を覆う工程を備える請求項20に記載の発光装置の製造方法。 The manufacturing method of the light-emitting device according to claim 20 , further comprising a step of covering the light-emitting element with a third resin after the step of placing the light-emitting element. 前記発光素子を載置する工程後、絶縁膜で前記発光素子を覆い、さらに第3樹脂で前記絶縁膜を覆う工程を備える請求項20に記載の発光装置の製造方法。 21. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 20 , further comprising a step of covering the light emitting element with an insulating film and covering the insulating film with a third resin after the step of placing the light emitting element. 前記絶縁膜の膜厚は前記第3樹脂からなる第3樹脂体の膜厚よりも薄い請求項22に記載の発光装置の製造方法。 23. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 22 , wherein the thickness of the insulating film is thinner than the thickness of a third resin body made of the third resin. 前記絶縁膜の膜厚は略一定である請求項22又は請求項23に記載の発光装置の製造方法。 Method of manufacturing a light emitting device according to the insulation thickness of a film according to claim 22 or claim 23 which is substantially constant.
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