JP6025325B2 - Wafer grinding method - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハ、特に外周に位置する面取部と該面取部よりも内方に位置する平坦部とを含むウェーハを研削するウェーハ研削方法およびそのような方法を実施するウェーハ研削装置に関する。 The present invention relates to a wafer grinding method for grinding a wafer, in particular, a wafer including a chamfered portion located on the outer periphery and a flat portion located inward of the chamfered portion, and a wafer grinding apparatus for performing such a method. .
半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄膜化が進んでいる。ウェーハを薄膜化するために、ウェーハの裏面を研削するいわゆる裏面研削(バックグラインド)が行われる。 In the semiconductor manufacturing field, wafers tend to increase in size year by year, and the wafers are becoming thinner to increase the mounting density. In order to reduce the thickness of the wafer, so-called back grinding is performed to grind the back surface of the wafer.
ところで、公知であるようにウェーハの外周には発塵防止のために面取部が形成されており、ウェーハ縁部における断面はその先端に向かって幅狭になっている。近年では大幅な裏面研削を行うことが要求されているので、ウェーハの厚さの半分を越えて裏面研削を行う場合もある。そのような場合には、裏面研削後のウェーハの厚さよりもさらに薄いテーパ状の部分がウェーハの外周部に形成されるようになる。 As is well known, a chamfered portion is formed on the outer periphery of the wafer to prevent dust generation, and the cross section at the wafer edge is narrower toward the tip. In recent years, since it is required to perform a large back surface grinding, the back surface grinding may be performed in excess of half the thickness of the wafer. In such a case, a tapered portion that is thinner than the thickness of the wafer after back grinding is formed on the outer periphery of the wafer.
このテーパ状の部分は脆弱であるので、テーパ状の部分にクラックが生じやすい。そして、クラックはウェーハの内部にまで進展する可能性がある。従って、クラックの形成を抑制するために、ウェーハの研削前にウェーハの面取部を除去するエッジトリミングが行われている。 Since this tapered portion is fragile, cracks are likely to occur in the tapered portion. And a crack may spread to the inside of a wafer. Therefore, in order to suppress the formation of cracks, edge trimming is performed to remove the chamfered portion of the wafer before grinding the wafer.
特許文献1は、ウェーハの面取部を回転ブレードによってエッジトリミングすることが開示している。特許文献1においては、ウェーハの面取部をエッジトリミングした後で、ターンテーブルを回転させてウェーハを研削ユニットまで移動させ、研削ユニットによりウェーハの平坦部を研削している。
しかしながら、特許文献1の手法においては、面取部を除去するための回転ブレードおよび回転ブレードを駆動するためのモータが必要である。そして、特許文献1においてはターンテーブルでウェーハを移動させているので、ウェーハの位置を微調整することができない。
However, in the method of
ウェーハの位置を微調整する代わりに、特許文献1では、回転ブレードを位置決めするための位置決め機構部を別途必要としている。つまり、特許文献1では、回転ブレード、回転ブレードのためのモータ、および位置決め機構が必要である。従って、特許文献1では装置全体が大型化するという問題があった。
Instead of finely adjusting the position of the wafer,
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、回転ブレードおよびその関連部材を必要とすることなしに、ウェーハの面取部の除去とウェーハの平坦部の研削の両方を行うウェーハ研削方法およびそのような方法を実施するウェーハ研削装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and performs wafer grinding for performing both removal of a chamfered portion of a wafer and grinding of a flat portion of a wafer without requiring a rotating blade and related members. It is an object to provide a method and a wafer grinding apparatus for carrying out such a method.
前述した目的を達成するために1番目の発明によれば、外周に位置する面取部と該面取部よりも内方に位置する平坦部とを含むウェーハを研削するウェーハ研削方法において、前記ウェーハの前記面取部がカップ型研削砥石に対応した位置に位置決めされるように前記ウェーハを前記カップ型研削砥石に対して相対的に移動させ、前記カップ型研削砥石により前記ウェーハの前記面取部を除去し、前記ウェーハの前記平坦部が前記カップ型研削砥石に対応した位置に位置決めされるように前記ウェーハを前記カップ型研削砥石に対して相対的に移動させ、前記カップ型研削砥石により前記ウェーハの前記平坦部を研削する、ウェーハ研削方法が提供される。
2番目の発明によれば、1番目の発明において、前記ウェーハはベース基材に貼付けられている。
3番目の発明によれば、2番目の発明において、前記ベース基材は前記ウェーハと同一寸法の他のウェーハである。
4番目の発明によれば、外周に位置する面取部と該面取部よりも内方に位置する平坦部とを含むウェーハを研削するウェーハ研削装置において、前記ウェーハを研削するカップ型研削砥石と、前記ウェーハの前記面取部または前記平坦部が前記カップ型砥石に対応した位置に位置決めされるように前記ウェーハを前記カップ型研削砥石に対して相対的に移動させる移動機構部と、を具備し、該移動機構部によって前記ウェーハの前記面取部をカップ型研削砥石に対応した位置に位置決めして前記カップ型研削砥石により前記ウェーハの前記面取部を除去した後で、前記移動機構部によって前記ウェーハの前記平坦部をカップ型研削砥石に対応した位置に位置決めして前記カップ型研削砥石により前記ウェーハの前記平坦部を研削するようにした、ウェーハ研削装置が提供される。
5番目の発明によれば、4番目の発明において、前記ウェーハはベース基材に貼付けられている。
6番目の発明によれば、5番目の発明において、前記ベース基材は前記ウェーハと同一寸法の他のウェーハである。
In order to achieve the above-described object, according to a first invention, in a wafer grinding method for grinding a wafer including a chamfered portion located on the outer periphery and a flat portion located inward of the chamfered portion, The wafer is moved relative to the cup-type grinding wheel so that the chamfered portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the cup-type grinding wheel, and the chamfering of the wafer is performed by the cup-type grinding wheel. The wafer is moved relative to the cup-type grinding wheel so that the flat portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the cup-type grinding wheel. A wafer grinding method is provided for grinding the flat portion of the wafer.
According to a second invention, in the first invention, the wafer is bonded to a base substrate.
According to a third aspect, in the second aspect, the base substrate is another wafer having the same dimensions as the wafer.
According to a fourth aspect of the present invention, in a wafer grinding apparatus for grinding a wafer including a chamfered portion located on the outer periphery and a flat portion located inward of the chamfered portion, a cup-type grinding wheel for grinding the wafer And a moving mechanism for moving the wafer relative to the cup-type grinding wheel so that the chamfered portion or the flat portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the cup-type grinding wheel. And the moving mechanism after positioning the chamfered portion of the wafer at a position corresponding to the cup-type grinding wheel and removing the chamfered portion of the wafer by the cup-type grinding wheel. The flat portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the cup-type grinding wheel by the portion, and the flat portion of the wafer is ground by the cup-type grinding wheel. , Wafer grinding apparatus is provided.
According to a fifth aspect, in the fourth aspect, the wafer is bonded to a base substrate.
According to a sixth aspect, in the fifth aspect, the base substrate is another wafer having the same dimensions as the wafer.
1番目および4番目の発明においては、ウェーハの面取部および平坦部をカップ型研削砥石に対応して位置決めできるので、単一のカップ型研削砥石を用いてウェーハの面取部の除去と平坦部の研削との両方を行うことができる。従って、回転ブレードおよびその関連部材の必要性を排除できる。
2番目および5番目の発明においては、ウェーハの面取部を除去する際に、ベース基材の一部分が一緒に削除できる。このため、ベース基材を保持する保持部が損傷するのを避けられる。なお、ベース基材は接着剤などによってウェーハに貼付けられるのが好ましい。
3番目および6番目の発明においては、ウェーハと同一寸法のベース基材を容易に準備することができる。
In the first and fourth inventions, since the chamfered portion and the flat portion of the wafer can be positioned corresponding to the cup-type grinding wheel, the chamfered portion of the wafer is removed and flattened using a single cup-type grinding wheel. Both grinding and part grinding can be performed. Thus, the need for a rotating blade and its associated members can be eliminated.
In the second and fifth aspects, when removing the chamfered portion of the wafer, a part of the base substrate can be deleted together. For this reason, it is possible to avoid damage to the holding portion that holds the base substrate. The base substrate is preferably attached to the wafer with an adhesive or the like.
In the third and sixth inventions, a base substrate having the same dimensions as the wafer can be easily prepared.
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図1は、本発明に基づくウェーハ研削装置の略斜視図である。図1に示されるように、ウェーハ研削装置10は、カップ型研削砥石36を備えるアーチ型のコラムユニット12と、コラムユニット12の下方部に配置された搬送ユニット11とを主に含んでいる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a schematic perspective view of a wafer grinding apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, the
ウェーハ研削装置10は、ウェーハ60、例えばシリコンウェーハを研削する。図示されるように、コラムユニット12の一方の側面12bには単一の溝13が縦方向に形成されており、この溝13はメインユニット12の頂面12aから下方通路14まで延びている。また、搬送ユニット11は、そのようなウェーハ60をカップ型研削砥石36に対応した所望の二つの位置に位置決めさせられる。さらに、搬送ユニット11は、ウェーハ60の研削部への搬入および研削部からの搬出を行う。
The
図1から分かるように、側面12bには、二つのリニアガイド32、33がそれぞれ溝13の両縁部、もしくは隣接して設けられている。さらに、同様なリニアガイド31が溝13の底部において、コラム32、33に対して平行に設けられている。これらコラム31、32、33は単一のサドルを摺動する案内レールとしての役目を果たす。
As can be seen from FIG. 1, two
図2は本発明に基づくウェーハ研削装置の側面図であり、図3は図2に示されるウェーハ研削装置の正面図であり、図4は図2に示されるウェーハ研削装置の頂面図である。これら図面から分かるように、搬送ユニット11は、互いに平行な二つのレール22が配置された搬送台21を含んでいる。レール22上には、ウェーハ60を保持するチャック29が摺動可能に配置されている。チャック29に結合されたスライダ25は、ベルト・プーリ機構24を介してモータ26によりボールネジのネジ23を摺動する。これにより、スライダ25はレール22上を摺動するようになる。
2 is a side view of the wafer grinding apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a front view of the wafer grinding apparatus shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a top view of the wafer grinding apparatus shown in FIG. . As can be seen from these drawings, the
なお、チャック29は図示しない真空源に接続されており、真空作用などによりウェーハ60を吸着保持する。さらに、搬送台21の下方にはモータ27が配置されており、チャック29はウェーハ60を保持しつつ鉛直軸回りに回転する。
The
さらに、図2および図3から分かるように、メインユニット12のリニアガイド32、33には、サドル34が摺動可能に取付けられている。また、サドル34は、ボールネジ38のナット39を介してリニアガイド31にも摺動可能に取付けられている。図示されるように、サドル34の下方には、カップ型のカップ型研削砥石36が取付けられており、カップ型研削砥石36はサドル34と一体的にリニアガイド31〜33に沿って摺動する。カップ型研削砥石36の回転軸はリニアガイド31〜33に対して平行に配置されており、サドル34内部に備えられたモータ35が駆動すると、カップ型研削砥石36は回転軸回りに回転する。
Further, as can be seen from FIGS. 2 and 3, a
前述したように、ボールネジ38はサドル34とリニアガイド31との間に配置されている。ボールネジ38は上方に配置されたモータ37により駆動し、カップ型研削砥石36をチャック29のウェーハ60に向かって付加的に送込む研削送り部としての役目を果たす。図2および図4から分かるように、カップ型研削砥石36をウェーハ60に向かって送込む送込み方向上、あるいは送込み方向に隣接して、カップ型研削砥石36の縁部が位置している。
As described above, the
ところで、図5はウェーハを示す図である。図5に示されるように、ウェーハ60の表面61には、前工程において複数の回路パターンC、例えば貫通電極が格子状に形成されている。図5から分かるように、全ての回路パターンCはウェーハ60の平坦部67上に形成されており、平坦部67周りに位置するウェーハ60の外周部は面取部68として形成されている。なお、ウェーハ60の裏面62には、このような回路パターンCは形成されていない。
FIG. 5 is a view showing a wafer. As shown in FIG. 5, a plurality of circuit patterns C, for example, through electrodes are formed in a lattice pattern on the
そして、図5においては、ウェーハ60の表面21はベース基材70に接着剤などにより貼付けられている。図1等に示されるウェーハ研削装置10には、ベース基材70が下方に位置するようにこのようなウェーハ60が、供給されるものとする。
In FIG. 5, the
図5に示されるように、ベース基材70はウェーハ60と概ね同一形状の平坦な部材である。ベース基材70として他のウェーハ60を使用するのが好ましく、そのような場合にはベース基材70を容易に準備することができる。ただし、他の形状のベース基材70を使用してもよい。
As shown in FIG. 5, the
図6(a)は面取部を除去するときのウェーハ研削装置の部分断面図であり、図6(b)は図6(a)に示されるウェーハ研削装置の部分頂面図である。以下、これら図面を参照して、本発明に基づくウェーハ研削装置10による面取部68の除去動作について説明する。
6A is a partial cross-sectional view of the wafer grinding apparatus when the chamfered portion is removed, and FIG. 6B is a partial top view of the wafer grinding apparatus shown in FIG. 6A. The removal operation of the chamfered
はじめにウェーハ60をチャック29に載置する。チャック29がウェーハ60を真空保持した後で、モータ26を駆動させる。これにより、チャック29はスライダ25と一緒にレール22およびネジ23に沿って摺動するようになる。そして、チャック29は、図6(a)および図6(b)に示されるように、カップ型研削砥石36の先端がウェーハ60の面取部68に対応した位置に位置決めされる。
First, the
次いで、モータ35を駆動してカップ型研削砥石36を回転軸回りに回転させると共に、モータ27を駆動してチャック29を回転軸線回りに回転させる。さらに、モータ37を駆動してカップ型研削砥石36をチャック29のウェーハ60に向かって送込む。これにより、カップ型研削砥石36の先端はウェーハ60の面取部68のみを研削するようになる。
Next, the
そして、カップ型研削砥石36がウェーハ60の面取部68を除去するのに十分な量だけ送込まれると、モータ37を逆回転させて、カップ型研削砥石36をウェーハ60から離間させる。図7は面取部除去後におけるウェーハの部分側面図である。図7に示されるように、カップ型研削砥石36は、ウェーハ60の面取部68と、これに対応するベース基材70の一部分を除去する。図7から分かるように、ベース基材70は、面取部68を除去するときに、チャック29が破損するのを防止する役目を果たす。なお、ベース基材70を排除してウェーハ60をチャック29に直接的に保持して面取部68を除去することも可能である。
When the cup-
図8(a)は平坦部を研削するときのウェーハ研削装置の部分断面図である。図8(b)は図8(a)に示されるウェーハ研削装置の部分頂面図である。以下、これら図面を参照して、本発明に基づくウェーハ研削装置10によるウェーハ60の研削動作について説明する。
FIG. 8A is a partial cross-sectional view of the wafer grinding apparatus when grinding a flat portion. FIG. 8B is a partial top view of the wafer grinding apparatus shown in FIG. Hereinafter, the grinding operation of the
面取部68の除去が終了すると、ウェーハ60およびベース基材70をチャック29に保持させたままで、モータ26を駆動させる。これにより、チャック29はスライダ25と一緒にレール22およびネジ23に沿って摺動する。そして、チャック29は、図8(a)および図8(b)に示されるように、カップ型研削砥石36の先端がウェーハ60の平坦部67に対応した位置に位置決めされる。
When the removal of the chamfered
次いで、モータ35を駆動してカップ型研削砥石36を回転軸回りに回転させると共に、モータ27を駆動してチャック29を回転軸線回りに回転させる。さらに、モータ37を駆動してカップ型研削砥石36をチャック29のウェーハ60に向かって所定量(ウェーハ60の厚さよりも小さい)だけ送込む。これにより、カップ型研削砥石36の先端によってウェーハ60の平坦部67が研削されるようになる。
Next, the
カップ型研削砥石36がウェーハ60を所定の厚さまで研削する量だけ送込まれると、モータ37を逆回転させて、カップ型研削砥石36をウェーハ60から離間させる。図9は平坦部研削後におけるウェーハの部分側面図である。図9に示されるように、平坦部67の厚さ部分が研削されると、ウェーハ60は所望の厚さまで薄膜化される。その後、チャック29の保持を解除して、ウェーハ60およびベース基材70を取外す。次いで、所定の治具(図示しない)等を用いて、ウェーハ60をベース基材70から離間させる。これにより、薄膜化したウェーハ60を得ることができる。
When the cup-
このように本発明においては、スライダ25をネジ23上に摺動させることにより、ウェーハ60の面取部68および平坦部67をカップ型研削砥石36に対応して位置決めできる。従って、カップ型研削砥石36は、ウェーハ60の面取部68を除去するエッジトリミング用のカッタと、ウェーハ60の裏面62を研削する研削部材としての両方として機能する。このため、本発明では、従来技術のような回転ブレードおよびその関連部材を必要とすることはなく、装置全体を小型化することも可能である。
As described above, in the present invention, the chamfered
10 ウェーハ研削装置
11 搬送ユニット
12 コラムユニット
12a 頂面
12b 側面
13 溝
14 下方通路
22 レール
23 ネジ(移動機構部)
24 プーリ機構
25 スライダ(移動機構部)
26 モータ
27 モータ
29 チャック(保持部)
31〜33 リニアガイド
34 サドル
35 モータ
36 カップ型研削砥石
37 モータ
38 ボールネジ
39 ナット
60 ウェーハ
61 表面
62 裏面
67 平坦部
68 面取部
DESCRIPTION OF
24
26
31-33
Claims (2)
回路パターンが形成されたウェーハの表面にベース基材を貼付け、
前記ウェーハチャックにより保持された前記ウェーハの前記面取部が、鉛直方向に移動可能に設置されたカップ型研削砥石であって該カップ型研削砥石の中心を鉛直方向に貫通する回転軸を中心として回転する前記カップ型研削砥石に対応した位置に位置決めされるように、前記ウェーハチャックにより前記ウェーハおよび前記ベース基材を前記カップ型研削砥石に対して前記一方向へスライド移動させ、
前記カップ型研削砥石により、前記ウェーハの裏面における前記ウェーハの前記面取部および該面取部に対応する前記ベース基材の一部分を除去し、
前記ウェーハの前記平坦部が前記カップ型研削砥石に対応した位置に位置決めされるように、前記ウェーハチャックにより前記ウェーハおよび前記ベース基材を前記カップ型研削砥石に対して前記一方向へスライド移動させ、
前記カップ型研削砥石により前記ウェーハの裏面における前記ウェーハの前記平坦部を研削する、ウェーハ研削方法。 While horizontally holding a wafer including a chamfered portion positioned on the outer periphery and a flat portion positioned inward of the chamfered portion , the wafer is rotated about a rotation axis penetrating the wafer in the vertical direction and horizontally a wafer grinding method of grinding a one direction by the wafer chuck capable of sliding while holding the wafer,
A base substrate is attached to the surface of the wafer on which the circuit pattern is formed,
The chamfered portion of the wafer held by the wafer chuck is a cup-type grinding wheel installed so as to be movable in the vertical direction, and the rotation axis that passes through the center of the cup-type grinding wheel in the vertical direction is the center. The wafer chuck and the base substrate are slid in one direction with respect to the cup grinding wheel so that the wafer chuck is positioned at a position corresponding to the rotating cup grinding wheel.
By the cup-shaped grinding wheel, removing a portion of the base substrate corresponding to the chamfered portion and said surface preparative portion of the wafer on the back surface of the wafer,
The wafer chuck causes the wafer and the base substrate to slide in one direction with respect to the cup-type grinding wheel so that the flat portion of the wafer is positioned at a position corresponding to the cup-type grinding wheel. ,
A wafer grinding method in which the flat portion of the wafer on the back surface of the wafer is ground by the cup-type grinding wheel.
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