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JP5848480B1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Abstract

【課題】高い発光効率及び長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の提供。【解決手段】一般式（４）で表される有機エレクトロルミネッセンス用材料。［X２はＯまたはＳであり、Ar５及びAr６はそれぞれ独立にアリール基等；Ar７及びAr８はアリール基等；L４及びL５はそれぞれ独立にアリーレン基等、L６はアリーレン基等；nは０以上３以下の整数；mは０以上４以下の整数；n＋m≧１である］【選択図】なし

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。特に、高発光効率、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子用の正孔輸送材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
近年、画像表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（Organic Electroluminescence Display：有機ＥＬ表示装置）の開発が盛んになってきている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、陽極及び陰極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることにより、発光層における有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機EL素子）としては、例えば、陽極、陽極上に配置された正孔輸送層、正孔輸送層上に配置された発光層、発光層上に配置された電子輸送層及び電子輸送層上に配置された陰極から構成された有機エレクトロルミネッセンス素子が知られている。陽極からは正孔が注入され、注入された正孔は正孔輸送層を移動して発光層に注入される。一方、陰極からは電子が注入され、注入された電子は電子輸送層を移動して発光層に注入される。発光層に注入された正孔と電子とが再結合することにより、発光層内で励起子が生成される。有機エレクトロルミネッセンス素子は、その励起子の輻射失活によって発生する光を利用して発光する。尚、有機エレクトロルミネッセンス素子は、以上に述べた構成に限定されず、種々の変更が可能である。
有機エレクトロルミネッセンス素子を表示装置に応用するにあたり、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化が求められている。特に、青色発光領域では、緑色発光領域及び赤色発光領域に比べて、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧が高く、発光効率が十分なものとは言い難い。有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を実現するために、正孔輸送層の定常化、安定化、耐久性の向上などが検討されている。
正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、芳香族アミン系化合物等の様々な化合物が知られているが、素子寿命に課題があった。有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化に有利な材料として、例えば、特許文献１及び特許文献２には、アリール基又はヘテロアリール基が置換されたアミン誘導体が提案されている。しかしながら、これらの材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子も充分な発光寿命を有しているとは言い難い。そのため、現在では一層、高効率で、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子が望まれている。
特開２００９−２６７２５５号公報 特開２００９−０２９７２６号公報
本発明は、上述の問題を解決するものであって、高発光効率及び長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
特に、本発明は、緑色〜青色発光領域において、発光層と陽極との間に配置される積層膜のうちの少なくとも一つの膜に用いる高発光効率及び長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態によると、以下の一般式（１）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。
Figure 0005848480
一般式（１）中、X1はOまたはSであり、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有する置換若しくは無置換のジベンゾヘテロール基、シリル基、ハロゲン原子、重水素原子又は水素原子であり、Ar3及びAr4はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、シリル基であり、L1及びL2はそれぞれ独立に単結合、又は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリーレン基及びシリル基の２価基からなる群より選択され、L3は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリーレン基及びシリル基の２価基からなる群より選択され、nは０以上３以下の整数であり、mは０以上４以下の整数であり、n＋m≧１である。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、電子耐性の高い置換されたジベンゾヘテロール部位をアミンに導入することによって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いる層の長寿命化を実現することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を達成することができる。また、ジベンゾヘテロールが置換基を有しているため、材料のアモルファス性が向上して電荷の移動度が高くなり、高い発光効率を実現することができる。
一般式（１）で表される化合物は、以下の一般式（２）又は（３）で表される化合物であってもよい。
Figure 0005848480
一般式（２）及び（３）中、X2はOまたはSであり、Ar5及びAr6はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有する置換若しくは無置換のジベンゾヘテロール基、シリル基、ハロゲン原子、重水素原子又は水素原子であり、Ar7及びAr8はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、シリル基であり、L4及びL5はそれぞれ独立に単結合、又は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリーレン基及びシリル基の２価基からなる群より選択され、L6は単結合、又は環形成炭素数６以上２４以下の置換若しくは無置換のアリール基及びシリル基からなる群より選ばれた２価の基であり、R1〜R8はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上１５以下のアルキル基、シリル基、ハロゲン原子、水素原子又は重水素原子であり、nは０以上３以下の整数であり、mは０以上４以下の整数であり、n＋m≧１である。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（１）におけるL3にm−フェニレン基またはp−フェニレン基が含まれることにより、アミンに直接又はL6を介して結合するフェニレン基のm位またはp位にジベンゾヘテロール部位を導入することによって、分子の対称性が崩れ、材料のアモルファス性がさらに向上して電荷の移動度が高くなるため、有機エレクトロルミネッセンス素子のさらなる長寿命化と高い発光効率を実現することができる。
一般式（２）で表わされる化合物は、以下の一般式（４）で表わされる化合物であってもよい。
Figure 0005848480
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（２）におけるR1〜R4がそれぞれ水素原子であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化及び高効率化を達成することができる。
一般式（４）で表わされる化合物は、以下の一般式（５）で表わされる化合物であってもよい。
Figure 0005848480
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（４）におけるL4及びL5がそれぞれ単結合であり、Ar8がフェニル基であり、mが１であり、nが０であり、ジベンゾヘテロール基の４位がm−フェニレン基と結合することにより、ジベンゾヘテロール基の高電子密度部位が置換されることで材料が安定化し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化及び高効率化を達成することができる。
一般式（３）で表わされる化合物は、以下の一般式（６）で表わされる化合物であってもよい。
Figure 0005848480
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（３）におけるR5〜R8がそれぞれ水素原子であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化及び高効率化を達成することができる。
一般式（６）で表わされる化合物は、以下の一般式（７）で表わされる化合物であってもよい。
Figure 0005848480
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（６）におけるL4及びL5がそれぞれ単結合であり、Ar8がフェニル基であり、mが１であり、nが０であり、ジベンゾヘテロール基の４位がp−フェニレン基と結合することにより、ジベンゾヘテロール基の高電子密度部位が置換されることで材料が安定化し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化及び高効率化を達成することができる。
本発明の一実施形態によると、前記何れか一の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を発光層と陽極との間に配置された積層膜のうちの少なくも一層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む第１の層が前記発光層に隣接して配置されてもよい。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１の層を発光層に隣接して配置することにより、第１の層と陽極との間に位置する正孔輸送性の層を発光層で消費されなかった電子から保護することができ、発光層で発生した励起状態のエネルギーが正孔輸送性の層に拡散することを防止し、さらに素子全体の電荷バランスを整えることができるため、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。
本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記積層膜は、ＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下である電子受容性化合物を含む第２の層を有し、前記第２の層は、前記陽極と前記第１の層との間に配置されてもよい。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、第２の層を含むことにより、陽極からの正孔注入性を向上させることができ、発光効率の向上を達成することができる。
本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記積層膜は、以下の一般式（９）で表わされるアミン誘導体を含む第３の層を有し、前記第３の層は、前記第１の層と前記第２の層との間に配置されてもよい。
Figure 0005848480
一般式（９）中、Ar9、Ar10及びAr11は置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar12は置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L7は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上１５以下のヘテロアリーレン基である。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔輸送性の層にカルバゾリル基を有する化合物を含むことにより、正孔輸送性及び通電耐久性を向上することができ、発光効率の向上及び長寿命化を達成することができる。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光層と陽極との間に配置される積層膜のうちの少なくとも一つの膜に前記何れかの有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いることにより、高い発光効率及び長寿命を実現することができる。特に、緑色〜青色発光領域において顕著な効果を得ることができる。
本発明によると、高発光効率及び長寿命を実現する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。特に、本発明によると、緑色〜青色発光領域において、発光層と陽極との間に配置された積層膜のうちの少なくも一層に用いる、高発光効率及び長寿命を実現する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、電子耐性の高い置換されたジベンゾヘテロール部位をアミンに導入することによって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いる層の高効率化及び長寿命化を実現することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができる。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００を示す概略図である。 本発明の別の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子２００を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子３００を示す概略図である。 本発明の別の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子４００を示す概略図である。
上述の問題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明者らは、電子耐性の高い置換されたジベンゾヘテロール部位をアミンに導入することによって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いる層の高効率化及び長寿命化を実現することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を達成することができることを見出した。
以下、図面を参照して本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。但し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、以下の一般式（１）で表される、置換されたジベンゾヘテロール部位が導入されたアミン化合物である。
Figure 0005848480
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、一般式（１）中、X1はOまたはSであり、Ar1及びAr2はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有する置換若しくは無置換のジベンゾヘテロール基、シリル基、ハロゲン原子、重水素原子又は水素原子であり、Ar3及びAr4はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、シリル基であり、L1及びL2はそれぞれ独立に単結合、又は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリーレン基及びシリル基の２価基からなる群より選択され、L3は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリーレン基及びシリル基の２価基からなる群より選択され、nは０以上３以下の整数であり、mは０以上４以下の整数であり、n＋m≧１である。
一般式（１）におけるAr1及びAr2に用いる環形成炭素数６以上３０以下のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基等を挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、Ar1及びAr2に用いる環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有するジベンゾヘテロール基としては、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基等が挙げれられる。
また、Ar1及びAr2に用いるシリル基としては、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基であってもよく、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
また、Ar1及びAr2に用いるハロゲン原子としては、フッ素原子（F）、塩素原子（Cl）、臭素原子（Br）であってもよい。
一般式（１）におけるAr1及びAr2としては、環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は水素原子が好ましい。
一般式（１）におけるAr3及びAr4に用いる環形成炭素数６以上３０以下のアリール基としては、上述したAr1及びAr2に用いるアリール基と同一である。また、Ar3及びAr4に用いるシリル基としては、上述したAr1及びAr2に用いるシリル基と同一である。
一般式（１）におけるL1〜L3に用いる２価の連結基のうち、環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フルオレニレン基、トリフェニレン基等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
また、L1〜L3に用いる２価の連結基のうち、シリル基の２価基としては、ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基が挙げられる。
Ar1及びAr2に用いるアリール基、酸素原子或は硫黄原子を含有するジベンゾヘテロール基、シリル基と、Ar3及びAr4に用いるアリール基、シリル基と、L1〜L3に用いるアリーレン基との置換基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基が挙げられ、好ましくはフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基である。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、アミンの窒素原子（N）にL3を介して置換されたジベンゾヘテロール部位が導入されている。置換されたジベンゾヘテロールは電子耐性が高いため、発光層において消費されなかった電子による材料の劣化を抑制することができる。また、ジベンゾヘテロールが置換基を有しているため、材料のアモルファス性が向上して電荷の移動度が高くなる。そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化及び高効率化を達成することができる。
また、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（１）におけるL3にm−フェニレン基またはp−フェニレン基が含まれることが好ましい。即ち、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、以下の一般式（２）または（３）で表されるアミン化合物であることが好ましい。
Figure 0005848480
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、一般式（２）中、X2はOまたはSであり、Ar5及びAr6はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有する置換若しくは無置換のジベンゾヘテロール基、シリル基、ハロゲン原子、重水素原子又は水素原子であり、Ar7及びAr8はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、シリル基であり、L4及びL5はそれぞれ独立に単結合、又は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリーレン基及びシリル基の２価基からなる群より選択され、L6は単結合、又は環形成炭素数６以上２４以下の置換若しくは無置換のアリール基及びシリル基からなる群より選ばれた２価の基であり、R1〜R8はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、環形成炭素数５以上３０以下の置換若しくは無置換のヘテロアリール基、炭素数１以上１５以下のアルキル基、シリル基、ハロゲン原子、水素原子又は重水素原子であり、nは０以上３以下の整数であり、mは０以上４以下の整数であり、n＋m≧１である。
一般式（２）及び（３）におけるAr5及びAr6に用いる環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有するジベンゾヘテロール基、シリル基、ハロゲン原子としては、一般式（１）で表わされる化合物におけるAr1及びAr2に用いる環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有するジベンゾヘテロール基、シリル基、ハロゲン原子と同一である。
一般式（２）及び（３）におけるAr5及びAr6としては、環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は水素原子が好ましい。
一般式（２）及び（３）におけるAr7及びAr8に用いる環形成炭素数６以上３０以下のアリール基としては、一般式（１）で表わされる化合物におけるAr1及びAr2に用いるアリール基と同一である。また、Ar3及びAr4に用いるシリル基としては、一般式（１）で表わされる化合物におけるAr1及びAr2に用いるシリル基と同一である。
一般式（２）及び（３）におけるL4及びL5に用いる環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基及びシリル基の２価基としては、一般式（１）で表わされる化合物におけるL1〜L3に用いるアリーレン基及びシリル基の２価基と同一である。
一般式（２）及び（３）におけるL6に用いる環形成炭素数６以上２４以下のアリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フルオレニレン基、トリフェニレン基等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
また、L6に用いるシリル基の２価基としては、一般式（１）で表わされる化合物におけるL1〜L3に用いるシリル基の２価基と同一である。
一般式（２）及び（３）におけるR1〜R8に用いる環形成炭素数６以上３０以下のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基等を挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、R1〜R8に用いる環形成炭素数５以上３０以下のヘテロアリール基としては、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
また、R1〜R8に用いる炭素数１以上１５以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、R1〜R8に用いるシリル基としては、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基であってもよく、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
また、R1〜R8に用いるハロゲン原子としては、フッ素原子（F）、塩素原子（Cl）、臭素原子（Br）であってもよい。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（１）におけるL3にm−フェニレン基またはp−フェニレン基が含まれることが好ましい。一般式（２）または（３）で表わされる本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、アミンに直接又はL6を介して結合するフェニレン基のm位またはp位にジベンゾヘテロール部位が導入されることによって、分子の対称性が崩れ、材料のアモルファス性がさらに向上する。そのため、電荷の移動度が高くなり、有機エレクトロルミネッセンス素子のさらなる長寿命化及び高効率化を実現することができる。
また、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（２）におけるR1〜R4がそれぞれ水素原子であることが好ましい。即ち、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、以下の一般式（４）で表されるアミン化合物であることが好ましい。
Figure 0005848480
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（２）におけるR1〜R4がそれぞれ水素原子であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化及び高効率化を達成することができる。
また、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（４）におけるL4及びL5がそれぞれ単結合であり、Ar8がフェニル基であり、mが１であり、nが０であり、ジベンゾヘテロール基の４位がm−フェニレン基と結合していることが好ましい。即ち、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、以下の一般式（５）で表されるアミン化合物であることが好ましい。
Figure 0005848480
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（４）におけるL4及びL5がそれぞれ単結合であり、Ar8がフェニル基であり、mが１であり、nが０であり、ジベンゾヘテロール基の４位がm−フェニレン基と結合している。ジベンゾヘテロール基の４位は高電子密度部位であり、反応性が高い。この反応性が高いジベンゾヘテロール基の４位が置換されることによって、化合物が安定化する。そのため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いる層の長寿命化を実現することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子のさらなる長寿命化を達成することができる。
また、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（３）におけるR5〜R8がそれぞれ水素原子であることが好ましい。即ち、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、以下の一般式（６）で表されるアミン化合物であることが好ましい。
Figure 0005848480
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（３）におけるR5〜R8がそれぞれ水素原子であることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化及び高効率化を達成することができる。
また、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（６）におけるL4及びL5がそれぞれ単結合であり、Ar8がフェニル基であり、mが１であり、nが０であり、ジベンゾヘテロール基の４位がp−フェニレン基と結合していることが好ましい。即ち、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、以下の一般式（７）で表されるアミン化合物であることが好ましい。
Figure 0005848480
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一般式（６）におけるL4及びL5がそれぞれ単結合であり、Ar8がフェニル基であり、mが１であり、nが０であり、ジベンゾヘテロール基の４位がp−フェニレン基と結合していることにより、化合物が安定化する。そのため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いる層の長寿命化を実現することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子のさらなる長寿命化を達成することができる。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
Figure 0005848480
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本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層と陽極との間に配置された積層膜のうちの少なくとも一層に用いることができる。上述したように、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、アミンの窒素原子（N）に電子耐性が高い置換されたジベンゾヘテロール部位が連結基を介して導入されている。これにより、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いる層の電子耐性が向上し、耐久性が向上され、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することができる。また、ジベンゾヘテロールが置換基を有しているため、材料のアモルファス性が向上して電荷の移動度が高くなり、高い発光効率を実現することができる。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層と陽極との間に配置された積層膜のうち、発光層に隣接していることが好ましい。電子耐性を有する本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層が発光層に隣接して配置されることにより、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層と陽極との間に配置される層の電子による劣化を効果的に抑制することができる。
（有機エレクトロルミネッセンス素子１）
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の一例について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００を示す概略図である。有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、例えば、基板１０２、陽極１０４、正孔注入層１０６、正孔輸送層１０８、発光層１１０、電子輸送層１１２、電子注入層１１４及び陰極１１６を備える。一実施形態において、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、発光層と陽極との間に配置された積層膜のうちの少なくとも一層に用いることができる。
ここでは一例として、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を正孔輸送層１０８に用いる場合について説明する。
基板１０２は、例えば、透明ガラス基板や、シリコン等から成る半導体基板樹脂等のフレキシブルな基板であってもよい。
陽極（Anode）１０４は、基板１０２上に配置され、酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（IZO）等を用いて形成することができる。
正孔注入層（HIL）１０６は、陽極１０４上に10nm以上150nm以下の厚さで公知の材料を用いて形成することができる。例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（PPBI）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（DNTPD）、銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（m-MTDATA）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（NPB）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（TDATA）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（2-TNATA）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（PANI/DBSA）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（PEDOT/PSS）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（PANI/CSA）、又は、ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（PANI/PSS）等を含んでもよい。
正孔輸送層（HTL）１０８は、正孔注入層１０６上に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いて10nm以上150nm以下の厚さで形成される。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む正孔輸送層１０８は、真空蒸着により形成される。
発光層（EL）１１０は、正孔輸送層１０８上に、公知のホスト材料を用いて厚さ10nm以上60nm以下で形成される。発光層１１０に用いられる公知のホスト材料として、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Alq3）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカバゾール−ビフェニル（CBP）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（PVK）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ADN）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（TCTA）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（TPBI）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（TBADN）、ジスチリルアリーレン（DSA）、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（dmCBP）が挙げられる。発光層１１０に用いられるホスト材料としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フルオラレンテン誘導体、クリセン誘導体、ベンゾアントラセン誘導体及びトリフェニレン誘導体から選択されることが好ましい。特に、発光層１１０は、アントラセン誘導体又はピレン誘導体を含有することが好ましい。発光層１１０に用いるアントラセン誘導体としては、以下の一般式（８）で示される化合物が挙げられる。
Figure 0005848480
式（８）中、R11〜R20は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上３０以下のヘテロアリール基、炭素数１以上１５以下のアルキル基、シリル基、ハロゲン原子、水素原子あるいは重水素原子である。また、g及びhは０以上５以下の整数である。なお、隣接した複数のR11〜R20は結合し、飽和若しくは不飽和の環を形成してもよい。
R11〜R20に用いる置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上３０以下のヘテロアリール基としては、ベンゾチアゾリル基、チオフェニル基、チエノチオフェニル基、チエノチエノチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、キノリニル基、キノキサリル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
R11〜R20に用いる置換若しくは無置換の環形成炭素数１以上３０以下のヘテロアリール基としては、ベンゾチアゾリル基、チオフェニル基、チエノチオフェニル基、チエノチエノチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、キノリニル基、キノキサリル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
また、R11〜R20に用いる炭素数１以上１５以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層１１０に用いるアントラセン誘導体は、一例として、以下の構造式により示された物質である。
Figure 0005848480
Figure 0005848480
発光層１１０はドーパント材料として、スチリル誘導体（例えば、1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene（BCzVB）、4-(di-p-tolylamino)-4’-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene（DPAVB）、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalene-2-yl)vinyl)phenyl-N-phenylbenzenamine（N-BDAVBi））、ペリレンおよびその誘導体（例えば、2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene（TBPe）、ピレンおよびその誘導体（例えば、1,1-dipyrene、1,4-dipyrenylbenzene、1,4-Bis(N,N-Diphenylamino)pyrene）等のドーパントを含んでもよいが、これらに限定されるわけではない。
電子輸送層（ETL）１１２は、発光層１１０上に15nm以上50nm以下の厚さで、例えば、Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium（Alq3）や含窒素芳香環を有する材料（例えば、1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzeneといったピリジン環を含む材料や、2,4,6-tris(3’-(pyridine-3-yl)biphenyl-3-yl)1,3,5-triazineといったトリアジン環を含む材料、2-(4-N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthraceneといったイミダゾール誘導体を含む材料）を含む材料により形成される。
電子注入層（EIL）１１４は、電子輸送層１１２上に0.3nm以上9nm以下の厚さで、例えば、フッ化リチウム（LiF）、リチウム−８−キノリナート（Liq）等を含む材料により形成される。
陰極（Cathode）１１６は、電子注入層１１４上に配置され、アルミニウム（Al）や銀（Ag）、リチウム（Li）、マグネシウム（Mg）、カルシウム（Ca）等の金属、これらの混合物、及び酸化インジウムスズ（ITO）及びインジウム亜鉛酸化物（IZO）等の透明材料により形成される。
以上に述べた本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００を構成する各電極及び各層は、真空蒸着、スパッタ、各種塗布など材料に応じた適切な成膜方法を選択することにより、形成することができる。尚、上述したように、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いて形成される正孔輸送層１０８は、真空蒸着により形成される。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００においては、上述した本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いることにより、長寿命化と高効率化を実現可能な正孔輸送層を形成することができる。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子１００においては、上述した本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は正孔注入層の材料として用いられてもよい。上述したように、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、発光層と陽極との間に配置された積層膜のうちの少なくとも一層に用いることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を実現することができる。
（有機エレクトロルミネッセンス素子２）
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた別の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。図２は、本発明の別の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子２００を示す概略図である。尚、図２において、図１に示した有機エレクトロルミネッセンス素子１００と同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
有機エレクトロルミネッセンス素子２００は、基板１０２、陽極１０４、正孔輸送帯域２０１、発光層１１０、電子輸送層１１２、電子注入層１１４及び陰極１１６を備える。正孔輸送帯域２０１は、少なくとも、陽極側に配置された第１の層２０３と、第１の層２０３と発光層１１０との間に配置され、発光層１１０に隣接した第２の層２０７と、を含む。また、正孔輸送帯域２０１において、陽極１０４と第２の層２０７との間に第３の正層２０５が配置されてもよい。第３の層２０５の位置は特に限定されないが、第１の層２０３と第２の層２０７との間に配置されることが好ましい。尚、正孔輸送帯域２０１において、第１の層２０３と第３の層２０５との間、及び第３の層２０５と第２の層２０７との間に、他の正孔輸送性の層が配置されてもよい。有機エレクトロルミネッセンス素子２００において、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、発光層１１０に隣接する第２の層２０７に好適に用いられる。
正孔輸送帯域２０１の陽極側に配置された第１の層２０３は、ＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下である電子受容性化合物を含む。第１の層２０３は、該電子化合物がドープされた正孔輸送性化合物から構成されてもよく、該電子化合物のみから構成されてもよい。電子受容性化合物は、一例として、以下のａｃ１〜ａｃ１４の構造式により示された化合物である。但し、本発明に係る電子受容性化合物は以下に限定されるわけではない。
Figure 0005848480
以上の電子受容性化合物ａｃ１〜ａｃ１４において、Rは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のフッ化アルキル基、シアノ基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、炭素数１以上１０以下のアルキル基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基である。ただし、同一分子内で全てが水素原子、重水素原子又はフッ素原子で置換されることはない。Arはそれぞれ独立的に、電子吸引性の置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上３０以下のヘテロアリール基である。Yはメチン基（-CH=）又は窒素原子（-N=）である。Zは擬ハロゲン又は硫黄原子（S）である。Xは以下に示すＸ１〜Ｘ７の置換基の何れかである。
Figure 0005848480
ここで、Raは水素原子、重水素原子ハロゲン原子、炭素数１以上１０以下のフッ化アルキル基、シアノ基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、炭素数１以上１０以下のアルキル基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上３０以下のヘテロアリール基である。
R、Ar、Raが示す置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数３以上３０以下のヘテロアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
R、Raが示す炭素数１以上１０以下のフッ化アルキル基の例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタデカフルオロオクタン基等のパーフルオロアルキル基、またはモノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリイフルオロエチル基、テトラフルオロプロピル基、オクタフルオロペンチル基などが挙げられる。
R、Raが示す炭素数１以上１０以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
R、Raが示す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
R、Raが示すハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
ここで、該電子受容性化合物が、他の正孔輸送性化合物にドープされる場合、第１の層１２１に含まれる正孔輸送性化合物としては、既知の正孔輸送性化合物を用いることができる。既知の正孔輸送性化合物としては、特に限定されるわけではないが、カルバゾリル基を有する化合物を用いることが好ましい。カルバゾリル基を有する正孔輸送性化合物としては、例えば、以下の一般式（９）で表わされるアミン誘導体であってもよい。
Figure 0005848480
一般式（９）中、Ar9、Ar10及びAr11は置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar12は置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L7は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上１５以下のヘテロアリーレン基である。
Ar9〜Ar11として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、ピラニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、およびジベンゾチエニル基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などを挙げることができる。
Ar12としては、アリール基及びヘテロアリール基はAr9〜Ar11として具体的に挙げた官能基と同様であり、アルキル基は好ましくはメチル基又はエチル基である。
L7は、単結合のほか、具体的には、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、フルオリレン基、インダンジイル基、ピレンジイル基、アセナフテンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、ピリジンジイル基、ピランジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、インドールジイル基、カルバゾールジイル基、ベンゾオキサゾールジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、キノキサリンジイル基、ベンゾイミダゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基を挙げることができる。好ましくは、フェニレン基、ターフェニレン基、フルオレンジイル基、カルバゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基などを挙げることができる。
一般式（９）で表される化合物は、一例として、以下の構造式により示された化合物である。但し、一般式（９）で表される化合物は以下に限定されるわけではない。
Figure 0005848480
Figure 0005848480
Figure 0005848480
また、正孔輸送帯域２０１における、第３の層２０５は、前記一般式（９）で表わされる化合物を含んでもよい。第３の層２０５に含まれる一般式（９）で表わされる化合物は、上述した化合物２７０乃至化合物２８５であってもよい。
以上に述べた本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子２００を構成する各電極及び各層は、真空蒸着、スパッタ、各種塗布など材料に応じた適切な成膜方法を選択することにより、形成することができる。尚、上述したように、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いて形成される第２の層２０７は、真空蒸着により形成される。
有機エレクトロルミネッセンス素子２００においては、正孔輸送帯域２０１において、陽極１０４側にＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下である電子受容性化合物を含む第１の層２０３を少なくとも一層配置し、発光層１１０に隣接して、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む第２の層２０７を少なくとも一層配置する。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子２００は、電子耐性が高く、アモルファス性が向上された、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が、正孔輸送帯域２０１における、発光層１１０に隣接して配置された正孔輸送性の第２の層２０７に含まれることにより、発光層１１０で消費されなかった電子から陽極１０４と第２の層２０７との間の正孔輸送性の層を保護することができる。また、発光層１１０で発生した励起状態のエネルギーが陽極１０４と第２の層２０７との間の正孔輸送性の層に拡散することを防止し、有機エレクトロルミネッセンス素子２００全体の電荷バランスを整えることができる。さらに、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む第２の層２０７が発光層１１０に隣接して配置されることにより、第１の層２０３に含まれる電子受容性化合物が発光層１１０に拡散することを抑制することができる。
第２の層２０７に含まれる本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料としては、一般式（１）におけるジベンゾヘテロール部位がジベンゾフランであり、L3にm−フェニレン基またはp−フェニレン基が含まれ、且つアミン部位にナフチル基、ビフェニル基、ナフチルフェニル基が置換されている化合物が好ましい。第２の層２０７に含まれる本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料としては、特に、一般式（４）または（６）で表わされ、アミン部位にナフチル基、ビフェニル基、ナフチルフェニル基が置換されている化合物が好ましい。
有機エレクトロルミネッセンス素子２００においては、電子受容性化合物を含む第１の層２０３が、陽極１０４側、特に陽極１０４に隣接して配置されることが好ましい。陽極１０４に隣接して電子受容性化合物を含む層を配置することにより、陽極１０４からの正孔注入性を向上させることができる。また、一般式（９）で表される、カルバゾリル基を有する正孔輸送性化合物が第１の層２０３に含まれる場合、電荷輸送性及び通電耐久性を向上することができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子２００においては、一般式（９）で表される、カルバゾリル基を有する化合物を含む第３の層２０５が、第１の層２０３よりも発光層１１０側に配置されることが好ましい。正孔輸送帯域２０１にカルバゾリル基を有する化合物を含むことにより、電荷輸送性及び通電耐久性を向上することができる。また、第３の層２０５が一般式（９）で表される化合物を含むことにより、発光層１１０で消費されなかった電子から陽極１０４と第３の層２０５との間にある正孔輸送性の層を保護するとともに、発光層１１０で発生した励起状態のエネルギーが陽極１０４と第３の層２０５との間にある正孔輸送性の層に拡散するのを防止することができる。また、カルバゾリル基を有するアミン誘導体である一般式（９）で表される化合物は、第１の層２０３に含まれる電子受容性化合物が発光層１１０に拡散することを抑制する。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子２００においては、上述した本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を発光層１１０に隣接する第２の層２０７の材料として用い、さらに、電子受容性化合物を第１の層２０３を陽極側１０４に配置し、第１の層２０３と第２の層２０７との間に一般式（９）で表わされる化合物を含む第３の層２０５を配置することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の高効率化及び長寿命化を実現することができる。
尚、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、TFTを用いたアクティブマトリクスの有機エレクトロルミネッセンス発光装置にも適用することができる。
（製造方法）
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物１７の合成方法
（化合物Aの合成）
まず、以下に示す化合物Aを合成した。Ar雰囲気下で、2LのフラスコにN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-N-(4-bromophenyl)-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを53.8g、Pd(dppf)Cl2・CH2Cl2を6.46g、KOAcを33.3g、及びBis(pinacolato)diboronを33.0g入れ、750mLのDioxane溶媒中で真空脱気後に100℃で12時間攪拌した。その後溶媒留去し、CH2Cl2と水を加え、有機相を分取し、硫酸マグネシウム及び活性白土を加えた後に、吸引ろ過し溶媒留去を行った。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン／ヘキサンの混合溶媒を使用）で精製を行い、白色固体の化合物Aを56.8g（収率98％）得た。FAB-MS測定によって測定された化合物Aの分子量は523であった。
Figure 0005848480
（化合物Bの合成）
次に、以下に示す化合物Bを合成した。Ar雰囲気下、300mLの三つ口フラスコに、化合物Aを10.0g、1-iodo-3-bromobenzeneを6.00g、Pd(PPh3)4を1.54g、及び炭酸カリウムを5.25g加えて、トルエン450mL及び水60mLの混合溶媒中で90℃で8時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物Bを9.29g（収率88％）得た。FAB-MS測定によって測定された化合物Bの分子量は553であった。
Figure 0005848480
（化合物Cの合成）
次に以下に示す化合物Cを合成した。N-[1,1'-biphenyl]-4-yl-N-(4-bromophenyl)-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの代わりに化合物Bを4.00g使用したこと以外は、上述の化合物Aの合成と同様な方法で薄黄色固体の化合物Cを4.12g（収率95%）得た。FAB-MS測定によって測定された化合物Cの分子量は599であった。
Figure 0005848480
（化合物Dの合成）
次に以下に示す化合物Dを合成した。Ar雰囲気下、300mLの三つ口フラスコに、化合物Cを2.70g、4,6-dibromodibenzofuranを3.70g、Pd(PPh3)4を0.34g、炭酸カリウムを1.25g加えて、トルエン50mL及び水20mLの混合溶媒中で90℃で8時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物Dを1.78g（収率55％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物Dの分子量は686であった。
Figure 0005848480
（化合物１７の合成）
次に、Ar雰囲気下、300mLの三つ口フラスコに、化合物Dを7.18g、フェニルボロン酸を2.10g、Pd(PPh3)4を1.14g、炭酸カリウムを3.55gを加えて、トルエン150mL及び水60mLの混合溶媒中で90℃で8時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物１７を6.79g（収率95％）得た。
Figure 0005848480
FAB−MS測定により測定された化合物１７の分子量は、７１５であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物１７のケミカルシフト値δは、７．８５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８０Ｈｚ）、７．８１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９０Ｈｚ）、７．７０（ｓ，１Ｈ）、７．５８−７．５０（ｍ，１９Ｈ）、７．４８−７．４１（ｍ，７Ｈ）、６．６９−６．６５（ｍ，６Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物５の合成方法
以上に述べた化合物１７の合成方法において、4,6-dibromodibenzofuranの代わりに4,6-dibromodibenzothiopheneを用いたこと以外は化合物１７の合成方法と同様に化合物５を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物５の分子量は、７３２であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物５のケミカルシフト値δは、７．８９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９０Ｈｚ）、７．８３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．７０Ｈｚ）、７．７２（ｓ，１Ｈ）、７．６８−７．５５（ｍ，１９Ｈ）、７．４８−７．４１（ｍ，７Ｈ）、６．７１−６．６７（ｍ，６Ｈ）であった。以上の結果より、合成された白色固体は、化合物５であることが同定された。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物７７の合成方法
以上に述べた化合物１７の合成方法において、4,6-dibromodibenzofuranの代わりに2,8-dibromodibenzothiopheneを用いたこと以外は化合物１７の合成と同様に化合物７７を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物７７の分子量は、７３２であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物７７のケミカルシフト値δは、７．８０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９０Ｈｚ）、７．７３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．７０Ｈｚ）、７．７０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９０Ｈｚ）、７．７９（ｓ，１Ｈ）、７．６４−７．５５（ｍ，１７Ｈ）、７．４８−７．４１（ｍ，７Ｈ）、６．７１−６．６７（ｍ，６Ｈ）であった。以上の結果より、合成された白色固体は、化合物７７であることが同定された。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物８９の合成方法
以上に述べた化合物１７の合成方法において、4,6-dibromodibenzofuranの代わりに2,8-dibromodibenzofuranを用いたこと以外は化合物１７の合成と同様に化合物８９を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物８９の分子量は、７１５であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物８９のケミカルシフト値δは、７．８２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８４Ｈｚ）、７．７８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９０Ｈｚ）、７．７０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８８Ｈｚ）、７．６８（ｓ，１Ｈ）、７．６６−７．５７（ｍ，１７Ｈ）、７．５１−７．４１（ｍ，７Ｈ）、６．６８−６．６４（ｍ，６Ｈ）であった。以上の結果より、合成された白色固体は、化合物８９であることが同定された。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物１４１の合成方法
以上に述べた化合物１７の合成方法において、4 6-dibromodibenzofuranの代わりに3,7-dibromodibenzofuranを用いたこと以外は化合物１７の合成と同様に化合物１４１を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物１４１の分子量は、７１５であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物１４１のケミカルシフト値δは、７．９５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８０Ｈｚ）、７．７５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．７０Ｈｚ）、７．７０（ｓ，１Ｈ）、７．６４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９０Ｈｚ）、７．５７−７．５１（ｍ，１９Ｈ）、７．４８−７．４０（ｍ，５Ｈ）、６．７２−６．６５（ｍ，６Ｈ）であった。以上の結果より、合成された白色固体は、化合物１４１であることが同定された。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２１３の合成方法
（化合物Fの合成）
まず、以下に示す化合物Fを合成した。Ar雰囲気下、1000mLの三つ口フラスコに、化合物Eを30.0g、4-(4,4,5,5-Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)anilineを16.4g、Pd(PPh3)4を4.34g、K3PO4を31.8 g加えて、トルエン400mL及び水70mLの混合溶媒中で80℃で8時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／アセトニトリル混合溶媒で再結晶を行い、黄色固体の化合物Fを27.7g（収率90％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物Fの分子量は、４１１であった。
Figure 0005848480
（化合物Gの合成）
次に、以下に示す化合物Gを合成した。Ar雰囲気下、1000mLの三つ口フラスコに、化合物Fを25.0gと4-Bromobiphenylを14.2g、Pd2(dba)3を1.99g、トリ-tert-ブチルホスフィンを1.20g、NaOtBuを8.89gを加えて、300mLトルエンの混合溶媒中で8時間加熱還流攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、黄色固体の化合物Gを17.5g（収率51％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物Gの分子量は、５６４であった。
Figure 0005848480
（化合物２１３の合成）
次に、Ar雰囲気下、200mLの三つ口フラスコに、化合物Gを4.00gと1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンを2.0g、Pd2(dba)3を0.31g、トリ-tert-ブチルホスフィンを0.52g、NaOtBuを1.09gを加えて、60mLトルエンの混合溶媒中で6時間加熱還流攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、黄色固体の化合物２１３を4.025g（収率74％）得た。
Figure 0005848480
FAB−MS測定により測定された化合物２１３の分子量は、７６６であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２１３のケミカルシフト値δは、８．３１（ｓ，１Ｈ）、８．１６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．１０Ｈｚ）、７．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．００Ｈｚ）、７．９６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２０Ｈｚ）、７．９６−７．８８（ｍ，３Ｈ）、７．８７−７．８２（ｍ，２Ｈ）、７．７３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１０Ｈｚ）、７．６７−７．５３（ｍ，１０Ｈ）、７．５１−７．４２（ｍ，９Ｈ）、７．３７−７．２５（ｍ，１０Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物１６９の合成
以上に述べた化合物１７の合成方法における化合物Dの合成において、化合物Cの代わりに化合物Aを用いて中間体を合成し、該中間体を用いて化合物１７の合成と同様に化合物１６９を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物１６９の分子量は、６４０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物１６９のケミカルシフト値δは、８．０１−７．８９（ｍ，６Ｈ）、７．６８−７．６１（ｍ，６Ｈ）、７．５６−７．４１（ｍ，１２Ｈ）、７．３９−７．２７（ｍ，９Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物１８１の合成
以上に述べた化合物１６９の合成方法における中間体の合成において、化合物Aの代わりにN,N-bis([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4'-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを用いたこと以外は化合物１６９の合成と同様に化合物１８１を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物１８１の分子量は、７１６であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物１８１のケミカルシフト値δは、８．０３−７．８５（ｍ，６Ｈ）、７．７１−７．６７（ｍ，８Ｈ）、７．５３−７．４０（ｍ，１４Ｈ）、７．３７−７．２９（ｍ，９Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２１６の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに1-ヨードナフタレンを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２１６を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２１６の分子量は、６９０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２１６のケミカルシフト値δは、８．２７（ｓ，１Ｈ）、８．０３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１０Ｈｚ）、７．９９−７．８８（ｍ，３Ｈ）、７．８６−７．７８（ｍ，４Ｈ）、７．７２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．８０Ｈｚ）、７．６２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．８０Ｈｚ）、７．５８−７．３８（ｍ，１６Ｈ）、７．３２−７．２２（ｍ，３Ｈ）、７．２０−７．０９（ｍ，５Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物１３の合成
（化合物Hの合成）
まず、以下に示す化合物Hを合成した。Ar雰囲気下、1000mLの三つ口フラスコに、化合物Eを29.0g、4-クロロフェニルボロン酸を13.4g、Pd(PPh3)4を3.14g、K2CO3を38.8g加えて、トルエン300mL及び水60mLの混合溶媒中で80℃で4時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／アセトニトリル混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物Hを28.2g（収率90％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物Hの分子量は、４３０であった。
Figure 0005848480
（化合物１３の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Hを用い、化合物Gの代わりにN-Phenyl-1-naphthylamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物１３を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物１３の分子量は、６１４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物１３のケミカルシフト値δは、８．２７−８．２６（２Ｈ，ｍ），８．０２−７．８９（６Ｈ，ｍ），７．８３−７．７８（２Ｈ，ｍ），７．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），７．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），７．５６−７．３９（１１Ｈ，ｍ），７．２７−７．２１（３Ｈ，ｍ），７．１４−７．０９（３Ｈ，ｍ）７．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），６．９７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２３の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに２−ブロモナフタレンを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２３を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２３の分子量は、６９０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２３のケミカルシフト値δは、８．２５（ｓ，１Ｈ）、８．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１０Ｈｚ）、７．９９−７．８８（ｍ，３Ｈ）、７．８２−７．７５（ｍ，４Ｈ）、７．７３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．９０Ｈｚ）、７．６２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．８０Ｈｚ）、７．６０−７．４８（ｍ，１６Ｈ）、７．３２−７．２２（ｍ，３Ｈ）、７．１８−７．１１（ｍ，５Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物１７０の合成
（N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成）
まず、以下に示すN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを合成した。Ar雰囲気下、300mLの三つ口フラスコに、4-ブロモビフェニルを4.22gと1-(4-アミノフェニル)ナフタレンを4.05g、(DPPF)PdCl2を0.78 g、DPPFを1.60g、NaOtBuを1.77gを加えて、120mLのTHFの混合溶媒中で3時間加熱還流攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、黄色固体の目的物を6.31g（収率92％）得た。
Figure 0005848480
（化合物１７０の合成）
次に、Ar雰囲気下、200mLの三つ口フラスコに、化合物Iを3.59gとN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを2.71g、Pd2(dba)3を0.30g、トリ-tert-ブチルホスフィンを0.54g、NaOtBuを2.18gを加えて、65mLトルエンの混合溶媒中で4時間加熱還流攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、黄色固体の化合物１７０を4.19g（収率81％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物１７０の分子量は、６８９であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物１７０のケミカルシフト値δは、８．０１−７．９２（ｍ，７Ｈ）、７．６９−７．４２（ｍ，２０Ｈ）、７．３８−７．３３（ｍ，８Ｈ）であった。
Figure 0005848480
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２１７の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに１−ヨードナフタレンを用い、化合物Gの代わりに化合物Fを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２１７を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２１７の分子量は、６６４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２１７のケミカルシフト値δは、８．２４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．２Ｈｚ）、８．１１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）、７．９８−７．８４（ｍ，６Ｈ）、７．７８−７．６９（ｍ，４Ｈ）、７．６３−７．３１（ｍ，１５Ｈ）、７．２０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、６．９８（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）、６．７２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２１８の合成
（N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-phenyl-4-amineの合成）
まず、以下に示すN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-phenyl-4-amineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、4-ブロモビフェニルの代わりにブロモベンゼンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、２９５であった。
Figure 0005848480
（化合物２１８の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Hを用い、化合物Gの代わりにN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-phenyl-4-amineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２１８を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２１８の分子量は、６９０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２１８のケミカルシフト値δは、８．３１（Ｓ，１Ｈ）、８．０８−８．０２（ｍ，１Ｈ）、７．９９−７．７８（ｍ，７Ｈ）、７．７２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、７．６４−７．２１（ｍ，２４Ｈ）、７．０９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．２）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２２０の合成
（4-(1-naphthalenyl)-N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-benzenamineの合成）
まず、以下に示す4-(1-naphthalenyl)-N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-benzenamineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、4-ブロモビフェニルの代わりに1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、４２１であった。
Figure 0005848480
（化合物２２０の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Hを用い、化合物Gの代わりに4-(1-naphthalenyl)-N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-benzenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２２０を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２２０の分子量は、８１６であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２２０のケミカルシフト値δは、８．７８（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），８．７０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），８．２９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），８．２４（ｔ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７９（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７３−７．３８（ｍ，２０Ｈ），７．１８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），６．８９（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２２２の合成
（N-9-phenanthrenyl-9-phenanthrenamineの合成）
まず、以下に示すN-9-phenanthrenyl-9-phenanthrenamineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、4-ブロモビフェニルの代わりに９−ブロモフェナンスレン、また1-(4-アミノフェニル)ナフタレンの代わりに９−アミノフェナンスレンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、３６９であった。
Figure 0005848480
（化合物２２２の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Hを用い、化合物Gの代わりにN-9-phenanthrenyl-9-phenanthrenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２２２を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２２２の分子量は、７６４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２２２のケミカルシフト値δは、８．７８（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），８．７０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），８．２９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），８．２４（ｔ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７９（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７３−７．３８（ｍ，２０Ｈ），７．１８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，Ｈ），６．９８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），６．８９（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２２５の合成
（N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-1-Naphthalenamineの合成）
まず、以下に示すN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-1-Naphthalenamineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、4-ブロモビフェニルの代わりに1-ヨードナフタレンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、３４５であった。
Figure 0005848480
（化合物２２５の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Eを用い、化合物Gの代わりにN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-1-Naphthalenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２２５を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２２５の分子量は、６６４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２２５のケミカルシフト値δは、８．０８（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝８．１Ｈｚ）、７．９８−７．８４（ｍ、７Ｈ）、７．８３−７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．６４（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．５Ｈｚ）、７．５６（ｄ、１Ｈ、Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．５４−７．４３（ｍ、８Ｈ）、７．４３−７．３３（ｍ、６Ｈ）、７．２５（ｍ、３Ｈ）、７．１６（ｄ、２Ｈ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．１２（ｍ、１Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２２６の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Eを用い、化合物Gの代わりに4-(1-naphthalenyl)-N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-benzenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２２６を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２２６の分子量は、７４０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２２６のケミカルシフト値δは、８．０２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４）、７．９６−７．８１（ｍ，９Ｈ）、７．６９−７．５６（ｍ，３Ｈ）、７．５４−７．３０（ｍ，２３Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２２９の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Iを用い、化合物Gの代わりに1,1'-Dinaphthylamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２２９を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２２９の分子量は、５８８であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２２９のケミカルシフト値δは、８．１２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．７０Ｈｚ）、７．９５−７．８６（ｍ，６Ｈ）、７．７７−７．７３（ｍ，４Ｈ）、７．６５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２０，７．６０Ｈｚ）、７．５８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２０，７．６０Ｈｚ）、７．５２−７．４７（ｍ，２Ｈ）、７．４６−７．２８（ｍ，１１Ｈ）、６．８１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．００Ｈｚ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２３１の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Iを用い、化合物Gの代わりにN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-1-Naphthalenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２３１を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２３１の分子量は、６６４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２３１のケミカルシフト値δは、８．０９（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．０５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），８．００−７．８１（ｍ，１０Ｈ），７．６６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．６２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．６０−７．３３（ｍ，１５Ｈ），７．２９−７．２ （ｍ，４Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２３２の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Iを用い、化合物Gの代わりに4-(1-naphthalenyl)-N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-benzenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２３２を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２３２の分子量は、７４０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２３２のケミカルシフト値δは、８．１０（ｍ，２Ｈ）、７．９５−８．０５（ｍ，７Ｈ）、７．８７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９０Ｈｚ）、７．７０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ１＝１，２０Ｈｚ，Ｊ２＝３，７０Ｈｚ）、７．６７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ１＝１，２０Ｈｚ，Ｊ２＝３，７０Ｈｚ）、７．５８−７．３４（ｍ，２１Ｈ）、７．２４−７．２８（ｍ，２Ｈ）、７．１７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１０Ｈｚ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２４３の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに1-(3-ブロモフェニル)ナフタレンを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２４３を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２４３の分子量は、７６６であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２４３のケミカルシフト値δは、８．２９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．２Ｈｚ）、８．０１−７．８１（ｍ，８Ｈ）、７．７３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６２Ｈｚ）、７．６６−７．４０（ｍ，１８Ｈ）、７．３５−７．２８（ｍ，８Ｈ）、７．２２−７．１６（ｍ，３Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２４４の合成
（N-[1,1'-biphenyl]-4-yl-9-phenanthrenamineの合成）
まず、以下に示すN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-9-phenanthrenamineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、1-(4-アミノフェニル)ナフタレンの代わりに９−アミノフェナンスレンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、３４５であった。
Figure 0005848480
（化合物２４４の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Hを用い、化合物Gの代わりにN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-9-phenanthrenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２４４を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２４４の分子量は、７４０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２４４のケミカルシフト値δは、８．７８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．７４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．２８（ｔ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ），８．１３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．７５−７．３６（ｍ，１９Ｈ），７．３４−７．１６（ｍ，６Ｈ），７．１１（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２４５の合成
（N-[1,1'-biphenyl]-4-yl-2-phenanthrenamineの合成）
まず、以下に示すN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-2-phenanthrenamineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、1-(4-アミノフェニル)ナフタレンの代わりに２−アミノフェナンスレンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、３４５であった。
Figure 0005848480
（化合物２４５の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Eを用い、化合物Gの代わりにN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-2-phenanthrenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２４５を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２４５の分子量は、６６４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２４５のケミカルシフト値δは、８．５６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．５２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．００−７．９１（ｍ，４Ｈ），７．８３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７７（ｔ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．７１−７．２４（ｍ，２５Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２４６の合成
（化合物Mの合成）
まず、以下に示す化合物Mを合成した。Ar雰囲気下、1000mLの三つ口フラスコに、化合物Eを29.0g、3-クロロフェニルボロン酸を13.4g、Pd(PPh3)4を3.14g、K2CO3を38.8g加えて、トルエン300mL及び水60mLの混合溶媒中で80℃で4時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／アセトニトリル混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物Mを28.2g（収率90％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物Mの分子量は、４３０であった。
Figure 0005848480
（化合物２４６の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Mを用い、化合物Gの代わりにN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２４６を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２４６の分子量は７６６であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２４６のケミカルシフト値δは、８．２８（ｓ、１Ｈ）、８．０５−７．８０（ｍ、８Ｈ）、７．７０（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝８．２Ｈｚ）、７．６２−７．２５（ｍ、２８Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２５１の合成
Ar雰囲気下、200mLの三つ口フラスコに、化合物Eを4.79gとN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを3.71g、Pd2(dba)3を0.40g、トリ-tert-ブチルホスフィンを0.72g、NaOtBuを2.90gを加えて、87mLトルエンの混合溶媒中で5時間加熱還流攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物２５１を5.50g（収率80％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物２５１の分子量は、６８９であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２５１のケミカルシフト値δは、８．００（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．９８−７．９３（ｍ，４Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．８３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），７．７９（ｔ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，１Ｈ），７．６８−７．６５（ｍ，２Ｈ），７．６２−７．５３（ｍ，３Ｈ），７．５２−７．２６ （ｍ，２２Ｈ）であった。
Figure 0005848480
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２３５の合成
（化合物Jの合成）
まず、以下に示す化合物Jを合成した。Ar雰囲気下、1000mLの三つ口フラスコに、化合物Eを27.6 g、4-クロロフェニルボロン酸を12.4g、Pd(PPh3)4を3.10g、K2CO3を37.8 g加えて、トルエン300mL及び水60mLの混合溶媒中で80℃で4時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／アセトニトリル混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物Jを26.8 g（収率90％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物Jの分子量は、４３０であった。
Figure 0005848480
（化合物２３５の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Jを用い、化合物Gの代わりに1,1'-Dinaphthylamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２３５を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２３５の分子量は、６６４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２３５のケミカルシフト値δは、８．２２−８．１５（４Ｈ，ｍ），８．０７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８０Ｈｚ），８．０３−７．９０（４Ｈ，ｍ），７．８１−７．６９（８Ｈ，ｍ），７．５０−７．３５（９Ｈ，ｍ），７．３７−７．２８ （６Ｈ，ｍ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２４２の合成
（化合物Kの合成）
まず、Ar雰囲気下、200mLの三つ口フラスコに、4-フェニルフェノールを8.51gと3-bromo-2-fluoro-benzonitrileを10.0g、炭酸カリウムを13.8g加えて、72mLのDMFの混合溶媒中で3時間加熱還流攪拌した。空冷後、水と酢酸エチルを加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物に水酸化ナトリウムを20.0g、ジオキサン140mL、エタノール140mL、水60mLの混合溶媒中で20時間加熱還流攪拌した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／エタノール混合溶媒で再結晶を行い、黄色固体の目的物（化合物K）を14.2g（収率77％）得た。
Figure 0005848480
（化合物Lの合成）
次に、Ar雰囲気下、30mLの二つ口フラスコに、化合物Kを6.80gとRh(acac)(cod)を0.343g、ヨウ化カリウムを1.53g加えて、5.22mLのAc2Oの溶媒中で160℃で10時間加熱攪拌した。空冷後、水とクロロホルムを加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、黄色固体の目的物（化合物L）を1.19g（収率20％）得た。
Figure 0005848480
（化合物２４２の合成）
次に、以下に示す化合物２４２を合成した。Ar雰囲気下、300mLの三つ口フラスコに、化合物Aを1.51g、化合物Lを0.85g、Pd(PPh3)4を1.54g、及び炭酸カリウムを1.65g加えて、トルエン20mL及び水5mLの混合溶媒中で90℃で8時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物２４２を1.48g（収率88％）得た。FAB-MS測定によって測定された２４２の分子量は６４０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２４２のケミカルシフト値δは、８．１５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２０Ｈｚ）、８．０１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１０Ｈｚ）、７．７９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝０．９０Ｈｚ）、７．７１−７．６８（ｍ，３Ｈ）、７．６５−７．５１（ｍ，１３Ｈ）、７．４７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８０Ｈｚ）、７．４３−７．２１（ｍ，１３Ｈ）であった。
Figure 0005848480
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２４８の合成方法
（化合物Nの合成）
まず、以下に示す化合物Nを合成した。Ar雰囲気下、300mLの三つ口フラスコに、ビフェニルボロン酸を1.02g、4,6-dibromodibenzofuranを3.70g、Pd(PPh3)4を0.24g、炭酸カリウムを1.00g加えて、トルエン50mL及び水20mLの混合溶媒中で90℃で8時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒を使用）で精製後、トルエン／ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、白色固体の化合物Nを1.08g（収率54％）得た。FAB−MS測定により測定された化合物Nの分子量は３９９であった。
Figure 0005848480
（化合物２４８の合成方法）
以上に述べた化合物Dの合成方法において、4,6-dibromodibenzofuranの代わりに化合物Nを用い、化合物Cの代わりに化合物Aを用いたこと以外は化合物Dの合成方法と同様に化合物２４８を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２４８の分子量は、７１６であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２４８のケミカルシフト値δは、８．０９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４０Ｈｚ）、８．０１−７．８９（ｍ，４Ｈ）、７．７４−７．７２（ｍ，３Ｈ）、７．６８−７．４２（ｍ，１７Ｈ）、７．３７−７．２１（ｍ，１１Ｈ）であった。以上の結果より、合成された白色固体は、化合物２４８であることが同定された。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２５３の合成
（N-[4-(2-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成）
まず、以下に示すN-[4-(2-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、1-(4-アミノフェニル)ナフタレンの代わりに2-(4-アミノフェニル)ナフタレンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、３７１であった。
Figure 0005848480
（化合物２５３の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Hを用い、化合物Gの代わりにN-[4-(2-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２５３を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２５３の分子量は、７６６であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２５３のケミカルシフト値δは、８．３２（ｔ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），８．０５（ｓ，１Ｈ），８．０２−７．９７（ｍ，２Ｈ），７．９６−７．８２（ｍ，６Ｈ），７．７８−７．７３（ｍ，２Ｈ），７．７２−７．５３（ｍ，１１Ｈ），７．５２−７．４１（ｍ，６Ｈ），７．３７−７．２４（ｍ，１０Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２５４の合成
（N-2-dibenzofuranyl-2-Dibenzofuranamineの合成）
まず、以下に示すN-2-dibenzofuranyl-2-Dibenzofuranamineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、4-ブロモビフェニルの代わりに３−ブロモジベンゾフラン、また1-(4-アミノフェニル)ナフタレンの代わりに３−アミノジベンゾフランを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、３４９であった。
Figure 0005848480
（化合物２５４の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Hを用い、化合物Gの代わりにN-2-dibenzofuranyl-2-Dibenzofuranamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２５４を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２５４の分子量は、６６８であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２５４のケミカルシフト値δは、７．９９−７．９５（ｍ，８Ｈ）、７．８３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．６６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．５４−７．２９（ｍ，１５Ｈ）、７．２３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２５６の合成
（N-[1,1'-biphenyl]-4-yl-1-Naphthalenamineの合成）
まず、以下に示すN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-1-Naphthalenamineを合成した。以上に述べたN-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amineの合成方法において、1-(4-アミノフェニル)ナフタレンの代わりに１−アミノナフタレンを用いたこと以外は同様な方法で合成した。FAB−MS測定により測定された分子量は、２９５であった。
Figure 0005848480
（化合物２５６の合成）
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Iを用い、化合物Gの代わりにN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-1-Naphthalenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２５６を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２５６の分子量は、６１４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２５６のケミカルシフト値δは、８．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５０Ｈｚ）、７．９０−７．８８（ｍ，５Ｈ）、７．８４−７．８０（ｍ，３Ｈ）、７．６８−７．３７（ｍ，１７Ｈ）、７．２９（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝９．１０，２．３０Ｈｚ）、７．２３−７．１５（ｍ，４Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２５７の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Eを用い、化合物Gの代わりにN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-[1,1'-Biphenyl]-4-amineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２５７を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２５７の分子量は、６４０であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２５７のケミカルシフト値δは、７．９５（ｍ、４Ｈ）、７．７４（ｍ、１Ｈ）、７．６６（ｍ、１Ｈ）、７．６４（ｍ、１Ｈ）、７．５８（ｍ、２Ｈ）、７．５５（ｍ、３Ｈ）、７．５４−７．１５（ｍ、２１Ｈ）であった。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、例えば、以下のように合成することができる。
化合物２５８の合成
以上に述べた化合物２１３の合成方法における、1-(4-ブロモフェニル)ナフタレンの代わりに化合物Eを用い、化合物Gの代わりにN-[1,1'-biphenyl]-4-yl-1-Naphthalenamineを用いたこと以外は化合物２１３の合成と同様に化合物２５８を合成した。FAB−MS測定により測定された化合物２５８の分子量は、６１４であった。また、1H−NMR(CDCl3)測定で測定された化合物２５８のケミカルシフト値δは、８．０１（ｄ，１Ｈ,Ｊ＝８．４４Ｈｚ）、７．９９−７．９０（ｍ，４Ｈ），７．８８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４４Ｈｚ），７．７７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．９２Ｈｚ），７．７１（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１．９８Ｈｚ），７．６４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２３，７．６１Ｈｚ），７．５７−７．２２（ｍ，１９Ｈ），７．１１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝９．１４，２．３９Ｈｚ），７．０４（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．１３，２．３１，１．００Ｈｚ）であった。
上述した化合物５、化合物１７、化合物７７、化合物８９、化合物１４１、化合物１６９、化合物１８１、化合物２１３及び化合物２１６を正孔輸送材料として用いて、上述した製造方法により、実施例１乃至９の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
Figure 0005848480
Figure 0005848480
また、比較例として、以下に示す比較例化合物Ｃ１〜Ｃ５を正孔輸送材料として用いて、比較例１乃至５の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
Figure 0005848480
実施例１〜９に係る有機エレクトロルミネッセンス素子３００を図３に示す。実施例１〜９においては、基板３０２には透明ガラス基板を用い、１５０ｎｍの膜厚のITOで陽極３０４を形成し、６０ｎｍの膜厚の2-TNATAで正孔注入層３０６を形成し、３０ｎｍの膜厚の正孔輸送層３０８を形成し、ADNにTBPを３％ドープした２５ｎｍの膜厚の発光層３１０を形成し、Alq3で２５ｎｍの膜厚の電子輸送層３１２を形成し、LiFで１ｎｍの膜厚の電子注入層３１４を形成し、Alで１００ｎｍの膜厚の陰極３１６を形成した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子３００について、駆動電圧及び半減寿命を評価した。なお、電圧及び発光効率は電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２における値を示し、半減寿命は初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減時間を示す。評価結果を表１に示す。
Figure 0005848480
表１の結果を参照すると、実施例１〜９は、比較例１〜５に比して長寿命を示し、発光効率が向上していることが認められた。実施例１〜９では、正孔輸送性のアミンに、電子耐性の高い置換されたジベンゾヘテロール部位を導入することで、正孔輸送層の電子耐性が向上され、長寿命化している。また、実施例１〜４では、アミンにm-フェニレン基及び置換されたジベンゾヘテロール基を置換することで分子対称性が崩れ、アモルファス性が向上し、高い素子効率を示している。また、実施例５〜９では、アミンにp-フェニレン基及び置換されたジベンゾヘテロール基を置換することでも、分子対称性が崩れ、アモルファス性が向上し、高い素子効率を示している。比較例１、比較例３、比較例４及び比較例５のように無置換のジベンゾヘテロール部位があると、ジベンゾヘテロールの高電子密度部位が置換基によって置換されていないため、材料の劣化が起きやすく、素子寿命が低下していると推測される。また、比較例１、比較例３及び比較例５では、比較例化合物C1、比較例化合物C3及び比較例化合物C5がジベンゾフラン上に置換基を有していないため、実施例１〜９に比してアモルファス性が十分でないことで、素子寿命が短かく、発光効率も低くなったと考えられる。比較例２では、カルバゾール部位を有することにより、正孔輸送層の電子受容性が増し、正孔輸送層に電子が溜まり素子寿命が低下していると考えられる。
表１の結果から、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を正孔輸送材料として用いた場合、比較例の化合物に比して長寿命及び高効率を示すことが認められた。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、アミンに置換されたジベンゾヘテロール部位を導入することにより、正孔輸送性を示すアミンの特性を維持しつつ、材料の電子耐性とアモルファス性を向上させ、高い発光効率及び長寿命を実現していることが分かる。
また、上述した化合物５、化合物１３、化合物１７、化合物２３、化合物７７、化合物８９、化合物１４１、化合物１６９、化合物１７０、化合物１８１、化合物２１３、化合物２１６、化合物２１７、化合物２１８、化合物２２０、化合物２２２、化合物２２５、化合物２２６、化合物２２９、化合物２３１、化合物２３２、化合物２３５、化合物２４２、化合物２４３、化合物２４４、化合物２４５、化合物２４６、化合物２４８、化合物２５１、化合物２５３、化合物２５４、化合物２５６、化合物２５７、及び化合物２５８を正孔輸送材料として用いて、上述した製造方法により、実施例１０乃至実施例４３の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
Figure 0005848480
Figure 0005848480
Figure 0005848480
Figure 0005848480
Figure 0005848480
図４は、実施例１０〜４３に係る有機エレクトロルミネッセンス素子４００を示す模式図である。実施例１０〜４３においては、１５０ｎｍの膜厚のITOで陽極４０４を形成した。陽極４０４上に１０ｎｍの膜厚の層を形成し、電子受容性化合物として構造式ａｃ１４で表される以下に示す化合物２８６をドープして正孔注入送層４０８としてＨＴＬ１を形成した。正孔注入送層４０８上に第１の正孔輸送層４１０として１０ｎｍの膜厚の化合物２７２でＨＴＬ２を形成した。また、第１の正孔輸送層４１０上に、上述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いて、１０ｎｍの膜厚のでＨＴＬ３を形成して第２の正孔輸送層４１２とした。続いて、ホスト材料として化合物ａ−７、発光材料（ドープ材料）として化合物２８７を共蒸着にて３％ドープし２５ｎｍの膜厚の発光層４１４を形成した。Alq3で２５ｎｍの膜厚の電子輸送層４１６を形成し、LiFで１ｎｍの膜厚の電子注入層４１８を形成し、Alで１００ｎｍの膜厚の陰極４２０を形成した。
Figure 0005848480
また、比較例として、比較例化合物Ｃ１〜Ｃ５を正孔輸送材料として用いて、比較例６乃至１０の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子４００について、駆動電圧及び半減寿命を評価した。なお、電圧及び発光効率は電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２における値を示し、半減寿命は初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減時間を示す。評価結果を表２に示す。
Figure 0005848480
表２の結果を参照すると、実施例１０〜４３は、比較例６〜１０に比して長寿命を示し、発光効率が向上していることが認められた。実施例１０〜４３では、正孔輸送性のアミンに、電子耐性の高い置換されたジベンゾヘテロール部位を導入した本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料から形成された第２の正孔輸送層４１２は、電子耐性が向上され、長寿命化している。また、第２の正孔輸送層４１２を発光層４１４に隣接して配置することで、発光層４１４で消費されなかった電子が第２の正孔輸送層４１２よりも陽極４０４側の正孔輸送帯域４０６に拡散されないため、正孔輸送帯域４０６の層を保護することができ、長寿命化に寄与する。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、アミンにm-フェニレン基が結合した化合物を用いた、基実施例１０〜１６、２０〜２７、３３〜３６、３８、３９、４２及び４３では、相対的により高い素子効率を示した。また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、アミンにp-フェニレン基が結合した化合物を用いた、実施例１７〜１９、２８〜３２、３７、４０、４１では、相対的により長寿命を示した。
比較例６、比較例８、比較例９及び比較例１０のように無置換のジベンゾヘテロール部位があると、ジベンゾヘテロールの高電子密度部位が置換基によって置換されていないため、材料の劣化が起きやすく、素子寿命が低下していると推測される。また、比較例６、比較例８及び比較例１０では、比較例化合物C1、比較例化合物C3及び比較例化合物C5がジベンゾフラン上に置換基を有していないため、実施例１０〜４３に比してアモルファス性が十分でないことで、素子寿命が短かく、発光効率も低くなったと考えられる。比較例７では、アミンがカルバゾール部位を有することにより、第２の正孔輸送層４１２の電子受容性が増し、第２の正孔輸送層４１２に電子が溜まり素子寿命が低下していると考えられる。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、アミンに置換されたジベンゾヘテロールを導入することにより、材料の電子耐性及びアモルファス性が向上される。そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子の高い発光効率及び長寿命を実現することができる。尚、本発明におけるに係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、広いエネルギーギャップを有しているため、赤色領域への適用することも可能である。
１００ 有機ＥＬ素子、１０２ 基板、１０４ 陽極、１０６ 正孔注入層、１０８ 正孔輸送層、１１０ 発光層、１１２ 電子輸送層、１１４ 電子注入層、１１６ 陰極、２００ 有機ＥＬ素子、２０１ 正孔輸送帯域、２０３ 第１の層、２０５ 第３の層、２０７ 第２の層

Claims (5)

  1. 以下の一般式（５）で表わされる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
    Figure 0005848480
    ［一般式（５）において、X 2 はOまたはSであり、Ar 5 及びAr 6 はそれぞれ独立に環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、環形成炭素数１０以上３０以下の酸素原子或は硫黄原子を含有する置換若しくは無置換のジベンゾヘテロール基、シリル基、ハロゲン原子、重水素原子又は水素原子であり、L 6 は単結合、又は環形成炭素数６以上２４以下の置換若しくは無置換のアリール基及びシリル基からなる群より選ばれた２価の基である。］
  2. 前記請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を発光層と陽極との間に配置された積層膜のうちの少なくも一層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む第１の層が前記発光層に隣接して配置された、請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 前記積層膜は、ＬＵＭＯ準位が−９．０ｅＶ以上−４．０ｅＶ以下である電子受容性化合物を含む第２の層を有し、
    前記第２の層は、前記陽極と前記第１の層との間に配置される、請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 前記積層膜は、以下の一般式（９）で表わされるアミン誘導体を含む第３の層を有し、前記第３の層は、前記第１の層と前記第２の層との間に配置される、請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005848480
    ［一般式（９）中、Ar9、Ar10及びAr11は置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０
    以下のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基であり、Ar12は置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上５０以下のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上５０以下のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１以上５０以下のアルキル基であり、L7は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６以上１８以下のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数５以上１５以下のヘテロアリーレン基である。］
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