JPH03102284A - ガラス線量測定方法およびその測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放射線管理システム等に利用されるガラスＩ
Ｉ　ｆｆｉ　測定方法およびその測定装置に係わり、特
に放射線被曝された蛍光ガラス素子の被曝ｔＩｍを高感
度，かつ，高精度に測定するガラス線量測定方法および
その測定装置に関する。

〔従来の技術および発明が鯉決しようとする課題　〕放
射線防護上，原子炉，加速器，Ｘ線発生器およびラジオ
アイソトープ等の設置者は放射線管理に万全を期す必要
があり、またその施設従事者ないしは利用者等において
はその放射線被曝線量の測定が不可欠なものである。こ
こに、各線量計の線量を個別に測定してそれら線量デー
タを適切に管理することが非常に重要になってくる。

この種のラジオ●フォト◆ルミネセンス線量計は、その
使用時，第８図に示すように蛍光ガラス素子１を装填し
てなるガラス素子ホルダー２を図示矢印（イ）方向から
下側ケース３内へ挿入載置した後、この下側ケース３を
図示矢印（ロ）方向へ移動させて上側ケース４内へ収納
し、いわゆるカプセル化した状態にて携行し、あるいは
そのカプセルを適宜な場所に設置し、蛍光ガラス素子１
の被曝線量測定時には上下ケース４．３からガラス素子
ホルダー２を取り出し後、所定の測定位置に配置し、放
射線被曝蛍光ガラス素子１の被曝線量を測定している。

この被曝線量の測定は、第９図に示す如く励起紫外ｖＡ
５を放射線被曝蛍光ガラス素子１に照射し、その蛍光ガ
ラス素子１の紫外線照射方向とは別の蛍光検出面側から
その被曝線量に相当する赤橙色の蛍光（ラジオ・フォト
ルミネセンス＝以下，ＲＰＬと指称する）６が発するの
で、そのＲＰＬを読取ることにより放射線被曝蛍光ガラ
ス素子１の被曝線量を測定している。

ところで、励起紫外線５の照射により蛍光ガラス素子１
の蛍光検出面側から発する蛍光６には放射線被曝によっ
て発生する蛍光成分と、放射線被曝前の蛍光ガラス固有
の蛍光（ブレドーズ）成分とが含まれているので、蛍光
ガラス素子１から発する蛍光量からプレドーズ或分を差
し引いて真の放射線波曝によるＲＰＬを測定する必要が
ある。

そこで、本発明者等は、先にＲＰＬとブレドーズとの減
衰時定数が大きく兄なることに着目し、ＲＰＬだけを効
率良く測定する方法およびその装置について提案され（
特開昭５９−１９０６８１号公報）　その後、更に蛍光
パルスを検出する光電子増倍管のダイノード電圧の印加
タイミングを遅延制御し、減衰の早いブレドーズの検出
感度を抑えることによりＲＰＬを測定する方法および装
置について提案された（特開昭６１−２９２５８２号公
報）。

しかし、その後．放射線被曝線量の測定に関し種々の角
度から研究を重ねた結果、次のような点が指摘されるに
至った。

■、その１つとして、プレドーズの問題がある。

すなわち、このブレドーズには減衰の早いものと減衰の
遅いものがあり、減衰の早いプレドーズの検出感度を抑
えたとしても、減衰の述いブレドーズが低線量のＲＰＬ
に比較して相当大きい。そのため紫外線励起された蛍光
ガラス素子１から発せられる蛍光６から減衰の早いプレ
ドーズの検出感度を抑え、さらに減衰の遅いブレドーズ
を差し引いて高感度、かつ、高精度にＲＰＬを検出する
ことが非常に困難であること。

■、さらに、他の１つは蛍光強度分布の問題である。従
来、被曝線量の測定に際し、窒素ガスレーザ装置から発
生する励起紫外線パルスを蛍光ガラス素子１に照射する
が、このとき励起紫外線パルスの強度変動により蛍光ガ
ラス素子から発生する蛍光パルスの強度が変化するので
、それを補償する観点から放射線被曝蛍光ガラス素子１
に照射する励起紫外線パルスの一部を標準蛍光ガラス素
子に照射し、各蛍光ガラス素子から発生する蛍光パルス
強度の変動量を求めた後、この変動量に応じて蛍光パル
スの強度を補正している。

ところが、前記励起紫外線パルスを分割し、その一部を
標準蛍光ガラス素子に照射しても、前記励起紫外線パル
スにおける断面方向の強度分布がその窒素ガスレーザ装
置からの距離によって異なるために、各蛍光ガラス素子
に照射される紫外線パルスの強度の比率が一定とならず
、前述と同様に高精度に蛍光強度を読取ることが難しい
。

■、さらに、ブレドーズ成分における減衰時定数の補正
の問題がある。一般に、ブレドーズ成分のうち減衰の遅
いプレドーズ成分の値はサンプリング時点を遅らせて検
出しているので、その減衰時定数に従って減衰する。そ
こで、この減衰分を補償するために、蛍光強度読取値に
補正係数を掛けて蛍光ガラス素子の放射線被曝線量を算
出する必要があるが、減衰時定数は蛍光ガラス素子によ
って異なるので、放射線の被曝管理には蛍光ガラス素子
の補正係数の管理が必要になってくる。

しかし、本来，個々の蛍光ガラス素子ごとに補正係数を
管理するのが望ましいが、個々の蛍光ガラス素子ごとに
補正係数のオペレータによる設定入力、また連続測定時
の各蛍光ガラス素子と補正係数との対応関係の繁雑さ等
から従来では代表的な一定値を用いて行っており、その
分だけ精度の面で今１つの感がある。これは蛍光ガラス
素子の感度特性の補正についても同様である。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、蛍光ガラス
素子でのプレドーズ成分の低減化により、放射線被曝蛍
光ガラス素子の被曝線量を高感度、かつ、高精度に測定
するガラス線量測定方法およびその測定装置を提供する
ことにある。

また、本発明の別の目的は、励起紫外線パルスの照射強
度分布の変動の影響を受けることなく高精度に蛍光ガラ
ス素子からの蛍光強度を読取って被曝線量を取得可能と
するガラス線量測定装置を提供する。

さらに、本発明の別の目的は、個々の蛍光ガラス素子の
補正係数を適切に管理し、各蛍光ガラス素子ごとに高精
度に被曝線量を求め得、放射線管理の信頼性を高めうる
ガラス線量測定装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

先ず、請求項１記載の発明は、上記課題を解決するため
に、蛍光ガラス素子に励起紫外線パルスを照射し、その
ときに蛍光ガラス素子から発生する蛍光パルスをサンプ
リング時刻を異にする第１および第２のサンプリング時
点でそれぞれ所定のサンプリング時間ずつサンプリング
し、これらの各サンプリングされた蛍光パルスの積分値
から蛍光ガラス素子の被曝線量を求めるガラス線量測定
方法において、前記蛍光パルスから蛍光ガラス素子固有
の被曝前のプレドーズを低減し、かつ、被曝線量に相当
する蛍光が最も大きく現われる特定波長域の蛍光パルス
成分を選択的に取込むことにより、前記放射線被曝蛍光
ガラス素子の被曝線量を得る方法である。

次に、請求項２記載の発明は、ガラス線量測定装置の一
部を構成する蛍光ガラス素子と光電変換素子との間に特
定波長域の蛍光パルス成分を選択的に通す波長選択素子
を配置したものである。

さらに、請求項３．４記載の発明は、この窒素ガスレー
ザ装置から発生された励起紫外線パルスの一部を放射線
被曙蛍光ガラス素子に照射するとともに前記励起紫外線
パルスの一部を標準蛍光ガラス素子に照射するための光
学系として、前記両蛍光ガラス素子に照射する励起紫外
線パルスの強度分布が等しくなるような構威とし、その
１つとして例えば窒素ガスレーザ装置からそれぞれ等し
い光路長の位置に放射線被曝蛍光ガラス素子および標準
蛍光ガラス素子を配置してなる構成である。

さらに、蛍光ガラス素子が装填された前記ガラス素子ホ
ルダーまたはこのガラス素子ホルダーを収納してなる線
量計の何れか一方または両方に付設された認識コードを
読取る認識コード読取手段と、各蛍光ガラス素子ごとに
異なる蛍光減衰特性および感度特性の何れか一方または
両方の補正データを記憶するデータ記憶手段と、前記認
識コード読取手段で読取った認識コードに基づいて前記
データ記憶手段から該当する補正データを読出して蛍光
ガラス素子ごとに前記蛍光強度を補正し各蛍光ガラス素
子の被曝線量を求める演算処理手段とを備えた構成であ
る。

〔作用〕

従って、請求項１記載の発明では、前記蛍光パルスから
蛍光ガラス素子固有の被曝前のプレドーズが低減し、一
方、被曝線量に相当するＲＰＬが最も大きく現われる特
定波長域の蛍光パルス成分を選択的に取込むことにより
、減衰の遅いブレドーズ成分を大幅に低減させた状態で
測定でき、かつ、ＲＰＬに対するブレドーズの比率が小
さくなるので差し引く値が小さくなって演算の分解能が
高くなり、前記放射線被曝の蛍光ガラス素子の被曝線量
を高精度に測定できる。

次に、請求項２記載の発明においては、蛍光ガラス素子
と光電変換素子との間に特定波長域の蛍光パルス成分を
選択的に通す波長選択素子を配置するだけであるので、
非常に簡単な構成で実現でき、しかも所望とする蛍光パ
ルス成分，すなわち蛍光ガラス素子固有の被曝前のプレ
ドーズ成分が低く、かつ、被曝線量に相当するＲＰＬが
最も大きく現われる蛍光パルス成分を選択的に取込むこ
とができ、また前記特定波長域ではプレドーズ成分が低
いので、光電変換素子の感度を上げることが可能となり
微弱なＲＰＬ成分を高感度に検出できる。

さらに、請求項３，４記載の発明においては、窒素ガス
レーザ装置１１から発生された励起紫外線パルスの大き
さが等しくなるようにして放射線被嘩蛍光ガラス素子お
よび標準蛍光ガラス素子へ入射するので、励起紫外線パ
ルスの強度や強度分布が変動しても各蛍光ガラス素子へ
は相似な状態で入射され、このため各蛍光ガラス素子か
ら発生する蛍光パルスは一定の比率となり、励起紫外線
パルスの強度および強度分布の変動を正しく補正できる
。

さらに、請求項５記載の発明は、予め各蛍光ガラス素子
ごとにデータ記憶手段に認識コードとともに蛍光減衰特
性補正係数，感度特性補正係数を記憶し、各蛍光ガラス
素子の被曝線量読取時にガラス素子ホルダーまたは線量
計に付設された認識コードを読取手段により認識コード
とともに蛍光量を読取り、この認識コードに基づいて記
憶手段の補正係数を読取って蛍光量を補正することによ
り、各蛍光ガラス素子の被曝線量を得るものである。

〔実施例〕

以下、請求項１，２に係わる発明の実施例に関し、特に
ガラス線量測定方法を適用してなるガラス線量測定装置
について第１図および第２図を参照して説明する。第１
図において１１は窒素ガスレーザ装置であって、このレ
ーザ装置１１はトリガ回路１２から与えられた瞬間的な
高電圧によって起動して例えばパルス幅５〜１　０　ｎ
ｓＮ　波長３３７．Ｉｎｓの紫外線レーザ光をパルス発
振する。

この紫外線パルスは色フィルタ１３を通って散乱光等の
迷光が除去されて波長３３７．ｉｎ一の紫外線のみが取
り出された後、石英ガラス等からなる半透，Ｉ１１４に
送られ、ここで２つに分光される。

すなわち、一方の分光となる紫外線パルスは半透鏡１４
を直進して放射線被曝蛍光ガラス素子１５に照射され、
他方の分光となる紫外線パルスは半透鏡１４で反射され
、かつ、後段に配置された反射鏡１６で反射されて標準
蛍光ガラス素子１７に照射さ県る。なお、標準蛍光ガラ
ス素子１７としては、例えば予め所定の放射線エネルギ
ーで被曝させた銀活性リン酸塩ガラスが使用されている
。

この標準蛍光ガラス素子１７は前記窒素ガスレーザ光の
出力変動を補正する為に用いられるものである。つまり
、紫外線励起によって発生するＲＰＬは励起光の強さ（
レーザ光強度）に依存するので、標準蛍光ガラス素子１
７を用いて観測される蛍光をもって、後述するようにＲ
ＰＬ測定値の補正を行うことにある。

以上のようにして励起紫外線パルスの照射を受けると、
蛍光ガラス素子１５の蛍光検出面側から被曝線量に相当
する蛍光パルスが発生し、また標準蛍光ガラス素子１７
の蛍光検出面側から標準蛍光パルスが発生する。そして
、これらの各蛍光パルスはそれぞれ対応する紫外線カッ
トフィルタ１８．１９を通った後、さらに干渉フィルタ
等の波長選択素子２０．２１を通して光電子増倍管２２
．２３に送られる。このとき、高電圧発生回路２４は、
例えばトリガ回路１２から窒素ガスレーザ装ｉｉ１２１
１と同じタイミングで出力される起動信号等を受け、或
いは後述するシュミット回路の出力を受けて、光電子増
倍管２２の検出感度を制御する。この検出感度の制御は
被曝蛍光パルスの減衰の早いプレドーズが十分減衰した
時点で光電子増倍管２２のダイノード印加電圧を高くす
ることにより、その光電子増倍管２２の検出感度を高く
する制御を行う。

なお、前記紫外線カットフィルタ１８．１９は励起用紫
外線パルスの光電子増倍管２２，２３への入力を阻止す
る機能をもっており、また波長選択素子２０．２１は前
記蛍光パルス成分のうち特定の波長範囲の蛍光パルス成
分のみを通過させる機能をもっている。

しかして、前記光電子増倍管２２で検出された被曝蛍光
パルスは前置増幅器２５を介し、更に線形増幅器２６で
線形処理された後節１および第２のサンプリングゲート
回路２７．２８に送られる。

一方、前記光電子増倍管２３で検出された標準蛍光パル
スは前置増幅器２９で所定の増幅度で増幅された後、第
３のサンプリングゲート回路３０に送られる。

３１はシュミット■路であって、これは標準蛍光パルス
を検出するとその検出タイミングを基準として所定振幅
のパルス信号等を前記高電圧発生回路２４のほか、各サ
ンプリング設定回路３２，３３に送出する。これらサン
プリング設定回路３２．３３は第１および第２のサンプ
リング時間をそれぞれ設定する。つまり、サンプリング
設定回路３２は、シュミット回路３１による標準蛍光イ
くルスの検出タイミングを基準とし、第２図に示すよう
に紫外線励起によって生じた蛍光強度の高いブレドーズ
に伴う蛍光が十分に減衰する時間を経たときに所定時間
前記第２および第３のサンプリングゲート回路２８．３
０のゲートを開けるために第１のサンプリング期間を設
定するものであり、この第１のサンプリング期間に被曝
蛍光パルスおよび標準蛍光パルスをサンプリングし、後
続の積分器３４．３５へ送出する。一方、サンプリング
設定同路３３は蛍光成分が十分に減衰する時間を経た後
，つまり減衰の遅いプレドーズのみをサンプリングする
ために第２のタイミング時間を設定し、この第２のサン
プリング時間に第１のサンプリングゲート回路２７のゲ
ートを開けて減衰の遅いプレドーズをサンプリングして
後続の積分器３６へ送出する。そこで、これらの積分器
３４〜３６はそれぞれのサンプリング値を平均的直流電
流として積分した後、演算処理手段３７へ送出する。

この演算処理手段３７では、前記積分器３４の積分値か
ら前記積分器３６で得た積分値を差し引きし、これによ
って第１のサンプリング期間に検出された蛍光量中のＲ
ＰＬ成分を検出する。さらに、積分器３５の積分値を用
いて前記ＲＰＬ成分との比を算出し、紫外線パルスの強
度変動によるＲＰＬ成分の変動を補正する。そして、こ
の変動補正されたＲＰＬ成分を蛍光ガラス素子１５の被
曝線量として算出し、，この算出結果を表示器３８に表
示する。

従って、以上のような実施例の構成によれば、特定波長
域，つまり第２図に示す如＜ＲＰＬの蛍光強度が大きく
、一方、プレドーズの蛍光強度が小さい波長λ１〜λ２
の範囲の蛍光パルス成分を選択的に取込んでいるので、
減衰の遅いプレドーズ成分が従来の（１／２）〜（１／
５）に減少させ得、そのぶん光電子増倍管の感度を上げ
ることが可能となって微弱なＲＰＬを高感度に検出でき
る。また、特定波長域を選択的に通すことにより、従来
のように光電子増倍管の分光感度特性の違いによりプレ
ドーズの大きさが左右されていたものが、光電子増倍管
の特性に依存しなくなり、その結果、光電子増倍管の特
性上の選別を必要としなくなる。また、ＲＰＬに対する
ブレドーズの比率が小さくなるので差し引く値が小さく
なり、演算の分解能が高くなって高精度な測定が可能と
なる。

なお、上記実施例では特定の波長範囲の蛍光を通過させ
るために、波長選択素子として干渉フィルタを用いたが
、例えば色ガラスフィルタを組合せたり、プリズムや回
折格子を用いることも可能である。その他、紫外線励起
光源や蛍光パルス検出器等の種類についてはその要旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。

次に、請求項３，４に係わる発明の実施例について第３
図ないし第５図を参照して説明する。なお、これらの図
において第１図と同一部分には同一符号を付してその詳
しい説明は省略する。このガラス線量７１Ｆ１定装置は
、第１図と比較して構成的にほぼ同じであり、特に異な
るところは光学系にあるので、以下、その光学系につい
て具体的に説明する。

一般に、窒素ガスレーザ装置１１から発生する紫外線レ
ーザ光は、第１図に示す如く色フィルタ１３，半透鏡１
４，反射ｖｉ１６を介して放射線被曝蛍光ガラス素子１
５や標準蛍光ガラス素子１７に照射されるが、前記紫外
線レーザ光の断面における強度分布を調べると例えば第
３図のような状況を呈している。つまり、窒素ガスレー
ザ装置１１の出射口から発生された断面方向の紫外線レ
−ザビーム４１は窒素ガスレーザ装置１１からの距離Ｌ
１の位置では図示実線で示す大きさのビーム（ホ）とす
れば、このビーム（ホ）よりやや左上側に片寄った図示
点線で示す強度分布（へ）なる変動を有しており、その
うち特に強度の強い場所（ト）は斜線で示す部分となっ
ている。さらに、紫外線レーザビーム４１が窒素ガスレ
ーザ装置１１から距離Ｌ１＋距離Ｌ２の位置では、それ
ぞれ拡大されたビーム（ホ）′、強度分布（へ）′の変
動および強度の強い場所（ト）′　となって現われる。

このことは紫外線レーザ光の断面での強度分布は窒素ガ
スレーザ装置１１の出射口からの距離によって異なるこ
とを意味し、これが励起紫外線パルスの強度変化となり
、適正な補正処理をしない限り放射線被曝蛍光ガラス素
子１５の被曝線量を高精度に測定できない。

そこで、本発明装置においては、第４図および１ａ５図
に示す如く、第１図で用いた反射鏡１６を取り除くとと
もに半透鏡１４からそれぞれ等しい距離Ｌ３，Ｌ４に放
射線被曝蛍光ガラス素子１５と標準蛍光ガラス素子１７
を配置することにより、常に等しい大きさのビームの励
起紫外線パルスの照射を受ける構成としたものである。

このことは、励起紫外線パルスの強度変化の補正を簡単
、かつ、正確に行うことが可能となり、ひいては放射線
被曝蛍光ガラス索子１５の被曝線量を高精度に測定でき
ることになる。なお、装置全体の動作は第１図と全く同
様であるので省略する。

従って、以上のような実施例の構成によれば、励起紫外
線パルスを発生する窒素ガスレーザ装置１１のレーザ光
強度および強度分布が変動しても、放射線被曝蛍光ガラ
ス素子１５と標準蛍光ガラス素子１７にそれぞれ照射す
る励起紫外線パルスの強度分布が相似になり、各蛍光ガ
ラス素子１５．１７の蛍光検出面から発する蛍光パルス
の比率が一定となり、その結果、窒素ガスレーザ装置１
１のレーザ光強度および強度分布の変動を正しく補正で
き、ひいては精度の高い測定が可能となる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば半透鏡１４の代わりにビームスプリッターを用い
たり、あるいは半透鏡１４で分光した後グラスファイバ
を用いて互いに等しい距離にある各蛍光ガラス素子１５
．１７に照射することもできる。また、各蛍光ガラス素
子１５．１７への光路長さが等しくなくても、拡散した
ビームをレンズ等で集光して２つのガラス素子に入射す
るビームの大きさを等しくすればそれでもよい。

その他、紫外線励起光源や蛍光パルス検出器等の種類に
ついてはその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
できる 次に、請求項５に係わる発明の実施例について説明する
。この発明は、蛍光減衰特性および感度特性の何れか一
方または両方を補正する係数を蛍光ガラス素子個々に対
して自動的に記憶管理することにある。

具体的には、第６図に示すように蛍光ガラス素子１５は
ガラス素子ホルダー５１の一方片部に装填され、他方片
部側にはガラス素子ホルダー５１を認識するための認識
コード部として、インデ・ソクス用孔５２が設けられて
いる。なお、蛍光ガラス素子１５はガラス素子ホルダー
５１から取外すことがほとんどないので、インデックス
用孔５２はガラス素子ホルダー５１を認識させるだけで
なく、蛍光ガラス素子１５および蛍光ガラス線量計を携
行する例えば原子力施設従事者との間でも１対１の関係
をもたせることができる。

そこで、以上のような事柄を前提とし、第７図に示すよ
うな装置により補正係数の管理を行う。

先ず、各蛍光ガラス素子１５ごとに例えばフロッピーデ
ィスク５３等のデータ記憶手段に前記インデックス用孔
５２の認麺コードと対応関係をもたせて蛍光減衰特性補
正係数や感度特性補正係数を記憶する。なお、放射線被
曝蛍光ガラス素子１５，・・・の被曝線量測定時、前記
フロッピーディスク５３はディスクユニット５４に装着
されるものである。５５はガラス素子ホルダー５１のイ
ンデックス用孔５２および蛍光ガラス素子１５から発す
る蛍光を読取る例えば励起紫外線パルス発生源，光学系
，光電子増倍管等の読取手段、５６は読取手段５５で読
取った認識コードおよび蛍光量とデイスクユニット５４
内のフロッピーディスク５３に記憶されている補正係数
とに基づいて各蛍光ガラス素子１５の適切な被曝線量を
得る演算処理手段、５７はプリンタ、５８はＣＲＴ等の
表示器である。なお、前記蛍光減衰特性補正係数は蛍光
ガラス素子１５をアニールし、被曝による蛍光が無い時
期に予め第７図に示す装置にて自動連続測定し、フロッ
ピーディスク５３に記憶しておく。また、感度特性補正
係数も同様に蛍光ガラス素子個々に対して予め前もって
フロッピーディスク５３に記憶しておく。

従って、以上のような実施例の構成によれば、多数の放
射線被曝蛍光ガラス素子１５，・・・の被曝線量測定時
、予め認識コードと共に蛍光減衰特性や感度特性データ
を記憶するフロッピーディスク５３をディスクユニット
５４に装填した後、前記被曝線量の測定を開始する。以
上のような状態において、読取手段５５は先ずガラス素
子ホルダー５１のインデックス用孔５２から認識コード
を読取った後、放射線被曝蛍光ガラス素子１５から発す
る被曝ｖＡ量を読み取る。ここで、演算処理手段５６は
、読取手段５５によって読取った認識コードとフロッピ
ーディスク５３内に記憶するコードとを高速度で照合し
、一致するコードが有れば当該コードに対応する蛍光減
衰特性補正係数や感度特性補正係数等のデータをフロッ
ピーディスク５３から読出し、この補正係数に基づいて
読取手段５５で読取った被曝線量を補正し、その補正後
の被曝線量をＣＲＴ表示器５８に表示し、或いはプリン
タ５７に印字する。

なお、上記実施例ではフロッピーディスク５３を用いた
が、ハードディスクその他種々の記憶装置を用いてもよ
く、構成機器は種々変形可能であることは言うまでもな
い。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば次に述べるような種
々の効果を奏する。

先ず、請求項１，２においては、波長選択素子等を用い
て蛍光パルスから特定波長域の蛍光パルス成分を選択測
定することにより、減衰の遅いブレド〜ズ或分の低いと
ころでＲＰＬを測定でき、よって光電変換素子の感度を
上げて微弱なＲＰＬを高感度に測定できる。また、ＲＰ
Ｌ威分に対するプレドーズの比率が小さくなるために差
し引く値が小さくなり、よって演算の分解能が高くなっ
て高精度な測定ができる。さらに、光電変換素子の分光
感度特性の違いによりプレドーズの大きさが左右されて
いたが、光電変換素子の特性に依存しなくなるために当
該光電変換素子の特性選別を行う必要がなくなり、保守
管理が容易となる。さらに、波長選択素子を用いるだけ
であるので、構成簡単であり、スペース的にも全く問題
がなく、高感度，高精度化により放射能管理の面で非常
に有効なものとなる。

次に、請求項３．４では、放射線被曝蛍光ガラス素子と
標準蛍光ガラス素子にそれぞれ照射する励起紫外線パル
スの強度および強度分布を相似にすることにより、各蛍
光ガラス素子から発生する蛍光パルスは一定の比率とな
り、前記強度および強度分布の変動に対する補正処理を
正しく行うことができる。

さらに、請求項５では、蛍光ガラス素子個々に認識コー
ドとともに補正係数を記憶管理し、蛍光ガラス素子の被
曝線量測定時にガラス素子ホルダーから読取った認識コ
ードに基づいて補正係数を取り出して被曝線量を補正す
ることにより、精度の高い補正が可能となり、ひいては
各蛍光ガラス素子の被曝ｉｌｌ量を高精度に測定できる
。また、手作業による補正係数の入力が不要となり、か
つ、蛍光ガラス素子の被曝線量を連続測定することが容
易となり、被曝管理作業を大幅に簡略化できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わるガラス線量測定方法を適用した
ブロック構成図、第２図は第１図の動作を説明する波長
に対するブレドーズおよびＲＰＬの関係特性図、第３図
は窒素ガスレーザ装置からの距離に対するレーザビーム
の強度および強度分布の変動を説明する図、第４図は別
のガラス線量測定装置のブロック構成図、第５図は第４
図に示す装置のうち特に光学系の配置を説明する図、第
６図は蛍光ガラス素子および認識コードを持ったガラス
素子ホルダーの斜視図、第７図は蛍光ガラス素子個々の
補正係数を管理し、かつ、測定被曝線量の補正を行うた
めのブロック構成図、第８図および第９図は従来方法お
よび装置を説明するために示したもので、第８図は蛍光
ガラス線量計の分解斜視図、第９図は第８図に示す蛍光
ガラス素子への紫外線励起および蛍光の発する状況を示
す図である。 １１・・・窒素ガスレーザ装置、１３・・・色フィルタ
、１４・・・半透鏡、１５・・・放射線被曝蛍光ガラス
素子、１６・・・反射鏡、１７・・・標準蛍光ガラス素
子、１８．１９・・・紫外線カットフィルタ、２０．２
１・・・波長選択素子、２２．２３・・・光電子増倍管
、３７・・・演算処理手段、３８・・・表示器、５１・
・・ガラス素子ホルダー　５２・・・インデックス用孔
、５３・・・プロッピーディスク、５５・・・読取手段
、５６・・・演算処理手段、５７・・・プリンタ、５８
・・・表示器。 液長（ｎｍ） 第２図 第３図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）蛍光ガラス素子に励起紫外線パルスを照射し、こ
   のとき蛍光ガラス素子から発生する蛍光パルスをサンプ
   リング時刻を異にする第１および第２のサンプリング時
   点でそれぞれ所定のサンプリング時間ずつサンプリング
   し、これら各サンプリングされた蛍光パルスの積分値か
   ら蛍光ガラス素子の被曝線量を求めるガラス線量測定方
   法において、 前記蛍光パルスから特定波長域の蛍光パルス成分を選択
   的に取込んで前記放射線被曝の蛍光ガラス素子の被曝線
   量を得ることを特徴とするガラス線量測定方法。
2. （２）励起紫外線パルスを発生する窒素ガスレーザ装置
   と、この窒素ガスレーザ装置から発生する励起紫外線パ
   ルスを蛍光ガラス素子に照射するための光学系と、この
   励起紫外線パルスの照射によって前記蛍光ガラス素子か
   ら発生する蛍光パルスを検出する光電変換素子と、この
   光電変換素子で検出された蛍光強度から前記蛍光ガラス
   素子の被曝線量を求める演算手段とを具備したガラス線
   量測定装置において、 前記蛍光ガラス素子と前記光電変換素子との間に特定波
   長域の蛍光パルス成分を選択的に通す波長選択素子を配
   置したことを特徴とするガラス線量測定装置。
3. （３）励起紫外線パルスを発生する窒素ガスレーザ装置
   と、この窒素ガスレーザ装置から発生する励起紫外線パ
   ルスの一部を放射線被曝蛍光ガラス素子に照射するとと
   もに前記励起紫外線パルスの一部を標準蛍光ガラス素子
   に照射するための光学系と、前記両蛍光ガラス素子から
   発生する蛍光パルスをそれぞれ個別に検出する第１およ
   び第２の光電変換素子と、この第１および第２の光電変
   換素子で検出された蛍光パルスから前記放射線被曝蛍光
   ガラス素子の被曝線量を求める演算手段とを具備したガ
   ラス線量測定装置において、 前記光学系が前記両蛍光ガラス素子に照射する励起紫外
   線パルスの強度分布が等しくなるように構成したことを
   特徴とするガラス線量測定装置。
4. （４）窒素ガスレーザ装置からそれぞれ等しい光路長の
   位置に放射線被曝蛍光ガラス素子および標準蛍光ガラス
   素子を配置したことを特徴とする請求項３記載のガラス
   線量測定装置。
5. （５）ガラス素子ホルダーに装填されている蛍光ガラス
   素子を紫外線パルスで励起し、そのときの蛍光ガラス素
   子から発生する蛍光強度から放射線量を読取るガラス線
   量測定装置において、前記蛍光ガラス素子が装填された
   前記ガラス素子ホルダーまたはこのガラス素子ホルダー
   を収納してなる線量計の何れか一方または両方に付設さ
   れた認識コードを読取る認識コード読取手段と、各蛍光
   ガラス素子ごとに異なる蛍光減衰特性および感度特性の
   何れか一方または両方の補正データを記憶するデータ記
   憶手段と、 前記認識コード読取手段で読取った認識コードに基づい
   て前記データ記憶手段から該当する補正データを読出し
   て蛍光ガラス素子ごとに前記蛍光強度を補正し各蛍光ガ
   ラス素子の被曝線量を求める演算処理手段とを備えたこ
   とを特徴とするガラス線量測定装置。