JP6216533B2 - 蛍光ガラス線量計測定方法、蛍光ガラス線量計測定装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態に係る蛍光ガラス線量計測定装置100の構成図である。蛍光ガラス線量計測定装置100は、蛍光ガラス線量計Gに励起用のレーザ光を照射し、蛍光ガラス線量計Gの励起光を読み取る光学系200と、光学系200を制御する制御装置300とを備える。
光学系200は、固体レーザ210(光源)と、紫外線透過フィルタ220と、リファレンスブロック230と、プレートホルダー240と、フィルタ系250と、光電子増倍管260(検出手段)とを備える。
制御装置300は、駆動回路310と、プリアンプ320と、プリアンプ330と、タイミング回路340と、積分回路350(積算手段)と、ADコンバータ360と、制御回路370(感度決定手段、感度設定手段、被ばく線量算出手段)とを備える。
図2は、プリアンプ320から積分回路350に入力される電圧信号の波形図である。すでに述べたように、リファレンスガラス234は、プレドーズ及び汚れに起因する蛍光が相対的に無視できる程度に放射線に被ばくされている。
図3は、プリアンプ330から積分回路350に入力される電圧信号の波形図である。タイミング回路340は、プリアンプ320及び制御回路370から信号が入力されると時間T1及びT3にトリガ信号を出力する。積分回路350は、トリガ信号が入力されると、所定の時間分プリアンプ330から入力される電圧信号を積分する。具体的には、積分回路350は、時間T1に電圧信号の積分を開始し、時間T2に積分を終了する。さらに、積分回路350は、時間T3に電圧信号の積分を開始し、時間T4に積分を終了する。
ここで、制御回路370による感度の決定について図4を参照して説明する。図4は、制御回路370に記憶されているテーブルデータの一例を示す図である。図4に示すように、制御回路370には、感度(測定レンジ)、RPLをREFで除算した値R1(R1=RPL/REF)の範囲(但し、n2<n1)、印加電圧(V)が対応付けて記憶されている。制御回路370は、ADコンバータからREF,RPL,LDが出力されると、RPLをREFで除算した値R1を算出する。
次に、制御回路370による放射線被ばく線量の算出について図2,図3を参照して説明する。すでに述べたように、ADコンバータから出力されるREF,RPL,LDのうち、RPLには、プレドーズに起因する蛍光のうち約1ms(ミリ秒)まで減衰が継続する成分の蛍光分(LD’と記載する)と、放射線被ばくに起因する蛍光分(SAMPと記載する)とが含まれている。このため、SAMPを求めるには、RPLからプレドーズに起因する蛍光分(LD’)を除去する必要がある。
LD’=fps×LD・・・(1)
なお、fpsは、蛍光ガラス線量計測定装置100に固有の定数である。
SAMP=RPL−fps×LD・・・(2)
図5A〜図5Bは、蛍光ガラス線量計測定装置100の感度決定の動作を示すフローチャートである。図6は、蛍光ガラス線量計測定装置100の放射線被ばく線量算出の動作を示すフローチャートである。以下、図5A〜図5B及び図6を参照して蛍光ガラス線量計測定装置100の動作について説明する。
初めに、図5を参照して、感度設定の動作について説明する。
制御回路370は、光電子増倍管260に印加する電圧を制御して、光電子増倍管260を最も低い感度(レベル7)に設定する(ステップS101)。具体的には、制御回路370は、光電子増倍管260の印加電圧をV1に設定する。
次に、図6を参照して、放射線被ばく線量算出の動作について説明する。
制御回路370は、駆動回路310を制御して、固体レーザ210からパルス状紫外線Lを照射させる(ステップS301)。
Claims (4)
- 放射線被ばくした蛍光ガラス線量計に固体レーザ、窒素ガスレーザ、フラッシュランプより選ばれるいずれか1種の光源を用いて励起用のパルス光を照射する第1の照射工程と、
前記パルス光の照射により前記蛍光ガラス線量計で発生する蛍光を検出する第1の検出工程と、
前記パルス光の照射終了から第1の時間経過後に検出されたプレドーズに起因する蛍光成分と放射線被ばくに起因する蛍光成分とを含む蛍光を、第1のサンプリング時間分アナログで積算する第1の積算工程と、
前記第1の積算工程における積算結果に応じて、被ばく線量算出時の蛍光を検出する感度を決定する感度決定工程と、
前記感度決定工程を行った後に、前記蛍光ガラス線量計に前記パルス光を照射する第2の照射工程と、
前記第2の照射工程における前記パルス光の照射により前記蛍光ガラス線量計で発生する蛍光を検出する第2の検出工程と、
前記第2の照射工程における前記パルス光の照射終了から第1の時間経過後に検出されたプレドーズに起因する蛍光成分と放射線被ばくに起因する蛍光成分とを含む蛍光を、前記決定された感度で第1のサンプリング時間分アナログで積算する第2の積算工程と、
前記第2の積算工程における第1のサンプリング時間終了から第2の時間経過後に検出されたプレドーズに起因する蛍光成分を含む蛍光を、前記決定された感度で第2のサンプリング時間分アナログで積算する第3の積算工程と、
前記第2の積算工程における積算結果と前記第3の積算工程における積算結果との差分に基づいて、前記蛍光ガラス線量計の放射線被ばく線量を算出する工程と、
を有することを特徴とする蛍光ガラス線量計測定方法。 - 前記感度決定工程では、前記第1の積算工程における積算結果が閾値よりも大きい場合、前記感度を低くし、前記第1の積算工程における積算結果が前記閾値以下の場合、前記感度を高くすることを特徴とする請求項1に記載の蛍光ガラス線量計測定方法。
- 放射線被ばくした蛍光ガラス線量計に励起用のパルス光を照射する固体レーザ、窒素ガスレーザ、フラッシュランプより選ばれるいずれか1種の光源と、
前記パルス光の照射により前記蛍光ガラス線量計で発生する蛍光を検出する検出手段と、
前記パルス光の照射終了から第1の時間経過後に前記検出手段で検出されたプレドーズに起因する蛍光成分と放射線被ばくに起因する蛍光成分とを含む蛍光を、第1のサンプリング時間分アナログで積算して第1の積算結果を得る積算手段と、
前記第1の積算結果に応じて、被ばく線量算出時の蛍光を検出する感度を決定する感度決定手段と、
前記蛍光ガラス線量計の放射線被ばく線量を算出する被ばく線量算出手段と、
を備え、
前記積算手段は、前記感度決定手段により感度が決定された状況で、前記パルス光の照射終了から第1の時間経過後に前記検出手段で検出されたプレドーズに起因する蛍光成分と放射線被ばくに起因する蛍光成分とを含む蛍光を、前記決定された感度で第1のサンプリング時間分アナログで積算して第2の積算結果を得て、さらに前記第1のサンプリング時間終了から第2の時間経過後に前記検出手段で検出されたプレドーズに起因する蛍光成分を含む蛍光を、前記決定された感度で第2のサンプリング時間分アナログで積算して第3の積算結果を求め、
前記被ばく線量算出手段は、前記第2の積算結果と前記第3の積算結果との差分に基づいて、前記蛍光ガラス線量計の放射線被ばく線量を算出する、
ことを特徴とする蛍光ガラス線量計測定装置。 - 前記感度決定手段は、前記第1の積算結果が閾値よりも大きい場合、前記感度を低くし、前記第1の積算結果が前記閾値以下の場合、前記感度を高くすることを特徴とする請求項3に記載の蛍光ガラス線量計測定装置。
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