JP5788923B2 - 導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池 - Google Patents

Description

本発明は、導電性組成物、導電性部材、導電性部材の製造方法、タッチパネルおよび太陽電池に関する。

近年、入力デバイスとして液晶パネル、電子ペーパー等の表示デバイスにタッチパネルが搭載されている。タッチパネルの構成としては、抵抗膜方式、表面弾性波方式、静電容量方式など様々なものが知られているが、多点タッチが可能で大面積化が行いやすい方式として、静電容量方式が知られており、例えば、透明導電材料としてＩＴＯ（酸化インジウムすず）を使用した静電容量方式タッチパネルが開示されている。

しかし、ＩＴＯの原料であるインジウムは高価であり安定供給に限界があること、薄膜作製に真空過程を必要とするために製造コストが高くなること、また、ＩＴＯ膜は脆く、曲げ耐性に劣るといった課題があることから、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ、ＰＥＤＯＴ、ポリアニリンといった代替物質も提案されている。

例えば、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ、およびカーボンナノチューブと金属の複合体のような導電性繊維を含む導電性層を有する導電性部材が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この導電性部材は、基材上に複数の金属ナノワイヤーを含む導電性層を備えるものであり、導電性層中にマトリックスとしての光硬化性組成物を含有させておくことにより、パターン露光およびそれに引き続く現像によって、所望の導電性領域と非導電性領域とを含む導電性層を有する導電性部材に容易に加工することができる。

上述の導電性繊維を含む導電性部材の別の方式として、導電性層中にマトリックスとしての非光硬化性組成物を含有させ、乾燥および／または、必要により縮合反応や重合反応による架橋を行うことにより導電性層を形成した後、更に、エッチングレジスト等により導電性層の上層にレジスト層をイメージワイズに形成させてからエッチング処理を行う方法や、一様に形成された透明導電性層内の導電性ネットワークをレーザー光照射により一部断線させる方法などにより、所望の導電性領域と非導電性領域とを含む導電性層を有する導電性部材に容易に加工することもできる（例えば、特許文献２および３参照）。

また、上述の導電性繊維を含む導電性部材の更に別の方式として、仮支持体上に導電性繊維を含む導電性層を形成し、ガラス基板等に転写した後に、必要によりフォトリソグラフィ等の方法によりパターニングを行う、導電性層転写型の導電性部材も提案されている（例えば、特許文献４および５参照）。

上記のような導電性部材に好ましく用いられる導電性繊維としては、銀、金、銅などの金属ナノワイヤーおよびナノロッド、カーボンナノチューブ、カーボンナノロッド、および、カーボンナノチューブと金属との複合体など様々な材料が知られている。なかでも、銀、金、銅などの金属からなる金属導電性繊維が、低抵抗かつ光透明性の高い優れた導電性部材をより好ましく与えることが知られており、低抵抗性・耐久性・価格のバランスの点で優れる銀ナノワイヤーが特に好ましく用いられる。
しかしながら、これらの金属導電性繊維を用いた導電性部材は、高温条件、高湿度条件またはオゾン存在下といった過酷な条件に長時間暴露された場合には、金属の酸化や形態変化に起因すると推定される抵抗率の上昇が起こる場合があり、用途によっては耐候性の改良が求められる場合があった。

金属導電性繊維を含有する透明導電材料の耐候性を向上させる方法としては、特定構造の金属吸着性化合物を用いる方法が開示されている（例えば、特許文献６および７参照）。この方法は特定の保存条件によっては有効性を示すものの、金属吸着性化合物が金属導電性繊維に強い吸着性を示すことに起因して、透明導電材料の製造時に金属導電性繊維が凝集して導電性層の均質性が低下することにより、導電性層の導電性や透明性の低下が発生したり、金属導電性繊維同士の接触抵抗が増加したりして、導電性層の導電性が低下するなどの問題が発生する場合があった。

金属ナノワイヤーを含む水性分散物の製造方法として、ハロゲン化合物および還元剤を含む水溶媒中に、金属錯体溶液または金属イオン溶液を添加する方法が開示されている（例えば、特許文献８参照）。この製造方法においては、金属ナノワイヤーの純度を向上させる目的から脱塩処理が好ましく実施され、実施例に開示されている脱塩（洗浄）処理を行った場合には、金属ナノワイヤーの形成に寄与しなかった還元剤の大部分は除去されていると推定される。該特許文献には、金属錯体を還元する際に添加した還元剤を意図的に残存させること、および、その効果については何ら記載されていない。

上述のように、金属導電性繊維を含有する透明導電材料の導電性を、高温条件、活性放射線照射下またはオゾン存在下といった過酷な条件においても安定に保つことは従来の技術では十分とは言えず、耐候性の改良が求められていた。

特表２００９−５０５３５８号公報 特表２０１０−５０７１９９号公報 特開２０１０−４４９６８号公報 特開２００６−３５７７１号公報 特開２００９−２５１１８６号公報 特表２００９−５０５３５８号公報 特開２００９−１４６６７８号公報 特開２０１０−８４１７３号公報

本発明が解決しようとする課題は、高温条件、活性放射線照射下またはオゾン存在下といった過酷な条件に晒されても、経時的に導電性が維持され得る、金属導電性繊維を含有する導電性組成物、その導電性組成物から形成される導電性層を有する導電性部材、その製造方法、並びに、当該導電性部材を用いたタッチパネルおよび太陽電池を提供することにある。

前記課題を解決する本発明の導電性組成物、導電性部材、タッチパネル、太陽電池および導電性部材の製造方法は、以下のとおりである。
本発明の導電性組成物は、少なくとも、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、並びに（ｂ）下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物、を含有する。

一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。

導電性組成物は、好ましくは、さらに、（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物を含む。

また、導電性組成物は、好ましくは、（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物が、非感光性化合物である。

また好ましくは、（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物が、ゾルゲル硬化物を形成し得る化合物である。

また、導電性組成物は、好ましくは、（ａ）金属導電性繊維に対する（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物の含有比率［（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物／（ａ）金属導電性繊維］が、質量比で０．００１／１〜１００／１である。

また、導電性組成物は、好ましくは、（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物が、（ａ）金属導電性繊維１ｇ当たり、０．００５ｍｍｏｌ以上５０ｍｍｏｌ以下含まれる。

また、導電性組成物は、好ましくは、（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物の分子量が、１４０以上５０００以下である。

また、導電性組成物は、好ましくは、一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２の少なくとも一方が、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基である。

また、導電性組成物は、好ましくは、一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２の少なくとも一方が、カルボキシル基およびそのアルカリ金属塩、スルホ基およびそのアルカリ金属塩、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、並びにカルバモイル基から選択される少なくとも１つの基で置換されたアルキル基、アルケニル基またはアリール基である。

また、導電性組成物は、好ましくは、さらに、下記一般式（４）〜（９）で表される化合物を少なくとも１種含む。

一般式（４）において、Ｒ^４１およびＲ^４２は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^４３はアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも二つは、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。なお、一般式（４）で表される化合物は、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つと連結した、一般式（４）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。
一般式（５）において、Ｒ^５１およびＲ^５２は各々独立にアルキル基を表す。Ｒ^５１およびＲ^５２は、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。なお、一般式（５）で表される化合物は、Ｒ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つと連結した、一般式（５）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。
一般式（６）において、Ｖ_６１は、水素原子または置換基を表す。
一般式（７）において、Ｖ_７１は、水素原子または置換基を表し、Ｒ_７１およびＲ_７２は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（８）において、Ｖ_８１は、水素原子または置換基を表し、Ｒ_８１およびＲ_８２は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（９）において、Ｖ_９１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ_９１、Ｒ_９２およびＲ_９３は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。

また、導電性組成物は、好ましくは、金属導電性繊維が、銀を５０モル％以上１００モル％以下含む。

また、導電性組成物は、好ましくは、金属導電性繊維の平均短軸長が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

本発明の導電性部材は、基材と、基材上に設けられた本発明の導電性組成物から形成される導電性層と、を有する。

導電性部材は、好ましくは、さらに、導電性層上に、少なくとも水溶性ポリマーを含む、可溶性保護層を有する。

また、導電性部材は、好ましくは、導電性層における表面抵抗が、１Ω／□以上１０００Ω／□以下である。

また、導電性部材は、好ましくは、導電性層が、導電性領域および非導電性領域を含む。

また、導電性部材は、好ましくは、基材と導電性層との間に、更に少なくとも一層の中間層を有する。

本発明のタッチパネルは、本発明の導電性部材を含む。

本発明の太陽電池は、本発明の導電性部材を含む。

本発明の導電性部材の製造方法は、基材上に、少なくとも（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、並びに、（ｂ）下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物を含有する本発明の導電性組成物を用いて導電性層を形成する導電性層の形成工程を含む。

一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。

導電性部材の製造方法は、好ましくは、導電性層の形成工程は、基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、並びに（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物を含有する導電性組成物を付与した後に、（ｃ）マトリックスを付与して、（ａ）成分、（ｂ）成分および（ｃ）成分を含む導電性層を形成する。

また、導電性部材の製造方法は、好ましくは、導電性層の形成工程は、基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物、並びに（ｃ）マトリックスを含有する導電性組成物を付与して、（ａ）成分、（ｂ）成分および（ｃ）成分を含む導電性層を形成する。

また、導電性部材の製造方法は、好ましくは、基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維を付与した後、（ｂ）下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物、並びに（ｃ）マトリックスを含有する組成物を付与して、（ａ）成分、（ｂ）成分および（ｃ）成分を含む導電性層を形成する。

一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。

また好ましくは、パターン化導電性層を有する導電性部材の製造方法として、基材と導電性層とを有する本発明の導電性部材にフォトレジスト層を設ける工程と、フォトレジスト層をパターン状に露光し現像して、パターン状のフォトレジスト層を形成する工程と、パターン状のフォトレジスト層を介して、導電性層をエッチングする工程と、を少なくとも有する。

本発明によれば、高温条件、活性放射線照射下またはオゾン存在下といった過酷な条件に晒されても、経時的に導電性が維持され得る、金属導電性繊維を含有する導電性組成物、その導電性組成物から形成される導電性層を有する導電性部材、その製造方法並びに当該導電性部材を用いたタッチパネルおよび太陽電池が提供される。

本発明の第一の実施形態に係る導電性部材の概略断面図である。 本発明の第二の実施形態に係る導電性部材の概略断面図である。 本発明の第三の実施形態に係る導電性部材の概略断面図である。 本発明の第四の実施形態に係る導電性部材の概略断面図である。 本発明の導電性部材の製造方法の一例を説明する図である。 本発明の導電性部材の製造方法の他の一例を説明する図である。 本発明の導電性部材の製造方法の他の一例を説明する図である。 本発明の導電性部材の製造方法の他の一例を説明する図である。

以下、本発明の導電性組成物について詳細に説明する。
以下、本発明の代表的な実施形態に基づいて記載されるが、本発明の主旨を超えない限りにおいて、本発明は記載された実施形態に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において「光」という語は、可視光線のみならず、紫外線、エックス線、ガンマ線などの高エネルギー線、電子線のような粒子線等を含む概念として用いる。
本明細書中、アクリル酸、メタクリル酸のいずれか或いは双方を示すため「（メタ）アクリル酸」と、アクリレート、メタクリレートのいずれか或いは双方を示すため「（メタ）アクリレート」と、それぞれ表記することがある。
また、含有量は特に断りのない限り、質量換算で示し、特に断りのない限り、質量％は、組成物の総量に対する割合を表し、「固形分」とは、組成物中の溶剤を除く成分を表す。

＜導電性組成物＞
本発明の導電性組成物は、少なくとも、（ａ）平均短軸長（以下、「平均短軸長さ」、「平均直径」ともいう。）が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維（以下、「（ａ）金属導電性繊維」と称する場合がある）、並びに（ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される部分構造を有する化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物（以下、「（ｂ）成分化合物」と称する場合がある）、を含有する。

一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４ _、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。一般式（３）において、Ｒ^８、Ｒ^９ _、Ｒ^１０およびＲ^１１は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^１２は、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、または水素原子を表す。一般式（３）中、＊は結合手を表す。

本発明の導電性組成物の構成とすることにより、高温条件、活性放射線照射下またはオゾン存在下といった過酷な条件に晒されても、導電性の低下が抑えられる。その理由は明らかではないが、以下のように考えることができる。

高温条件、活性放射線照射下またはオゾン存在下といった条件下においては、金属導電性繊維を含有する導電性層中やその近傍の層中などにおいて、ラジカル種が発生する。ここで、前記一般式（１）で表される化合物、前記一般式（２）で表される化合物および前記一般式（３）で表される部分構造を有する化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物（（ｂ）成分化合物）は、前記発生したラジカル種を失活させる機能を有するものと考えられる。したがって、（ｂ）成分化合物を金属導電性繊維の近傍に存在させるべく、導電性層中または導電性層に接する層に含有させることにより、ラジカル種と酸素との反応により発生する過酸化物を低減させ、金属導電性繊維の酸化を抑制し、結果として導電性の低下を抑制しているものと推定される。
以下、本発明の導電性組成物の成分について詳細に説明する。

（ａ）金属導電性繊維
本発明の導電性組成物は、平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維を含有する。金属導電性繊維の平均短軸長さは、１ｎｍ〜１５０ｎｍであり、耐久性および光学特性の観点から１ｎｍ〜７０ｎｍが好ましく、１ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましく、１ｎｍ〜３５ｎｍが更に好ましく、１０ｎｍ〜３０ｎｍが特に好ましい。

ここで、金属導電性繊維の平均短軸長さ（平均直径）、さらに平均長軸長さ（平均長軸長）は、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）と光学顕微鏡を用い、ＴＥＭ像や光学顕微鏡像を観察することにより求めることができる。本発明においては、金属導電性繊維の平均短軸長さ（平均直径）および平均長軸長さは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、３００本の金属導電性繊維を観察し、その平均値を平均短軸長さ及び平均長軸長さとする。
なお、金属導電性繊維の短軸方向断面が円形でない場合の平均短軸長さは、短軸方向の測定で最も長い箇所の長さを平均短軸長さとする。また。金属導電性繊維が曲がっている場合、それを弧とする円を考慮し、その半径、および曲率から算出される値を平均長軸長さとする。

金属導電性繊維のアスペクト比は、５０以上であることが好ましい。アスペクト比とは、一般的には繊維状の物質の長辺と短辺との比（平均長軸長さ／平均短軸長さの比）を意味する。
アスペクト比の測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子顕微鏡等により測定する方法などが挙げられる。
前記金属導電性繊維のアスペクト比を電子顕微鏡で測定する場合、前記金属導電性繊維のアスペクト比が５０以上であるか否かは、電子顕微鏡の１視野で確認できればよい。また、前記金属導電性繊維の平均長軸長さと平均短軸長さとを各々別に測定することによって、前記金属導電性繊維全体のアスペクト比を見積もることができる。
なお、前記金属導電性繊維がチューブ状の場合には、前記アスペクト比を算出するための直径としては、該チューブの外径を用いる。

前記金属導電性繊維のアスペクト比としては、目的に応じて適宜選択することができるが、５０〜１，０００，０００が好ましく、１００〜１，０００，０００がより好ましい。前記アスペクト比を５０以上とすることにより、前記金属導電性繊維によるネットワークの形成が容易となり、十分な導電性の確保が容易となる。また、前記アスペクト比を１，０００，０００以下とすることにより、金属導電性繊維の形成時やその後の取り扱いにおいて、金属導電性繊維が絡まることなく、安定かつ製造適性に優れた組成物が容易に得られる。

前記繊維を形成する金属導電性材料としては、例えば、ＩＴＯや酸化亜鉛、酸化スズのような金属酸化物、金属性カーボン、金属元素単体、金属複数金属元素からなる複合構造、複数金属からなる合金などが挙げられる。また、繊維状とした後、表面処理されていてもよく、例えば、鍍金（メッキ）された金属繊維なども用いることができる。

金属導電性繊維は、中実構造、多孔質構造および中空構造のいずれの態様をとるものであってもよいが、中実構造および中空構造のいずれかであることが好ましい。本発明においては、中実構造の繊維を「ワイヤー」、中空構造の繊維を「チューブ」と、それぞれ称することがある。

（金属ナノワイヤー）
透明導電膜を形成しやすいという観点からは、金属導電性繊維として、金属ナノワイヤーを用いることが好ましい。本発明における金属ナノワイヤーは、平均短軸長さが１ｎｍ〜１５０ｎｍであって、平均長軸長さが１μｍ〜１００μｍのものが好ましい。

前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さ（平均直径）は、１ｎｍ〜７０ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜５０ｎｍであることがより好ましく、１ｎｍ〜３５ｎｍであることが更に好ましく、１０ｎｍ〜３０ｎｍであることが特に好ましい。平均短軸長さが１ｎｍ以上であると、耐酸化性に優れ、耐久性が向上する傾向にある。平均短軸長さが１５０ｎｍ以下の場合、光散乱等によるヘイズの増加など光学特性の悪化が抑えられる。

前記金属ナノワイヤーの平均長軸長さ（「平均長さ」と称することがある）としては、１μｍ〜４０μｍであることが好ましく、３μｍ〜３５μｍが更に好ましく、５μｍ〜３０μｍが特に好ましい。金属ナノワイヤーの平均長軸長さが４０μｍ以下の場合、金属ナノワイヤー製造時の凝集物の生成が抑えられ、平均長軸長さが１μｍ以上の場合、十分な導電性が得られる傾向にある。

本発明に係る導電性層に用いられる金属ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）の変動係数は、４０％以下が好ましく、３５％以下が更に好ましく、３０％以下が特に好ましい。
前記変動係数を４０％以下とすることにより、耐久性の優れた導電性を確保することが容易となる。
金属ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）の変動係数は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像から３００本の金属ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）を計測し、その標準偏差と平均値を計算することにより、求めることができる。

金属ナノワイヤーの形状としては、例えば円柱状、直方体状、断面が多角形となる柱状など任意の形状をとることができるが、高い透明性が必要とされる用途では、円柱状や断面が５角形以上の多角形であって鋭角的な角が存在しない断面形状のものが好ましい。
金属ナノワイヤーの断面形状は、基材上に金属ナノワイヤー水分散液を塗布し、断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察することにより検知することができる。

前記金属ナノワイヤーにおける金属としては、特に制限はなく、いかなる金属であってもよく、１種の金属以外にも２種以上の金属を組み合わせて用いてもよく、合金として用いることも可能である。
前記金属としては、長周期表（ＩＵＰＡＣ１９９１）の第４周期、第５周期、および第６周期からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属が好ましく、第２〜１４族から選ばれる少なくとも１種の金属がより好ましく、第２族、第８族、第９族、第１０族、第１１族、第１２族、第１３族、および第１４族から選ばれる少なくとも１種の金属が更に好ましく、主成分として含むことが特に好ましい。

前記金属としては、具体的には銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛、またはこれらの合金などが挙げられる。これらの中でも、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウムまたはこれらの合金が好ましく、パラジウム、銅、銀、金、白金、錫およびこれらの合金が更に好ましく、特に、銀を５０モル％以上１００モル％以下（より更に好ましくは銀を９０モル％以上１００モル％以下）含有する、銀または銀を含有する合金が好ましい。

前記金属ナノワイヤーの製造方法は特に制限はなく、いかなる方法で製造してもよい。例えば、以下のようにハロゲン化合物と分散剤を溶解した溶媒中で金属イオンを還元することによって製造することが好ましい。また、金属ナノワイヤーを形成した後は、常法により脱塩処理を行うことが、分散性、感光性層の経時安定性の観点から好ましい。
また、金属ナノワイヤーの製造方法としては、特開２００９−２１５５９４号公報、特開２００９−２４２８８０号公報、特開２００９−２９９１６２号公報、特開２０１０−８４１７３号公報、特開２０１０−８６７１４号公報などに記載の方法を用いることができる。

金属ナノワイヤーの製造に用いられる溶媒としては、親水性溶媒が好ましく、例えば、水、アルコール類、エーテル類、ケトン類などが挙げられ、これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、エチレングリコールなどが挙げられる。
エーテル類としては、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
ケトン類としては、例えば、アセトンなどが挙げられる。

金属ナノワイヤーの製造時に加熱する場合、その温度は、２５０℃以下が好ましく、２０℃以上２００℃以下がより好ましく、３０℃以上１８０℃以下が更に好ましく、４０℃以上１７０℃以下が特に好ましい。２５０℃以下とすることで、金属ナノワイヤーの断面外周が鋭角を有しない、なめらかな形状となるため、透明性の観点から好適である。上記温度を２０℃以上とすることで、形成される金属ナノワイヤーの長さが分散安定性を確保しうる好ましい範囲となる。
なお、必要に応じて、金属ナノワイヤー形成過程で温度を変更してもよい。当該金属ナノワイヤー形成過程の途中で温度を変更することは、核形成の制御や再核発生の抑制、選択成長の促進による単分散性向上に効果があることがある。

前記加熱の際には、還元剤を添加して行うことが好ましい。
還元剤としては、特に制限はなく、金属イオンを還元できるものの中から適宜選択することができる。例えば、水素化ホウ素金属塩、水素化アルミニウム塩、アルカノールアミン、脂肪族アミン、複素環式アミン、芳香族アミン、アラルキルアミン、アルコール、有機酸類、還元糖類、糖アルコール類、亜硫酸塩、ヒドラジン化合物、デキストリン、ハイドロキノン、ヒドロキシアミン、エチレングリコール、グルタチオンなどが挙げられる。これらの中でも、還元糖類、その誘導体としての糖アルコール類、エチレングリコールが更に好ましく、還元糖類、その誘導体としての糖アルコール類、エチレングリコールが特に好ましい。前記還元剤によっては、機能として分散剤や溶媒としても機能する化合物があり、同様に好ましく用いることができる。
金属ナノワイヤーの形成に用いる還元剤は、金属ナノワイヤー形成後に、限外濾過、透析、ゲル濾過、デカンテーション、遠心分離などの手法により、残量が銀に対して０．１質量％未満まで除去することが好ましい。

前記金属ナノワイヤー製造の際には分散剤と、ハロゲン化合物またはハロゲン化金属微粒子を添加して行うことが好ましい。
分散剤とハロゲン化合物の添加のタイミングは、還元剤の添加前でも添加後でもよく、金属イオンあるいはハロゲン化金属微粒子の添加前でも添加後でもよいが、単分散性のよりよい金属ナノワイヤーを得るためには、ハロゲン化合物の添加を２段階以上に分けることが好ましい。

分散剤は、金属ナノワイヤーを調製する前から反応溶液に添加しても、金属ナノワイヤー調製後に添加してもよい。分散剤の添加は１段階でも、２段階以上に分割してもよい。
分散剤としては、例えばアミノ基含有化合物、メルカプト基含有化合物、スルフィド含有化合物、アミノ酸またはその誘導体、ペプチド化合物、多糖類、多糖類由来の天然高分子、合成高分子、またはこれらに由来するゲル等の高分子類などが挙げられる。

分散剤として好適に用いられる高分子化合物としては、例えば保護コロイド性のあるポリマーであるゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアルキレンアミン、ポリ（メタ）アクリル酸、その塩、またはその部分アルキルエステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドン構造を含む共重合体、アミノ基やメルカプト基を有するポリ（メタ）アクリル酸誘導体等の親水性ポリマーが好ましく挙げられる。

分散剤として用いるポリマーはゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー法により測定した重量平均分子量（Ｍｗ）が、３０００以上３０００００以下であることが好ましく、５０００以上１０００００以下であることがより好ましい。
分散剤として使用可能な化合物の構造については、例えば「顔料の事典」（伊藤征司郎編、株式会社朝倉書院発行、２０００年）の記載を参照できる。使用する分散剤の種類によって得られる金属ナノワイヤーの形状を制御することができる。

ハロゲン化合物としては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオンを含有する化合物が好ましい。例えば、臭化ナトリウム、塩化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、臭化カリウム、塩化カリウム、ヨウ化カリウム等の金属ハロゲン化物や、下記に挙げる分散剤としても機能するオニウム塩のハロゲン化物イオン塩が好ましい。
ハロゲン化合物の代替としてハロゲン化銀微粒子を使用してもよく、ハロゲン化合物とハロゲン化銀微粒子を共に使用してもよい。

また、分散剤とハロゲン化合物とは双方の機能を有する単一の物質を用いてもよい。即ち、１つの化合物で、分散剤とハロゲン化合物の双方の機能を発現する。
分散剤としての機能を有するハロゲン化合物としては、オニウム（好ましくは、アンモニウムまたはホスホニウム）のハロゲン化物イオン塩を好ましく挙げることができる。
例えば、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド（ＨＴＡＢ）、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド（ＨＴＡＣ）、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジステアリルアンモニウムブロミド、ジメチルジステアリルアンモニウムクロリド、ジラウリルジメチルアンモニウムブロミド、ジラウリルジメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジパルミチルアンモニウムブロミド、ジメチルジパルミチルアンモニウムクロリド、などが挙げられる。
なお、これらの化合物は、金属ナノワイヤー形成後に、限外濾過、透析、ゲル濾過、デカンテーション、遠心分離などの手法により必要により除去してもよい。

金属ナノワイヤーは、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲン化物イオン等の無機イオンをなるべく含まないことが好ましい。前記金属ナノワイヤーを水性分散させたときの電気伝導度は１ｍＳ／ｃｍ以下が好ましく、０．１ｍＳ／ｃｍ以下がより好ましく、０．０５ｍＳ／ｃｍ以下が更に好ましい。
金属ナノワイヤーを水性分散させたときの２０℃における粘度は、０．５ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓが好ましく、１ｍＰａ・ｓ〜５０ｍＰａ・ｓがより好ましい。

（金属ナノチューブ）
金属ナノワイヤー以外の好ましい金属導電性繊維としては、中空繊維である金属ナノチューブが挙げられる。金属ナノチューブの材料としては、特に制限はなく、いかなる金属であってもよく、例えば、前記した金属ナノワイヤーの材料などを使用することができる。
前記金属ナノチューブの形状としては、単層であってもよく、多層であってもよいが、導電性および熱伝導性に優れる点で単層が好ましい。

金属ナノチューブの厚み（外径と内径との差）としては、３ｎｍ〜８０ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜３０ｎｍがより好ましい。厚みが、３ｎｍ以上であることで、十分な耐酸化性が得られ、８０ｎｍ以下であることで、金属ナノチューブに起因する光散乱の発生が抑制される。

本発明において、金属ナノチューブの平均短軸長さは、金属ナノワイヤーと同様に１ｎｍ〜１５０ｎｍである。好ましい平均短軸長さは金属ナノワイヤーと同様である。また、平均長軸長さは、１μｍ〜４０μｍが好ましく、３μｍ〜３５μｍがより好ましく、５μｍ〜３０μｍが更に好ましい。

前記金属ナノチューブの製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、米国出願公開２００５／００５６１１８号明細書等に記載の方法などを用いることができる。

（ｂ）成分化合物
本発明の導電性組成物は、下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される部分構造を有する化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物、を含有する。

一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。一般式（３）において、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^１２は、アルキル基、アルコキシ基、アシル基または水素原子を表す。一般式（３）中、＊は結合手を表す。

Ｒ^１およびＲ^２は互いに結合して環を形成してもよい。

なお、Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも一方は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基であることが好ましく、アルキル基、アルケニル基またはアリール基であることがさらに好ましく、アルキル基であることがより好ましい。特に好ましくは、Ｒ_１およびＲ_２の両方がアルキル基の場合である。

上記一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜５０、更に好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０である。好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。より好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボキシル基のアルカリ金属塩、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、スルホ基のアルカリ金属塩、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が挙げられる。
前記置換基のなかでも、塗布液への溶解性向上の点で、カルボキシル基およびそのアルカリ金属塩、スルホ基およびそのアルカリ金属塩、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、並びにカルバモイル基から選択される少なくとも１つの基を有していることがより好ましい。

更に詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５員もしくは６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３２の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、

メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、

アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、

カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基，メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基、−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＣＨ_３基（ｎ＝１〜１５）、−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＨ基（ｎ＝１〜１５）、−ＣＯ−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＣＨ_３基（ｎ＝１〜１５）、ＣＯ−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎＨ基（ｎ＝１〜１５）が挙げられる。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるアルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、更に好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）などを挙げることができる。より好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルであり、さらに好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルである。
Ｒ^１およびＲ^２で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるアリール基は、置換もしくは無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６〜５０、更に好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０である。好ましい例としては、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニル、２−メチルカルボニルフェニル、４−メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。

更に好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができ、より好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができる。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるアシル基は、ホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基であることが好ましい。例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基などを挙げることができる。
Ｒ^１およびＲ^２で表されるアシル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるアリールオキシカルボニル基は、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基であることが好ましい。例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニルなどを挙げることができる。
Ｒ^１およびＲ^２で表されるアリールオキシカルボニル基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるアルコキシカルボニル基は、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基であることが好ましい。例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルなどを挙げることができる。
Ｒ^１およびＲ^２で表されるアルコキシカルボニル基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ^１およびＲ^２で表されるカルバモイル基は、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル基であることが好ましい。例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイルなどを挙げることができる。
Ｒ^１およびＲ^２で表されるカルバモイル基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。

保存安定性および塗布液への溶解性向上の観点から、前記一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２の少なくとも一方は、カルボキシル基およびそのアルカリ金属塩、スルホ基およびそのアルカリ金属塩、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、並びにカルバモイル基から選択される少なくとも１つの基で置換されたアルキル基、アルケニル基またはアリール基であることが好ましく、カルボキシル基およびそのアルカリ金属塩、スルホ基およびそのアルカリ金属塩、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、並びにカルバモイル基から選択される少なくとも１つの基で置換されたアルキル基であることがより好ましい。

また、上記Ｒ^１およびＲ^２の中でも、保存安定性および塗布液への溶解性向上の観点から、炭素数２〜３０のアルキレン鎖と、カルボキシル基およびそのアルカリ金属塩、スルホ基およびそのアルカリ金属塩、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、並びにカルバモイル基から選択される少なくとも１つの基と、を有していることがより好ましい。
前記アルキレン鎖は、炭素数２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましい。

以下に、前記一般式（１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

前記一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。
ここで、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６で表されるアルキル基は、炭素数が１〜４の直鎖状のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
Ｒ^７で表される置換基としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。

以下に、前記一般式（２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

前記一般式（３）で表される部分構造を有する化合物において、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^１２はアルキル基、アルコキシ基、アシル基または水素原子を示す。

Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１で表されるアルキル基は、炭素数が１〜４の直鎖状のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。

Ｒ^１２で表されるアルキル基は、炭素数が１〜４のアルキル基であることが好ましい。
Ｒ^１２で表されるアシル基は、炭素数が１〜４のアシル基であることが好ましい。
Ｒ^１２で表されるアルコキシ基は、炭素数が１〜８のアルコキシ基であることが好ましい。

Ｒ^１２で表されるアルキル基、アルコキシ基およびアシル基は、更に置換基を有していてもよい。このような置換基としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。

一般式（３）で表される部分構造を有する化合物が、前記一般式（３）で表される部分構造を複数有する場合には、単位質量当たりの添加効果に優れる点で、以下の式（Ａ）で表される数値が小さいほうが好ましい。
分子量／一般式（３）で表される部分構造のユニット数 ・・・（Ａ）

上記式（Ａ）で表される数値は、４００以下であることが好ましく、３００以下であることがより好ましく、２５０以下であることがさらに好ましい。

以下に、前記一般式（３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

また、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ｎ−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）マロネート、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチル−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）マロネート、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチル−ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）マロネート、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、ミックスド（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル／トリデシル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、ミックスド（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル／トリデシル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、ミックスド｛２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル／β，β，β’，β’−テトラメチル−３，９−〔２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン〕ジエチル｝−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、ミックスド｛１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル／β，β，β’，β’−テトラメチル−３，９−〔２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン〕ジエチル｝−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、１，２−ビス（３−オキソ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）エタン、１−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジルオキシカルボニル）ペンタン、ポリ〔１−オキシエチレン（２，２，６，６−テトラメチル−１，４−ピペリジル）オキシスクシニル〕、ポリ〔２−（１，１，４−トリメチルブチルイミノ）−４，６−トリアジンジイル−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノヘキサメチレン−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン−２，４−ビス〔Ｎ−ブチル−Ｎ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）アミノ〕−６−クロロ−１，３，５−トリアジン縮合物およびそのＮ−メチル化合物、琥珀酸と１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンとの重縮合物等が挙げられる。

本発明の導電性組成物における（ｂ）成分化合物の含有量（導電性組成物が、複数種の化合物を含む場合は、その合計含有量）は、（ａ）金属導電性繊維１ｇ当たり、０．００５ｍｍｏｌ以上５０ｍｍｏｌ以下であることが好ましく、０．０５ｍｍｏｌ以上５ｍｍｏｌ以下であることがより好ましい。添加量が０．００５ｍｍｏｌ以上の場合、（ｂ）成分化合物の添加による十分な効果が得られる傾向にあり、添加量が５０ｍｍｏｌ以下の場合、金属導電性繊維同士の接触阻害に起因すると推定される抵抗値の悪化が抑えられる傾向にある。

（ｂ）成分化合物の分子量は、１００以上１００００以下であることが好ましく、１４０以上５０００以下であることがより好ましく、１４０以上１０００以下であることがさらに好ましい。分子量が１００以上の場合には、揮発性が抑えられ、耐熱性に優れる傾向にある。また分子量が１００００以下の場合には、膜中での拡散性の低下が抑えられ、十分な効果が得られる傾向にある。導電性組成物が、（ｂ）成分化合物として、複数種の化合物を含む場合は、それらすべての化合物の分子量が、１００以上１００００以下であることが好ましい。

ここで、一般式（３）で表される部分構造を有する化合物がオリゴマーまたはポリマーの場合、前記分子量は、数平均分子量を意味し、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。数平均分子量のＧＰＣ法による測定は、オリゴマーまたはポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行うことができる。

本発明においては、本発明の効果である、高温条件、活性放射線照射下またはオゾン存在下での導電性の観点から、（ｂ）成分化合物のなかでも、一般式（１）で表される化合物が好ましい。
また、一般式（１）で表される化合物において、好ましくは、下記一般式（１−１）で表される化合物が挙げられる。下記一般式（１−１）で表される化合物は、保存安定性および塗布液への溶解性の点で優れる。

前記一般式（１−１）において、Ｒ^１１およびＲ^２１は、各々独立に、炭素数２〜３０のアルキレン基を表し、Ｘ^１およびＸ^２は、各々独立に、カルボキシル基およびそのアルカリ金属塩、スルホ基およびそのアルカリ金属塩、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはカルバモイル基を表す。
Ｒ^１１およびＲ^２１で表されるアルキレン基は、炭素数２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましい。
前記一般式（１−１）で表される具体例化合物としては、例えば前述の化合物１−１６、１−１９、１−２０、１−２１、１−２２、１−２４、１−２５を挙げることができる。

（ｂ）成分化合物の製造には公知の任意の方法を用いることができる。これらの化合物を製造する際の温度、溶媒の選択、反応試薬の種類およびその量、等々の条件は、当業者において容易に設定可能であり、実験的に定めることができ、当業者であれば、容易に製造することができる。また、市販品を入手してもよい。

本発明の導電性組成物は、基材上に付与されて導電性層を形成する。なお、本発明の導電性組成物は（ｂ）成分化合物を含有するが、上述の通り、（ｂ）成分化合物は、金属導電性繊維を含有する導電性層に添加されるほか、導電性層に接する層に添加されても、その効果を発揮することが可能である。また、（ａ）金属導電性繊維を含有する導電性層に接する別の層（例えば、可溶性保護層や下塗層）に（ｂ）成分化合物を添加し、この別の層から導電性層に（ｂ）成分化合物を拡散させて導入してもよい。

（ｂ−１）一般式（４）〜（９）で表される化合物
本発明の導電性組成物は、上記（ｂ）成分化合物に加えて、さらに下記一般式（４）〜（９）で表される化合物を含むことが好ましい。

一般式（４）において、Ｒ^４１およびＲ^４２は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^４３はアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも二つは、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。なお、一般式（４）で表される化合物は、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つと連結した、一般式（１）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。

一般式（５）において、Ｒ^５１およびＲ^５２は各々独立にアルキル基を表す。Ｒ^５１およびＲ^５２は、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。なお、一般式（５）で表される化合物は、Ｒ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つと連結した、一般式（５）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。

一般式（６）において、Ｖ_６１は、水素原子または置換基を表す。
一般式（７）において、Ｖ_７１は、水素原子または置換基を表し、Ｒ_７１およびＲ_７２は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（８）において、Ｖ_８１は、水素原子または置換基を表し、Ｒ_８１およびＲ_８２は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
一般式（９）において、Ｖ_９１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ_９１、Ｒ_９２およびＲ_９３は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。

前記一般式（４）〜（９）で表される化合物のなかでも、前記一般式（４）および（５）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物を添加することが好ましい。この効果は明らかではないが、次のように考えることができる。
前記一般式（４）および（５）で表される化合物は、導電性層中または導電性層と接する層中で発生したラジカル種が酸素と反応して過酸化物を生成したとしても、この過酸化物を失活させる機能を有するものと考えられる。これにより導電性層中に含まれる金属導電性繊維の酸化を抑制し、結果として導電性の低下を抑えるものと推定される。
したがって、ラジカル種を失活させ得る前記（ｂ）成分化合物と、ラジカル種により生成する過酸化物を失活させ得る前記一般式（４）または（５）で表される化合物を併用することは、導電性の低下を抑える観点から好適である。

なお、前記一般式（６）〜（９）で表される化合物は、（ｂ）成分化合物と同様に、発生したラジカル種を失活させる機能を有しているものと考えられる。前記（ｂ）成分化合物と前記一般式（６）〜（９）で表される化合物との併用により、ラジカル種の失活効果が相乗的に現れるものと考えられる。

上記一般式（４）におけるＲ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜５０、更に好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０である。好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。より好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。

Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基等が例として挙げられる。

更に詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、

アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５員もしくは６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３２の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、

メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、

アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、

カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基，メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ^４１およびＲ^４２で表されるアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状の置換もしくはアルコキシ基を表す。好ましくは炭素数１〜５０、更に好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０である。好ましい例としては、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、シクロプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、ｔ−ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、シクロペンチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、オクタデシルオキシ、エイコシルオキシ、ドコシルオキシ、トリアコンチルオキシなどを挙げることができる。更に好ましくは、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ドデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、オクタデシルオキシであり、特に好ましくは、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ドデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、オクタデシルオキシである。

Ｒ^４１およびＲ^４２で表されるアルコキシ基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３で表されるアリール基は、置換もしくは無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６〜５０、更に好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０である。好ましい例としては、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニル、２−メチルカルボニルフェニル、４−メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。
更に好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニルなどを挙げることができる。

Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ^４１およびＲ^４２で表されるアリールオキシ基は、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、好ましくは炭素数６〜５０、更に好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０である。好ましい例としては、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、３−メチルフェノキシ、４−メチルフェノキシ、２−エチルフェノキシ、４−エチルフェノキシ、２，４−ジメチルフェノキシ、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノキシ、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノキシ、２，６−ジメチルフェノキシ、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ、２，４，６−トリメチルフェノキシ、２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェノキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２−クロロフェノキシ、３−クロロフェノキシ、４−クロロフェノキシ、２−メトキシフェノキシ、３−メトキシフェノキシ、４−メトキシフェノキシ、２−ベンジルフェノキシ、４−ベンジルフェノキシ、２−メチルカルボニルフェノキシ、４−メチルカルボニルフェノキシなどを挙げることができる。
更に好ましくは、フェニル、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノキシ、２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェノキシなどを挙げることができる。
Ｒ^４１およびＲ^４２で表されるアリールオキシ基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

一般式（４）において、耐湿熱性の点からは、Ｒ^４１およびＲ^４２は、アルコキシ基又はアリールオキシ基が好ましく、Ｒ^４３は、アルキル基又はアリール基が好ましい。

一般式（４）において、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも二つは、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。
なお、一般式（４）で表される化合物は、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つと連結した、一般式（４）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。

具体的に例えば、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つで表されるアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はアリールオキシ基から一個の水素原子を取り除いて、アルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基又はアリールエーテル基となり、この一価の基が、二価以上の有機基または単結合を介して、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つで表されるアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はアリールオキシ基の少なくとも一つと連結した化合物が挙げられる。

または、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つで表されるアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はアリールオキシ基が前記置換基を有する場合、この置換基において一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介して、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つで表されるアルキル基、アリール基、アルコキシ基若しくはアリールオキシ基、またはアルキル基、アリール基、アルコキシ基若しくはアリールオキシ基における置換基の少なくとも一つと連結した化合物が挙げられる。

前記二価以上の有機基としては、前述のＲ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３で表されるアルキル基で列挙した置換基において、一個以上の水素原子を取り除いて二価以上となった基を挙げることができる。

前記有機基または単結合の中でも、単結合、またはアルキル基、アリール基、ビス−アリール基、アリールアルキルアリール基、アリールオキシアリール基、アルコキシアルキル基、アルコキシアリール基、またはアルキルアリール基から一個以上の水素原子を取り除いて二価以上となった基が好ましい。

一般式（４）で表される化合物が、一般式（４）で表される構造を一分子中に複数存在する化合物である場合、一分子中に有するリン原子の数は、２個以上２０個以下であることが好ましく、２個以上１０個以下であることがより好ましく、２個以上５個以下であることが更に好ましい。

以下に、前記一般式（４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

なお、一般式（４）で表される化合物として、特表２０１１−５２７３５７号公報に記載の亜リン酸エステル化合物も好適に使用できる。

前記一般式（５）で表される化合物において、Ｒ^５１およびＲ^５２は、各々独立にアルキル基を表す。

Ｒ^５１およびＲ^５２で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換もしくはアルキル基を表す。好ましくは炭素数１〜５０、更に好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。更に好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。

Ｒ^５１およびＲ^５２で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基が例として挙げられる。

Ｒ^５１およびＲ^５２で表される置換アルキル基のなかでも、アルコキシカルボニルアルキレン基が好ましい。前記アルコキシカルボニルアルキレン基におけるアルコキシカルボニル基の炭素数は、好ましくは炭素数２〜５０、更に好ましくは炭素数５〜３０、特に好ましくは炭素数９〜２０である。

一般式（５）におけるＲ^５１およびＲ^５２は、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。ここで、二価以上の有機基は、前記一般式（４）で説明したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。
なお、一般式（５）で表される化合物は、Ｒ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つと連結した、一般式（５）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。ここで、二価以上の有機基は、前記一般式（４）で説明したものと同様であり、好ましい範囲も同様である。

以下に、前記一般式（５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（６）において、Ｖ_６１は、水素原子または置換基を表す。
一般式（６）におけるＶ_６１で表される基の結合形態は、一般式（６）に含まれる環状構造の置換可能な位置に、１〜２個の範囲で任意の個数が結合していることを表す。Ｖ_６１が置換基を表すとき、好ましい基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。一般式（６）に複数のＶ_６１で表される基が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

以下に、一般式（６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（７）において、Ｖ_７１は、水素原子または置換基を表す。
一般式（７）におけるＶ_７１で表される基の結合形態は、一般式（７）に含まれる環状構造の置換可能な任意の位置に、１〜４個の範囲で任意の個数が結合していることを表す。Ｖ_７１が置換基を表すとき、好ましい基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。一般式（７）に複数のＶ_７１で表される基が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ_７１およびＲ_７２は、各々独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（８）において、Ｖ_８１は、水素原子または置換基を表す。
一般式（８）におけるＶ_８１で表される基の結合形態は、一般式（８）に含まれる環状構造の置換可能な任意の位置に、１〜４個の範囲で任意の個数が結合していることを表す。Ｖ_８１が置換基を表すとき、好ましい基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。一般式（８）に複数のＶ_８１で表される基が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ_８１およびＲ_８２は、各々独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（９）において、Ｖ_９１は、水素原子、または置換基を表す。
一般式（９）におけるＶ_９１で表される基の結合形態は、一般式（９）に含まれる環状構造の置換可能な任意の位置に、１〜２個の範囲で任意の個数が結合していることを表す。Ｖ_９１が置換基を表すとき、好ましい基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。一般式（９）に複数のＶ_９１で表される基が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ_９１、Ｒ_９２およびＲ_９３は、各々独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（４）〜（９）で表される化合物の製造には公知の任意の方法を用いることができる。これらの化合物を製造する際の温度、溶媒の選択、反応試薬の種類およびその量、等々の条件は、当業者において容易に設定可能であり、実験的に定めることができ、当業者であれば、容易に製造することができる。

一般式（４）〜（９）で表される化合物を添加する場合、その添加率は、前記（ｂ）成分化合物に対して、モル比（一般式（４）〜（９）／（ｂ）成分化合物）で、１０００〜０．００１であることが好ましく、１００〜０．０１であることがより好ましく、１０〜０．１であることがさらに好ましい。前記モル比を０．００１以上とすることで、金属導電性繊維の保存性に優れ、１０００以下とすることで導電性部材のヘイズの点で優れる。

一般式（４）〜（９）で表される化合物の添加法は、上記（ｂ）成分化合物の場合と同様である。

なお、一般式（６）〜（９）で表される化合物を、金属導電性繊維の製造時にあらかじめ添加しておくことは、金属導電性繊維の形態制御に悪影響を及ぼす場合があり、また、金属導電性繊維形成後の洗浄工程において、その大部分が除去されて、本発明による効果を発現するのに必要な量よりも少ない量となってしまい、その不足分を再度補充する必要があることから、効率的ではない。

（ｃ）マトリックス
本発明の導電性組成物は、さらにマトリックスを形成し得る重合性化合物を含んでいてもよい。ここで、「マトリックス」とは、金属導電性繊維を含んで層を形成する物質の総称であり、金属導電性繊維の分散を安定に維持させる機能を有する。マトリックスは、非感光性のものであっても、感光性のものであってもよい。導電性層がマトリックスを含むことにより、導電性層における金属導電性繊維の分散が安定に維持される上、基材表面に導電性層を接着層を介することなく形成した場合においても基材と導電性層との強固な接着が確保されるため、より好ましい。

また、「マトリックスを形成し得る重合性化合物」とは、以下で例示するように、マトリックスが非感光性マトリックスの場合には、有機高分子を形成し得るメタクリレートやアクリレート等、および無機高分子を形成し得るＳｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌからなる群から選ばれた元素のアルコキシド化合物や、このアルコキシド化合物の一部を加水分解および重縮合させてゾル状態としたもの等を言い、マトリックスが感光性マトリックスの場合には、後述のフォトレジスト組成物に含まれる付加重合性不飽和化合物等を言う。

本発明の導電性組成物がマトリックスを形成し得る重合性化合物を含む場合、マトリックスを形成し得る重合性化合物／金属導電性繊維の含有比率は、質量比で０．００１／１〜１００／１の範囲が好ましい。このような範囲に選定することにより、基材への導電性層の接着力、および表面抵抗の適切なものが得られる。マトリックスを形成し得る重合性化合物／金属導電性繊維の含有比率は、質量比で０．０１／１〜２０／１の範囲がより好ましく、１／１〜１５／１の範囲が更に好ましく、２／１〜８／１の範囲が特に好ましい。

なお、後述の導電性部材の製造方法で説明するように、金属導電性繊維と、マトリックスを形成し得る重合性化合物と、を別々に基材上に付与して、導電性層を形成してもよい。この方法では、導電性組成物にマトリックスを形成し得る重合性化合物を含有させなくともよい。

〔非感光性マトリックス〕
非感光性マトリックスについて説明する。好適な非感光性マトリックスとしては、有機高分子または、無機高分子を含むものが挙げられる。

有機高分子としては、ポリメタクリレート（例えば、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エステルを含む共重合体）、ポリアクリレート（例えば、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エステルを含む共重合体）、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコール、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート）、フェノールまたはクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂（例えば、Ｎｏｖｏｌａｃｓ（登録商標））、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリフェニレン、およびポリフェニルエーテルなどの高芳香性を有する高分子、ポリウレタン（ＰＵ）、エポキシ樹脂、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリシクロオレフィン）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）、セルロース誘導体、シリコーン、シリコン含有高分子（例えば、ポリシルセスキオキサンおよびポリシラン）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム（例えば、ＥＰＲ、ＳＢＲ、ＥＰＤＭ）、含フッ素重合体（例えば、ポリビニリデンフルオライド、ポリテトラフルオロエチレン（ＴＦ（Ｅ）、ポリヘキサフルオロプロピレン）、および炭化水素オレフィン（例えば、旭硝子株式会社製「ＬＵＭＩＦＬＯＮ」（登録商標））、および非晶質フルオロカーボン重合体または共重合体（例えば、旭硝子株式会社製の「ＣＹＴＯＰ」（登録商標）またはデュポン社製の「Ｔｅｆｌｏｎ」（登録商標）ＡＦ）などが挙げられるが、本発明はこれに限定されない。

無機高分子としては、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌからなる群から選ばれた元素のアルコキシド化合物（以下、「特定アルコキシド化合物」ともいう。）をマトリックスを形成し得る重合性化合物とし、これを加水分解および重縮合し、更に所望により加熱、乾燥して得られるゾルゲル硬化物を挙げることができる。
上記ゾルゲル硬化物は、キズおよび磨耗に対して高い耐性を有するものが容易に製造できるという点から好ましい。

前記特定アルコキシド化合物は、下記一般式（１０）で示される化合物であることが好ましい。
Ｍ（ＯＲ^ｐ）_ａＲ^ｑ _４−ａ （１０）

一般式（１０）中、ＭはＳｉ、Ｔｉ、ＡｌおよびＺｒから選択される元素を示し、Ｒ^ｐは、それぞれ独立に水素原子または炭化水素基を示し、Ｒ^ｑは、それぞれ独立に炭化水素基を示し、ａは２〜４の整数を示す。

一般式（１０）におけるＲ^ｐおよびＲ^ｑで表される各炭化水素基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基が挙げられる。
アルキル基を示す場合の炭素数は好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８であり、さらにより好ましくは１〜４である。また、アリール基を示す場合は、フェニル基が好ましい。
アルキル基またはアリール基は置換基を更に有していてもよく、導入可能な置換基としては、前述の一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２で表されるアルキル基で例示した置換基を挙げることができる。この化合物は分子量１０００以下であることが好ましい。
以下に、一般式（１０）で示される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。

（アルコキシシラン）
ＭがＳｉでａが２の場合、すなわち、ジアルコキシシランとしては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、プロピルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、アセトキシメチルメチルジエトキシシラン、アセトキシメチルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルエチルジエトキシシラン、フェニルメチルジプロポキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジブトキシシラン、イソプロペニルメチルジメトキシシラン、イソプロペニルメチルジエトキシシラン、イソプロペニルメチルジブトキシシラン、などを挙げることができる。これらのうち特に好ましいものとしては、入手容易な観点と親水性層との密着性の観点から、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等を挙げることができる。

ＭがＳｉでａが３の場合、すなわち、トリアルコキシシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、イソプロペニルトリメトキシシラン、イソプロペニルトリエトキシシラン、などを挙げることができる。これらのうち特に好ましいものとしては、入手容易な観点と親水性層との密着性の観点から、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等を挙げることができる。

ＭがＳｉでａが４の場合、すなわち、テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシラン、メトキシトリエトキシシラン、エトキシトリメトキシシラン、メトキシトリプロポキシシラン、エトキシトリプロポキシシラン、プロポキシトリメトキシシラン、プロポキシトリエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン等を挙げることができる。これらのうち特に好ましいものとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等を挙げることができる。

（アルコキシチタネート）
ＭがＴｉでａが２の場合、すなわち、ジアルコキシチタネートとしては、例えば、ジメチルジメトキシチタネート、ジエチルジメトキシチタネート、プロピルメチルジメトキシチタネート、ジメチルジエトキシチタネート、ジエチルジエトキシチタネート、ジプロピルジエトキシチタネート、フェニルエチルジエトキシチタネート、フェニルメチルジプロポキシチタネート、ジメチルジプロポキシチタネート等を挙げることができる。
ＭがＴｉでａが３の場合、すなわち、トリアルコキシチタネートとしては、例えば、メチルトリメトキシチタネート、エチルトリメトキシチタネート、プロピルトリメトキシチタネート、メチルトリエトキシチタネート、エチルトリエトキシチタネート、プロピルトリエトキシチタネート、クロロメチルトリエトキシチタネート、フェニルトリメトキシチタネート、フェニルトリエトキシチタネート、フェニルトリプロポキシチタネート等を挙げることができる。
ＭがＴｉでａが２の場合、すなわち、テトラアルコキシチタネートとしては、例えば、テトラメトキシチタネート、テトラエトキシチタネート、テトラプロポキシチタネート、テトライソプロポキシチタネート、テトラブトキシチタネート等を挙げることができる。

（ジルコニウムまたはアルミニウムのアルコキシド）
ＭがＺｒの場合、すなわち、ジルコニウムのアルコキシドとしては、例えば、前記チタンを含むものとして例示した化合物に対応するジルコネートを挙げることができる。
ＭがＡｌの場合、即ち、アルミニウムのアルコキシドとしては、例えば、トリメトキシアルミネート、トリエトキシアルミネート、トリプロポキシアルミネート、テトラエトキシアルミネート等を挙げることができる。

これらの特定アルコキシドは市販品として容易に入手できるほか、公知の合成方法、例えば各金属塩化物と任意のアルコールとの反応によって製造してもよい。
上記特定アルコキシドは、一種類の化合物を単独で用いても、二種類以上の化合物を組み合わせて使用してもよい。

ゾルゲル硬化物をマトリックスとする導電性層は、特定アルコキシド化合物を含む含水溶液を塗布液（以下、「ゾルゲル塗布液」ともいう。）として、基材上に塗布して塗布液膜を形成し、この塗布液膜中で特定アルコキシド化合物の加水分解と重縮合の反応（以下、この加水分解と重縮合の反応を「ゾルゲル反応」ともいう。）を起こさせ、更に必要に応じて加熱して水を蒸発、乾燥することにより、形成することが好ましい。

ゾルゲル塗布液の調製に際しては、金属導電性繊維の分散液を別に調製しておき、これと特定アルコキシド化合物とを混合してもよい。更に、特定アルコキシド化合物を含む溶液を調製したのち、この溶液を加熱して特定アルコキシド化合物の少なくとも一部を加水分解および重縮合させてゾル状態とし、このゾル状態にある溶液と金属導電性繊維の分散液とを混合したものをゾルゲル塗布液としてもよい。

（触媒）
本発明の導電性組成物が前記特定アルコキシドを含む場合には、ゾルゲル反応を促進させるため、酸性触媒または塩基性触媒を添加することが好ましい。以下、この触媒について、説明する。
触媒としては、アルコキシド化合物の加水分解および重縮合の反応を促進させるものであれば、任意のものを使用することができる。
このような触媒としては、酸、あるいは塩基性化合物が含まれ、そのまま用いるか、または、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態のもの（以下、これらを包括してそれぞれ酸性触媒、塩基性触媒とも称する）が使用される。
酸、あるいは塩基性化合物を溶媒に溶解させる際の濃度については特に限定はなく、用いる酸、或いは塩基性化合物の特性、触媒の所望の含有量などに応じて適宜選択すればよい。ここで、触媒を構成する酸或いは塩基性化合物の濃度が高い場合は、加水分解、重縮合速度が速くなる傾向がある。但し、濃度の高過ぎる塩基性触媒を用いると、沈殿物が生成して導電性層に欠陥となって現れる場合があるので、塩基性触媒を用いる場合、その濃度は水溶液での濃度換算で１Ｎ以下であることが好ましい。

酸性触媒あるいは塩基性触媒の種類は特に限定されないが、濃度の濃い触媒を用いる必要がある場合には、乾燥後の導電性層中にほとんど残留しない化合物が好ましい。具体的には、酸性触媒としては、塩酸などのハロゲン化水素、硝酸、硫酸、亜硫酸、硫化水素、過塩素酸、過酸化水素、炭酸、ギ酸や酢酸などのカルボン酸、そのＲＣＯＯＨで示される構造式のＲを他元素または置換基によって置換した置換カルボン酸、ベンゼンスルホン酸などのスルホン酸などが挙げられ、塩基性触媒としては、アンモニア水などのアンモニア性塩基、エチルアミンやアニリンなどのアミン類などが挙げられる。

金属錯体からなるルイス酸触媒もまた好ましく使用できる。特に好ましい触媒は、金属錯体触媒であり、周期表の第２族、第１３族、第４族、および、第５族から選ばれる金属元素とβ−ジケトン、ケトエステル、ヒドロキシカルボン酸またはそのエステル、アミノアルコール、エノール性活性水素化合物の中から選ばれるオキソまたはヒドロキシ酸素含有化合物から構成される金属錯体である。
構成金属元素の中では、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｔ、Ｂａなどの第２族元素；Ａｌ、Ｇａなどの第１３族元素；Ｔｉ、Ｚｒなどの第４族元素；およびＶ、Ｎｂ、Ｔａなどの第５族元素；が好ましく、それぞれ触媒効果の優れた錯体を形成する。その中でもＺｒ、ＡｌおよびＴｉから得られる錯体が優れており、好ましい。

上記金属錯体の配位子を構成するオキソまたはヒドロキシ酸素含有化合物は、本発明においては、アセチルアセトン（２，４−ペンタンジオン）、２，４−ヘプタンジオンなどのβジケトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸ブチルなどのケトエステル類、乳酸、乳酸メチル、サリチル酸、サリチル酸エチル、サリチル酸フェニル、リンゴ酸、酒石酸、酒石酸メチルなどのヒドロキシカルボン酸およびそのエステル、４−ヒドロキシー４−メチル−２−ペンタノン、４−ヒドロキシ−２−ペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−２−ヘプタノンなどのケトアルコール類、モノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアミノアルコール類、メチロールメラミン、メチロール尿素、メチロールアクリルアミド、マロン酸ジエチルエステルなどのエノール性活性化合物、アセチルアセトン（２，４−ペンタンジオン）のメチル基、メチレン基またはカルボニル炭素に置換基を有する化合物が挙げられる。

好ましい配位子はアセチルアセトン誘導体であり、アセチルアセトン誘導体は、本発明においては、アセチルアセトンのメチル基、メチレン基またはカルボニル炭素に置換基を有する化合物を指す。アセチルアセトンのメチル基に置換する置換基としては、いずれも炭素数が１〜３の直鎖または分岐のアルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基であり、アセチルアセトンのメチレン基に置換する置換基としてはカルボキシル基、いずれも炭素数が１〜３の直鎖または分岐のカルボキシアルキル基およびヒドロキシアルキル基であり、アセチルアセトンのカルボニル炭素に置換する置換基としては炭素数が１〜３のアルキル基であってこの場合はカルボニル酸素には水素原子が付加して水酸基となる。

好ましいアセチルアセトン誘導体の具体例としては、エチルカルボニルアセトン、ｎ−プロピルカルボニルアセトン、ｉ−プロピルカルボニルアセトン、ジアセチルアセトン、１―アセチル−１−プロピオニル−アセチルアセトン、ヒドロキシエチルカルボニルアセトン、ヒドロキシプロピルカルボニルアセトン、アセト酢酸、アセトプロピオン酸、ジアセト酢酸、３，３−ジアセトプロピオン酸、４，４−ジアセト酪酸、カルボキシエチルカルボニルアセトン、カルボキシプロピルカルボニルアセトン、ジアセトンアルコールが挙げられる。中でも、アセチルアセトンおよびジアセチルアセトンがとくに好ましい。上記のアセチルアセトン誘導体と上記金属元素の錯体は、金属元素１個当たりにアセチルアセトン誘導体が１〜４分子配位する単核錯体であり、金属元素の配位可能の手がアセチルアセトン誘導体の配位可能結合手の数の総和よりも多い場合には、水分子、ハロゲンイオン、ニトロ基、アンモニオ基など通常の錯体に汎用される配位子が配位してもよい。

好ましい金属錯体の例としては、トリス（アセチルアセトナト）アルミニウム錯塩、ジ（アセチルアセトナト）アルミニウム・アコ錯塩、モノ（アセチルアセトナト）アルミニウム・クロロ錯塩、ジ（ジアセチルアセトナト）アルミニウム錯塩、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、環状アルミニウムオキサイドイソプロピレート、トリス（アセチルアセトナト）バリウム錯塩、ジ（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、トリス（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、ジルコニウムトリス（エチルアセトアセテート）、ジルコニウムトリス（安息香酸）錯塩、等が挙げられる。これらは水系塗布液での安定性および、加熱乾燥時のゾルゲル反応でのゲル化促進効果に優れているが、中でも、特にエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、ジ（アセチルアセトナト）チタニウム錯塩、ジルコニウムトリス（エチルアセトアセテート）が好ましい。

上記した金属錯体の対塩の記載を本明細書においては省略しているが、対塩の種類は、錯体化合物としての電荷の中性を保つ水溶性塩である限り任意であり、例えば硝酸塩、ハロゲン酸塩、硫酸塩、燐酸塩などの化学量論的中性が確保される塩の形が用いられる。
金属錯体のシリカゾルゲル反応での挙動については、Ｊ．Ｓｏｌ−Ｇｅｌ．Ｓｃｉ．ａｎｄ Ｔｅｃ．１６．２０９（１９９９）に詳細な記載がある。反応メカニズムとしては以下のスキームを推定している。すなわち、塗布液中では、金属錯体は、配位構造を取って安定であり、塗布後の加熱乾燥過程に始まる脱水縮合反応では、酸触媒に似た機構で架橋を促進させるものと考えられる。いずれにしても、この金属錯体を用いたことにより塗布液の経時安定性、並びに導電性層の皮膜面質および高耐久性に優れるものを得られる。
上記の金属錯体触媒は、市販品として容易に入手でき、また公知の合成方法、例えば各金属塩化物とアルコールとの反応によっても得られる。

本発明に係る触媒は、前記ゾルゲル塗布液中に、その不揮発性成分に対して、好ましくは０〜５０質量％、更に好ましくは５〜２５質量％の範囲で使用される。触媒は、単独で用いても二種以上を組み合わせて使用してもよい。

（溶媒）
上記のゾルゲル塗布液には、基材上に均一な塗布液膜の形成性を確保するために、所望により、溶媒を含有させてもよい。
このような溶媒としては、例えば、水、ケトン系溶剤（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトンなど）、アルコール系溶剤（例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−プロパノール、１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールなど）、塩素系溶剤（例えば、クロロホルム、ジクロロメタンなど）、芳香族系溶剤（例えば、ベンゼン、トルエンなど）、エステル系溶剤（例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピルなど）、エーテル系溶剤（例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなど）、グリコールエーテル系溶剤（例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなど）等が挙げられる。

基材上に形成されたゾルゲル塗布液の塗布液膜中においては、特定アルコキシド化合物の加水分解および縮合の反応が起こるが、その反応を促進させるために、上記塗布液膜を加熱、乾燥することが好ましい。ゾルゲル反応を促進させるための加熱温度は、３０℃〜２００℃の範囲が適しており、５０℃〜１８０℃の範囲がより好ましい。加熱、乾燥時間は１０秒間〜３００分間が好ましく、１分間〜１２０分間がより好ましい。

非感光性マトリックスとしては、上述のゾルゲル硬化物が、膜強度の高い導電性層が得られる点で好ましい。

〔感光性マトリックス〕
次に、感光性マトリックスについて説明する。
感光性マトリックスの好ましい例としては、リソグラフィック・プロセスに好適なフォトレジスト組成物が挙げられる。マトリックスとしてフォトレジスト組成物を含む場合には、導電性領域と非導電性領域とをパターン状に有する導電性層を、リソグラフィック・プロセスにより形成することが可能となる点で好ましい。このようなフォトレジスト組成物のうち、特に好ましいものとして、透明性および柔軟性に優れ、かつ基材との接着性に優れた導電性層が得られるという点から、光重合性組成物が挙げられる。以下、この光重合性組成物について説明する。

（光重合性組成物）
光重合性組成物は、（Ｉ）付加重合性不飽和化合物と、（ＩＩ）光が照射されるとラジカルを発生する光重合開始剤とを基本成分として含み、更に所望により（ＩＩＩ）バインダー、（ＩＶ）その他、上記成分（Ｉ）〜（ＩＩＩ）以外の添加剤を含むものである。
以下、これらの成分について、説明する。

（Ｉ）付加重合性不飽和化合物
成分（Ｉ）の付加重合性不飽和化合物（以下、「重合性化合物」ともいう。）は、ラジカルの存在下で付加重合反応を生じて高分子化される化合物であり、通常、分子末端に少なくとも一つの、より好ましくは二つ以上の、更に好ましくは四つ以上のエチレン性不飽和結合を有する化合物が使用される。これらは、例えば、モノマー、プレポリマー、即ち２量体、３量体およびオリゴマー、またはそれらの混合物などの化学的形態をもつ。このような重合性化合物としては、種々のものが知られており、それらは成分（Ｉ）として使用することができる。

このうち、特に好ましい重合性化合物としては、膜強度の観点から、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートが特に好ましい。

成分（Ｉ）の含有量は、導電性組成物の固形分の総質量を基準として、２．６質量％以上３７．５質量％以下であることが好ましく、５．０質量％以上２０．０質量％以下であることがより好ましい。

（ＩＩ）光重合開始剤
成分（ＩＩ）の光重合開始剤は、光が照射されるとラジカルを発生する化合物である。このような光重合開始剤には、光照射により、最終的には酸となる酸ラジカルを発生する化合物およびその他のラジカルを発生する化合物などが挙げられる。以下、前者を「光酸発生剤」と呼び、後者を「光ラジカル発生剤」と呼ぶ。

−光酸発生剤−
光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線または放射線の照射により酸ラジカルを発生する公知の化合物およびそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。

このような光酸発生剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジ−またはトリ−ハロメチル基を少なくとも一つ有するトリアジン化合物または１，３，４−オキサジアゾール、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルハライド、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、ｏ−ニトロベンジルスルホネートなどが挙げられる。これらの中でも、スルホン酸を発生する化合物であるイミドスルホネート、オキシムスルホネート、ｏ−ニトロベンジルスルホネートが特に好ましい。
また、活性光線または放射線の照射により酸ラジカルを発生する基、あるいは化合物を樹脂の主鎖または側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第３，８４９，１３７号明細書、独国特許第３９１４４０７号明細書、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号の各公報等に記載の化合物を用いることができる。
更に、米国特許第３，７７９，７７８号、欧州特許第１２６，７１２号等の各明細書に記載の化合物も、酸ラジカル発生剤として使用することができる。

−光ラジカル発生剤−
光ラジカル発生剤は、光を直接吸収し、または光増感されて分解反応若しくは水素引き抜き反応を起こし、ラジカルを発生する機能を有する化合物である。光ラジカル発生剤としては、波長２００ｎｍ〜５００ｎｍの領域に吸収を有するものであることが好ましい。
このような光ラジカル発生剤としては、多数の化合物が知られており、例えば特開２００８−２６８８８４号公報に記載されているようなカルボニル化合物、ケタール化合物、ベンゾイン化合物、アクリジン化合物、有機過酸化化合物、アゾ化合物、クマリン化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、有機ホウ酸化合物、ジスルホン酸化合物、オキシムエステル化合物、アシルホスフィン（オキシド）化合物、が挙げられる。これらは目的に応じて適宜選択することができる。これらの中でも、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、オキシムエステル化合物、およびアシルホスフィン（オキシド）化合物が露光感度の観点から特に好ましい。

前記ベンゾフェノン化合物としては、例えばベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、２−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン、２−カルボキシベンゾフェノン、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記アセトフェノン化合物としては、例えば２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、α−ヒドロキシ−２−メチルフェニルプロパノン、１−ヒドロキシ−１−メチルエチル（ｐ−イソプロピルフェニル）ケトン、１−ヒドロキシ−１−（ｐ−ドデシルフェニル）ケトン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、１，１，１−トリクロロメチル−（ｐ−ブチルフェニル）ケトン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１などが挙げられる。市販品の具体例としては、ＢＡＳＦ社製のイルガキュア３６９、イルガキュア３７９、イルガキュア９０７などが好適である。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記ヘキサアリールビイミダゾール化合物としては、例えば、特公平６−２９２８５号公報、米国特許第３，４７９，１８５号、米国特許第４，３１１，７８３号、米国特許第４，６２２，２８６号等の各明細書に記載の種々の化合物、具体的には、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ブロモフェニル））−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｐ−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｍ−メトキシフェニル）ビイジダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｏ’−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ニトロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−メチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−トリフルオロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記オキシムエステル化合物としては、例えばJ.C.S.Perkin II(1979)1653-1660), J.C.S.Perkin II(1979)156-162, Journal of Photopolymer Science and Technology(1995)202-232、特開２０００−６６３８５号公報記載の化合物、特開２０００−８００６８号公報、特表２００４−５３４７９７号公報記載の化合物等が挙げられる。具体例としては、ＢＡＳＦ社製のイルガキュアＯＸＥ−０１、ＯＸＥ−０２等が好適である。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記アシルホスフィン（オキシド）化合物としては、例えばＢＡＳＦ社製のイルガキュア８１９、ダロキュア４２６５、ダロキュアＴＰＯなどが挙げられる。

光ラジカル発生剤としては、露光感度と透明性の観点から、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノベンゾフェノン、イルガキュアＯＸＥ−０１］が特に好ましい。

成分（ＩＩ）の光重合開始剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。その含有量は、導電性組成物の固形分の総質量を基準として、０．１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜３０質量％がより好ましく、１質量％〜２０質量％が更に好ましい。このような数値範囲において、後述の導電性領域と非導電性領域とを含むパターンを導電性層に形成する場合に、良好な感度とパターン形成性が得られる。

（ＩＩＩ）バインダー
バインダーとしては、線状有機高分子重合体であって、分子（好ましくは、アクリル系共重合体、スチレン系共重合体を主鎖とする分子）中に少なくとも１つのアルカリ可溶性を促進する基（例えばカルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基など）を有するアルカリ可溶性樹脂の中から適宜選択することができる。
これらの中でも、有機溶剤に可溶でアルカリ水溶液に可溶なものが好ましく、また、解離性基を有し、塩基の作用により解離性基が解離した時にアルカリ可溶となるものが特に好ましい。ここで、解離性基とは、塩基の存在下で解離することが可能な官能基を表す。

前記バインダーの製造には、例えば公知のラジカル重合法による方法を適用することができる。前記ラジカル重合法でアルカリ可溶性樹脂を製造する際の温度、圧力、ラジカル開始剤の種類およびその量、溶媒の種類等々の重合条件は、当業者において容易に設定可能であり、実験的に条件を定めることができる。

前記線状有機高分子重合体としては、側鎖にカルボン酸を有するポリマーが好ましい。
前記側鎖にカルボン酸を有するポリマーとしては、例えば特開昭５９−４４６１５号、特公昭５４−３４３２７号、特公昭５８−１２５７７号、特公昭５４−２５９５７号、特開昭５９−５３８３６号、特開昭５９−７１０４８号の各公報に記載されているような、メタクリル酸共重合体、アクリル酸共重合体、イタコン酸共重合体、クロトン酸共重合体、マレイン酸共重合体、部分エステル化マレイン酸共重合体等、並びに側鎖にカルボン酸を有する酸性セルロース誘導体、水酸基を有するポリマーに酸無水物を付加させたもの等であり、更に側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する高分子重合体も好ましいものとして挙げられる。

これらの中でも、ベンジル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ベンジル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸／他のモノマーからなる多元共重合体が特に好ましい。
更に、側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する高分子重合体や（メタ）アクリル酸／グリシジル（メタ）アクリレート／他のモノマーからなる多元共重合体も有用なものとして挙げられる。該ポリマーは任意の量で混合して用いることができる。

前記以外にも、特開平７−１４０６５４号公報に記載の、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート／ポリメチルメタクリレートマクロモノマー／ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／メチルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／ベンジルメタクレート／メタクリル酸共重合体、などが挙げられる。

前記アルカリ可溶性樹脂における具体的な構成単位としては、（メタ）アクリル酸と、該（メタ）アクリル酸と共重合可能な他の単量体とが好適である。

前記（メタ）アクリル酸と共重合可能な他の単量体としては、例えばアルキル（メタ）アクリレート、アリール（メタ）アクリレート、ビニル化合物などが挙げられる。これらは、アルキル基およびアリール基の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。
前記アルキル（メタ）アクリレートまたはアリール（メタ）アクリレートとしては、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、トリル（メタ）アクリレート、ナフチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記ビニル化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、グリシジルメタクリレート、アクリロニトリル、ビニルアセテート、Ｎ−ビニルピロリドン、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ポリスチレンマクロモノマー、ポリメチルメタクリレートマクロモノマー、ＣＨ_２＝ＣＲ^１Ｒ^２、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｒ^１）（ＣＯＯＲ^３）〔ただし、Ｒ^１は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^２は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環を表し、Ｒ^３は炭素数１〜８のアルキル基または炭素数６〜１２のアラルキル基を表す。〕、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記バインダーの重量平均分子量は、アルカリ溶解速度、膜物性等の点から、１，０００〜５００，０００が好ましく、３，０００〜３００，０００がより好ましく、５，０００〜２００，０００が更に好ましい。
ここで、前記重量平均分子量は、ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて求めることができる。

成分（ＩＩＩ）のバインダーの含有量は、導電性組成物の固形分の総質量を基準として、５質量％〜９０質量％であることが好ましく、１０質量％〜８５質量％がより好ましく、２０質量％〜８０質量％が更に好ましい。前記好ましい含有量範囲であると、現像性と金属導電性繊維の導電性の両立が図れる。

その他、マトリックスとしては、前述の金属導電性繊維の製造の際に使用された分散剤としての高分子化合物を、マトリックスを構成する成分の少なくとも一部として使用することが可能である。

（ＩＶ）その他、上記成分（Ｉ）〜（ＩＩＩ）以外の添加剤
光重合性組成物は、上記成分（Ｉ）〜（ＩＩＩ）以外のその他の添加剤を添加してもよい。その他の添加剤としては、例えば、増感剤、連鎖移動剤、架橋剤、分散剤、溶媒、界面活性剤、酸化防止剤、硫化防止剤、金属腐食防止剤、粘度調整剤、防腐剤等の各種の添加剤などが挙げられる。

（ＩＶ−１）連鎖移動剤
連鎖移動剤は、光重合性組成物の露光感度向上のために使用されるものである。このような連鎖移動剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステルなどのＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ安息香酸アルキルエステル、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、Ｎ−フェニルメルカプトベンゾイミダゾール、１，３，５−トリス（３−メルカブトブチルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオンなどの複素環を有するメルカプト化合物、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、１，４−ビス（３−メルカプトブチリルオキシ）ブタンなどの脂肪族多官能メルカプト化合物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

連鎖移動剤の含有量は、前述の金属導電性繊維を含む光重合性組成物の固形分の総質量を基準として、０．０１質量％〜１５質量％が好ましく、０．１質量％〜１０質量％がより好ましく、０．５質量％〜５質量％が更に好ましい。

（ＩＶ−２）架橋剤
架橋剤は、フリーラジカル又は酸及び熱により化学結合を形成し、導電性層を硬化させる化合物で、例えばメチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも１つの基で置換されたメラミン系化合物、グアナミン系化合物、グリコールウリル系化合物、ウレア系化合物、フェノール系化合物もしくはフェノールのエーテル化合物、エポキシ系化合物、オキセタン系化合物、チオエポキシ系化合物、イソシアネート系化合物、又はアジド系化合物、メタクリロイル基又はアクリロイル基などを含むエチレン性不飽和基を有する化合物、などが挙げられる。これらの中でも、膜物性、耐熱性、溶剤耐性の点でエポキシ系化合物、オキセタン系化合物、エチレン性不飽和基を有する化合物が特に好ましい。

また、オキセタン樹脂は、１種単独で又はエポキシ樹脂と混合して使用することができる。特にエポキシ樹脂との併用で用いた場合には反応性が高く、膜物性を向上させる観点から好ましい。
なお、架橋剤としてエチレン性不飽和二重結合基を有する化合物を用いる場合、当該架橋剤も、また、前記（Ｉ）重合性化合物に包含され、その含有量は、本発明における（Ｉ）重合性化合物の含有量に含まれることを考慮すべきである。
架橋剤の含有量は、前述の金属導電性繊維を含む光重合性組成物の固形分の総質量を基準として、１質量部〜２５０質量部が好ましく、３質量部〜２００質量部がより好ましい。

（ＩＶ−３）分散剤
分散剤は、光重合性組成物中における前述の金属導電性繊維が凝集することを防止しつつ分散させるために用いられる。分散剤としては、前記金属導電性繊維を分散させることができれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、顔料分散剤として市販されている分散剤を利用でき、特に金属導電性繊維に吸着する性質を持つ高分子分散剤が好ましい。このような高分子分散剤としては、例えばポリビニルピロリドン、ＢＹＫシリーズ（ビックケミー社製）、ソルスパースシリーズ（日本ルーブリゾール社製など）、アジスパーシリーズ（味の素株式会社製）などが挙げられる。

なお、分散剤として高分子分散剤を用い、且つ該高分子分散剤として前記金属導電性繊維の製造に用いたもの以外をさらに別に添加する場合、当該高分子分散剤も、また、前記成分（ＩＩＩ）のバインダーに包含され、その含有量は、前述の成分（ＩＩＩ）の含有量に含まれることを考慮すべきである。
分散剤の含有量としては、成分（ＩＩＩ）のバインダー１００質量部に対し、０．１質量部〜５０質量部が好ましく、０．５質量部〜４０質量部がより好ましく、１質量部〜３０質量部が特に好ましい。分散剤の含有量を０．１質量部以上とすることで、分散液中での金属導電性繊維の凝集が効果的に抑制され、５０質量部以下とすることで、塗布工程において安定な液膜が形成され、塗布ムラの発生が抑制されるため好ましい。

（ＩＶ−４）溶媒
溶媒は、前述の金属導電性繊維を含む光重合性組成物を基材表面に膜状に形成するための塗布液とするために使用される成分であり、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、３−メトキシブタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノンなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
このような溶媒を含む塗布液の固形分濃度は、０．１質量％〜２０質量％の範囲で含有させることが好ましい。

（ｄ）その他の添加剤
本発明の導電性組成物には、上記成分（ａ）〜（ｃ）以外に、更に、金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物を含有してもよい。このような金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばアゾール化合物（ベンゾトリアゾール、４−メチルベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール、４−エチルベンゾトリアゾール、５，６−ジメチルベンゾベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、ベンジルトリアゾール、５，６−ジメチルベンゾイミダゾール、チアジアゾール、テトラゾールなど）、トリアジン化合物、アンモニウム化合物、ホスホニウム化合物、メルカプト化合物（２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトテトラゾール、２−メルカプトピリミジン、または、２−メルカプトベンゾイミダゾール、ジチオチアジアゾール、アルキルジチオチアジアゾール、および、アルキルチオールなど）、スルフィド化合物、ジスルフィド化合物などが好適である。

これらの金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物は、金属表面に吸着または、錯体形成して被膜を形成することにより、腐食防止、あるいは、防錆の効果を発揮し、本発明の効果を更に向上することができる。
金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物の添加方法は任意の方法から選択できるが、例えば、導電性組成物中に、化合物単独、あるいは適切な溶媒で溶解または分散した溶液として添加してもよく、作製後の導電性層を金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物の溶液に浸漬してもよい。
金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物の好ましい添加量は、金属導電性繊維の質量あたり、好ましくは０．１％以上１００％以下であり、更に好ましくは１％以上５０％以下であり、特に好ましくは２％以上２５％以下である。０．１％以上１００％以下とすることにより、金属導電性繊維の腐蝕または錆びの発生を効果的に防止しつつ、高い導電性が維持される。

また、本発明の導電性組成物は、所望の基材上に塗布により形成するために、溶媒を含有させることが好ましい。金属導電性繊維の製造において、溶媒として水を使用して、水性媒体中に金属導電性繊維を分散させた水性分散液として製造した場合には、その水性分散液に、前述の（ｂ）成分化合物を添加して含有させればよい。好適には、金属導電性繊維１ｇ当たり、（ｂ）成分化合物を０．００５ｍｍｏｌ以上５０ｍｍｏｌ以下の範囲で添加して含有させる。

他方、導電性組成物の塗布液の溶媒として、金属導電性繊維の製造において使用した溶媒（例えば、水）とは異なる溶媒、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の有機溶剤が望まれる場合には、金属導電性繊維の製造において使用した溶媒（例えば、水）を、所望の溶媒（例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）に一部または全部を置換する溶媒置換を行った上で、前述の（ｂ）成分化合物を添加して含有させればよい。好適には、金属導電性繊維１ｇ当たり、（ｂ）成分化合物を０．００５ｍｍｏｌ以上５０ｍｍｏｌ以下の範囲で添加して含有させる。

このようにして、本発明の導電性組成物の塗布液を調製することができる。このような塗布液の溶媒としては、上記に挙げたものの他に、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、３−メトキシブタノール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレン等のエステル系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン等のアミド系溶媒、トルエン、キシレン等のベンゼン系溶媒、および、これらの混合溶媒などが挙げられる。
上記の塗布液における金属導電性繊維の濃度は、０．００１質量％以上５０質量％以下の範囲から、所望とする導電性層の厚さに応じて適宜選択される。

本発明の導電性組成物および後述する導電性部材は、例えば、タッチパネル、ディスプレイ用電極、電磁波シールド、有機ＥＬディスプレイ用電極、無機ＥＬディスプレイ用電極、電子パーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、集積型太陽電池、液晶表示装置、タッチパネル機能付表示装置、その他の各種デバイスなどに幅広く利用可能である。

＜導電性部材＞
本発明の導電性部材は、基材上に、少なくとも、（ａ）平均短軸長さが１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、（ｂ）成分化合物、を含有する導電性層を有する。
導電性層は、基材上に直接設けられても、基材上に設けた、下塗り層、中間層、クッション層など、単数または複数の他の層の上に設けられていてもよい。また、導電性層上には、表面保護層（可溶性保護層など）、ハードコート層、酸素遮断層、帯電防止層、などの他の層を更に設けてもよい。特に、導電性層が前記マトリックスを含まない導電性組成物によって形成される場合、基材上に予め接着層を設けておき、この接着層上に、上記導電性組成物で構成される導電性層を設けた態様が好ましい。

（基材）
上記基材としては、導電性層を担うことができるものである限り、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、板状、膜状、および、シート状などが挙げられる。構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられる。基材は、透明であっても、不透明であってもよい。
基材の材料としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、透明ガラス基板、合成樹脂製シート（フィルム）、金属基板、セラミック板、半導体基板に使用されるシリコンウエハーなどを挙げることができる。

透明ガラス基板としては、例えば、白板ガラス、青板ガラス、シリカコート青板ガラスなどが挙げられる。また近年開発された厚みが１０μｍ〜数百μｍの薄層ガラス基材でもよい。
合成樹脂製シートとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート、ポリカーボネートシート、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）シート、ポリエーテルスルホンシート、ポリエステルシート、アクリル樹脂シート、塩化ビニル樹脂シート、芳香族ポリアミド樹脂シート、ポリアミドイミドシート、ポリイミドシートなどが挙げられる。
金属基板としては、例えば、アルミニウム板、銅板、ニッケル板、ステンレス板などが挙げられる。

前記基材には、所望により、シランカップリング剤等の薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着などの前処理を行うことができる。

本発明に用いる基材は、本発明の導電性層を付与するに際し、機能性層の密着性向上および塗布液の濡れ性の向上を目的として、片面又は両面に、親水化処理、凹凸処理などの前処置を施すことが好ましい。前処理としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、プラズマ処理、大気圧プラズマ処理、火炎処理、熱風処理、オゾン・紫外線照射処理、クロム酸処理（湿式）、ケン化処理（湿式）等が挙げられ、コロナ放電処理、プラズマ処理（真空グロー放電および大気圧グロー放電処理）が特に好ましい。

［プラズマ処理］
本発明に用いられるプラズマ処理としては、真空グロー放電、大気圧グロー放電等によるものがあり、その他の方法としてフレームプラズマ処理等の方法があげられる。これらは、例えば特開平６−１２３０６２号公報、特開平１１−２９３０１１号公報、同１１−５８５７号公報等に記載された方法を用いることができる。

プラズマ処理は、高周波電圧の印加により気体をプラズマ励起させて電極間にグロー放電を行わせるとともに、プラズマ励起状態の気体を基材表面に照射することにより、基材の表面を改質するものである。

プラズマ励起性気体としては制限は無いが、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物が好ましく、アルゴン、ネオン等の不活性ガスに、カルボキシル基や水酸基、カルボニル基等の極性官能基をプラスチックフィルムの表面に付与できる反応性ガスを加えたものが好ましい。反応性ガスとしては水素、酸素、窒素の他、水蒸気やアンモニア等のガスの他、低級炭化水素、ケトン等の低沸点の有機化合物等も必要に応じ用いることができるが、取り扱い上は、水素、酸素、二酸化炭素、窒素、水蒸気等のガスが好ましい。水蒸気を用いる場合は、他のガスを水に通しバブリングしたガスを用いることができる。或いは水蒸気を混合してもよい。

印加する高周波電圧の周波数としては、１ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が好ましく用いられ、より好ましくは１ｋＨｚ以上４０ｋＨｚ以下である。

これらのグロー放電によるプラズマ処理には真空下でこれを行う方法と、大気圧下でこれを行う方法がある。

グロー放電による真空プラズマ放電処理においては、有効に放電を起こさせるために、その雰囲気を０．００５〜２０ｔｏｒｒ（０．６７〜２６６６Ｐａ）の範囲に保つ様に上記反応性ガスを導入する必要がある。処理速度を上げるにはなるべく高圧側で高出力条件を採用することが好ましいが、電界強度を上げすぎると基材にダメージを与える場合がある。

大気圧近傍でプラズマ放電を行う大気圧グロー放電による場合には、安定に放電を起こさせるために、反応性ガスにヘリウムやアルゴン等の不活性ガスを併用することが好ましいが、パルス化された電界でプラズマを発生させる場合には不活性ガスは必ずしも必要でなく、反応性ガス濃度を上げ、反応速度を大きくすることができる。

［コロナ放電処理］
コロナ放電処理は、従来公知のいずれの方法、例えば特公昭４８−５０４３号公報、同４７−５１９０５号公報、特開昭４７−２８０６７号公報、同４９−８３７６７号公報、同５１−４１７７０号公報、同５１−１３１５７６号公報等に開示された方法により達成することができる。処理機としては市販の各種コロナ処理機が適用でき、例えばＳＯＦＴＡＬ（ソフタル）社のマルチナイフ電極を有するコロナ処理機は多数本の電極で構成され、電極の間に空気を送ることによりフィルムの加熱防止やフィルム表面に出てくる低分子の除去等が行えるので有用である。また、片面に導電性層を付与した基材の、導電性層を付与していない面に対しては、電極と導電性層の間のスパークを避けるために、放電電極としては誘電体被覆電極（セラミック電極、クォーツ電極など）を、対向電極としてはステンレスなどの金属ロールを用いてコロナ処理を行うことが望ましい。

コロナ処理の条件としては、使用する基材の種類、塗膜のマトリックスの種類、及び用いるコロナ処理機の種類等によって異なる。コロナ表面処理は、照射エネルギーが０．１Ｊ／ｍ^２以上１０Ｊ／ｍ^２以下の範囲で行うのが好ましく、０．５Ｊ／ｍ^２以上５Ｊ／ｍ^２以下がより好ましい。

これらの表面処理を施すことにより、基材表面を親水化処理した場合、基材表面の水に対する接触角は、好ましくは、０°〜４０°、より好ましくは０°〜２０°、さらに好ましくは０°〜１０°の範囲である。

基材の平均厚みは特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。一般的には、１μｍ〜５００μｍの範囲から選択されることが好ましく、３μｍ〜４００μｍが更に好ましく、５μｍ〜３００μｍが特に好ましい。基材の平均厚みを１μｍ以上とすることにより、導電性部材のハンドリングが容易となり、５００μｍ以下とすることにより、基材の可撓性が適度なものとなり、取扱い性が容易であり、転写型の導電性部材として用いる場合にも、転写均一性の確保が容易となる。

導電性部材に透明性が要求される場合には、基材の全可視光透過率が７０％以上のものが好ましく、８５％以上のものが更に好ましく、９０％以上のものが特に好ましい。
なお、本発明では、前記基材として本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。

（導電性層）
本発明に係る導電性層は、少なくとも（ａ）平均短軸長さが１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、および（ｂ）成分化合物、を含有する。

本発明の導電性層の平均厚みは、０．０１μｍ〜２μｍが好ましく、０．０２μｍ〜１μｍがより好ましく、０．０３μｍ〜０．８μｍが更に好ましく、０．０５μｍ〜０．５μｍが特に好ましい。前記導電性層の平均厚みが、０．０１μｍ以上であることにより、耐久性や膜強度の十分なものとすることが容易となり、導電性の面内分布が均一となる。また、前記導電性層の平均厚みを２μｍ以下とすることにより、透過率および透明性の高いものが容易に得られる。

導電性層を基材上に形成する方法としては、前述の導電性組成物の塗布液を用いて、一般的な塗布方法で行うことができ、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。
なお、前述の通り、前記（ａ）金属導電性繊維と（ｂ）成分化合物とは、それぞれが別の層に添加されていてもよく、その場合には、（ａ）金属導電性繊維と（ｂ）成分化合物とを含む本発明の導電性組成物を用いなくともよい。

本発明に係る導電性層には、金属導電性繊維に加え、他の導電性材料、例えば、導電性微粒子などを本発明の効果を損なわない限りにおいて併用し得る。効果の観点からは、前記した金属導電性繊維の比率は、導電性層中に体積比で、５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７５％以上が特に好ましい。これらの金属導電性繊維の割合を、以下、「金属導電性繊維の比率」と呼ぶことがある。

前記金属導電性繊維の比率を５０％以上とすることにより、十分な導電性の確保が容易となり、耐久性も良好なものとすることが容易である。また、金属導電性繊維以外の形状の粒子は、導電性に大きく寄与しない上に吸収を持つため好ましくない。特に形状が金属導電性繊維以外の金属の場合で、球形などのプラズモン吸収が強い場合には透明度が悪化してしまうことがある。

ここで、前記金属導電性繊維の比率は、例えば、金属導電性繊維が銀ナノワイヤーである場合には、銀ナノワイヤー水分散液を濾過して、銀ナノワイヤーと、それ以外の粒子とを分離し、ＩＣＰ発光分析装置を用いて濾紙に残っている銀の量と、濾紙を透過した導電性材料の量とを各々測定することで、金属導電性繊維の比率を求めることができる。濾紙に残っている金属導電性繊維をＴＥＭで観察し、３００本の金属導電性繊維の平均短軸長さを観察し、その分布を調べることにより検知される。
金属導電性繊維の平均短軸長さおよび平均長軸長さの測定方法は既述の通りである。

（可溶性保護層）
本発明の導電性部材は、導電性層上に少なくとも水溶性ポリマーを含む可溶性保護層を有することも好ましい。前記可溶性保護層は、水溶性ポリマーを含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。本発明の可溶性保護層は、本発明に係る（ｂ）成分化合物を含んでいてもよい。

−水溶性ポリマー−
前記水溶性ポリマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばゼラチン、ゼラチン誘導体、ガゼイン、寒天、でんぷん、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸共重合体、カルボキシアルキルセルロース、水溶性セルロースエーテル等のセルロース誘導体、ポリビニルピロリドン、デキストラン、ポリアルキレングリコールなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、及び水溶性セルロース誘導体が特に好ましい。

前記ポリビニルピロリドンは、ビニルピロリドン単位以外の重合単位を有する共重合体であってもよく、そのような共重合体としては、例えば、ビニルピロリドン／ビニル酢酸共重合体等が挙げられる。ポリビニルアルコールは、ビニルアルコール単位以外の重合単位を有する共重合体であってもよく、そのような共重合体としては、例えば、ビニルアルコール／ビニルピロリドン共重合体等が挙げられる。
前記水溶性セルロース誘導体としては、例えばカルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどが挙げられる。
前記ポリアルキレングリコールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、エチレングリコール／プロピレングリコール共重合体、などが挙げられ、重量平均分子量が、５，０００〜１００，０００のポリアルキレングリコールが好ましい。

前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フィラー、界面活性剤、酸化防止剤、硫化防止剤、金属腐食防止剤、粘度調整剤、防腐剤等の各種添加剤などが挙げられる。

前記可溶性保護層の平均厚みは、０．１μｍ〜５μｍであることが好ましく、０．２μｍ〜２μｍであることがより好ましく、０．５μｍ〜１μｍであることが更に好ましい。前記平均厚みが、０．１μｍ以上の場合、耐傷性の改良効果が得られやすくなり、５μｍ以下の場合、可溶性保護層の除去時間を短縮しやすく、可溶性保護層の残存が抑えられやすい。また、５μｍ以下の場合、保護層のバインダーが導電性繊維含有層に混入し導電性繊維の密度が低下するのが抑えられ、導電性の低下が抑制される傾向にある。
ここで、前記可溶性保護層の平均厚みは、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による保護層断面の観察により測定することができる。

前記可溶性保護層は、前記導電性層上に、少なくとも水溶性ポリマーを含有する可溶性保護層用組成物を塗布して可溶性保護層を形成することができる。前記可溶性保護層用組成物は、少なくとも前述の水溶性ポリマーを含有し、溶媒、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。

前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えばメタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、アセトン、２−ブタノン、酢酸エチル、酢酸プロピル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジオキサン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、酢酸、水などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、前記導電性層を溶解しないものが好ましく、水が特に好ましい。

前記「塗布」としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塗布法、印刷法、インクジェット法などの一般的な液相成膜法の全てを含むものである。
前記塗布法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。
前記印刷法としては、例えば凸版（活版）印刷法、孔版（スクリーン）印刷法、平版（オフセット）印刷法、凹版（グラビア）印刷法、などが挙げられる。

前記可溶性保護層は、溶媒を付与して除去してもよい。
前記可溶性保護層の除去は、導電性層のパターン形成時に行ってもよいし、ユーザー側においてパターン形成と共に行ってもよい。

可溶性保護層の除去に用いる前記溶媒としては、水及びアルカリ溶液のいずれかであることが好ましい。
前記水としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイオン交換水、限外濾過水、逆浸透水、蒸留水等の純水、又は超純水などが挙げられる。
前記アルカリ溶液に含まれるアルカリとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。

前記水及びアルカリ溶液の付与方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塗布、浸漬、噴霧などが挙げられる。これらの中でも、浸漬が特に好ましい。
前記水及びアルカリ溶液の浸漬時間は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０秒間〜５分間であることが好ましい。

本発明に係る導電性部材は、表面抵抗が１Ω／□以上１０００Ω／□以下となるように調整されることが好ましい。本発明に係る導電性部材の表面抵抗は、１Ω／□〜５００Ω／□の範囲とすることが更に好ましく、１Ω／□〜２５０Ω／□の範囲とすることが特に好ましく、１Ω／□〜２００Ω／□の範囲とすることが最も好ましい。
上記表面抵抗は、本発明に係る導電性部材における導電性層の基材側とは反対側の表面を四探針法）により測定された値である。四探針法による表面抵抗の測定方法は、例えばＪＩＳ Ｋ ７１９４：１９９４（導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法）などに準拠して測定することができ、市販の表面抵抗率計を用いて、簡便に測定することができる。表面抵抗を制御するには、導電性層に含まれる金属導電性繊維の種類および含有比率の少なくとも一つを調整すればよい。より具体的には、例えば、前記マトリックスと金属導電性繊維の含有比率を調製することにより、所望の範囲の表面抵抗を有する導電性層を形成することができる。

本発明に係る導電性部材は、全光線透過率が７０％以上であることが好ましく、８５％以上であることが更に好ましく、９０％以上であることが特に好ましい。
本発明に係る導電性部材は、ヘイズが１０％以下であることが好ましく、５％以下であることが更に好ましく、２％以下であることが特に好ましい。

（本発明の好ましい態様）
本発明の導電性部材の好ましい態様として、下記の３つの態様を挙げることができる。

本発明の第一の好ましい態様は、基材上に金属導電性繊維を含む導電性層を設けた導電性部材であって、基材表面に垂直な方向から観察した場合に、導電性層の全領域が導電性領域である態様（以下、この導電性層を「非パターン化導電性層」ともいう。）である。
第一の態様に係る導電性部材は、例えば、太陽電池の透明電極、電磁波シールド材、帯電防止材などに好ましく使用することができる。

本発明の第二の好ましい態様は、基材上に金属導電性繊維を含む導電性層を設けた導電性部材であって、導電性層が導電性領域と非導電性領域とを含む（以下、この導電性層を「パターン化導電性層」ともいう。）態様である。非導電性領域には金属導電性繊維が含まれていても含まれていなくてもよい。非導電性領域に金属導電性繊維が含まれている場合、非導電性領域に含まれる金属導電性繊維が断線されているか、金属導電性繊維間の接触抵抗が極めて高いことにより、実質的に非導電性となる。
第二の好ましい態様に係る導電性部材は、例えばタッチパネルや配線材料を作製する場合に使用される。この場合、所望の形状を有する導電性領域と非導電性領域が形成され、例えば、既存のＩＴＯ透明導電膜で施されている電極形状が挙げられる。具体的には、国際公開第２００５／１１４３６９号パンフレット、国際公開第２００４／０６１８０８号パンフレット、特開２０１０−３３４７８号公報、特開２０１０−４４４５３号公報に開示されているストライプ形状のパターン、ダイヤモンドパターンと呼ばれているものなどが挙げられる。

本発明の第三の好ましい態様は、第一の基材上に、少なくともクッション層と、金属導電性繊維を含む導電性層をこの順に設けた導電性部材であって、本導電性層を第二の基材上に転写して使用に供する導電性部材である。本態様において、基材は導電性部材を被転写体に転写した後に剥離され、クッション層および導電性層が被転写体に転写される。
第三の態様においては、導電性層の全領域が導電性（非パターン化導電性層）であっても、導電性領域と非導電性領域を有するパターン化導電性層であってもよい。非パターン化導電性層である場合の好ましい用途は、前述の本発明の第一の好ましい態様と同一であり、パターン化導電性層である場合の好ましい用途および形状は、前述の本発明の第二の好ましい態様と同一である。

本発明の第一の好ましい態様、および、第二の好ましい態様について詳しく説明する。
本発明の第一の好ましい態様、および、第二の好ましい態様は、基材上に金属導電性繊維を含む導電性層を設けた導電性部材であり、前述の基材および、導電性層から、その目的に応じて任意の組合せを選択することができる。本発明においては、導電性層のマトリックスとして、前述のゾルゲル硬化物を使用することが好ましい。

本発明の第二の好ましい態様に係るパターン化導電性層は、例えば下記パターニング方法により製造される。
（１）予め非パターン化導電性層を形成しておき、この非パターン化導電性層の所望の領域に含まれる金属導電性繊維に炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等の高エネルギーのレーザー光線を照射して、金属導電性繊維の一部を断線または消失させて当該所望の領域を非導電性領域とするパターニング方法。この方法は、例えば、特開２０１０−４４９６号公報に記載されている。

（２）予め形成した非パターン化導電性層上にネガ型またはポジ型のフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層に所望のパターン露光および現像を行って、当該パターン状の硬化レジスト層を形成したのちに、金属導電性繊維をエッチング可能なエッチング液で処理するウェットプロセスか、または反応性イオンエッチングのようなドライプロセスにより、硬化レジスト層で保護されていない領域の導電性層中の金属導電性繊維をエッチング除去するパターニング方法。この方法は、例えば特表２０１０−５０７１９９号公報（特に、段落０２１２〜０２１７）に記載されている。

（３）予め感光性の非パターン化導電性層を形成しておき、例えば、フォトマスクを利用した面露光、あるいは、レーザービームによる走査露光等によりパターン状に露光した後に現像するパターニング方法であり、露光工程と、現像工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。この方法は、例えば、前述の特許文献５に記載されている。

（４）予め形成した非パターン化導電性層上に、パターン状にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層に所望の露光および必要により現像を行って、パターン状の硬化レジスト層を形成したのちに、金属導電性繊維をエッチング可能なエッチング液で処理するウェットプロセスか、または反応性イオンエッチングのようなドライプロセスにより、硬化レジスト層で保護されていない領域の導電性層中の金属導電性繊維をエッチング除去するパターニング方法。

（５）予め形成した非パターン化導電性層上に、パターン状に露光により金属導電性繊維と反応して不導化しうる化合物を含有するフォトエッチング層を設け、このフォトエッチング層に所望の露光を行って、光が照射された領域の金属導電性繊維が酸化や断線等により絶縁化されることを特徴とするパターニング方法。

上記のうち、（１）、（２）、（４）および（５）の方法は、導電性層が金属導電性繊維単独で構成されている場合、および金属導電性繊維と非感光性のマトリックスとを含む場合に好都合なパターンニング方法である。
また、（２）、（３）、（４）および（５）に記載の露光に用いる光源は、フォトレジスト組成物の感光波長域との関連で選定されるが、一般的にはｇ線、ｈ線、ｉ線、ｊ線等の紫外線が好ましく用いられる。また、青色ＬＥＤを用いてもよい。
パターン露光の方法にも特に制限はなく、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービーム等による走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。

上述の（２）および（４）に記載のパターニング方法において、フォトレジスト層に用いるレジストとしては、ネガ型あるいはポジ型から任意に選択される。

ネガ型レジストとしては、例えば、光重合開始剤、光硬化材料（単官能または多官能のモノマー、オリゴマー、または架橋基含有ポリマー）を含み、バインダー、フィラー、増感剤、重合禁止剤、染料、顔料、界面活性剤、増粘剤、レベリング剤、架橋剤、密着改良剤、溶媒などの添加剤を任意に含むことができる。光重合開始剤としては、光ラジカル重合の光開始剤として公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。前記光重合開始剤の種類に特に制限はないが、例えば、アルキルフェノン系化合物（例えば、ベンジルジメチルケタール化合物、α−ヒドロキシアルキルフェノン化合物及びα−アミノアルキルフェノン化合物など）、オキシム系化合物（例えば、オキシムエステル系化合物）などを使用することができる。また、光重合開始剤は、単独で用いても二種以上を組み合わせて使用してもよい。

ポジ型レジストとしては、例えば、光酸発生剤、硬化剤を含み、バインダー、フィラー、増感剤、重合禁止剤、染料、顔料、界面活性剤、増粘剤、レベリング剤、架橋剤、密着改良剤、溶媒などの添加剤を任意に含むことができる。

前記レジスト層を付与する方法には特に制限がなく、例えば塗布法、印刷法、インクジェット法などが挙げられる。
前記塗布法としては、特に制限はなく、例えばロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。
前記印刷法としては、例えば凸版（活版）印刷法、孔版（スクリーン）印刷法、平版（オフセット）印刷法、凹版（グラビア）印刷法、などが挙げられる。

上述の（２）および（４）に記載のパターニング方法において、前記金属導電性繊維を溶解する溶解液としては、金属導電性繊維に応じて適宜選択することができる。例えば金属導電性繊維が銀ナノワイヤーの場合には、所謂写真科学業界において、主にハロゲン化銀カラー感光材料の印画紙の漂白定着工程に使用される漂白定着液、強酸、酸化剤、過酸化水素などが挙げられる。これらの中でも漂白定着液、希硝酸、過酸化水素が更に好ましく、漂白定着液、希硝酸が特に好ましい。なお、前記金属導電性繊維を溶解する溶解液による銀ナノワイヤーの溶解は、溶解液を付与した部分の銀ナノワイヤーを完全に溶解しなくてもよく、導電性が消失していれば一部が残存していてもよい。
前記希硝酸の濃度は、１質量％〜２０質量％であることが好ましい。
前記過酸化水素の濃度は、３質量％〜３０質量％であることが好ましい。

前記漂白定着液としては、例えば特開平２−２０７２５０号公報の第２６頁右下欄１行目〜３４頁右上欄９行目、および特開平４−９７３５５号公報の第５頁左上欄１７行目〜１８頁右下欄２０行目に記載の処理素材や処理方法が好ましく適用できる。
漂白定着時間は、１８０秒間以下が好ましく、１２０秒間以下１秒間以上がより好ましく、９０秒間以下５秒間以上が更に好ましい。また、水洗または安定化時間は、１８０秒間以下が好ましく、１２０秒間以下１秒間以上がより好ましい。
前記漂白定着液としては、写真用漂白定着液であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、富士フイルム株式会社製ＣＰ−４８Ｓ、ＣＰ−４９Ｅ（カラーペーパー用漂白定着剤）、コダック社製エクタカラーＲＡ漂白定着液、大日本印刷株式会社製漂白定着液Ｄ−Ｊ２Ｐ−０２−Ｐ２、Ｄ−３０Ｐ２Ｒ−０１、Ｄ−２２Ｐ２Ｒ−０１などが挙げられる。これらの中でも、ＣＰ−４８Ｓ、ＣＰ−４９Ｅが特に好ましい。

前記金属導電性繊維を溶解する溶解液の粘度は、２５℃で、５ｍＰａ・ｓ〜３００，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０ｍＰａ・ｓ〜１５０，０００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。前記粘度を、５ｍＰａ・ｓとすることで、溶解液の拡散を所望の範囲に制御することが容易となって、導電性領域と非導電性領域との境界が明瞭なパターニングが確保され、他方、３００，０００ｍＰａ・ｓ以下とすることで、溶解液の印刷を負荷なく行うことが確保されると共に、金属導電性繊維の溶解に要する処理時間を所望の時間内で完了させることができる。

前記金属導電性繊維を溶解する溶解液のパターン状の付与としては、溶解液をパターン状に付与できれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばスクリーン印刷、インクジェット印刷、予めレジスト剤などによりエッチングマスクを形成しておきその上に溶解液をコーター塗布、ローラー塗布、ディッピング塗布、スプレー塗布する方法、などが挙げられる。これらの中でも、スクリーン印刷、インクジェット印刷、コーター塗布、ディップ（浸漬）塗布が特に好ましい。
前記インクジェット印刷としては、例えばピエゾ方式およびサーマル方式のいずれも使用可能である。

上述の（５）に記載のパターニング方法において、光ラジカル発生剤などのエッチング性化学種を発生させるエッチング剤のパターニング方法としては、１）バー塗布（バーコート）を行った後ＵＶマスク露光する方法、２）インクジェットによるパターニングを行った後ＵＶベタ露光する方法、３）スクリーン印刷によるパターニングを行った後ＵＶベタ露光する方法などが挙げられる。（５）に記載のエッチング剤は、露光後に任意の方法で除去されることができる。

（４）に記載の方法において、金属導電性繊維を含有する導電材料のパターニングが可能となる理由の詳細は明らかではないが、光ラジカル発生剤が光を吸収した際に発生するラジカル種から過酸、過酸化物、あるいはパーオキシラジカルが発生し、これが隣接する導電性層中の金属導電性繊維を酸化することにより、導電ネットワークが切断されて、その部分の導電性が低下するものと推定される。本パターニング方法はエッチング等により金属導電性繊維を完全に除去するパターニング方法に比べて、導電部と非導電部のヘイズ差が小さく、パターンが見えにくいという利点を有する。

（５）に記載のパターニング方法において、光ラジカル発生剤は、光を直接吸収し、又は光増感されて分解反応若しくは水素引き抜き反応を起こし、ラジカルを発生する機能を有する化合物である。光重合開始剤としては、波長２００ｎｍ〜９００ｎｍ、好ましくは２００ｎｍ〜６００ｎｍ、更に好ましくは２５０ｎｍ〜５００ｎｍ、特に好ましくは、３００ｎｍ〜５００ｎｍの領域に吸収を有するものであることが好ましい。

このような光ラジカル発生剤としては、多数の化合物が知られており、例えば特開２００８−２６８８８４号公報に記載されているようなカルボニル化合物、アセタール化合物、ベンゾイン化合物、アクリジン化合物、有機過酸化化合物、アゾ化合物、クマリン化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、有機ホウ酸化合物、ジスルホン酸化合物、オキシムエステル化合物、アシルホスフィン（オキシド）化合物、が挙げられる。これらは目的に応じて適宜選択することができる。これらの中でも、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、オキシムエステル化合物、及びアシルホスフィン（オキシド）化合物が露光感度の観点から特に好ましい。
また光ラジカル発生剤は単独で用いてもよいし、適宜溶剤による希釈やポリマーや増粘剤、無機微粒子を加えて塗布適性やインクジェット吐出適性、スクリーン印刷適性を付与し、または視認性を良くするために顔料や染料を添加して着色してもよい。

前記パターンの種類としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、文字、記号、模様、図形、配線パターン、などが挙げられる。
前記パターンの大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ナノサイズからミリサイズのいずれの大きさであっても構わない。

（中間層）
本発明の第一の好ましい態様、および、第二の好ましい態様については、基材と導電性層との間に少なくとも一層の中間層を有することが好ましい。基材と導電性層との間に中間層を設けることにより、基材と導電性層との密着性、導電性層の全光線透過率、導電性層のヘイズ、および導電性層の膜強度のうちの少なくとも一つの向上を図ることが可能となる。
中間層としては、基材と導電性層との接着力を向上させるための接着剤層、導電性層に含まれる成分との相互作用により機能性を向上させる機能性層などが挙げられ、目的に応じて適宜設けられる。

中間層に使用される成分は特に限定されず、上記の特性のいずれか少なくとも一つを向上させるものであればよい。例えば、中間層として接着層を備える場合、接着剤に使用されるポリマー、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルコキシシラン化合物を加水分解および重縮合させて得られるゾルゲル膜などから選ばれる成分が含まれる。
また、導電性層と接する中間層（即ち、中間層が単層の場合には、当該中間層が、そして中間層が複数の層を含む場合には、そのうちの導電性層と接する中間層）が、当該導電性層に含まれる金属導電性繊維と相互作用可能な官能基を有する化合物を含む機能性層であることが、全光線透過率、ヘイズ、および膜強度に優れた導電性層が得られることから好ましい。このような中間層を有する場合においては、導電性層が金属導電性繊維とマトリックスとを含むものであっても、膜強度に優れた導電性層が得られる。

この作用は明確ではないが、導電性層に含まれる金属導電性繊維と相互作用可能な官能基を有する化合物を含む中間層を設けることで、導電性層に含まれる金属導電性繊維と中間層に含まれる上記の官能基を有する化合物との相互作用により、導電性層における導電性材料の凝集が抑制され、均一分散性が向上し、導電性層中における導電性材料の凝集に起因する透明性やヘイズの低下が抑制されるとともに、密着性に起因して膜強度の向上が達成されるものと考えられる。このような相互作用性を発現しうる中間層を、以下、機能性層と称することがある。

上記の金属導電性繊維と相互作用可能な官能基としては、例えば金属導電性繊維が銀ナノワイヤーの場合には、アミド基、アミノ基、メルカプト基、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホン酸基またはそれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも一つであることがより好ましい。さらに好ましくは、アミノ基、メルカプト基、リン酸基、ホスホン酸基またはそれらの塩であることが好ましく、最も好ましくはアミノ基である。
上記のような官能基を有する化合物としては、例えばウレイドプロピルトリエトキシシラン、ポリアクリルアミド、ポリ（Ｎ−メチルアクリルアミド）などのようなアミド基を有する化合物、例えばＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン、ポリ（２−アミノエチルアクリルアミド）などのようなアミノ基を有する化合物、例えば３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、２−メルカプトエチルトリメトキシシランなどのようなメルカプト基を有する化合物、例えばポリ（ｐ−スチレンスルホン酸ナトリウム）、ポリ（アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）などのようなスルホン酸またはその塩の基を有する化合物、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸部分ナトリウム塩などのようなカルボン酸基を有する化合物、例えば例えばポリ（２−ホスホノキシエチルメタクリラート）などのようなリン酸基を有する化合物、例えばポリビニルホスホン酸などのようなホスホン酸基を有する化合物が挙げられる。
これらの官能基を選択することで、導電性層形成用の塗布液を塗布後、金属導電性繊維と中間層に含まれる官能基とが相互作用を生じて、乾燥する際に金属導電性繊維が凝集するのを抑制し、金属導電性繊維が均一に分散された導電性層を形成することができる。

中間層は、中間層を構成する化合物が溶解した、もしくは分散、または乳化した液を基材上に塗布し、乾燥することで形成することができ、塗布方法は一般的な方法を用いることができる。その方法としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。

図１および図２は、本発明の第一の好ましい実施形態、および、第二の好ましい実施形態に係る導電性部材（１）および（２）をそれぞれ示す概略断面図である。図１において、基材１０と導電性層２０との間に、基材１０との親和性に優れた第１の接着層３１と、導電性層２０との親和性に優れた第２の接着層３２とを含む中間層３０を備える。
図２において、基材１０と導電性層２０との間に、前記第一の好ましい実施形態と同様の第１の接着層３１および第２の接着層３２に加え、導電性層２０に隣接して機能性層３３を備えて構成される中間層３０を有する。本明細書における中間層３０は、前記第１の接着層３１、第２の接着層３２、および、機能性層３３から選択される少なくとも１層を含んで構成される層をさす。

図３および図４は、本発明の第三の好ましい実施形態、および、第三の好ましい実施形態の変形例に係る導電性部材（６）および（７）を示す概略断面図である。ここで、図３の導電性部材（６）は、基材１と、該基材１の一の面にクッション層２および導電性層３をこの順に有している。また、図４の導電性部材（７）は、図３の導電性部材（６）において、導電性層３の上に密着層４を設けたものである。

本発明の第三の好ましい実施形態に係る導電性部材（６）について詳しく説明する。
上記導電性部材（６）は、該基材１上に、クッション層２と、金属導電性繊維を含有する導電性層３とをこの順に有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。

前記クッション層２の平均厚みは、１μｍ〜５０μｍであり、５μｍ〜２０μｍが好ましい。前記クッション層２の平均厚みが、１μｍ以上の場合、転写均一性および凹凸追従性に優れる傾向にあり、５０μｍ以下の場合には、導電性部材（６）のカールバランスに優れる傾向にある。

本発明の導電性部材は、上記構成を備えていればその形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられ、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
前記導電性部材は、可撓性を有し、透明であることが好ましく、前記「透明」には、無色透明のほか、有色透明、半透明、有色半透明などが含まれる。

（クッション層）
第三の好ましい実施形態では、クッション層を有する。前記クッション層を有することで、導電性層が基材側の凹凸を跨いでも断線せず、凹凸追従性が向上する。前記クッション層の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられる。前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられる。前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
前記クッション層は、被転写体との転写性を向上させる役割を果たす層であり、少なくともポリマーを含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。

クッション層に含有されるポリマーとしては、加熱時に軟化するポリマーであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱可塑性樹脂などが挙げられる。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン−アクリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリ塩化ビニルゼラチン；セルロースナイトレート、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート等のセルロースエステル；塩化ビニリデン、塩化ビニル、スチレン、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アルキル（炭素数１〜４）アクリレート、ビニルピロリドン等を含むホモポリマーまたは共重合体、可溶性ポリエステル、ポリカーボネート、可溶性ポリアミドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記クッション層のガラス転移温度は、４０℃〜１５０℃が好ましく、９０℃〜１２０℃がより好ましい。前記ガラス転移温度が、４０℃以上の場合、室温で軟らかくなりすぎてハンドリング性が低下するのが抑えられ、１５０℃以下の場合、熱ラミネート方式でクッション層が軟化せずに導電性層の転写性が低下するのが抑えられる。なお、可塑剤等の添加により、ガラス転移温度を調整してもよい。

前記その他の成分として、特開平５−７２７２４号公報の段落［０００７］以降に記載されている有機高分子物質、前記基材との接着力を調節するための各種可塑剤、過冷却物質、密着改良剤、フィラー、酸化防止剤、界面活性剤、離型剤、熱重合禁止剤、粘度調整剤、溶剤などが挙げられる。

前記クッション層は、前記ポリマー、および必要に応じて前記その他の成分を含有するクッション層用塗布液を基材上に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。
前記塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。

本発明に係る導電性部材は、高温や高湿度の過酷な条件に晒されても導電性および透明性に優れ、併せて表面抵抗が低いので、例えばタッチパネル、ディスプレイ用電極、電磁波シールド、有機ＥＬディスプレイ用電極、無機ＥＬディスプレイ用電極、電子パーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、集積型太陽電池、液晶表示装置、タッチパネル機能付表示装置、その他の各種デバイスなどに幅広く適用される。これらの中でも、タッチパネルへの適用が特に好ましい。

＜導電性部材の製造方法＞
本発明の導電性部材の製造方法は、基材上に、少なくとも、（ａ）平均短軸長さが１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、（ｂ）成分化合物、を含有する導電性層を形成できる方法であれば特に制限されない。好適な製造方法として下記（１）および（２）の２つの方法を挙げることができ、さらに下記（１）の方法は下記２つの製造方法を挙げることができる。下記（１−１）、（１−２）および（２）の方法は、いずれも、前記（ａ）成分である前記金属導電性繊維、（ｂ）成分化合物および（ｃ）成分であるマトリックスを含む導電性層を形成する。

（１）基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維および（ｂ）成分化合物を含有する前記導電性組成物を用いて導電性層を形成する。

上記（１）の方法として、さらに下記（１−１）および（１−２）の方法を挙げることができる。

（１−１）基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維および（ｂ）成分化合物を含有する導電性組成物を付与した後に、（ｃ）マトリックスを付与して、前記（ａ）成分、（ｂ）成分および（ｃ）成分を含む導電性層を形成する。

（１−２）基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、（ｂ）成分化合物および（ｃ）マトリックスを含有する導電性組成物を付与して、前記（ａ）成分、（ｂ）成分および（ｃ）成分を含む導電性層を形成する。

（２）基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維を付与した後、（ｂ）成分化合物および（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物を含有する組成物を付与して、前記（ａ）成分、（ｂ）成分および（ｃ）成分を含む導電性層を形成する。

また、前述の通り、（ｂ）成分化合物は、金属導電性繊維を含有する導電性層に添加されるほか、導電性層に接する層に添加されても、その効果を発揮することが可能である。したがって、（ｂ）成分化合物の導電性層への添加法としては、下記３つの方法を挙げることができる。

（１）導電性組成物に（ｂ）成分化合物を添加する。
（２）基材上に予め金属導電性繊維を含む層を形成し、この層を（ｂ）成分化合物を含有する溶液に浸漬する。
（３）導電性層以外の別層に（ｂ）成分化合物を予め添加し、導電性層を塗布・乾燥する際に、別層から導電性層に拡散させて導入する。

より好ましくは、上記（１）または（２）の方法であり、さらに好ましくは、上記（１）の方法である。

したがって、（ａ）金属導電性繊維、（ｂ）成分化合物、及び（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物を用いて導電性部材を製造する方法としては、下記の方法が挙げられる。この方法を、図５〜図８を参照しながら説明する。図５〜図８は、本発明の導電性部材の製造方法の一例を説明する図である。いずれも、導電性層が前記（ａ）成分、（ｂ）成分および（ｃ）成分を含む場合について説明する図である。

［Ｉ］ 図５に示す方法
基材上に、（ａ）成分：金属導電性繊維４０、（ｂ）成分化合物５０、および（ｃ）成分：マトリックスを形成し得る重合性化合物６０を含む導電性組成物を付与する。
この方法は、工程が簡略化されるという利点を有する。

［ＩＩ］ 図６に示す方法
基材上に、（ａ）成分：金属導電性繊維４０および（ｂ）成分化合物５０を含む導電性組成物を付与し（図６（Ａ））、ここに（ｃ）成分：マトリックスを形成し得る重合性化合物６０を含む液を付与する（図６（Ｂ））。
この方法は、（ｂ）成分化合物５０が、（ｃ）成分：マトリックスを形成し得る重合性化合物６０を含む液に溶解しにくい場合に有効である。

［ＩＩＩ］ 図７に示す方法
基材上に、（ａ）成分：金属導電性繊維４０を付与し（図７（Ａ））、ここに（ｂ）成分化合物５０および（ｃ）成分：マトリックスを形成し得る重合性化合物６０を含む液を付与する（図７（Ｂ））。
この方法は、金属導電性繊維４０同士の接触抵抗を低くできるという点で優れる。

［ＩＶ］ 図８に示す方法
基材上に、（ａ）成分：金属導電性繊維４０および（ｃ）成分：マトリックスを形成し得る重合性化合物６０を含む液を付与して第一層を形成し（図８（Ａ））、別層として、その上に接して（ｂ）成分化合物５０を含有する第二層を形成し（図８（Ｂ））、第二層から第一層に（ｂ）成分化合物５０を拡散させる（図８（Ｃ））。
この方法は、ｂ）成分化合物が金属導電性繊維の分散性や接触抵抗に影響する場合に、これらの影響を回避することができる点で優れる。
なお、図８では、別層は、第一層において基材１０から遠い面側で接する層となっているが、第一層において基材１０に近い面側で接する層であってもよい。

＜タッチパネル＞
本発明に係る導電性部材は、例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、投射型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどに適用される。ここで、タッチパネルとは、いわゆるタッチセンサおよびタッチパッドを含むものとする。
前記タッチパネルにおけるタッチパネルセンサー電極部の層構成が、２枚の透明電極を貼合する貼合方式、１枚の基材の両面に透明電極を具備する方式、片面ジャンパーあるいはスルーホール方式あるいは片面積層方式のいずれかであることが好ましい。
前記表面型静電容量方式タッチパネルについては、例えば特表２００７−５３３０４４号公報に記載されている。

＜太陽電池＞
本発明に係る導電性部材は、集積型太陽電池（以下、太陽電池デバイスと称することもある）における透明電極としても有用である。集積型太陽電池としては、特に制限はなく、太陽電池デバイスとして一般的に用いられるものを使用することができる。例えば、単結晶シリコン系太陽電池デバイス、多結晶シリコン系太陽電池デバイス、シングル接合型、またはタンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイス、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ）等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体太陽電池デバイス、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイス、銅／インジウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン／硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイス、色素増感型太陽電池デバイス、有機太陽電池デバイスなどが挙げられる。

これらの中でも、本発明においては、前記太陽電池デバイスが、タンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイス、および銅／インジウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン系（いわゆる、ＣＩＧＳ系）、銅／インジウム／ガリウム／セレン／硫黄系（いわゆる、ＣＩＧＳＳ系）等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体太陽電池デバイスであることが好ましい。

タンデム構造型等で構成されるアモルファスシリコン系太陽電池デバイスの場合、アモルファスシリコン、微結晶シリコン薄膜層、また、これらにＧｅ（ゲルマニウム）を含んだ薄膜、更に、これらの２層以上のタンデム構造が光電変換層として用いられる。成膜はプラズマＣＶＤ等を用いる。

本発明に係る導電性部材は、前記全ての太陽電池デバイスに関して適用できる。導電性部材は、太陽電池デバイスのどの部分に含まれてもよいが、光電変換層に隣接して導電性層が配置されていることがいることが好ましい。光電変換層との位置関係に関しては下記の構成が好ましいが、これに限定されるものではない。また、下記に記した構成は太陽電池デバイスを構成する全ての部分を記載しておらず、前記透明導電性層の位置関係が分かる範囲の記載としている。ここで、［ ］で括られた構成が、本発明に係る導電性部材に相当する。

（ａ）［基材−導電性層］−光電変換層
（ｂ）［基材−導電性層］−光電変換層−［導電性層−基材］
（ｃ）基材−電極−光電変換層−［導電性層−基材］
（ｄ）裏面電極−光電変換層−［導電性層−基材］
このような太陽電池の詳細については、例えば特開２０１０−８７１０５号公報に記載されている。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、実施例中の含有率としての「％」、および、「部」は、いずれも質量基準に基づくものである。
以下の例において、金属ナノワイヤーの平均直径（平均短軸長さ）および平均長軸長さ、並びに、平均短軸長さの変動係数は、以下のようにして測定した。

＜金属ナノワイヤーの平均直径（平均短軸長さ）および平均長軸長さ＞
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用いて拡大観察される金属ナノワイヤーから、ランダムに選択した３００本の金属ナノワイヤーの直径（平均短軸長さ）と長軸長を測定し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均直径（平均短軸長さ）および平均長軸長さを求めた。

＜金属ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）の変動係数＞
上記電子顕微鏡（ＴＥＭ）像からランダムに選択した３００本の金属ナノワイヤーの平均短軸長さ（直径）を測定し、その３００本についての標準偏差と平均値を計算することにより、求めた。

［調製例１］
−銀ナノワイヤー分散液（１）の調製−
予め、下記の添加液Ａ、Ｂ、Ｃ、及び、Ｄを調製した。

〔添加液Ａ〕
ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド１２０ｍｇ、ステアリルトリメチルアンモニウムヒドロキシド１０％水溶液１２．０ｇ、グルコース４．０ｇを蒸留水２４０．０ｇに溶解させ、反応溶液Ａ−１とした。さらに、硝酸銀粉末１４０ｍｇを蒸留水４．０ｇに溶解させ、硝酸銀水溶液Ａ−１とした。反応溶液Ａ−１を２０℃に保ち、激しく攪拌しながら、硝酸銀水溶液Ａ−１を添加した。硝酸銀水溶液Ａ−１の添加後から１８０分間、激しい攪拌をし、添加液Ａとした。

〔添加液Ｂ〕
硝酸銀粉末４２．０ｇを蒸留水９５８ｇに溶解した。

〔添加液Ｃ〕
２５％アンモニア水７５ｇを蒸留水９２５ｇと混合した。

〔添加液Ｄ〕
ポリビニルピロリドン（Ｋ３０）４００ｇを蒸留水１．６ｋｇに溶解した。

次に、以下のようにして、銀ナノワイヤー分散液（１）を調製した。ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド粉末１．３０ｇと臭化ナトリウム粉末３３．１ｇとグルコース粉末１，０００ｇ、硝酸（１Ｎ）１１５．０ｇを８０℃の蒸留水１２．７ｋｇに溶解させた。この液を８０℃に保ち、５００ｒｐｍで攪拌しながら、添加液Ａのうち１７０ｇを添加速度２５０ｍｌ／分、添加液Ｂを５００ｍｌ／分、添加液Ｃを５００ｍｌ／分で順次添加した。添加後、攪拌速度を２００ｒｐｍとし、８０℃で１００分間、加熱攪拌を続けた後に、２５℃に冷却した。次いで、攪拌速度を５００ｒｐｍに変更し、添加液Ｄを５００ｍｌ／分で添加した。得られた液を仕込液１０１とした。

次に、１−プロパノールを激しく攪拌しながら、そこへ仕込液１０１を混合比率が体積比１対１となるように一気に添加した。得られた混合液を３分間攪拌し、仕込液１０２とした。分画分子量１５万の限外濾過モジュールを用いて、限外濾過を次の通り実施した。仕込液１０２を４倍に濃縮した後、蒸留水と１−プロパノールの混合溶液（体積比１対１）の添加と濃縮を、最終的にろ液の伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下になるまで繰り返した。得られたろ液を濃縮し、金属含有量０．５０％の銀ナノワイヤー分散液（１）を得た。

得られた銀ナノワイヤー分散液（１）の銀ナノワイヤーについて、前述のようにして平均短軸長、平均長軸長、銀ナノワイヤーの短軸長の変動係数、平均アスペクト比を測定した。その結果、平均短軸長１５．１ｎｍ、平均長軸長７．２μｍ、変動係数が１７．５％であった。平均アスペクト比は４７７であった。以後、「銀ナノワイヤー分散液（１）」と表記する場合は、上記方法で得られた銀ナノワイヤー分散液を示す。

［調製例２］
−銀ナノワイヤー分散液（２）の調製−
調製例１において、添加液Ａの代わりに蒸留水１３０．０ｇを使用したこと以外は調製例１と同様にして、金属含有量０．４８％の銀ナノワイヤー分散液（２）を得た。
得られた銀ナノワイヤー分散液（２）の銀ナノワイヤーについて、前述のようにして平均短軸長、平均長軸長、銀ナノワイヤーの短軸長の変動係数、平均アスペクト比を測定した。その結果、平均短軸長４７．２ｎｍ、平均長軸長１２．６μｍ、変動係数が２３．１％であった。以後、「銀ナノワイヤー分散液（２）」と表記する場合は、上記方法で得られた銀ナノワイヤー分散液を示す。

［調製例３］
−銀ナノワイヤー分散液（３）の調製−
プロピレングリコール３７０ｇに硝酸銀粉末６０ｇを溶解させ、硝酸銀溶液３０１を調製した。プロピレングリコール４．４５ｋｇにポリビニルピロリドン（分子量５５，０００）７２．０ｇを添加し、窒素ガスを容器の気相部分に通気しながら、９０℃に昇温した。得られた液を反応溶液３０１とした。窒素ガスの通気を保持したまま、激しく攪拌している反応溶液３０１へ硝酸銀溶液３０１を２．４５ｇ添加して、加熱攪拌を１分間行った。さらに、この溶液へテトラブチルアンモニウムクロリド１１．８ｇをプロピレングリコール１００ｇに溶解させた溶液を添加し、反応溶液３０２とした。

９０℃に保ち、攪拌速度５００ｒｐｍで攪拌している反応溶液３０２へ、硝酸銀溶液３０１を添加速度５０ｍｌ／分で２００ｇ添加した。攪拌速度を１００ｒｐｍに落とし、窒素ガスの通気を止めて、加熱攪拌を１５時間行った。９０℃に保ち、攪拌速度１００ｒｐｍで攪拌しているこの液へ、硝酸銀溶液３０１を添加速度０．５ｍｌ／分にて２２０ｇ添加し、添加終了後から２時間、加熱攪拌を続けた。攪拌速度を５００ｒｐｍに変更し、この液へ蒸留水１．０ｋｇを添加した後に、２５℃まで冷却して仕込液３０１を作製した。

分画分子量１５万の限外濾過モジュールを用いて、限外濾過を次の通り実施した。蒸留水と１−プロパノールの混合溶液（体積比１対１）の仕込液３０１への添加と濃縮を、最終的に濾液の伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下になるまで繰り返した。得られたろ液を濃縮し、金属含有量０．４４％の銀ナノワイヤー分散液（３）を得た。
得られた銀ナノワイヤー分散液（３）の銀ナノワイヤーについて、前述のようにして平均短軸長、平均長軸長、銀ナノワイヤーの短軸長の変動係数、平均アスペクト比を測定した。その結果、平均短軸長２９．５ｎｍ、平均長軸長１７．０μｍ、変動係数が１９．０％であった。平均アスペクト比は５７６であった。以後、「銀ナノワイヤー分散液（３）」と表記する場合は、上記方法で得られた銀ナノワイヤー分散液を示す。

［調製例４］
−ガラス基板の前処理−
厚み０．７μｍの無アルカリガラス基板を、水酸化ナトリウムの１％水溶液に浸漬して超音波洗浄機によって３０分超音波照射し、ついでイオン交換水で６０秒間水洗した後、２００℃で６０分間加熱処理を行った。その後、シランカップリング液（Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシランの０．３％水溶液、商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学工業（株）製）をシャワーにより２０秒間吹き付け、更に、純水にてシャワー洗浄してガラス基板を得た。以後、「ガラス基板」と表記する場合は、上記前処理で得られた無アルカリガラス基板を示す。

［調製例５］
−図１に示す構成を有するＰＥＴ基板１０１の作製−
下記の配合で接着用溶液１を調製した。
（接着用溶液１）
・タケラックＷＳ−４０００ ５．０部
（コーティング用ポリウレタン、固形分濃度３０％、三井化学（株）製）
・界面活性剤 ０．３部
（ナローアクティＨＮ−１００、三洋化成工業（株）製）
・界面活性剤 ０．３部
（サンデットＢＬ、固形分濃度４３％、三洋化成工業（株）製）
・水 ９４．４部

厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム１０の一方の表面にコロナ放電処理を施し、このコロナ放電処理を施した表面に、上記の接着用溶液１を塗布し１２０℃で２分間乾燥させて、厚さが０．１１μｍの第１の接着層３１を形成した。

以下の配合で、接着用溶液２を調製した。
（接着用溶液２）
・テトラエトキシシラン ５．０部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ３．２部
（ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）製）
・２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン １．８部
（ＫＢＭ−３０３、信越化学工業（株）製）
・酢酸水溶液（酢酸濃度＝０．０５％、ｐＨ＝５．２） １０．０部
・硬化剤 ０．８部
（ホウ酸、和光純薬工業（株）製）
・コロイダルシリカ ６０．０部
（スノーテックスＯ、平均粒子径１０ｎｍ〜２０ｎｍ、固形分濃度２０％、
ｐＨ＝２．６、日産化学工業（株）製）
・界面活性剤 ０．２部
（ナローアクティＨＮ−１００、三洋化成工業（株）製）
・界面活性剤 ０．２部
（サンデットＢＬ、固形分濃度４３％、三洋化成工業（株）製）

接着用溶液２は、以下の方法で調製した。酢酸水溶液を激しく攪拌しながら、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−４０３）を、この酢酸水溶液中に３分間かけて滴下した。次に、得られた酢酸水溶液中に、これを強く攪拌しながら２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（ＫＢＭ−３０３）を３分間かけて添加した。次に、ＫＢＭ−４０３とＫＢＭ−３０３とを含む酢酸水溶液中に、これを強く攪拌しながらテトラメトキシシランを５分かけて添加し、その後２時間攪拌を続けた。次に、コロイダルシリカと、硬化剤と、界面活性剤とを順次ここに添加し、接着用溶液２を調製した。

前述の第１の接着層３１の表面をコロナ放電処理したのち、その表面に、上記の接着用溶液２をバーコート法により塗布し、１７０℃で１分間加熱して乾燥し、厚さ０．５μｍの第２の接着層３２を形成して、図１に示す構成を有するＰＥＴ基板１０１を得た。

［実施例１および比較例１］
（導電性部材１−１の作製）
下記組成のアルコキシシラン化合物を含有する溶液（以下、ゾルゲル溶液ともいう）を６０℃で１時間撹拌して、均一になったことを確認した。

＜アルコキシシラン化合物の溶液＞
・テトラエトキシシラン（化合物（ＩＩ）） ５．０部
（ＫＢＥ−０４、信越化学工業（株）製）
・１％酢酸水溶液 １０．０部
・蒸留水 ４．２部

得られたゾルゲル溶液３．４４部と、前記調製例１で得られた銀ナノワイヤー分散液（１）１４．９０部とを混合し、ここへ本明細書に記載の化合物１−３が銀ナノワイヤー１ｇに対して０．５ｍｍｏｌ含まれるように化合物１−３の水溶液を添加して混合した。さらに、蒸留水および１−プロパノールで希釈し、銀濃度０．２５％、１−プロパノール濃度３０％の導電層塗布液１−１を調製した。

上記のＰＥＴ基板１０１の第２の接着層３２の表面にコロナ放電処理を施し、その表面にバーコート法で銀量が０．０１２ｇ／ｍ^２、全固形分塗布量が０．０９６ｇ／ｍ^２となるように上記導電層塗布液１−１を塗布したのち、１４０℃で１分間乾燥してゾルゲル反応を進行させ、導電性層２０を形成した。かくして、図１の断面図で示される構成を有する導電性部材１−１を得た。

（導電性部材１−２の作製）
導電性部材１−１の作製方法において、導電層塗布液調製時に化合物１−３を添加しなかったこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、比較例である導電性部材１−２を作製した。

（導電性部材１−３〜１−２４の作製）
導電性部材１−１の作製方法において、添加する（ｂ）成分化合物の種類および添加量（銀ナノワイヤー１ｇに対するｍｍｏｌで表示）を、表１に記載の通りに代えたこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、本発明の導電性部材１−３〜１−２４を作製した。

（導電性部材１−２５〜１−３０の作製）
導電性部材１−１の作製方法において、（ｂ）成分化合物に加えて、さらに一般式（４）〜（９）で表される化合物を添加（表１に種類と添加量を記載）したこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、本発明の導電性部材１−２５〜１−３０を作製した。

（導電性部材１−３１〜１−４１の作製）
導電性部材１−１の作製方法において、（ｂ）成分化合物に加えて、さらに本発明に係る金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物として、下記化合物Ａ−１〜Ａ−４を添加（表１及び表２に種類と添加量を記載）したこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、本発明の導電性部材１−３１〜１−４１を作製した。

（導電性部材１−４２〜１−４６の作製）
導電性部材１−１の作製方法において、（ｂ）成分化合物に代えて、本発明に係る金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物として、上記化合物Ａ−１〜Ａ−４を添加（表２に種類と添加量を記載）したこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、比較例である導電性部材１−４２〜１−４６を作製した。

（導電性部材１−４７〜１−４９の作製）
導電性部材１−１の作製方法において、（ｂ）成分化合物に代えて、下記のＣ−１、Ｃ−２、又はＣ−３を添加（表２に種類と添加量を記載）したこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、比較例である導電性部材１−４７〜１−４９を作製した。

＜評価＞
得られた各導電性部材に対し、以下の評価を行った。なお、光学特性の評価として、全光線透過率およびヘイズ値を下記測定方法にて実施し、耐候性の評価として、耐熱性および耐オゾン性を下記測定方法にて実施した。結果を表１及び表２に示す。

〔導電性（表面抵抗）〕
各導電性部材の表面抵抗値を、三菱化学株式会社製Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６００を用いて測定した。測定は１０ｃｍ×１０ｃｍのサンプルのランダムに選択した５箇所の導電性領域の中央部を測定し平均値を求めた。下記のランク付けを行った。
５：表面抵抗値 １６５Ω／□未満で、極めて優秀なレベル
４：表面抵抗値 １６５Ω／□以上、１８０Ω／□未満で、優秀なレベル
３：表面抵抗値 １８０Ω／□以上、２００Ω／□未満で、許容レベル
２：表面抵抗値 ２００Ω／□以上、２５０Ω／□未満で、問題なレベル。
１：表面抵抗値 ２５０Ω／□以上で、極めて問題なレベル。

〔パターニングを施したあとの導電性部材の抵抗値〕
（導電性（表面抵抗値））
評価用に５ｃｍ四方サイズのパターンを作製し、ランダムに選択した３箇所の導電性領域の中央部を測定し平均値を求めることにより、パターニング後の表面抵抗値として下記のランク付けを行なった。
５：表面抵抗値 １６５Ω／□未満で、極めて優秀なレベル
４：表面抵抗値 １６５Ω／□以上、１８０Ω／□未満で、優秀なレベル
３：表面抵抗値 １８０Ω／□以上、２００Ω／□未満で、許容レベル
２：表面抵抗値 ２００Ω／□以上、２５０Ω／□未満で、問題なレベル。
１：表面抵抗値 ２５０Ω／□以上で、極めて問題なレベル。

（細線抵抗値）
ストライプパターンまたは細線パターンにパターニングされた導電性部材の細線抵抗を、テスター（カスタム製、ＣＤＭ−５０００Ｅ）を用いて測定した。ストライプパターンについてはそれぞれの導電性部材に対し導電性ラインの抵抗値を５本ずつ測定し、平均値として求めた。細線パターンについては、ライン幅３００μｍ長さ３０ｍｍのライン１００本の抵抗を測定し、平均値を算出した。

〔光学特性（全光線透過率）〕
各導電性部材の全光線透過率（％）をガードナー社製のヘイズガードプラスを用いて測定した。なおパターニング後における導電部と非導電部の全光線透過率測定は以下手順で行った。実際の微細パターンの導電部および非導電部をヘイズメーターで測定するのは難しいため、実際の微細パターンと同サンプル中に評価用パターン（１０ｍｍ□）を設けておき、導電部と非導電部の全光線透過率を測定した。測定はＣ光源下のＣＩＥ視感度関数ｙについて、測定角０°で行い、１０ｃｍ×１０ｃｍのサンプルのランダムに選択した５箇所の導電性領域の中央部を測定し平均値を求め、下記のランク付けを行った。
Ａ：透過率９０％以上で、良好なレベル
Ｂ：透過率８５％以上９０％未満で、やや問題なレベル

〔光学特性（ヘイズ）〕
導電性部材の導電性領域に相当する部分のヘイズ値をガードナー社製のヘイズガードプラスを用いて測定した。測定は１０ｃｍ×１０ｃｍのサンプルのランダムに選択した５箇所の導電性領域の中央部を測定し平均値を求めた。なおパターニング後における導電部と非導電部のヘイズ値測定は以下手順で行った。実際の微細パターンの導電部および非導電部をヘイズメーターで測定するのは難しいため、実際の微細パターンと同サンプル中に評価用パターン（１０ｍｍ□）を入れておき、導電部と非導電部のヘイズ値を測定した。

〔耐熱性〕
各導電性部材に対し、アズワン（株）製ドライオーブンＯＦＷ−６００を用いて２００℃６０分間、オーブンにて強制加熱処理を行った。加熱処理後の各導電性部材の表面抵抗値（ＲＤＴ）を前述の方法によって測定し、加熱処理前の表面抵抗値（Ｒ０）に対する表面抵抗値の変化率（ＲＤＴ／Ｒ０）を求めることにより、各導電性部材の耐熱性を評価し、下記のランク付けを行った。
なお、パターニングされた細線についてランク付けする場合は、前述の細線抵抗値の変化率で同様のランク付けを行った。
ランク５： 表面抵抗値の変化率 １０％未満 非常に好ましいレベル
ランク４： 表面抵抗値の変化率 １０％以上、２０％未満 好ましいレベル
ランク３： 表面抵抗値の変化率 ２０％以上、３５％未満 許容レベル
ランク２： 表面抵抗値の変化率 ３５％以上、５０％未満 やや問題なレベル
ランク１： 表面抵抗値の変化率 ５０％以上 問題なレベル

〔耐オゾン性〕
各導電性部材に対し、オゾン量１０ｐｐｍ、３０℃の環境下に５時間暴露し、処理前後の各導電性部材の表面抵抗値（ＲＯＴ）を前述の方法によって測定し、オゾン暴露前の表面抵抗値（Ｒ０）に対する変化率（ＲＯＴ／Ｒ０）を求めることにより、各導電性部材の耐オゾン性を評価し、下記のランク付けを行った。
なお、パターニングされた細線についてランク付けする場合は、前述の細線抵抗値の変化率で同様のランク付けを行った。
ランク５： 表面抵抗値の変化率 １００％以上、１５０％未満 非常に好ましいレベル
ランク４： 表面抵抗値の変化率 １５０％以上、２００％未満 好ましいレベル
ランク３： 表面抵抗値の変化率 ２００％以上、３５０％未満 許容レベル
ランク２： 表面抵抗値の変化率 ３５０％以上、５００％未満 やや問題なレベル
ランク１： 表面抵抗値の変化率 ５００％以上 問題なレベル

表１および表２より、次のことが分かる。本発明に係る（ｂ）成分化合物を含有する導電性部材１−１、１−３〜１−４１は、高温保存時の抵抗率の変化が少なく、耐オゾン性も良好であり、耐候性に優れる。そのなかでも、一般式（１）で表される化合物がより優れた効果を示し、化合物１−１９、１−２０、１−２５が更に優れた効果を示している。

また、本発明に係る（ｂ）成分化合物に加えて、さらに一般式（４）〜（９）で表される化合物を併用した導電性部材１−２５〜１−３０は、本発明に係る（ｂ）成分化合物だけを添加した場合に比べて、光学特性、耐熱性および耐オゾン性の点から、導電性部材の総合性能として優れている。

さらに、本発明に係る（ｂ）成分化合物に加えて、さらに本発明に係る金属に吸着可能な化合物、または金属イオンに配位可能な化合物を含む導電性部材１−３１〜１−４１は、本発明に係る（ｂ）成分化合物だけを添加した場合に比べて、光学特性、耐熱性および耐オゾン性の点から、導電性部材の総合性能として優れている。

一方、本発明に係る化合物を添加しない比較例の導電性部材１−２、１−４２〜１−４９については、耐熱性または耐オゾン性の点で不十分である。

［実施例２および比較例２］ −短軸長さ依存性の評価−
調製例１に記載の銀ナノワイヤー分散液（１）の調製方法において、一段目の混合液の初期温度２０℃を２４℃に変更したこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、銀ナノワイヤー水分散液を作製し、得られた銀ナノワイヤー水分散液をＡｇ−２とした。
また、調製例１に記載の銀ナノワイヤー分散液（１）の調製方法において、一段目の混合液の初期温度２０℃を２８℃に変更したこと以外は導電性部材１−１の作製方法と同様にして、銀ナノワイヤー水分散液を作製し、得られた銀ナノワイヤー水分散液をＡｇ−３とした。

Ａｇ−２およびＡｇ−３に含まれる銀ナノワイヤーについて、前述のようにして平均短軸長さ、平均長軸長さ、および銀ナノワイヤー短軸長さの変動係数を測定した。
その結果、Ａｇ−２に含まれる銀ナノワイヤーは、平均短軸長さ２７．６ｎｍ、平均長軸長さ３１．８μｍ、短軸長さの変動係数が２５．２％であった。
また、Ａｇ−３に含まれる銀ナノワイヤーは、平均短軸長さ３３．６ｎｍ、平均長軸長さ２８．８μｍ、短軸長さの変動係数が２７．５％であった。

実施例１の導電性部材１−７、１−２、および１−１０の作製方法において、銀ナノワイヤー分散液（１）に代えてＡｇ−２を用いたこと以外は同様にして、導電性部材２−１〜２−３を作製した。また、銀ナノワイヤー分散液（１）に代えてＡｇ−３を用いたこと以外は導電性部材１−７、１−２、および１−１０の作製方法と同様にして、導電性部材２−４〜２−６を作製した。
更に、実施例１の導電性部材１−７、１−２、および１−１０の作製方法において、銀ナノワイヤー分散液（１）に代えて調製例２の銀ナノワイヤー分散液（２）を用いたこと以外は導電性部材１−７、１−２、および１−１０の作製方法と同様にして、導電性部材２−７〜２−９を作製し、銀ナノワイヤー分散液（１）に代えて調製例３の銀ナノワイヤー分散液（３）を用いたこと以外は導電性部材１−７、１−２、および１−１０の作製方法と同様にして、導電性部材２−１０〜２−１２を作製した。
得られた各導電性部材２−１〜２−１２に対して、実施例１と同様の評価を行い、得られた評価結果を表３に示した。また、実施例１で得られた導電性部材１−７、１−２、および１−１０の評価結果を併せて表３に示した。

表３から、本発明の効果は、銀ナノワイヤーの平均短軸長を増加した、より太い銀ナノワイヤーにおいても有効なことがわかる。銀ナノワイヤーの平均短軸長さが増加するに従って、本発明の化合物を含まない導電性部材でも耐熱性および耐オゾン性は良化していくが、不十分であることが分かる。一方、銀ナノワイヤーの平均短軸長が増加するとヘイズ値は増加しており、平均短軸長が小さい方が、透明導電膜としてより好ましい光学特性を示すことが分かる。また、本発明の効果は、非水系の溶媒中で調製した銀ナノワイヤー分散液（３）を用いた導電性部材においても、好ましく発現することが分かる。
すなわち、透明導電膜としてより好ましい光学特性を実現するためには、平均短軸長の短い（すなわち細い）銀ナノワイヤーを用いることが有効であり、その際に顕在化する耐熱性および耐オゾン性の改良手段として、本発明は特に有効であることがわかる。

［実施例３および比較例３］
−パターニング後の導電性部材の評価−
実施例１で得た導電性部材１−１に対し、以下の方法でパターニングを行った。まず、導電性部材１−１に、下記組成からなるポジレジスト（光可溶性組成物）を乾燥膜厚が２μｍとなるようワイヤーバーコーターを用いて塗設した。９０℃１２０秒間ホットプレート上でプリベイクを行った後、ストライプパターン（ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍ）を有する露光マスクを介して、高圧水銀灯を用いて密着露光を施した。露光後の試料に対して後述の現像処理を施し、導電層上にライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍからなるマスクレジストを形成した後、後述のエッチング処理工程を施すことによりマスクレジスト残存部以外の銀ナノワイヤーを溶解し、銀ナノワイヤーのストライプパターンを形成した。さらに、後述のポスト露光および剥離現像処理を施すことにより、マスクレジストを完全に溶解した。

上記パターニング工程の各工程条件は以下の通りであった。
（露光）
高圧水銀灯ｉ線（３６５ｎｍ）にて強度１５０ｍＪ／ｃｍ^２（照度２０ｍＷ／ｃｍ^２）の条件で露光を行った。

（現像処理）
０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液（２３℃）にてパドル現像を９０秒間行い、露光部を除去した。次いで純水（２３℃）にて９０秒間水洗を行い、水洗後、室温にて試料を乾燥した。

（エッチング処理）
下記エッチング液Ａを用いて２３℃９０秒間エッチングを行い、さらに純水（２３℃）にて９０秒間水洗を行った。次いで純水（２３℃）にて９０秒間水洗を行い、水洗後、室温にて試料を乾燥した。

−エッチング液Ａ−
・エチレンジアミン四酢酸鉄（ＩＩＩ）アンモニウム・・・・２．７１ｇ
・エチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウム二水和物・・・０．１７ｇ
・チオ硫酸アンモニウム（７０質量％）・・・３．６１ｇ
・亜硫酸ナトリウム・・・０．８４ｇ
・氷酢酸・・・０．４３ｇ
・水を加えて全量１，０００ｍＬ

（ポスト露光）
高圧水銀灯ｉ線（３６５ｎｍ）にて強度３００ｍＪ／ｃｍ^２（照度２０ｍＷ／ｃｍ^２）の条件で露光を行った。

（剥離現像処理）
０．４質量％のＴＭＡＨ水溶液（２３℃）にてパドル現像を９０秒間行い、露光部を除去した。次いで純水（２３℃）にて９０秒間水洗を行い、水洗後、室温にて試料を乾燥した。

このようにして、ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍからなるストライプパターンを有する銀ナノワイヤー導電パターンを形成した。得られたパターニング済みの導電性部材を導電性部材１−１Ｐとした。

（ポジレジスト組成）
・アクリル系バインダー（Ａ−１） 固形分として １１．０質量部
・感光剤（東洋合成工業（株）製ＴＡＳ−２００） ６．２質量部
・架橋剤（ダイセル化学工業株式会社製ＥＨＰＥ−３１５０） ５．２質量部
・密着促進剤（信越化学工業（株）製ＫＢＭ−４０３） ０．１質量部
・溶剤 ＰＧＭＥＡ ４５．０質量部
・溶剤 ＭＦＧ ３２．５質量部

ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
ＭＦＧ：１−メトキシ−２−プロパノール
ＴＡＳ−２００：

＜バインダー（Ａ−１）の合成＞
共重合体を構成するモノマー成分としてメタクリル酸（ＭＡ（Ａ）７．７９ｇ、ベンジルメタクリレート（ＢｚＭ（Ａ）３７．２１ｇを使用し、ラジカル重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．５ｇを使用し、これらを溶剤プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥ（Ａ）５５．００ｇ中において重合反応させることにより、下記式で表されるバインダー（Ａ−１）のＰＧＭＥＡ溶液（固形分濃度：４５質量％）を得た。なお、重合温度は、温度６０℃ないし１００℃に調整した。
ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィ法（ＧＰＣ）を用いて測定した結果、ポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）は３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２１であった。

導電性部材１−１Ｐの作製方法と同様の方法で、導電性部材１−２〜１−４９にパターニングを施した導電性部材１−２Ｐ〜１−４９Ｐを作製した。
パターニングを施したこれらの導電性部材は、いずれも光学顕微鏡の観察の結果、ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍ前後の良好な導電性パターンが形成されていることが確認された。

各導電性部材について、下記方法によって耐候性（耐熱性および耐オゾン性）の評価を行った。ここで、抵抗値の測定は、前記〔パターニングを施したあとの導電性部材の抵抗値〕に記載の方法で測定した。導電性ランクは表面抵抗値にもとづいてランク付けし、耐侯性は細線抵抗値に基づいてランク付けした。評価結果を表４および表５に示した。

＜耐熱性評価＞
各試料に対し、実施例１の耐熱性評価と同様にして強制加熱処理（２００℃６０分間）を施し、強制加熱前後の抵抗値の比を抵抗上昇率として求め、抵抗値の測定を前記〔パターニングを施したあとの導電性部材の抵抗値〕に記載の方法で測定した以外は実施例１と同様にランク付けを行った。

＜耐オゾン性評価＞
各試料に対し、実施例１の耐オゾン性評価と同様の処理を施し、処理前後の表面抵抗値の変化率を求め、抵抗値の測定を前記〔パターニングを施したあとの導電性部材の抵抗値〕に記載の方法で測定した以外は実施例１と同様にランク付けを行った。

表４および表５の結果から、パターニングを施した導電性部材においても、実施例１と同様に、本発明の耐候性（耐熱性および耐オゾン性）の改良効果が得られることが明らかである。

［実施例４および比較例４］
実施例１の導電性部材１−１〜１−４９の作製方法において、ＰＥＴ基板１０１を調製例２で作製したガラス基板に代えたこと以外は導電性部材１−１〜１−４９の作製方法と同様にして導電性部材４−１〜４−４９を作製した。これらの導電性部材に対し実施例１と同様の評価を行った結果、（ｂ）成分化合物を有さない導電性部材４−２に比べて、（ｂ）成分化合物を有する本発明の導電性部材４−１、４−３〜４−４１はいずれも良好な耐候性（耐熱性および耐オゾン性）を示した。

［実施例５および比較例５］
比較例の導電性部材１−２を、化合物１−２０または化合物１−２５の水溶液に５分間浸漬した後に流水で洗浄して、送風乾燥することにより、（ｂ）成分化合物を導電性層に含有させた導電性部材５−１および導電性部材５−２を作製した。
これらの各導電性部材５−１、５−２の導電性層における（ｂ）成分化合物の含有量を、各導電性部材をフリーザーミルで粉砕した後に溶媒抽出し、高速液体クロマトグラフィーを用いた分析により、測定した。これらの導電性部材に対し実施例１と同様の評価を行った。結果を表６に示す。
なお、表６には、化合物１−２０または化合物１−２５を導電性組成物の塗布液にあらかじめ添加してから塗布して得た、導電性材料１−６および１−７の評価結果も併記した。

表６から、（ｂ）成分化合物を、浸漬により導電性層に添加した導電性部材においても本発明の効果が発現すること、また、その効果は導電性層塗布液にあらかじめ添加してから塗布する方が、より好ましいことが分かる。

［実施例６および比較例６］
導電性部材１−２、１−６、および１−７について、導電性層上に、下記組成の可溶性保護層用組成物を塗布し、乾燥させることで、平均厚み０．８μｍの可溶性保護層を形成した。更に、実施例３と同様にしてパターニングを施し、導電性部材６−１Ｐ〜６−９Ｐを作成した。これらの導電性部材について、実施例３と同様に評価を行った。
結果を表７に示す。

−可溶性保護層組成物の調製−
・ポリビニルアルコール（ＰＶＡ、ＰＶＡ２０５（鹸化率＝８８％）；株式会社クラレ製）・・・１０ｇ
・イオン交換水・・・９０ｇ
・ポリオキシエチレンラウリルエーテル（界面活性剤）・・・０．０５ｇ
・本発明の（ｂ）成分化合物・・・表７に記載の種類と量
上記組成を混合し、撹拌して、可溶性保護層用組成物を調製した。

表７から、本発明は可溶性保護層を有する導電性部材においても有効であり、更に、本発明の（ｂ）成分化合物は、導電性層、可溶性保護層のいずれか一方に含有されることにより、本発明の効果が発現することが分かる。可溶性保護層に（ｂ）成分化合物が含まれていても、本発明の効果が発現することから、本発明の（ｂ）成分化合物は、可溶性保護層から感光性層に移行してその効果を発揮しているものと推定される。また、本発明の効果は導電性層塗布液にあらかじめ添加してから塗布するか、導電性層と可溶性保護層の両方に添加する方が、より好ましいことが分かる。

［実施例７］
（フォトレジスト層を設けることによりパターニングされた導電性部材の調製）
−レジスト組成物（１）の調製−
下記組成となるように、それぞれの成分を加え、攪拌し、レジスト組成物（１）を調製した。
（レジスト組成物（１）の組成）
・実施例３で合成のバインダー（Ａ−１）・・・３．８０質量部（固形分４０．０質量％、ＰＧＭＥＡ溶液）
・感光性化合物としてのＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ（日本化薬株式会社製）・・・１．５９質量部
・光重合開始剤としてのＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）・・・０．１５９質量部
・架橋剤としてのＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学株式会社製）・・・０．１５０質量部
・メガファックＦ７８１Ｆ（ＤＩＣ株式会社製）・・・０．００２質量部
・ＰＧＭＥＡ・・・１９．３質量部

−レジストパターニング工程−
導電性部材１−２、１−６、および１−７について、導電性層上に、上記で得られたレジスト組成物（１）を乾燥膜厚５μｍとなるようバーコート法により塗布し、１５０℃のオーブンで５分間乾燥した。この基板に露光マスク上から、高圧水銀灯ｉ線（３６５ｎｍ）を強度４００ｍＪ／ｃｍ^２（照度５０ｍＷ／ｃｍ^２）で照射し、窒素雰囲気下で露光した。
露光後の基板を、３５℃１％水酸化ナトリウム水溶液でシャワー現像６０秒間を行った。シャワー圧は０．０８ＭＰａ、ストライプパターンが出現するまでの時間は３０秒であった。純水のシャワーでリンスした後、５０℃で１分間乾燥し、レジストパターン付導電性部材７−１Ｒ、７−２Ｒ、および７−３Ｒを作製した。
また、露光マスクは、ベタ露光／未露光箇所、かつ細線パターン（Ｌ／Ｓ＝３００／３００μｍ、電極長さ３０ｍｍ）が形成可能な露光マスクを用いた。

−エッチング工程−
上記レジストパターン付導電性部材７−１Ｒ、７−２Ｒ、および７−３Ｒを、ＣＰ−４８Ｓ−Ａ液と、ＣＰ−４８Ｓ−Ｂ液（いずれも、富士フイルム株式会社製、カラーペーパー用漂白定着剤）と、純水とを質量比で１：１：６となるように混合し、３５℃に調整したエッチング液に２分間浸漬させてエッチング処理を行い、純水のシャワーでリンスした後、エアーナイフでサンプル表面の水を吹き飛ばし、６０℃で５分間乾燥した。

−レジスト剥離工程−
エッチング後の基板を、３５℃に保温した２．５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液でシャワー現像を７５秒間行った。シャワー圧は３．０ＭＰａであった。純水のシャワーでリンスした後、エアーナイフでサンプル表面の水を吹き飛ばし、６０℃で５分間乾燥し、パターニングした導電性部材７−１Ｐ、７−２Ｐ、および７−３Ｐを作製した。得られた各導電性部材について、実施例３と同様の方法で表面抵抗、光学特性（全光線透過率、ヘイズ）を評価し、その結果を表８に示した。

表８より、レジストによりパターニングした導電性部材は、導電性やヘイズが悪化する傾向にあるが、本発明はこれらの改善に特に有効であることが分かる。

［実施例８］
−タッチパネルの作製−
実施例１の導電性部材１−７を用いて、『最新タッチパネル技術』（２００９年７月６日発行、株式会社テクノタイムズ）、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版（２００４年１２月発行）、「FPD International 2009 Forum T-11講演テキストブック」、「Cypress Semiconductor Corporation アプリケーションノートＡＮ２２９２」等に記載の方法により、タッチパネルを作製した。
作製したタッチパネルを使用した場合、光透過率の向上により視認性に優れ、かつ導電性の向上により素手、手袋を嵌めた手、指示具のうち少なくとも一つによる文字等の入力または画面操作に対し応答性に優れるタッチパネルを製作できることが分かった。

１ 導電性部材
１０ 基材
２０ 導電性層
３０ 中間層
４０ 金属導電性繊維
５０ （ｂ）成分化合物
６０ マトリックス

Claims (24)

1. 少なくとも、
   （ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、並びに
   （ｂ）下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物、を含有する、導電性組成物。
   
   〔一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。〕
2. さらに、（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物を含む請求項１に記載の導電性組成物。
3. 前記（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物が、非感光性化合物である請求項２に記載の導電性組成物。
4. 前記（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物が、ゾルゲル硬化物を形成し得る化合物である請求項３に記載の導電性組成物。
5. 前記（ａ）金属導電性繊維に対する前記（ｃ）マトリックスを形成し得る重合性化合物の含有比率（（ｃ）／（ａ））が、質量比で０．００１／１〜１００／１である請求項２〜４のいずれか１項に記載の導電性組成物。
6. 前記（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物が、前記（ａ）金属導電性繊維１ｇ当たり、０．００５ｍｍｏｌ以上５０ｍｍｏｌ以下含まれる請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の導電性組成物。
7. 前記（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物の分子量が、１４０以上５０００以下である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の導電性組成物。
8. 前記一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２の少なくとも一方が、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の導電性組成物。
9. 前記一般式（１）におけるＲ^１およびＲ^２の少なくとも一方が、カルボキシル基およびそのアルカリ金属塩、スルホ基およびそのアルカリ金属塩、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、並びにカルバモイル基から選択される少なくとも１つの基で置換されたアルキル基、アルケニル基またはアリール基である請求項８に記載の導電性組成物。
10. さらに、下記一般式（４）〜（９）で表される化合物を少なくとも１種含む請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の導電性組成物。
    
    
    〔一般式（４）において、Ｒ^４１およびＲ^４２は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^４３はアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも二つは、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。なお、一般式（４）で表される化合物は、Ｒ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^４１、Ｒ^４２およびＲ^４３の少なくとも一つと連結した、一般式（４）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。
    一般式（５）において、Ｒ^５１およびＲ^５２は各々独立にアルキル基を表す。Ｒ^５１およびＲ^５２は、二価以上の有機基または単結合を介して互いに連結してもよい。なお、一般式（５）で表される化合物は、Ｒ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つから一個の水素原子を取り除いて一価の基となり、この一価の基が二価以上の有機基または単結合を介してＲ^５１およびＲ^５２の少なくとも一つと連結した、一般式（５）で表される構造が一分子中に複数存在する化合物を含む。
    一般式（６）において、Ｖ_６１は、水素原子または置換基を表す。
    一般式（７）において、Ｖ_７１は、水素原子または置換基を表し、Ｒ_７１およびＲ_７２は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
    一般式（８）において、Ｖ_８１は、水素原子または置換基を表し、Ｒ_８１およびＲ_８２は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
    一般式（９）において、Ｖ_９１は、水素原子または置換基を表す。Ｒ_９１、Ｒ_９２およびＲ_９３は、各々独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。〕
11. 前記（ａ）金属導電性繊維が、銀を５０モル％以上１００モル％以下含む請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の導電性組成物。
12. 前記（ａ）金属導電性繊維の平均短軸長が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の導電性組成物。
13. 基材と、前記基材上に設けられた請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の導電性組成物から形成される導電性層と、を有する導電性部材。
14. さらに、前記導電性層上に、少なくとも水溶性ポリマーを含む、可溶性保護層を有する請求項１３に記載の導電性部材。
15. 前記導電性層における表面抵抗が、１Ω／□以上１０００Ω／□以下である請求項１３または請求項１４に記載の導電性部材。
16. 前記導電性層が、導電性領域および非導電性領域を含む請求項１３〜請求項１５のいずれか１項に記載の導電性部材。
17. 前記基材と前記導電性層との間に、更に少なくとも一層の中間層を有する請求項１３〜請求項１６のいずれか１項に記載の導電性部材。
18. 請求項１３〜請求項１７のいずれか１項に記載の導電性部材を含むタッチパネル。
19. 請求項１３〜請求項１７のいずれか１項に記載の導電性部材を含む太陽電池。
20. 基材上に、少なくとも、
    （ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、並びに、
    （ｂ）下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物を含有する請求項１に記載の導電性組成物を用いて導電性層を形成する導電性層の形成工程を含む導電性部材の製造方法。
    
    〔一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。〕
21. 前記導電性層の形成工程は、基材上に、前記（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、並びに、前記（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物を含有する導電性組成物を付与した後に、（ｃ）マトリックスを付与して、前記（ａ）成分、前記（ｂ）成分および前記（ｃ）成分を含む導電性層を形成する、
    請求項２０に記載の導電性部材の製造方法。
22. 前記導電性層の形成工程は、基材上に、前記（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維、前記（ｂ）一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物、並びに、（ｃ）マトリックスを含有する導電性組成物を付与して、前記（ａ）成分、前記（ｂ）成分および前記（ｃ）成分を含む導電性層を形成する、
    請求項２０に記載の導電性部材の製造方法。
23. 基材上に、（ａ）平均短軸長が１ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の金属導電性繊維を付与した後、
    （ｂ）下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１つの化合物、並びに、（ｃ）マトリックスを含有する組成物を付与して、前記（ａ）成分、前記（ｂ）成分および前記（ｃ）成分を含む導電性層を形成する、導電性部材の製造方法。
    
    
    〔一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモイル基を表す。一般式（２）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ^７は水素原子または置換基を表す。〕
24. 請求項１３〜請求項１７のいずれか１項に記載の、基材と導電性層とを有する導電性部材に、フォトレジスト層を設ける工程と、
    前記フォトレジスト層をパターン状に露光し現像して、パターン状のフォトレジスト層を形成する工程と、
    前記パターン状のフォトレジスト層を介して、前記導電性層をエッチングする工程と、
    を少なくとも有する、パターン化導電性層を有する導電性部材の製造方法。