JP5727382B2 - ウェーハを含む層システムを分離する方法 - Google Patents
ウェーハを含む層システムを分離する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5727382B2 JP5727382B2 JP2011542832A JP2011542832A JP5727382B2 JP 5727382 B2 JP5727382 B2 JP 5727382B2 JP 2011542832 A JP2011542832 A JP 2011542832A JP 2011542832 A JP2011542832 A JP 2011542832A JP 5727382 B2 JP5727382 B2 JP 5727382B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- separation
- carrier
- layer
- wafer
- layer system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 113
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 338
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 30
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 30
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 claims description 14
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 claims description 13
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 304
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 205
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004429 Calibre Substances 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 InN Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920004142 LEXAN™ Polymers 0.000 description 1
- 239000004418 Lexan Substances 0.000 description 1
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- 244000218514 Opuntia robusta Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
- H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
−比較的厚い(僅かに薄層化された)ウェーハは、依然として、ある程度機械的負荷に耐えることができ、かつ
−ウェーハがその最終厚みにおいて耐えることができる機械的負荷が大きいほど、担体は、より大きく可撓性にすることができる。従って、例えば、フィルムの形態の可撓性の担体は、単に機械的に剥離させることができる。
a)分離前面の形成に決定的に重要である分離補助具(分離作業中にのみ任意的に生成すことができる)の曲率に追従するか、又は分離作業が分離補助具の曲率により(ただし、例えば、第1の担体の曲率により)もたらされない場合、分離補助具に対して非曲げ状態のままであり、
b)変形することによって分離前面の位置に影響を及ぼさない。
−ガラスプレート又はウェーハから構成される第1の担体、
−更に上述のようなエラストマー材料の層、
−更に上述のようなプラズマポリマー分離層、
−ウェーハ、及び
−第2の担体としてのダイスカットフィルム。
−ガラスプレート又はウェーハから構成される第1の担体、
−第2の分離層、
−更に上述のようなエラストマー材料の層、
−更に上述のようなプラズマポリマー分離層、
−ウェーハ、及び
−第2の担体としてのダイスカットフィルム。
ここで、n=1、dは板の厚みであり、Eはヤング率であり、ρは、プレート材料の密度である。n=2、3から無限大に対して、対応する高調波が得られる。表1は、通常のウェーハ技術において及び本発明による方法に使用するようなガラス、アルミニウム、シリコン、及びシリコーンで製造されたプレートに対して固有振動数及びこの公式から計算された一部の高調波の例を示している。シリコンは、ウェーハ材料として及び担体の材料として使用される。ガラス及びアルミニウムも、担体として使用される。シリコーンは、例えば、上述のエラストマー層の材料として適切である。
分離層は、上述のように所要の破壊点として機能するだけではなく、あらゆる残留層(上述のような)をウェーハ及び/又は担体から簡単に除去することができることを保証する。
1.第1の担体
1a.担体アセンブリ(図1〜図3に示す例におけるもの)
2.エラストマー層
3.分離層
4.ウェーハの構造化された前面
5.ウェーハの裏面
6.第1の担体を含む層システムの分離部分
7.ウェーハ(前面及び裏面)
8.層状構造体(図1〜図3に示す例におけるもの)
18.第2の担体の接着促進側
19.分離される層システム(第2の担体なし)
20.第2の担体
21.ダイスカットフレーム
28.第1の担体を固定する保持手段
29.分離補助具
30、31.分離をもたらす力の作用方向及び印加点の代案
33.分離前面
34.分離前面の端部
a.本体又は体積要素の縁部長さ
a+s.加熱による長さ変化後の縁部長さ
d.プレート厚
図1は、分離される層システム19、20を示している。好ましくはガラスプレートの形態である第1の担体1は、エラストマー層2に結合され、これは、次に、分離層3に結合される。分離層3は、ウェーハ4、5の活性前面に結合される。分離層3とウェーハ4、5との間の接着力は、層システム全体のうちで最も小さい。第2の担体20は、ウェーハ5の裏面に留められる。上述の第2の担体は、ダイスカットフィルムの形態とすることができ、ダイスカットフィルムは、ダイスカットフレーム21内に締結される。
ここで、n=1、dは板の厚みであり、Eはヤング率であり、ρは、プレート材料の密度である。固有振動数は、従って、本質的に材料特性及び層厚だけに依存する。
ウェーハの前面、すなわち、電子構成要素が位置する側は、プラズマポリマー分離層によってPECVDで被覆される。この分離層は、ウェーハに対向する側で比較的低い接着力を有し、一方でウェーハから遠ざけられた側でその後に付加された層に高い接着力があるように接着特性に関して調節される。この最後に言及した層は、この例においては、シリコーンエラストマー層であり、これは、第1の担体としてガラスプレート上で最初に付加される。次に、ウェーハは、分離層側に既に付加されている分離層に結合され、エラストマー層は、ガラスプレート上に付加される。それは、この時点で、ウェーハ、分離層、エラストマー層、及び担体としてのガラスプレートを含む層システムである。
実施例2は、層システムの構築中に付加的なプラズマポリマー分離層がエラストマー層を付加する前にガラスプレート上に付加され、かつガラスプレートよりもエラストマー層により確実に接着するように(層システムの調製後に)、かつガラスプレートとこの分離層の間の接着力が層システムにおける2つの層間で最小であるように接着力に関して調節される点を除き、実施例1の場合と同様に(実際の分離の開始まで)実施される。更に、通常のチャックは、可撓性プレキシガラスディスクの代わりにダイスカットフィルムを固定するのに使用される。層システムの分離に寄与すると考えられる力は、このチャック上に掛けられない。ガラスプレートは、共通振動システムが存在するように(アルミニウム)チャック上に固定され、それは、約4mm厚である。これは、1MHzの周波数で励起される。約10分後に、ウェーハは、担体アセンブリから分離される。分離は、付加的なプラズマポリマー層とガラスプレートの間で行われる。層状構造体は、単に担体アセンブリ(ガラスプレート)から持ち上げるだけで除去することができる。
選択肢iii)は、実施例1の場合と同様に(実際の分離の開始まで)実施されるが、ダイスカットフィルム及びプレキシガラスディスクを使用しない。層システムの調製における結合は、エラストマー層が硬化する150℃で行われる。次に、層システムは、20℃に冷却される。分離に向けて、層システムは、10分の間330℃まで加熱される。分離は、プラズマポリマー層とウェーハの間で行われる。層状構造体は、単に担体アセンブリから持ち上げるだけで除去することができる。
20 担体
29 分離補助具
33 分離前面
Claims (12)
- ウェーハ(7)と第2の延伸可能な担体(20)とを含む層状構造体(8)を第1の担体(1)を含むか又はそれから構成された担体アセンブリ(1a)から機械的に分離する方法であって、
a)担体アセンブリ(1a)と層状構造体(8)とを含む層システム(1a、8)を準備する段階と、
b)i)以下の段階:
ia)平らで、かつ、真空吸引又は静電帯電によって前記第2の担体(20)に固定することが可能な分離補助具(29)を準備する段階、
ib)分離作業中に第2の担体(20)が分離中に生じる分離前面(33)のすぐ背後で前記分離補助具(29)上に固定されたままに留まるように、該第2の担体(20)上に該分離補助具(29)を固定する段階、及び
ic)分離前面(33)を利用して前記層状構造体(8)を前記担体アセンブリ(1a)から機械的に分離する段階、
を含む方法により、前記層状構造体(8)が前記担体アセンブリ(1a)から分離されるように、担体アセンブリ(1a)と該層状構造体(8)の間のインタフェースの領域に機械的応力を作成する段階と、
を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記ウェーハ(7)は、150μm以下の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の担体(1)と前記ウェーハ(7)の間に少なくとも1つのプラズマポリマー分離層(3)が存在することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記層システムは、前記第1の担体(1)と前記ウェーハ(7)の間に、硬化された、部分的に硬化された、又は硬化可能なエラストマー材料の層(2)を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記層システムは、以下の層を以下の規定された順序:
第1の担体(1)、
請求項4に記載のエラストマー材料の層(2)、
プラズマポリマー分離層(3)、
ウェーハ(7)、及び
第2の担体(20)、
で含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 分離が、前記プラズマポリマー分離層の面と前記ウェーハの面の間で起こることを特徴とする請求項3、請求項4又は請求項5に記載の方法。
- 前記分離補助具(29)は、可撓性プレートであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の担体(1)は、保持手段(28)上に固定され、前記可撓性プレート(29)及び該保持手段(28)の各々は、少なくとも1つの形状を有し、
前記可撓性プレート(29)の少なくとも1つの形状と前記保持手段(28)の少なくとも1つの形状の間に力が作用する、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記分離補助具(29)は、プレキシガラスディスクであることを特徴とする請求項7又は8に記載の方法。
- 段階(a)で準備された前記層システム(1a、8)は、正確に20℃から200℃の間の温度の該層システム(1a、8)において、機械的応力が前記エラストマー材料の層(2)の面と隣接する面との間に発生せず、かつ該エラストマー材料の層が硬化されるような方法で生成されたものであることを特徴とする請求項4、5、7、8、9のいずれか1項に記載の方法。
- 機械的応力が前記エラストマー材料の層(2)の前記面と前記隣接する面の間に発生しない温度よりも少なくとも100℃高い温度まで前記層システム又はその一部を加熱することによって分離が補助される、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の方法を実行するための装置であって、 第1の担体(1)を固定するための保持手段(28)と、
第2の担体(20)を固定するための保持手段と、
を含み、
前記第2の担体(20)を固定するための前記保持手段(28)は、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の分離補助具(29)として、かつ任意的に前記層システムを加熱するための又は該層システムの振動を発生させるための手段として設計される、
ことを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008055155A DE102008055155A1 (de) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | Trennverfahren für ein Schichtsystem umfassend einen Wafer |
DE102008055155.4 | 2008-12-23 | ||
EP09151661.7 | 2009-01-29 | ||
EP09151661A EP2202788A3 (de) | 2008-12-23 | 2009-01-29 | Trennverfahren für ein Schichtsystem umfassend einen Wafer |
PCT/EP2009/067893 WO2010072826A2 (de) | 2008-12-23 | 2009-12-23 | Trennverfahren für ein schichtsystem umfassend einen wafer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012513684A JP2012513684A (ja) | 2012-06-14 |
JP2012513684A5 JP2012513684A5 (ja) | 2015-03-19 |
JP5727382B2 true JP5727382B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=42097506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011542832A Active JP5727382B2 (ja) | 2008-12-23 | 2009-12-23 | ウェーハを含む層システムを分離する方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8951886B2 (ja) |
EP (2) | EP2202788A3 (ja) |
JP (1) | JP5727382B2 (ja) |
KR (1) | KR101754327B1 (ja) |
CN (1) | CN102326245B (ja) |
DE (1) | DE102008055155A1 (ja) |
PT (1) | PT2382656T (ja) |
SG (1) | SG172283A1 (ja) |
WO (1) | WO2010072826A2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8858756B2 (en) * | 2011-10-31 | 2014-10-14 | Masahiro Lee | Ultrathin wafer debonding systems |
TWI428243B (zh) * | 2011-12-23 | 2014-03-01 | Ind Tech Res Inst | 可撓式元件的取下方法 |
US8834662B2 (en) * | 2012-03-22 | 2014-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method of separating wafer from carrier |
US9269623B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-02-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Ephemeral bonding |
KR102075635B1 (ko) | 2013-01-03 | 2020-03-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 지지 구조물, 웨이퍼 지지 구조물을 포함하는 반도체 패키지의 중간 구조물, 및 중간 구조물을 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
CN103972133B (zh) * | 2013-01-25 | 2017-08-25 | 旭硝子株式会社 | 基板的剥离装置和剥离方法以及电子器件的制造方法 |
JP6180811B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2017-08-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
KR20150011072A (ko) | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성전자주식회사 | 임시 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US10103048B2 (en) * | 2013-08-28 | 2018-10-16 | Brewer Science, Inc. | Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates |
US9315696B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-04-19 | Dow Global Technologies Llc | Ephemeral bonding |
US9761474B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-09-12 | Micron Technology, Inc. | Methods for processing semiconductor devices |
KR102316850B1 (ko) | 2014-06-10 | 2021-10-25 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 가접착제를 이용한 적층체 |
DE102014219095A1 (de) | 2014-09-22 | 2016-03-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Wafer-Träger-Anordnung |
US9644118B2 (en) | 2015-03-03 | 2017-05-09 | Dow Global Technologies Llc | Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier |
TW201705244A (zh) * | 2015-03-04 | 2017-02-01 | 康寧公司 | 用於控制並啓動基材自載體脫結之方法與設備 |
CN105607311B (zh) * | 2016-01-04 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 起角装置及其使用方法 |
US10445253B2 (en) * | 2016-04-20 | 2019-10-15 | International Business Machines Corporation | Cost effective service level agreement data management |
US11183415B2 (en) | 2016-06-22 | 2021-11-23 | Nissan Chemical Corporation | Adhesive containing polydimethyl siloxane |
EP3636724B1 (en) | 2017-05-24 | 2024-08-28 | Nissan Chemical Corporation | Temporary adhesive containing epoxy-modified polysiloxane |
KR102520889B1 (ko) | 2017-07-06 | 2023-04-12 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 페닐기함유 폴리실록산을 함유하는 가접착제 |
US10622326B2 (en) | 2017-08-18 | 2020-04-14 | Industrial Technology Research Institute | Chip package structure |
US10249567B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-02 | Industrial Technology Research Institute | Redistribution layer structure of semiconductor package |
US10763135B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-09-01 | Facebook Technologies, Llc | Integrated elastomeric interface layer formation and singulation for light emitting diodes |
EP3790038A4 (en) | 2018-05-01 | 2022-01-12 | Nissan Chemical Corporation | TEMPORARY ADHESIVE CONTAINING A POLYSILOXANE WHICH CONTAINS A HEAT RESISTANT POLYMERIZATION INHIBITOR |
US10636829B1 (en) * | 2018-10-24 | 2020-04-28 | Himax Technologies Limited | Wafer-level optical structure |
TWI850280B (zh) | 2018-11-16 | 2024-08-01 | 日商日產化學股份有限公司 | 積層體之剝離方法、積層體及積層體之製造方法 |
TWI837219B (zh) | 2018-11-16 | 2024-04-01 | 日商日產化學股份有限公司 | 紅外線剝離用接著劑組成物、積層體、積層體之製造方法及剝離方法 |
WO2020111069A1 (ja) | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 日産化学株式会社 | 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法 |
CN119301738A (zh) | 2022-03-24 | 2025-01-10 | 日产化学株式会社 | 含有聚醚改性硅氧烷的粘接剂 |
CN115302938B (zh) * | 2022-08-25 | 2023-12-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种分离胶合组件的方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252149A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Nitto Denko Corp | バンプ形成用複合フィルムおよびそれを用いた転写バンプ形成方法 |
JPH06268051A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
US6342434B1 (en) | 1995-12-04 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier |
CN1243327A (zh) * | 1998-07-27 | 2000-02-02 | 佳能株式会社 | 样品加工装置和方法 |
JP2001015721A (ja) * | 1999-04-30 | 2001-01-19 | Canon Inc | 複合部材の分離方法及び薄膜の製造方法 |
JP2001089291A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-03 | Canon Inc | 液相成長法、半導体部材の製造方法、太陽電池の製造方法 |
DE10128923A1 (de) * | 2001-06-15 | 2003-01-23 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
DE10128924A1 (de) * | 2001-06-15 | 2003-01-23 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks sowie Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens |
JP3892703B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2007-03-14 | 富士通株式会社 | 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP3948930B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2007-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
JP4215998B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2009-01-28 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハの処理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置 |
JP2004063645A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Enzan Seisakusho:Kk | 半導体ウェハの保護部材剥離装置 |
WO2004051708A2 (de) | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten eines wafers sowie wafer mit trennschicht und trägerschicht |
JP2004300231A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nitto Denko Corp | 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品 |
JP4592270B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2010-12-01 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置 |
JP2006032506A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体ウェハの剥離方法および剥離装置 |
JP2006319233A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Lintec Corp | 脆質部材の処理装置 |
JP4885483B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2012-02-29 | リンテック株式会社 | 転写装置とその方法、剥離装置とその方法、貼付装置とその方法 |
JP5335443B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2013-11-06 | シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト | ウエハ支持構造体及び該ウエハ支持構造体の製造に用いられる層システム |
JP4970863B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2012-07-11 | 日東電工株式会社 | 被加工物の加工方法 |
-
2008
- 2008-12-23 DE DE102008055155A patent/DE102008055155A1/de active Pending
-
2009
- 2009-01-29 EP EP09151661A patent/EP2202788A3/de not_active Withdrawn
- 2009-12-23 JP JP2011542832A patent/JP5727382B2/ja active Active
- 2009-12-23 WO PCT/EP2009/067893 patent/WO2010072826A2/de active Application Filing
- 2009-12-23 EP EP09795451.5A patent/EP2382656B1/de active Active
- 2009-12-23 US US13/141,470 patent/US8951886B2/en active Active
- 2009-12-23 KR KR1020117017391A patent/KR101754327B1/ko active Active
- 2009-12-23 SG SG2011045168A patent/SG172283A1/en unknown
- 2009-12-23 PT PT09795451T patent/PT2382656T/pt unknown
- 2009-12-23 CN CN200980157334.7A patent/CN102326245B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120028438A1 (en) | 2012-02-02 |
EP2202788A2 (de) | 2010-06-30 |
SG172283A1 (en) | 2011-07-28 |
CN102326245B (zh) | 2017-04-19 |
KR20110128174A (ko) | 2011-11-28 |
WO2010072826A2 (de) | 2010-07-01 |
CN102326245A (zh) | 2012-01-18 |
PT2382656T (pt) | 2019-01-17 |
EP2382656A2 (de) | 2011-11-02 |
KR101754327B1 (ko) | 2017-07-19 |
WO2010072826A3 (de) | 2010-10-14 |
DE102008055155A1 (de) | 2010-07-01 |
EP2202788A3 (de) | 2010-08-04 |
US8951886B2 (en) | 2015-02-10 |
JP2012513684A (ja) | 2012-06-14 |
EP2382656B1 (de) | 2018-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5727382B2 (ja) | ウェーハを含む層システムを分離する方法 | |
JP2012513684A5 (ja) | ||
KR100643450B1 (ko) | 점착시트, 반도체 웨이퍼의 표면보호 방법 및 워크의가공방법 | |
KR101519312B1 (ko) | 임시 본딩된 반도체 웨이퍼 디본딩 및 소자 웨이퍼를 디본딩하는 시스템 | |
KR101399690B1 (ko) | 접착제 부착 칩의 제조방법 | |
KR101454985B1 (ko) | 제작 기판을 캐리어 기판으로부터 분리하기 위한 장치 및 방법 | |
KR102061369B1 (ko) | 제품 기판을 캐리어 기판에 임시로 결합하기 위한 방법 | |
JP6118404B2 (ja) | 電子部材の剥離方法 | |
WO2008047732A1 (fr) | Dispositif de serrage stationnaire, procédé de saisie de puce et appareil de saisie de puce | |
JP2005116610A (ja) | 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート | |
KR20170047176A (ko) | 워크피스 처리 방법 및 그러한 방법을 위해 설계된 장치 | |
JP2015505164A (ja) | 可撓性の基板保持装置、第1の基板を剥離する装置及び方法 | |
CN108231646A (zh) | 一种半导体器件的制造方法 | |
KR20130099853A (ko) | 자발 권취성 점착 필름 | |
TWI564949B (zh) | 塗佈膜之方法,研磨背表面之方法,形成半導體晶片之方法及塗佈膜之裝置 | |
JP2005012177A (ja) | 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ | |
JP5704602B2 (ja) | 薄型半導体装置の製造方法および脆質部材用支持体 | |
US20140290843A1 (en) | Method of preparing an adhesive film into a precut semiconductor wafer shape on a dicing tape | |
JP2013060489A (ja) | 部材剥離方法及び部材剥離装置 | |
JP2013058800A (ja) | 脆質部材加工用粘着シートおよび脆質部材の処理方法 | |
CN114914169A (zh) | 保护部件粘贴装置和保护部件的粘贴方法 | |
JP2010056562A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2003176464A (ja) | 半導体ウエハ保護用シート | |
JP5154192B2 (ja) | 脆質部材加工用粘着シートおよび脆質部材の処理方法 | |
CN118946952A (zh) | 使用剥离胶带及粘接合材的晶圆的制造方法,以及使用于该方法的剥离胶带及粘接合材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131202 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140303 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140310 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140402 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140409 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140501 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141029 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20150129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150309 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150402 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5727382 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |