JP5811108B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、制御端子の電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子と、スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込んで電荷を充電し、スイッチング素子をオンするオン駆動用回路とを備えた電子装置に関する。

従来、制御端子の電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子と、スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込んで電荷を充電し、スイッチング素子をオンするオン駆動用回路とを備えた電子装置として、例えば特許文献１に開示されているゲート駆動装置がある。

このゲート駆動装置は、ＩＧＢＴを駆動する装置である。ここで、ＩＧＢＴは、ゲートの電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子である。ゲート駆動装置は、オン定電流パルスゲート駆動回路を備えている。オン定電流パルスゲート駆動回路は、制御電源、及び、ＩＧＢＴのゲートに接続され、制御電源から電圧を供給され、ＩＧＢＴのゲートに定電流を流し込んで電荷を充電し、ＩＧＢＴをオンする回路である。

大電流容量のＩＧＢＴが必要な場合、複数の小電流容量ＩＧＢＴを並列接続して構成することがある。具体的には、複数の小電流容量ＩＧＢＴのコレクタを共通接続するとともに、エミッタを共通接続して構成する。ゲート駆動装置によって、複数の小電流容量ＩＧＢＴを並列接続して構成される大電流容量のＩＧＢＴを駆動する場合、オン定電流パルスゲート駆動回路が、複数の小電流容量ＩＧＢＴのゲートに接続される。

ところで、小電流容量ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間には、容量成分が存在する。また、複数の小電流容量ＩＧＢＴを並列接続する配線には、インダクタンス成分が存在する。そのため、一の小電流容量ＩＧＢＴのゲート、エミッタを経て、他の小電流容量ＩＧＢＴのエミッタ、ゲートに至る閉回路によってＬＣ共振回路が構成される。その結果、共振が発生してしまうという問題があった。従来、この共振を抑えるため、オン定電流パルスゲート駆動回路と小電流容量ＩＧＢＴのゲートの間に抵抗が接続されていた。これにより、閉回路を流れる電流を抑えることができる。その結果、共振を抑えることができる。

特開２００９−０１１０４９号公報

しかし、閉回路に流れる電流を抑えることで共振を抑えるため、抵抗の値を小さくするはできない。そのため、抵抗によって損失が増加してしまうという問題があった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、共振を抑えるとともに、オン駆動用回路とスイッチング素子の制御端子の間に接続されていた抵抗による損失を低減することができる電子装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するためになされた本発明は、制御端子の電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子と、駆動用電源回路、及び、スイッチング素子の制御端子に接続され、駆動用電源回路から電圧を供給され、スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込んで電荷を充電し、スイッチング素子をオンするオン駆動用回路と、を備えた電子装置において、オン駆動用回路とスイッチング素子の制御端子の間に接続されるダイオードと、ダイオードに接続され、ダイオードの順方向電圧に基づいて駆動用電源回路を制御し、駆動用電源回路の出力電圧を調整する制御回路と、を有し、オン駆動用回路は、ダイオードを介してスイッチング素子の制御端子に定電流を流し込むことを特徴とする。

この構成によれば、ダイオードによって、流れる電流を一方向に制限することができる。その結果、抵抗を接続した場合と同様に、共振を抑えることができる。しかも、オン駆動用回路からスイッチング素子の制御端子に定電流を流し込む際、その端子間電圧は順方向電圧となり非常に小さい。そのため、従来の抵抗の場合に比べ損失を低減することができる。また、この構成によれば、制御回路が、ダイオードの順方向電圧に基づいて駆動用電源回路を制御し、駆動用電源回路の出力電圧を調整する。そのため、ダイオードの順方向電圧の影響を受けることなく、オン駆動用回路に所定の電圧を供給することができる。従って、スイッチング素子の制御端子に確実に所定の定電流を流し込むことができる。
また、上記課題を解決するためになされた本発明は、制御端子の電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子と、駆動用電源回路、及び、スイッチング素子の制御端子に接続され、駆動用電源回路から電圧を供給され、スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込んで電荷を充電し、スイッチング素子をオンするオン駆動用回路と、を備えた電子装置において、スイッチング素子は、Ｎ（≧２）個の小電流容量スイッチング素子の入力端子を共通接続するとともに、出力端子を共通接続して構成され、オン駆動用回路と少なくとも（Ｎ−１）個の小電流容量スイッチング素子の制御端子の間に接続されるダイオードを有し、オン駆動用回路は、ダイオードが接続されている小電流容量スイッチング素子にはダイオードを介して、ダイオードが接続されていない小電流容量スイッチング素子には直接制御端子に電流を流し込むことを特徴とする。

第１実施形態におけるモータ制御装置の回路図である。 図１における制御装置の回路図である。 第１実施形態の第１変形形態におけるＩＧＢＴ周辺の回路図である。 第１実施形態の第２変形形態におけるＩＧＢＴ周辺の回路図である。 第１実施形態の第３変形形態におけるＩＧＢＴ周辺の回路図である。

次に、実施形態を挙げ本発明をより詳しく説明する。実施形態では、本発明に係る電子装置を、車両に搭載され、車両駆動用モータを制御するモータ制御装置に適用した例を示す。

（第１実施形態）
まず、図１を参照して第１実施形態のモータ制御装置の構成について説明する。

図１に示すモータ制御装置１（電子装置）は、高電圧バッテリＢ１の出力する直流高電圧を３相交流電圧に変換して車両駆動用モータＭ１に供給し、車両駆動用モータＭ１を制御する装置である。モータ制御装置１は、平滑コンデンサ１０と、インバータ装置１１と、制御装置１２とを備えている。

平滑コンデンサ１０は、高電圧バッテリＢ１の直流高電圧を平滑化するための素子である。平滑コンデンサ１０の一端は高電圧バッテリＢ１の正極端子に、他端は高電圧バッテリＢ１の負極端子にそれぞれ接続されている。

インバータ装置１１は、平滑コンデンサ１０によって平滑化された直流電圧を３相交流電圧に変換して車両駆動用モータＭ１に供給する装置である。インバータ装置１１は、ＩＧＢＴ１１０〜１１５（スイッチング素子）を備えている。

ＩＧＢＴ１１０〜１１５は、ゲート（制御端子）の電圧を制御することで駆動され、オン、オフすることで平滑コンデンサ１０に平滑化された直流電圧を３相交流電圧に変換する素子である。

ＩＧＢＴ１１０は、２つの小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂ（小電流容量スイッチング素子）を並列接続して構成されている。具体的には、２つの小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのコレクタ（入力端子）を共通接続するとともに、エミッタ（出力端子）を共通接続して構成されている。小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲート、コレクタ及びエミッタが、ＩＧＢＴ１１０のゲート、コレクタ及びエミッタとなっている。

ＩＧＢＴ１１１〜１１５も、ＩＧＢＴ１１０と同様に、それぞれ２つの小電流容量ＩＧＢＴ１１１ａ、１１１ｂ、小電流容量ＩＧＢＴ１１２ａ、１１２ｂ、小電流容量ＩＧＢＴ１１３ａ、１１３ｂ、小電流容量ＩＧＢＴ１１４ａ、１１４ｂ及び小電流容量ＩＧＢＴ１１５ａ、１１５ｂのコレクタを共通接続するとともに、エミッタを共通接続して構成されている。小電流容量ＩＧＢＴ１１１ａ、１１１ｂ、小電流容量ＩＧＢＴ１１２ａ、１１２ｂ、小電流容量ＩＧＢＴ１１３ａ、１１３ｂ、小電流容量ＩＧＢＴ１１４ａ、１１４ｂ及び小電流容量ＩＧＢＴ１１５ａ、１１５ｂのゲート、コレクタ及びエミッタが、それぞれＩＧＢＴ１１１〜１１５のゲート、コレクタ及びエミッタとなっている。

ＩＧＢＴ１１０、１１３、ＩＧＢＴ１１１、１１４及びＩＧＢＴ１１２、１１５は、それぞれ直列接続されている。具体的には、ＩＧＢＴ１１０〜１１２のエミッタが、ＩＧＢＴ１１３〜１１５のコレクタにそれぞれ接続されている。直列接続されたＩＧＢＴ１１０、１１３、ＩＧＢＴ１１１、１１４及びＩＧＢＴ１１２、１１５は並列接続されている。具体的には、ＩＧＢＴ１１０〜１１２のコレクタが共通接続されるとともに、ＩＧＢＴ１１３〜１１５のエミッタが共通接続されている。ＩＧＢＴ１１０〜１１２のコレクタは平滑コンデンサ１０の一端に、ＩＧＢＴ１１３〜１１５のエミッタは平滑コンデンサ１０の他端にそれぞれ接続されている。また、ＩＧＢＴ１１０〜１１５のゲートとエミッタは、制御装置１２にそれぞれ接続されている。さらに、直列接続されたＩＧＢＴ１１０、１１３、ＩＧＢＴ１１１、１１４及びＩＧＢＴ１１２、１１５の直列接続点は、車両駆動用モータＭ１にそれぞれ接続されている。

制御装置１２は、ＩＧＢＴ１１０〜１１５を制御する装置である。制御装置１２は、ＩＧＢＴ１１０〜１１５のゲート及びエミッタにそれぞれ接続されている。

次に、図２を参照して制御装置について詳細に説明する。

図２に示すように、制御装置１２は、ＩＧＢＴ１１０に対して、駆動用電源回路１２０と、オン駆動用回路１２１と、ダイオード１２２、１２３と、抵抗１２４、１２５と、オフ駆動用回路１２６と、制御回路１２７とを備えている。制御装置１２は、他のＩＧＢＴ１１１〜１１５に対しても、同様に、それぞれ駆動用電源回路と、オン駆動用回路と、ダイオードと、抵抗と、オフ駆動用回路と、抵抗と、制御回路とを備えている。

駆動用電源回路１２０は、制御回路１２７によって制御され、ＩＧＢＴ１１０の駆動に必要な電圧をオン駆動用回路１２１に供給する回路である。具体的には、電源回路（図略）から供給される電圧をＩＧＢＴ１１０の駆動に必要な所定の電圧に変換してオン駆動用回路１２１に供給する回路である。駆動用電源回路１２０の入力端子は電源回路に、制御端子は制御回路１２７にそれぞれ接続されている。また、正極端子はオン駆動用回路１２１に、負極端子はＩＧＢＴ１１０のエミッタにそれぞれ接続されている。

オン駆動用回路１２１は、制御回路１２７によって制御され、後述するダイオード１２２、１２３を介してＩＧＢＴ１１０のゲートに所定の定電流を流し込んで電荷を充電し、ＩＧＢＴ１１０をオンする回路である。具体的には、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より高くして、ＩＧＢＴ１１０をオンする回路である。オン駆動用回路１２１は、定電流源１２１ａと、抵抗１２１ｂ、１２１ｃと、電流制御用ＦＥＴ１２１ｄと、オペアンプ１２１ｅとを備えている。

定電流源１２１ａは、ＩＧＢＴ１１０に流し込む電流の値を規定する電流源である。抵抗１２１ｂは、定電流源１２１ａの出力電流を電圧に変換する素子である。抵抗１２１ｃは、ＩＧＢＴ１１０のゲートに流し込む電流を電圧に変換する素子である。電流制御用ＦＥＴ１２１ｄは、ＩＧＢＴ１１０のゲートに流し込む電流を制御する素子である。オペアンプ１２１ｅは、抵抗１２１ｂ、１２１ｃの電圧に基づいて、ＩＧＢＴ１１０のゲートに流し込む電流が定電流源１２１ａによって規定された所定の定電流となるように電流制御用ＦＥＴ１２１ｄを制御する素子である。

抵抗１２１ｂの一端は駆動用電源回路１２０の正極端子に、抵抗１２１ｂの他端は定電流源１２１ａの一端にそれぞれ接続され、定電流源１２１ａの他端はＩＧＢＴ１１０のエミッタに接続されている。抵抗１２１ｃの一端は駆動用電源回路１２０の正極端子に、抵抗１２１ｃの他端は電流制御用ＦＥＴ１２１ｄのソースにそれぞれ接続され、電流制御用ＦＥＴ１２１ｄのドレインはダイオード１２２、１２３に接続されている。オペアンプ１２１ｅの非反転入力端子は抵抗１２１ｂと定電流源１２１ａの接続点に、反転入力端子は抵抗１２１ｃと電流制御用ＦＥＴ１２１ｄの接続点に、出力端子は電流制御用ＦＥＴ１２１ｄのゲートにそれぞれ接続されている。

ダイオード１２２、１２３は、電圧降下を抑えてオン駆動用回路１２１からＩＧＢＴ１１０のゲートに電流を供給するとともに、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂ間での電流の流れを抑えて共振を防止する素子である。ダイオード１２２、１２３は、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂとそれぞれ一体的に構成されている。具体的には、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂと同一のパッケージ内に、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂに隣接して構成されている。ダイオード１２２、１２３は、オン駆動用回路１２１とＩＧＢＴ１１０のゲートの間に接続されている。具体的には、ダイオード１２２のアノードが電流制御用ＦＥＴ１２１ｄのドレインに、カソードが小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａのゲートにそれぞれ接続されている。ダイオード１２３のアノードが電流制御用ＦＥＴ１２１ｄのドレインに、カソードが小電流容量ＩＧＢＴ１１０ｂのゲートにそれぞれ接続されている。また、ダイオード１２２、１２３のアノード及びカソードは、制御回路１２７に接続されている。

抵抗１２４、１２５は、ＩＧＢＴ１１０のゲートから電荷を放電する際に流れる電流を制限する素子である。抵抗１２４、１２５は、ＩＧＢＴ１１０とオフ駆動用回路１２６の間に接続されている。具体的には、抵抗１２４の一端が小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａのゲートに、他端がオフ駆動用回路１２６にそれぞれ接続されている。抵抗１２５の一端が小電流容量ＩＧＢＴ１１０ｂのゲートに、他端がオフ駆動用回路１２６にそれぞれ接続されている。

オフ駆動用回路１２６は、制御回路１２７によって制御され、抵抗１２４、１２５を介してＩＧＢＴ１１０のゲートから電荷を放電し、ＩＧＢＴ１１０をオフする回路である。具体的には、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲート電圧をオン、オフする閾値電圧より低くして、ＩＧＢＴ１１０をオフする回路である。オフ駆動用回路１２６は、オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａを備えている。

オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａは、ＩＧＢＴ１１０のゲートから電荷を放電するためのスイッチング素子である。オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａのドレインは抵抗１２４、１２５の他端に、ソースはＩＧＢＴ１１０のエミッタに、ゲートは制御回路１２７にそれぞれ接続されている。

制御回路１２７は、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧に基づいて駆動用電源回路１２０を制御し、駆動用電源回路１２０の出力電圧を調整するとともに、外部から入力される駆動信号に基づいてオン駆動用回路１２１及びオフ駆動用回路１２６を制御してＩＧＢＴ１１０を駆動する回路である。また、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧に基づいて小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂの温度を求め、温度異常と判定した場合、ＩＧＢＴ１１０の駆動を停止する回路でもある。制御回路１２７は、ダイオード１２２、１２３のアノード及びカソード、並びに、駆動用電源回路１２０の制御端子にそれぞれ接続されている。また、オン駆動用回路１２１及びオフ駆動用ＦＥＴ１２６ａのゲートにそれぞれ接続されている。

次に、図１を参照してモータ制御装置の動作について説明する。

車両のイグニッションスイッチ（図略）がオンすると、図１に示すモータ制御装置１が動作を開始する。高電圧バッテリＢ１の直流高電圧は、平滑コンデンサ１０によって平滑化される。制御装置１２は、外部から入力される駆動信号に基づいて、インバータ装置１１を構成するＩＧＢＴ１１０〜１１５を制御する。具体的には、ＩＧＢＴ１１０〜１１５を所定周期でオン、オフする。インバータ装置１１は、平滑コンデンサ１０によって平滑化された直流高電圧を３相交流電圧に変換して車両駆動用モータＭ１に供給する。このようにして、モータ制御装置１が車両駆動用モータＭ１を制御する。

次に、図２を参照してＩＧＢＴの駆動動作について説明する。

図２に示すように、制御回路１２７は、外部から入力される駆動信号に基づいてオン駆動用回路１２１とオフ駆動用ＦＥＴ１２６ａを制御してＩＧＢＴ１１０を駆動する。

駆動信号がＩＧＢＴ１１０のオンを指示、つまり、オン駆動用回路１２１からＩＧＢＴ１１０のゲートに定電流を流し込むとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａをオフするように指示すると、制御回路１２７は、オン駆動用回路１２１を動作させ、抵抗１２１ｂ、１２１ｃの電圧に基づいて電流制御用ＦＥＴ１２１ｄを制御し、ダイオード１２２、１２３を介して小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートに定電流を流し込むとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａをオフする。このとき、制御回路１２７は、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧に基づいて駆動用電源回路１２０を制御し、駆動用電源回路１２０の出力電圧を調整する。具体的には、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧が所定電圧より大きいときには、駆動用電源回路１２０の出力電圧を上げ、逆に、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧が所定電圧より小さいときには、駆動用電源回路１２０の出力電圧を下げる。これにより、オン駆動用回路１２１からダイオード１２２、１２３を介して小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートに、定電流源１２１ａの出力電流と同一の定電流が流し込まれ、電荷が充電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より高くなり、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂがオンし、ＩＧＢＴ１１０がオンする。

一方、駆動信号がＩＧＢＴ１１０のオフを指示、つまり、オン駆動用回路１２１の動作を停止するとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａをオンするように指示すると、制御回路１２７は、オン駆動用回路１２１の動作を停止して小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートへの定電流の流し込みを止めるとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａをオンする。これにより、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートから抵抗１２４、１２５を介して電荷が放電される。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂがオフし、ＩＧＢＴ１１０がオフする。

また、制御回路１２７は、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧に基づいて小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂの温度を求め、温度異常と判定した場合、駆動信号の状態に係わらず、オン駆動用回路１２１の動作を停止するとともに、オフ駆動用ＦＥＴ１２６ａをオンして、ＩＧＢＴ１１０の駆動を停止する。

次に、第１実施形態のモータ制御装置における効果について説明する。

第１実施形態によれば、ＩＧＢＴ１１０は、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂの入力端子を共通接続するとともに、出力端子を共通接続して構成されている。制御装置１２は、オン駆動用回路１２１と小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートの間にダイオード１２２、１２３を有している。そして、オン駆動用回路１２１は、ダイオード１２２、１２３を介して小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートに定電流を流し込む。

ところで、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲート−エミッタ間には、容量成分が存在する。また、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂを並列接続する配線には、インダクタンス成分が存在する。そのため、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａのゲート、エミッタを経て、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ｂのエミッタ、ゲートに至る閉回路によってＬＣ共振回路が構成される。その結果、共振が発生してしまうという問題があった。しかし、ダイオード１２２、１２３によって、流れる電流を一方向に制限することができる。これにより、閉回路を流れる電流を抑えることができる。その結果、従来のように抵抗を接続した場合と同様に、共振を抑えることができる。しかも、オン駆動用回路１２１から小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートに定電流を流し込む際、その端子間電圧は順方向電圧となり非常に小さい。そのため、従来の抵抗の場合に比べ損失を低減することができる。

第１実施形態によれば、制御装置１２は、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートとオフ駆動用回路１２６の間に抵抗１２４、１２５を有している。そして、オフ駆動用回路１２６は、抵抗１２４、１２５を介して小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートから電荷を放電する。そのため、ＩＧＢＴ１１０を確実にオフすることができる。

第１実施形態によれば、ダイオード１２２、１２３は、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂとそれぞれ一体的に構成されている。そのため、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧によって、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂの温度を知ることができる。

第１実施形態によれば、制御回路１２７は、ダイオード１２２、１２３に接続され、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧に基づいて駆動用電源回路１２０を制御し、駆動用電源回路１２０の出力電圧を調整する。そのため、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧の影響を受けることなく、オン駆動用回路１２１に所定の電圧を供給することができる。従って、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートに確実に所定の定電流を流し込むことができる。

なお、第１実施形態では、オン駆動用回路１２１と小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのゲートの間にダイオード１２２、１２３がそれぞれ接続されている例を挙げているが、これに限られるものではない。図３に示すように、オン駆動用回路１２１と小電流容量ＩＧＢＴ１１０ｂの間だけに、ダイオード１２３が接続されていてもよい。この場合も、ダイオード１２３によって、流れる電流を一方向に制限することができる。そのため、閉回路を流れる電流を抑えることができる。従って、ダイオードの数を抑えつつ、第１実施形態と同様に共振を抑えることができる。

また、第１実施形態では、ＩＧＢＴ１１０が、２つの小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂのコレクタを共通接続するとともに、エミッタを共通接続して構成されている例を挙げているが、これに限られるものではない。図４に示すように、ＩＧＢＴは、Ｎ（≧２）個の小電流容量ＩＧＢＴのコレクタを共通接続するとともに、エミッタを共通接続して構成されていてもよい。この場合、ダイオードは、オン駆動用回路と小電流容量ＩＧＢＴのゲートの間にそれぞれ接続されていてもよい。また、図５に示すように、オン駆動用回路と少なくとも（Ｎ−１）個の小電流容量ＩＧＢＴのゲートの間に接続されていてもよい。この場合も、ダイオードによって、流れる電流を一方向に制限することができる。そのため、閉回路を流れる電流を抑えることができる。従って、ダイオードの数を抑えつつ、第１実施形態と同様に共振を抑えることができる。さらに、ＩＧＢＴは、複数の小電流容量ＩＧＢＴを並列接続して構成されるのではなく、１つのＩＧＢＴで構成されていてもよい。この場合も、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

さらに、第１実施形態では、ダイオード１２２、１２３が、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂと同一のパッケージ内にそれぞれ一体的に構成されている例を挙げているが、これに限られるものではない。ダイオード１２２、１２３は、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂに隣接して外付けされ、一体的に構成されていてもよい。第１実施形態と同様に、ダイオード１２２、１２３の順方向電圧によって、小電流容量ＩＧＢＴ１１０ａ、１１０ｂの温度を知ることができる。

１・・・モータ制御装置（電子装置）、１０・・・平滑コンデンサ、１１・・・インバータ装置、１１０〜１１５・・・ＩＧＢＴ（スイッチング素子）、１１０ａ、１１０ｂ・・・小電流容量ＩＧＢＴ（小電流容量スイッチング素子）、１２・・・制御装置、１２０・・・駆動用電源回路、１２１・・・オン駆動用回路、１２２、１２３・・・ダイオード、１２４、１２５・・・抵抗、１２６・・・オフ駆動用回路、１２７・・・制御回路、Ｂ１・・・高電圧バッテリ、Ｍ１・・・車両駆動用モータ

Claims (6)

1. 制御端子の電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子（１１０）と、
   駆動用電源回路（１２０）、及び、前記スイッチング素子の制御端子に接続され、前記駆動用電源回路から電圧を供給され、前記スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込んで電荷を充電し、前記スイッチング素子をオンするオン駆動用回路（１２１）と、
   を備えた電子装置において、
   前記オン駆動用回路と前記スイッチング素子の制御端子の間に接続されるダイオード（１２２、１２３）と、
   前記ダイオードに接続され、前記ダイオードの順方向電圧に基づいて前記駆動用電源回路を制御し、前記駆動用電源回路の出力電圧を調整する制御回路（１２７）と、
   を有し、
   前記オン駆動用回路は、前記ダイオードを介して前記スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込むことを特徴とする電子装置。
2. 前記スイッチング素子の制御端子に接続され、前記スイッチング素子の制御端子から電荷を放電し、前記スイッチング素子をオフするオフ駆動用回路（１２６）と、
   前記スイッチング素子の制御端子と前記オフ駆動用回路の間に接続される抵抗（１２４、１２５）と、
   を有し、
   前記オフ駆動用回路は、前記抵抗を介して前記スイッチング素子の制御端子から電荷を放電することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記ダイオードは、前記スイッチング素子と一体的に構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
4. 前記スイッチング素子は、複数の小電流容量スイッチング素子（１１０ａ、１１０ｂ）の入力端子を共通接続するとともに、出力端子を共通接続して構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
5. 前記スイッチング素子は、Ｎ（≧２）個の前記小電流容量スイッチング素子の入力端子を共通接続するとともに、出力端子を共通接続して構成され、
   前記ダイオードは、前記オン駆動用回路と少なくとも（Ｎ−１）個の前記小電流容量スイッチング素子の制御端子の間に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
6. 制御端子の電圧を制御することで駆動されるスイッチング素子（１１０）と、
   駆動用電源回路（１２０）、及び、前記スイッチング素子の制御端子に接続され、前記駆動用電源回路から電圧を供給され、前記スイッチング素子の制御端子に定電流を流し込んで電荷を充電し、前記スイッチング素子をオンするオン駆動用回路（１２１）と、
   を備えた電子装置において、
   前記スイッチング素子は、Ｎ（≧２）個の小電流容量スイッチング素子の入力端子を共通接続するとともに、出力端子を共通接続して構成され、
   前記オン駆動用回路と少なくとも（Ｎ−１）個の前記小電流容量スイッチング素子の制御端子の間に接続されるダイオード（１２２、１２３）を有し、
   前記オン駆動用回路は、前記ダイオードが接続されている前記小電流容量スイッチング素子には前記ダイオードを介して、前記ダイオードが接続されていない前記小電流容量スイッチング素子には直接制御端子に電流を流し込むことを特徴とする電子装置。

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