JP5943192B2 - 物理量センサーおよびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、物理量センサーおよびその製造方法、並びに電子機器に関する。

近年、例えばシリコンＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて物理量を検出する物理量センサーが開発されている。

物理量センサーは、例えば、支持基板と、支持基板に固定された固定電極と、固定電極に対して間隙を介して対向配置された可動電極を備えた可動体と、を有し、固定電極と可動電極との間の静電容量に基づいて、加速度等の物理量を検出する。

可動体は、例えば、ガラス基板からなる支持基板に凹部を形成した後、支持基板にシリコン基板を接合させ、該シリコン基板を加工することにより形成される。可動体は、例えば、凹部上に配置されることにより支持基板と離間し、物理量に応じて変位可能となる。ガラス基板とシリコン基板とは、例えば、特許文献１に記載のように、陽極接合によって接合される。

特開平１０−２０６４５８号公報

しかしながら、例えば、上記のように陽極接合によって、支持基板と可動体となるシリコン基板とを接合させる際に、シリコン基板が支持基板側に引っ張られて、シリコン基板が支持基板に（より具体的には凹部の底面に）貼り付いてしまうことがあった。特に凹部上に２つの可動体を配置する場合は、凹部の面積が大きくなり、よりシリコン基板が支持基板側に引っ張られる。その結果、歩留まりが低下してしまうことがあった。

本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、高い歩留まりを有することができる物理量センサーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記物理量センサーの製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記物理量センサーを有する電子機器を提供することにある。

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。

［適用例１］
本適用例に係る物理量センサーは、
基板と、
前記基板上に設けられ、第１可動電極部を有している第１可動体と、
前記基板上に、前記第１可動電極部と対向して配置されている第１固定電極部と、
前記基板上に設けられ、第２可動電極部を有している第２可動体と、
前記基板上に、前記第２可動電極部と対向して配置されている第２固定電極部と、
を含み、
前記基板には、平面視において前記第１可動体と前記第２可動体との間に位置する部分に、前記基板の主面よりも突出しているポスト部が設けられている。

このような物理量センサーによれば、例えば陽極接合によって、基板と、第１可動体および第２可動体となるシリコン基板と、を接合させる際に、シリコン基板が基板側に引っ張られて基板に貼り付くことを抑制できる。その結果、このような物理量センサーは、高い歩留まりを有することができる。

［適用例２］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板には凹部が設けられ、
前記凹部の底面に前記第１固定電極部と前記第２固定電極部が設けられていてもよい。

このような物理量センサーによれば、高い歩留まりを有することができる。

［適用例３］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記ポスト部の高さは、前記凹部の側壁の高さと同じであってもよい。

このような物理量センサーによれば、例えば陽極接合によって、基板と、第１可動体および第２可動体となるシリコン基板と、を接合させる際に、シリコン基板が基板側に引っ張られることを、より確実に抑制することができる。

［適用例４］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記ポスト部は、前記凹部の側壁に接続され、
前記ポスト部を境にして、前記凹部は、第１凹部と第２凹部とを有し、
前記第１凹部上に前記第１可動体が設けられ、
前記第２凹部上に前記第２可動体が設けられていてもよい。

このような物理量センサーによれば、ポスト部を設けることにより第１可動体の下方に第１凹部が設けられ、第２可動体の下方に第２凹部が設けられる。それにより、ポスト部が無い構造よりも第１凹部内および第２凹部内に空気を閉じ込めることができ、ダンピング（粘性）効果を向上させることができる。具体的には、ポスト部がないと、空気を閉じ込めることができず、過度な加速度が入ったりすると可動体がガラス基板に接触しやすい欠点があるが、ポスト部をつけることで第１凹部内および第２凹部内に空気を閉じ込めることができダンピング効果がより強勢になり、接触し難くなる。

［適用例５］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板上に載置され、前記第１可動体および前記第２可動体を収容する蓋体を含み、
前記蓋体は、前記ポスト部に接合されていてもよい。

このような物理量センサーによれば、蓋体は、高い剛性を有することができる。

［適用例６］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記ポスト部に接合され、前記第１可動体および前記第２可動体の少なくとも一方と対向して配置されているストッパー部を含んでいてもよい。

このような物理量センサーによれば、第１可動電極部と第１固定電極部が張り付くことを抑制できる。または、第２可動電極部と第２固定電極部が張り付くことを抑制できる。

［適用例７］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板の材質は、ガラスであり、
前記第１可動体および前記第２可動体の材質は、シリコンであってもよい。

このような物理量センサーによれば、シリコン基板を加工することにより第１可動体および第２可動体を形成することができ、第１可動体および第２可動体を形成するためのシリコン基板と、基板と、を陽極接合によって接合させることができる。

［適用例８］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法は、
凹部と、前記凹部の底面よりも突出しているポスト部と、が設けられている第１基板を用意する工程と、
前記第１基板の前記凹部の側壁上および前記ポスト部上に第２基板を接合する工程と、
前記第２基板を加工して、平面視で前記ポスト部を境にして、一方側に第１可動体を形成し、他方側に第２可動体を形成する工程と、
を含む。

このような物理量センサーの製造方法によれば、例えば陽極接合によって、第１基板と第２基板とを接合する際に、第２基板が第１基板側に引っ張られて第１基板に貼り付くことを抑制できる。その結果、高い歩留まりを有することができる物理量センサーを得ることができる。

［適用例９］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法は、
第１基板上に、側壁と、ポスト部を形成する工程と、
前記第１基板の前記側壁上および前記ポスト部上に第２基板を接合する工程と、
前記第２基板を加工して、平面視で前記ポスト部を境にして、一方側に第１可動体を形成し、他方側に第２可動体を形成する工程と、
を含む。

このような物理量センサーの製造方法によれば、例えば陽極接合によって、第１基板と第２基板とを接合する際に、第２基板が第１基板側に引っ張られて第１基板に貼り付くことを抑制できる。その結果、高い歩留まりを有することができる物理量センサーを得ることができる。

［適用例１０］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法において、
前記基板上の前記第１可動体と対向する位置に第１固定電極部を形成し、前記第２可動体と対向する位置に第２固定電極部を形成する工程を含んでもよい。

このような物理量センサーの製造方法によれば、高い歩留まりを有することができる物理量センサーを得ることができる。

［適用例１１］
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。

このような電子機器によれば、本適用例に係る物理量センサーを含むので、高い歩留まりを有することができる。

第１の実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 第１の実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 第２の実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 第３の実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 第３の実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 第３の実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． 第１の実施形態
１．１． 物理量センサー
まず、第１の実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。なお、便宜上、図１では、蓋体５０の図示を省略している。また、図１および図２では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。

物理量センサー１００は、例えば、慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を測定するための加速度センサー（静電容量型加速度センサー、静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー）として利用可能である。

物理量センサー１００は、図１および図２に示すように、支持基板（基板）１０と、第１機能素子１０１と、第２機能素子１０２と、蓋体５０と、を含むことができる。第１機能素子１０１は、可動体（第１可動体）２０と、梁部３０，３２と、固定部３４，３６と、固定電極部（第１固定電極部）４０，４２と、を有することができる。第２機能素子１０２は、可動体（第２可動体）２０と、梁部３０，３２と、固定部３４，３６と、固定電極部（第２固定電極部）４０，４２と、を有することができる。

第１機能素子１０１および第２機能素子１０２は、図１に示すように平面視において（Ｚ軸方向から見て）、Ｘ軸に沿って配列されている。第１機能素子１０１と第２機能素子１０２とは、平面視において、例えば支持基板１０の中心Ｃを通るＹ軸に平行な直線（図示せず）に関して、対称に設けられている。

支持基板１０の平面形状（Ｚ軸方向から見たときの形状）は、例えば、長方形である。支持基板１０の材質は、例えば、ガラス等の絶縁材料である。例えば支持基板１０をガラス等の絶縁材料、可動体２０をシリコン等の半導体材料にすることにより、可動体２０と支持基板１０とを貼り合わせることで容易に両者を電気的に絶縁することができ、センサー構造を簡素化することができる。

支持基板１０は、支持基板１０の主面１５よりも突出しているポスト部１６および枠部（側壁）１８を有している。ポスト部１６および枠部１８によって凹部１４が形成され、主面１５は、凹部１４の底面（すなわち底面１５）である。図１に示す例では、凹部１４の外周縁の形状は、長方形である。

ポスト部１６は、平面視において、第１機能素子１０１の可動体２０と第２機能素子１０２の可動体２０との間に位置する部分に設けられている。より具体的には、ポスト部１６は、凹部１４の底面１５の、第１機能素子１０１の可動体２０と第２機能素子１０２の可動体２０との間に位置する部分１５ａに設けられている。底面１５は、凹部１４を規定する支持基板１０の面である。底面１５は、例えば、平坦な面である。

ポスト部１６は、底面１５よりも上方に（＋Ｚ軸方向側に）突出している。ポスト部１６の高さ（Ｚ軸方向の大きさ）Ｈ１は、例えば、第１機能素子１０１の可動体２０と底面１５との間の間隙２の大きさ（Ｚ軸方向の大きさ）Ｄ１、および第２機能素子１０２の可動体２０と底面１５との間の間隙２の大きさＤ２と同じである。ポスト部１６の高さＨ１は、例えば、１μｍ以上２μｍ以下である。ポスト部１６の側面は、凹部１４を規定している。図１に示す例では、ポスト部１６は、凹部１４に囲まれて設けられている。ポスト部１６は、例えば、枠部１８と離間して設けられている。

ポスト部１６は、平面視において、凹部１４の中心と重なって設けられている。図１に示す例では、凹部１４の中心の位置は、支持基板１０の中心Ｃの位置と同じである。中心Ｃは、平面視において、ポスト部１６の外縁の内側に位置している。ポスト部１６は、平面視において、可動体２０と重なっていない。ポスト部１６の平面形状は、例えば、長方形や正方形である。

枠部１８は、底面１５よりも上方に突出している。枠部１８の高さＨ２は、例えば、ポスト部１６の高さＨ１と同じである。枠部１８の平面形状は、例えば、枠状である。枠部１８の側面は、凹部１４を規定している。枠部１８は、凹部１４の側壁である。図１に示す例では、枠部１８は、凹部１４を囲んで設けられている。

なお、図示の例では、ポスト部１６および枠部１８は、支持基板１０の一部として設けられているが、ポスト部１６および枠部１８は、支持基板１０とは別の部材で形成されていてもよい。すなわち、平板状の支持基板１０に、ポスト部１６および枠部１８を接合することにより、凹部１４が形成されていてもよい。

固定電極部４０，４２は、支持基板１０上に設けられている。図示の例では、固定電極部４０，４２は、底面１５に設けられている。底面１５は、可動体２０が水平（ＸＹ平面に平行）な場合、可動体２０に平行である。支持基板１０には、固定部３４，３６および蓋体５０が接合されている。支持基板１０と蓋体５０とで、可動体２０を収容するための空間を形成することができる。空間には、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填されている。

可動体２０は、支持基板１０上に、間隙２を介して設けられている。可動体２０は、梁部３０，３２によって、支持されている。可動体２０は、支軸Ｑを回転軸として変位可能である。具体的には、可動体２０は、例えば鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わると、梁部３０，３２によって決定される支軸Ｑを回転軸（揺動軸）としてシーソー揺動することができる。可動体２０の平面形状は、例えば、長方形である。可動体２０の厚さ（Ｚ軸方向の大きさ）は、例えば、一定である。

可動体２０は、第１シーソー片２０ａと、第２シーソー片２０ｂと、を有する。第１シーソー片２０ａは、平面視において、支軸Ｑによって区画される可動体２０の２つの部分のうちの一方（図１に示す例において、第１機能素子１０１では左側に位置する部分、第２機能素子１０２では右側に位置する部分）である。第２シーソー片２０ｂは、平面視において、支軸Ｑによって区画される可動体２０の２つの部分のうちの他方（図１に示す例において、第１機能素子１０１では右側に位置する部分、第２機能素子１０２では左側に位置する部分）である。

例えば、鉛直方向の加速度（例えば重力加速度）が可動体２０に加わった場合、第１シーソー片２０ａと第２シーソー片２０ｂとの各々に回転モーメント（力のモーメント）が生じる。ここで、第１シーソー片２０ａの回転モーメント（例えば時計回りの回転モーメント）と第２シーソー片２０ｂの回転モーメント（例えば反時計回りの回転モーメント）とが均衡した場合には、可動体２０の傾きに変化が生じず、加速度の変化を検出することができない。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントとが均衡せず、可動体２０に所定の傾きが生じるように、可動体２０が設計される。

物理量センサー１００では、支軸Ｑを、可動体２０の中心（重心）から外れた位置に配置することによって（支軸Ｑから各シーソー片２０ａ，２０ｂの先端までの距離を異ならせることによって）、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有している。すなわち、可動体２０は、支軸Ｑを境にして、一方側（第１シーソー片２０ａ）と他方側（第２シーソー片２０ｂ）とで質量が異なる。図示の例では、支軸Ｑから第１シーソー片２０ａの端面２４までの距離は、支軸Ｑから第２シーソー片２０ｂの端面２５までの距離よりも大きい。また、第１シーソー片２０ａの厚さと、第２シーソー片２０ｂの厚さとは、等しい。したがって、第１シーソー片２０ａの質量は、第２シーソー片２０ｂの質量よりも大きい。このように、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有することにより、鉛直方向の加速度が加わったときに、第１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントとを均衡させないことができる。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。

なお、図示はしないが、支軸Ｑを可動体２０の中心に配置し、かつ、シーソー片２０ａ，２０ｂの厚さを互いに異ならせることによって、シーソー片２０ａ，２０ｂが互いに異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合にも、鉛直方向の加速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。

また、図示はしないが、可動体２０には、可動体２０をＺ軸方向に貫通する貫通孔が設けられていてもよい。

可動体２０は、支持基板１０と離間して設けられている。可動体２０は、凹部１４上に設けられている。図示の例では、可動体２０と支持基板１０との間には、間隙２が設けられている。また、可動体２０は、梁部３０，３２によって、固定部３４，３６から離間して接続されている。これにより、可動体２０は、シーソー揺動することができる。

第１シーソー片２０ａには、可動電極部２１が設けられている。また、第２シーソー片２０ｂには、可動電極部２２が設けられている。

可動電極部２１は、図示の例では、可動体２０のうち、平面視で固定電極部４０と重なる部分である。可動電極部２１は、可動体２０のうち、固定電極部４０との間に静電容量Ｃ１を形成する部分である。可動電極部２２は、可動体２０のうち、平面視で固定電極部４２と重なる部分である。第２可動電極部２２は、可動体２０のうち、固定電極部４２との間に静電容量Ｃ２を形成する部分である。物理量センサー１００では、可動体２０が導電性材料で構成されることによって可動電極部２１，２２が設けられてもよく、また、可動体２０の表面に金属等の導体層からなる可動電極部を設けてもよい。図示の例では、可動体２０が導電性材料（不純物がドープされたシリコン）で構成されることによって、可動電極部２１，２２が設けられている。

支持基板１０の可動電極部２１に対向する位置には、固定電極部４０が設けられている。この可動電極部２１と固定電極部４０とによって、静電容量Ｃ１が形成されている。また、支持基板１０の可動電極部２２に対向する位置には、固定電極部４２が設けられている。この可動電極部２２と固定電極部４２とによって、静電容量Ｃ２が形成されている。静電容量Ｃ１および静電容量Ｃ２は、例えば、初期状態（可動体２０が水平な状態）において、等しくなるように構成されている。可動電極部２１，２２は、可動体２０の動きに応じて位置が変化する。この可動電極部２１，２２の位置の変化に応じて、静電容量Ｃ１，Ｃ２が変化する。可動体２０には、例えば梁部３０，３２を介して、所定の電位が与えられる。

なお、図示はしないが、蓋体５０の、可動電極部２１に対向する位置に固定電極部４０が設けられ、蓋体５０の、可動電極部２２に対向する位置に固定電極部４２が設けられていてもよい。

梁部３０，３２は、可動体２０を支軸Ｑまわりに変位可能に支持している。梁部３０，３２は、トーションバネ（捻りバネ）として機能する。これにより、可動体２０がシーソー揺動することにより梁部３０，３２に生じるねじり変形に対して強い復元力を有し、梁部３０，３２が破損することを防止することができる。

梁部３０，３２は、図１に示すように、平面視において、支軸Ｑ上に配置されている。梁部３０は、固定部３４から可動体２０まで、支軸Ｑ上を延出している。梁部３２は、固定部３６から可動体２０まで、支軸Ｑ上を延出している。梁部３０，３２は、可動体２０の回転軸（揺動軸）となる支軸Ｑの位置を決定する部材である。梁部３０は、固定部３４と可動体２０とを接続している。梁部３２は、固定部３６と可動体２０とを接続している。梁部３０は、可動体２０の＋Ｙ軸方向側の側面に接続され、第２梁部３２は、可動体２０の−Ｙ軸方向側の側面に接続されている。

固定部３４，３６は、支持基板１０に固定（接合）されている。より具体的には、固定部３４，３６は、支持基板１０の枠部１８に固定（接合）されている。固定部３４，３６と可動体２０とは、離間している。固定部３４，３６の平面形状は、特に限定されないが、図１に示す例では、長方形である。

可動体２０、梁部３０，３２、および固定部３４，３６は、一体に設けられている。可動体２０、梁部３０，３２、および固定部３４，３６は、１つの基板（例えばシリコン基板）をパターニングすることによって一体に設けられる。可動体２０、梁部３０，３２、および固定部３４，３６の材質は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。

固定部３４，３６と支持基板１０との接合方法は、特に限定されないが、例えば、支持基板１０の材質がガラスであり、可動体２０、梁部３０，３２、および固定部３４，３６の材質がシリコンである場合は、支持基板１０と固定部３４，３６とは、陽極接合されることができる。

固定電極部４０は、支持基板１０上に設けられている。固定電極部４０は、可動電極部２１に対向して配置されている。固定電極部４０の上方には、間隙２を介して、可動電極部２１が位置している。固定電極部４０は、可動電極部２１との間に静電容量Ｃ１を形成するように設けられている。

固定電極部４２は、支持基板１０上に設けられている。固定電極部４２は、可動電極部２２に対向して配置されている。固定電極部４２の上方には、間隙２を介して、可動電極部２２が位置している。固定電極部４２は、可動電極部２２との間に静電容量Ｃ２を形成するように設けられている。固定電極部４０の面積と固定電極部４２の面積とは、等しい。固定電極部４０の平面形状と、固定電極部４２の平面形状とは、例えば、支軸Ｑを軸として、対称である。

固定電極部４０，４２の材質は、例えば、アルミ、金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等である。固定電極部４０，４２の材質は、ＩＴＯ等の透明電極材料であることが望ましい。固定電極部４０，４２として、透明電極材料を用いることにより、支持基板１０が透明基板（ガラス基板）である場合、固定電極部４０，４２上に存在する異物等を、支持基板１０の底面１５の反対側から、容易に視認することができるためである。

蓋体５０は、支持基板１０上に載置されている。図２に示す例では、蓋体５０は、ポスト部１６および枠部１８に接合されている。蓋体５０の材質は、例えば、シリコンである。蓋体５０の材質がシリコンで、支持基板１０の材質がガラスの場合、支持基板１０と蓋体５０とは、陽極接合によって接合されていてもよい。蓋体５０および支持基板１０は、機能素子１０１，１０２を収容することができる。

次に、物理量センサー１００の動作について説明する。物理量センサー１００では、加速度、角速度等の物理量に応じて、可動体２０が支軸Ｑまわりに揺動（回動）する。この可動体２０の動きに伴って、可動電極部２１と固定電極部４０との間の距離、および可動電極部２２と固定電極部４２との間の距離が変化する。具体的には、電極部２１，４０間の距離および電極部２２，４２間の距離のうちの一方の距離が大きくなり、他方の距離が小さくなる。そのため、可動体２０の揺動（回動）によって、静電容量Ｃ１，Ｃ２のうちの一方が大きくなり、他方が小さくなる。したがって、静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２との差に基づいて（いわゆる差動容量検出方式により）、加速度や角速度等の物理量を検出することができる。

さらに、物理量センサー１００では、第１機能素子１０１と第２機能素子１０２とは、平面視において、例えば中心Ｃを通るＹ軸に平行な直線（図示せず）に関して、対称に設けられている。そのため、検出方向（Ｚ軸方向）以外の方向（例えばＸ軸方向）に検出感度をもつことによる誤差を、信号処理によってキャンセルすることができる。その結果、Ｚ軸方向の検出感度をより向上させることができる。

上述のように、物理量センサー１００は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、鉛直方向の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。

第１の実施形態に係る物理量センサー１００は、例えば、以下の特徴を有する。

物理量センサー１００によれば、支持基板１０には、平面視において第１機能素子１０１の可動体２０と第２機能素子１０２の可動体２０との間に位置する部分に、支持基板１０の主面１５よりも突出しているポスト部１６が設けられている。そのため、物理量センサー１００では、例えば陽極接合によって、支持基板１０と、可動体２０となるシリコン基板と、を接合させる際に、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られて支持基板１０に（凹部１４の底面１５に）貼り付くことを抑制できる。また、例えば、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られてシリコン基板に撓みが生じることを抑制できる。その結果、物理量センサー１００は、高い歩留まりを有することができる。

一般的に、２つの機能素子を含む物理量センサーでは、凹部の面積が（底面の面積が）大きくなるためシリコン基板が支持基板側に引っ張られやすい。しかしながら、物理量センサー１００では、２つの機能素子１０１，１０２を含むことによって凹部１４の面積が（底面１５の面積が）大きくなっても、ポスト部１６によって、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られて凹部１４の底面１５に貼り付くことを抑制できる。

物理量センサー１００によれば、ポスト部１６の高さＨ１は、凹部１４の枠部１８の高さＨ２と同じである。そのため、例えば陽極接合によって、支持基板１０と、可動体２０となるシリコン基板と、を接合させる際に、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られることを、より確実に抑制することができる。

物理量センサー１００によれば、蓋体５０は、ポスト部１６に接合されている。これにより、蓋体５０は、高い剛性を有することができる。

物理量センサー１００によれば、支持基板１０の材質は、ガラスであり、可動体２０の材質は、シリコンである。そのため、シリコン基板を加工することにより可動体２０を形成することができ、可動体２０を形成するためのシリコン基板と、支持基板１０と、を陽極接合によって接合させることができる。

物理量センサー１００によれば、ポスト部１６は、平面視において、凹部１４の中心と重なって設けられている。シリコン基板の、凹部の中心の上方に位置する部分は、特に、支持基板側に引っ張られやすいが、物理量センサー１００では、ポスト部１６によって、シリコン基板の、凹部１４の中心の上方に位置する部分が、支持基板１０側に引っ張られることを抑制できる。

なお、図示はしないが、ポスト部１６は、例えばＹ軸方向に延出して枠部１８に接続され、ポスト部１６を境にして、凹部１４は、第１凹部と第２凹部とを有し、第１凹部上に第１機能素子１０１の可動体２０が設けられ、第２凹部上に第２機能素子１０２の可動体２０が設けられていてもよい。

このような形態の物理量センサー１００によれば、ポスト部１６を設けることにより第１機能素子１０１の可動体２０の下方に第１凹部が設けられ、第２機能素子１０２の可動体２０の下方に第２凹部が設けられる。それにより、ポスト部が無い構造よりも第１凹部内および第２凹部内に空気を閉じ込めることができ、ダンピング（粘性）効果を向上させることができる。具体的には、ポスト部がないと、空気を閉じ込めることができず、過度な加速度が入ったりすると可動体がガラス基板に接触しやすい欠点があるが、ポスト部１６をつけることで第１凹部内および第２凹部内に空気を閉じ込めることができダンピング効果がより強勢になり、接触し難くなる。

１．２． 物理量センサーの製造方法
次に、第１の実施形態に係る物理量センサーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３〜図５は、第１の実施形態に係る物理量センサー１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

図３に示すように、例えば、ガラス基板をエッチングしてガラス基板に凹部１４を形成し、ポスト部１６および枠部１８を有する支持基板１０を得る。エッチングは、例えば、ウェットエッチングにより行われる。本工程により、凹部１４、ポスト部１６、および枠部１８が設けられている支持基板（第１基板）１０を用意することができる。

なお、図示はしないが、平板状の支持基板１０上に、ポスト部１６および枠部１８を形成する（接合する）ことにより、凹部１４を形成してもよい。

次に、支持基板１０上に（凹部１４の底面１５に）、固定電極部４０，４２を形成する。より具体的には、支持基板１０上の（凹部１４の底面１５の）、可動体２０と対向する位置に固定電極部４０，４２を形成する。固定電極部４０，４２は、スパッタ法等により底面１５上に導電層を成膜した後、当該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。

図４に示すように、支持基板１０に、シリコン基板（第２基板）１１０を接合する。より具体的には、支持基板１０のポスト部１６上および枠部１８上に、シリコン基板１１０を接合する。支持基板１０とシリコン基板１１０との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。

図５に示すように、シリコン基板１１０を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして（加工して）、可動体２０、梁部３０，３２、および固定部３４，３６を形成する。より具体的には、平面視において、ポスト部１６を境にして、一方側（−Ｘ軸方向側）に第１機能素子１０１の可動体２０を形成し、他方側（＋Ｘ軸方向側）に第２機能素子１０２の可動体２０を形成する（図１参照）。可動体２０の可動電極部２１，２２（図１参照）は、固定電極部４０，４２と対向するように形成される。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。本工程では、シリコン基板１１０をパターニング（エッチング）する
ことにより、可動体２０、梁部３０，３２、固定部３４，３６が一体的に形成される。また、本工程において、例えば、ポスト部１６の上面（シリコン基板１１０が接合されていた面）は、露出される。

図２に示すように、支持基板１０に蓋体５０を接合して、支持基板１０および蓋体５０によって形成される空間に可動体２０を（機能素子１０１，１０２を）収容する。より具体的には、蓋体５０は、支持基板１０のポスト部１６上および枠部１８上に接合される。支持基板１０と蓋体５０との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、可動体２０が収容される空間に不活性ガスを充填することができる。

物理量センサー１００の製造方法によれば、支持基板１０のポスト部１６上および枠部１８上に、シリコン基板１１０を接合する。さらに、シリコン基板１１０を加工して、平面視において、ポスト部１６を境にして、−Ｘ軸方向側に第１機能素子１０１の可動体２０を形成し、＋Ｘ軸方向側に第２機能素子１０２の可動体２０を形成する。これにより、例えば陽極接合によって、支持基板１０とシリコン基板１１０とを接合する際に、シリコン基板１１０が支持基板１０側に引っ張られて支持基板１０に（凹部１４の底面１５に）貼り付くことを抑制できる。また、例えば、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られてシリコン基板に撓みが生じることを抑制できる。その結果、高い歩留まりを有することができる物理量センサー１００を得ることができる。

２． 第２の実施形態
２．１． 物理量センサー
次に、第２の実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図６は、第２の実施形態に係る物理量センサー２００を模式的に示す平面図である。図７は、第２の実施形態に係る物理量センサー２００を模式的に示す図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。なお、便宜上、図６では、蓋体５０の図示を省略している。また、図６および図７では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。

以下、第２の実施形態に係る物理量センサー２００において、第１の実施形態に係る物理量センサー１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

物理量センサー２００は、例えば、慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）の加速度を測定するための加速度センサー（静電容量型加速度センサー、静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー）として利用可能である。

物理量センサー２００は、図６および図７に示すように、支持基板（基板）１０と、第１機能素子２０１と、第２機能素子２０２と、蓋体５０と、を含むことができる。第１機能素子２０１は、固定部６２と、可動体（第１可動体）６４と、固定電極部（第１固定電極部）６９ａ，６９ｂと、を有することができる。第２機能素子２０２は、固定部６２と、可動体（第２可動体）６４と、固定電極部（第２固定電極部）６９ａ，６９ｂと、を有することができる。可動体６４は、支持部６５と、バネ部６６と、可動電極部６８と、を有することができる。

物理量センサー２００では、ポスト部１６は、支持基板１０の、平面視において、第１機能素子２０１の可動体２０と第２機能素子２０２の可動体２０との間に位置する部分に設けられている。より具体的には、ポスト部１６は、凹部１４の底面１５の、平面視において、第１機能素子２０１の可動体２０と第２機能素子２０２の可動体２０との間に位置する部分１５ａに設けられている。ポスト部１６の高さＨ１は、例えば、第１機能素子２０１の可動体２０と底面１５との間の間隙２の大きさＤ１、および第２機能素子２０２の可動電極２０と底面１５との間の間隙２の大きさＤ２と同じである。

支持基板１０は、さらに、ポスト部１７ａ，１７ｂを有している。ポスト部１７ａ，１７ｂは、底面１５よりも上方に突出している。ポスト部１７ａの高さＨ３、およびポスト部１７ｂの高さＨ４は、例えば、ポスト部１６の高さＨ１と同じである。ポスト部１７ａ，１７ｂの側面は、凹部１４を規定している。図６に示す例では、ポスト部１７ａ，１７ｂは、凹部１４に囲まれて設けられている。ポスト部１７ａ，１７ｂは、例えば、枠部１８と離間して設けられている。

ポスト部１７ａは、固定部６２を支持するための部分である。ポスト部１７ｂは、固定電極部６９ａ，６９ｂを支持するための部分である。図６に示す例では、ポスト部１７ａ，１７ｂの平面形状は、長方形である。

第１機能素子２０１および第２機能素子２０２は、支持基板１０上に設けられている。第１機能素子２０１および第２機能素子２０２は、図６に示すように平面視において、Ｘ軸に沿って配列されている。第２機能素子２０２は、第１機能素子２０１を、固定部６２および可動体６４によって構成される構造体の重心Ｇを中心として、９０°回転させた形状を有している。

以下では、まず、第１機能素子２０１について説明する。

可動体６４は、支持基板１０上に設けられている。より具体的には、可動体６４は、凹部１４上に設けられている。可動体６４は、Ｘ軸方向の加速度に応じて、Ｘ軸方向（＋Ｘ軸方向または−Ｘ軸方向）に変位する。このような変位に伴って、可動電極部６８と固定電極部６９ａとの間の隙間、および可動電極部６８と固定電極部６９ｂとの間の隙間の大きさが変化する。すなわち、可動体６４の変位に伴って、可動電極部６８と固定電極部６９ａとの間の静電容量、および可動電極部６８と固定電極部６９ｂとの間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて、第１機能素子２０１は（物理量センサー２００は）、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。

固定部６２は、支持基板１０のポスト部１７ａに固定（接合）されている。第１機能素子２０１において、固定部６２の数は、１つである。固定部６２は、図６に示すように平面視において、固定部６２および可動体６４によって構成される構造体の重心Ｇと重なって設けられている。固定部６２の平面形状は、例えば、長方形である。図６に示す例では、ポスト部１７ａは、固定部６２の外縁の内側に位置している。固定部６２によって、可動体６４は、支持基板１０の上方に間隙を介して支持されている。

支持部６５は、図６に示すように平面視において、固定部６２の周りに設けられている。図示の例では、支持部６５は、固定部６２を囲んで設けられている。可動体６４は、支持部６５の内側に位置している固定部６２によって支持されている。そのため、可動体６４は、安定して１つの固定部６２で支持されることができる。これにより、例えば、熱が加わった場合に、固定部６２によって支持されていることに起因する応力が可動体６４に生じることを抑制できる。支持部６５は、可動電極部６８を支持することができる。支持部６５の形状は、例えば、枠状である。

バネ部６６は、固定部６２と支持部６５とを連結している。バネ部６６は、Ｘ軸に沿って変位可能であり、支持部６５をＸ軸方向に変位し得るように構成されている。図６に示す例では、バネ部６６は、４つの梁部６６ａによって構成されている。梁部６６ａは、Ｙ軸に沿って往復しながらＸ軸方向に延出している。

なお、梁部６６ａの数は、バネ部６６が支持部６５をＸ軸方向に変位し得るように構成されていれば、特に限定されない。

可動電極部６８は、支持部６５に支持されている。可動電極部６８は、支持部６５に接続されている。可動電極部６８は、支持部６５から、Ｙ軸に沿って延出している。可動電極部６８は、例えば、複数設けられている。

固定電極部６９ａ，６９ｂは、支持基板１０のポスト部１７ｂに固定（接合）されている。固定電極部６９ａ，６９ｂは、可動電極部６８と対向して配置されている。固定電極部６９ａ，６９ｂは、Ｙ軸に沿って延在している。固定電極部６９ａ，６９ｂは、例えば、複数設けられている。より具体的には、固定電極部６９ａ，６９ｂは、Ｘ軸に沿って交互に配置され、固定電極部６９ａと固定電極部６９ｂとの間に、可動電極部６８が配置されている。複数の固定電極部６９ａは、図示せぬ配線によって、互いに電気的に接続されている。複数の固定電極部６９ｂは、図示せぬ配線によって、互いに電気的に接続されている。

固定電極部６９ａ，６９ｂは、例えば、他の部分よりも幅（Ｘ軸方向の大きさ）が広い幅広部７０を有している。図示の例では、幅広部７０の平面形状は、長方形である。幅広部７０によって、固定電極部６９ａ，６９ｂとポスト部１７ｂとの接触面積を大きくすることができる。そのため、固定電極部６９ａ，６９ｂとポスト部１７ｂとの接合強度を大きくすることができる。

固定部６２および可動体６４は、一体に設けられている。固定部６２および可動体６４は、１つの基板（例えばシリコン基板）をパターニングすることによって一体に設けられている。第１機能素子２０１の（可動体６４の）材質は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。

固定部６２および固定電極部６９ａ，６９ｂと、支持基板１０と、の接合方法は、特に限定されないが、例えば、支持基板１０の材質がガラスであり、第１機能素子２０１の材質がシリコンである場合は、支持基板１０と第１機能素子２０１とは、陽極接合されることができる。

物理量センサー２００では、可動電極部６８と固定電極部６９ａとの間の静電容量を測定し、さらに、可動電極部６８と固定電極部６９ｂとの間の静電容量を測定することができる。このように物理量センサー２００では、可動電極部６８と固定電極部６９ａとの間の静電容量、および可動電極部６８と固定電極部６９ｂとの間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量（加速度）を検出することができる。

次に、第２機能素子２０２について説明する。

第２機能素子２０２は、上述のとおり、第１機能素子２０１を、重心Ｇを中心として、９０°回転させた形状を有している。第２機能素子２０２の可動体６４は、Ｙ軸方向の加速度に応じて、Ｙ軸方向（＋Ｙ軸方向または−Ｙ軸方向）に変位する。このような変位に伴って、可動電極部６８と固定電極部６９ａとの間の隙間、および可動電極部６８と固定電極部６９ｂとの間の隙間の大きさが変化する。すなわち、可動体６４の変位に伴って、可動電極部６８と固定電極部６９ａとの間の静電容量、および可動電極部６８と固定電極部６９ｂとの間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて、第２機能素子２０２は（物理量センサー２００は）、Ｙ軸方向の加速度を検出することができる。

以上のように、物理量センサー２００は、第１機能素子２０１および第２機能素子２０２によって、Ｘ軸方向の加速度およびＹ軸方向の加速度を測定することができる。

上述のように、物理量センサー２００は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例えば、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。

物理量センサー２００は、図６および図７に示すように、さらに、ストッパー部８０，８２，８４，８６を含むことができる。

ストッパー部８０，８２は、第１機能素子２０１の可動体６４と対向して配置されている。図６に示す例では、ストッパー部８０，８２の、第１機能素子２０１の可動体６４と対向する面の一部は、曲面となっている。第１機能素子２０１の可動体６４は、図６に示すように平面視において、ストッパー部８０，８２の間に配置されている。図６に示す例では、ストッパー部８０は、第１機能素子２０１の可動体６４の＋Ｘ軸方向側に配置され、ストッパー部８２は、第１機能素子２０１の可動体６４の−Ｘ軸方向側に配置されている。ストッパー部８０は、ポスト部１６に固定（接合）されている。ストッパー部８２は、枠部１８に固定されている。

ストッパー部８０，８２は、第１機能素子２０１の可動体６４がＸ軸方向へ変位して可動電極部６８と固定電極部６９ａ，６９ｂが張り付くことを抑制できる。

ストッパー部８４，８６は、第２機能素子２０２の可動体６４と対向して配置されている。図６に示す例では、ストッパー部８４，８６の、第２機能素子２０２の可動体６４と対向する面の一部は、曲面となっている。第２機能素子２０２の可動体６４は、図６に示すように平面視において、ストッパー部８４，８６の間に配置されている。図６に示す例では、ストッパー部８４は、第２機能素子２０２の可動体６４の＋Ｙ軸方向側に配置され、ストッパー部８６は、第２機能素子２０２の可動体６４の−Ｙ軸方向側に配置されている。ストッパー部８４，８６は、枠部１８に固定されている。ストッパー部８０，８２，８４，８６の材質は、例えば、機能素子２０１，２０２の材質と同じである。

ストッパー部８４，８６は、第２機能素子２０２の可動体６４がＹ軸方向へ変位して可動電極部６８と固定電極部６９ａ，６９ｂが張り付くことを抑制できる。

なお、図示はしないが、ポスト部１６は２つ設けられ、一方のポスト部１６にストッパー部８０が接合され、他方のポスト部１６に蓋体５０が接合されていてもよい。

第２の実施形態に係る物理量センサー２００は、例えば、以下の特徴を有する。

物理量センサー２００によれば、支持基板１０には、平面視において第１機能素子２０１の可動体６４と第２機能素子２０２の可動体６４との間に位置する部分に、支持基板１０の主面１５よりも突出しているポスト部１６が設けられている。そのため、物理量センサー２００では、例えば陽極接合によって、支持基板１０と、可動体２０となるシリコン基板と、を接合させる際に、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られて支持基板１０に（凹部１４の底面１５に）貼り付くことを抑制できる。また、例えば、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られてシリコン基板に撓みが生じることを抑制できる。その結果、物理量センサー２００は、高い歩留まりを有することができる。

物理量センサー２００によれば、ポスト部１６に接合されたストッパー部８０を含むことができる。そのため、例えば、第１機能素子２０１の可動電極部６８と固定電極部６９ａ，６９ｂが張り付くことを抑制できる。

２．２． 物理量センサーの製造方法
次に、第２の実施形態に係る物理量センサーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図８〜図１０は、第２の実施形態に係る物理量センサー２００の製造工程を模式的に示す断面図である。

図８に示すように、例えば、ガラス基板をエッチングしてガラス基板に凹部１４を形成し、ポスト部１６，１７ａ，１７ｂおよび枠部１８を有する支持基板１０を得る。エッチングは、例えば、ウェットエッチングにより行われる。本工程により、凹部１４、ポスト部１６，１７ａ，１７ｂ、および枠部１８が設けられている支持基板（第１基板）１０を用意することができる。

なお、図示はしないが、平板状の支持基板１０上に、ポスト部１６および枠部１８を形成する（接合する）ことにより、凹部１４を形成してもよい。

図９に示すように、支持基板１０に、シリコン基板（第２基板）２１０を接合する。より具体的には、支持基板１０のポスト部１６，１７ａ，１７ｂ上および枠部１８上に、シリコン基板２１０を接合する。支持基板１０とシリコン基板２１０との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。

図１０に示すように、シリコン基板２１０を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして（加工して）、固定部６２、可動体６４、固定電極６９ａ，６９ｂ、およびストッパー部８０，８２，８４，８６を形成する。より具体的には、平面視において、ポスト部１６を境にして、一方側（−Ｘ軸方向側）に第１機能素子２０１の可動体６４を形成し、他方側（＋Ｘ軸方向側）に第２機能素子２０２の可動体６４を形成する（図６参照）。可動電極部６８および固定電極部６９ａ，６９ｂは、互いに対向するように形成される。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。本工程では、シリコン基板２１０をパターニング（エッチング）することにより、固定部６２および可動体６４が一体的に形成される。

図７に示すように、支持基板１０に蓋体５０を接合して、支持基板１０および蓋体５０によって形成される空間に可動体６４を（機能素子２０１，２０２を）収容する。より具体的には、蓋体５０は、支持基板１０の枠部１８上に接合される。支持基板１０と蓋体５０との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、可動体６４が収容される空間に不活性ガスを充填することができる。

物理量センサー２００の製造方法によれば、支持基板１０のポスト部１６に、シリコン基板２１０を接合する。さらに、シリコン基板２１０を加工して、平面視において、ポスト部１６を境にして、−Ｘ軸方向側に第１機能素子２０１の可動部６４を形成し、＋Ｘ軸方向側に第２機能素子２０２の可動部６４を形成する。これにより、例えば陽極接合によって、支持基板１０とシリコン基板２１０とを接合させる際に、シリコン基板２１０が支持基板１０側に引っ張られて支持基板１０に（凹部１４の底面１５に）貼り付くことを抑制できる。また、例えば、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られてシリコン基板に撓みが生じることを抑制できる。その結果、高い歩留まりを有することができる物理量センサー２００を得ることができる。

３． 第３の実施形態
次に、第３の実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。第３の実施形態に係る電子機器は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー１００を含む電子機器について、説明する。

図１１は、第３の実施形態に係る電子機器として、モバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューター１１００を模式的に示す斜視図である。

図１１に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を有する表示ユニット１１０６と、により構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。

このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１００が内蔵されている。

図１２は、第３の実施形態に係る電子機器として、携帯電話機（ＰＨＳも含む）１２００を模式的に示す斜視図である。

図１２に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。

このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１００が内蔵されている。

図１３は、第３の実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ１３００を模式的に示す斜視図である。なお、図１３には、外部機器との接続についても簡易的に示している。

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。

また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。

また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。

このようなデジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１００が内蔵されている。

以上のような電子機器１１００，１２００，１３００は、物理量センサー１００を含むため、高い歩留まりを有することができる。

なお、上記物理量センサー１００を備えた電子機器は、図１１に示すパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２に示す携帯電話機、図１３に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類）、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

２…間隙、１０…支持基板、１４…凹部、１５…底面、１５ａ…底面の部分、１６，１７ａ，１７ｂ…ポスト部、１８…枠部、２０…可動体、２０ａ…第１シーソー片、２０ｂ…第２シーソー片、２１，２２…可動電極部、２４，２５…端面、３０，３２…梁部、３４，３６…固定部、４０，４２…固定電極部、５０…蓋体、６２…固定部、６４…可動体、６５…支持部、６６…バネ部、６６ａ…梁部、６８…可動電極部、６９ａ，６９ｂ…固定電極部、７０…幅広部、８０，８２，８４，８６…ストッパー部、１００…物理量センサー、１０１…第１機能素子、１０２…第２機能素子、１１０…シリコン基板、２００…物理量センサー、２０１…第１機能素子、２０２…第２機能素子、２１０…シリコン基板、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられ、第１可動電極部を有している第１可動体と、
   前記基板上に、前記第１可動電極部と対向して配置されている第１固定電極部と、
   前記基板上に設けられ、第２可動電極部を有している第２可動体と、
   前記基板上に、前記第２可動電極部と対向して配置されている第２固定電極部と、
   を含み、
   前記基板には、平面視において前記第１可動体と前記第２可動体との間に位置する部分に、前記基板の主面よりも突出しているポスト部が設けられ、
   前記基板には、凹部が設けられ、
   前記ポスト部は、前記凹部の側壁と離間して設けられている、物理量センサー。
2. 請求項１において、
   前記凹部の底面に前記第１固定電極部と前記第２固定電極部が設けられている、物理量センサー。
3. 請求項１または２において、
   前記ポスト部の高さは、前記凹部の側壁の高さと同じである、物理量センサー。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
   前記基板上に載置され、前記第１可動体および前記第２可動体を収容する蓋体を含み、
   前記蓋体は、前記ポスト部に接合されている、物理量センサー。
5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、
   前記ポスト部に接合され、前記第１可動体および前記第２可動体の少なくとも一方と対向して配置されているストッパー部を含む、物理量センサー。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項において、
   前記基板の材質は、ガラスであり、
   前記第１可動体および前記第２可動体の材質は、シリコンである、物理量センサー。
7. 凹部と、前記凹部の底面よりも突出しているポスト部と、が設けられている第１基板を用意する工程と、
   前記第１基板の前記凹部の側壁上および前記ポスト部上に第２基板を接合する工程と、
   前記第２基板を加工して、平面視で前記ポスト部を境にして、一方側に第１可動体を形成し、他方側に第２可動体を形成する工程と、
   を含み、
   前記ポスト部は、前記凹部の側壁と離間して形成される、物理量センサーの製造方法。
8. 第１基板上に、側壁と、ポスト部を形成する工程と、
   前記第１基板の前記側壁上および前記ポスト部上に第２基板を接合する工程と、
   前記第２基板を加工して、平面視で前記ポスト部を境にして、一方側に第１可動体を形成し、他方側に第２可動体を形成する工程と、
   を含み、
   前記ポスト部は、前記凹部の側壁と離間して形成される、物理量センサーの製造方法。
9. 請求項７または８において、
   前記基板上の前記第１可動体と対向する位置に第１固定電極部を形成し、前記第２可動体と対向する位置に第２固定電極部を形成する工程を含む、物理量センサーの製造方法。
10. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。