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JP5140028B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

配線回路基板およびその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
図１１は、従来のサスペンション基板（例えば特許文献１参照）の縦断面図である。
このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ１２および読取用配線パターンＲ１２が距離Ｌ１離間するように形成されている。
第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ１２および読取用配線パターンＲ１２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用配線パターンＲ１２の上方位置で書込用配線パターンＷ１１が形成され、書込用配線パターンＷ１２の上方位置で読取用配線パターンＲ１１が形成されている。
上下に位置する読取用配線パターンＲ１１と書込用配線パターンＷ１２との間の距離、および上下に位置する読取用配線パターンＲ１２と書込用配線パターンＷ１１との間の距離は、ともにＬ２である。
上記構成を有するサスペンション基板９１０においては、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２と読取用配線パターンＲ１１との間の距離が、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２と読取用配線パターンＲ１２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２に書込み電流が流れる場合には、読取用配線パターンＲ１１，Ｒ１２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。そのため、書込用配線パターンＷ１１，Ｗ１２と読取用配線パターンＲ１１，Ｒ１２との間のクロストークを低減することができる。
特開２００４−１３３９８８号公報
ところで、近年、電子機器の低消費電力化のために、配線パターンの特性インピーダンスを小さくすることが望まれる。
本発明の目的は、配線パターンの特性インピーダンスを小さくすることが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、金属支持基板と金属支持基板上に形成される本体領域と、金属支持基板の外側にはみ出るように形成される補助領域とを有するベース絶縁層と、ベース絶縁層の本体領域上および補助領域上に連続的に延びるように設けられる第１の配線パターンと、ベース絶縁層の本体領域上に延びるように設けられる第２の配線パターンと、ベース絶縁層の本体領域上の第１の配線パターンの部分および第２の配線パターンを覆うようにベース絶縁層の本体領域上に設けられる第１のカバー絶縁層と、ベース絶縁層の補助領域上の第１の配線パターンの部分を覆うようにベース絶縁層の補助領域上に設けられる第２のカバー絶縁層とを備え、本体領域と補助領域とが重なるようにベース絶縁層が折曲されることにより補助領域上の第１の配線パターンの部分が第１および第２のカバー絶縁層を挟んで第２の配線パターンの部分に対向するものである。
その配線回路基板においては、ベース絶縁層の本体領域が金属支持基板上に形成され、ベース絶縁層の補助領域が金属支持基板から外側にはみ出るように形成される。ベース絶縁層の本体領域上および補助領域上に連続的に延びるように第１の配線パターンが設けられる。ベース絶縁層の本体領域上に延びるように第２の配線パターンが設けられる。ベース絶縁層の本体領域上の第１の配線パターンの部分および第２の配線パターンを覆うようにベース絶縁層の本体領域上に第１のカバー絶縁層が形成される。ベース絶縁層の補助領域上の第１の配線パターンの部分を覆うようにベース絶縁層の補助領域上に第２のカバー絶縁層が設けられる。
また、本体領域と補助領域とが重なるようにベース絶縁層が折曲されることにより、ベース絶縁層の補助領域上の第１の配線パターンの部分が第１および第２のカバー絶縁層を挟んで第２の配線パターンの部分に対向する。
この場合、第１および第２の配線パターンが共通の平面上に配置される場合に比べて、第１および第２の配線パターンの対向面積を大きくすることができる。それにより、第１および第２の配線パターンによるキャパシタンスを大きくすることができる。その結果、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスを小さくすることができる。
また、第１および第２の配線パターンが共通のベース絶縁層上に設けられるので、製造時に、第１および第２の配線パターンを共通の工程で形成することができる。それにより、製造工程を複雑化することなく、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスを小さくすることができる。
また、第１および第２の配線パターンの間に第１および第２のカバー絶縁層が配置されるので、第１および第２の配線パターンの離間距離が小さくなりすぎることが防止される。それにより、近接効果の影響で第１および第２の配線パターンによる信号の伝送損失が大きくなることが防止される。
（２）対向する第１の配線パターンの部分と第２の配線パターンの部分とが直線形状を有してもよい。
この場合、補助領域上の第１の配線パターンの部分と第２の配線パターンの部分とを容易に対向させることができる。それにより、製造工程の簡略化が可能となる。
（３）対向する第１の配線パターンの部分と第２の配線パターンの部分とが曲線形状を有してもよい。
この場合、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの対向面積を大きくすることができる。それにより、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスをより小さくすることができる。
（４）本体領域と補助領域との境界線でベース絶縁層が折曲されるとともに境界線と第１の配線パターンの部分との間でベース絶縁層が折曲されることにより第１の配線パターンの部分が第２の配線パターンの部分に対向してもよい。
この場合、第１および第２の配線パターンの間に、第１および第２のカバー絶縁層とともにベース絶縁層が配置される。それにより、第１および第２の配線パターンの離間距離が小さくなりすぎることが確実に防止される。それにより、近接効果の影響で第１および第２の配線パターンによる信号の伝送損失が大きくなることが確実に防止される。
（５）配線回路基板は、金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、第１および第２の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。
（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、金属支持基板上にベース絶縁層の本体領域が位置しかつベース絶縁層の補助領域が金属支持基板の外側にはみ出るように金属支持基板とベース絶縁層とを積層する工程と、ベース絶縁層の本体領域上および補助領域上に連続的に延びるように第１の配線パターンを形成し、ベース絶縁層の本体領域上に延びるように第２の配線パターンを形成する工程と、ベース絶縁層の本体領域上の第１の配線パターンの部分および第２の配線パターンを覆うようにベース絶縁層の本体領域上に第１のカバー絶縁層を形成し、ベース絶縁層の補助領域上の第１の配線パターンの部分を覆うようにベース絶縁層の補助領域上に第２のカバー絶縁層を形成する工程と、本体領域と補助領域とが重なるようにベース絶縁層を折曲することにより補助領域上の第１の配線パターンの部分を第１および第２のカバー絶縁層を挟んで第２の配線パターンの部分に対向させる工程とを備えたものである。
その配線回路基板の製造方法においては、ベース絶縁層の本体領域が金属支持基板上に位置し、ベース絶縁層の補助領域が金属支持基板から外側にはみ出るように金属支持基板とベース絶縁層とが積層される。ベース絶縁層の本体領域上および補助領域上に連続的に延びるように第１の配線パターンが形成されるとともに、ベース絶縁層の本体領域上に延びるように第２の配線パターンが形成される。ベース絶縁層の本体領域上の第１の配線パターンの部分および第２の配線パターンを覆うようにベース絶縁層の本体領域上に第１のカバー絶縁層が形成されるとともに、ベース絶縁層の補助領域上の第１の配線パターンの部分を覆うようにベース絶縁層の補助領域上に第２のカバー絶縁層が設けられる。
また、本体領域と補助領域とが重なるようにベース絶縁層が折曲されることにより、ベース絶縁層の補助領域上の第１の配線パターンの部分が第１および第２のカバー絶縁層を挟んで第２の配線パターンの部分に対向する。
この場合、第１および第２の配線パターンが共通の平面上に配置される場合に比べて、第１および第２の配線パターンの対向面積を大きくすることができる。それにより、第１および第２の配線パターンによるキャパシタンスを大きくすることができる。その結果、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスを小さくすることができる。
また、第１および第２の配線パターンが共通のベース絶縁層上に設けられるので、製造時に、第１および第２の配線パターンを共通の工程で形成することができる。それにより、製造工程を複雑化することなく、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスを小さくすることができる。
また、第１および第２の配線パターンの間に第１および第２のカバー絶縁層が配置されるので、第１および第２の配線パターンの離間距離が小さくなりすぎることが防止される。それにより、近接効果の影響で第１および第２の配線パターンによる信号の伝送損失が大きくなることが防止される。
本発明によれば、第１および第２の配線パターンの対向面積を大きくすることができる。それにより、第１および第２の配線パターンによるキャパシタンスを大きくすることができる。その結果、第１および第２の配線パターンの特性インピーダンスを小さくすることができる。
本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。 図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。 ベース絶縁層が折曲された状態のサスペンション基板の断面図である。 サスペンション基板の製造工程を示す縦断面図である。 階層的に書込用配線パターンが上下に配置される場合の問題点について説明するための図である。 比較例として作製したサスペンション基板の模式的断面図である。 サスペンション基板の変形例について説明するための断面図である。 サスペンション基板の他の変形例について説明するための平面図および断面図である。 サスペンション基板の他の変形例について説明するための平面図および断面図である。 サスペンション基板の他の変形例について説明するための平面図および断面図である。 従来のサスペンション基板の縦断面図である。
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその製造方法について説明する。
（１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図であり、図２は図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。
図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上の所定の領域に、ベース絶縁層４１が形成されている。ベース絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。また、後述するように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように、ベース絶縁層４１上に、カバー絶縁層が形成されている。
サスペンション本体部１０は、先端領域Ｐ１、後端領域Ｐ２および先端領域Ｐ１と後端領域Ｐ２との間で長尺状に延びる中間領域Ｐ３を含む。
サスペンション本体部１０の先端領域Ｐ１には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。また、サスペンション本体部１０の先端領域Ｐ１には、孔部Ｈが形成されている。
サスペンション本体部１０の後端領域Ｐ２には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読込用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。
ベース絶縁層４１の一部は、サスペンション本体部１０の中間領域Ｐ３の一辺から外側にはみ出るように設けられている。サスペンション本体部１０上のベース絶縁層４１の部分を本体領域５１と呼び、サスペンション本体部１０からはみ出たベース絶縁層４１の部分を補助領域５２と呼ぶ。本体領域５１と補助領域５２との境界には、折曲部Ｂ１が設けられている。折曲部Ｂ１には、線状の溝が形成されてもよく、線状のマークが設けられてもよい。また、ベース絶縁層１１が容易に折曲可能であれば折曲部Ｂ１に何も設けられなくてもよい。
書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、ベース絶縁層４１の本体領域５１上において延びるように設けられる。書込用配線パターンＷ１は、ベース絶縁層４１の本体領域５１上から補助領域５２上を経由して本体領域５１上に戻るように連続的に設けられる。
また、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、補助領域５２に隣接する本体領域５１の部分において、直線状に延びている。書込用配線パターンＷ１は、ベース絶縁層４１の補助領域５２上において、書込用配線パターンＷ２に平行に直線状に延びている。
図２に示すように、サスペンション本体部１０上にベース絶縁層４１が形成され、ベース絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、ベース絶縁層４１の本体領域５１上に形成され、書込用配線パターンＷ１は、ベース絶縁層４１の補助領域５２上に形成されている。
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚みよりも十分に大きく設定されている。また、折曲部Ｂ１と書込用配線パターンＷ１との距離Ｔ１と、折曲部Ｂ１と書込用配線パターンＷ２との距離Ｔ２とは、等しく設定されている。
ベース絶縁層４１の本体領域５１上において書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うようにカバー絶縁層４２ａが形成されている。また、ベース絶縁層４１の補助領域５２上において書込用配線パターンＷ１を覆うように、カバー絶縁層４２ｂが形成されている。なお、カバー絶縁層４２ａ，４２ｂは、書込用配線パターンＷ１と折曲部Ｂ１との交差部分において一体化している。
本実施の形態のサスペンション基板１においては、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ１に沿って折曲される。図３は、ベース絶縁層４１が折曲された状態のサスペンション基板１の断面図である。
上記のように、折曲部Ｂ１と書込用配線パターンＷ１との距離Ｔ１と折曲部Ｂ１と書込用配線パターンＷ２との距離Ｔ２とが互いに等しい。それにより、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ１に沿って折曲されることにより、図３に示すように、書込用配線パターンＷ２の上方に書込用配線パターンＷ１が位置する状態になる。この状態で、カバー絶縁層４２ａとカバー絶縁層４２ａとが互いに固定される。
（２）製造方法
次に、サスペンション基板１の製造方法について説明する。図４は、サスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。図４には、図１のＡ−Ａ線断面に相当する部分の製造工程が示される。
まず、図４（ａ）に示すように、例えばステンレスからなるサスペンション本体部１０上に接着剤を用いて例えばポリイミドからなるベース絶縁層４１を積層する。
サスペンション本体部１０の厚みは例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。サスペンション本体部１０としては、ステンレスに代えてアルミニウム等の他の金属または合金等を用いてもよい。
ベース絶縁層４１の厚みは例えば１μｍ以上１５μｍ以下であり、２μｍ以上１２μｍ以下であることが好ましい。ベース絶縁層４１としては、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよい。
次に、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１上に例えば銅からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を形成する。この場合、書込用配線パターンＷ１が、ベース絶縁層４１の本体領域５１上から補助領域５２を経由して本体領域５１上へ連続的に延びるように設けられる。
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、またはサブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みよりも大きく、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みの４０倍以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みよりも大きく、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みの２０倍以下であることがより好ましい。
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅は例えば２０μｍ以上２００μｍ以下であり、３０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２としては、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
次に、図４（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１を覆うようにベース絶縁層４１の補助領域５２上にカバー絶縁層４２ｂを形成し、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うようにベース絶縁層４１の本体領域５１上にカバー絶縁層４２ａを形成する。
その後、図４（ｄ）に示すように、折曲部Ｂ１に沿ってベース絶縁層１が折曲される。そして、カバー絶縁層４２ａとカバー絶縁層４２ｂとが、接着剤等によって互いに固定される。
（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上下に配置される。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は、厚みよりも十分に大きく設定される。
ここで、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスは、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２によるキャパシタンスが大きいほど小さくなる。そのキャパシタンスは、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との対向面積が大きいほど大きくなる。すなわち、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との対向面積が大きいほど、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが小さくなる。
そこで、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上下に配置され、かつ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅が厚みよりも十分に大きく設定されることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が共通の平面上に配置される場合に比べて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の対向面積が大きくなる。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が共通の平面上に配置される場合に比べて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが小さくなる。
また、本実施の形態では、共通のベース絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成され、ベース絶縁層４１が折曲されることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上下に配置される。この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびカバー絶縁層４２ａ，４２ｂをそれぞれ共通の工程で形成することができる。それにより、複数の層を順次形成することによって階層的に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を上下に配置する場合に比べて、製造工程数を少なくすることができる。
また、階層的に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上下に配置されると、次のような問題が生じる。
図５は、階層的に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上下に配置される場合の問題点について説明するための図である。
図５の例では、書込用配線パターンＷ２の上方において、カバー絶縁層４２ａ上に書込用配線パターンＷ１が形成され、書込用配線パターンＷ１を覆うように、カバー絶縁層４２ａ上にカバー絶縁層４２ｂが形成される。
実際には、書込用配線パターンＷ２上に形成されるカバー絶縁層４２ａの部分が湾曲した状態になる。この湾曲したカバー絶縁層４２ａの部分上に書込用配線パターンＷ１が形成されるので、書込用配線パターンＷ１もカバー絶縁層４２ａに沿って湾曲した状態になる。この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に流れる電流が近接効果により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のエッジ部分に集中する。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のインピーダンスが高くなり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２による信号の伝送損失が大きくなる。
それに対して、本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２がともに平坦なベース絶縁層４１上に形成されるので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が湾曲することがない。そのため、伝送損失の増大を防止しつつ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を上下に配置することができる。
また、本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との間にカバー絶縁層４２ａ，４２ｂの２層が配置される。この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の離間距離が小さくなりすぎることが防止される。それにより、近接効果の影響で書込用配線パターンＷ１，Ｗ２による信号の伝送損失が増大することを十分に抑制することができる。
また、カバー絶縁層４２ａ，４２ｂは共通の工程で形成することができる。それにより、１つの絶縁層の厚みを大きくする場合に比べて、短い製造時間で書込用配線パターンＷ１，Ｗ２による信号の伝送損失の増大を十分に抑制することができる。
（４）実施例および比較例
（４−１）実施例
実施例として、図１および図２に示したサスペンション基板１を作製した。なお、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の材料として銅を用い、サスペンション本体部１０の材料としてステンレスを用い、ベース絶縁層４１およびカバー絶縁層４２ａ，４２ｂの材料としてポリイミドを用いた。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅をそれぞれ３５μｍとし、厚みをそれぞれ１８μｍとした。
また、サスペンション本体部１０の厚みを１８μｍとし、ベース絶縁層４１の厚みを１０μｍとし、カバー絶縁層４２ａ，４２ｂの厚みを５μｍとした。
（４−２）比較例
図６は、比較例として作製したサスペンション基板の模式的断面図である。図６には、比較例のサスペンション基板において、図１のＡ−Ａ線断面に相当する部分の断面が示される。図６のサスペンション基板１００が実施例２のサスペンション基板１と異なるのは次の点である。
サスペンション基板１００においては、書込用配線パターンＷ１がベース絶縁層４１の本体領域５１上に形成されている。また、ベース絶縁層４１に補助領域５２が設けられず、ベース絶縁層４１が折曲されない。なお、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との距離を２０μｍとした。
（４−３）評価
実施例および比較例のサスペンション基板１，１００において、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスを調べた。
その結果、実施例のサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが約４０Ωであった。一方、比較例のサスペンション基板１００においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが約８０Ωであった。
これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上下に配置されることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が共通の平面上に配置される場合に比べて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが小さくなることがわかった。
（５）変形例
（５−１）
図７は、上記実施の形態に係るサスペンション基板１の変形例について説明するための断面図である。
図７の例では、折曲部Ｂ１に沿ってベース絶縁層４１を折曲した状態で、カバー絶縁層４２ａ，４２ｂの間に空気層Ａ１が形成されるように、カバー絶縁層４２４２ｂの端部のみ接着剤層５５を介してカバー絶縁層４２ａに接着される。
（５−２）
図８は、上記実施の形態に係るサスペンション基板１の他の変形例について説明するための平面図および断面図である。なお、図８（ａ）には、ベース絶縁層４１の補助領域５２およびその近傍部分が示され、図８（ｂ）には、図８（ａ）のＢ−Ｂ線断面が示される。図８のサスペンション基板１ａについて、上記実施の形態のサスペンション基板１と異なる点を説明する。
図８のサスペンション基板１ａにおいては、補助領域５２に隣接する本体領域５１の部分において、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が曲線状に延びている。ベース絶縁層４１の補助領域５２上において、書込用配線パターンＷ１が曲線状に延びている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の曲線部分の形状は互いに等しい。
ベース絶縁層４１の本体領域５１と補助領域５２との境界には、折曲部Ｂ２が設けられている。また、ベース絶縁層４１の補助領域５２に、折曲部Ｂ２と平行な折曲部Ｂ３が設けられている。
サスペンション基板１ａにおいては、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ２，Ｂ３に沿って折曲される。
図９（ａ）には、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ２に沿って折曲された状態のサスペンション基板１ａの平面が示され、図９（ｂ）には、図９（ａ）のＣ−Ｃ線断面が示される。図１０（ａ）には、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ２，Ｂ３に沿って折曲された状態のサスペンション基板１ａの平面が示され、図１０（ｂ）には、図１０（ａ）のＤ−Ｄ線断面が示される。
図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ２に沿って折曲された状態では、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とがほとんど重ならない。この場合、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との対向面積が小さいため、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスを十分に小さくすることができない。
そこで、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、ベース絶縁層４１がさらに折曲部Ｂ３に沿って折曲される。これにより、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とが重なった状態になる。そのため、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との対向面積が大きくなり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスを十分に小さくすることができる。
また、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ２，Ｂ３に沿って折曲されることにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の間に、ベース絶縁層４１が二重に配置されるとともに、カバー絶縁層４２ａ，４２ｂが配置される。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の離間距離がより十分に確保され、近接効果の影響で書込用配線パターンＷ１，Ｗ２による信号の伝送損失が増大することがより十分に抑制される。
（５−３）
図８〜図１０の例では、ベース絶縁層４１が折曲部Ｂ２，Ｂ３に沿って折曲されることにより、曲線状の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の部分が重ねられるが、他の方法によって、曲線状の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の部分が重ねられてもよい。
例えば、本体領域５１と補助領域５２との境界線に関して、本体領域５１上に形成される書込用配線パターンＷ２の曲線形状と補助領域５２上に形成される書込用配線パターンＷ１の曲線形状とが対称に設定される。この場合、本体領域５１と補助領域５２との境界線に沿ってベース絶縁層４１を折曲することにより、曲線状の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の部分を重ねることができる。
（５−４）
図１および図２に示したサスペンション基板１のように、補助領域５２上および補助領域５２に隣接する本体領域５１上の部分に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が直線状に形成されたサスペンション基板において、図７〜９に示したように、ベース絶縁層４１が２段階で折曲されてもよい。
この場合、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の絶縁層の厚みが大きくなるので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２による信号の伝送損失の増大を十分に抑制することができる。
（６） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態においては、サスペンション本体部１０が金属支持基板の例であり、書込用配線パターンＷ１が第１の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２が第２の配線パターンの例であり、カバー絶縁層４２ｂが第１のカバー絶縁層の例であり、カバー絶縁層４２ａが第２のカバー絶縁層の例であり、タング部１２がヘッド部の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
１，１ａ 配線回路基板
１０ サスペンション本体部
１２ タング部
４１ ベース絶縁層
４２ａ，４２ｂ カバー絶縁層
５１ 本体領域
５２ 補助領域
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３ 折曲部
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン

Claims (6)

  1. 金属支持基板と、
    前記金属支持基板上に形成される本体領域と前記金属支持基板の外側にはみ出るように形成される補助領域とを有するベース絶縁層と、
    前記ベース絶縁層の前記本体領域上および前記補助領域上に連続的に延びるように設けられる第１の配線パターンと、
    前記ベース絶縁層の前記本体領域上に延びるように設けられる第２の配線パターンと、
    前記ベース絶縁層の前記本体領域上の前記第１の配線パターンの部分および第２の配線パターンを覆うように前記ベース絶縁層の前記本体領域上に設けられる第１のカバー絶縁層と、
    前記ベース絶縁層の前記補助領域上の前記第１の配線パターンの部分を覆うように前記ベース絶縁層の前記補助領域上に設けられる第２のカバー絶縁層とを備え、
    前記本体領域と前記補助領域とが重なるように前記ベース絶縁層が折曲されることにより前記補助領域上の前記第１の配線パターンの部分が前記第１および第２のカバー絶縁層を挟んで前記第２の配線パターンの部分に対向することを特徴とする配線回路基板。
  2. 対向する前記第１の配線パターンの部分と前記第２の配線パターンの部分とが直線形状を有することを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
  3. 対向する前記第１の配線パターンの部分と前記第２の配線パターンの部分とが曲線形状を有することを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
  4. 前記本体領域と前記補助領域との境界線で前記ベース絶縁層が折曲されるとともに前記境界線と前記第１の配線パターンの部分との間でベース絶縁層が折曲されることにより前記第１の配線パターンの部分が前記第２の配線パターンの部分に対向することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
  5. 前記金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、
    前記第１および第２の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
  6. 前記金属支持基板上にベース絶縁層の本体領域が位置しかつ前記ベース絶縁層の補助領域が前記金属支持基板の外側にはみ出るように前記金属支持基板と前記ベース絶縁層とを積層する工程と、
    前記ベース絶縁層の前記本体領域上および前記補助領域上に連続的に延びるように第１の配線パターンを形成し、前記ベース絶縁層の前記本体領域上に延びるように第２の配線パターンを形成する工程と、
    前記ベース絶縁層の前記本体領域上の前記第１の配線パターンの部分および前記第２の配線パターンを覆うように前記ベース絶縁層の前記本体領域上に第１のカバー絶縁層を形成し、前記ベース絶縁層の前記補助領域上の前記第１の配線パターンの部分を覆うように前記ベース絶縁層の前記補助領域上に第２のカバー絶縁層を形成する工程と、
    前記本体領域と前記補助領域とが重なるように前記ベース絶縁層を折曲することにより前記補助領域上の前記第１の配線パターンの部分を前記第１および第２のカバー絶縁層を挟んで前記第２の配線パターンの部分に対向させる工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
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