JP5860303B2

JP5860303B2 - 配線基板およびその製造方法

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Publication number: JP5860303B2
Application number: JP2012037220A
Authority: JP
Inventors: 芳弘長谷川
Original assignee: 京セラサーキットソリューションズ株式会社
Priority date: 2011-11-24
Filing date: 2012-02-23
Publication date: 2016-02-16
Anticipated expiration: 2032-02-23
Also published as: JP2013131731A

Description

本発明は、半導体素子などの電子部品を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関するものである。

従来、半導体素子などの電子部品を搭載するための配線基板として、ビルドアップ法により形成された配線基板がある。図７は、従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。

図７に示すように、従来の配線基板１００は、コア用の絶縁板１０１の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁層１０２が積層されている。

コア用の絶縁板１０１の上面から下面にかけては複数のスルーホール１０３が形成されており、スルーホール１０３の内面には銅めっき層から成るスルーホール導体１０４が被着されている。また、コア用の絶縁板１０１の上下面にはスルーホール導体１０４に接続された銅箔から成る第１導体層１０５が被着されている。さらに、スルーホール１０３の内部には埋め込み樹脂１０６が充填されており、この埋め込み樹脂１０６上および第1導体層１０５上に銅めっき層から成る第２導体層１０７が被着されている。これらのスルーホール導体１０４、第１導体層１０５および第２導体層１０７によりコア用の配線導体が形成されている。

また、各ビルドアップ用の絶縁層１０２には、複数のビアホール１０８が形成されており、ビアホール１０８内は銅めっきから成るビア導体１０９で充填されているとともに、各ビルドアップ用の絶縁層１０２の表面にはビア導体１０９と一体的に形成されたビルドアップ用の配線導体１１０が被着されている。このビルドアップ用の配線導体１１０は、ビア導体１０９を介して上述の第２導体層１０７に接続している。さらに、上側の最外層のビルドアップ用の絶縁層１０２に被着されたビルドアップ用の配線導体１１０の一部は、半導体素子などの電子部品Ｅの電極Ｔに、例えば半田バンプＢ１を介して電気的に接続される電子部品接続パッド１１１として機能する。また、下側の最外層のビルドアップ用の絶縁層１０２に被着されたビルドアップ用の配線導体１１０の一部は、外部電気回路基板の配線導体に、例えば半田バンプＢ２を介して電気的に接続される外部接続パッド１１２として機能する。

さらに、最外層のビルドアップ用の絶縁層１０２およびその上のビルドアップ用の配線導体１１０上には、上述の電子部品接続パッド１１１および外部接続パッド１１２を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層１１３が被覆されている。そして、電子部品接続パッド１１１と電子部品Ｅの電極Ｔとが半田バンプＢ１を介して電気的に接続される。また、外部接続パッド１１２と図示しない外部電気回路基板の配線導体とが半田バンプＢ２を介して電気的に接続される。

このような従来の配線基板１００の製造方法について、図８〜図１０を基にして説明する。まず、図８（ａ）に示すように、ガラス繊維にエポキシ樹脂等の電気絶縁材料を含浸させて成る樹脂基板１０１Ｐの上下面に、上述の第１導体層１０５用の銅箔１０５Ｐが積層された両面銅張り板１２０を準備する。樹脂基板の厚みは５０〜４００μｍ程度であり、銅箔１０５Ｐの厚みは２〜１８μｍ程度である。

次に、図８（ｂ）に示すように、両面銅張り板１２０の上面から下面にかけてスルーホール１０３を形成することでコア用の絶縁板１０１を形成する。スルーホール１０３は、例えばドリル加工により形成され、直径は５０〜３００μｍ程度である。

次に、図８（ｃ）に示すように、スルーホール１０３の内面および銅箔１０５Ｐの表面に、無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させてスルーホール導体１０４となる銅めっき層１０４Ｐを形成する。電解銅めっき層の厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり、電解銅めっき層の厚みは１０〜３０μｍ程度である。

次に、図８（ｄ）に示すように、銅めっき層１０４Ｐが被着されたスルーホール１０３内に孔埋め樹脂１０６を充填する。

次に、図８（ｅ）に示すように、孔埋め樹脂１０６の上下端および銅めっき層１０４Ｐの上下面を研磨して平坦化する。この研磨により銅箔１０５Ｐの厚みが２〜１５μｍ程度になるようにする。このとき、スルーホール導体１０４と銅箔１０５Ｐとは電気的に接続された状態で残っている。

次に、図９（ｆ）に示すように、平坦化された銅箔１０５Ｐの表面およびスルーホール導体１０４の上下の端面および孔埋め樹脂１０６の上下の端面に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて第２導体層１０７用の銅めっき層１０７Ｐを形成する。第２導体層１０７用の銅めっき層１０７Ｐを構成する無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１．０μｍ程度であり、電解銅めっき層の厚みは１０〜３０μｍ程度である。

次に、図９（ｇ）に示すように、スルーホール１０３上およびその周囲に形成するスルーホールランド用のマスクパターンを含む所定パターンのエッチングレジスト層１３１を銅めっき層１０７Ｐ上に被着形成する。

次に、図９（ｈ）に示すように、エッチングレジスト層１３１から露出する銅めっき層１０７Ｐおよびその下の銅箔１０５Ｐをエッチング除去する。これにより、エッチングレジスト層１３１のパターンに対応した形状の配線導体が形成される。

次に、図９（ｉ）に示すように、第２導体層１０７上からエッチングレジスト層１３１を剥離除去する。これにより、スルーホール導体１０４、第１導体層１０５、および第２導体層１０７から成るコア用の配線導体が形成される。

次に、図９（ｊ）に示すように、コア用の配線導体が形成されたコア用の絶縁板１０１の上下面に、ビルドアップ用の絶縁層１０２となる樹脂層１０２Ｐを積層する。樹脂層１０２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、厚みは２０〜５０μｍ程度である。

次に、図１０（ｋ）に示すように、樹脂層１０２Ｐに上述の第２導体層１０７を底面とするビアホール１０８を形成することで、ビルドアップ用の絶縁層１０２を形成する。ビアホール１０８は、例えばレーザ加工により形成される。

次に、図１０（ｌ）に示すように、ビアホール１０８内にビア導体１０９を形成するとともに、ビルドアップ用の絶縁層１０２表面にビア導体１０９と一体的にビルドアップ用の配線導体１１０を形成する。ビルドアップ用の配線導体１１０は公知のセミアディティブ法を用いて形成される。

次に、図１０（ｍ）に示すように、必要な数のビルドアップ用の絶縁層１０２とビルドアップ用の配線導体１１０とを交互に積層していき、最外層のビルドアップ用の絶縁層１０２およびビルドアップ用の配線導体１１０の上にソルダーレジスト層１１３を被着形成することで、従来の配線基板１００が完成する。

ところで近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の高機能化が進む中、それらに使用される配線基板にも高密度配線化が要求されている。このような高密度な微細配線の要求に答えるため、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を３０μｍ以下の微細なものにする要求が高まっている。

ところが、上述の従来の配線基板１００においては、コア用の配線導体を形成する場合、コア用の絶縁板１０１上に積層された厚みが２〜１５μｍ程度の銅箔１０５Ｐ上に、厚みが１０〜３０μｍ程度の銅めっき層１０７Ｐを被着させた後、その上に形成したエッチングレジスト層１３１から露出する銅めっき層１０７Ｐおよびその下の銅箔１０５Ｐを所定のパターンにエッチング除去するサブトラクティブ法により形成されることから、エッチングの際に、銅めっき層１０７Ｐおよび銅箔１０５Ｐがその厚みに応じて横方向にも極めて大きくエッチングされるので、コア用の絶縁板１０１の上下面に、例えば幅や間隔が３０μｍ以下の微細な配線パターンを含むコア用の配線導体を形成することは困難であった。

特開平１１−２７４７３０号公報

本発明は、コア用の配線導体において、その幅や間隔が３０μｍ以下の微細な配線パターンを含む配線基板およびその製造方法を提供することを課題とする。

本発明における配線基板は、上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板と、スルーホールを充填するめっき導体から成るスルーホール導体と、スルーホール導体と電気的に接続するようにスルーホールの周囲の絶縁板上下面にサブトラクティブ法により形成された銅箔から成るスルーホールランドと、絶縁板の上下面にセミアディティブ法により形成されためっき導体から成る配線導体と、を具備する配線基板であって、スルーホール導体は、スルーホール導体の上下両端の中央部に凹部を有するようにスルーホールを充填しているとともに、凹部が配線導体を形成するめっき導体と同時に形成されためっき導体により充填されていることを特徴とするものである。

本発明における配線基板の製造方法は、上下面に銅箔が被着された絶縁板に上下に貫通するスルーホールを形成する工程と、スルーホール内にめっき導体から成るスルーホール導体を充填する工程と、絶縁板の上下面におけるスルーホールの周囲にスルーホール導体と電気的に接続する銅箔から成るスルーホールランドをサブトラクティブ法により形成する工程と、絶縁板の上下面に延在するめっき導体から成る配線導体をセミアディティブ法により形成する工程と、を含む配線基板の製造方法であって、スルーホール導体を充填する工程において、スルーホールの上下両端に凹部が形成されるようにスルーホール内の高さ方向の中央部を前記スルーホール導体で充填するとともに、配線導体を形成する工程において、凹部を、配線導体を形成するめっき導体と同時に形成されためっき導体により充填することを特徴とするものである。

本発明の配線基板およびその製造方法によれば、コア用の絶縁板上において、スルーホール導体に接続するスルーホールランドは微細加工が困難なサブトラクティブ法により形成されるものの、コア用の配線導体については、微細加工が可能なセミアディティブ法により形成されることから、その幅や間隔が３０μｍ以下の微細パターンを有する配線基板およびその製造方法を提供することができる。

図１（ａ）、（ｂ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および要部拡大断面図である。図２（ａ）〜（ｅ）は図１に示す配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図である。図３（ｆ）〜（ｊ）は図１に示す配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図である。図４（ｋ）〜（ｎ）は図１に示す配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図である。図５（ａ）、（ｂ）は本発明の配線基板の別の実施の形態の一例を示す概略断面図および要部拡大断面図である。図６（ａ）〜（ｅ）は図５に示す配線基板の製造方法の実施形態の一例の一部を示す概略断面図である。図７（ａ）、（ｂ）は従来の配線基板の一例を示す概略断面図および要部拡大断面図である。図８（ａ）〜（ｅ）は図７に示す配線基板の従来の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図である。図９（ｆ）〜（ｊ）は図７に示す配線基板の従来の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図である。図１０（ｋ）〜（ｍ）は図７に示す配線基板の従来の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図である。

次に、本発明の配線基板およびその製造方法の実施形態の一例を図１〜図４を基にして詳細に説明する。

図１（ａ）は本発明における配線基板２０の概略断面図を示し、図１（ｂ）に配線基板２０における特定層の要部拡大断面図を示す。本例の配線基板２０は、コア用の配線導体７が被着されたコア用の絶縁板１の両主面にビルドアップ用の絶縁層２が複数層ずつ積層されて成る。

コア用の絶縁板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、厚みは５０〜４００μｍ程度である。

コア用の絶縁板１の上面から下面にかけては直径が５０〜３００μｍの複数のスルーホール３が形成されている。スルーホール３の内には銅めっき層から成るスルーホール導体４が充填形成されている。また、コア用の絶縁板１の上下面にはスルーホール導体４に接続されたスルーホールランド５が被着されている。スルーホールランド５の厚みは２〜１５μｍ程度であり、直径はスルーホール３の直径よりも７０〜１５０μｍ程度大きいものとなっている。

スルーホール導体４およびスルーホールランド５およびコア用の絶縁板１の上には、スルーホール導体４およびスルーホールランド５を覆う蓋めっき６と、幅や間隔が３０μｍ以下の微細なパターンを有するコア用の配線導体７とがセミアディティブ法により形成されている。これらの蓋めっき６およびコア用の配線導体７は、厚みが１０〜３０μｍ程度の銅めっき層から成り、セミアディティブ法により形成されているので、コア用の絶縁板１の両面に幅や間隔が３０μｍ以下の微細なパターンを形成することができる。これにより、本発明の配線基板２０によればコア用の配線導体７の幅や間隔を３０μｍ以下とした微細配線を有する配線基板を提供することができる。

ビルドアップ用の絶縁層２は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなり、その上面から下面にかけて貫通するビアホール８が複数形成されている。ビルドアップ用の絶縁層２の厚みは１０〜５０μｍ程度である。また、各ビアホール８の直径は、３０〜１００μｍ程度である。さらに、各ビアホール８内には銅めっきから成るビア導体９が充填されているとともに、各ビルドアップ用の絶縁層２表面にはビア導体９と一体的に形成されたビルドアップ用の配線導体１０が銅めっきにより被着されている。そして、ビルドアップ用の配線導体１０は、ビア導体９の一部を介して上述の蓋めっき６やコア用の配線導体７に接続している。なお、ビルドアップ用の配線導体１０をコア用の配線導体７にビアホール８を介して接続する場合、ビアホール８の直下のコア用の絶縁板１上にスルーホールランド５と同じ銅箔から成るビアランド１１をサブトラクティブ法により形成しておき、その上をコア用の配線導体７で覆うようにしておくことが好ましい。

また、ビルドアップ用の配線導体１０のうち、配線基板２０の上面側の最外層のビルドアップ用の絶縁層２上に被着された一部は、電子部品Ｅの端子Ｔに、例えば半田バンプＢ１を介してフリップチップ接続により電気的に接続される電子部品接続パッド１２を形成している。これらの電子部品接続パッド１２はその外周部がソルダーレジスト層１３で被覆されているとともに、中央部がソルダーレジスト層１３から露出しており、この露出部が半田バンプＢ１を介して電子部品Ｅの端子Ｔと電気的に接続される。

さらに、ビルドアップ用の配線導体１０のうち、配線基板２０の下面側の最外層のビルドアップ用の絶縁層２上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に、例えば半田バンプＢ２を介して電気的に接続される外部接続パッド１４を形成している。これらの外部接続パッド１４はその外周部がソルダーレジスト層１３で被覆されているとともに、中央部がソルダーレジスト層１３から露出しており、この露出部が半田バンプＢ２を介して外部電気回路基板の配線導体と電気的に接続される。

ソルダーレジスト層１３はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る。配線基板２０の上面側に設けられたソルダーレジスト層１３には、最外層のビルドアップ用の配線導体１０の一部を電子部品Ｅの電極Ｔと接続される電子部品接続パッド１２として露出させる開口部が形成されており、下面側に設けられたソルダーレジスト層１３には、最外層のビルドアップ用の配線導体１０の一部を外部電気回路基板の配線導体と接続される外部接続パッド１４として露出させる開口部が形成されている。

次に、本発明の配線基板２０の製造方法の一例について、図２〜図４を基にして詳細に説明する。なお、図２〜図４において図１と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。

まず、図２（ａ）に示すように、ガラス繊維にエポキシ樹脂等の電気絶縁材料を含浸させて成る樹脂基板１Ｐの上下面に、銅箔５Ｐが積層された両面銅張り板３０を準備する。樹脂基板１Ｐの厚みは５０〜４００μｍ程度であり、銅箔５Ｐの厚みは２〜１８μｍ程度である。なお、銅箔５Ｐにおける樹脂基板１Ｐと密着する面は、十点平均高さＲｚが０．１０〜７．０μｍ程度の粗面になっている。

次に、図２（ｂ）に示すように、両面銅張り板３０にドリル加工やレーザ加工によりスルーホール３を穿孔することでコア用の絶縁板１を形成する。スルーホール３の直径は５０〜３００μｍ程度である。スルーホール３穿孔後は、過マンガン酸カリウム等を含む水溶液でデスミア処理することが好ましい。

次に、図２（ｃ）に示すように、スルーホール３内および上下の銅箔５Ｐ表面に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させることでスルーホール３内をめっき導体層４Ｐで充填するとともに、銅箔５Ｐ表面にめっき導体層４Ｐを形成する。無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１μｍ程度、電解銅めっき層の厚みは５〜５０μｍ程度とする。

次に、図２（ｄ）に示すように、スルーホール３および銅箔５Ｐ上に被着させためっき導体層４Ｐを、銅箔５Ｐが２〜１５μｍの厚みでコア用の絶縁板１の上下面に残存するように研磨して平坦化する。これにより、スルーホール３内にスルーホール導体４が形成される。

次に、図２（ｅ）に示すように、銅箔５Ｐおよびスルーホール導体４上にスルーホールランド５およびビアランド１１に対応したパターンのエッチングレジスト層３１を被着する。エッチングレジスト層３１は、例えば感光性樹脂から成るドライフィルムレジストを銅箔５Ｐおよびスルーホール導体４上に貼着するとともに上記所定のパターンに露光および現像することにより形成される。

次に、図３（ｆ）に示すように、エッチングレジスト層３１から露出する銅箔５Ｐをエッチング除去する。エッチングには塩化第二鉄等を含むエッチング液を用いればよい。このとき、スルーホールランド５およびビアランド１１に対応する部位の銅箔５Ｐのみが残る。

次に、図３（ｇ）に示すように、スルーホールランド５およびビアランド１１に対応する部分の表面に残ったエッチングレジスト層３１を剥離除去する。

次に、露出するコア用の絶縁板１の上下面およびスルーホール導体４の端面およびスルーホールランド５およびビアランド１１の表面に、図示しない無電解銅めっきを０．１〜１．０μｍ程度の厚みに被着させた後、図３（ｈ）に示すように、その無電解銅めっき上に蓋めっき６およびコア用の配線導体７に対応する形状の開口パターンを有するめっきレジスト層３２を被着させる。

次に、図３（ｉ）に示すように、めっきレジスト層３２から露出する無電解銅めっき層上に蓋めっき６およびコア用の配線導体７に対応したパターンの電解銅めっき６Ｐおよび７Ｐを被着させる。電解銅めっき６Ｐおよび７Ｐの厚みは１０〜３０μｍ程度である。

次に、図３（ｊ）に示すように、めっきレジスト層３２を剥離除去した後、めっきレジスト層３２の下にあった無電解銅めっきをエッチング除去することによって、蓋めっき６およびコア用の配線導体７を形成する。めっきレジスト層３２の剥離には水酸化ナトリウム等を含む剥離液を用いればよい。このような、蓋めっき６およびコア用の配線導体７を形成するする方法は、いわゆるセミアディティブ法と呼ばれる方法であり、蓋めっき６およびコア用の配線導体７を形成する際にめっきレジスト層３２の下にあった無電解銅めっきの厚み分だけをエッチング除去すればよいので、蓋めっき６およびコア用の配線導体７が横方向に大きくエッチングされることはない。したがって、配線の幅や間隔が３０μｍ以下のパターンを有するコア用の配線導体７を形成することができる。

次に、図４（ｋ）に示すように、コア用の絶縁板１の上下面に蓋めっき６およびコア用の配線導体７を覆うようにしてビルドアップ用の絶縁層２用の樹脂層２Ｐを積層する。樹脂層２Ｐは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する電気絶縁材料であり、２０〜５０μｍの厚みである。コア用の絶縁板１の表面に樹脂層２Ｐを被着するには、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含有する樹脂フィルムを真空プレス機を用いてコア用の絶縁板１の表面に貼着した後、熱硬化させればよい。

次に、図４（ｌ）に示すように、樹脂層２Ｐにレーザ加工により蓋めっき６またはコア用の配線導体７を底面とするビアホール８を形成することでビルドアップ用の絶縁層２を形成する。ビアホール８の直径は３０〜１００μｍ程度である。

次に、図４（ｍ）に示すように、ビアホール８内に銅めっきから成るビア導体９を充填させるとともにビルドアップ用の絶縁層２の表面にビア導体９と一体的に形成されたビルドアップ用の配線導体１０を被着する。ビルドアップ用の配線導体１０は公知のセミアディティブ法を用いて形成すればよい。

以降は、図４（ｎ）に示すように、同様にしてビルドアップ用の絶縁層２と、ビルドアップ用の配線導体１０とを必要な層数だけ交互に積層し、さらにその上に電子部品接続パッド１２および外部接続パッド１４が露出する開口部を有するソルダーレジスト層１３を被着することで配線基板２０が形成される。ソルダーレジスト層１３は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物およびシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する未硬化の感光性樹脂シートまたは樹脂ペーストを、最外層のビルドアップ用の絶縁層２およびビルドアップ用の配線導体１０上に被着させるとともに所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。

このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、コア用の配線導体の幅や間隔を３０μｍ以下の微細配線を有する配線基板を提供することができる。

なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の配線基板２０の実施形態の一例を示す図１においては、スルーホール３はスルーホール導体４のみで充填されているが、図５に示す配線基板４０のように、スルーホール導体４の上下両端の中央部に凹部４ａが形成されているとともに、この凹部４ａが蓋めっき６用のめっき導体で充填されていてもよい。この場合、スルーホール導体４を形成するためのめっき導体層４Ｐの厚みが薄くて済む。これにより、めっき導体層４Ｐが厚い場合に比べて先述の研磨工程に要する時間を短縮することができる。また、めっき導体層４Ｐの厚みが１０μｍ以下の特に薄い場合には、めっき導体層４Ｐの表面が略平坦であるため、研磨工程を省略することもできる。

このような配線基板４０は、以下のようにして形成される。まず、上述した図２（ａ）〜図２（ｂ）の工程を経た後、図６（ａ）に示すように、めっき導体層４Ｐをスルーホール３の高さ方向の中央部が充填されるとともにスルーホール３の上下両端に凹部４ａが形成される程度に薄く析出させる。この場合、スルーホール３内に充填されためっき導体層４Ｐの上下両端に凹部４ａが形成されるが、この凹部４ａは、後述する電解銅めっき６Ｐにより充填すればよい。このように、導体層４Ｐを薄く析出させることで、めっき導体層４Ｐが厚い場合に比べて先述の研磨工程に要する時間を短縮することができる。また、めっき導体層４Ｐの厚みが１０μｍ以下の特に薄い場合には、めっき導体層４Ｐの表面が略平坦であるため、研磨工程を省略することもできる。

次に、図６（ｂ）に示すように、導体層４Ｐ上にスルーホールランド５およびビアランド１１に対応したパターンのエッチングレジスト層３１を被着した後、
図６（ｃ）に示すように、エッチングレジスト層３１から露出するめっき導体層４Ｐおよびその下の銅箔５Ｐをエッチング除去する。これにより、スルーホール３内に、上下端面に凹部４ａを有するスルーホール導体４が形成されるとともに、スルーホール３の周囲の上下面に、スルーホール導体４と電気的に接続されたスルーホールランド５が形成される。

次に、エッチングレジスト３１を除去するとともに露出するコア用の絶縁板１の上下面およびスルーホール導体４の端面およびスルーホールランド５およびビアランド１１の表面に、図示しない無電解銅めっきを０．１〜１．０μｍ程度の厚みに被着させた後、図６（ｄ）に示すように、その無電解銅めっき上に蓋めっき６およびコア用の配線導体７に対応する形状の開口パターンを有するめっきレジスト層３２を被着させる。

次に、図６（ｅ）に示すように、めっきレジスト層３２から露出する無電解銅めっき層上に蓋めっき６およびコア用の配線導体７に対応したパターンの電解銅めっき６Ｐおよび７Ｐを被着させる。このとき、電解銅めっき６Ｐの一部が凹部４ａを充填するように被着させる。電解銅めっき６Ｐおよび７Ｐの厚みは１０〜３０μｍ程度である。

以降は、先述の図３（ｊ）〜図４（ｎ）で示した同様の工程を行なうことで図５に示すような、コア用の配線導体の幅や間隔を３０μｍ以下の微細配線を有する配線基板４０を提供することができる。

１絶縁板
３スルーホール
４スルーホール導体
５スルーホールランド
５Ｐ銅箔
７配線導体
２０配線基板

Claims

上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板と、前記スルーホールを充填するめっき導体から成るスルーホール導体と、前記スルーホール導体と電気的に接続するように前記スルーホールの周囲の前記絶縁板上下面にサブトラクティブ法により形成された銅箔から成るスルーホールランドと、前記絶縁板の上下面にセミアディティブ法により形成されためっき導体から成る配線導体と、を具備する配線基板であって、前記スルーホール導体は、該スルーホール導体の上下両端の中央部に凹部を有するように前記スルーホールを充填しているとともに、該凹部が前記配線導体を形成するめっき導体と同時に形成されためっき導体により充填されていることを特徴とする配線基板。
上下面に銅箔が被着された絶縁板に上下に貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内にめっき導体から成るスルーホール導体を充填する工程と、前記絶縁板の上下面における前記スルーホールの周囲に前記スルーホール導体と電気的に接続する前記銅箔から成るスルーホールランドをサブトラクティブ法により形成する工程と、前記絶縁板の上下面に延在するめっき導体から成る配線導体をセミアディティブ法により形成する工程と、を含む配線基板の製造方法であって、前記スルーホール導体を充填する工程において、スルーホールの上下両端に凹部が形成されるように前記スルーホール内の高さ方向の中央部を前記スルーホール導体で充填するとともに、前記配線導体を形成する工程において、前記凹部を、前記配線導体を形成するめっき導体と同時に形成されためっき導体により充填することを特徴とする配線基板の製造方法。