JP6166878B2 - 配線基板、及び、配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板、及び、配線基板の製造方法に関する。

従来より、セラミック副コア及びコア本体の第１主面側から樹脂ペーストをゴムスキージにより圧入印刷して、セラミック副コアとコア本体の隙間に樹脂ペーストを充填することにより、充填樹脂を形成する配線基板の製造方法があった（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−３３９４８２号公報

ところで、セラミック副コアは、コア本体に形成した副コア収容部の一方の開口をシート材で塞ぎ、他方の開口から副コア収納部の内部に収納され、シート材に固着された状態で、樹脂ペーストをキュアすることによってコア本体に固定される。

しかしながら、樹脂ペーストをキュアして得る充填樹脂でセラミック副コアをコア本体に固定した後にシート材を取り除く際に、充填樹脂による固定力が不足することにより、セラミック副コアがシート材とともに、コア本体から外れる場合があった。

このような問題は、充填樹脂による固定力がシート材の固着力よりも劣ることによって生じる場合があった。すなわち、充填樹脂によるセラミック副コアの保持強度が十分でない場合に、上述のような問題が生じる場合があった。

このように保持強度が不十分になる問題は、配線基板において、セラミック副コアの代わりに、例えば、チップコンデンサのような電子部品を、コアに形成した開口部に充填樹脂で固定する場合にも同様に生じうる。

そこで、電子部品の保持強度を向上させた配線基板、及び、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の実施の形態の配線基板は、貫通孔を有するコア層と、平面視で前記貫通孔よりも大きく開口され、平面視で前記貫通孔を内包する第１開口部を有し、前記コア層の一方の面に形成される第１配線層と、前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子を有し、前記貫通孔と前記第１開口部の内部に配設される電子部品と、前記貫通孔と前記第１開口部との内部に充填され、前記電子部品の側面及び前記第２の面を保持するとともに、前記一対の端子の間の第１溝部の内部に形成される第１樹脂層とを含み、前記電子部品の前記第１の面に形成される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記第１溝部によって離間されて形成された一対の端子であり、前記第１配線層は、前記第１開口部に連続して形成され、平面視で前記第１開口部から外側に延出し、前記第１開口部から所定の長さ延出した位置で終端される第２溝部を有し、前記第１溝部と前記第２溝部が形成される方向は、対応しており、前記第２溝部の前記第１開口部から延出する部分は、前記第１溝部の延長線上に位置する。

電子部品の保持強度を向上させた配線基板、及び、配線基板の製造方法を提供することができる。

比較例の配線基板５０を示す図である。 比較例の配線基板の製造工程を示す図である。 比較例の配線基板の製造工程を示す図である。 比較例の配線基板の製造工程を示す図である。 比較例の配線基板５０の製造工程における問題点を説明する図である。 比較例の配線基板５０の製造工程における他の問題点を説明する図である。 実施の形態の配線基板１００を示す断面図である。 実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。 実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。 実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。 実施の形態の配線基板１００の製造工程において得られる効果を説明する図である。 実施の形態の配線基板１００の他の効果を説明する図である。 実施の形態の変形例の配線基板１００の一部分を示す断面図である。

以下、本発明の配線基板、及び、配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明するにあたり、まず、図１を用いて比較例の配線基板、及び、配線基板の製造方法について説明する。

＜比較例＞
図１は、比較例の配線基板５０を示す図である。図１（Ａ）に示す断面は、図１（Ｂ）におけるＡ１−Ａ１矢視断面である。

図１（Ａ）に示すように、比較例の配線基板５０は、コア１０、配線層１１Ａ、１１Ｂ、配線層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、スルーホール１３Ａ、埋め込み樹脂１３Ｂ、チップコンデンサ１４、及び絶縁層１５を含む。

配線基板５０は、さらに、絶縁層１６、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、ビア１９Ａ、１９Ｂ、及び配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを含む。

なお、以下では、説明の便宜上、図中で上側に位置する面を上面と称し、下側に位置する面を下面と称す。また、説明の便宜上、上方及び下方という表現を用いる。しかしながら、ここで説明する上面、下面、上方、下方、上側、下側は、普遍的な上下関係を示すものではなく、図中における上下関係を表すために用いる用語である。

コア１０は、例えば、ガラス布基材をエポキシ樹脂に含浸させ、両面に銅箔を貼り付けたものである。コア１０の両面に形成される銅箔は、パターニングされることにより、配線層１１Ａ、１１Ｂ、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄになる。

コア１０の幅方向（図中の横方向）の中央部には、貫通孔１０Ｐが形成される。貫通孔１０Ｐは、コア１０を厚さ方向（図１中の縦方向）に貫通する開口部である。貫通孔１０Ｐの上側には、開口部１１Ｐが連続的に形成されており、貫通孔１０Ｐの下側には、開口部１２Ｐが連続的に形成されている。開口部１１Ｐは、配線層１１Ａに形成されており、開口部１２Ｐは、配線層１２Ｂに形成されている。

配線層１１Ａ、１１Ｂは、コア１０の上面に形成されている金属層である。配線層１１Ａ、１１Ｂは、例えば、コア１０の上面に貼り付けられた銅箔をパターニングすることによって形成される。

配線層１１Ａの幅方向（図中の横方向）の中央部には、開口部１１Ｐが形成される。開口部１１Ｐは、貫通孔１０Ｐの上側に連続的に形成されており、平面視で貫通孔１０Ｐと同じ大きさであり、平面視で貫通孔１０Ｐと位置が合わせられている。

配線層１１Ｂは、下側にスルーホール１３Ａが接続されており、上側にビア１７Ａが接続されている。配線層１１Ｂは、スルーホール１３Ａを介して配線層１２Ａに接続され、ビア１７Ａを介して、配線層１８Ａに接続されている。図１（Ｂ）には、ビア１７Ａと配線層１１Ｂとの接続部１１Ｂ１を示す。

配線層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄは、コア１０の下面に形成されている金属層である。配線層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄは、例えば、コア１０の下面に貼り付けられた銅箔をパターニングすることによって形成される。

配線層１２Ａは、上側にスルーホール１３Ａが接続されており、下側にビア１９Ａが接続されている。配線層１２Ａは、スルーホール１３Ａを介して配線層１１Ｂに接続され、ビア１９Ａを介して配線層２０Ａに接続される。

配線層１２Ｂの幅方向（図中の横方向）の中央部には、開口部１２Ｐが形成される。開口部１２Ｐは、貫通孔１０Ｐの下側に連続的に形成されており、平面視で貫通孔１０Ｐ及び開口部１１Ｐと同じ大きさであり、平面視で貫通孔１０Ｐ及び開口部１１Ｐと位置が合わせられている。

配線層１２Ｃは、下側にビア１９Ｂが接続されており、ビア１９Ｂを介して配線層２０Ｄに接続されている。

スルーホール１３Ａは、コア１０を厚さ方向に貫通し、上側の配線層１１Ｂと下側の配線層１２Ａとを接続している。スルーホール１３Ａは、例えば、コア１０に形成される貫通孔の内壁部に、銅めっき膜を形成することによって形成される。

埋め込み樹脂１３Ｂは、スルーホール１３Ａの内部に樹脂を充填することによって形成される。

チップコンデンサ１４は、チップ本体１４Ａ、端子１４Ｂ、１４Ｃを有するチップ状のコンデンサである。チップコンデンサ１４は、端子１４Ｂ、１４Ｃがそれぞれ一対の電極に接続されており、所定の静電容量を有する。チップ本体１４Ａは、内部にある一対の電極（図示せず）を樹脂で覆ったものである。

チップコンデンサ１４の端子１４Ｂ、１４Ｃは、それぞれ、上面、側面、及び下面に連続的に形成されており、互いに絶縁されている。チップ本体１４Ａの上面には、端子１４Ｂと端子１４Ｃとの間の隙間が溝を形成しており、この溝には絶縁層１６Ｄが形成されている。

端子１４Ｂ、１４Ｃの上面側には、それぞれ、ビア１７Ｂ、１７Ｃが２つずつ接続される。図１（Ｂ）には、２つのビア１７Ｂがそれぞれ端子１４Ｂに接続される接続部１４Ｂ１、１４Ｂ２を示す。また、２つのビア１７Ｃがそれぞれ端子１４Ｃに接続される接続部１４Ｃ１、１４Ｃ２を示す。

図１（Ｂ）に示すビア１７Ｂ、１７Ｃの輪郭は、円錐台形のビア１７Ｂ、１７Ｃの上面の輪郭であり、接続部１４Ｂ１、１４Ｂ２の輪郭は、円錐台形のビア１７Ｂ、１７Ｃの下面の輪郭である。

絶縁層１５は、コア１０の下面に形成される配線１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄの下面を覆うように形成されるとともに、貫通孔１０Ｐと開口部１１Ｐ及び１２Ｐとの内部に充填されている。

絶縁層１５は、加熱溶融した樹脂を貫通孔１０Ｐと開口部１１Ｐ及び１２Ｐとの内部に充填するとともに、配線１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄの下面を覆うことによって形成される。絶縁層１５は、例えば、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を加熱及び加圧することにより、熱硬化させることによって形成される。

絶縁層１５には、ビア１９Ａ、１９Ｂを形成するためのビアホールが形成される。

なお、絶縁層１５には、ビルドアップ基板用の充填樹脂材料を用いてもよい。

絶縁層１６は、コア１０、配線層１１Ａ、１１Ｂ、及びチップコンデンサ１４の上に形成される。絶縁層１６は、例えば、絶縁層１５を形成するエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料と同一の樹脂材料を用いることができる。

また、絶縁層１５、１６としてはプリプレグを用いてもよい。プリプレグとしては、例えば、所謂Ｂ−ステージ（半硬化状態）のものが使用される。プリプレグは、例えば、ガラス繊維や炭素繊維等の織布や不織布に、エポキシやポリイミド等の絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグである。絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂が好適である。

絶縁層１６には、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃを形成するためのビアホールが形成される。

絶縁層１６の一部は、絶縁層１６Ａとして、チップコンデンサ１４のチップ本体１４Ａの上面のうち、端子１４Ｂと端子１４Ｃとの間の溝（隙間）に形成される。

ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、絶縁層１６に形成されるビアホールの内部に形成され、それぞれ、配線層１１Ｂ、端子１４Ｂ、１４Ｃに接続される。ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃの上面側には、配線層１８Ａ、１８Ｃ、１８Ｄがそれぞれ接続される。ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、例えば、銅めっき膜によって形成される。

ビア１７Ｂ、１７Ｃは、端子１４Ｂ、１４Ｃの上面側に、それぞれ、２つずつ接続される。図１（Ｂ）には、２つのビア１７Ｂがそれぞれ端子１４Ｂに接続される接続部１４Ｂ１、１４Ｂ２を示す。また、２つのビア１７Ｃがそれぞれ端子１４Ｃに接続される接続部１４Ｃ１、１４Ｃ２を示す。図１（Ａ）には、２つずつ形成されるビア１７Ｂ、１７Ｃのうちの一方を通る断面（図１（Ｂ）におけるＡ１−Ａ１矢視断面）を示す。

配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄは、絶縁層１６の上面に形成される。これらのうち、配線層１８Ａ、１８Ｃ、１８Ｄは、それぞれ、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃに接続される。配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄは、例えば、銅めっき膜によって形成される。

なお、配線層１８Ｃ、１８Ｄは、それぞれ、ビア１７Ｂ、１７Ｃを介して、チップコンデンサ１４の端子１４Ｂ、１４Ｃに接続されている。このため、配線層１８Ｃ、１８Ｄは、チップコンデンサ１４のチップ本体１４Ａに内蔵される一対の電極に接続されており、チップコンデンサ１４の充放電を行うための配線又は端子として用いられる配線層である。

ビア１９Ａ、１９Ｂは、絶縁層１５の下面に形成されるビアホールの内部に形成され、それぞれ、配線層１２Ａ、１２Ｃに接続される。ビア１９Ａ、１９Ｂの下面側には、それぞれ、配線層２０Ａ、２０Ｄが接続される。ビア１９Ａ、１９Ｂは、例えば、銅めっき膜によって形成される。

配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、絶縁層１５の下面に形成される。これらのうち、配線層２０Ａ、２０Ｄは、それぞれ、ビア１９Ａ、１９Ｂに接続される。配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、例えば、銅めっき膜によって形成される。

以上のような比較例の配線基板５０は、所謂ビルドアップ基板であり、コア１０の内部にチップコンデンサ１４を内蔵している。

次に、比較例の配線基板５０の製造方法について説明する。

図２乃至図４は、比較例の配線基板５０の製造工程を示す図である。

まず、比較例の配線基板５０は、図２（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、コア１０にスルーホール１３Ａを形成し、スルーホール１３Ａの内部に埋め込み樹脂１３Ｂを充填する。コア１０の上面には配線層１１が形成されており、コア１０の下面には配線層１２が貼り付けられている。ここでは、配線層１１、１２として、銅箔を用いる。

次に、図２（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、コア１０、配線層１１、１２に、それぞれ、貫通孔１０Ｐ、開口部１１Ｐ、１２Ｐを形成する。貫通孔１０Ｐ、開口部１１Ｐ、１２Ｐは、それぞれ、コア１０、配線層１１、１２を貫通する孔部であり、例えば、ルーター又は金型プレス機による加工により、コア１０、配線層１１、１２に孔部を形成することによって一度の処理で同時に形成される。このため、貫通孔１０Ｐ、開口部１１Ｐ、１２Ｐは、平面視で同一のサイズを有し、開口の位置は一致している。

次に、図２（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、配線層１１、１２をパターニングし、それぞれ、配線層１１Ａ、１１Ｂ、配線層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄを形成する。ここで、配線層１１Ｂは、図２（Ｃ２）に示すように、平面視で円形の配線層である。配線層１１Ｂの下面は、スルーホール１３Ａに接続されている。

次に、図３（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、配線層１１Ａ、１１Ｂの上に仮付けテープ３０を貼り付ける。仮付けテープ３０は、下面に接着層３０Ａを有する。そして、さらに、コア１０の下面側の開口部１２Ｐから貫通孔１０Ｐ及び開口部１１Ｐの内部にチップコンデンサ１４を挿入し、仮付けテープ３０の下面にチップコンデンサ１４を貼り付ける。ここで、接着層３０Ａは、配線層１１Ａ、１１Ｂ、端子１４Ｂ、１４Ｃの厚さよりも厚い接着層である。

この状態で、チップコンデンサ１４の端子１４Ｂ、１４Ｃの上面は、配線層１１Ａ、１１Ｂの上面と同じ高さになっている。配線層１１Ａ、１１Ｂ、端子１４Ｂ、１４Ｃは、接着層３０Ａの厚さの半分程度まで埋没された状態になっている。また、チップ本体１４Ａの上面のうち、端子１４Ｂと端子１４Ｂとの間の部分は、溝１４Ｄになっている。溝１４Ｄは、端子１４Ｂと端子１４Ｃの隙間であり、チップ本体１４Ａの上面に位置する。溝１４Ｄの内部は、接着層３０Ａが充填された状態になっている。

次に、図３（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、貫通孔１０Ｐ及び開口部１１Ｐ、１２Ｐの内部と、配線層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄの下面とに、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を供給し、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を加熱及び加圧する。これにより、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料は熱硬化され、絶縁層１５が形成される。

この工程により、絶縁層１５は、貫通孔１０Ｐ及び開口部１１Ｐ、１２Ｐの内部に充填される。

次に、図３（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、仮付けテープ３０を除去する。仮付けテープを除去すると、図３（Ｃ２）に示すように、配線層１１Ａ、１１Ｂ、コア１０の一部（配線層１１Ａと１１Ｂの間の部分）、絶縁層１５の一部（チップコンデンサ１４の周囲の部分）、及びチップコンデンサ１４の一部（端子１４Ｂ、１４Ｃの間の溝１４Ｄの部分）が露出する。

次に、図４（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、配線層１１Ａ、１１Ｂ、コア１０の一部（配線層１１Ａと１１Ｂの間の部分）、絶縁層１５の一部（チップコンデンサ１４の周囲の部分）、及びチップコンデンサ１４の一部（端子１４Ｂ、１４Ｃの間の溝１４Ｄの部分）の上に、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を貼り付けることにより、絶縁層１６を形成する。絶縁層１６の一部である絶縁層１６Ｄは、チップコンデンサ１４の溝１４Ｄの内部に形成される。また、チップコンデンサ１４の端子１４Ｂ、１４Ｃと配線層１１Ａの間（開口部１１Ｐの内部のうち配線層１１Ａと略同じ厚さの部分）にも絶縁層１６が形成される。

絶縁層１６の形成は、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を加熱及び加圧することによって行われる。

次に、図４（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、絶縁層１６に、ビアホール１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃを形成するとともに、絶縁層１５に、ビアホール１５Ｂ、１５Ｃを形成する。

ビアホール１５Ｂ、１５Ｃ、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃの形成は、例えば、レーザ加工によって行えばよい。

次に、図４（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、ビア１９Ａ、１９Ｂ、及び配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを形成する。この工程は、銅めっき膜を形成するめっき処理によって行えばよく、より具体的には、例えば、セミアディティブ法によって行えばよい。

ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、それぞれ、セミアディティブ法によってビアホール１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ内に形成される。配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄは、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃを形成するめっき処理に連続して形成される。

また、ビア１９Ａ、１９Ｂは、それぞれ、セミアディティブ法によってビアホール１５Ｂ、１５Ｃ内に形成される。配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、ビア１９Ａ、１９Ｂを形成するめっき処理に連続して形成される。

以上のようにして、比較例の配線基板５０が完成する。

ところで、比較例の配線基板５０の製造工程において、図３（Ｂ１）に示す状態から仮付けテープ３０を除去して図３（Ｃ１）に示す状態に移行する際には、次のような問題が生じうる。ここでは、図５を用いてこの問題を説明する。

図５は、比較例の配線基板５０の製造工程における問題点を説明する図である。

図５（Ａ）は、図３（Ｂ１）に示すチップコンデンサ１４と、その周囲を拡大して示す断面図である。

図５（Ａ）に示すように、チップコンデンサ１４を仮付けテープ３０に接着し、開口部１１Ｐ、貫通孔１０Ｐ、及び開口部１２Ｐを絶縁層１５で封止した状態で、仮付けテープ３０を配線層１１Ａ、１１Ｂの表面から剥がす。

このとき、チップコンデンサ１４は、上面側が接着層３０Ａに接着されるとともに、側面側が開口部１１Ｐ及び貫通孔１０Ｐの内部に封止される絶縁層１５によって保持されている状態である。すなわち、チップコンデンサ１４は、図５（Ａ）に破線で示す３つの楕円で囲む部分のうち両端の楕円で囲む部分において、絶縁層１５によって保持されるとともに、中央の楕円で囲む部分において接着層３０Ａに接着されている。

この状態で、仮付けテープ３０を配線層１１Ａ、１１Ｂの表面から剥がすと、絶縁層１５によってチップコンデンサ１４が保持される力よりも接着層３０Ａの接着力が大きい場合には、次のような問題が生じる場合がある。

すなわち、チップコンデンサ１４が絶縁層１５によって保持されずに、図５（Ｂ）に示すように、仮付けテープ３０に保持（接着）された状態で絶縁層１５から抜けてしまう場合がある。このようなことが生じるのは、絶縁層１５によってチップコンデンサ１４が保持される力よりも接着層３０Ａの接着力が大きいからである。

ここで、絶縁層１５のうちチップコンデンサ１４の側面を保持している部分は、開口部１１Ｐと貫通孔１０Ｐの中に形成されている。そして、開口部１１Ｐの開口は、貫通孔１０Ｐの開口と同一サイズである。このため、開口部１１Ｐの周囲において、絶縁層１５がチップコンデンサ１４を保持する力が不足する虞がある。

従って、絶縁層１５がチップコンデンサ１４を保持する力が、仮付けテープ３０の接着層３０Ａとチップコンデンサ１４との間に生じる接着力よりも弱いと、仮付けテープ３０を取り除く際に、図５（Ｂ）に示すように、チップコンデンサ１４が絶縁層１５から抜けてしまう場合がある。

このようにチップコンデンサ１４が絶縁層１５から抜けてしまうと、配線基板５０は使用不能であり、不良品となる。このため、比較例の配線基板５０は、製造工程で不良品が生じる可能性があった。

また、このような問題は、チップコンデンサ１４の代わりに、半導体素子等の電子部品を用いる場合にも同様に生じる可能性がある。

以上のように、比較例の配線基板５０は、電子部品の保持強度が不足する場合があるという問題がある。

また、比較例の配線基板５０では、開口部１１Ｐ及び貫通孔１０Ｐの内部におけるチップコンデンサ１４の位置がずれると、電気的な接続に問題が生じる虞がある。この問題については、図６を用いて説明する。

図６は、比較例の配線基板５０の製造工程における他の問題点を説明する図である。

図６は、図４（Ｃ１）に示す製造段階と同一の製造段階において、チップコンデンサ１４の電気的接続に問題が生じた場合おけるチップコンデンサ１４とその周囲の状態を拡大して示す図である。

ここでは、図５（Ｂ）に示すような問題は生じずに、仮付けテープ３０は正しく取り除かれ、チップコンデンサ１４は、開口部１１Ｐと貫通孔１０Ｐの内部で、絶縁層１５によって保持されている。

しかしながら、図６では、チップコンデンサ１４は、図４（Ｃ１）に示す場合よりも図中右側にオフセットしており、端子１４Ｃは、破線で示す円の内部で、配線層１１Ａに接触している。端子１４Ｃは、本来は、図４（Ｃ１）に示すようにビア１７Ｃに接続されるものであり、配線層１１Ａには接続されない。

このようにチップコンデンサ１４の位置がずれて、端子１４Ｃが配線層１１Ａに接続されると、チップコンデンサ１４の充放電を正しく行うことができず、配線基板５０の信頼性が低下するという問題が生じる。

以上のように、比較例の配線基板５０は、電子部品の保持強度が不足する場合があるという問題と、信頼性が低下するという問題とが生じる可能性がある。

従って、以下で説明する実施の形態では、電子部品の保持強度の向上と、信頼性の向上とを図った配線基板を提供することを目的とする。

＜実施の形態＞
図７は、実施の形態の配線基板１００を示す断面図である。図７（Ａ）に示す断面は、図７（Ｂ）におけるＢ１−Ｂ１矢視断面である。図７（Ｃ）は、図７（Ａ）にソルダーレジストを追加した断面図である。図７（Ｄ）は、図７（Ｃ）にＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit：大規模集積回路）チップを追加した断面図である。

実施の形態の配線基板１００は、比較例の配線基板５０の配線層１１Ａに対応する配線層１１１Ａの開口部１１１Ｐを、平面視でコア１０の貫通孔１０Ｐの開口よりも大きくし、平面視で開口部１１１Ｐの内部に貫通孔１０Ｐの開口が収まるようにしたものである。

また、同様に、比較例の配線基板５０の配線層１２Ｂに対応する配線層１１２Ｂの開口部１１２Ｐを、平面視でコア１０の貫通孔１０Ｐの開口よりも大きくし、平面視で開口部１１２Ｐの内部に貫通孔１０Ｐの開口が収まるようにしたものである。

その他の構成要素は、比較例の配線基板５０と同様であるため、比較例の配線基板５０と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

配線基板１００は、コア１０、配線層１１１Ａ、１１１Ｂ、配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄ、スルーホール１３Ａ、埋め込み樹脂１３Ｂ、チップコンデンサ１４、及び絶縁層１１５を含む。

また、配線基板１００は、さらに、絶縁層１６、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、ビア１９Ａ、１９Ｂ、及び配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを含む。

以下では、説明の便宜上、図中で上側に位置する面を上面と称し、下側に位置する面を下面と称す。また、説明の便宜上、上方及び下方という表現を用いる。しかしながら、ここで説明する上面、下面、上方、下方、上側、下側は、普遍的な上下関係を示すものではなく、図中における上下関係を表すために用いる用語である。

コア１０は、例えば、ガラス布基材をエポキシ樹脂に含浸させ、両面に銅箔を貼り付けたものである。コア１０の両面に形成される銅箔は、パターニングされることにより、配線層１１１Ａ、１１１Ｂ、１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄになる。

ここで、コア１０は、コア層の一例である。配線層１１１Ａ、１１１Ｂは、第１配線層の一例である。配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄは、第２配線層の一例である。

貫通孔１０Ｐの上側には、開口部１１１Ｐが形成されており、貫通孔１０Ｐの下側には、開口部１１２Ｐが形成されている。開口部１１１Ｐは、配線層１１１Ａに形成されており、開口部１１２Ｐは、配線層１１２Ｂに形成されている。

開口部１１１Ｐは、平面視でコア１０の貫通孔１０Ｐの開口よりも大きく、平面視で貫通孔１０Ｐの開口を内包する。開口部１１１Ｐは、第１開口部の一例である。

また、開口部１１２Ｐは、平面視でコア１０の貫通孔１０Ｐの開口よりも大きく、平面視で貫通孔１０Ｐの開口を内包する。開口部１１２Ｐは、第２開口部の一例である。

配線層１１１Ａ、１１１Ｂは、コア１０の上面に形成されている金属層である。配線層１１１Ａ、１１１Ｂは、例えば、コア１０の上面に貼り付けられた銅箔をパターニングすることによって形成される。

配線層１１１Ａ、１１１Ｂのうち、配線層１１１Ｂは、比較例の配線基板５０の配線層１１Ｂと同様である。

配線層１１１Ａの幅方向（図中の横方向）の中央部には、開口部１１１Ｐが形成される。開口部１１１Ｐは、上述のように、平面視でコア１０の貫通孔１０Ｐの開口よりも大きく、平面視で貫通孔１０Ｐの開口を内包する。すなわち、開口部１１１Ｐは、平面視で貫通孔１０Ｐを内包している。

配線層１１１Ｂは、下側にスルーホール１３Ａが接続されており、上側にビア１７Ａが接続されている。配線層１１１Ｂは、スルーホール１３Ａを介して配線層１１２Ａに接続され、ビア１７Ａを介して、配線層１８Ａに接続されている。図７（Ｂ）には、ビア１７Ａと配線層１１１Ｂとの接続部１１１Ｂ１を示す。なお、開口部１１１Ｐと貫通孔１０Ｐの平面視での大きさの違いについては、製造工程の説明と併せて後述する。

配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄは、コア１０の下面に形成されている金属層である。配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄは、例えば、コア１０の下面に貼り付けられた銅箔をパターニングすることによって形成される。

配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄのうち、配線層１１２Ａ、１１２Ｃ、１１２Ｄは、それぞれ、比較例の配線基板５０の配線層１２Ａ、１２Ｃ、１２Ｄと同様である。

配線層１１２Ａは、スルーホール１３Ａを介して配線層１１１Ｂに接続され、ビア１９Ａを介して配線層２０Ａに接続される。

配線層１１２Ｂの幅方向（図中の横方向）の中央部には、開口部１１２Ｐが形成される。開口部１１２Ｐは、貫通孔１０Ｐの下側に形成されており、平面視でコア１０の貫通孔１０Ｐの開口よりも大きく、平面視で貫通孔１０Ｐの開口を内包する。

配線層１１２Ｃは、下側にビア１９Ｂが接続されており、ビア１９Ｂを介して配線層２０Ｄに接続されている。

スルーホール１３Ａは、コア１０を厚さ方向に貫通し、上側の配線層１１１Ｂと下側の配線層１１２Ａとを接続している。

絶縁層１１５は、コア１０の下面に形成される配線１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄの下面を覆うように形成されるとともに、貫通孔１０Ｐと開口部１１１Ｐ及び１１２Ｐとの内部に充填されている。すなわち、貫通孔１０Ｐと開口部１１１Ｐ及び１１２Ｐは、絶縁層１１５によって閉塞されている。

絶縁層１１５は、加熱溶融した樹脂を貫通孔１０Ｐと開口部１１１Ｐ及び１１２Ｐとの内部に充填するとともに、配線１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄの下面を覆うことによって形成される。絶縁層１１５は、例えば、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を加熱及び加圧することにより、熱硬化させることによって形成される。

絶縁層１１５の一部は、絶縁層１１５Ａとして、チップコンデンサ１４のチップ本体１４Ａの上面のうち、端子１４Ｂと端子１４Ｃとの間の溝１４Ｄ（隙間）に形成される。なお、チップコンデンサ１４の上面は第１の面の一例であり、チップコンデンサ１４の下面は、第２の面の一例である。

また、実施の形態では、開口部１１１Ｐを平面視で貫通孔１０Ｐよりも大きくし、かつ、開口部１１１Ｐが平面視で貫通孔１０Ｐを内包するようにしている。このため、絶縁層１１５の一部（延出部１１５Ｄ）は、開口部１１１Ｐの外周に沿って、平面視で矩形環状に外側に延出している。この延出する部分を延出部１１５Ｄとして示す。延出部１１５Ｄは、平面視で、貫通孔１０Ｐの開口よりも外側に位置する部分である。絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄは、第１樹脂層の一例である。

なお、絶縁層１１５には、ビア１９Ａ、１９Ｂを形成するためのビアホールが形成される。

絶縁層１６は、コア１０、配線層１１１Ａ、１１１Ｂ、及びチップコンデンサ１４の上に形成される。絶縁層１６は、例えば、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を用いることができる。エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料は、接着層の一例であるとともに、第２樹脂層の一例である。第２樹脂層の一例である絶縁層１６は、第１樹脂層の一例であるである絶縁層１１５とは異なる樹脂で形成される。

また、絶縁層１６としては、プリプレグを用いてもよい。プリプレグとしては、例えば、所謂Ｂ−ステージ（半硬化状態）のものが使用される。プリプレグは、例えば、ガラス繊維や炭素繊維等の織布や不織布に、エポキシやポリイミド等の絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグである。絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂が好適である。なお、絶縁層１６は、ガラス繊維や炭素繊維等の織布や不織布を含まなくてもよい。

絶縁層１６には、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃを形成するためのビアホールが形成される。

ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、絶縁層１６に形成されるビアホールの内部に形成され、それぞれ、配線層１１１Ｂ、端子１４Ｂ、１４Ｃに接続される。ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃの上面側には、配線層１８Ａ、１８Ｃ、１８Ｄがそれぞれ接続される。ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、例えば、銅めっき膜によって形成される。

ビア１９Ａ、１９Ｂは、絶縁層１１５の下面に形成されるビアホールの内部に形成され、それぞれ、配線層１１２Ａ、１１２Ｃに接続される。ビア１９Ａ、１９Ｂの下面側には、それぞれ、配線層２０Ａ、２０Ｄが接続される。ビア１９Ａ、１９Ｂは、例えば、銅めっき膜によって形成される。

配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、絶縁層１１５の下面に形成される。これらのうち、配線層２０Ａ、２０Ｄは、それぞれ、ビア１９Ａ、１９Ｂに接続される。配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、例えば、銅めっき膜によって形成される。

以上のような実施の形態の配線基板１００は、所謂ビルドアップ基板であり、コア１０の内部にチップコンデンサ１４を内蔵している。

なお、配線基板１００は、図７（Ｃ）に示すように、ソルダーレジスト４０Ａ、４０Ｂをさらに含んでもよい。ソルダーレジスト４０Ａ、４０Ｂは、それぞれ、配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄの表面（図中の上面）と、配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの表面（図中の下面）に形成されている。

ソルダーレジスト４０Ａは、配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄの表面（図中の上面）の一部を表出するように形成されている。配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄのうちソルダーレジスト４０Ａから表出する部分は、端子として用いられる。

また、ソルダーレジスト４０Ｂは、配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの表面（図中の下面）の一部とを表出するように形成されている。配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのうちソルダーレジスト４０Ｂから表出する部分は、端子として用いられる。

図７（Ｄ）に示すように、配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄのうちソルダーレジスト４０Ａから表出する端子の部分には、バンプ４１Ａを介して、ＬＳＩチップ４２が実装される。

また、図７（Ｄ）では、配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのうちソルダーレジスト４０Ｂから表出する端子の部分には、バンプ４１Ｂが接続される。

このように、実施の形態の配線基板１００には、ＬＳＩチップ４２を実装することができる。

次に、実施の形態の配線基板１００の製造方法について説明する。

図８乃至図１０は、実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。

まず、実施の形態の配線基板１００は、図８（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、コア１０にスルーホール１３Ａを形成し、スルーホール１３Ａの内部に埋め込み樹脂１３Ｂを充填する。コア１０の上面には配線層１１１が形成されており、コア１０の下面には配線層１１２が貼り付けられている。ここでは、配線層１１１、１１２として、銅箔を用いる。

次に、図８（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、配線層１１１、１１２をパターニングし、それぞれ、配線層１１１Ａ、１１１Ｂ、配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄを形成する。

また、このときに、配線層１１１Ａ、１１２Ｂに、それぞれ、開口部１１１Ｐ、１１２Ｐを形成する。開口部１１１Ｐ、１１２Ｐの平面視での大きさは互いに等しく、平面視で位置を合わせて形成される。

ここで、配線層１１１Ｂは、図８（Ｂ２）に示すように、平面視で円形の配線層である。配線層１１１Ｂの下面は、スルーホール１３Ａに接続されている。

なお、配線層１１１Ａ、１１１Ｂ、配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄ、開口部１１１Ｐ、１１２Ｐのパターニングは、例えば、フォトレジストを用いて配線層１１１、１１２をウェットエッチングすることによって行えばよい。

次に、図８（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、コア１０に、貫通孔１０Ｐを形成する。貫通孔１０Ｐは、コア１０を厚さ方向に貫通する孔部であり、例えば、ルーター又は金型プレス機による加工により、コア１０に孔部を形成することによって形成される。

貫通孔１０Ｐは、平面視で、開口部１１１Ｐ、１１２Ｐより小さく、平面視で開口部１１１Ｐ、１１２Ｐに内包される位置に形成される。貫通孔１０Ｐ、及び開口部１１１Ｐ、１１２Ｐは、キャビティの一例である。

次に、図９（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、配線層１１１Ａ、１１１Ｂの上に仮付けテープ３０を貼り付ける。仮付けテープ３０は、下面に接着層３０Ｂを有する。仮付けテープ３０は、テープ部材の一例である。なお、接着層３０Ｂは、比較例の接着層３０Ａよりも薄い接着層である。接着層３０Ｂは、下面にチップコンデンサ１４が貼り付けられることによって接着剤が厚さ方向に押圧されても、チップコンデンサ１４の溝部１４Ｄに接着層３０Ｂが流入しない程度の量の接着剤が仮付けテープ３０の下面に塗布されることによって形成される。接着層３０Ｂの厚さは、例えば、配線層１１Ａ、１１Ｂ、端子１４Ｂ、１４Ｃの厚さよりも薄い。接着層３０Ｂの厚さは、例えば、比較例の接着層３０Ａの厚さの半分程度でよい。

配線層１１１Ａ、１１１Ｂの上に仮付けテープ３０を貼り付けた後に、さらに、コア１０の下面側の開口部１１２Ｐから貫通孔１０Ｐ及び開口部１１１Ｐの内部にチップコンデンサ１４を挿入し、仮付けテープ３０の下面にチップコンデンサ１４を貼り付ける。

この状態で、チップコンデンサ１４の端子１４Ｂ、１４Ｃの上面は、配線層１１１Ａ、１１１Ｂの上面と同じ高さになっている。また、チップ本体１４Ａの上面のうち、端子１４Ｂと端子１４Ｂとの間の部分は、溝１４Ｄになっている。溝１４Ｄは、端子１４Ｂと端子１４Ｃの隙間であり、チップ本体１４Ａの上面に位置する。溝１４Ｄは、第１溝部の一例である。図９（Ａ１）、（Ａ２）に示す状態では、接着層３０Ｂは溝部１４Ｄに流入しておらず、溝部１４Ｂの内部は何も形成されておらず、空洞になっている。

次に、図９（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、貫通孔１０Ｐ及び開口部１１１Ｐ、１１２Ｐの内部と、配線層１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄの下面とに、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を供給し、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を加熱及び加圧する。これにより、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料は熱硬化され、絶縁層１１５が形成される。

この工程により、絶縁層１１５は、貫通孔１０Ｐ及び開口部１１１Ｐ、１１２Ｐの内部に充填されるとともに、チップコンデンサ１４の上面にある溝１４Ｄ（図９（Ａ１）参照）には絶縁層１１５Ａが充填される。

このため、溝１４Ｄ内には、加圧によってエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料が充填され、絶縁層１１５Ａが形成される。絶縁層１１５Ａは、チップ本体１４Ａの上面側の端子１４Ｂと端子１４Ｃの間で、ブリッジ状に形成される。

実施の形態では、開口部１１１Ｐを平面視で貫通孔１０Ｐよりも大きくし、かつ、開口部１１１Ｐが平面視で貫通孔１０Ｐを内包するようにしている。このため、絶縁層１１５の一部である延出部１１５Ｄは、開口部１１１Ｐの外周に沿って、平面視で矩形環状に外側に延出する。延出部１１５Ｄは、平面視で、貫通孔１０Ｐの開口よりも外側に位置する部分である。

なお、図９（Ｂ１）、（Ｂ２）に示す工程では、貫通孔１０Ｐ、開口部１１１Ｐ、１１２Ｐは、平面視で周囲がコア１０、配線層１１１Ａ、１１２Ｂによって閉じており、上方は仮付けテープ３０によって閉じている。このため、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料が配線層１１１Ａ、１１１Ｂの上に漏れ出ることはない。

次に、図９（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、仮付けテープ３０を除去する。仮付けテープを除去すると、図９（Ｃ２）に示すように、配線層１１１Ａ、１１１Ｂ、コア１０の一部（配線層１１１Ａと１１１Ｂの間の部分）、絶縁層１１５の一部（チップコンデンサ１４の周囲の部分）、絶縁層１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄが露出する。

次に、図１０（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、配線層１１１Ａ、１１１Ｂ、コア１０の一部（配線層１１１Ａと１１１Ｂの間の部分）、絶縁層１１５の一部（チップコンデンサ１４の周囲の部分）、絶縁層１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄの上に、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を貼り付けることにより、絶縁層１６を形成する。

絶縁層１６の形成は、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を加熱及び加圧することによって行われる。

次に、図１０（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、絶縁層１６に、ビアホール１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃを形成するとともに、絶縁層１１５に、ビアホール１１５Ｂ、１１５Ｃを形成する。

ビアホール１１５Ｂ、１１５Ｃ、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃの形成は、例えば、レーザ加工によって行えばよい。

次に、図１０（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、ビア１９Ａ、１９Ｂ、及び配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを形成する。この工程は、銅めっき膜を形成するめっき処理によって行えばよく、より具体的には、例えば、セミアディティブ法によって行えばよい。

ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、それぞれ、セミアディティブ法によってビアホール１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ内に形成される。配線層１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄは、ビア１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃを形成するめっき処理に連続して形成される。

また、ビア１９Ａ、１９Ｂは、それぞれ、セミアディティブ法によってビアホール１１５Ｂ、１１５Ｃ内に形成される。配線層２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、ビア１９Ａ、１９Ｂを形成するめっき処理に連続して形成される。

以上のようにして、実施の形態の配線基板１００が完成する。

ここで、図１１及び図１２を用いて、実施の形態の配線基板１００の効果について説明する。

図１１は、実施の形態の配線基板１００の製造工程において得られる効果を説明する図である。図１１（Ａ）は、図９（Ｂ１）に示すチップコンデンサ１４と、その周囲を拡大して示す断面図である。図１１（Ｂ）は、仮付けテープ３０を剥がした状態を示す図である。

図１１（Ａ）に示すように、チップコンデンサ１４を仮付けテープ３０に接着し、開口部１１１Ｐ、貫通孔１０Ｐ、及び開口部１１２Ｐを絶縁層１１５で封止した状態で、仮付けテープ３０を配線層１１１Ａ、１１１Ｂの表面から剥がす。

このとき、チップコンデンサ１４は、上面側が絶縁層１１５Ａに保持されるとともに、側面側が開口部１１１Ｐ及び貫通孔１０Ｐの内部に封止される絶縁層１５によって保持されている状態である。

開口部１１１Ｐは、貫通孔１０Ｐの開口よりも平面視で大きく、かつ、平面視で貫通孔１０Ｐを内包している。このため、絶縁層１１５は、開口部１１１Ｐの外周部に（平面視で貫通孔１０Ｐよりも外側の部分に）延出部１１５Ｄを有する。

すなわち、チップコンデンサ１４の側面は、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによって保持されている。これは、チップコンデンサ１４が、図１１（Ａ）に破線で示す５つの楕円で囲む部分において、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによって保持されていることを表す。

平面視で矩形環状の延出部１１５Ｄがあることにより、チップコンデンサ１４の上部の側面は、比較例のチップコンデンサ１４よりも、強力に保持されている。

なお、延出部１１５Ｄが平面視で貫通孔１０Ｐよりも外側に延出する長さと、延出部１１５Ｄの厚さは、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄがチップコンデンサ１４を保持する力が、仮付けテープ３０の接着力に負けない程度の保持力になるように、適切な長さ及び厚さに設定すればよい。

従って、この状態で、仮付けテープ３０を配線層１１１Ａ、１１１Ｂの表面から剥がしても、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄがチップコンデンサ１４を保持する力は、仮付けテープ３０の接着力に負けることはない。

このため、図９（Ｂ１）に示す状態から仮付けテープ３０を剥がすと、図９（Ｃ１）及び図１１（Ｂ）に示すように、チップコンデンサ１４が絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによって保持された状態で、仮付けテープ３０のみを剥がすことが可能になる。

すなわち、比較例のように、仮付けテープ３０にチップコンデンサ１４が接着された状態で、チップコンデンサ１４が絶縁層１５から抜けてしまうことを抑制することができる。これは、図１１（Ｂ）に破線で示す５つの楕円で囲む部分において、チップコンデンサ１４が絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによって保持されているからである。

実施の形態の配線基板１００では、延出部１１５Ｄによってチップコンデンサ１４の上部側の側面にある絶縁層１１５を補強することにより、ブリッジ状に形成される絶縁層１１５Ａが補強される。

絶縁層１１５Ａは、チップコンデンサ１４の上面の溝部１４Ｄの内部にブリッジ状に渡されており、また、チップコンデンサ１４の側面及び下面は、絶縁層１１５によって保持されている。すなわち、絶縁層１１５、１１５Ａによってチップコンデンサ１４は、下面、両側面、及び上面の全周にわたって保持されている。このことは、製造工程において、仮付けテープ３０を剥がす際にチップコンデンサ１４が引き抜かれることを抑制できる。

従って、実施の形態の配線基板１００は、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによるチップコンデンサ１４の保持強度が十分に得られる。また、これにより、実施の形態の配線基板１００の製造方法では、不良品の発生を抑制することができる。

次に、図１２を用いて、実施の形態の配線基板１００の他の効果について説明する。

図１２は、実施の形態の配線基板１００の他の効果を説明する図である。

チップコンデンサ１４は、開口部１１Ｐと貫通孔１０Ｐの内部で、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによって保持されている。

図１２では、比較例で図６を用いて説明した場合と同様に、チップコンデンサ１４は、図１０（Ｃ１）に示す場合よりも図中右側にオフセットしている。

しかしながら、実施の形態の配線基板１００は、配線層１１１Ａに形成される開口部１１１Ｐが貫通孔１０Ｐよりも平面視で大きく、かつ、平面視で貫通孔１０Ｐを内包している。

このため、貫通孔１０Ｐに対して開口部１１１Ｐがオフセットした部分には、絶縁層１１５の延出部１１５Ｄが形成されており、図１２に示すようにチップコンデンサ１４の位置が右側にずれても、チップコンデンサ１４の端子１４Ｃが配線層１１１Ａに接触することは抑制される。

なお、これは、チップコンデンサ１４の位置が図１２中で左側にずれた場合にも同様であり、端子１４Ｂが配線層１１１Ａに接触することは抑制される。また、チップコンデンサ１４の位置が図１２中で図面の手前側又は奥側にずれた場合にも、端子１４Ｂ又は端子１４Ｃが配線層１１１Ａに接触することは抑制される。

従って、実施の形態の配線基板１００では、チップコンデンサ１４の位置がずれた場合でも、比較例の配線基板５０のようにチップコンデンサ１４の電気的接続に問題が生じることはない。これにより、実施の形態によれば、信頼性の高い配線基板１００を提供することができる。

以上、実施の形態の配線基板１００は、比較例の配線基板５０に比べて、電子部品の十分な保持強度を確保できるという効果と、高い信頼性を確保できるという効果が得られる。

このため、実施の形態によれば、電子部品の保持強度の向上と、信頼性の向上とを図った配線基板１００を提供することができる。

また、実施の形態の配線基板１００は、製造工程において、仮付けテープ３０の接着層３０Ｂの厚さが、比較例の接着層３０Ａの厚さの半分程度で足りる。このように薄い接着層３０Ｂを用いることは製造コストの削減に寄与する。

なお、以上では、配線基板１００が電子部品の一例としてのチップコンデンサ１４を内蔵する形態について説明したが、配線基板１００は、チップコンデンサ１４の代わりに、半導体素子等の電子部品を内蔵してもよい。

また、以上では、開口部１１２Ｐが、平面視でコア１０の貫通孔１０Ｐの開口よりも大きく、平面視で貫通孔１０Ｐの開口を内包する形態について説明した。しかしながら、図７（Ａ）に示すように、チップコンデンサ１４が貫通孔１０Ｐの高さに収まり、端子１４Ｂ、１４Ｃの下端が配線層１１２Ｂよりも高い位置にある場合には、開口部１１２Ｐは、平面視で貫通孔１０Ｐと同一の大きさであって、平面視で貫通孔１０Ｐと位置が合わせられていてもよい。

また、以上では、仮付けテープ３０を剥がす方向については特に言及しなかった。仮付けテープ３０は、例えば、平面視で矩形状のテープのいずれか一辺から捲るようにして剥がせばよい。仮付けテープ３０を剥がす場合には、端子１４Ｂ、１４Ｃを介して、仮付けテープ３０からチップコンデンサ１４に引っ張る力が働くことになる。

この場合に、仮付けテープ３０は、チップコンデンサ１４の端子１４Ｂと端子１４Ｃとの間で絶縁層１１５Ａが延在する方向（図９（Ｂ２）における縦方向）に沿って剥がす方が、図９（Ｂ２）における横方向に剥がす場合よりも好ましい。

これは、仮付けテープ３０が絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄの上面に触れている区間では、絶縁層１１５Ａが延在する方向（図９（Ｂ２）における縦方向）に沿って剥がせば、仮付けテープ３０からチップコンデンサ１４にかかる力を略一定にすることができるからである。

これに対して、仮付けテープ３０が絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄの上面に触れている区間において、図９（Ｂ２）における横方向に剥がす場合には、絶縁層１１５Ａの有無により、仮付けテープ３０からチップコンデンサ１４にかかる力が比較的大きく変動するからである。

従って、仮付けテープ３０を剥がす方向と、絶縁層１１５Ａが延在する方向とが一致するように、配線基板１００を設計することが好ましい。

ただし、仮付けテープ３０を剥がす方向が問題にならない程度に、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによるチップコンデンサ１４の保持力が得られる場合は、仮付けテープ３０を剥がす方向と、絶縁層１１５Ａが延在する方向とを一致させなくてよい。

また、仮付けテープ３０を剥がす方向において、端子１４Ｂ、１４Ｃの面積に対する、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄの面積の比が、なるべく大きくなるように配線基板１００を設計することが好ましい。又は、仮付けテープ３０を剥がす方向において、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄの面積がなるべく大きく得られるように配線基板１００を設計することが好ましい。

絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄの面積が大きく得られる方向であれば、仮付けテープ３０からチップコンデンサ１４にかかる力を低減でき、仮付けテープ３０によってチップコンデンサ１４が引き抜かれることを抑制できるからである。

例えば、図９（Ｂ２）に示すように絶縁層１１５と延出部１１５Ｄの縦と横の長さの比が異なる場合には、短辺が延在する方向に仮付けテープ３０を剥がせばよい。

ただし、仮付けテープ３０を剥がす方向が問題にならない程度に、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄによるチップコンデンサ１４の保持力が得られる場合は、上述の面積比が大きくなるようにしなくてよい。

また、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄを形成するためのエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料と、絶縁層１６を形成するためのエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料とは、溶融粘度又は熱膨張係数（ＣＴＥ）の異なる樹脂であってもよい。

例えば、絶縁層１６を形成するためのエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料として、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄを形成するためのエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料よりも溶融粘度が低く、かつ、熱膨張係数（ＣＴＥ）の高いものを用いてもよい。

この場合には、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料で、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄを形成した後に、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料で絶縁層１６を形成する際に、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄと、開口部１１１Ｐ及び溝部１４Ｄ等との間に生じうる隙間を効率よく埋めることができる。

また、絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄを形成した後に、より柔らかく、かつ、膨張率の大きいエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料で絶縁層１６を形成するので、配線基板１００の全体としての平坦性をより良好なものにすることができる。

また、実施の形態の配線基板１００では、チップコンデンサ１４がコア１０の一方の面（ここでは上面）に偏った状態で配置されている。ＬＳＩチップ４２がコア１０の一方の面に実装されることで、チップコンデンサ１４とＬＳＩチップ４２との距離を短く保つことができ、ＬＳＩチップ４２の性能を向上させることができる。

また、配線層１１１Ａに、開口部１１１Ｐに連通する溝部を設けてもよい。この溝部については図１３を用いて説明する。

図１３は、実施の形態の変形例の配線基板１００の一部分を示す断面図である。図１３は、製造工程を示す図８（Ｃ２）に対応する図である。

図１３に示すように、配線層１１１Ａの開口部１１１Ｐの四辺の各々に連通する溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２を形成してもよい。溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２の底部には、コア１０の上面が表出する。溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２は、第２溝部の一例である。

溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２は、それぞれ、平面視で矩形の開口部１１１Ｐの２つの短辺から平面視で外側に直角な方向に直線的に延在するように形成されている。

溝部１１１Ｄ１、１１１Ｄ２は、それぞれ、平面視で矩形の開口部１１１Ｐの２つの長辺からＬ字型に延在するように形成されている。

溝部１１１Ｄ１、１１１Ｄ２が開口部１１１Ｐに接続される付け根の部分１１１Ｄ１Ａ、１１１Ｄ２Ａは、図９（Ａ１）、（Ａ２）に示す工程で、チップコンデンサ１４の溝部１４Ｄと直線状に並ぶ位置に形成されている。

すなわち、溝部１１１Ｄ１、１１１Ｄ２の付け根の部分１１１Ｄ１Ａ、１１１Ｄ２Ａは、溝部１４Ｄの延長線上に位置するように形成されている。換言すれば、溝部１１１Ｄ１、１１１Ｄ２の付け根の部分１１１Ｄ１Ａ、１１１Ｄ２Ａと、溝部１４Ｄとは、形成される方向が対応している。

このような溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２を設けることにより、図９（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すようにエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料で絶縁層１１５、１１５Ａ、及び延出部１１５Ｄを形成する際に、開口部１１１Ｐと仮付けテープ３０で閉じられた空間に、加圧によって充填されるエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料の余剰分を吸収する空間を設けることができる。

チップコンデンサ１４の端子１４Ｂ、１４Ｃの間の溝１４Ｄに樹脂１５が充填される際、溝１４Ｄに高い充填圧力が印加されると、チップコンデンサ１４が仮止めテープ３０から直接押し上げられるため、チップコンデンサ１４が仮止めテープ３０から剥離し易くなる。

このような場合に、溝１４Ｄの内部に印加される圧力を逃がし易くするために、溝１４Ｄの近傍に溝部１１１Ｄ１及び１１１Ｄ２を形成する。

また、絶縁層１５は図１３に矢印で示す縦方向から溝１４Ｄ内に浸入するため、この方向に沿って溝１４Ｄが形成されることで、より圧力を逃がし易くすることができる。

すなわち、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を開口部１１１Ｐの内部に加圧によって充填する際に、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料の余剰分を溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２で吸収することができる。

また、この際に、溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２は、チップコンデンサ１４の溝部１４Ｄから最も遠くなる位置に配設されているため、開口部１１１Ｐの２つの短辺において、効率よくエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料の余剰分を吸収することができる。

また、この際に、溝部１１１Ｄ１、１１１Ｄ２の付け根の部分１１１Ｄ１Ａ、１１１Ｄ２Ａは、溝部１４Ｄの延長線上に位置するように形成されているので、効率よくエポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料の余剰分を吸収することができる。

なお、図１３には、溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２が一番奥で終端されており、それぞれが独立的に形成されている形態を示す。しかしながら、溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２のうちの少なくとも２つ、あるいは３つは、連通されていてもよい。また、溝部１１１Ｃ１、１１１Ｃ２、１１１Ｄ１、１１１Ｄ２がすべて連通されていてもよい。

以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、及び、配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。

１００ 配線基板
１０ コア
１１１Ａ、１１１Ｂ 配線層
１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄ 配線層
１３Ａ スルーホール
１３Ｂ 埋め込み樹脂
１４ チップコンデンサ
１１５、１１５Ａ、１６ 絶縁層
１１５Ｄ 延出部
１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ ビア
１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ 配線層
１９Ａ、１９Ｂ ビア
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ 配線層

Claims (7)

1. 貫通孔を有するコア層と、
   平面視で前記貫通孔よりも大きく開口され、平面視で前記貫通孔を内包する第１開口部を有し、前記コア層の一方の面に形成される第１配線層と、
   前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子を有し、前記貫通孔と前記第１開口部の内部に配設される電子部品と、
   前記貫通孔と前記第１開口部との内部に充填され、前記電子部品の側面及び前記第２の面を保持するとともに、前記一対の端子の間の第１溝部の内部に形成される第１樹脂層と
   を含み、
   前記電子部品の前記第１の面に形成される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記第１溝部によって離間されて形成された一対の端子であり、
   前記第１配線層は、前記第１開口部に連続して形成され、平面視で前記第１開口部から外側に延出し、前記第１開口部から所定の長さ延出した位置で終端される第２溝部を有し、
   前記第１溝部と前記第２溝部が形成される方向は、対応しており、
   前記第２溝部の前記第１開口部から延出する部分は、前記第１溝部の延長線上に位置する、配線基板。
2. 前記コア層の前記一方の面、前記第１配線層の表面、及び前記電子部品の前記一対の端子の上面に形成される第２樹脂層をさらに含む、請求項１記載の配線基板。
3. 前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層とは異なる樹脂で形成される、請求項２記載の配線基板。
4. 貫通孔を有するコア層と、
   平面視で前記貫通孔よりも大きく開口され、平面視で前記貫通孔を内包する第１開口部を有し、前記コア層の一方の面に形成される第１配線層と、
   前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子を有し、前記貫通孔と前記第１開口部の内部に配設される電子部品と、
   前記貫通孔と前記第１開口部との内部に充填され、前記電子部品の側面及び前記第２の面を保持するとともに、前記一対の端子の間の第１溝部の内部に形成される第１樹脂層と、
   前記コア層の一方の面側に配設される半導体素子と
   を含み、
   前記電子部品の前記第１の面に形成される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記第１溝部によって離間されて形成された一対の端子であり、
   前記第１配線層は、前記第１開口部に連続して形成され、平面視で前記第１開口部から外側に延出し、前記第１開口部から所定の長さ延出した位置で終端される第２溝部を有し、
   前記第１溝部と前記第２溝部が形成される方向は、対応しており、
   前記第２溝部の前記第１開口部から延出する部分は、前記第１溝部の延長線上に位置する、配線基板。
5. 前記コア層の前記一方の面、前記第１配線層の表面、及び前記電子部品の前記一対の端子の上面に形成される第２樹脂層をさらに含む、請求項４記載の配線基板。
6. 前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層とは異なる樹脂で形成される、請求項５記載の配線基板。
7. コア層の一方の面に積層される配線層に、開口部と、前記開口部に連続して平面視で前記開口部から外側に延出し、前記開口部から所定の長さ延出した位置で終端される配線層溝部とを形成する工程と、
   前記開口部よりも平面視で内側に位置する開口を有する貫通孔を前記コア層に形成する工程と、
   前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子と、前記一対の端子の間の端子間溝部とを有する電子部品を貼り付けたテープ部材を前記配線層に貼り付けることにより、前記開口部と貫通孔との内部に電子部品を載置する工程と、
   前記開口部と貫通孔との内部に電子部品を載置した状態で、前記コア層の他方の面側から、前記電子部品の側面を覆うように、前記開口部と前記貫通孔との内部に樹脂を充填する工程と、
   前記テープ部材を除去する工程と
   を含み、
   前記開口部は、平面視で前記貫通孔を内包するように配置されており、
   前記電子部品は、前記端子間溝部と前記配線層溝部との方向が対応した状態で、かつ、前記配線層溝部の前記開口部から延出する部分を前記端子間溝部の延長線上に位置させた状態で、前記テープ部材に貼り付けられており、
   前記電子部品の前記第１の面に配設される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記端子間溝部によって離間されて形成された一対の端子である、配線基板の製造方法。

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