JP5528679B2 - 可変速駆動装置の温度管理方法およびシステム - Google Patents

Description

本発明は、可変速駆動装置で実行される温度管理方法に関する。また本発明は、可変速駆動装置での温度管理システムにも関する。

可変速駆動装置は、電気負荷にパルス電圧を供給するように制御される複数の電力半導体モジュールを備える。各電力半導体モジュールは、例えばそれぞれがフリーホイーリングダイオード（ＦＷＤ：Freewheeling Diode）に接続された二つのＩＧＢＴ（Isolated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）タイプのトランジスタを収納するケースから構成される。ＩＧＢＴタイプのトランジスタの半導体素子は、特にそのジャンクション温度およびジャンクション・ケース温度によって特徴づけられる。使用中にモジュールが発生する熱を放熱するために、モジュールに放熱器が取り付けられている。

電力半導体モジュールで使用されるＩＧＢＴトランジスタは、可変速駆動装置で使用されるコンポーネントの中で、最も重要で高価なものである。したがって、損傷から保護する必要がある。このため、絶対ジャンクション温度はメーカーが指定する限界値を超えてはならず、同様にジャンクション・ケース温度も限界値以下に維持する必要がある。例えば、半導体素子がシリコンからなる場合は、絶対ジャンクション温度の限界値は１５０℃であり、ジャンクション・ケース温度の限界値は６５℃である。これらの限界値の何れかを超えると、半導体素子は劣化し、可変速駆動装置において重大な異常を引き起こすこともある。

次第に小型化されている可変速駆動装置に電力半導体モジュールを設置するので、その放熱は次第に困難になり、半導体素子の通常動作温度とその限界値との差が次第に狭まってきている。したがって、可変速駆動装置において半導体素子の温度管理方法を実施する必要がある。

そのためには、可変速駆動装置の温度センサが１つであるか複数であるかによって、幾つかの温度管理方法が可能である。すなわち、電力半導体を、それぞれが二つのＩＧＢＴトランジスタと二つのフリーホイーリングダイオードを備えた三つの個別のモジュールに分けて設置する場合は、各モジュール毎に温度センサを使用するか、全てのモジュールに対して単一のセンサを使用するかにより、温度管理は異なる。前者の場合、温度センサをモジュールのケース下に直接取り付けると、測定される温度はモジュールの温度になるので、直接処理できる。一方、後者の場合、１つの温度センサが、例えばモジュールからある程度の距離をあけて放熱器に配置される場合は、測定される温度はモジュールのケース温度に相当しない。この後者の場合、適切な管理をするには、推定によって半導体素子のジャンクション温度を知る必要がある。

可変速駆動装置の半導体モジュールの温度管理方法は、既に従来技術として提案されている。

特許文献１は、可変速駆動装置の電力半導体モジュールを保護する温度管理方法および装置を記載する。その温度管理方法は、半導体素子の熱損失およびジャンクション・ケース温度の上昇を計算することからなる。温度上昇が所定の限界値を超えると、可変速駆動装置の出力電流を低減するように、半導体モジュールの動作サイクルを調整する。

特許文献２は、可変速駆動装置の電力半導体モジュールの温度管理方法を記載する。この温度管理方法は、半導体素子のジャンクション温度に応じて可変速駆動装置に流れる電流を制御することからなる。

特許文献３は、複数の半導体モジュールを備える制御回路を有する電動機の制御装置を記載する。この装置は、さらに、測定温度に基づいて、各モジュールのコンポーネントのジャンクション温度を推定する手段、得られたジャンクション温度を限界値と比較する手段、および指定された限界値以下にジャンクション温度を調節するように、制御回路の出力を調整する手段を備える。特に、この文献は、各々のモジュール毎の熱モデルを提案する。しかしながら、この熱モデルは各モジュールの環境や、特に監視されるモジュールの温度に対する他のモジュールの温度による影響などを考慮していない。
特開平９−２３３８３２号公報 特開２００５−１４３２３２号公報 特開平１０−１６４７０３号公報

本発明の目的は、単一の温度センサのみを備える可変速駆動装置の電力半導体モジュールの温度管理方法およびシステムを提供することにある。

この課題は、各モジュールがジャンクション温度によって特徴づけられており、それぞれが電気負荷にパルス電圧を供給するための電力半導体を収納するケースを備えた１つ以上のモジュールと、各モジュールから発生した熱を放熱するための放熱器と、放熱器に取り付けられた温度センサとを備えた可変速駆動装置において実行される温度管理方法であって、前記温度管理方法は、各モジュールに対して、あるモジュールに対する他のモジュールの影響または逆の影響を表す熱トランスインピーダンスを含む放熱器の所定の熱モデル、センサによって測定された温度およびモジュールの平均電力損失に基づいて、推定によってモジュールのケース温度を求めること、モジュールのケース温度およびジャンクション温度の限界値に基づいてジャンクション・ケース温度を求めること、および、ジャンクション・ケース温度の所定の限界値に対して、得られたジャンクション・ケース温度を制限することからなる温度管理方法によって解決する。

本発明によれば、前記放熱器の熱モデルは下記の関係式で定義され、

式中：符号Ｔ_{C_U}、Ｔ_{C_V}、Ｔ_{C_W}は、それぞれのＵ、ＶおよびＷ相に配置された各モジュールのケース温度を示し、符号Ｚ_UU、Ｚ_VV、Ｚ_WWは逆転層効果およびモジュールのケースと放熱器間の非理想的な熱的接触による温度上昇に相当し、符号Ｚ_VU、Ｚ_WU、Ｚ_UV、Ｚ_WV、Ｚ_UW、Ｚ_VWは、あるモジュールに対する他のモジュールの影響または逆の影響を表す熱トランスインピーダンスであり、符号Ｔ_SNは温度センサによって測定された温度である。

１つの態様によれば、各相に個別に電力を注入し、各相のモジュールにおける温度効果を測定することによって、熱モデルの変数を予め求める。

他の態様によれば、この温度管理方法は、可変速駆動装置の中で熱的に最も不利な状態に位置されたモジュールに基づいて、得られたモジュールのジャンクション・ケース温度をジャンクション・ケース温度の所定の限界値に制限することによりなる。

他の態様によれば、負荷への指令角周波数に基づいて、モジュールのケース温度を推定する。

他の態様によれば、平均電力損失は、負荷電流、モジュールのトランジスタのスイッチング周波数、可変速駆動装置の直流バスで測定された電圧、およびモジュールに特有のパラメータに基づいて計算する。

本発明はまた、温度を調整し、上記に定義された温度管理方法を実行するための可変速駆動装置モジュールの制御手段およびメモリと関連した処理手段を備える可変速駆動装置における温度管理システムにも関する。

また、別の特徴と利点については、例として図面に示す実施形態を参照する詳細な説明で明らかになる。
上記構成によれば、各モジュールの環境や、特に監視されるモジュールの温度に対する他のモジュールの温度による影響などを考慮した熱モデルを提供することができる。

図１を参照すると、可変速駆動装置１は、例えばそれぞれが二つのＩＧＢＴタイプトランジスタ（ＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ６）およびフリーホイーリングダイオード（ＦＷＤ：Free Wheeling Diode）とも呼ばれる二つの逆並列ダイオード（ＦＷＤ１〜ＦＷＤ６）を備えた三つの電力半導体モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３を収納するハウジングを設ける。可変速駆動装置１は、そのハウジングの裏面において、動作中のモジュールから発生する熱を放熱できる放熱器２を備える。また可変速駆動装置１はさらに、可変速駆動装置１に接続された電気負荷にパルス電圧を供給するために、モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３に直流を給電する入力整流器３も備える。

可変速駆動装置１では、モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３は例えば放熱器２の下部に対向して配置され、入力整流器３は放熱器２の上部に対向して配置される。温度センサＳＮは例えば放熱器２の中央部に位置する。

従来技術と同様に、モジュールＭ１は例えば銅からなる金属製の基部であるベース１０を設けたプラスチック製ケースで形成される。半導体素子は、ベース１０との電気絶縁としてセラミック基板に配置される。モジュールは、例えばネジによって、放熱器２と一体化される。

本発明は、電力半導体素子を保護するために、可変速駆動装置内において温度管理方法を実行することによりなる。この温度管理方法は、少なくとも１つのメモリ４０と関連し、温度調整をするためにモジュールの制御手段に作用できる処理手段４を備える可変速駆動装置１に組み込んだシステムによって実行する。この処理手段４は、特に上記の温度管理方法を実行するために計算手段４１を備える。

この温度管理方法を実行するために、当該システムは放熱器の所定の熱モデルを記憶している。図２の特性図に示されるモデルは、可変速駆動装置における熱特性と電気特性との等価性に基づいて製作されている。

この熱モデルは、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のそれぞれに電流を供給できる三つのエネルギー源Ｐ_U（ｓ）、Ｐ_V（ｓ）、Ｐ_W（ｓ）を含んでいる。各モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３に電流が流れると、各モジュールのケース温度Ｔ_{C_U}、Ｔ_{C_V}、Ｔ_{C_W}の上昇を引き起こす損失が生まれる。符号Ｇ_VU、Ｇ_WU、Ｇ_UV、Ｇ_WV、Ｇ_UW、Ｇ_VWはモジュール間の相互の熱影響を表している。符号Ｚ_UU、Ｚ_VV、Ｚ_WWは、逆転層効果による温度上昇および各モジュールのケースと放熱器間の非理想的な熱的接触による自己インピーダンスを表す。逆転層効果は、放熱器の放熱を妨げること、より具体的にはモジュールのケースと放熱器間の温度勾配を示している。

この熱モデルは下記の関係式によって定義され得る。

式中：符号Ｔ_{C_U}、Ｔ_{C_V}、Ｔ_{C_W}は、それぞれのＵ、Ｖ、Ｗ相に配置された各モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３のケース温度を示している。符号Ｚ_UU、Ｚ_VV、Ｚ_WWは、逆転層効果および各モジュールのケースと放熱器間に存在する非理想的な熱的接触に相当するモジュールの自己インピーダンスである。符号Ｚ_VU、Ｚ_WU、Ｚ_UV、Ｚ_WV、Ｚ_UW、Ｚ_VWは、あるモジュールに対する他のモジュールの影響または逆の影響を表す熱トランスインピーダンスである。

より具体的には、熱トランスインピーダンスＺ_VU、Ｚ_WU、Ｚ_UV、Ｚ_WV、Ｚ_UW、Ｚ_VWは、下記の関係式で定義される。

ここで、Ｇ_VU、Ｇ_WU、Ｇ_UV、Ｇ_WV、Ｇ_UW、Ｇ_VWは、あるモジュールに対する他のモジュールの影響を表す。

放熱器の熱モデルの値を求めるために、可変速駆動装置を設計する際に一連の実験を行なっている。

熱交換がより容易に行なわれる放熱器の中央部に位置するモジュールのケース温度よりも、放熱器の横側に配置されたモジュール（Ｕ相，Ｗ相のモジュールＭ１、Ｍ３の場合）のケース温度は勿論高いので、熱モデルは対称ではない。便宜上、以下の説明において、本発明の温度管理システムは１つのモジュールのみで実行する。このため、最も不利な場合を勘案して、放熱器に対して横側に配置されたモジュールのケース温度を計算する。例えば、Ｕ相のモジュールＭ１である。

Ｕ相のモジュールＭ１の自己インピーダンスＺ_UUおよびトランスインピーダンスＺ_VU，Ｚ_WUの値は下記のように求める。

上記のように定義された熱モデルに基づいてＵ相に配置されたモジュールＭ１のケース温度Ｔ_{C_U}は下記の関係式で得られる。

式中：符号Ｐ_U、Ｐ_V、Ｐ_Wは各相Ｕ、Ｖ、Ｗに注入する電力を示している。

例えば、他の２つのＶ相、Ｗ相に注入される電力Ｐ_V、Ｐ_Wをゼロにし、相Ｕに電力Ｐ_Uを注入する場合を考えると、下記の関係式が得られる。

式中、符号Ｔ_SNは放熱器の中央部に配置されたセンサＳＮによって測定された温度である。

Ｕ相に注入された電力は時点ゼロで振幅Ｐ₀になるゲーティング関数である。したがって、下記の関係式が得られる。

そして、熱自己インピーダンスＺ_UU（ｓ）は、

になるが、式中、Ｌはラプラス変換で、Ｔ_{C_SN}はケース温度Ｔ_{C_U}とセンサＳＮで測定された温度Ｔ_SNの差で定義されるケース・センサ温度である。温度Ｔ_{C_SN}は特に、入力整流器３などの、同一の放熱器２に設置されたそれぞれ他の熱源を取り入れる。

同じ温度管理方法は、Ｖ相およびＷ相に適用できる。他の二つの相に給電せずに、電力をＶ相またはＷ相の各々に注入して、Ｕ相のモジュールＭ１での温度応答を測定する。Ｖ相、Ｗ相のモジュールからの熱は横方向へ移動するため、Ｕ相のモジュールＭ１での温度応答は、熱トランスインピーダンスＺVUおよびＺWUを表す。

上記に定義された関係式（６）と（７）、また時間の係数として、温度応答は二次指数級数の形にできることをもって、自己インピーダンスＺUUおよびトランスインピーダンスＺ_VU、Ｚ_WUは下記の関係式で定義できる。

熱抵抗Ｒ_UU1、Ｒ_UU2、Ｒ_VU1、Ｒ_VU2、Ｒ_WU1、Ｒ_WU2と、時定数τ_UU1、τ_UU2、τ_VU1、τ_VU2、τ_WU1、τ_WU2は、適切なアルゴリズムによって計算できる。

したがって、自己インピーダンスＺ_UUおよびトランスインピーダンスＺ_VU、Ｚ_WUなどの熱モデルのパラメータ値は、可変速駆動装置を設計する際、一連の実験によって、一回のみで求める。その後、モジュールの温度を管理するために使用される。

したがって、この値を計算するために、相ＵのモジュールＭ１の半導体素子のジャンクションの温度センサを使用し、モジュールＭ１のコンポーネントのみを介して一定の電力を注入し、前記センサによって、測定されたジャンクションＴｊ１およびＴｊ２（図３の（ａ）参照）の温度を登録する。したがって、これらのジャンクションＴｊ１、Ｔｊ２の温度と、モジュールの仕様書で定義されるジャンクション・ケースのインピーダンスと、モジュールに注入された電力とに基づいて、この条件のもとで、モジュールＭ１のケース温度Ｔ_{C_U}が求められる。このモジュールＭ１のケース温度Ｔ_{C_U}を放熱器２に配置されたセンサＳＮによって同時に測定された温度Ｔ_SNに加えることによって、ケース・センサ温度Ｔ_{C_SN}を得る。このように、ケース温度Ｔ_{C_SN}，に基づいて、上記に定義されたモジュールＭ１の自己インピーダンスＺ_UUが求められる。Ｖ相のモジュールＭ２の半導体素子のみに定電力を注入して（図３（ｂ）参照）、この低電力の作用に対して、モジュールＭ１の温度応答（Ｔｊ１、Ｔｊ２）を測定することによって、トランスインピーダンスＺ_VUを求める。Ｗ相のモジュールＭ３においても同様にして、トランスインピーダンスＺ_WUを求める（図３（ｃ）参照）。同様の温度管理方法で、モジュールＭ２、Ｍ３の自己インピーダンスＺ_VV、Ｚ_WWおよびトランスインピーダンスＺ_UV、Ｚ_WVとＺ_UW、Ｚ_VWが計算できる。

本発明によれば、可変速駆動装置の通常動作での過熱または劣化を避けるために、その値が可変速駆動装置１に記憶された熱モデルをＵ相のモジュールＭ１の温度を調整するために使用する。

このため、単一のセンサＳＮが配置される放熱器２とモジュールのケース間の温度勾配に相当するケース・センサ温度Ｔ_{C_SN}の変化が常にまたは定期的に求められる。

可変速駆動装置１で実行される温度管理方法（図４参照）は、Ｕ相のモジュールＭ１の平均電力損失を計算する（図４の工程Ｅ１参照）。

電動機の電流は対称かつ正弦曲線であって、かつパルス変調は正弦曲線であるという原理をもとに、Ｕ相の電動機電流ｌｍおよびＵ相のパルス幅変調（ＰＷＭ）の指令の変調指数は、下記の関係式で定義される。

式中、符号Ｉ_PEAKは、三相での電動機電流の測定に基づいて計算された電動機の最大電流Ｉ_Uで、ω₀は（電動機の固定子の周波数に依存する）電動機の指令角周波数で、また符号φは電動機電流の位相差である。

近似と仮説によるモジュールの平均電力損失を表すと：

式中：符号Ｖ_CE0、Ｖ_DF0、ｒ_CEおよびｒ_Dは、閾値電圧や抵抗などのＩＧＢＴトランジスタおよびフリーホイーリングダイオードＦＷＤの固定パラメータである。符号Ｖ_BUSは可変速駆動装置の直流バスにて測定される電圧である。符号ｆ_SWは、モジュールのＩＧＢＴトランジスタのスイッチング周波数である。符号Ｖ_NおよびＩ_Nは、それぞれの電動機の公称電圧および公称電流である。符号Ｅ_ON、Ｅ_OFF、Ｅ_QNは公称電流Ｉ_Nと公称電圧Ｖ_Nにおいて、モジュールの仕様書に記載されるＩＧＢＴトランジスタのスイッチングエネルギーである。

安定状態におけるケース・センサの最大温度を上記に定義した熱モデルに基づいて処理すると、下記の関係式が得られる。

Ｚ_{C_SN}（ω₀）として示される熱インピーダンスは、放熱器２の逆転層効果を反映するので、逆転層効果のインピーダンスとも呼ばれる。モジュールＭ１のベース１０と放熱器２との熱的接触もまた反映する。特に上記の説明と図２に定義された熱モデルおよび指令角周波数ω₀に基づいて計算される。このインピーダンスは、可変速駆動装置の制御部で実行するのは困難である非線形関数に従う。このようにして、この関数は、例えば指数関数で近似される。

Ｚ_{C_SN}（ω₀）から、モジュールＭ１のケースと放熱器２間の勾配に相当する温度応答を計算できる。この応答は、逆転層効果により発生する温度に相当する。これは、上記の関係式（１１）で定義された安定状態の応答を、放熱器の動力学を表す一般的なフィルタにかけることによって計算される（図４の工程Ｅ３参照）。このようにして、ケース・センサ温度Ｔ_{C_SN}を得る。

したがって、本発明によれば、ケース・センサ温度Ｔ_{C_SN}を放熱器２に配置された温度センサＳＮによって測定された温度Ｔ_SNに加えることで、Ｕ相のモジュールＭ１のケース温度Ｔ_{C_U}が求められる。

そして、本発明によれば、温度管理方法によって、基準となるジャンクション・ケース温度Ｔ_JC ^REFが求められる（図４の工程Ｅ４参照）。その後、実際のジャンクション・ケース温度がこの基準となるジャンクション・ケース温度Ｔ_JC ^REFに合わせて調整される。

基準となるジャンクション・ケース温度を求めるには、本発明の温度管理方法は、それぞれモジュールのジャンクション温度とモジュールのジャンクション・ケース温度に対して指定される二つの既知の限界値Ｔ_JmaxおよびＴ_JCmaxを勘案することにより達成される。このため、基準となるジャンクション・ケース温度は下記の方程式から計算される。

したがって、基準となるジャンクション・ケース温度Ｔ_JCREFは、求めた温度Ｔ_JCがジャンクション・ケース温度の所定の限界値Ｔ_JCmax以下であれば、ジャンクション・ケース温度は、Ｔ_JC＝Ｔ_Jmax−Ｔ_{C_SN}（ｔ）−Ｔ_SEN（ｔ）になり、また、Ｔ_JCがＴ_JCmax以上である場合には、Ｔ_JCmaxになる。

実際のジャンクション・ケース温度を基準となるジャンクション・ケース温度ＴJCREFに合わせて調整することは、周知の方法によって行う。例えば、可変速駆動装置の出力電流を制限することによって調整できる。

言うまでもなく、本発明の範囲にそむくことなく、他の変形や変更または均等手段の使用を想像することができる。

本発明の実施形態に係る可変速駆動装置の全体を示す斜視図である。 本発明の温度管理方法およびシステムで使用される放熱器の熱モデルを示す特性図である。 Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相への電力注入時のモジュールの各トランジスタの温度応答を求めるために実行する手順を（ａ）（ｂ）（ｃ）で示す概略回路図である。 基準となるジャンクション・ケース温度を求める温度管理方法を示すブロック図である。

符号の説明

１ 可変速駆動装置
２ 放熱器
Ｍ１〜Ｍ３ モジュール
ＳＮ 温度センサ

Claims (5)

1. 可変速駆動装置（１）において実行される温度管理方法であって、
   前記可変速駆動装置（１）は、
   各モジュールがジャンクション温度によって特徴づけられており、それぞれが電気負荷にパルス電圧を供給するための電力半導体素子（ＩＧＢＴ１〜ＩＧＢＴ６）を収納するケースを設けた複数のモジュール（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）と、
   前記モジュール（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）の各モジュールから発生した熱を放熱するための放熱器（２）と、
   前記放熱器（２）に取り付けられた温度センサ（ＳＮ）と、を備え、
   前記方法は、１つのモジュール（Ｍ１）に対して、
   あるモジュールに対して他のモジュールの影響または逆の影響を表す熱トランスインピーダンス（Ｚ_VU、Ｚ_WU、Ｚ_UV、Ｚ_WV、Ｚ_UW、Ｚ_VW）を含む放熱器（２）の所定の熱モデル、センサ（ＳＮ）により測定された温度（Ｔ_SN）およびモジュールの平均電力損失（Ｐ_AV）に基づいて、推定によってモジュールのケース温度（Ｔ_{C_U}）を求めること
   前記モジュールのケース温度（Ｔ_{C_U}）およびジャンクション温度の限界値（Ｔ_ｊmax）に基づいてジャンクション・ケース温度（Ｔ_JC）を求めること、および、
   ジャンクション・ケース温度の所定の限界値（Ｔ_JCmax）に、得られたジャンクション・ケース温度を制限することからなり、
   前記放熱器（２）の熱モデルは下記の関係式で定義され、
   

   

   式中：符号Ｔ_{C_U} 、Ｔ_{C_V} 、Ｔ_{C_W}は、それぞれのＵ相、Ｖ相、Ｗ相に配置された各モジュールのケース温度を示し、符号Ｚ_UU、Ｚ_VV、Ｚ_WWは、逆転層効果および各モジュールのケースと放熱器間の非理想的な熱的接触による温度上昇に相当し、符号Ｚ_VU、Ｚ_WU、Ｚ_UV、Ｚ_WV、Ｚ_UW、Ｚ_VW は、あるモジュールに対する他のモジュールの影響または逆の影響を表す熱トランスインピーダンスであり、符号Ｔ_SNは温度センサによって測定された温度であり、
   熱的に最も不利な状態に位置されたモジュール（Ｍ _１ ）に基づいて、得られたジャンクション・ケース温度（Ｔ _JC ）をジャンクション・ケース温度の所定の限界値（Ｔ _ｊｃmax ）に制限することからなることを特徴とする温度管理方法。
2. 各相に個別に電力を注入し、各相のモジュール（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）での温度効果を測定することによって、熱モデルの変数を予め求めることを特徴とする請求項１に記載の温度管理方法。
3. 負荷への指令角周波数（ω_０）に基づいて、モジュールのケース温度（Ｔ_{C_U}）を推定することを特徴とする請求項１又は２に記載の温度管理方法。
4. 平均電力損失（Ｐ_AV）は、負荷電流（Ｉ_ｍ）、モジュールのトランジスタのスイッチング周波数（ｆ_ｓｗ）、可変速駆動装置（１）の直流バスで測定された電圧（Ｖ_ｂｕｓ）およびモジュールに特有のパラメータに基づいて計算することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の温度管理方法。
5. 請求項１乃至４の何れか１項に記載の温度管理方法を実行可能な温度管理システムであって、
   可変速駆動装置（１）に接続された電気負荷にパルス電圧を供給できる複数の電力半導体素子モジュール（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）を備える可変速駆動装置（１）における温度管理システムであって、前記システムは温度を調整するためのモジュールの制御手段およびメモリ（４０）と関連した処理手段（４）を備えることを特徴とする温度管理システム。

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