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JP5444798B2 - 素子の移載方法 - Google Patents

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Description

本発明は素子の移載方法に関し、特にはレーザアブレーション技術によって第１の基板側から第２の基板側に素子を移載する方法に関する。
第１の基板上に配された素子群のうちの一部を、第２の基板上に選択的かつ高精度に移載する方法として、レーザアブレーション技術の適用が試みられている。レーザアブレーション技術を適用した素子の移載は次のように行なわれる。先ず、第１の基板の素子配列面と、第２の基板の接着層の形成面とを向かい合わせて配置する。この状態で、第１の基板側から移載の対象となる素子に対応する位置にのみレーザ光を照射する。これにより、第１の基板と素子との間に設けた剥離層を瞬間的に蒸散（アブレーション）させてガス化し、第１の基板側から素子を剥離して第２の基板上の接着層に接着固定させる。
また上記レーザ光を照射する際に、第１の基板と第２の基板とを離間させた状態で対向配置しておく方法が提案されている。これにより、２枚の基板の押し付け圧力の不均一さによる問題やアライメントの問題が解消される。また、余分なところに接着剤が付着したり、移載後の２枚の基板間の剥離がうまく行かないなどの問題がないとしている。またこの技術においては、素子におけるレーザ光の照射側の面を予め加工しておくことで、レーザ照射によって発生するガスの圧力が加わる方向を規制し、素子の飛散方向を制御するとしている（以上、下記特許文献1参照）。
特開２００２−３１４０５３号公報（段落００１０、００２０参照）
しかしながら、上述した方法では、離間して配置された第２の基板上に、位置精度良好に素子を移載するためには、素子におけるレーザ光の照射面を予め加工する手間が掛かる。また、素子の表面を平坦に保つ必要がある場合には、素子の飛散方向を制御することが困難であった。
そこで本発明は、素子の表面を加工することなく、離間して配置された第２の基板上に位置精度良好に素子を移載することが可能な素子の移載方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するための本発明の素子の移載方法は次のように行なうことを特徴としている。先ず、剥離層を介して素子が設けられた第１の基板と、接着層が設けられた第２の基板とを、素子と接着層とを向かい合わせた状態で離間させて対向配置する。この際、剥離層は、素子と同一かそれよりも小さい平面形状のであることとする。この状態で、第１の基板側から剥離層の全面に、当該剥離層の底面積よりも大きな照射面積のレーザ光を照射する。これにより、剥離層を残さずアブレーションさせて素子を第１の基板上から剥離して第２の基板上に移載する。
このような方法では、剥離層のアブレーションによる素子の飛散方向が第１の基板および第２の基板の基板面に対して垂直方向に制御される。
この結果、本発明によれば、素子の表面を加工することなく、離間して配置された第２の基板上に位置精度良好に素子を移載することが可能になる。
第１実施形態の移載方法を示す断面工程図である。 レーザ光の照射エネルギー毎の移載結果を示す図である。 第２実施形態を説明する素子欠損部を有する第２の基板の構成図である。 第２実施形態の素子欠損部のリペア方法を示す断面工程図である。 第１の基板上に発光強度分布を有して複数の発光素子が搭載されている状態を示す図である。 第３実施形態の移載方法を説明する図（その１）である。 第３実施形態の移載方法を説明する図（その２）である。 第３実施形態の移載方法を説明する図（その３）である。 第３実施形態の移載方法を説明する図（その４）である。 第４実施形態の移載方法を説明する図（その１）である。 第４実施形態の移載方法を説明する図（その２）である。 第４実施形態の移載方法を説明する図（その３）である。
以下、本発明の各実施の形態を以下の順序で説明する。
１．第１実施形態（第１の基板上から第２の基板上に素子を移載する例）
２．第２実施形態（第２の基板の素子欠損部に第１の基板から素子を移載してリペアする例）
３．第３実施形態（第１の基板上の配列を変更して第２の基板上に素子を再配列する第１例）
４．第４実施形態（第１の基板上の配列を変更して第２の基板上に素子を再配列する第２例）
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明を適用した素子の移載方法を説明する断面工程図である。ここで説明する素子の移載方法は、例えば、発光ダイオード（light Emitting Diode：ＬＥＤ）をマトリクス状に配列した表示装置の製造工程等において、第１の基板上から第２の基板上にＬＥＤ素子を移載する方法であり、次のように行なう。
先ず、図１（１）に示すように、第１の基板１上に剥離層３を介して複数の素子５を載置する。一方、第２の基板７上に接着層９を設ける。
第１の基板１は、例えば表示装置を構成する素子を保持するための基板であることとする。このような第１の基板１は、この移載方法で用いるレーザ光に対して非吸収性の材料で構成されるだけではなく、同レーザ光の波長以外の波長領域において、第１の基板１上の素子５を第１の基板１を介して観察可能な材料で構成されることとする。このような第１の基板１としては、例えば石英基板が用いられるが、これに限定されることはない。
剥離層３は、この移載方法で用いるレーザ光を吸収することにより爆発的に蒸発して除去される（いわゆるアブレーションされる）材料を用いる。このような材料としては、例えばポリイミドが用いられるがこれに限定されることはない。
また剥離層３は、第１の基板１上に設けられている素子５の底面と同じ形状か、これより一回り小さい形状であって、素子の底面の範囲に納まる形状にパターニングされていることが重要である。さらに、剥離層３は、素子と相似な形状であることが望ましい。また、素子が軸対称な形状である場合は、剥離層３は、素子の軸に対して対称な形状であることが望ましい。尚、このような剥離層３は、素子５またはこの上部の素子５と同一のマスクパターン上からのエッチングによって形成され、ウェットエッチングによってオーバーエッチングすることで得ることが可能である。
素子５は、ＬＥＤ素子のような発光素子をはじめとし、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子、等が挙げられる。
ここで、第１の基板１上における素子５は、所定の配置状態でマトリックス状に配列されていることとする。これらの素子５は、例えば同一のウェハに形成された複数の素子の中から、ウェハ上に所定間隔で配置された素子を、ウェハ上での配列状態を保ったまま第１の基板１上に移載されていることとする。
一方、第２の基板７は、例えば表示装置を構成する実装基板であるか、または素子を一時的に保持するための第２の基板であっても良い。このような第２の基板７は、実装基板として必要な特性を備えたもの、または一時保持を目的とした基板として必要な特性を備えたものを用いる。尚、第２の基板７が実装基板である場合には、この第２の基板７には、移載される素子５に対して接続可能な任意の配線部位が形成されていても良い。
接着層９は、素子５に対して接着性を備えた材質で構成されていれば良く、いわゆる接着剤からなる層の他、これに準ずる材料で構成されていることとする。
以上のような第１の基板１と第２の基板７とは、素子５と接着層９とを向かい合わせる状態で、互いに離間させて配置される。この際、第１の基板１と第２の基板７とは、第１の基板上１の素子５と第２の基板７上の接着層９との間隔ｄが、素子５の厚みよりも大きくなる程度に離間させて互いに平行となるように対向配置する。
この際、第１の基板１および第２の基板７は、それぞれ独立した移動手段に対して支持され、その移動手段の駆動によって上述したように対向配置されることとする。このような移動手段は、次に説明するレーザ光の光軸に対し垂直な方向および垂直な面内で、第１の基板１および第２の基板７を移動可能な駆動系およびステージ類を備えている。またこれと共に、支持した第１の基板１と第２の基板７との間隔ｄを測定するセンサー、センサーで測定した値に応じて第１の基板１と第２の基板７との間隔ｄが所定状態となるようにステージ類を駆動する駆動部などを備えていることとする。
以上のような状態で、図１（２）に示すように、第１の基板１側からレーザ光Ｌｈを照射する。ここで照射するレーザ光Ｌｈは、ここでの図示を省略したレーザ光源から剥離層３までの間において、剥離層３でのみ吸収が生じるような波長を選択する。ここでは、第１の基板１上に設けられた複数の素子５のうち、選択された素子５に対応する領域のみに、レーザ光Ｌｈを選択的に照射する。
また、選択された各素子５と第１の基板１との間の剥離層３の全面に、レーザ光Ｌｈが照射されるように、レーザ光Ｌｈの照射位置が制御されると共に、照射面形状が剥離層３の底面形状と同程度かこれよりも広い大きさ調整されていることとする。このレーザ光Ｌｈは、剥離層３に対する照射位置に対して、面内の強度分布が均一となるように、照射ビームの断面が剥離層３全面に対して対称性よく位置するよう照射する。
またこのようなレーザ光Ｌｈの照射は、選択された各素子５と第１の基板１との間の剥離層３を完全にアブレーションさせて蒸発・除去させる照射エネルギーで行なわれることが好ましい。
以上のようなレーザ光Ｌｈの照射は、レーザ光源側において所定のスポット形状（照射面形状）に整形されたレーザ光Ｌｈを、選択された素子５に対応する領域の剥離層３のみにスポット照射する。この場合、複数の素子５に対して、選択された素子５に対応する領域のみに開口を備えた遮光マスク（図示を省略）を介してレーザ光Ｌｈを照射しても良い。この遮光マスクは、レーザ光源と第１の基板１との間に配置される。このような遮光マスクを用いる場合であれば、第１の基板１の全面に対してレーザ光Ｌｈを一括で照射することもできる。これにより、一度のレーザ光Ｌｈの照射によって、複数の素子５を同時かつ選択的に移載することが可能である。
また、複数の素子５に対して、順次レーザ光Ｌｈをスポット照射しても良い。このような複数の素子５に対するレーザ光Ｌｈのスポット照射は、第１の基板１および第２の基板７に対して、レーザ光Ｌｈの照射位置を移動させれば良い。さらに、レーザ光Ｌｈの照射位置に対して第１の基板１および第２の基板７を移動させても良い。この場合、レーザ光Ｌｈの光軸に対して垂直な面内において、第１の基板１および第２の基板７を移動可能な移動手段（駆動系やステージ）を用いることとする。
尚、１つの素子５のみを移載したい場合には、選択された素子５に対応する領域の剥離層３に、１回のスポット照射を行えば良い。
以上のようなレーザ照射により、図１（３）に示すように、レーザ光Ｌｈの照射位置の剥離層３をアブレーションさせて蒸発・除去する。このような剥離層３のアブレーションにより、素子５を第１の基板１上から剥離すると共に、第２の基板７に向かって直線的に飛散させ、第２の基板７の接着層９に接着固定させて移載する。
その後は、図１（４）に示すように、選択された素子５が移載された第２の基板７に対して第１の基板１を移動（リリース）させる。これにより、レーザ光Ｌｈの照射が行なわれずに剥離層３がそのまま残っている素子５は、剥離層３と共に第１の基板１側にリリースされる。
以上の後には、例えば異なる素子が形成された新たな第１の基板と、既に素子５が移載された第２の基板７とを用いて、上述した工程を繰り返すことにより、第２の基板７上に、異なる複数種類の素子を移載することもできる。
異なる種類の素子を移載する場合であれば、第２の基板７上に既に移載されている素子５の厚みよりも、第１の基板１上の素子５と第２の基板７上の接着層９との間隔ｄが大きくなるように第１の基板１と第２の基板７とを離間させて対向配置すれば良い。これにより、第２の基板７上に既に移載されている素子５に対して影響を及ぼすこと無く、第２の基板７から異なる種類の素子を移載することができる。
またさらに、第２の基板７に対して第１の基板１を基板面内で水平方向に相対的に移動させ、移動させた位置において先の図１（１）〜図１（４）を用いて説明した工程を繰り返して行っても良い。
以上説明した第１実施形態の素子の移載方法によれば、図１（２）を用いて説明したように、第２の基板７に対して離間して配置された第１の基板１側からレーザ光Ｌｈを照射する際、素子５と同程度かそれより小さい剥離層３の全面にレーザ光Ｌｈが照射される。これにより、剥離層３のアブレーションによる素子５の飛散方向が第１の基板１および第２の基板７の基板面に対して垂直方向に制御される。
この結果、素子５の表面を加工することなく、制御性良好に素子５の飛散方向を制御して第１の基板１から第２の基板７上に位置精度良好に素子５を移載することが可能になる。
ここで、図２には、素子５とレーザ光Ｌｈの軸対称性を徐々にずらして上述した素子の移載を行なった場合の、第１の基板１と第２の基板７の顕微鏡写真を示す。図２（１）〜図２（６）にかけて徐々に軸対称性のずれが大きくなっている。各図のＡは第１の基板側であり、破線部内が移載対象となった素子の配置部である。一方各図Ｂは第２の基板側であり、囲み部内が素子の移載領域である。
これらの図に示すように、軸対称性のずれが小さい側の図２（１）〜図２（３）まででは、第１の基板側に剥離層が残されず、第２の基板上には規則正しく素子５が移載されている様子が分かる。一方、軸対称性のずれが大きい側の図２（４）〜図２（６）まででは、照射エネルギーが低くなるほど、第２の基板側にアブレーションされずに剥離層が残される（白抜き矢印部）。そして、図２（４）Ｂでは、移載された素子の一部が回転した状態で第２の基板上に移載されている様子が見られる。さらに図２（５）Ｂでは、移載された素子のほとんどが移載位置が定まらないか回転した状態で第２の基板上に移載されている様子が見られる。またさらに図２（６）Ｂでは、移載された素子の全てが移載位置が定まらないか回転した状態で第２の基板上に移載されている様子が見られる。
以上から、上述したレーザ光Ｌｈの照射の際には、素子５とレーザ光Ｌｈの軸対称性を高く保つことで、アブレーション残りが防止され、素子５の飛散方向を確実に第１の基板１および第２の基板７の基板面に対して垂直方向に制御できることが分かる。しかも基板面内で移載された素子が回転することも防止可能である。
またこの移載方法は、第１の基板１と第２の基板７とが離間して対向配置した状態で行なわれるため、次の１）〜６）に示す有利な効果を得ることができる。
１）素子を配した第１の基板１と、第２の基板７とのサイズや形状の差に関わらず、第２の基板７側に移載する素子５の数や大きさ、第２の基板７上への移載位置を任意に設定可能であり、素子の移載が可能な範囲が限定されることがない。
２）第１の基板１と第２の基板７との接触による相対的な位置ずれがない。このため、移載位置の精度劣化が防止され高い繰り返し再現性を確保できる。
３）第１の基板１と第２の基板７との接触による基板同士の接触による不要なゴミの発生やゴミの付着を防止することができる。
４）第１の基板１と第２の基板７とを密着させたり、密着させた第１の基板１と第２の基板７とを離間させる必要がないため、タクトタイムが短縮される。
５）第１の基板１に既に移載されている素子５に係わりなく、新たな第２の基板７から既に素子５が移載されている第１の基板１上に、新たな素子５を移載することができる。このため以降の第２実施形態で説明するように、部分的に素子の移載が失敗した場合のリペアが容易である。
６）第１の基板１と第２の基板７とが接触していないため、移載させる素子５と第１の基板１および第２の基板７との不要な干渉無しに素子５の移載が可能となる。これにより、素子５の移載に必要なレーザ光Ｌｈの照射エネルギーは、概ね剥離層３の除去に必要な程度に抑えられる。これにより、レーザ光Ｌｈの１パルス当りの素子５の移載数を増やしたり、あるいは素子５の移載の速度を高めるなどの効果が期待できる。この結果、総じて装置コスト、ランニングコストの大幅な低減を実現できる。またさらに、レーザ光Ｌｈのエネルギー密度を下げることができるため、発生するコンタミネーション（分解された剥離層）を大幅に低減させることができる。当該コンタミネーションは、移載する素子５が例えばＬＥＤやＬＤ等の半導体素子の場合、その電流電圧特性においてリーク不良等の問題を引き起こす場合がある。このため、本方式によりレーザ照射エネルギー密度を下げることで、このリーク不良を低減させることが可能となる。
＜第２実施形態＞
図３および図４を用いて、第２の基板の素子欠損部に対して第１の基板から素子を移載するリペア方法を第２実施形態として説明する。
図３（１）の平面図、図３（２）の断面図［図３（１）のＡ−Ａ’断面に相当する］に示すように、第２の基板７上には、例えば上述した第１実施形態の手順またはその他の手順によって、所定の配列で素子５が移載された状態となっている。この状態において、第２の基板７上には素子５の移載が失敗した素子欠損部Ｂが存在しており、この素子欠損部Ｂに対して素子５を移載してリペアを行なう。
この場合先ず、図４（1）に示すように、既に複数の素子５が移載されている第２の基板７に対して、リペア用の素子５が搭載された新たな第１の基板１を対向配置する。この場合、第１の基板１と第２の基板７とは、素子５と接着層９とを向かい合わせる状態で、互いに離間させて配置されることは第１実施形態と同様である。尚、第１の基板１上における素子５の配置ピッチの周期は、第２の基板７上における素子５の移載ピッチの周期と係わりなく不規則にずれていても良い。
ここでは特に、第１の基板１と第２の基板７とは、第２の基板7における素子欠損部Ｂに、第１の基板１上の素子５が対向配置されるように位置合わせして配置されることが重要である。
また、第１の基板１と第２の基板７とは、第１の基板１上の素子５と第２の基板７上の接着層９との間隔ｄが、第２の基板７上に既に移載されている素子５の厚みよりも大きくなるように、第１の基板１と第２の基板７とを離間させて対向配置する。ただしここでは、第１の基板１上の素子５と、第２の基板7上に既に移載されている素子５とが同一種類である。このため、第１実施形態で説明したと同様に、第１の基板１と第２の基板７とは、第１の基板上１の素子５と第２の基板７上の接着層９との間隔ｄが、素子５の厚みよりも大きくなる程度に離間させて互いに平行となるように対向配置すれば良い。
以上のような状態で、図４（２）に示すように、第１の基板１側から素子欠損部Ｂに対応する位置にのみ選択的にレーザ光Ｌｈを照射する。この際、ここで照射するレーザ光Ｌｈは、第１実施形態と同様であり、剥離層３でのみ吸収が生じるような波長であり、選択された素子５と第１の基板１との間の剥離層３の全面に照射される。また、レーザ光Ｌｈの照射は、選択された素子５と第１の基板１との間の剥離層３を完全にアブレーションさせて蒸発・除去されるエネルギーで行なわれることが好ましいことも、第１実施形態と同様である。
以上のようなレーザ照射により、図４（３）に示すように、レーザ光Ｌｈの照射位置の剥離層３をアブレーションさせ、素子５を第２の基板７の接着層９に接着固定させて移載する。
その後は、図１（４）に示すように、選択された素子５が移載された第２の基板７に対して第１の基板１を移動（リリース）させ、リペアを完了する。
尚、第２の基板７上に欠陥個所Ｂが複数存在する場合には、照射位置を変更して複数回のレーザ光Ｌｈの照射を行なえば良い。また、遮光マスクを用いて複数の欠陥個所Ｂにレーザ光Ｌｈを一括で照射しても良い。ただし、第１の基板１上における素子５の配置ピッチの周期と、第２の基板７上における素子５の移載ピッチの周期とがずれている場合には、次にリペアを行なう第２の基板７の欠陥個所Ｂに、第１の基板１上に残された素子５が対向配置されるように、第１の基板1と第２の基板７とを相対的に移動させて位置合わせを行なう必要がある。この際の基板１，７の相対的な移動は水平方向のみの移動であって良い。
以上の第２実施形態によれば、第２の基板７に対して離間して対向配置された第１の基板１側からレーザ光Ｌｈを照射する際、目的とする素子５が設けられて剥離層３の全面にレーザ光Ｌｈを照射している。これにより、素子５の飛散方向を、第１の基板１および第２の基板７の基板面に対して垂直方向に制御可能である。したがって、欠陥分部Ｂに対して位置精度良好に素子５を移載したリペアを行なうことが可能である。
しかも、第１の基板１と第２の基板７とが離間して対向配置されるため、第１の基板１に既に移載されている素子５に係わりなく、新たな第２の基板７から既に素子５が移載されている第１の基板１上に、新たな素子５を容易に移載することが可能である。
＜第３実施形態＞
図５および図６を用いて、第１の基板上の配列を変更して第２の基板上に素子を再配列する第１例を、第３実施形態として説明する。ここでは、例えば素子列の特性を平均化する場合の移載を説明する。
図５には、第１の基板１上に発光強度分布を有して複数の発光素子５が搭載されている状態を示す。このような発光強度分布は、例えば発光素子５が形成されたウェハ上において生じた分布に由来している。
この場合、先ず、図６-1（１）に示すように、第１の基板１から第２の基板上の１回目の移載範囲Ａに対して、例えば１個おきに配置された素子５を移載する。次に、図６-1（２）に示すように、移載範囲Ａに対して＋ｘ方向に移載範囲を１／２ずらすように水平方向に移動させた位置に、第１の基板から第２の基板に対して２回目の移載を入れ子状に行う。さらに図６-1（３）に示すように、移載範囲Ａに対して−ｘ方向に移載範囲を１／２ずらすように水平方向に移動させた位置に、第１の基板から第２の基板に対して３回目の移載を入れ子状に行う。次に、図６-2（１）に示すように、移載範囲Ａに対して−ｙ方向に移載範囲を１／２ずらすように水平方向に移動させた位置に、第１の基板から第２の基板に対して４回目の移載を入れ子状に行う。以降、図６-2（２）〜図６-4（２）に示すように、移載範囲を各方向にずらすように水平方向に移動させた各位置において、９回の移載を入れ子状に行う。
以上により、図６-4（２）に示すように、移載範囲Ａ内に、発光素子５の発光強度分布が平均化されるように素子５を再配列させることができる。
＜第４実施形態＞
図５および図７を用いて、第１の基板上の配列を変更して第２の基板上に素子を配列する第２例を第４実施形態として説明する。ここでは、素子列の特性を平均化する場合の移載として、先の図５に示したと同様に、発光強度分布を有して複数の発光素子５が第１の基板上１に搭載されている場合に、発光強度分布を平均化する移載方法を説明する。
この場合、先ず、図７-1（１）に示すように、第１の基板１上の領域１ａから第２の基板上の移載範囲Ａに対して、例えば１個おきに配置された素子５を移載する。次に、図６-1（２）に示すように、移載範囲Ａに対して＋ｘ方向に移載範囲を１／２ずらすように水平方向に移動させた第１の基板１上の同じ領域１ａから、第２の基板の移載範囲Ａに対してのみ２回目の移載を入れ子状に行う。さらに図７-1（３）に示すように、移載範囲Ａに対して−ｘ方向に移載範囲を１／２ずらすように水平方向に移動させた第１の基板上の同じ領域１ａから、第２の基板の移載領域Ａに対してのみ３回目の移載を入れ子状に行う。次に、図７-2（１）に示すように、移載範囲Ａに対して−ｙ方向に移載範囲を１／２ずらすように水平方向に移動させた第１の基板の同じ領域１ａから、第２の基板の移載範囲Ａに対してのみ４回目の移載を入れ子状に行う。以降、図７-2（２）〜図７-3（４）に示すように、移載範囲を各方向にずらすように水平方向に移動させた各位置において、９回の移載を入れ子状に行う。
これにより、図７-3（４）に示すように、移載範囲Ａ内に、発光素子５の発光強度分布が平均化されるように素子５を再配列することができる。
尚、以上の第３実施形態および第４実施形態においては、第１の基板1上の素子を、第２の基板７上に再配列させるように移載する例として、入れ子状に移載する方法を説明した。しかしながら、入れ子状以外にも、延伸配置や櫛方配置など、チップ配置の任意性を利用した各種平均化方式を容易に採用可能となる。
１…第１の基板、３…剥離層、５…素子、７…第２の基板、９…接着層、Ｌｈ…レーザ光

Claims (7)

  1. 素子と同一かそれよりも小さい平面形状の剥離層を介して当該素子が設けられた第１の基板と、接着層が設けられた第２の基板とを、前記素子と前記接着層とを向かい合わせた状態で離間させて対向配置し、
    前記第１の基板側から前記剥離層の全面に当該剥離層の底面積よりも大きな照射面積のレーザ光を照射することにより、前記剥離層を残さずアブレーションさせて前記素子を当該第１の基板上から剥離して前記第２の基板上に移載する
    素子の移載方法。
  2. 前記レーザ光の照射は、素子に対して軸対称に行う
    請求項１に記載の素子の移載方法。
  3. 前記剥離層は、前記素子と相似の平面形状を有している
    請求項１または２に記載の素子の移載方法。
  4. 前記第１の基板上に設けられた複数の素子のうち、選択された素子に対応する前記剥離層のみに前記レーザ光を照射する
    請求項１〜３の何れかに記載の素子の移載方法。
  5. 前記第１の基板上の素子と前記第２の基板上の接着層との間隔が当該素子の厚みよりも大きくなるように、当該第１の基板と第２の基板とを離間させて対向配置する
    請求項１〜４の何れかに記載の素子の移載方法。
  6. 前記第１の基板上から前記第２の基板上に前記素子を移載した後、前記第１の基板に対して前記第２の基板を水平方向に移動させ、
    前記水平方向に移動した位置において、前記第１の基板側に残された素子のうちから選択された素子に対応する前記剥離層に前記レーザ光を照射し、当該選択された素子を当該第１の基板上から剥離して前記第２の基板上に移載する
    請求項１〜５の何れかに記載の素子の移載方法。
  7. 前記第１の基板上の素子と前記第２の基板上の接着層との間隔が前記第２の基板上に既に移載されている素子の厚みよりも大きくなるように、当該第１の基板と第２の基板とを離間させて対向配置する
    請求項１〜６の何れかに記載の素子の移載方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102748542B1 (ko) 2019-10-29 2025-01-03 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 칩 이송 장치

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2484713A (en) 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination apparatus
CN103811593B (zh) * 2012-11-12 2018-06-19 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
JP5874683B2 (ja) * 2013-05-16 2016-03-02 ソニー株式会社 実装基板の製造方法、および電子機器の製造方法
US9614127B2 (en) * 2013-07-05 2017-04-04 Epistar Corporation Light-emitting device and method of manufacturing thereof
DE102014201635B3 (de) * 2014-01-30 2015-05-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Anordnung von elektronischen Bauelementen und elektronische Schaltanordnung
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
US10418527B2 (en) 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US10446728B2 (en) 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
CN107210351B (zh) * 2014-12-19 2021-01-08 Glo公司 在背板上制造发光二极管阵列的方法
CN107408607B (zh) * 2015-03-30 2019-10-29 索尼半导体解决方案公司 电子装置以及制造电子装置的方法
WO2016175654A2 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Transfer and soldering of chips
CN107646142A (zh) * 2015-06-26 2018-01-30 英特尔公司 通过固相粘合剂和选择性转移的超薄功能性块的异构集成
WO2017008253A1 (en) * 2015-07-14 2017-01-19 Goertek. Inc Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
CN105493298B (zh) * 2015-07-14 2018-06-12 歌尔股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
WO2017028206A1 (en) * 2015-08-18 2017-02-23 Goertek.Inc Repairing method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
EP3218939B1 (en) 2015-08-18 2019-05-22 Goertek. Inc Pre-screening method of micro-led
EP3257072B1 (en) * 2015-09-09 2019-03-06 Goertek Inc Repairing method and manufacturing method of micro-led device
EP3248226B1 (en) * 2015-11-04 2020-02-26 Goertek Inc. Micro-led transferring method and manufacturing method of micro-led device
US10446532B2 (en) 2016-01-13 2019-10-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Systems and methods for efficient transfer of semiconductor elements
WO2017124332A1 (en) * 2016-01-20 2017-07-27 Goertek.Inc Micro-led transfer method and manufacturing method
US10193038B2 (en) 2016-04-04 2019-01-29 Glo Ab Through backplane laser irradiation for die transfer
DE102016004592B4 (de) 2016-04-14 2017-11-02 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg System und Verfahren zum Ausrichten elektronischer Bauteile
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
DE102016109459B4 (de) * 2016-05-23 2019-06-13 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Optimierter Transfer Print (Überführungsdruck) zwischen Trägersubstraten als Verfahren, Trägersubstrat und mikro-technisches Bauelement
US11756982B2 (en) 2016-06-10 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Methods of parallel transfer of micro-devices using mask layer
US11776989B2 (en) 2016-06-10 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Methods of parallel transfer of micro-devices using treatment
CN116047871A (zh) 2016-06-10 2023-05-02 应用材料公司 微型装置的无掩模并行取放转印
US9887119B1 (en) * 2016-09-30 2018-02-06 International Business Machines Corporation Multi-chip package assembly
DE102016221533B4 (de) 2016-11-03 2018-09-20 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Transfer elektronischer Komponenten von einem Trägersubstrat auf ein Zwischenträgersubstrat
GB201705365D0 (en) 2017-04-03 2017-05-17 Optovate Ltd Illumination apparatus
GB201705364D0 (en) 2017-04-03 2017-05-17 Optovate Ltd Illumination apparatus
KR102445450B1 (ko) * 2017-06-12 2022-09-20 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. 개별 부품들의 기판 상으로의 병렬적 조립
US11201077B2 (en) 2017-06-12 2021-12-14 Kulicke & Soffa Netherlands B.V. Parallel assembly of discrete components onto a substrate
CN110546771B (zh) * 2017-06-15 2022-04-08 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备
KR102369934B1 (ko) * 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
GB2566030B (en) * 2017-08-30 2023-01-04 Pragmatic Printing Ltd Integrated circuit handling process and apparatus
CN109509720B (zh) * 2017-09-15 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 基板支撑装置、显示面板制造设备和基板支撑方法
KR102415243B1 (ko) * 2017-09-19 2022-06-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 모듈 및 이를 포함하는 표시 장치
GB201718307D0 (en) 2017-11-05 2017-12-20 Optovate Ltd Display apparatus
KR101956231B1 (ko) 2017-11-20 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
EP3487269A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Light induced selective transfer of components
JP6990577B2 (ja) * 2017-12-22 2022-01-12 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
JP6916104B2 (ja) * 2017-12-22 2021-08-11 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
GB201800574D0 (en) 2018-01-14 2018-02-28 Optovate Ltd Illumination apparatus
GB201803767D0 (en) 2018-03-09 2018-04-25 Optovate Ltd Illumination apparatus
WO2019207920A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 Jsr株式会社 半導体素子の実装方法および実装装置
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
GB201807747D0 (en) 2018-05-13 2018-06-27 Optovate Ltd Colour micro-LED display apparatus
CN116682923A (zh) * 2018-05-14 2023-09-01 晶元光电股份有限公司 一种发光装置及其制造方法
WO2019237228A1 (zh) * 2018-06-11 2019-12-19 厦门三安光电有限公司 发光组件
CN108962789A (zh) * 2018-06-25 2018-12-07 开发晶照明（厦门）有限公司 微器件转移方法和微器件转移设备
JP7223310B2 (ja) * 2018-07-23 2023-02-16 大日本印刷株式会社 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法
CN109273565B (zh) * 2018-10-15 2021-02-02 华映科技（集团）股份有限公司 一种微发光二极管芯片的转移方法
KR102590229B1 (ko) 2018-10-15 2023-10-17 삼성전자주식회사 Led 소자 및 led 소자의 제조 방법
CN109524512B (zh) * 2018-11-15 2020-07-03 华中科技大学 基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法
CN111243999B (zh) * 2018-11-29 2022-10-28 成都辰显光电有限公司 微元件的转移装置及转移方法
JP7319044B2 (ja) * 2018-12-14 2023-08-01 Tdk株式会社 素子アレイの製造装置と特定素子の除去装置
DE102018132824B4 (de) * 2018-12-19 2024-10-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer optoelektronischen leuchtvorrichtung
WO2020166301A1 (ja) * 2019-02-14 2020-08-20 東レエンジニアリング株式会社 半導体チップの支持基板、転写装置および転写方法
JP7228130B2 (ja) * 2019-04-10 2023-02-24 大日本印刷株式会社 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法
JP7321760B2 (ja) * 2019-05-09 2023-08-07 三星電子株式会社 ディスプレイ装置の製造方法、およびソース基板構造体
TW202102883A (zh) 2019-07-02 2021-01-16 美商瑞爾Ｄ斯帕克有限責任公司 定向顯示設備
US10910239B1 (en) * 2019-07-10 2021-02-02 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of transferring micro devices and device transfer system
WO2021041202A1 (en) 2019-08-23 2021-03-04 Reald Spark, Llc Directional illumination apparatus and privacy display
KR20210023375A (ko) 2019-08-23 2021-03-04 삼성전자주식회사 레이저 전사 장치 및 이를 이용한 전사 방법
CN114730044B (zh) 2019-09-11 2025-03-21 瑞尔D斯帕克有限责任公司 定向照明设备和隐私显示器
US11163101B2 (en) 2019-09-11 2021-11-02 Reald Spark, Llc Switchable illumination apparatus and privacy display
CN114729730B (zh) 2019-10-03 2025-03-07 瑞尔D斯帕克有限责任公司 包括无源光学纳米结构的照明设备
JP7548655B2 (ja) 2019-10-03 2024-09-10 リアルディー スパーク エルエルシー 受動光学ナノ構造を備える照明装置
WO2021119060A1 (en) 2019-12-11 2021-06-17 Glo Ab Partial laser liftoff process during die transfer and structures formed by the same
JP7486521B2 (ja) 2019-12-12 2024-05-17 東レエンジニアリング株式会社 集光レンズの高さ調整方法およびチップ転写方法ならびに集光レンズの高さ調整装置およびチップ転写装置
JP7406393B2 (ja) * 2020-02-14 2023-12-27 東レエンジニアリング株式会社 チップ転写装置
JP7520984B2 (ja) * 2020-02-18 2024-07-23 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 構成部材を移送する方法および装置
EP4107580A4 (en) 2020-02-20 2024-03-20 RealD Spark, LLC LIGHTING AND DISPLAY DEVICE
CN111540705B (zh) * 2020-03-06 2025-02-18 重庆康佳光电科技有限公司 一种激光剥离的巨量转移系统及方法
CN112582520B (zh) * 2020-12-29 2021-10-08 苏州芯聚半导体有限公司 微发光二极管转移方法及显示面板
JPWO2022153877A1 (ja) * 2021-01-13 2022-07-21
WO2022153745A1 (ja) * 2021-01-13 2022-07-21 リンテック株式会社 ワークハンドリングシートおよびデバイス製造方法
WO2022201766A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 リンテック株式会社 ワークハンドリングシートおよびデバイス製造方法
WO2022201765A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 リンテック株式会社 ワークハンドリングシートおよびデバイス製造方法
WO2022210155A1 (ja) 2021-04-01 2022-10-06 東レ株式会社 積層体、樹脂組成物、および半導体装置の製造方法
KR20230167344A (ko) 2021-04-01 2023-12-08 도레이 카부시키가이샤 적층체 및 반도체 장치의 제조 방법
CN113241394A (zh) * 2021-05-11 2021-08-10 武汉大学 一种Micro-LED显示器异常像素修复方法
JP7646444B2 (ja) 2021-05-12 2025-03-17 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法、及び接続フィルム
US11631650B2 (en) * 2021-06-15 2023-04-18 International Business Machines Corporation Solder transfer integrated circuit packaging
US12158602B2 (en) 2021-06-22 2024-12-03 Reald Spark, Llc Illumination apparatus
CN113851469A (zh) * 2021-09-03 2021-12-28 惠州视维新技术有限公司 一种led光电器件及其制备方法
CN114193937B (zh) * 2021-11-05 2022-10-14 华中科技大学 剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备
WO2023206122A1 (zh) * 2022-04-27 2023-11-02 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种芯片组件及其制备方法、显示面板制备方法
CN114864622A (zh) * 2022-05-11 2022-08-05 福建华佳彩有限公司 一种Mini&Micro-LED巨量转移方法
CN115148864A (zh) * 2022-06-30 2022-10-04 上海天马微电子有限公司 Micro LED的转移方法、显示面板及其制作方法
CN115275551B (zh) * 2022-08-02 2023-06-09 北京航空航天大学 低损耗共面波导键合结构及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06118441A (ja) * 1991-11-05 1994-04-28 Tadanobu Kato 表示セル
AU2514800A (en) * 1999-01-27 2000-08-18 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy, The Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write
JP3608615B2 (ja) * 2001-04-19 2005-01-12 ソニー株式会社 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002314053A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Sony Corp チップ部品の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
TW586231B (en) * 2001-07-24 2004-05-01 Seiko Epson Corp Transfer method, methods of manufacturing thin film devices and integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, manufacturing methods of IC card and electronic appliance
JP4151420B2 (ja) * 2003-01-23 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP2004319538A (ja) * 2003-04-10 2004-11-11 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、集積回路、電子光学装置及び電子機器
US7294367B2 (en) * 2003-06-06 2007-11-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Biological laser printing via indirect photon-biomaterial interactions
US8056222B2 (en) * 2008-02-20 2011-11-15 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Laser-based technique for the transfer and embedding of electronic components and devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102748542B1 (ko) 2019-10-29 2025-01-03 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 칩 이송 장치

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