JP5858849B2 - 金属箔 - Google Patents
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Description
電解液中の硫酸濃度としては、限定的ではないが、電解液の導電率を上げて電解電圧を下げ、消費電力を削減するためには50〜150g/Lとすることが好ましく、80〜120g/Lとすることがより好ましい。
電解液中の銅濃度としては、限定的ではないが、商業生産時の生産性を向上するために50〜150g/Lとすることが好ましく、80〜120g/Lとすることがより好ましい。
下記に示すような電解液及び電解条件でステンレス鋼製の円柱型カソード上に電析させ、所定厚みの銅箔を得た。すべての実施例及び比較例において、厚さ35μmの電解銅箔(但し、実施例11はアルミニウム箔)とした。
Cu(Cu2+として):100g/L
H2SO4:100g/L
添加剤として、Cl(塩化物イオンとして)、膠、及びチオ尿素を表1に記載の各添加量で加えた。
液温:57℃
電流密度:40〜80A/dm2
電解液流速:4.0m/秒
実施例6〜8及び11においては、製箔工程で得られた銅箔のマット面及びアルミニウム箔の表面に、以下に示す2段階の粗化処理を施した。
1段階目の粗化処理の目的は、金属箔最表面への銅イオン拡散の限界電流密度を超える電流密度でCu微粒子を電着することによって金属箔表面に粗化粒子の核を生成させることである。
(電解液組成)
Cu(Cu2+として):10〜30g/L
H2SO4:50〜150g/L
As:1〜2000mg/L
W:1〜100mg/L
(粗化処理条件)
液温:20〜50℃
電流密度:20〜100A/dm2
通電時間:1〜10秒
2段階目の粗化処理の目的は、1段階目の粗化処理で生成した粗化粒子の核の上に平滑なめっきを施すことによって粗化粒子核を成長させ、所定の大きさの粗化粒子とすることである。
(電解液組成)
Cu(Cu2+として):20〜60g/L
H2SO4:50〜150g/L(粗化処理条件)
液温:30〜60℃
電流密度:1〜50A/dm2
通電時間:1〜10秒
実施例1〜8及び10〜11においては、製箔工程で得られた銅箔のマット面(粗面、析出面)又はアルミニウム箔(実施例11)の片面上に、以下に示す表面被覆処理(a)、(b)、(c)、(d)、(e)のうち何れか1つ又は複数を選択し処理した。各実施例で適用した表面処理の組み合わせを表1に示す。各表面被覆処理層の被覆量は表面被覆層を希硝酸により溶解した後、溶解液中の被覆処理層成分元素の濃度をICP−AES法によって測定して算出した。
(a)Cu−Zn合金めっき処理
(電解液組成、pH)
NaCN :10〜30g/L
NaOH :40〜100g/L
Cu(CN)2 :60〜120g/L
Zn(CN)2:1〜10g/L
pH:10〜13
(電解条件)
液温:50〜80℃
電流密度:10A/dm2
めっき時間:4秒
被覆量:5.0mg/dm2
(b)Ni−Zn合金めっき処理
(電解液組成、pH)
Zn(Zn2+として):12〜25g/L
Ni(Ni2+として):1〜8g/L
pH:2.0〜4.0
(電解条件)
液温:25〜50℃
電流密度:10A/dm2
めっき時間:2秒
被覆量:1.5mg/dm2
(c)Cu−Ni合金めっき処理
(電解液組成、pH)
Cu(Cu2+として):0.01〜5.0g/L
Ni(Ni2+として):5〜25g/L
pH:2.0〜4.0
(電解条件)
液温:25〜50℃
電流密度:5A/dm2
めっき時間:2秒
被覆量:1.0mg/dm2
(d)Co−Ni合金めっき処理
(電解液組成、pH)
Co(Co2+として):0.1〜6.0g/L
Ni(Ni2+として):5〜20g/L
pH:2.0〜4.0
(電解条件)
液温:25〜50℃
電流密度:5A/dm2
めっき時間:3秒
被覆量:3.0mg/dm2
(e)電解クロメート処理
(電解液組成、pH)
K2Cr2O7:2.0〜6.0g/L
Zn(Zn2+として):0〜0.5g/L
Na2SO4:5〜15g/L
pH:3.5〜5.0
(電解条件)
液温:20〜60℃
電流密度:2.0A/dm2
めっき時間:2秒
被覆量:0.15mg/dm2
シランカップリング剤処理
3−グリシドキシプロピルトリエトキシシランの0.2vol%溶液をスプレー塗布後、気温100℃以上の空気中で1〜10秒間乾燥させた。
このようにして作製した金属箔のマット面の十点平均粗さRz、局部山頂平均間隔S及び凹凸の平均間隔Smを測定した。十点平均粗さRzは小坂研究所製サーフコーダーSE−3Cにより測定した。局部山頂平均間隔S及び凹凸の平均間隔Smは(株)キーエンス製VK−8510を用いて測定した。測定方法は線粗さ-JIS94モードを使用した。測定結果を表1に示す。
さらに、作製した金属箔と接着剤との密着強度を測定するため、以下の手順で金属箔とプラスティックフィルムの積層シートを作製した。
(プラスティックフイルム)
実施例1〜9及び11、比較例1〜4においては、ポリエチレンテレフタレート(PET)製フィルムとして、東レ(株)製ルミラー(厚み200μm)を使用した。
(接着剤)
接着剤は、東洋モートン(株)製:2液混合型接着剤(主剤:ポリエステル系ポリオールAD−76P1)/(硬化剤TCS−4277)と酢酸エチルを混合して使用した。混合比(体積基準)は、AD−76P1:TCS−4277:酢酸エチル=7.5:1.0:6.5とした。
(接着剤塗布)
PETフィルム上に、前記接着剤を厚みが15μmになるように均一に塗布した。接着剤が塗布されたPETフィルムを90℃の乾燥空気雰囲気中で3分間加熱して溶剤を揮発させた。
(ラミネート法)
金属箔の表面被覆処理面とPETフィルムの接着剤塗布面を、ゴム製のローラーを用いて圧着し、金属箔とPETフィルムの積層シートを形成した。
(熱硬化法)
上記積層シートを100℃の乾燥空気雰囲気中で10時間加熱し、接着剤を硬化させた。
作製した積層シート上の金属箔を塩化鉄−塩酸系エッチング液を用いてエッチングし、回路配線シートとした。回路幅は次に述べる密着強度測定用として10mmとした。
金属箔と接着剤の密着強度の測定をJIS−C6481に規定される90度はく離強度方法を用いて行った。測定には(株)島津製作所製オートグラフAGS−Jを使用した。測定結果を表1に示す。
実施例1〜11において、十点平均粗さは2.6〜5.6μm、局部山頂平均間隔Sは1.0〜1.3μm、Rz/S比は2.2〜5.5の範囲となった。銅箔及びアルミニウム箔と接着剤の密着強度は0.45〜0.72kN/mとなり、十分な密着強度を有する。
比較例1は、製箔工程の電解液中にチオ尿素を添加せずに製箔した後、銅箔のマット面に、粗化処理、Cu−Zn合金めっき処理、クロメート処理及びシランカップリング剤処理を順に施したものである。実施例1との違いは製箔工程でチオ尿素を添加していないことと粗化処理が施されていることである。製箔工程の電解液にチオ尿素が添加されていないため、表面粗さRzが6.0μmより大きく、またRz/Sも6.0より大きい。銅箔と接着剤の密着強度は0.40kN/mであった。また、銅箔と接着剤の界面には気泡が多く存在した。
比較例2は、製箔工程の電解液中に膠を添加せずに製箔した後、銅箔のマット面にNi−Zn合金めっき処理、クロメート処理及びシランカップリング剤処理を順に施したものである。実施例5との違いは製箔工程で膠を添加していないことである。製箔工程の電解液に膠を添加しない場合、Rzが2.0μmよりも小さく、かつRz/Sが2.0よりも小さくなった。銅箔と接着剤の密着強度は0.20kN/mであった。
比較例3は、製箔工程の電解液中に塩化物イオンを添加せずに製箔した後、銅箔のマット面にCu−Zn合金めっき処理、クロメート処理及びシランカップリング剤処理を順に施したものである。実施例1との違いは製箔工程で塩化物イオンを添加していないことである。製箔工程の電解液に塩化物イオンを添加しない場合、Rzが2.0μm以上6.0μm以下の範囲になるが、Rz/Sが2.0よりも小さくなり、十分な密着強度が得られない。銅箔と接着剤の密着強度は0.35kN/mであった。
比較例4は、製箔工程における電流密度を110A/dm2とした。これ以外の製造条件は実施例6と同一である。製箔工程における電流密度を90A/dm2よりも高くすると、マット面表面凹凸形状が変化し、電流密度40〜80A/dm2を使用した実施例よりもRzが大きくなり、Sが小さくなる。この結果、Rzは2.0〜6.0μmの範囲になるが、Rz/Sは6.0よりも大きくなった。この場合も比較例1と同様、銅箔と接着剤の界面には気泡が見られた。銅箔と接着剤の密着強度は0.41kN/mであった。
比較例5は、銅箔と接着剤を介して接着する樹脂をポリイミド樹脂としたもので、それ以外の銅箔の製造方法は比較例2と同一である。Rzが2.0μmよりも小さく、かつRz/Sが2.0よりも小さくなる。銅箔と接着剤の密着強度はPETフィルムを用いたときよりも高くなり、0.40kN/mであった。
Claims (28)
- 少なくとも一方の面において、十点平均粗さRzが2.0μm以上6.0μm以下であり、且つ、これと局部山頂の平均間隔Sとの比(Rz/S)が2.0以上6.0以下である金属箔。
- 前記十点平均粗さRzと局部山頂の平均間隔Sとの比(Rz/S)が2.2以上である請求項1に記載の金属箔。
- 前記十点平均粗さRzと局部山頂の平均間隔Sとの比(Rz/S)が3.5以上である請求項1に記載の金属箔。
- 前記十点平均粗さRzと局部山頂の平均間隔Sとの比(Rz/S)が5.5以下である請求項1〜3の何れか一項に記載の金属箔。
- 金属箔が銅箔である請求項1〜4の何れか一項に記載の金属箔。
- 局部山頂の平均間隔Sが0.5μm以上3.0μm以下である請求項1〜5の何れか一項に記載の金属箔。
- 凹凸の平均間隔Smに対する十点平均粗さRzの比(Rz/Sm)が0.5以上4.0以下である請求項1〜6の何れか一項に記載の金属箔。
- 凹凸の平均間隔Smが1.0μm以上4.0μm以下である請求項1〜7の何れか一項に記載の金属箔。
- 前記少なくとも一方の面において、Cu−Zn合金からなる被覆層、Cu−Ni合金からなる被覆層、Co−Ni合金からなる被覆層、Ni−Zn合金からなる被覆層、Cr酸化物からなる防錆被覆層のうち何れか一つ又は複数の表面被覆層が形成されている請求項1〜8の何れか一項に記載の金属箔。
- 表面被覆層の上に、シランカップリング剤処理層が形成されている請求項9に記載の金属箔。
- 金属箔が電解銅箔である請求項1〜10の何れか一項に記載の金属箔。
- 請求項1〜11の何れか一項に記載の金属箔と樹脂とを接着剤を介して貼り合せた積層板。
- 樹脂がプラスティックフィルムである請求項12に記載の積層板。
- 請求項12又は13に記載の積層板の金属箔を材料とする回路が形成されている配線板。
- 請求項12又は13に記載の積層板を材料とする太陽電池裏面保護シート。
- 請求項12又は13に記載の積層板を加工することを含む太陽電池裏面保護シートの製造方法。
- 請求項12又は13に記載の積層板を材料とする太陽電池裏面配線シート。
- 請求項12又は13に記載の積層板を加工することを含む太陽電池裏面配線シートの製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の金属箔と樹脂との積層体。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の金属箔を材料とする回路を有するプリント配線板。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の金属箔を用いるプリント配線板の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の金属箔を有する放熱材料。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の金属箔を用いる放熱材料の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の金属箔製の放熱材料。
- 銅及び硫酸を含む電解液に塩化物イオン20〜100mg/Lと、ゼラチン0.2〜6.0mg/Lと、チオ尿素及び活性硫黄含有物質の少なくとも1種の合計0.01〜2.0mg/Lとを添加し、電流密度10〜90A/dm2、電解液の線流速1.0〜5.0m/秒の条件で銅を電着させる工程を含む銅箔の製造方法。
- 銅及び硫酸を含む電解液に塩化物イオン20〜100mg/Lと、ゼラチン0.2〜6.0mg/Lと、チオ尿素及び活性硫黄含有物質の少なくとも1種の合計0.01〜2.0mg/Lとを添加し、電流密度10〜90A/dm2、電解液の線流速1.0〜5.0m/秒の条件で銅を電着させて未処理銅箔を得る製箔工程と、前記未処理銅箔の少なくとも一方の面にCu−Zn合金からなる被覆層、Cu−Ni合金からなる被覆層、Co−Ni合金からなる被覆層、Ni−Zn合金からなる被覆層、Cr酸化物からなる防錆被覆層のうち何れか一つ又は複数の表面被覆層を形成した後、前記表面被覆層上にシランカップリング剤層を形成する表面処理工程を含む銅箔の製造方法。
- 銅及び硫酸を含む電解液に塩化物イオン20〜100mg/Lと、ゼラチン0.2〜6.0mg/Lと、チオ尿素及び活性硫黄含有物質の少なくとも1種の合計0.01〜2.0mg/Lとを添加し、電流密度10〜90A/dm2、電解液の線流速1.0〜5.0m/秒の条件で銅を電着させて未処理銅箔を得る製箔工程と、前記未処理銅箔の少なくとも一方の面に粗化処理を行った後にCu−Zn合金からなる被覆層、Cu−Ni合金からなる被覆層、Co−Ni合金からなる被覆層、Ni−Zn合金からなる被覆層、Cr酸化物からなる防錆被覆層のうち何れか一つ又は複数の表面被覆層を形成し、次いで前記表面被覆層上にシランカップリング剤層を形成する表面処理工程を含む銅箔の製造方法。
- 請求項25〜27の何れかに記載の製造方法によって製造された銅箔と樹脂とを接着剤を介して貼り合わせる工程を含む積層板の製造方法。
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