JP5117629B1

JP5117629B1 - ウェハ加工用粘着テープ

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Publication number: JP5117629B1
Application number: JP2012146005A
Authority: JP
Inventors: 祥文岡; 啓時横井; 具朗内山
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date: 2012-06-28
Filing date: 2012-06-28
Publication date: 2013-01-16
Anticipated expiration: 2032-06-28
Also published as: CN103509479A; KR101411080B1; KR20140001780A; TWI460248B; TW201400583A; JP2014011273A

Abstract

【課題】半導体ウェハの反り、裏面のディンプル、表面電極への糊残りや表面汚染を低減し、ウェハ薄膜研削が可能な加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム１の片側の面に１層以上の低弾性率層２を有し、低弾性率層上に粘着剤層３を有し、基材フィルム１のヤング率が５．０×１０の８乗Ｐａ〜１．１×１０の１０乗Ｐａであり、低弾性率層２の弾性率Ｇ’（２５℃）が２．５×１０の５乗Ｐａ〜４．０×１０の５乗Ｐａで、弾性率Ｇ’（６０℃）が０．２×１０の５乗Ｐａ〜１．５×１０の５乗Ｐａであって、その比が０．５以下であり、低弾性率層２の損失正接ｔａｎδ（２５℃）が０．０８〜０．１５であり、損失正接ｔａｎδ（６０℃）との比が４．０以上であり、かつ、粘着剤層３の厚みが５〜１００μｍであって、放射線硬化型粘着剤層厚み／低弾性率層厚みが１／２以下である半導体ウェハ加工用粘着テープ。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコンウェハ等の半導体装置を製造する際、ウェハの加工のために使用される半導体ウェハ加工用放射線硬化型粘着テープであって、ウェハ等を表面保護したり、ウェハ等を固定しバックグラインドするために使用される半導体ウェハ加工用粘着テープに関するものである。より詳しくは、特に表面に１０μｍ以上の電極などの突起を有する半導体ウェハ表面にテープ貼合するプロセスからバックグラインド工程を経て、ウェハ表面から電極への糊残り、電極の脱落などなくウェハ等を剥離可能にし得る半導体ウェハ加工用放射線硬化型粘着テープに関する。

ウェハなどを半導体チップに加工し、電子機器に実装するに至る工程は、例えば、半導体ウェハのパターン表面に半導体ウェハ表面保護テープを貼り付ける工程、半導体ウェハの裏面を研削し薄化する工程、ダイシングテープへ前記の研削したウェハをマウントする工程、半導体ウェハから前記の表面保護用粘着テープを剥離する工程、ダイシングによりウェハを分割する工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護のために樹脂で封止するモールド工程等により構成されている。前記の表面保護用粘着テープには大きく分けて２種が存在する。照射後に粘着力が著しく低下し剥離を容易にする放射線硬化型と、ウェハ裏面加工中および剥離時で粘着力に変化のない、すなわち放射線によって粘着力が変化しない、感圧型である。
これらの表面保護用粘着テープは、エチレン酢酸ビニル共重合体などのポリオレフィン基材フィルム上に、アクリルポリマーを主成分とした粘着剤層が設けられたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、半導体ウェハ表面に５０μｍ以上の高さの電極が存在する場合、テープ貼合プロセスを４０℃〜７０℃程度に加熱しながら実施する場合がある。剥離時も同様に剥離を軽くするために加熱しながら剥離する場合がある。

ウェハ表面のパターンには、各種の電子回路や電極、それらを保護するポリイミドなどの保護膜、さらにウェハをチップに個片化するダイシング工程時にブレードが切り込む溝であるスクライブラインが存在するため、ウェハ表面は平滑ではなく数μｍ〜数十μｍの段差・凹凸が存在している。ここで、ウェハ裏面を研削加工し、薄化したウェハをダイシングした後、ピックアップしてチップ表面電極を介して接合する方式をフリップチップ接合と呼ぶ。この接合方式においては電極部の凹凸が非常に大きく１０μｍ〜３００μｍ程度の高さを有している。

このような段差はウェハやデバイスの種類によって様々であるが、表面保護用テープを貼合することでウェハ表面の段差に密着して隙間を埋めることが期待される。しかし、ウェハの段差が大きい場合、特に電極高さが非常に高い場合や、テープが硬い場合はウェハ表面への追従性が不足する。これに起因してバックグラインド工程時に研削水がウェハとテープの隙間に浸入するシーページと呼ばれる現象が発生する。また、電極を有したフリップチップ接合を目的とするウェハにおいては特に、電極を完全にテープで埋めることができない場合、裏面研削加工時に気泡が混入した箇所を起点にして割れが発生したり、気泡が加工中にウェハ中心部に集まり、該当箇所のＳｉ厚みが薄くなり、ディンプルと呼ばれるウェハ面内精度が悪くなる現象が生じる恐れがある。

このように、シーページが発生することで、テープがウェハから剥離しその箇所を起点としてウェハにクラックが発生し破損に繋がることや、浸入水によるウェハ表面の汚染や糊の付着が発生し歩留りを大きく悪化させる原因となる。

シーページの発生に対しては、粘着剤を厚くしたり、粘着剤の弾性率を下げるといった方法でウェハ表面への密着性を向上させる方法（例えば特許文献２参照）が知られている。また、粘着力を上げることでも同様の効果が期待される。

しかし、上記のような手法では、ウェハパターン表面の電極の高さが１０μｍ以上と大きい場合は完全に密着せず、上記のシーページの問題が解決できない。また、粘着剤とウェハパターン表面電極との間に空隙が存在してしまう場合、空隙に酸素が介在することで紫外線照射時に酸素硬化阻害を生じ、ウェハ表面に粘着剤の一部が残ってしまう糊残りといわれる現象が発生しやすいことなどの問題がある。糊残りが発生する場合、後工程でのワイヤーボンディングや電気的接続において不具合を引き起こす原因となり得る。

ところで、ウェハの薄膜化が進む近年、特に半導体メモリー用途では、ウェハ厚さを１００μｍ以下まで薄くする、薄膜研削が一般的である。デバイスウェハは、裏面研削により所定の厚みまで薄膜化された後、ダイシング工程にてチップ化され、複数のチップを積層、基板・チップ間でのワイヤー接続されたのち樹脂で封止され製品となる。接着剤として、従来はペースト状の樹脂がウェハ裏面に塗工されていたが、チップの薄膜化・小チップ化や工程簡略化のため、あらかじめ基材上に粘着剤と接着剤（ダイボンド用の接着シート）が積層されたダイシングダイボンドシートがウェハ裏面（研削面）に貼合されてダイシング工程でウェハと一括して切断するプロセスが一般的となっている（例えば、特許文献３参照）。この方法では、均一な厚さの接着剤がチップと同サイズに切断されるため、接着剤塗布などの工程が不要であり、また従来のダイシングテープと同様の装置が使用できるため、作業性が良好である。

特に電気的な接続を目的とした１０μｍ以上の高さの電極を有する半導体ウェハの場合、絶縁層として塗布されるポリイミドコーティング層が非常に厚く、ポリイミド樹脂層加熱硬化後の残留応力も大きいことから、ウェハの薄化後、反りが大きく、反る応力も強い。

ここで、シート貼合の際は、ウェハ表面に保護用テープが貼合されたままチャックテーブルに吸着された状態であり、シート貼合後に保護テープが剥離される。このシートをウェハに密着させるため、貼合時に加熱が必要であるが、近年ではより高温（〜８０℃）での加熱が要求される場合がある。このため、テープ背面の基材フィルム層の軟化点、融点が低い場合はチャックテーブルで溶融固着してしまうリスクが存在する。

特開２０００−８０１０号公報特開２００２−５３８１９号公報特開２００７−５３３２５号公報

本発明は、上記の問題点を解決し、半導体ウェハの加工、更に詳しくはシリコンウェハなどの裏面研削工程、テープ剥離工程を経た後にウェハの反り、ウェハ裏面に発生するディンプル、ウェハ表面電極への糊残りや表面汚染（主としてシーページによる）を低減し、ウェハ薄膜研削が可能な半導体ウェハ加工用粘着テープを提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、基材フィルム上に放射線硬化型粘着層を設けた粘着テープにおいて、基材フィルムと放射線硬化型粘着層の間に中間層を設け、この中間層の弾性率および放射線硬化型粘着層との膜厚を含めた関係が重要であることを見出し、さらに検討することで、ウェハ裏面研削時のシーページの発生、とりわけ薄膜研削の場合、裏面研削時のディンプル発生・ウェハ割れ、を著しく低減しできることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。

すなわち、上記課題は以下の手段により達成された。
（１）高弾性基材フィルムの片側の面に少なくとも１層以上の低弾性率層を有し、該低弾性率層上に放射線硬化型粘着剤層を有し、
該高弾性基材フィルムのヤング率（引張弾性係数）が５．０×１０^８Ｐａ〜１．１×１０^１０Ｐａであり、
該低弾性率層の２５℃での貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）が２．５×１０^５Ｐａ〜４．０×１０^５Ｐａで、６０℃での貯蔵弾性率Ｇ’（６０℃）が０．２×１０^５Ｐａ〜１．５×１０^５Ｐａであって、その比Ｇ’（６０℃）／Ｇ’（２５℃）が０．５以下であり、
該低弾性率層の２５℃での損失正接ｔａｎδ（２５℃）が０．０８〜０．１５であり、６０℃での損失正接ｔａｎδ（６０℃）との比ｔａｎδ（６０℃）／ｔａｎδ（２５℃）が４．０以上であり、かつ、
該放射線硬化型粘着剤層の厚みが５〜１００μｍであって、該低弾性率層と該放射線硬化型粘着剤層の厚みの比、放射線硬化型粘着剤層厚み／低弾性率層厚み、が１／２以下であることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（２）前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、表面に１０μｍ以上の突起を有する半導体ウェハの該表面に貼付して使用する半導体ウェハ加工用粘着テープであり、前記低弾性率層の厚みが、該半導体ウェハ加工用粘着テープの厚みの１／２以上であって、該低弾性率層が、酢酸ビニル成分が１０〜４５質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体からなることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
（３）前記高弾性基材フィルムが、ポリエステル系樹脂であることを特徴とする（１）または（２）に記載の導体ウェハ加工用粘着テープ。
（４）前記半導体ウェハ加工用粘着テープの厚さ方向の圧縮時変形量が、２５℃で１３０μｍ〜１７０μｍであり、５０Ｎの応力付加で３分間保持後の応力減少率が１５％以下であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。

本発明の半導体表面保護テープは、薄化半導体ウェハの加工、更に詳しくは表面に電気的接続を目的とした10um以上の高さの電極を有したシリコンウェハなどの裏面研削工程において、ＢＧテープラミネート、ウェハ裏面研削加工、テープ剥離工程においてウェハ表面への糊残りや表面汚染（シーページ）を抑止しつつ、薄膜研削処理をディンプル・割れなく実施することを可能とする。

本発明の好ましい一実施の形態について、ウェハパターン表面に本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープが貼合された状態を示す断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、基材フィルム１上に放射線硬化型粘着層３を有し、基材フィルム１と放射線硬化型粘着層３の間に中間層の樹脂層である低弾性率層２を有する。
なお、図１では、ウェハのシリコン（Ｓｉ）層５上のウェハパターン層４側に半導体ウェハ加工用粘着テープを貼合した状態を示している。

＜基材フィルム＞
本発明では、基材フィルム１はヤング率（引張弾性係数）が高い基材フィルムである。
ここで、基材フィルムのヤング率は、基材が多層の基材フィルムからなる場合、最もヤング率の高い基材層のフィルム部分のヤング率である。
基材フィルムは、半導体ウェハの裏面研削加工や裏面研削加工を行うときの衝撃から保護するとともに、半導体ウェハの反りを抑制することができる。特に基材フィルムは、半導体ウェハの裏面研削加工や裏面研磨加工時の水洗浄などに対する耐水性を有するとともに、半導体ウェハ上のポリイミド等の絶縁膜中の残留応力に起因する半導体ウェハの反り応力に対して、矯正力を有することである。

本発明において、基材フィルムのヤング率は、５．０×１０^８Ｐａ〜１．１×１０^１０Ｐａである。このヤング率が低すぎると半導体ウェハ研削加工後の反り応力を矯正できず反りが大きくなってしまい、グラインダ加工中搬送エラーにつながってしまう。ヤング率は、好ましくは、８．０×１０^８Ｐａ〜１．０×１０^１０Ｐａである。
なお、基材フィルムのヤング率は、引張試験機（例えば、インストロン社製のインストロン引張試験機５５６７ツインコラム卓上モデルなど）により測定することができる。具体的には、ＪＩＳＫ７１２７（プラスチックフィルム及びシートの引張試験方法、引張弾性率測定方法）にて測定する。

高弾性率基材フィルムは、上記の貯蔵弾性率の範囲を満たせば、特に制限はされるものではない。特に薄膜研削後の半導体ウェハの反りを矯正できるという点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル系樹脂を含有する樹脂組成物からなるものやポリエーテルエーテルケトン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ、すなわちＰＥＥＫ）樹脂、ポリイミド樹脂などが好ましい。更に好ましくはＰＥＴ又はＰＥＮである。ポリエステル系樹脂を粘着剤に対して反対側の最外層に使用すると、耐熱性も同時に付与することができることから好ましい。この場合、本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープ（表面保護機能も含む）を半導体ウェハ表面に貼合したまま、該テープの高弾性基材フィルム面で半導体ウェハ保持部材（例えば、チャックテーブル）に吸着させた場合、該半導体ウェハ裏面にダイシングダイボンドテープを貼合する際に加熱しても、該半導体ウェハ加工用粘着テープがチャックテーブルへ融着することを防ぐことができる。

また、ポリエステル系樹脂に、ポリエステル系樹脂よりも柔軟性を有する樹脂を配合した樹脂組成物を基材フィルムとして使用することができる。２種類以上の樹脂をブレンドした樹脂組成物とすることで、剛性と柔軟性を持たせた基材フィルムとすることもできる。例えば、基材樹脂フィルムとして、ポリエステル系樹脂に熱可塑性得ラストマーを配合した樹脂組成物を使用することができる。

基材フィルムの厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは１０〜１００μｍであり、より好ましくは２５〜５０μｍである。
基材フィルムの製造方法は特に限定されない。射出・押出・インフレーション・二軸延伸など従来の方法を用いることができる。

＜低弾性率層＞
本発明においては、基材フィルムと放射線硬化型粘着剤層との間に、中間層の樹脂層を少なくとも１層有する。この中間層の樹脂層は、貯蔵弾性率Ｇ’が低い層であり、本発明においては低弾性層と称す。
この低弾性率層の貯蔵弾性率は、本発明においては、２５℃での貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）が２．５×１０^５Ｐａ〜４．０×１０^５Ｐａで、６０℃での貯蔵弾性率Ｇ’（６０℃）が０．２×１０^５Ｐａ〜１．５×１０^５Ｐａである。
低弾性率層の弾性率Ｇ’が常温（２５℃）や高温（６０℃）で高すぎる場合、半導体ウェハ表面の電極などの凹凸に対しての密着性が確保できず、グラインダによる半導体ウェハ薄化加工中にシーページ・割れ・ディンプルの発生につながってしまう。上記範囲内の弾性率にすることが、凹凸表面への密着性が改善され、ウェハ研削後のシーページ・割れ・ディンプル発生を抑止できるようになることから好ましい。
また、低弾性率層の弾性率Ｇ’が常温（２５℃）や高温（６０℃）で低すぎる場合、ウェハ裏面研削加工中、研削砥石の自発刃作用が阻害され、面焼けと呼ばれる現象が発生したり、加工後ウェハの面内厚み精度が悪化することがある。

貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）は好ましくは２．６×１０^５Ｐａ〜３．８×１０^５Ｐａであり、貯蔵弾性率Ｇ’（６０℃）は好ましくは２．８×１０^５Ｐａ〜３．６×１０^５Ｐａである。
また、２５℃と６０℃における貯蔵弾性率Ｇ’の比Ｇ’（６０℃）／Ｇ’（２５℃）は０．５以下であり、好ましくは０．４５以下である。下限は０．３以上が好ましい。
この比が０．５を超えると半導体ウェハに５０μｍ以上の電極を有し、かつテープ貼合時に５０℃〜７０℃に加熱して貼合する場合にウェハ表面の凹凸に対して密着性が劣り、研削加工中に割れやディンプルにつながることがある。

これに加え、本発明では、低弾性率層の２５℃での損失正接ｔａｎδ（２５℃）は０．０８〜０．１５であり、６０℃での損失正接ｔａｎδ（６０℃）との比ｔａｎδ（６０℃）／ｔａｎδ（２５℃）が４．０以上である。
損失正接ｔａｎδ（２５℃）が０．０８未満であるとウェハ表面凹凸に対する密着性が劣り、研削加工中のダスト浸入や割れ、ディンプル発生につながることがあり、逆に０．１５を超えるとテープ貼合時にハンドリングできないなど不具合がでたり、研削加工中にテープの変形が大きくなることでウェハ割れや面焼けにつながることがある。
また、この比が４．０未満である場合、半導体ウェハに５０μｍ以上の電極を有し、かつテープ貼合時に５０℃〜７０℃に加熱して貼合する場合にウェハ表面の凹凸に対して密着性が劣り、研削加工中に割れやディンプルにつながることがある。
損失正接ｔａｎδ（２５℃）は好ましくは０．１〜０．１２である。一方、比ｔａｎδ（６０℃）／ｔａｎδ（２５℃）は好ましくは３以上である。この比の上限は特に限定されるものではないが、１０以下が好ましく、８以下がより好ましい。

なお、低弾性率層の貯蔵弾性率（Ｇ’）や損失正接ｔａｎδは、動的粘弾性測定装置（例えば、ＴＡインスツルメンツ社製のＡＲＥＳ）により測定することができる。低弾性率層の厚みが２ｍｍに統一し、周波数０．６ｒａｄ／ｓｅｃで測定する。具体的には、実施例でさらに説明する。

低弾性率層については、特に制限するものではなく、従来公知のものを用いることができるが、架橋剤により弾性率を調整した粘着剤や、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）などのポリオレフィン類を挙げることができる。
特に、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を用いる場合はその酢酸ビニル含有量は１０〜４５質量％が好ましく、２０〜４５質量％がより好ましく、３０〜４５質量％がさらに好ましい。
なお、架橋剤により弾性率を調整した粘着剤としては、例えば、樹脂成分としては、粘着剤の主成分として用いられる、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とするようなアクリル樹脂などが挙げられ、架橋剤としてはイソシアネート系硬化剤などが挙げられる。

低弾性率層には、上記樹脂成分以外にテープ着色のための顔料を含んだ樹脂を含有してもよい。

低弾性率層の貯蔵弾性率Ｇ’を上記範囲に調整するには、主成分であるＥＶＡ樹脂中酢酸ビニル含有量を増加させる、あるいはポリマー中硬化剤量を減少させる、あるいはポリマーの分子量を下げる等の方法で調整でき、同じく損失正接ｔａｎδを上記範囲に調整するには、主成分ポリマー中の側鎖長を変更しガラス転移点を変化させる等の方法で調整することができる。

低弾性率層の厚さは特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、ウェハ表面電極の高さ以上であることが好ましく、５０μｍ〜４００μｍが好ましく、２５０μｍ〜４００μｍがより好ましい。
ただし、低弾性率層の厚さと放射線硬化型粘着剤層との厚みは、後述する関係を満たす。
また、本発明においては、低弾性率層の厚さは、半導体ウェハ加工用粘着テープの厚みの１／２以上であることが好ましく、０．４以下であることがより好ましい。この厚みの比の下限は、０．０５以上あることが好ましく、０．１以上あることがより好ましい。

＜粘着剤層＞
本発明の粘着剤は特に放射線硬化型であれば、特に制限されるものではなく、従来のものを用いることができるが、好ましくは、アクリル樹脂〔（メタ）アクリル樹脂〕である。
このようなアクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分とする単独重合体や、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体を挙げることができる。アクリル酸エステルを構成成分として含む重合体を構成する単量体成分としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プルピル、イソプルピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、ヘプチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、及びドデシルなどの炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキルアクリレート又はアルキルメタクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

（メタ）アクリル酸エステルとの共重合成分としては、以下のモノマー成分を含むことができる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリルおよび（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレートおよび（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロイルモルフオリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これらモノマー成分は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、アクリル樹脂としては、構成成分として、以下の多官能性モノマーを含むことができる。例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレートおよびウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これら多官能性単量体は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

アクリル酸エステルのうち、好ましくは、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチルなど、およびこれらを組み合わせた共重合体を挙げることができる。また上記のアクリル酸エステルを例えばメタクリル酸エステルに代えたものなどのアクリル系ポリマーと硬化剤を用いてなるものを使用することができる。

硬化剤としては、特開２００７−１４６１０４号公報に記載の硬化剤を使用することができる。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の含有量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、上記のような樹脂成分１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましく、さらに好ましくは、０．１〜５質量部である。

粘着剤層中に光重合性化合物および光重合開始剤を含ませることによって、紫外線等の放射線を照射することにより硬化し、粘着剤は粘着力を低下させることができる。
このような光重合性化合物としては、例えば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合（エチレン性二重結合）を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。

光重合開始剤としては、特開２００７−１４６１０４号公報または特開２００４−１８６４２９号公報に記載の光重合開始剤を使用することができる。イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。

光重合性化合物の含有量は上記樹脂成分１００質量部に対し、５０〜１５０質量部が好ましく、光重合開始剤の含有量は上記樹脂成分１００質量部に対し、１〜５質量部が好ましい。

また、粘着剤層として、重合体中に光重合性炭素−炭素二重結合（エチレン性二重結合）を有する重合体、光重合開始剤および硬化剤を含む樹脂組成物を用いてなる光重合性粘着剤を用いることができる。重合体中に炭素−炭素二重結合を有する重合体としては、例えば、側鎖に、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基を有するものが挙げられ、好ましくは側鎖に炭素原子数が４〜１２、さらに好ましくは炭素原子数８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルなどの単量体や共重合性改質単量体を１種または２種以上を任意の方法で単独重合または共重合した（メタ）アクリル系重合体が好ましい。
このようにして形成される放射線硬化型粘着剤層は、放射線、好ましくは紫外線を照射することにより、粘着力を初期のから大きく低下させて、容易に被着体から粘着テープを剥離することができる。

本発明において放射線硬化型粘着剤層の厚さは、５μｍ〜１００μｍである。この厚みは好ましくは１０μｍ〜６０μｍであり、より好ましくは１０μｍ〜５０μｍである。
本発明においては、前記の低弾性率層と放射線硬化型粘着剤層の厚みの比、放射線硬化型粘着剤層厚み／低弾性率層厚み、は１／２以下である。
この厚みの比が１／２を超えると、低弾性率層のクッション性が失われ、研削加工中の割れにつながることがある。
この厚みの比は好ましくは０．１以下、より好ましくは０．０５以下である。この比の下限は好ましくは０．００５以上であり、より好ましくは０．０１以上である。

基材フィルム上に放射線硬化型粘着剤層を形成するためには、基材フィルムの少なくても片面の低弾性率層上に、少なくても１種類の放射線硬化型粘着剤を任意の方法で塗布もしくは転写すればよい。基材フィルムと放射線硬化型粘着剤層の間に、低弾性率層を有するが、さらに必要に応じてプライマー層などの中間層を設けてもよい。同様にして高弾性基材フィルムと低弾性率層との間にも必要に応じて接着層などの中間層を設けてもよい。

また、必要に応じて、実用に供するまでの間、放射線硬化型粘着剤層を保護するため通常セパレータとして用いられる合成樹脂フィルムを粘着剤層側に貼付しておいても良い。

＜半導体ウェハ加工用粘着テープの圧縮時変形＞
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、厚さ方向の圧縮時変形量が、２５℃で１３０μｍ〜１７０μｍであることが好ましく、５０Ｎの応力付加で３分間保持後の応力減少率は１５％以下が好ましい。
厚さ方向の圧縮時変形量はより好ましくは、１３０μｍ〜１５０μｍであり、応力減少率は１３％以下がより好ましい。
このように好ましい範囲に調整するには、具体的には、低弾性率層の弾性率Ｇ’の調整、低弾性率層・粘着剤層の厚さを調整することで調整できる。

半導体ウェハ加工用粘着テープの厚さ方向の圧縮時変形量と応力減少率は、以下のようにして測定できる。
２００ｍｍ×２００ｍｍ程度の大きさに５枚切断し、基材フィルムと粘着剤層との間で積層し、その積層されたものを２５ｍｍ×５５ｍｍに切断し、これを試験片とする。この試験片の粘着剤層を上にして、引張試験機に設けた圧縮試験用の平行板治具に戴置し、曲げ試験（ＪＩＳＫ７１７１）の圧子から、速度１．０ｍｍ／分で圧縮応力を印加する。応力付与前に圧子がサンプルへ接触した部分をゼロ点として、５０Ｎの圧縮応力付加時の変位量を測定値とした。また、応力減少率は応力が５０Ｎに達した時点を０ｓｅｃとし、１８０ｓｅｃ後の応力値との比で求めることができる。

＜半導体ウェハ加工用粘着テープの用途＞
本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、ウェハ表面が１０μｍ以上の突起を有する半導体ウェハに使用することで、本発明の効果を効果的に奏することができる。
本発明のウェハ加工用粘着テープは、半導体ウェハをバックグラインドする際にパターン表面を保護する用途で用いることができ、電気的接合を目的とした電極がついたウェハ表面においても密着し、研削加工時のダスト侵入や割れ、ディンプルの発生が抑止できることから研削加工に用いるのに好適である。

以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率７．０×１０^８Ｐａ（２５℃）で厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

なお、粘着剤ａは、以下の組成である。
側鎖に放射線重合性基のメタクリロイルオキシ基を有する（メタ）アクリル酸共重合体を１００質量部、日本ポリウレタン社製：コロネートＬを２．０質量部、日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を５．０質量部含む。
＜実施例２＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。なお、弾性率Ｇ’の測定は、低弾性率層の測定方法にまとめて記載する。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例３＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例４＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例５＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率４２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例６＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３００μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例７＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率４２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例８＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率４２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を８０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例９＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率４２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を４８０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例１０＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例１１＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例１２＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率３．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例１３＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率５．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ２０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜実施例１４＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率１０．５×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ２５μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上にこの（メタ）アクリル酸共重合体を主成分とする粘着剤ａを塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

＜比較例１＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２９質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．５質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて、厚み１６５μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚４０μｍ厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。

＜比較例２＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２９質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．５質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて、ヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚４０μｍ厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ加工用粘着テープを作製した。

＜比較例３＞
高弾性基材フィルムとしてヤング率８．０×１０^９Ｐａ（２５℃）で厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、その上に低弾性率層として酢酸ビニル含有率３２質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３５０μｍの厚さで成形し、複合基材を作成した。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に２−エチルヘキシルアクリレートを６９質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２９質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．５質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、この調整した粘着剤組成物を塗布し、１２０℃で２分間乾燥させてできた厚さ１０μｍの粘着剤層を、上記複合基材に貼り合わせることで半導体ウェハ加工用粘着テープを作成した。

［特性評価試験］
実施例１〜１４、比較例１〜３の半導体ウェハ加工用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。

・ヤング率（引張弾性率）測定
各実施例および比較例で適用した基材フィルムをＪＩＳ規格、ＪＩＳＫ７１２７（プラスチックフィルムおよびシートの引張試験方法、引張弾性率測定方法）で測定した。

・樹脂弾性率測定
各実施例および比較例で適用した低弾性率層（別途、離型処理としてシリコン処理したＰＥＴフィルム上に各実施例、比較例と同様にしてそれぞれの低弾性層を作製し、ＰＥＴフィルムを剥離して、低弾性率層のみ取り出した）を、５０ｍｍ×５０ｍｍの試験片を切り出し、１０枚重ね合わせ加熱炉中１５０℃で３時間の加熱実施後、ペレット状に打ち抜き、動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメンツ社製のＡＲＥＳ動的粘弾性測定装置）を使用し、周波数０．６ｒａｄ／ｓｅｃで測定を行なった。弾性率Ｇ’、損失正接ｔａｎδを１０℃〜１８０℃まで温度依存性測定を実施した後、２５℃および６０℃での値を確認した。

・圧縮変位量
実施例および比較例の半導体ウェハ加工用粘着テープを２００ｍｍ×２００ｍｍ程度の大きさに５枚切断し、基材フィルムと粘着剤層との間で積層した。その積層されたものを２５ｍｍ×５５ｍｍに切断し、これを試験片とした。この試験片の粘着剤層を上にして、引張試験機に設けた圧縮試験用の平行板治具に戴置し、曲げ試験（ＪＩＳＫ７１７１）の圧子から、速度１．０ｍｍ／分で圧縮応力を印加した。応力付与前に圧子がサンプルへ接触した部分をゼロ点として、５０Ｎの圧縮応力付加時の変位量を測定値とした。応力減少率は応力５０Ｎ到達時から１８０ｓｅｃ後の応力値との比で求めた。

・テープ貼合
作製したテープの貼合性は、自動ラミネータ（日東電工製ＤＲ−３０００ＩＩ）で８インチ（ｉｎｃｈ）ＰＩ膜付（膜厚５．５μｍ）Ｓｉウェハへ貼合・カットを行った。また、１００μｍ高さ電極付きＳｉウェハへ６０℃での加熱貼合・カットを行った。

・電極付きウェハ密着性試験
１００μｍ高さ電極付きＳｉウェハへ貼合したものについては、貼合直後から２４時間放置後テープ浮きが発生するかどうか観察を実施した。浮きがまったく発生しないものは○、ウェハ表面の３０％以上浮いたものを△、５０％以上浮いたものを×とした。

・装置内搬送テスト
ウェハ裏面研削後の装置内搬送は、ＤＩＳＣＯ社製フルオートグラインダＤＧＰ８７６０＋ウェハマウンタＤＦＭ２７００を用いて、吸着エラーが発生しないか、マウンタへの自動搬送が可能か確認した。吸着エラー、マウンタでの８０℃ダイシングダイボンディングテープ貼合時にチャックテーブル融着が発生しなかったものを○、搬送時にエラーが発生あるいはチャックテーブル融着が発生したものを×とした。

・ダスト侵入（シーページ）
表面の全面に亘って幅５０μｍ、深さ３０μｍの溝が５ｍｍ間隔で形成された直径８インチのシリコンウェハの、溝を形成した面にラミネータ（商品名：ＤＲ−８５００ＩＩ、日東電工製）を用いてチャックテーブルを６０℃に加温した状態で半導体ウェハ加工用粘着テープを貼合した。この半導体ウェハ加工用粘着テープが貼合されたウェハを、グラインダ（商品名：ＤＧＰ８７６０、ＤＩＳＣＯ製）で厚み５０μｍまで裏面研削を行い、研削後のウェハ外周部から溝への切削水の浸入を調査した。各半導体ウェハ加工用粘着テープを用いて５回これを評価し、５回とも侵入が全くなかったものを◎、５回とも浸入がほとんど見られなかったものを○、５回のうち１回僅かに浸入が見られたものを△、５回とも浸入が明らかに見られたものを×とした。

・薄膜研削性
１００μｍ高さ電極付きＳｉウェハを厚み５０μｍまで裏面研削を行い、研削後のウェハに割れ・ディンプルが無かったものを○、割れてはいないもののディンプルが発生したものを△、一部が割れていたものを×とした。

これらの結果を下記の表１および２にまとめて示す。

表１、２に示すように、比較例１では基材フィルムを有さず、ＥＶＡ単層であること、低弾性率層のエチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が少ないことからウェハへの密着もできず研削時の割れ・チャックテーブル融着が発生した。比較例２では低弾性率層を有さないことからウェハ表面の電極へ密着せず、密着性、ダスト侵入および薄膜研削性が不十分であった。比較例３では粘着剤層に放射線硬化型粘着剤層を使用していないことから、密着性とダスト侵入が不十分であった。
これに対して実施例１〜１４では、基材フィルムのヤング率、低弾性率層の貯蔵弾性率およびｔａｎδ、膜厚の関係をコントロールしたことによって、いずれも良好な性能を示した。

１基材フィルム（高弾性）
２低弾性率層
３粘着剤層
４ウェハパターン層（配線・電極など）
５ウェハＳｉ層

Claims

高弾性基材フィルムの片側の面に少なくとも１層以上の低弾性率層を有し、該低弾性率層上に放射線硬化型粘着剤層を有し、
該高弾性基材フィルムのヤング率が５．０×１０^８Ｐａ〜１．１×１０^１０Ｐａであり、
該低弾性率層の２５℃での貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）が２．５×１０^５Ｐａ〜４．０×１０^５Ｐａで、６０℃での貯蔵弾性率Ｇ’（６０℃）が０．２×１０^５Ｐａ〜１．５×１０^５Ｐａであって、その比Ｇ’（６０℃）／Ｇ’（２５℃）が０．５以下であり、
該低弾性率層の２５℃での損失正接ｔａｎδ（２５℃）が０．０８〜０．１５であり、６０℃での損失正接ｔａｎδ（６０℃）との比ｔａｎδ（６０℃）／ｔａｎδ（２５℃）が４．０以上であり、かつ、
該放射線硬化型粘着剤層の厚みが５〜１００μｍであって、該低弾性率層と該放射線硬化型粘着剤層の厚みの比、放射線硬化型粘着剤層厚み／低弾性率層厚み、が１／２以下であることを特徴とする半導体ウェハ加工用粘着テープ。
前記半導体ウェハ加工用粘着テープが、表面に１０μｍ以上の突起を有する半導体ウェハの該表面に貼付して使用する半導体ウェハ加工用粘着テープであり、前記低弾性率層の厚みが、該半導体ウェハ加工用粘着テープの厚みの１／２以上であって、該低弾性率層が、酢酸ビニル成分が１０〜４５質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。
前記高弾性基材フィルムが、ポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載の導体ウェハ加工用粘着テープ。
前記半導体ウェハ加工用粘着テープの厚さ方向の圧縮時変形量が、２５℃で１３０μｍ〜１７０μｍであり、５０Ｎの応力付加で３分間保持後の応力減少率が１５％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ加工用粘着テープ。