JP5396156B2 - 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 - Google Patents
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Description
アルミニウム電解コンデンサの静電容量(C)は、平行板コンデンサと同様に次式(1)で求められる。なお、式(1)において、εは誘電体の比誘電率、Sは誘電体の表面積(cm2)、dは誘電体の厚さ(cm)である。式(1)より、誘電体の表面積を大きくすることにより、静電容量を大きくできる。
C=8.855×10−8×ε・S/d(μF)…(1)
通常、アルミニウム合金箔の比表面積を拡大するため、強酸溶液中で電気化学的に粗面化(エッチング)が施され、高容量化を図っている。一般に、高圧用陽極箔には直流電解エッチングが、また低圧用陽極箔及び陰極箔には交流電解エッチングが行なわれている。特に、後者は1μm以下の方位状ピットがぶどうの房状に連なったエッチング形態となっており、高容量化のためには、より微細なピット径とする必要がある。
また、特許文献2には、Si:0.02〜0.08質量%、Fe:0.02〜0.08質量%、Ti:0.5〜5質量ppm、V:0.5〜5質量ppm、B:25〜100質量ppm、Cu:0.003質量%以下、その他不可避不純物からなる電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔が開示されている。この電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔は、アルミニウム合金箔中のSiやFeの含有量を調整すると共に、更にBの含有量を増加させることによって、高静電容量で且つ耐折強度に優れた陰極箔が得られるとの知見に基づいている。耐折強度は、コンデンサ加工時にアルミニウム合金箔に切断等のトラブルが生ずるのを回避するために必要である。
本発明は、さらに高い静電容量が得られ、かつ耐折強度に優れる電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔を提供することを目的とする。
すなわち本発明の電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔は、質量%で、
Si:0.01〜0.15%、
Fe:0.01〜0.15%、
Cu:0.005%以下、
Ti:0.001%以下、
B:0.0005〜0.0050%、
Ti/B≦0.5、
Ga:0.004〜0.05%、
Na、In、Zn、Ni及びMgの1種又は2種以上:合計で0.006〜0.1%、
残部がAl及び不可避的不純物からなることを特徴とする。
始めに、本発明による電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔(以下、単にアルミニウム合金箔という)の組成限定理由を説明する。なお、以下の説明中の%は、特に断らない限り質量%を意味する。
<Si:0.01〜0.15%>
Siは、Al−Fe−Si化合物として、またSi単体としてエッチングの起点となる晶・析出物を形成させるとともに、アルミニウム合金箔に耐折強度を付与することのできる元素である。
Siが0.01%未満では、Siの絶対的な含有量が少ないために、エッチングの起点となる晶・析出物の形成が不足するとともに、耐折強度向上の効果を享受できない。また、溶解原料に含まれるSiを0.01%未満に低減する処理のためにアルミニウム合金箔のコストアップを招く。
Siが0.15%を超えると、晶・析出物の量が多くなりすぎて交流電解エッチングの際に過溶解が生じてエッチング形態が不均一になり、静電容量が低下するとともに、耐折強度も低下する。
以上の理由により、本発明におけるSiの含有量は、0.01〜0.15%とする。好ましいSiの含有量は0.01〜0.10%、より好ましいSiの含有量は0.01〜0.05%である。
Feも、Siと同様に、Al−Fe金属間化合物、Al−Fe−Si金属間化合物としてエッチングの起点となる晶・析出物を形成させるとともに、アルミニウム合金箔に耐折強度を付与することのできる元素である。
Feが0.01%未満では、Feの絶対的な含有量が少ないために、エッチングの起点となる晶・析出物の形成が不足するとともに、耐折強度向上の効果を享受できない。また、溶解原料に含まれるFeを0.01%未満に低減する処理のためにアルミニウム合金箔のコストアップを招く。
Feが0.15%を超えると、析出物の量が多くなりすぎて交流電解エッチングの際に過溶解が生じてエッチング形態が不均一になり、静電容量が低下する。
以上の理由により、本発明におけるFeの含有量は、0.01〜0.15%とする。好ましいFeの含有量は0.01〜0.10%、より好ましいFeの含有量は0.01〜0.08%である。
Cuは、アルミニウム合金箔を製品として電解コンデンサに組み込んだ後に充放電が繰り返されると、電解液中に溶出し陽極と陰極との間を短絡させるおそれがあるため、極力低減させる必要がある。そのために、本発明のアルミニウム合金箔におけるCuの含有量は0.005%以下に規制する。好ましいCu含有量は0.003%以下、より好ましいCuの含有量は0.0015%以下である
Tiは、交流電解エッチング時に、深さ方向へのピットの成長を不均一にし、耐折強度低下を引起すので、0.001%以下に規制する必要がある。好ましいTiの含有量は0.0008%以下、より好ましいTiの含有量は0.0005%以下である。
Bは、アルミニウム合金のマトリックスのエッチング性を高める作用を有している。
Bが0.0005%未満ではこの作用が十分に発揮されない。
一方、Bが0.0050%を超えて多く含まれると、上記作用が顕著になり、深さ方向へのピットの成長が阻害される。
以上の理由により、本発明におけるBの含有量は、0.0005〜0.0050%とする。好ましいBの含有量は0.0005〜0.0030%、より好ましいBの含有量は0.0010〜0.0030%である。
上述したように、Bはエッチング性を高める元素であるが、Tiが過剰に存在すると、TiB2を形成し、Bが消費されてしまう。そこで、Bによるエッチング性向上の効果を得るために、Ti(質量%)/B(質量%)を0.5以下に規制する。Ti(質量%)/B(質量%)の好ましい範囲は、0.3以下、より好ましい範囲は0.15以下である。
Gaは、熱処理により表面へ濃化し、表面の溶解性を均一にする作用を有している。Gaが0.004%未満ではこの作用が十分に発揮されない。一方、Gaが0.05%を超えて多く含まれると、上記作用が顕著になり、エッチング箔の表層が欠落し、静電容量の低下を引き起こす。以上の理由により、本発明におけるGaの含有量は0.004〜0.05%とし、好ましくは0.004〜0.03%、より好ましくは0.004〜0.01%である。
Na、In、Zn、Ni及びMgは、熱処理により表面へ濃化し、表面の溶解性を均一に向上させる作用を有している。
Na、In、Zn、Ni及びMgの1種又は2種以上の合計が0.006%未満では、上記作用が十分に得られないために、交流電解エッチングにより微細なピットを得ることができない。
Na、In、Zn、Ni及びMgの1種又は2種以上の合計が0.1%を超えると、表面の溶解性が高くなりすぎ、表面溶解が過多となり、微細なピットを形成することができなくなる。
以上の理由により、本発明におけるNa、In、Zn、Ni及びMgの1種又は2種以上の合計の含有量は、0.006〜0.1%とする。好ましいこれら元素の合計の含有量は0.007〜0.08%、より好ましいこれら元素の合計の含有量は0.008〜0.03%である。
本発明のアルミニウム合金箔は、上述した化学組成に調製されたアルミニウム鋳塊(スラブ)を作製し、このスラブに均質化処理を施し、その後、熱間圧延、冷間圧延を順次行なうことにより得ることができる。以下、本発明のアルミニウム合金箔に好適な製造方法について説明する。
スラブは、半連続鋳造法等の常法により得ることができる。半連続鋳造法により得られるスラブは通常300〜700mm程度の厚さを有している。
このスラブに均質化処理を施す。均質化処理により、ピット形成の基点となるAl−Fe金属間化合物、Al−Fe−Si金属間化合物を均一に分散させる。
均質化処理の保持温度が530℃未満では、上記金属間化合物の分布が不均一で、交流電解エッチング時に局部溶解を起こす。また、均質化処理の保持温度が630℃を超えると、スラブが溶融する危険性があるのに加え、生産コストが高くなる。したがって、均質化処理の保持温度は530〜630℃とする。好ましい均質化処理の保持温度は、560〜600℃である。
均質化処理の保持時間が2時間未満では、その作用が十分発揮されない。また、均質化処理の保持時間が24時間を超えても、消費エネルギに見合うだけの均質化の効果を得ることができない。したがって、均質化処理の保持時間は、2〜24時間とすることが好ましい。より好ましい均質化処理の保持時間は、2〜10時間である。
均質化処理は、公知の加熱炉を用いて行うことができ、加熱方法、加熱手段が特に限定されるものではない。
以上の冷間圧延によって、例えば数十μmから100μm程度のアルミニウム合金箔を得ることができるが、本発明としては最終品としてのアルミニウム合金箔の厚さが特に限定されるものではない。
なお、冷間圧延終了後に熱処理(最終焼鈍)を行うこともできる。
このスラブに575℃で4時間保持する均質化処理を施した後、熱間圧延、冷間圧延を常法にしたがって行い、厚さが0.005mmのアルミニウム合金箔を得た。このアルミニウム合金箔を脱脂処理後、アルゴンガス雰囲気中で、330℃で4時間保持する熱処理を行なって供試材を得た。
得られた供試材に対して、下記の条件で交流電解エッチングを行った。
交流電解エッチング条件
液組成:HCl 80ml/l,AlCl3・6H2O 60g/l,HNO3 7ml/l
電解条件:電流密度 0.1A/cm2,周波数 30Hz,電解時間 100s
化成処理条件(EIAJ(Electronics Industries Association of Japan)法に準拠)
液溶液:アジピン酸アンモニウム溶液(150g/l,85℃)
印加電圧:3V
容量測定条件(EIAJ法に準拠)
液溶液:アジピン酸アンモニウム溶液(150g/l,30℃)
120Hzの直列等価回路でLCRメータにて測定
Claims (2)
- 質量%で、
Si:0.01〜0.15%、
Fe:0.01〜0.15%、
Cu:0.005%以下、
Ti:0.001%以下、
B:0.0005〜0.0050%、
Ti/B≦0.5、
Ga:0.004〜0.05%、
Na、In、Zn、Ni及びMgの1種又は2種以上:合計で0.006〜0.1%、
残部がAl及び不可避的不純物からなることを特徴とする電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔。 - 質量%で、
Si:0.01〜0.15%、
Fe:0.01〜0.15%、
Cu:0.005%以下、
Ti:0.001%以下、
B:0.0005〜0.0050%、
Ti/B≦0.5、
Ga:0.004〜0.05%、
Na、In、Zn、Ni及びMgの1種又は2種以上:合計で0.006〜0.1%、
残部がAl及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金鋳塊を530〜630℃で2〜24時間保持する均質化処理を行ない、
その後、熱間圧延、冷間圧延を行ない、所定厚さの箔を得ることを特徴とする電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法。
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