CN113851469A - 一种led光电器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种LED光电器件及其制备方法，LED光电器件包括：衬底；黏附层，黏附层黏附于衬底上，黏附层中黏附有多个RGB芯片，多个RGB芯片的出光面垂直朝向衬底，多个RGB芯片背离衬底的一侧包括电极，电极外露于黏附层；金属电路层，金属电路层设于黏附层背离衬底的一侧，且金属电路层与电极电连接；绝缘层，绝缘层设于金属电路层背离黏附层的一侧；金属焊盘，金属焊盘贯穿绝缘层与金属电路层电连接。相比于现有技术，极大地减小了LED光电芯片的尺寸，用于LED显示面板时，能够提升LED显示面板的分辨率，同时减小LED显示面板的厚度，提升了LED显示面板的画质和美观度，提升了LED光电器件的使用价值。

Description

一种LED光电器件及其制备方法

技术领域

本申请涉及LED技术领域，具体涉及一种LED光电器件及其制备方法。

背景技术

对于LED光电器件的制作，目前是采用固晶机将单个RGB芯片逐一固晶到封装支架上，根据芯片结构的不同，可能还需要使用打线机完成电连接，然后模压封装胶，最后切割得到独立的LED光电器件。

其中，采用固晶机转移单个RGB芯片的效率较低，且固晶机是采用顶针和吸嘴逐一抓取单个RGB芯片，并将单个RGB芯片摆放到封装支架上，固晶机能操作的芯片单边尺寸一般要大于80微米，限制了RGB光电器件的尺寸进一步缩小，因此也就限制了最终制得的光电器件的尺寸，同时也限制了光电器件的成本进一步降低。

同时，为避免固晶过程中RGB芯片受到损伤，通常RGB芯片需包含有支撑衬底，支撑衬底通常是外延生长衬底，所以芯片的厚度较厚，通常大于100微米，因此，LED光电器件的结构包括：封装支架、RGB芯片、封装胶层，此种结构会造成LED光电器件较厚。

发明内容

本申请实施例提供一种LED光电器件及其制备方法，能够减小LED光电器件的尺寸，降低LED光电器件的成本。

第一方面，本申请实施例提供一种LED光电器件，包括：

衬底；

黏附层，黏附层黏附于衬底上，黏附层中黏附有多个RGB芯片，多个RGB芯片的出光面垂直朝向衬底，多个RGB芯片背离衬底的一侧包括电极，电极外露于黏附层；

金属电路层，金属电路层设于黏附层背离衬底的一侧，且金属电路层与电极电连接；

绝缘层，绝缘层设于金属电路层背离黏附层的一侧；

金属焊盘，金属焊盘贯穿绝缘层与金属电路层电连接。

第二方面，本申请实施例还提供一种制备LED光电器件的方法，包括：

提供一衬底；

在衬底上涂覆黏附物，形成黏附层；

转移预设RGB芯片至黏附层，并嵌入黏附层中，预设RGB芯片的出光面垂直朝向衬底，预设RGB芯片背离衬底的一侧包括电极，电极外露于黏附层；

制作金属电路层，金属电路层与电极电连接；

在金属电路层背离黏附层的一侧填充绝缘物质，形成绝缘层；

在绝缘层与金属电路层相对的位置开设通孔，在通孔中填充金属，形成金属焊盘。

第三方面，本申请实施例还提供另一种制备LED光电器件的方法，包括：

提供一临时衬底；

在临时衬底上制作绝缘层；

在绝缘层背离临时衬底的一侧制作金属电路层；

转移预设RGB芯片，将多个RGB芯片转移至金属电路层上，预设多个RGB芯片的电极分别与金属电路层电连接，预设多个RGB芯片的出光面背离金属电路层；

在金属电路层背离绝缘层的一侧涂覆黏附物，将预设RGB芯片包覆于黏附物形成的黏附层中；

在黏附层背离金属电路层的一侧黏附一衬底；

去除临时衬底；

在所述绝缘层与所述金属电路层相对的位置开设通孔，在所述通孔中填充金属，形成金属焊盘。

本申请实施例提供的技术方案，通过黏附物将RGB芯片黏附在衬底上，能够避免现有技术中需要使用支撑衬底，从而减小了LED光电器件的厚度，再者，通过将多个RGB芯片转移至黏附物中，能够实现固晶作用，避免了使用固晶机造成的LED光电器件的尺寸限制，本申请实施例将多个RGB芯片经转移至黏附物中，多个RGB芯片之间的距离可以缩小，利于缩小LED光电器件的尺寸。相比于现有技术，本申请实施例通过改进LED光电器件的结构、材质和制备工艺，极大地减小了LED光电器件的尺寸，用于显示面板时，能够得到更高分辨率的LED显示面板，同时能够减小LED显示面板的厚度，提升了LED显示面板的画质和美观度，提高了LED光电器件的使用价值。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的LED光电器件的结构示意图。

图2为本申请实施例提供的RGB芯片中任意一个颜色芯片的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的RGB芯片之间并联的示意图。

图4为本申请实施例提供的制备LED光电器件的方法的第一种流程示意图。

图5为本申请实施例提供的制备LED光电器件的方法的第二种流程示意图。

标注说明：101、衬底；102、胶黏层；103、RGB芯片；1031、红色芯片；1032、绿色芯片；1033、蓝色芯片；1、N型半导体层；2、发光量子阱层；3、P型半导体层；4、电流阻挡层；5、P极电流扩展层；6、隔绝层；7、P电极金属焊盘；8、N电极金属焊盘；104、金属电路层；105、绝缘层；106、金属焊盘。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请的保护范围。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请实施例提供一种LED光电器件，该LED光电器件可应用于指示灯、显示屏、光源等装置。

请参阅图1，图1为本申请实施例提供的LED光电器件的结构示意图。LED光电器件包括：衬底101、黏附层102、金属电路层104、绝缘层105和金属焊盘106，黏附层102黏附于衬底101上，在黏附层102中还设置有多个RGB芯片103，其中，多个RGB芯片103的出光面朝向衬底101，而RGB芯片103的顶部为出光面，RGB芯片103的底部为电极，电极背离衬底101的方向，并且RGB芯片103的出光面嵌入黏附层102中，电极外露于黏附层102。电极还连接有金属电路层104，其中，金属电路层104设于黏附层102背离衬底101的一侧，而电极与金属电路层104的连接方式为电连接。在金属电路层104上还覆盖有绝缘层105，其中，绝缘层105设于金属电路层104背离黏附层102的一侧，金属焊盘106贯穿绝缘层105与金属电路层104电连接。

本申请实施例制备出的LED光电器件，相对于现有技术方案而言，通过黏附物将RGB芯片黏附在衬底上，能够避免现有技术中需要使用支撑衬底，从而减小了LED光电器件的厚度，再者，通过将多个RGB芯片转移至黏附物中，能够实现固晶作用，且多个RGB芯片之间的距离可以缩小，极大地减小了LED光电器件的尺寸，使得LED光电器件应用于LED显示屏时，能极大地提升LED显示屏的分辨率并降低LED显示屏的厚度，提升LED显示屏和画质并美化了LED显示屏的外观。再者，本申请实施例通过改进LED光电器件的结构、材质和生产工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。

示例性地，上述衬底101为透明衬底，透明衬底的材质可为蓝宝石、玻璃石英等无机透明材质，或也可以是聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等透明聚合物，可以理解地，只要能够制作出透明衬底的材料均可用于制备本申请实施例的透明衬底。

在一些实施例中，还可通过旋涂、喷涂、模压或贴膜等工艺在衬底101上制作黏附层102，而黏附层102的材质可以包括硅胶、环氧树脂等聚合物，此处需要说明的是，本实施例并未对黏附层102的制作工艺或材质进行限定，可根据不同的工艺选择不同的材质制备黏附层102，只要能够实现将RGB芯片103黏附在衬底101上即可。可设置黏附层102的厚度在5-20微米之间。

本实施例中通过设置黏附层102能够将RGB芯片103黏附在衬底101上，且当黏附层102为硅胶、环氧树脂等聚合物材质时，则黏附层102也优选是透明的，并不会降低RGB芯片103的亮度；再者，通过黏附层102能够固定RGB芯片103，便于对RGB芯片103的电极连接电路；其次，通过黏附层102黏附RGB芯片103，并不需要设定RGB芯片103之间的距离，也即RGB芯片103之间可以无限靠近，能够有效减小LED发光器件的尺寸；另外，RGB芯片103优选是去除了外延生长衬底的，并嵌入黏附层102中的，极大地减小了LED光电器件的厚度。

在一些实施例中，将RGB芯片103设置在黏附层102中之后，RGB芯片103的出光面朝向衬底101，而远离衬底101的一侧则包括电极，其中，每个颜色的芯片有两个电极，分别为P电极和N电极，如2图所示，图2为本申请实施例中RGB芯片103中任意一个颜色芯片的结构示意图。

其中，RGB芯片103包括N型半导体层1、发光量子阱层2、P型半导体层3、电流阻挡层4、P极电流扩展层5、隔绝层6、P电极金属焊盘7和N电极金属焊盘8。N型半导体层1的第一端面上设置有发光量子阱层2；在发光量子阱层2背离第一端面的一侧设置有P型半导体层3；在P型半导体层3背离发光量子阱层2的一侧设置有电流阻挡层4；在P型半导体层3背离发光量子阱层2的一侧还设置有P极电流扩展层5，其中，P极电流扩展层5覆盖于电流阻挡层4，且P极电流扩展层5和P型半导体层3形成欧姆接触，并将电流进行横向扩展；隔绝层6设于N型半导体层1的第二端面和第一端面，其中，在第二端面的隔绝层6包覆于N型半导体层1、发光量子阱层2、P型半导体层3和P极电流扩展层5的外侧，且第二端面的隔绝层6包括两个断点，其中，隔绝层6可以是氧化硅、氮化硅、氧化铝和绝缘DBR反射层中的一种或多种组合；在隔绝层6的两个断点之间分别设置有P电极金属焊盘7和N电极金属焊盘8。

当然地，也可省去电流阻挡层4，或者省去电流阻挡层4和P极电流扩展层5，只要能够实现RGB芯片103的正常功能即可。

在RGB芯片103中，蓝绿芯片优选是基于InGaN外延的蓝绿芯片，红光芯片可以是基于InGaN外延的红光芯片，也可以是基于AlGaInP的四元系红光芯片或其他化合物体系的红光芯片，具体的选择方式可根据实际需求而定，此处并不进行限定。

在一些实施例中，每个RGB芯片103至少包括三个颜色的芯片，分别为至少一个红色芯片1031、至少一个蓝色芯片1033和至少一个绿色芯片1032，且每个颜色的芯片之间为并联结构。可参照图3，图3为本申请实施例中RGB芯片之间并联的示意图。其中，RGB芯片103的不同颜色的芯片之间可以共N极也可以是共P极，进而可实现对三个颜色芯片的单独控制。

在一些实施例中，可采用蒸镀等工艺制作金属电路层104，其中，金属电路层104提供导电作用，当电极与金属电路层104连接之后，金属电路层104可以实现对RGB芯片103的电导通。

在制作金属电路层104时，可选用铜(化学表示为Cu)、铝(化学表示为Al)、金(化学表示为Au)、钛(化学表示为Ti)、镍(化学表示为Ni)、铬(化学表示为Cr)或铂(化学表示为Pt)等一种或多种的组合制作金属电路层104，此处并不限定金属材质的使用范围和种类，只要能够实现导电作用即可。

其中，可设置金属电路层104的厚度为0.2-10微米，通过蒸镀等工艺能够制作精细的金属电路层。

在一些实施例中，还可使用化学气相沉积、旋涂、模压、喷涂或贴膜等工艺制作绝缘层105，并将绝缘层105贴合在金属电路层104表面其中，可采用氧化硅、氮化硅、硅胶、环氧树脂、光刻胶等材质制作绝缘层105，可以理解地，只要能够起到绝缘层105的材质均可用于本申请实施例中。

其中，可设置绝缘层105的厚度为5-100微米。

在一些实施例中，在绝缘层105上开设通孔，其中，通孔的位置和金属电路层104相对，露出金属电路层104，此处并不限定通孔的开设位置和开设大小，可根据需要制备RGB光电器件的设计决定通孔的位置和开口设计。在通孔中填充金属，进而形成可以导电的金属焊盘106，而金属焊盘106的作用为LED光电器件的引脚，能够实现将LED光电器件安装在其它装置上，其中，焊盘能够与引线或引脚连接，实现对LED光电器件通电。

金属焊盘106，其中，可采用蒸镀、电镀、化镀等工艺将金属填充至通孔，形成光电器件的金属焊盘106，只要能够实现对通孔的填充的方式即可用于本申请实施例中，均能够实现对LED光电器件中所有RGB芯片103的导电。

在一些实施例中，还可对衬底101进行再加工，即将衬底101减薄，其中，减薄后的衬底101厚度可为50-200微米，以减小最终得到的光电器件的厚度。

本申请实施例中的LED光电器件的尺寸相比于现有技术中LED光电器件的尺寸具有极大地缩减，使得本申请实施例中的LED光电器件具有更广泛的应用，例如应用于LED显示屏时，能获得更高的分辨率的LED显示屏，提高LED显示屏的画质。

基于上述本申请实施例提供的LED光电器件，本申请实施例中还提供了制备LED光电器件的方法，如图4所示，图4为本申请实施例提供的制备LED光电器件的方法的第一种流程示意图，包括：

201、提供一衬底。

其中，衬底为透明衬底，透明衬底的材质可为蓝宝石、玻璃石英等无机透明材质，或也可以是聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等透明聚合物，具体可参见上述实施例的描述，此处并不进行限定。

202、在衬底上涂覆黏附物，形成黏附层。

示例性地，可在衬底的上层涂覆黏附物，之后对黏附物进行烘烤并达到半固化的效果，以将RGB芯片黏附在衬底上。可以理解地，若黏附物已处于半固化状态，则不再需要对黏附物进行烘烤。其中，黏附层的制作工艺和使用的材质可参照上述实施例中黏附层所使用的工艺或材质，此处不再赘述。

203、转移预设RGB芯片至黏附层，并嵌入黏附层中，预设RGB芯片的出光面垂直朝向衬底，预设RGB芯片背离衬底的一侧包括电极，电极外露于黏附层。

其中，RGB芯片的结构可参照上述实施例中提及的结构，此处不再赘述，而将RGB芯片嵌入黏附层时，即将RGB芯片嵌入黏附物中，待黏附物进行固化之后，即可将RGB芯片紧固在黏附层中，且保证RGB芯片的出光面正对衬底。

当RGB芯片黏附于在黏附层中之后，RGB芯片的状态即为出光面朝向衬底，电极背离衬底。

本发明实施例中通过涂覆黏附物，形成黏附层，进而将RGB芯片转移至黏附层中，一方面能够实现将衬底和RGB芯片紧密连接，另一方面也方便对RGB芯片进行转移，只要RGB芯片和黏附层接触即可固定RGB芯片的方位，实现对RGB芯片的紧固作用，进而提高摆放和固定RGB芯片的效率。

在一些实施例中，203包括：

将多个RGB芯片以预设组合方式转移至黏附层，每个RGB芯包括三个颜色的芯片，三个颜色芯片之间并联。

其中，可同时将多个RGB芯片一起转移至黏附层，RGB芯片可以是预先排列好的，比如，在转移多个RGB芯片时，RGB芯片在一模具中已经固定且排列好的，在转移时，只需将模具倒扣在黏附层上，即可实现将多个RGB芯片转移至黏附层，且多个RGB芯片若提前有排列顺序，当转移至黏附层之后也并不需要对RGB芯片进行重现排列，极大地提高了RGB芯片的转移效率，且并不会对RGB芯片造成损伤。

示例性地，可采用巨量转移的方式转移多个RGB芯片，在Micro LED领域，当芯片在源基底上生长后，需要通过某种高精度设备将大量Micro LED芯片从源基板分离并转移到目标基板或者驱动电路板上，以满足应用需求，这一步骤被称为巨量转移技术。在本实施例中，是将大量RGB芯片从源基板分离并转移至黏附层上。

其中，巨量转移可采用stamp(印章)的转移方式，即需要使用一个印章(stamp)将已制备的电子材料或器件从基底转移到印章上，然后再转移到另外一个基底上。在本实施例中，是将大量RGB芯片从基底转移到印章上，然后再转移到黏附层上。

当然地，也可采用激光转移技术同时转移多个RGB芯片，激光转移技术即利用激光将在生长衬底上的多个RGB芯片剥离转移到黏附层上，或者利用激光将预先排列在临时衬底上的多个RGB芯片剥离转移到黏附层上。可以理解地，本申请实施例中并未限定转移RGB芯片的具体方式，只要能够实现转移多个RGB芯片即可。

LED芯片的转移，可以是每次转移一种颜色的芯片，也可以先将RGB芯片排列在临时衬底上，一次转移三种颜色的芯片。

相比于现有技术中需要通过固晶机逐个抓取RGB芯片而言，一方面现有技术中是依靠固晶机的顶针和吸嘴抓取和摆放RGB芯片于封装支架上，既要求芯片大于一定的尺寸，芯片的单边尺寸一般要大于80微米，又要求芯片有一定的厚度，避免受到顶针和吸嘴的损伤而出现芯片失效，芯片一般要包含外延生长衬底，或将外延层转移至其他衬底上，增加芯片承受压力的能力。另外，由于固晶机摆放芯片精度的限制，摆放芯片的间距一般要大于20微米，以上这些因素限制了现有技术方案不能制备出极小尺寸的光电器件；再者，固晶机是逐个转移RGB芯片，进而造成了转移效率低。

而本申请实施例的方案是采用巨量转移技术同时将多个RGB芯片转移至黏附层，并不需要采用传统的固晶机转移RGB芯片，本申请实施例的方案相比于现有技术而言，一方面可以同时转移多个RGB芯片，转移的效率极高，可操作的芯片单边尺寸可小至数微米，甚至纳米级，且转移摆放芯片精度高，转移后RGB芯片之间的间距较小，因此可以极大的缩减光电器件的横向尺寸；另一方面，转移过程中对芯片施加的作用力小且均匀施加于芯片表面，因此芯片可以去除外延生长衬底，或并不需要将外延层转移到其他支撑衬底上，转移过程并不会对芯片造成损伤，可以极大地减小芯片的厚度，有利于降低光电器件的纵向厚度。当制备出的超小尺寸的RGB光电器件应用于LED显示屏时，能获得更高的分辨率的LED显示屏，提高LED显示屏的画质。

基于此，本申请实施例的方法制备的LED光电器件相比于现有技术不仅在尺寸上具有极大优势，且生产效率和成本方面也具有极大优势，应用于LED显示屏时，即可以提升LED显示屏的分辨率，又可以降低LED显示屏的厚度和成本。

204、制作金属电路层，金属电路层与电极电连接。

本实施例中是在黏附层上制作金属电路层，而金属电路层的制作方式和使用的材质可参照上述实施例提及的内容，此处不再详述。在制作金属电路层时，可以RGB芯片的电极作为参照，进而制作金属电路层，使得金属电路层与RGB芯片的电极分别进行连接。

而RGB芯片的每个颜色芯片电极之间的连接方式也可参照上述实施例提及的方式，通过并联电路能够对RGB芯片的每个颜色的芯片分别进行控制。

通过本实施例中先制作黏附层确定RGB芯片电极的位置之后，再在其上制作金属电路层，能够为金属电路层提供位置参照，提高加工效率。

205、在金属电路层背离黏附层的一侧填充绝缘物质，形成绝缘层。

通过将绝缘物质涂敷在金属电路层上层，其中，绝缘物质能够将金属电路层包覆在绝缘层和黏附层之间，对金属电路层起到保护作用，当然地，绝缘物质也会附着在电极周围，进而稳固电极与金属电路层之间的连接。

示例性地，绝缘物质在覆盖金属电路层时，可通过绝缘物质的涂敷量进而控制绝缘层的厚度，而绝缘物质可参见上述实施例提出的材质，其加工工艺也可参见上述实施例，此处不再赘述。

206、在绝缘层与金属电路层相对的位置开设通孔，在通孔中填充金属，形成金属焊盘。

其中，开设通孔的方式以及填充金属焊盘的材质可参见上述实施例提及的方式，此处不再赘述。本实施例中通过制作通孔并填充金属形成金属焊盘，通过金属焊盘可将LED光电器件安装在任何电子设备上，因此，凡是应用本发明实施例方法制备的LED光电器件或者具有本发明实施例的LED光电器件的结构的LED光电器件，均属于本申请所要求的保护范围。

在一些实施例中，步骤206之后还包括：

207、减薄衬底的厚度。

其中，可使用研磨工艺将衬底的厚度减薄，减薄后衬底的厚度范围为50-200微米。

在一些实施例中，在步骤206之后还可以包括：

分离LED光电器件，得到多个LED光电器件。

其中，可采用激光划片、裂片的工艺或机械切割的工艺对LED光电器件进行分离，分离后的光电器件至少包含一组RGB芯片。每一个LED光电器件可自由组合以及自由排列，进而实现不同的应用效果。

在步骤206之后还可对LED光电器件进行测试和分选，之后对LED光电器件进行包装。

通过本实施例的方法，能够快速将多个RGB芯片转移至黏附层中，且基于电极位置能够制作精细的金属电路层，提高了加工效率。再者，制作出的LED光电器件还能够再进行减薄处理，极大地减薄了LED光电器件的厚度。

本申请实施例中还提供了另一种制备LED光电器件的方法，如图5所示，图5为本申请实施例提供的制备LED光电器件的方法的第二种流程示意图，包括：

301、提供一临时衬底。

302、在临时衬底上制作绝缘层。

将绝缘物质涂覆在临时衬底层上，而绝缘物质的材质可参见上述实施例。

303、在绝缘层背离临时衬底的一侧制作金属电路层。

其中，制作金属电路层的工艺和金属的材质可参照上述实施例。

304、转移预设RGB芯片至金属电路层上，预设RGB芯片的电极与金属电路层电连接，预设RGB芯片的出光面背离金属电路层。

制作金属电路层之后已经确定RGB芯片的安装位置，只需将RGB芯片转移至指定的安装位置上即可，其中，多个RGB芯片可参照安装位置预先进行排列，之后将多个RBG芯片转移至金属电路层上，可以逐次转移每个颜色的芯片，也可以一次转移多个颜色的芯片，多个RGB芯片的出光面背离金属电路层，然后可通过加热等工艺将芯片固定在金属电路层上，在RGB芯片和金属电路层之间形成稳固的物理连接和电连接。

而多个RGB芯片的转移方式或连接方式可参照上述实施例提及的内容，即将多个RGB芯片以预设组合方式转移至金属电路层上，每个RGB芯片至少包括并联的三种颜色的芯片。

305、在金属电路层背离绝缘层的一侧涂覆黏附物，将多个RGB芯片包覆于黏附物形成的黏附层中。

当固定了RGB芯片之后，只要保证黏附物涂覆并覆盖RGB芯片即可，黏附层的制作工艺和使用的材质可参照上述实施例提及的内容。

306、在黏附层背离金属电路层的一侧黏附一衬底。

其中，衬底可直接贴合在黏附层上，衬底的工艺、颜色及材质可参照上述实施例提及的内容。

307、去除临时衬底。

308、在绝缘层与金属电路层相对的位置上开设通孔，并在通孔中填充金属，形成金属焊盘。

在一些实施例中，在步骤308之后还可以包括：

309、减薄衬底的厚度。

在一些实施例中，在步骤309之后还可以包括：

310、分离LED光电器件，得到多个分离LED光电器件。

在步骤310之后还可对分离的LED光电器件进行测试和分选，之后对LED光电器件进行包装。

通过本申请实施例的方法，先制备金属电路层，后将多个RGB转移至金属电路层上，并形成稳固的物理和电连接，进而提高LED光电器件的可靠度。

以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种LED光电器件、装置、介质及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种LED光电器件，其特征在于，包括：

衬底；

黏附层，所述黏附层黏附于所述衬底上，所述黏附层中黏附有多个RGB芯片，所述多个RGB芯片的出光面垂直朝向所述衬底，所述多个RGB芯片背离所述衬底的一侧包括电极，所述电极外露于所述黏附层；

金属电路层，所述金属电路层设于所述黏附层背离所述衬底的一侧，且所述金属电路层与所述电极电连接；

绝缘层，所述绝缘层设于所述金属电路层背离所述黏附层的一侧；

金属焊盘，所述金属焊盘贯穿所述绝缘层与所述金属电路层电连接。

2.如权利要求1所述的LED光电器件，其特征在于，所述衬底为透明衬底，所述透明衬底的材质包括：蓝宝石、玻璃、石英、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

3.如权利要求1所述的LED光电器件，其特征在于，所述黏附层通过旋涂、喷涂、模压或贴膜工艺制成，所述黏附层的材质包括：硅胶或环氧树脂。

4.如权利要求1所述的LED光电器件，其特征在于，所述金属电路层通过蒸镀的工艺制成。

5.如权利要求1所述的LED光电器件，其特征在于，每个RGB芯片至少包括并联的三种颜色的芯片。

6.如权利要求1所述的LED光电器件，其特征在于，所述绝缘层通过化学气相沉积、旋涂、模压、喷涂或贴膜工艺制成，所述绝缘层的材质包括：氧化硅、氮化硅、硅胶、环氧树脂或光刻胶。

7.制备如权利要求1-6任一项所述LED光电器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上涂覆黏附物，形成黏附层；

转移预设RGB芯片至所述黏附层，并嵌入所述黏附层中，所述预设RGB芯片的出光面垂直朝向所述衬底，所述预设RGB芯片背离所述衬底的一侧包括电极，所述电极外露于所述黏附层；

制作金属电路层，所述金属电路层与所述电极电连接；

在所述金属电路层背离所述黏附层的一侧填充绝缘物质，形成绝缘层；

在所述绝缘层与所述金属电路层相对的位置开设通孔，在所述通孔中填充金属，形成金属焊盘。

8.如权利要求7所述LED光电器件的方法，其特征在于，所述转移预设RGB芯片至所述黏附层，包括：

将多个RGB芯片以预设组合方式转移至所述黏附层，每个RGB芯片至少包括并联的三种颜色的芯片。

9.制备如权利要求1-6任一项所述LED光电器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一临时衬底；

在所述临时衬底上制作绝缘层；

在所述绝缘层背离所述临时衬底的一侧制作金属电路层；

转移预设RGB芯片至所述金属电路层上，所述预设RGB芯片的电极与所述金属电路层电连接，所述预设RGB芯片的出光面背离所述金属电路层；

在所述金属电路层背离所述绝缘层的一侧涂覆黏附物，将所述预设RGB芯片包覆于所述黏附物形成的黏附层中；在所述黏附层背离所述金属电路层的一侧黏附一衬底；

去除所述临时衬底；

在所述绝缘层与所述金属电路层相对的位置开设通孔，在所述通孔中填充金属，形成金属焊盘。

10.如权利要求9所述LED光电器件的方法，其特征在于，所述转移预设RGB芯片至所述金属电路层上，包括：

将多个RGB芯片以预设组合方式转移至所述金属电路层上，每个RGB芯片至少包括并联的三种颜色的芯片。

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