JP5697345B2 - インプリント装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板上の未硬化樹脂と型とを互いに押し付けて基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法に関する。

半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加え、モールドと基板上の未硬化樹脂とを互いに押し付けて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応する樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の一つとして、光硬化法がある。光硬化法は、まず、基板（ウエハ）上のショット領域（インプリント領域）に紫外線硬化樹脂（インプリント樹脂、光硬化樹脂）を塗布する。次に、この樹脂（未硬化樹脂）とモールドとを互いに押し付ける。そして、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させたうえで離型することにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。この樹脂パターンは、エッチング等の加工を基板に行うためのマスクとして利用し得る。このようなインプリント技術を用いて樹脂のパターンを基板上に形成するインプリント装置は、高性能な投影光学系を必要とするフォトリソグラフィ装置に比べ、製造コストまたはサイズの点で有利となり得る。

一方、インプリント装置は、モールドを基板に接触させるため、硬化した樹脂が基板から剥がれてモールドに付着してしまう場合や、硬化した樹脂に引っ張られてモールドが欠損してしまう場合がある。モールドに異物が付着していたり欠損があったりすると、所望の樹脂パターンを形成することができず、歩留まりの点で好ましくない。そこで、特許文献１は、基板上に形成された膜の特性を測定することによりモールドの異常を判定する方法を開示している。

特表２００７−５２３４９２号公報

しかしながら、特許文献１に開示された方法は、基板上に形成された膜の特性を測定しているところ、膜の特性の異常は、基板上の異物や欠損によっても生じるため、実際には異常がなくてもモールドに異常があると判定し得るものである。そのため、実際にはモールドに異常がなくても、インプリント装置からモールドを取り出し、取り出されたモールドの検査や洗浄を行う必要があった。

そこで、本発明は、モールドの検査に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化樹脂を型により成形して基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、型に投光して型で生じた散乱光を受光して計測信号を得る計測手段と、制御手段と、を有し、制御手段は、基準信号、上限値および下限値を記憶し、型に関して計測手段に計測信号を得させ、計測信号と基準信号との相違を示す指標を求め、上限値および下限値のいずれを指標が超えたかを示す情報を出力し、上限値は、型の欠損および型への異物の付着のうちの一方に対応する閾値であり、下限値は、欠損および付着のうちの他方に対応する閾値であることを特徴とする。

本発明によれば、例えば、モールドの検査に有利なインプリント装置を提供することができる。

本発明の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。 インプリント装置によるパターン形成工程を示す概略図である。 モールドに欠損がある場合のパターン形成工程を示す概略図である。 モールドに付着物がある場合のパターン形成工程を示す概略図である。 インプリント装置におけるモールド計測系の位置関係を示す概略図である。 走査計測時のモールド計測系の動作を示す概略図である。 モールド計測系による各状態における計測信号を示す概略図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。

（インプリント装置）
まず、本発明の実施形態に係るインプリント装置の構成について説明する。図１は、インプリント装置の構成を示す概略図である。本実施形態におけるインプリント装置は、半導体デバイス製造工程に使用される、被処理基板であるウエハ上（基板上）に対してモールドの凹凸パターンを転写する加工装置であり、インプリント技術の中でも光硬化法を採用した装置である。なお、以下の図において、モールドに対する紫外線の照射軸に平行にＺ軸を取り、該Ｚ軸に垂直な平面内で後述のインプリントヘッドに対してモールド計測系が移動する方向にＸ軸を取り、該Ｘ軸に直交する方向にＹ軸を取って説明する。本発明のインプリント装置１は、照明系ユニット２と、モールド３と、インプリントヘッド４と、ウエハ５と、ウエハステージ６と、塗布装置７と、モールド計測系８と、制御装置９と、コンソール部１０とを備える。

照明系ユニット２は、インプリント処理の際に、モールド３に対して紫外線５０を照射する照明手段である。この照明系ユニット２は、不図示であるが、光源と、該光源から射出された紫外線をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学素子から構成される。モールド３は、ウエハ５に対する対向面に、所定の凹凸パターン（例えば、回路パターン）が３次元状に形成された型（型材）である。凹凸パターンの表面は、ウエハ５の表面との密着性を保つために、高平面度に加工されている。なお、モールド３の材質は、石英等、紫外線を透過させることが可能な材料である。

インプリントヘッド４は、モールド３を保持、固定するための型保持手段である不図示のマウントと、該マウントを駆動する不図示のマウント駆動機構と、アライメント検出系１１とを備えた型保持部である。マウント駆動機構は、具体的には、ウエハ５上に形成された紫外線硬化樹脂１２にモールド３を押し付けるために、マウントをＺ軸方向に駆動する駆動系である。駆動機構に採用するアクチュエータは、少なくともＺ軸方向で駆動するものであれば、特に限定するものではなく、リニアモータやエアシリンダ等が採用可能である。若しくは、紫外線硬化樹脂１２からモールド３を引き離す離型動作の際に、硬化した紫外線硬化樹脂１２が破壊しないように高精度に離型動作を行うために、粗動作及び微動作を分割して実施するアクチュエータであっても良い。アライメント検出系１１は、モールド３に形成されたアライメントマークと、ウエハ５上に形成されたアライメントマークとを光学的に観察して、両者の相対位置関係を計測する位置計測手段である。なお、アライメント検出系１１は、モールド３とウエハ５との相対位置関係が計測できれば良いので、両者を画像観察する結像光学系を内部に構成したものでも良いし、又は、両者の干渉信号やモアレ（干渉縞）等の相乗効果による信号を検知するものでも良い。

ウエハ５は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理基板であり、被処理面には、成形部となる紫外線硬化樹脂１２が塗布される。また、ウエハステージ６は、ウエハ５を真空吸着により保持し、かつ、ＸＹ平面内を自由に移動可能な基板保持手段である。ウエハステージ６を駆動するためのアクチュエータとしては、リニアモータが採用可能であるが、特に限定するものではない。

塗布装置７は、ウエハ５上に紫外線硬化樹脂１２を塗布する塗布手段である。紫外線硬化樹脂１２は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化樹脂（インプリント樹脂）であって、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択される。以下、簡単化のために、紫外線硬化樹脂１２を単に「樹脂」と表記し、紫外線照射前の未硬化の状態の樹脂を「未硬化樹脂」と表記する。

モールド計測系８は、投光部８ａと受光部８ｂとを備え、モールド３に形成された凹凸パターンを、モールド３がインプリント装置１内に存在する状態で直接検査する計測手段である。なお、モールド３に形成される凹凸パターンは、実際には極微細であるが、簡単化のために、以下、３つの凸部（図２以下における凸部３ａ〜３ｃ）を有するものとして説明する。モールド計測系８は、投光部８ａより照射した照射光（図５における照射光３１）を、モールド３の凹凸パターン、例えば凸部３ａに当てて、該凸部３ａからの散乱光（図５における散乱光３２）を受光部８ｂにて検出する。検出された信号は、後述の制御装置９に送信される。本実施形態では、投光部８ａは、凹凸パターンの形成方向、即ち、Ｚ軸に対して傾斜を有するように設置し、一方、受光部８ｂは、Ｚ方向に垂直となる位置に設置する。この設置方法によれば、インプリント装置１内におけるモールド計測系８を小型化でき、かつ、凹凸パターンの各凸部における計測信号を好適に検出することができる。なお、この設置方法は、限定するものではなく、適宜選択可能である。また、後述するが、凹凸パターンを計測する方式により、モールド計測系８は、不図示であるが、Ｘ軸方向に適宜移動可能とする計測系駆動機構を有する構成としても良い。

制御装置９は、インプリント装置１の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段である。制御装置９は、不図示であるが、インプリント装置１の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、及びシーケンサ等で構成され、プログラム、若しくはシーケンスにより、各構成要素の制御を実行する。なお、制御装置９は、インプリント装置１と一体で構成しても良いし、若しくは、インプリント装置１とは別の場所に設置し、遠隔で制御する構成としても良い。

コンソール部１０は、制御装置９に接続され、インプリント装置１とのユーザーインターフェイスの役割を担う、モニタ及び入力装置等で構成される操作手段である。ユーザーは、コンソール部１０により、装置全体の各種設定値（パラメータ値）や動作内容の入力及び装置の動作命令等を実施する。また、コンソール部１０は、装置全体の動作状況の表示や装置トラブルが発生した場合のエラー表示を行い、ユーザーに対して装置の可動状況を適宜伝える。

まず、比較のために、一般的なインプリント装置によるパターン形成（インプリント処理）について説明する。図２は、インプリント装置によるパターン形成工程を示す概略図である。なお、図２において、図１と同一構成のものには同一の符号を付す。まず、図２（ａ）に示すように、インプリント装置１は、ウエハステージ６にウエハ５を載置し、固定した後、ウエハステージ６を塗布装置７の塗布位置へ移動させる。その後、塗布装置７は、ウエハ５の所定のショット（被処理領域）に樹脂（未硬化樹脂）１２を塗布する。次に、図２（ｂ）に示すように、インプリント装置１は、ウエハ５上の塗布面がモールド３の直下に位置するように、ウエハステージ６を移動させる。次に、図２（ｃ）に示すように、インプリント装置１は、モールド３の押印面とウエハ５上の塗布面との位置合わせを実施した後、インプリントヘッド４内のマウント駆動機構を駆動させ、ウエハ５上の樹脂１２にモールド３を押印する。このとき、樹脂１２は、モールド３の押印により、モールド３に形成された凹凸パターンに沿って流動する。この状態で、照明系ユニット２は、モールド３の背面（上面）から紫外線５０を照射し、モールド３を透過した紫外線５０により、樹脂１２が硬化する。そして、図２（ｄ）に示すように、樹脂１２が硬化した後、インプリント装置１は、インプリントヘッド４内の駆動機構を再駆動させ、モールド３をウエハ５から離型させる。以上の工程により、ウエハ５上のショットの表面には、モールド３の凹凸パターンに倣った３次元形状の樹脂１２の層が形成される。

次に、モールド３の凹凸パターンに異常がある場合の一般的なインプリント装置によるパターン形成工程について説明する。例えば、図３は、欠損した凸部３ａ´を有するモールド３を使用した場合のパターン形成工程を示す概略図である。ここで、図３ａ〜図３ｄに示す工程は、図２ａ〜図２ｄに示す工程にそれぞれ対応している。図３に示すように、モールド３に欠損した凸部３ａ´が存在すると、そのパターン形状がそのまま樹脂１２に転写され、インプリント装置は、欠損した微細パターン部１２ａを形成することになる。一方、図４は、凹凸パターンにおける凸部３ａと凸部３ｂとの間の凹部に付着物１３が存在するモールド３を使用した場合のパターン形成工程を示す概略図である。ここで、図４は、図３（ｄ）に示す工程に対応している。通常、インプリント装置は、樹脂１２が完全に硬化してから、モールド３を引き剥がすが、樹脂１２が完全に硬化する前にモールド３を引き剥がしてしまう場合がある。この場合、図４に示すように、樹脂１２の一部が付着物１３として凹凸パターンの凹部に付着し、凹凸パターンの異常となる。

インプリント装置では、モールド３に形成された凹凸パターンの形状そのものが、ウエハ５上に形成されるデバイスパターンの線幅を決定することになる。したがって、図２に示すように、凹凸パターンに異常がない場合は、デバイスパターンの線幅には異常が生じないが、図３及び図４に示すように、凹凸パターンに異常が生じると、デバイスパターンに不良が発生することとなる。例えば、図３に示すモールド３のように、凹凸パターンに欠損が生じると、欠損部分に相当するデバイスパターンは、所望の線幅を満足できず、製品として使用できないため、歩留まりの悪化となる。更に、図４に示すモールド３のように、凹凸パターンに付着物が付着したモールド３を使い続けると、付着部分に相当するデバイスパターンは、所望の線幅より太い線幅となり、この場合も、製品として使用できないため、歩留まりの悪化となる。一般に、インプリント装置では、１つのモールド３を繰り返し使用し、複数のデバイスパターンを形成するため、ダメージを受けて凹凸パターンに上記のような異常が生じる可能性は、特に考えられる。そこで、本発明では、インプリント装置１内に搭載されたモールド計測系８により、モールド３の凹凸パターン自体を計測することで、凹凸パターンの異常を簡易的に判定する。

次に、本実施形態に係るインプリント装置１の作用について説明する。まず、インプリント装置１における凹凸パターンの状態を計測するモールド計測系８の位置関係について説明する。図５は、インプリント装置１におけるモールド計測系８の位置関係を示す概略図である。特に、図５（ａ）は、インプリント装置１の内部にモールド３が装填された後に、ウエハ５の交換時に、モールド３に対してモールド計測系８を走査させるパターン検査の場合の位置関係を示す概略図である。なお、この場合の「ウエハ交換時」とは、ウエハステージ６に保持された第１のウエハ（第１の基板）５を、新たな第２のウエハ（第２の基板）５に交換する時を示す。この場合、制御装置９は、ウエハ５の交換時、即ち、図５（ａ）に示すように、ウエハステージ６が押印位置から移動している間に、インプリントヘッド４に装填されたモールド３の凹凸パターンの計測を行うようにモールド計測系８を制御する。具体的には、モールド計測系８は、インプリント処理中には、モールド３の周辺位置に待機しており、インプリント処理が終了し、ウエハ５の交換のためにウエハステージ６が移動した後、モールド３の直下の空いた空間に移動する。この方式の利点は、モールド計測系８は、ウエハ５の交換時のウエハステージ６の移動に伴って、モールド３の凹凸パターンの計測を自動で実施するので、スループットに影響を与えることがない点にある。なお、モールド計測系８は、ウエハ５の交換時に、凹凸パターンを毎回計測できるように、ウエハステージ６の一部（例えば、側面部）に一体として配置しても良い。

一方、図５（ｂ）は、インプリント装置１の内部にモールド３が装填された後に、モールド３の交換時に、モールド計測系８に対してモールド３を走査させるパターン検査の場合の位置関係を示す概略図である。なお、この場合の「モールド交換時」とは、インプリント処理後に、既に保持されているモールド（第１の型）３を交換する場合と、一方、インプリント処理前に、これから保持されるモールド（第２の型）３を交換する場合とを含む。即ち、制御装置９は、図５（ｂ）に示すように、モールド（第１の型）３をインプリントヘッド４から取り外して移動させている間に、モールド３の凹凸パターンの計測を自動で実施するようにモールド計測系８を制御する。若しくは、制御装置９は、モールド（第２の型）３をインプリントヘッド４に向けて移動させている間に、モールド３の凹凸パターンの計測を自動で実施するようにモールド計測系８を制御する。この方式の利点は、一般にインプリント装置では、形成するデバイスパターンの線幅によってモールド３を交換する必要があるため、モールド３を交換する頻度が多い場合に好適となる点にある。

次に、凹凸パターンの走査計測時におけるモールド計測系８の動作について説明する。図６は、走査計測時のモールド計測系８の動作を示す概略図である。ここで、図６に示す走査計測は、図５（ａ）に対応し、モールド３がインプリントヘッド４に装填された状態で、モールド３に対してモールド計測系８がＸ軸方向で紙面左側より右側へ走査する場合を想定する。モールド計測系８は、以下の図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すような走査計測を連続して実施する。まず、図６（ａ）に示すように、モールド計測系８は、モールド３の凹凸パターンの最端部から中心部に向かって走査計測を行い、逐一計測信号を得て、まず、凸部３ａの計測信号を得る。引き続き、モールド計測系８は、走査計測を行い、図６（ｂ）に示すように、凹凸パターンの中心部において凸部３ｂの計測信号を得る。更に引き続き、モールド計測系８は、モールド３の凹凸パターンの中心部から一方の最端部に向かって走査計測を行い、図６（ｃ）に示すように、凸部３ｃの計測信号を得る。

次に、モールド計測系８が走査計測にて計測する計測信号について説明する。図７は、モールド計測系８によるモールド３の各状態における計測信号を示す概略図である。本実施形態では、まず、モールド計測系８は、インプリント装置１の外部から内部にモールド３が装填された際、装填されたモールド３の凹凸パターンを走査計測し、該走査計測で得られた信号を基準信号として、制御装置９内の記憶手段等に記憶する。図７（ａ）は、最初に使用するモールド３の凹凸パターンの基準信号を示す図である。図７（ａ）に示すように、モールド３は、まだインプリント処理に使用されておらず、凹凸パターンに異常がない新品であるので、基準信号６０は、各凸部３ａ〜３ｃにおいて均一な山型形状のパターン信号部６１を有する。

次に、インプリント装置１でモールド３を使用する過程で、モールド３に欠損が生じた場合について説明する。図７（ｂ）は、凹凸パターンに欠損した凸部３ａ´が存在する場合の計測信号及び指標データを示す図である。まず、モールド計測系８は、走査計測により、図７（ｂ）に示すような計測信号６２を得る。この場合、計測信号６２は、凹凸パターンの凸部３ａ´に欠損が存在するので、凸部３ａ´に対応する部分には、他の信号形状とは異なる山型形状のパターン信号部６３を有する。次に、制御装置９は、得られた計測信号６２と、予め記憶した基準信号６０とを比較することで、図７（ｂ）に示すような指標データ６４を得る。この指標データ６４は、例えば、基準信号６０と得られた計測信号６２との差分を計算して算出された差分データである。なお、指標データ（指標）は、差分データに限定するものではなく、基準信号と得られた計測信号との相違を示すものであればよい。例えば、指標データは、信号の全体又は対応する各部分に関して求めた計測信号と基準信号との相関度（相関係数）であってもよい。次に、制御装置９は、算出した指標データ６４の値が、予め設定した上限値及び下限値を有する閾値６５を超えたかどうかを判定した情報である指標情報を得て、コンソール部１０に出力する。ここで、制御装置９は、図７（ｂ）に示すように、万が一閾値６５を超えた場合は、モールド３に異常が発生したと判定し、コンソール部１０に対して異常の発生を通知し、コンソール部１０は、エラー表示を行う。これにより、ユーザーは、モールド３に異常が生じたことを即座に確認することができる。

次に、インプリント装置１でモールド３を使用する過程で、モールド３に付着物が存在した場合について説明する。図７（ｃ）は、凹凸パターンに、付着物１３が存在する場合の計測信号及び指標データを示す図である。この場合も、モールド計測系８は、走査計測により、図７（ｃ）に示すような計測信号６６を得る。該計測信号６６は、凹凸パターンに付着物１３が存在するので、付着物１３に対応する部分には、他の信号形状とは異なる大きな山型形状のパターン信号部６７を有する。次に、制御装置９は、得られた計測信号６６と、予め記憶した基準信号６０とを比較することで、図７（ｃ）に示すような指標データ６８を得る。次に、制御装置９は、算出した指標データ６８の値が、予め設定した閾値６５を超えたかどうかを判定した情報である指標情報を得て、コンソール部１０に出力する。この場合も、制御装置９は、図７（ｃ）に示すように、万が一閾値６５を超えた場合は、モールド３に異常が発生したと判定する。コンソール部１０によるエラー表示は、上記と同様である。

なお、比較のために、インプリント装置１でモールド３を使用する過程で、モールド３には異常が生じなかった場合について説明する。図７（ｄ）は、凹凸パターンに異常がない場合の計測信号及び指標データを示す図である。この場合も、モールド計測系８は、走査計測により、図７（ｄ）に示すような計測信号７０を得るが、凹凸パターンには異常がないので、計測信号７０は、基準信号６０と同等の信号となる。次に、制御装置９は、得られた計測信号７０と、予め記憶した基準信号６０とを比較することで、図７（ｃ）に示すような指標データ７２を得る。そして、制御装置９は、算出した指標データ７２の値が予め設定した閾値６５を超えたかどうかを判定した情報である指標情報を得て、コンソール部１０に出力する。この場合は、制御装置９は、図７（ｄ）に示すように、指標データ７２は閾値６５を超えないので、モールド３には異常がないと判定する。

以上のように、本実施形態のインプリント装置１によれば、インプリント装置１内に設置されたモールド計測系８により、簡易にモールド３の凹凸パターンを検査することができるので、モールド３に異常が生じた際は、即座にモールド３を交換することができる。したがって、インプリント装置１により製造される物品の歩留まりに対して有利である。

（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

例えば、図７では、信号について、簡単化のために１次元的に説明したが、実際のモールド３は２次元であり、モールド計測系８は、モールド３を２次元で計測するとより好適である。また、図７に示した、制御装置９に予め設定した、ある一定の閾値６５は、常に一定ではなく、任意のタイミングで書き換えても良い。

１ インプリント装置
３ モールド
５ ウエハ
８ モールド計測系
８ａ 投光部
８ｂ 受光部
９ 制御装置
１０ コンソール部
１２ 紫外線硬化樹脂

Claims (14)

1. 基板上の未硬化樹脂を型により成形して前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記型に投光して該型で生じた散乱光を受光して計測信号を得る計測手段と、
   制御手段と、を有し、
   前記制御手段は、基準信号、上限値および下限値を記憶し、前記型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させ、該計測信号と前記基準信号との相違を示す指標を求め、前記上限値および前記下限値のいずれを前記指標が超えたかを示す情報を出力し、
   前記上限値は、前記型の欠損および前記型への異物の付着のうちの一方に対応する閾値であり、前記下限値は、前記欠損および前記付着のうちの他方に対応する閾値である、
   ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記制御手段は、予め前記型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させて前記基準信号を得る、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記制御手段は、前記インプリント装置の外部から前記インプリント装置の内部に前記型が装填された場合、該型による成形を行う前に、該型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させて前記基準信号を得る、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. コンソール部を有し、
   前記制御手段は、前記情報を前記コンソール部に出力させる、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記型を保持する型保持手段を有し、
   前記制御手段は、前記型保持手段に保持された第１の型を第２の型と交換する場合に、前記第１の型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させる、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記型を保持する型保持手段を有し、
   前記制御手段は、前記型保持手段に保持された第１の型を第２の型と交換する場合に、前記第２の型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させる、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記基板を保持する基板保持手段を有し、
   前記制御手段は、前記基板保持手段に保持された第１の基板を第２の基板に交換する間に、前記型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させる、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記型を保持する型保持手段と、前記基板を保持する可動の基板保持手段とを有し、
   前記計測手段は、前記投光を行う投光部と、前記受光を行う受光部とを有し、
   前記投光部と前記受光部とは、前記基板保持手段に配置され、
   前記制御手段は、前記型保持手段に保持された前記型に対して前記基板保持手段を移動させて前記型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させる、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 基板上の未硬化樹脂を型により成形して前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記型に投光して該型で生じた散乱光を受光して計測信号を得る計測手段と、
   制御手段と、を有し、
   前記制御手段は、前記型に対応する基準信号を記憶し、前記型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させ、該計測信号と前記基準信号との相違を示す指標を求め、該指標に対する閾値としての上限値および下限値のいずれを該指標が超えたかを示す情報を出力し、
   前記上限値は、前記型の欠損および前記型への異物の付着のうちの一方に対応する閾値であり、前記下限値は、前記欠損および前記付着のうちの他方に対応する閾値である、
   ことを特徴とするインプリント装置。
10. 前記制御手段は、基準となる型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させることにより前記基準信号を得る、ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
11. 前記上限値は、正の値であり、前記下限値は、負の値である、ことを特徴とする請求項９ないし請求項１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
12. 請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
    を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
13. 型を検査する検査装置であって、
    前記型に投光して該型で生じた散乱光を受光して計測信号を得る計測手段と、
    制御手段と、を有し、
    前記制御手段は、基準信号、上限値および下限値を記憶し、前記型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させ、該計測信号と前記基準信号との相違を示す指標を求め、前記上限値および前記下限値のいずれを前記指標が超えたかを示す情報を出力し、
    前記上限値は、前記型の欠損および前記型への異物の付着のうちの一方に対応する閾値であり、前記下限値は、前記欠損および前記付着のうちの他方に対応する閾値である、
    ことを特徴とする検査装置。
14. 型の欠損および該型への異物の付着に関して該型を検査する検査装置であって、
    前記型に投光して該型で生じた散乱光を受光して計測信号を得る計測手段と、
    制御手段と、を有し、
    前記制御手段は、前記型に対応する基準信号を記憶し、前記型に関して前記計測手段に前記計測信号を得させ、該計測信号と前記基準信号との相違を示す指標を求め、該指標に対する閾値としての上限値および下限値のいずれを該指標が超えたかを示す情報を出力し、
    前記上限値は、前記型の欠損および前記型への異物の付着のうちの一方に対応する閾値であり、前記下限値は、前記欠損および前記付着のうちの他方に対応する閾値である、
    ことを特徴とする検査装置。

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