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CN108028190A - 半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法 - Google Patents

半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法 Download PDF

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CN108028190A
CN108028190A CN201580083004.3A CN201580083004A CN108028190A CN 108028190 A CN108028190 A CN 108028190A CN 201580083004 A CN201580083004 A CN 201580083004A CN 108028190 A CN108028190 A CN 108028190A
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semiconductor wafer
wafer surface
semiconductor
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大仓雅人
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

本发明提供在预切割法及预隐形法中抑制划偏、及能够在不将半导体晶圆破损或污染的情况下剥离的半导体晶圆表面保护用粘合带。本发明的半导体晶圆表面保护用粘合带(1)的特征在于，其具有基材树脂膜(2)和形成于上述基材树脂膜(2)的至少单面侧的粘合剂层(4)，上述基材树脂膜(2)具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，上述粘合剂层(4)为放射线固化型时在放射线固化后的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm，上述粘合剂层(4)为压敏型时加热至50℃时的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。

Description

半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法
技术领域
本发明涉及半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法。进一步详细而言，涉及能够适用于半导体晶圆的薄膜磨削工序的半导体晶圆表面保护用粘合带和使用了该半导体晶圆表面保护用粘合带的半导体晶圆的加工方法。
背景技术
在半导体晶圆的制造工序中，图案形成后的半导体晶圆通常为了减薄其厚度，对半导体晶圆背面实施背面磨削加工、蚀刻等处理。此时，出于保护半导体晶圆表面的图案的目的而在该图案面粘贴半导体晶圆表面保护用粘合带。半导体晶圆表面保护用粘合带一般在基材树脂膜上层叠粘合剂层而成，在半导体晶圆的背面粘贴粘合剂层而使用。
伴随着近年来的高密度安装技术的进步，有半导体晶圆的薄厚化的要求，根据情况，要求进行薄厚加工至50μm以下的厚度。作为这样的加工方法之一，有在半导体晶圆的背面磨削加工之前，在半导体晶圆表面形成规定深度的槽，接着通过进行背面磨削而将芯片单片化的预切割法(例如，参照专利文献1)。此外，有如下所述的预隐形法：在背面磨削加工之前，通过对半导体晶圆内部照射激光而形成改性区域，接着通过进行背面磨削而将芯片单片化(例如，参照专利文献2)。
然而，在预切割法及预隐形法中为了抑制单片化后的芯片偏离(划偏，kerfshift)，要求使用的半导体晶圆表面保护用粘合带的弹性模量高，但若提高半导体晶圆表面保护用粘合带的弹性模量，则由于变得难以弯曲，所以将半导体晶圆表面保护用粘合带从半导体晶圆的表面剥离时的剥离角度变成锐角，存在半导体晶圆容易破损、或者容易引起在半导体晶圆的表面附着半导体晶圆表面保护用粘合带的粘合剂的残渣的残胶等半导体晶圆污染这样的问题。
此外，在预切割法或预隐形法中，由于芯片在磨削加工的途中被单片化，所以若半导体晶圆表面保护用粘合带的剥离性差，则产生在剥离时从贴合于半导体晶圆的背面的切割带或切割芯片接合膜摘下芯片的现象(以下，称为芯片剥离)。
因而，对于适用于预切割法及预隐形法的半导体晶圆表面保护用粘合带，要求抑制划偏、及没有包含芯片剥离在内的晶圆的破损和污染。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平05-335411号公报
专利文献2：日本特开2004-001076号公报
发明内容
发明所要解决的课题
因此，本发明的目的是提供在适用预切割法或预隐形法的情况下抑制划偏、及能够在不将半导体晶圆破损或污染的情况下剥离的半导体晶圆表面保护用粘合带。
用于解决课题的方案
对上述课题进行了深入研究，结果发现，通过在基材树脂膜上设置刚性层，同时降低剥离角度低的状态下的剥离力，能够解决上述课题。本发明是基于该见解而进行的发明。
为了解决上述课题，基于本申请发明的半导体晶圆表面保护用粘合带的特征在于，其具有基材树脂膜和形成于上述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性的粘合剂层，上述基材树脂膜具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，使上述粘合剂层放射线固化后的对于以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
此外，为了解决上述课题，基于本申请发明的半导体晶圆表面保护用粘合带的特征在于，其具有基材树脂膜、和形成于上述基材树脂膜的至少单面侧且通过放射线的照射不会固化的粘合剂层，上述基材树脂膜具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，50℃下的对于以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
上述半导体晶圆表面保护用粘合带优选由在下述条件(a)～(d)下测定的环刚度的负荷载荷求出的每单位宽度的排斥力为2～15mN/mm。
(a)装置
环刚度测试仪(商品名、株式会社东洋精机制作所制)
(b)环(试验片)形状
长度为50mm、宽度为10mm、试验片方向为带MD方向
(c)压头的压入速度
3.3mm/sec
(d)压头的压入量
从压头与环接触的时刻起压入5mm
此外，上述半导体晶圆表面保护用粘合带优选上述刚性层与上述粘合剂层之间的层仅包含拉伸弹性模量低于1GPa的层，上述粘合剂层的厚度与上述拉伸弹性模量低于1GPa的层的厚度的合计为60μm以下。
此外，上述半导体晶圆表面保护用粘合带优选上述粘合剂层在化学机械研磨用的浆料中浸渍24小时后的不溶成分相对于浸渍于上述浆料中之前的比例为75％以上，所述浆料是在pH12的氢氧化钠水溶液中分散14重量％的平均粒径为50nm的胶体二氧化硅而得到的。
此外，上述半导体晶圆表面保护用粘合带优选上述粘合剂层含有在侧链上具有烯属不饱和基团的放射性反应性树脂，且包含用于通过照射放射线而与上述放射性反应性树脂反应并使剥离力下降的改性剂。
此外，上述半导体晶圆表面保护用粘合带优选上述改性剂为非有机硅系。
此外，为了解决上述课题，基于本申请发明的半导体晶圆的制造方法的特征在于，其包括以下工序：(a)沿半导体晶圆的截断预定线，从上述半导体晶圆的表面形成低于上述半导体晶圆的厚度的槽的工序；(b)在形成有上述槽的上述半导体晶圆表面，贴合本发明所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的工序；(c)通过将上述半导体晶圆背面进行磨削，从而将上述半导体晶圆单片化的工序。
此外，为了解决上述课题，基于本申请发明的半导体晶圆的制造方法的特征在于，其包括以下工序：(a)通过对半导体晶圆的截断预定线上的上述半导体晶圆内部照射激光而形成改性区域的工序；(b)在上述(a)的工序之前或之后，在半导体晶圆表面贴合本发明所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的工序；(c)通过将上述半导体晶圆背面进行磨削，从而将上述半导体晶圆单片化的工序。
此外，上述半导体晶圆的制造方法也可以在上述(c)的工序中，包含进行化学研磨的工序。
发明效果
根据本发明所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，在适用预切割法或预隐形法的半导体晶圆的背面磨削工序中，能够抑制经单片化的半导体芯片的划偏，同时能够在不将半导体晶圆破损或污染的情况下进行加工。
附图说明
图1是示意性表示本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的结构的截面图。
图2是示意性表示使用了本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的背面研磨工序的截面图。
图3是示意性表示使用了本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的背面研磨工序的截面图。
图4是示意性表示使用了本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的背面研磨工序之后的切割工序的截面图。
图5是示意性表示使用了本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的背面研磨工序之后的切割工序的截面图。
图6是示意性表示使用了本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的背面研磨工序之后的扩展工序的截面图。
图7是示意性表示使用了本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的背面研磨工序之后的拾取工序的截面图。
图8是表示实施例及比较例的评价中使用的模拟半导体晶圆的电路图案及设置于切断预定部位的槽的模拟高低差的位置、形状、大小的截面图。
图9是表示实施例及比较例的评价中的切口宽度的观察地点的说明图。
图10是用于对本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的剥离角度30°下的剥离力的测定方法进行说明的说明图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。图1是示意性表示本发明的实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带1的结构的截面图。
如图1中所示的那样，本实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带1具有基材树脂膜2，在基材树脂膜2的至少单面侧设置有粘合剂层4。在粘合剂层4上，根据需要也可以按照表面经脱模处理的剥离膜(未图示)的脱模处理面位于粘合剂层4侧的方式层叠。
(基材树脂膜2)
作为本发明的半导体晶圆表面保护用粘合带1的基材树脂膜2，可以使用公知的塑料、橡胶等。基材树脂膜2特别是在粘合剂层4中使用放射线固化性的组合物的情况下，选择该组合物固化的波长的放射线的透射性良好的膜较佳。另外，这里，所谓放射线例如是将紫外线那样的光、或者激光、或电子射线那样的电离性放射线总称而言的，以下，将它们总称而称为放射线。
作为这样的基材树脂膜2可选择的例子，有聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基1-戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或者它们的混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或者戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体、及它们的混合物。此外，也可以使用将它们制成多层而得到的膜。
本实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带1的基材树脂膜2在用于预切割法及预隐形法的情况下为了降低划偏量，在用于通常的背面磨削工序的情况下为了抑制半导体晶圆5(参照图2)的翘曲，包含拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层作为必须要素。作为构成该刚性层的树脂，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系膜等。
但是，若具有刚性层，则由于弯曲性下降，所以变得难以将半导体晶圆表面保护用粘合带1剥离，在剥离时变得容易引起半导体晶圆5的破损、残胶。从这点出发，刚性膜的厚度为10～100μm是适当的，优选为10～50μm，更优选为20～40um。进而，作为弯曲性的指标的环刚度中的排斥力优选为2～15mN/25mm以下，更优选为5～13mN/25mm。其中，环刚度中的排斥力是由在下述条件(a)～(d)下测定的环刚度的负荷载荷求出的每单位宽度的排斥力。
(a)装置
环刚度测试仪(商品名、株式会社东洋精机制作所制)
(b)环(试验片)形状
长度为50mm、宽度为10mm、试验片方向为带MD方向
(c)压头的压入速度
3.3mm/sec
(d)压头的压入量
从压头与环接触的时刻起压入5mm
此外，使用在刚性层的单面或者两面层叠有聚烯烃层的基材树脂膜2，这从半导体晶圆5的背面磨削时的缓冲性的赋予、半导体晶圆5表面的凹凸向粘合剂层4中的埋入性的提高、进而与在将半导体晶圆表面保护用粘合带1剥离时使用的热封剂的密合性的提高这样的观点出发也优选。作为适用于层叠的聚烯烃层的树脂，优选低密度聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚丙烯等。
作为将各层层叠而形成基材树脂膜2的方法，可以适用例如使用了粘合剂、粘接剂等的贴合或共挤出等公知的方法。
对于基材树脂膜2的设置粘合剂层4一侧的表面，为了提高与粘合剂层4的密合性，也可以适当实施电晕处理、设置底漆层等处理。另外，也优选将基材树脂膜2的没有设置粘合剂层4一侧的表面进行压花加工或者润滑剂涂敷，由此，可以得到本发明的表面保护用粘合带保管时的防粘连等效果。
(粘合剂层4)
如图1中所示的那样，本实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带1在基材树脂膜2上形成有粘合剂层4。
构成粘合剂层4的粘合剂组合物只要是在半导体晶圆5的磨削时能够充分保持与半导体晶圆5的密合性、在半导体晶圆表面保护用粘合带1的剥离时不会产生半导体晶圆5的破损的组合物则没有特别限定，但优选选择下述记载那样的低角度下的剥离力变低的组合物。主要成分的聚合物(粘合剂基础树脂)优选为(甲基)丙烯酸树脂。通过使用(甲基)丙烯酸树脂作为主要成分的聚合物，粘合力的控制变得容易，能够控制弹性模量等。
作为构成粘合剂层4的粘合剂组合物，从剥离性的观点出发，优选使用放射线固化型的粘合剂。为了通过放射线的照射使其固化，粘合剂基础树脂等树脂具有烯属不饱和基团(非芳香族性的碳-碳双键)，或在粘合剂基础树脂中并用具有烯属不饱和基团的化合物。在本发明中，粘合剂基础树脂等树脂使用在侧链上具有烯属不饱和基团的树脂也从剥离性的观点出发特别优选。此外，优选在粘合剂组合物中含有光聚合引发剂及交联剂，为了调整粘合剂层4的弹性模量或粘合力，优选含有交联剂。
作为构成粘合剂层4的粘合剂组合物，在使用通过放射线的照射不会固化的所谓的压敏型的粘合剂的情况下，代替放射线的照射，也可以通过在剥离时施加例如50℃左右的热而使剥离力下降。作为这样的压敏型的粘合剂，可以使用包含由(甲基)丙烯酸烷基酯单体衍生的构成单元和由丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯和/或丙烯酸2-羟基丁酯衍生的构成单元、且包含由该(甲基)丙烯酸烷基酯单体衍生的构成单元的共聚物通过异氰酸酯化合物交联而成的粘合剂。
[具有烯属不饱和基团的树脂]
具有烯属不饱和基团的树脂可以是任意的树脂，但优选(甲基)丙烯酸树脂。作为树脂中含有的双键的量的指标的碘值优选为0.5～20。该碘值更优选为0.8～10。若碘值为0.5以上，则能够得到放射线照射后的粘合力的降低效果，若碘值为20以下，则能够防止过度的放射线固化。此外，具有烯属不饱和基团的树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-70℃～0℃。若玻璃化转变温度(Tg)为-70℃以上，则相对于伴随半导体晶圆5的加工工序的热的耐热性增加。
具有烯属不饱和基团的树脂可以是任意操作而制造的树脂，但优选使具有烯属不饱和基团和与上述树脂中的官能团(α)反应的官能团(β)的化合物与侧链上具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸树脂反应，在(甲基)丙烯酸树脂的侧链上导入烯属不饱和基团的方法。
作为烯属不饱和基团，可以是任意的基团，但优选(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基、(甲基)丙烯酰基氨基、烯丙基、1-丙烯基、乙烯基(包含苯乙烯或者取代苯乙烯)，更优选(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基。作为与官能团(α)反应的官能团(β)，可列举出羧基、羟基、氨基、巯基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等。
这里，在官能团(α)和官能团(β)中的一个官能团为羧基、羟基、氨基、巯基、或环状酸酐基的情况下，另一个官能团可列举出环氧基、异氰酸酯基，在一个官能团为环状酸酐基的情况下，另一个官能团可列举出羧基、羟基、氨基、巯基。另外，在一个官能团为环氧基的情况下，另一个官能团也可以为环氧基。
在侧链上具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸树脂可通过使具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸或(甲基)丙烯酰胺聚合而得到。作为官能团(α)，可列举出羧基、羟基、氨基、巯基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等，优选羧基、羟基，特别优选羟基。
作为这样的单体，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、将聚异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分以具有羟基或羧基及放射线固化性碳-碳双键的单体进行氨基甲酸酯化而得到的物质等。它们中，优选丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯，更优选丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类，进一步优选丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类。
具有烯属不饱和基团的树脂优选与上述的单体一起与(甲基)丙烯酸酯等其他单体的共聚物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正戊酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸己酯、及与它们对应的甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸酯可以是1种也可以是2种以上，但优选将醇部的碳原子数为5以下的(甲基)丙烯酸酯与碳原子数为6～12的(甲基)丙烯酸酯并用。具有烯属不饱和基团的树脂优选除了(甲基)丙烯酸酯以外还将(甲基)丙烯酸进一步共聚而得到的共聚物。
具有烯属不饱和基团的树脂、特别是具有烯属不饱和基团的树脂的聚合反应可以是溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合中的任一者。在使具有烯属不饱和基团和与上述树脂中的官能团(α)反应的官能团(β)的化合物、与侧链上具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸树脂反应时，通过使一者过量而反应，残留未反应的官能团，能够调整为所期望的粘合物性及弹性模量。
作为聚合引发剂，通常使用α,α’-偶氮双异丁腈等偶氮双系、过氧化苯甲酰等有机过氧化物系等自由基产生剂。此时，根据需要可以并用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度及聚合时间，能够得到所期望的分子量的树脂。此外，关于调节分子量，优选使用硫醇、四氯化碳系的溶剂。
具有烯属不饱和基团的树脂的平均分子量优选为20万～150万左右，更优选为70万～120万。通过减少低分子量成分，能够抑制半导体晶圆5表面污染，优选例如分子量为10万以下的分子设定为整体的10％以下等。若分子量超过150万，则有可能在合成时及涂装时凝胶化。另外，由于若具有烯属不饱和基团的树脂具有羟值成为5～100mgKOH/g的OH基，则通过减少放射线照射后的粘合力，能够进一步降低带剥离不良的危险性，所以优选。
对具有烯属不饱和基团和与官能团(α)反应的官能团(β)的化合物进行说明。烯属不饱和基团优选之前说明的基团，优选的范围也相同。与官能团(α)反应的官能团(β)可列举出之前说明的基团。作为官能团(β)，特别优选异氰酸酯基。
作为具有烯属不饱和基团和与官能团(α)反应的官能团(β)的化合物，可列举出具有官能团(α)的单体的化合物、在醇部具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，优选在醇部具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯。作为在醇部具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，优选在醇部的末端具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，除醇部的异氰酸酯基以外的碳原子数优选为2～8，醇部优选直链烷基的醇。作为在醇部具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，优选可列举出例如丙烯酸2-异氰酸根合乙酯、甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯。
[交联剂]
作为交联剂，优选聚异氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂或具有2个以上的环氧基的环氧化合物，特别优选聚异氰酸酯类。交联剂可以单独使用或将2种以上组合使用。交联剂通过将树脂聚合物交联，能够在粘合剂涂布后提高粘合剂的凝聚力。
作为聚异氰酸酯类，可列举出例如六亚甲基二异氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、2,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯撑二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯、4,4’-二苯基醚二异氰酸酯、4,4’-〔2,2-双(4-苯氧基苯基)丙烷〕二异氰酸酯等，具体而言，作为市售品，可以使用Coronate L(NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制)等。
三聚氰胺·甲醛树脂可以使用作为市售品的Nikalac MX-45(SANWA ChemicalCo.,Ltd.制)、Melan(日立化成工业株式会社制)等。进而，作为环氧树脂，可以使用TETRAD-X(三菱化学株式会社制)等。
交联剂的添加量相对于具有烯属不饱和基团的树脂100质量份优选设定为0.1～20质量份，进一步优选设定为1.0～10质量份，与具有烯属不饱和基团的树脂的官能团数相适应，此外，为了得到所期望的粘合物性、弹性模量而适当调整其量。交联剂的量低于0.1质量份时，存在凝聚力提高效果不充分的倾向，若超过20质量份，则由于在粘合剂的配合及涂布作业中固化反应急速地进行，存在形成交联结构的倾向，所以有可能损害作业性。
[光聚合引发剂]
在选定放射线固化型粘合剂作为粘合剂层4的情况下，根据需要可以包含光聚合引发剂。对于光聚合引发剂，只要是通过透射基材的放射线而反应的光聚合引发剂，则没有特别限制，可以使用以往已知的光聚合引发剂。可列举出例如二苯甲酮、4,4’-二甲基氨基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮等二苯甲酮类、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类、2-氯噻吨酮、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶酰、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(洛粉碱(lophine)二聚物)、吖啶系化合物、酰基氧化膦类等，它们可以单独使用或将2种以上组合使用。光聚合引发剂的添加量相对于具有烯属不饱和基团的树脂100质量份优选设定为0.1～10质量份，更优选设定为0.5～5质量份。
[其他添加物]
在粘合剂层4中根据需要可以配合粘合赋予剂、粘合调整剂、表面活性剂等、或者改性剂等。此外，也可以适当添加无机化合物填料。在本发明中，添加改性剂也从剥离性的观点出发优选。改性剂可列举出有机硅化合物、氟系化合物、含长链烷基的化合物等，通过添加使低角度下的剥离力下降，以及通过相对于水的接触角上升，能够抑制尘埃侵入抑制。为了防止改性剂向半导体晶圆5表面的转移，改性剂优选为具有烯属不饱和基团的化合物，进而，粘合剂基础树脂更优选为在侧链上具有烯属不饱和基团的树脂。作为具有烯属不饱和基团的改性剂，具体而言，作为市售品，可列举出作为有机硅丙烯酸酯的Ebecryl 360(DAICEL-ALLNEX LTD.制)或作为氟系表面改性剂的Megaface RS-72-K(DIC株式会社制)等。从对半导体晶圆5表面的影响的观点出发，更优选为氟系化合物。
粘合剂层4例如可以通过将上述的粘合剂组合物涂布于剥离膜上，使其干燥后转印到基材树脂膜2上来形成。粘合剂层4的厚度优选为1～60μm。
其中，在预切割法及预隐形法中，由于在半导体晶圆的背面磨削中，在芯片间形成空隙，所以若进行CMP(chemical mechanical polishing、化学机械研磨)或蚀刻之类的磨削后的研磨处理，则担心半导体晶圆会被浆料污染，或者半导体晶圆表面保护用粘合带的粘合剂被浆料侵蚀，半导体晶圆被变脆的粘合剂污染。进而，在预切割法及预隐形法中，由于在磨削的途中半导体晶圆5被芯片11化，所以与通常的磨削相比容易产生由磨削尘埃引起的对半导体晶圆5表面的污染。
因此，更加要求表面保护带与半导体晶圆5表面的密合性。但是，获知在一般已知那样的为了提高密合性而使粘合剂层4变厚的方法中，由于在预切割法或预隐形法中芯片11在磨削中沿深度方向振动，反而处于容易产生尘埃侵入的状态。因而，粘合剂层4较薄反而适合，更优选为5～30μm，在形成于刚性层与粘合剂层4之间的层仅包含拉伸弹性模量低于1GPa的层时，粘合剂层4的厚度与拉伸弹性模量低于1GPa的层的厚度的合计优选为5～60μm，更优选为5～30μm。由于为形成于刚性层与粘合剂层4之间的层仅包含拉伸弹性模量低于1GPa的层的情况，所以在具有多个刚性层时，是指形成于最接近粘合剂层4的刚性层与粘合剂层4之间的层仅包含拉伸弹性模量低于1GPa的层的情况。作为拉伸弹性模量低于1GPa的层，可列举出除刚性层以外的构成基材树脂膜的层、用于将构成基材树脂膜的多个层贴合的粘接剂层等。
此外，粘合剂的储藏弹性模量优选在25℃下为0.01～0.1MPa，更优选在50℃下为0.02～0.1MPa。通过将粘合剂层4的储藏弹性模量设定为该范围，即使粘合剂层4的厚度小也容易防止尘埃侵入，此时也难以引起剥离时的残胶、芯片剥离。此外，粘合剂层4也可以是多个粘合剂层4层叠而成的构成。
此外，粘合剂层4在半导体晶圆5的背面的化学研磨中使用的浆料中浸渍24小时后的不溶成分相对于浸渍于浆料中之前的比例(凝胶分率)优选为75％以上，更优选为90％以上。通过将粘合剂层4的相对于浆料的凝胶分率设定为75％以上，能够抑制粘合剂被从经单片化的芯片11间侵入的浆料侵蚀而污染晶圆表面。浆料例如可以制成在pH12的氢氧化钠水溶液中分散14重量％的平均粒径为50nm的胶体二氧化硅而得到的化学机械研磨用的浆料。
此外，基于本发明的半导体晶圆表面保护用粘合带1在粘合剂层4为放射线固化型的粘合剂层4的情况下在放射线照射后，在粘合剂层4为压敏型的粘合剂层4的情况下在50℃加热条件下，在剥离角度为30°、拉伸速度为20mm/min时的剥离力必须为0.1～3.0N/25mm，优选为0.5～1.8N/25mm。即使是使用放射线固化型的粘合剂层4作为粘合剂层4的情况下，也可以通过在放射线固化后在50℃加热条件下剥离而使剥离力下降，该情况下，是指50℃加热条件下的剥离力。若剥离力低于0.1N/25mm，则将半导体晶圆5的背面进行磨削而单片化成芯片11后，有可能在向下一工序中的搬送中芯片11发生偏离，若超过3.0N/25mm，则在将半导体晶圆表面保护用粘合带1剥离时，变得容易产生由贴合于半导体晶圆5的背面的切割带6或切割芯片接合膜摘下芯片11的芯片剥离或半导体晶圆表面保护用粘合带1的粘合剂的残渣附着于半导体晶圆5的表面的残胶。
半导体晶圆表面保护用粘合带1从半导体晶圆5上的剥离是将粘合型或者热封型的剥离用带粘接于半导体晶圆表面保护用粘合带1的端部，从端部进行剥离。在剥离的初期，由于半导体晶圆表面保护用粘合带1与半导体晶圆5的剥离成锐角，所以与面上的剥离接近，与90°剥离等相比成为非常大的剥离力。例如，就后述的比较例1的半导体晶圆表面保护用粘合带1而言，尽管90°剥离下的剥离力为0.4N/25mm，但是30°剥离下的剥离力为3.6N/25mm，若以该状态进行从磨削后的薄的半导体晶圆5或经芯片11化的半导体晶圆5的剥离，则引起晶圆裂纹或芯片剥离的风险非常高。特别是由于基材树脂膜2具有刚性层，所以弯曲性差，因此难以揪住剥离起始部，因此更容易引起晶圆裂纹等。
其中，本发明中的所谓剥离角度30°是相对于被粘物的拉伸方向的角度，实际的被粘物与半导体晶圆表面保护用粘合带1的剥离角度根据半导体晶圆表面保护用粘合带1的刚性而发生变化。
剥离角度30°下的剥离力可以通过如下方式得到：由半导体晶圆表面保护用粘合带1采集宽度25mm×长度300mm的试验片，将该试样在以JIS R6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)板上，对上述试验片以3个往复压接2kg的橡胶辊，在粘合剂为放射线固化型时通过放射线使其固化后放置1小时后，在粘合剂为压敏型时在将SUS板加热至50℃的状态下，使用测定值落入其容量的15～85％的范围的适合于JIS B 7721的拉伸试验机，在拉伸速度为20mm/min、气氛温度为25℃、相对湿度为50％的条件下剥落，测定剥离角度θ为30°(参照图10)下的剥离力。
为了降低剥离角度30°下的剥离力，降低半导体晶圆表面保护用粘合带1的弯曲性、在与被粘物的粘合部分中没有局部地伸长等是重要的。具体而言，关于弯曲性，如上述那样，调整基材树脂膜2的刚性及厚度，关于局部的伸长，可以通过刚性层上的厚度或改性层的添加、其他粘合剂组成构成等来调整。
(剥离膜)
此外，对于本发明的表面保护用粘合带，根据需要剥离膜被设置于粘合剂层4上。剥离膜也被称为隔膜或剥离层、剥离衬里，为了保护粘合剂层4的目的、此外为了使粘合剂变得平滑的目的而设置。作为剥离膜的构成材料，可列举出聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂膜或纸等。为了提高从粘合剂层4的剥离性，也可以根据需要对剥离膜的表面实施有机硅处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。此外，根据需要，为了防止粘合剂层4通过环境紫外线等非有意的紫外线的暴露而反应，也优选实施防紫外线处理。剥离膜的厚度通常为10～100μm，优选为25～50μm左右。
<用途>
作为本发明的晶圆加工用带1的使用用途，可以在使用了预切割法或预隐形法的半导体晶圆5的制造方法、例如以下的半导体晶圆5的制造方法(A)～(B)中适当使用。
半导体晶圆5的制造方法(A)是包含以下工序的半导体晶圆5的制造方法，所述工序如下所述：
(a)在半导体晶圆5的截断预定线上，从上述半导体晶圆5的表面形成低于上述半导体晶圆5的厚度的槽7的工序；
(b)在形成有上述槽7的上述半导体晶圆5表面，贴合上述的半导体晶圆表面保护用粘合带1的工序；以及
(c)通过将上述半导体晶圆5背面进行磨削，从而将上述半导体晶圆5单片化的工序。
半导体晶圆5的制造方法(B)是包含以下工序的半导体晶圆5的制造方法，其特征在于，所述工序如下所述：
(a)通过对半导体晶圆5的截断预定线上的上述半导体晶圆5内部照射激光而形成改性区域的工序；
(b)在上述(a)的工序之前或之后，在半导体晶圆5表面贴合上述的半导体晶圆表面保护用粘合带1的工序；以及
(c)通过将上述半导体晶圆5背面进行磨削，从而将上述半导体晶圆5单片化的工序。
<使用方法>
接着，对本发明的半导体晶圆表面保护用粘合带1的使用方法、即半导体晶圆5的加工方法的一个例子进行说明。首先，如图2中所示的那样，使用刀片(未图示)或激光从半导体晶圆5的表面侧在半导体晶圆5上形成与最终制品厚度同等以上深度的槽7(开槽工序)后，在形成有电路图案的半导体晶圆5的表面，贴合半导体晶圆表面保护用粘合带1的粘合剂层4(保护带贴合工序)。
接着，如图3的(A)中所示的那样，对于形成有槽7的半导体晶圆5，通过以磨削装置8磨削背面的磨削工序，如图3的(B)中所示的那样，进行磨削至到达槽7。由此，半导体晶圆5被单片化成芯片11。根据需要，在磨削工序之后以提高半导体晶圆5的抗折强度等为目的而进行研磨或蚀刻处理。作为研磨，可以使用化学机械研磨(CMP)。此时，若粘合剂层4的相对于浆料的凝胶分率为75％，则能够抑制粘合剂被从经单片化的芯片11间侵入的浆料侵蚀而污染晶圆表面。
在磨削、研磨工序结束后，如图4中所示的那样，使切割带6或者切割芯片接合膜贴合于半导体晶圆5的背面，同时在切割带6的外周部贴合环形框架9。之后，如图5中所示的那样，将半导体晶圆表面保护用粘合带1剥离。此时，本实施方式所述的半导体晶圆表面保护用粘合带1由于剥离角度为30°、拉伸速度为20mm/min下的剥离力为0.1～3.0N/25mm，所以在将半导体晶圆5的背面磨削而单片化成芯片11后，能够降低在向下一工序的搬送中芯片11发生偏离(划偏)，同时能够降低包含芯片剥离在内的晶圆的破损的发生。
之后，例如，如图6中所示的那样，将贴合有半导体晶圆5及环形框架9的切割带6载置于扩展装置的台子(未图示)上，在将环形框架9固定的状态下，使扩展装置的顶出构件10上升，将切割带6进行扩展。
然后，如图7中所示的那样，通过从切割带6的背面侧以顶出针12将芯片11顶出后通过夹头13吸附而拾取，能够得到半导体芯片11。
上述中，对使用了预切割法的半导体晶圆表面保护用粘合带1的使用方法进行了说明，但也可以使用预隐形法来代替预切割法。在使用预隐形法的情况下，代替开槽工序，实施通过对半导体晶圆5内部照射激光而形成改性区域的改性区域形成工序。改性区域形成工序也可以在保护带贴合工序之后实施。
<实施例>
以下，基于实施例对本发明进一步进行详细说明，但本发明并不限定于这些实施例。
如下述那样制备粘合剂组合物，通过以下的方法制作半导体晶圆表面保护用粘合带，评价其性能。
〔粘合剂层组合物的制备〕
[粘合剂层组合物2A]
相对于包含丙烯酸2-乙基己酯83质量份、丙烯酸2-羟基酯16质量份、甲基丙烯酸1质量份的共聚物100质量份，使作为放射线反应基的异氰酸甲基丙烯酰氧基乙酯10质量份反应，添加作为聚异氰酸酯的Coronate L(商品名、Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制)0.8质量份、作为光聚合引发剂的SPEEDCURE BKL(商品名、DKSH Japan K.K.制)5.0质量份并混合，得到粘合剂组合物2A。
[粘合剂层组合物2B]
除了添加2质量份作为氟系改性剂的Megaface RS-72-K(商品名、DIC株式会社制)以外，与粘合剂组合物2A同样地操作，得到粘合剂组合物2B。
[粘合剂层组合物2C]
除了添加0.2质量份作为有机硅系改性剂的Ebecryl 360(商品名、DAICEL-ALLNEXLTD.制)以外，与粘合剂组合物2A同样地操作，得到粘合剂组合物2C。
[粘合剂层组合物2D]
相对于包含丙烯酸2-乙基己酯80质量份、丙烯酸2-羟基酯19质量份、甲基丙烯酸1质量份的共聚物100质量份，添加5官能的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物80质量份、3官能的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物20质量份、作为聚异氰酸酯的Coronate L(商品名、NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制)5.0质量份、作为光聚合引发剂的SPEEDCURE BKL(商品名、DKSH Japan K.K.制)4.0质量份并混合，得到粘合剂组合物2D。
[粘合剂层组合物2E]
相对于包含丙烯酸2-乙基己酯80质量份、丙烯酸2-羟基酯19质量份、甲基丙烯酸1质量份的共聚物100质量份，添加5官能的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物100质量份、3官能的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物30质量份、作为聚异氰酸酯的Coronate L(商品名、NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制)5.0质量份、作为光聚合引发剂的SPEEDCURE BKL(商品名、DKSH Japan K.K.制)4.0质量份并混合，得到粘合剂组合物2D。
[粘合剂层组合物2F]
相对于包含丙烯酸2-乙基己酯80质量份、丙烯酸2-羟基酯19质量份、甲基丙烯酸1质量份的共聚物100质量份，添加作为聚异氰酸酯的Coronate L(商品名、Nippon PolyurethaneIndustry Co.,Ltd.制)3.0质量份并混合，得到粘合剂组合物2E。
[半导体晶圆表面保护用粘合带的制作]
[实施例1]
使用2μm的粘接剂将厚度为38μm、拉伸弹性模量为2GPa的经两面电晕处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜与厚度为40μm的聚丙烯膜贴合，得到合计为80μm的层叠基材树脂膜。接着，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为30μm的方式涂布粘合剂组合物2B，干燥后，与上述80μm的层叠基材树脂膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯面贴合，得到厚度为110μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[实施例2]
除了使用2C作为粘合剂组合物以外，通过与实施例1同样的方法，得到厚度为110μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[实施例3]
除了使用2A作为粘合剂组合物以外，通过与实施例1同样的方法，得到厚度为110μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[实施例4]
除了使用2D作为粘合剂组合物以外，通过与实施例1同样的方法，得到厚度为110μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[实施例5]
在厚度为50μm、拉伸弹性模量为2GPa的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的两面上，按照厚度成为30μm的方式将低密度聚乙烯膜挤出并成型，对低密度聚乙烯的单面进行电晕处理，得到合计为110μm的层叠基材树脂膜。接着，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为20μm的方式涂布粘合剂组合物2A，干燥后，与上述110μm的层叠基材树脂膜的经电晕处理的低密度聚乙烯面贴合，得到厚度为130μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[实施例6]
除了将层叠基材树脂膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜设定为厚度为25μm、拉伸弹性模量为2GPa的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜以外，通过与实施例5同样的方法，得到厚度为105μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[实施例7]
在厚度为50μm、拉伸弹性模量为2GPa的经两面电晕处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面上，按照厚度成为10μm的方式将低密度聚乙烯膜挤出并成型，得到厚度为60μm的层叠基材树脂膜。接着，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为50μm的方式涂布粘合剂组合物2F，干燥后，与上述60μm的层叠基材树脂膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯面贴合。进而，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为20μm的方式涂布粘合剂组合物2C，干燥后，贴合于上述中间体的剥离了隔膜的粘合剂组合物2F面上，得到厚度为130μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[比较例1]
在厚度为100μm、拉伸弹性模量为2GPa的经两面电晕处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材树脂膜的单面上，按照厚度成为10μm的方式将低密度聚乙烯膜挤出并成型，得到厚度为110μm的层叠基材树脂膜。接着，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为20μm的方式涂布粘合剂组合物2F，干燥后，与上述110μm的层叠基材膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯面贴合。进而，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为20μm的方式涂布粘合剂组合物2C，干燥后，贴合于上述中间体的剥离了隔膜的粘合剂组合物2F面上，得到厚度为150μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[比较例2]
通过共挤出制膜，制作低密度聚乙烯树脂30μm与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物80μm的厚度为110μm、拉伸弹性模量为0.2GPa的层叠基材树脂膜，对乙烯-醋酸乙烯酯共聚物面进行电晕处理。接着，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为20μm的方式涂布粘合剂组合物2C，干燥后，与上述110μm的层叠基材膜的经电晕处理的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物面贴合，得到厚度为130μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[比较例3]
通过共挤出制膜，制作高密度聚乙烯树脂30μm与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物80μm的厚度为110μm、拉伸弹性模量为0.4GPa的层叠基材树脂膜，对乙烯-醋酸乙烯酯共聚物面进行电晕处理。接着，在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的隔膜上，按照干燥后的膜厚成为20μm的方式涂布粘合剂组合物2E，干燥后，与上述110μm的层叠基材树脂膜的经电晕处理的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物面贴合，得到厚度为130μm的半导体晶圆表面保护用粘合带。
[特性评价试验]
对于上述实施例及比较例的半导体晶圆表面保护用粘合带，如下述那样进行特性评价试验。将其结果示于表1及表2中。
(1)剥离力
使用各实施例及各比较例中制作的半导体晶圆表面保护用粘合带，测定剥离角度30°下的剥离力。
由半导体晶圆表面保护用粘合带切取宽度为25mm、长度为300mm的试验片14(参照图10)。在以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)板上，对上述试验片14以3个往复压接2kg的橡胶辊。放置1小时后，由半导体晶圆表面保护用粘合带贴合面的基材树脂膜背面照射500mJ/cm2(照度为40mW/cm2)的紫外线，进一步放置1小时后，使用测定值落入其容量的15～85％的范围的适合于JIS B 7721的Instron公司制的拉伸试验机(双柱台式5567)测定剥离力。详细而言，SUS板如图10那样，固定于带有30°的倾斜的基座15上，将试验片14的端部以夹具16把持，在拉伸速度为20mm/min、25℃、相对湿度为50％的条件下拉伸而进行测定。对各半导体晶圆表面保护用粘合带分别实施3次，求出其算术平均值，将其作为30°剥离力。固定SUS板的基座15按照与剥离相适应驱动的方式调整，一直使剥离角度θ成为30°。在基座15不为驱动式的情况下，也可以相比于30°以锐角开始测定，读取剥离角度θ成为30°的点的剥离力。进而，除了将SUS板固定于没有倾斜的基座上，通过90°剥离法以剥离速度50mm/min进行剥离以外，与上述同样地操作还求出剥离角度90°下的90°剥离力。在粘合剂为压敏型时，代替紫外线照射及照射后的1小时放置，在将SUS板加热至50℃的状态下同样地测定30°剥离力。
(2)排斥力(环刚度)
使用株式会社东洋精机制作所制的环刚度测试仪(商品名)，测定排斥力α。将各实施例及各比较例中制作的半导体晶圆表面保护用粘合带切成宽度为10mm而制作试验片，在剥离了隔膜的状态下，设置于环刚度测试仪上。此时，在环长为50mm以上的带状的试验片的中央附近，按照粘合剂层成为内侧的方式制作环长为50mm的圆形环，测定将该圆形环从外侧压入5mm时受到的载荷。将此时得到的载荷换算成单位宽度，将以mN/mm单位表示的值作为排斥力α。对于各实施例及各比较例中的制作的半导体晶圆表面保护用粘合带，进行3个样品评价，使用算术平均而得到的值。
(3)相对于浆料的凝胶分率
将各实施例及各比较例中制作的半导体晶圆表面保护用粘合带切取成50mm×50mm。由切取的样品剥离隔膜，测定重量(浸渍前重量)。没有涂布粘合剂的基材树脂膜也同样地切取成50m×50mm并测定重量(基材重量)。在重量测定后，使切割样品浸渍于装满在Ph12的氢氧化钠水溶液中分散14重量％的平均粒径为50nm的胶体二氧化硅而得到的CMP浆料的500ml的聚丙烯制容器中，放置24小时后，将样品从容器中取出，以纯水充分地冲洗浆料。为了干燥而放置3天后，测定样品重量(干燥后重量)。凝胶分率通过下述的计算式求出。
凝胶分率＝(干燥后重量-基材重量)/(浸渍前重量-基材重量)×100(％)
另外，基材重量也可以由密度×体积通过计算而求出来代替实测。
(4)利用预切割法的评价
[划偏]
在厚度为725μm的8英寸直径的半导体晶圆上，如图9中所示的那样，使用切割机形成模拟半导体晶圆的电路图案及设置于切断预定部位的槽的模拟高低差。具体而言，为了模拟地形成电路图案的高低差，将60μm宽度且10μm深度的线以5mm间隔设置成格子状。进而，作为设置于切断预定部位的槽，在上述线宽的中央进一步设置30μm宽度且60μm深度的槽。
将各实施例及各比较例的半导体晶圆表面保护用粘合带使用日东精机株式会社制的DR8500II(商品名)作为贴合机，按照表面保护带MD方向与半导体晶圆凹口方向一致的方式贴合于形成有上述模拟高低差的半导体晶圆的表面。其后，使用株式会社东京精密制的PG3000RM(商品名)作为研磨机，将半导体晶圆的背面磨削至半导体晶圆的厚度成为30μm，使用CMP浆料进行研磨，使模拟高低差晶圆单片化。
对于背面磨削后的半导体晶圆，如图9中所示的那样，在半导体晶圆中心部及周边部2点的合计3点处通过光学显微镜观察切口(槽)，测定切口宽度。切口宽度的观察在半导体晶圆磨削后1小时以内实施，在粘贴有表面保护带的状态下，从没有粘贴表面保护带的半导体晶圆背面侧进行。对于划偏量，通过光学显微镜测定磨削后的晶圆的切口宽度，在X方向及Y方向上测定与磨削前的切口宽度(30μm)的变化量的绝对值，以所测定的3点处的X方向的平均值Kx及Y方向的平均值Ky进行评价。将Kx与Ky的平均值低于5μm且0.8≤(Ky/Kx)≤1.1的情况作为良品而设定为○，将Kx与Ky的平均值为5μm以上或者Ky/Kx<0.8或1.1<Ky/Kx的情况作为次品而设定为×。
[芯片剥离]
在观察切口宽度后，从半导体晶圆表面保护用粘合带的基材膜侧照射500mJ/cm2的紫外线。其后，在半导体晶圆的研磨面上贴合切割芯片接合膜。其后，在半导体晶圆表面保护用粘合带的表面粘接热封剂，将半导体晶圆表面保护用粘合带剥离。通过目视确认芯片剥离的有无，将完全没有见到芯片剥离的粘合带作为良品而设定为◎，将最端部的不是正方形的芯片剥离、但内部的正方形芯片没有剥离的粘合带作为良品而设定为〇，将正方形芯片的一部分或者全部剥离的粘合带作为次品而设定为×。
[残胶]
进而，通过光学显微镜观察将半导体晶圆表面保护用粘合带剥离后的半导体晶圆的模拟高低差面。将在半导体晶圆的模拟高低差面上无法确认到半导体晶圆表面保护用粘合带的粘合剂的残渣的粘合带作为良品而设定为○，将哪怕一处有残渣的粘合带作为次品而设定为×。另外，关于比较例3，由于看到许多尘埃侵入，所以没有进行残胶的判定。
[尘埃侵入]
此外，通过光学显微镜观察将半导体晶圆表面保护用粘合带剥离后的半导体晶圆的模拟高低差面及将半导体晶圆表面保护用粘合带剥离后的半导体晶圆表面保护用粘合带的晶圆贴合面，将模拟高低差面、晶圆贴合面均没有确认到尘埃、且在晶圆贴合面的贴合时也没有见到与切口对应的部分的变色的粘合带作为良品而设定为◎，将虽然在晶圆贴合面的贴合时见到与切口对应的部分的变色、但是模拟高低差面、晶圆贴合面均没有确认到尘埃的粘合带作为良品而设定为〇，将在模拟高低差面或晶圆贴合面确认到尘埃的粘合带作为次品而设定为×。
(5)利用通常磨削的评价
[晶圆的翘曲]
在涂敷有5μm聚酰亚胺的厚度为780μm的8inch的晶圆上，使用日东精机株式会社制的DR8500II(商品名)作为贴合机，贴合各实施例及各比较例的半导体晶圆表面保护用粘合带，使用DISCO Corporation制的DGP8760(商品名)作为研磨机，磨削至晶圆厚度为50μm。关于各半导体晶圆表面保护用粘合带，磨削4片晶圆，将在研磨机装置内的搬送过程中1片都没有产生起因于晶圆的翘曲的搬送错误的粘合带作为良品而设定为〇，将哪怕1片产生了起因于晶圆的翘曲的搬送错误的粘合带作为次品而设定为×。
[表1]
[表2]
如表1中所示的那样，关于在基材树脂膜上具有刚性层、且剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm的实施例1～7，能够在不将半导体晶圆污染或破损的情况下加工半导体晶圆。另一方面，如表2中所示的那样，关于不具有刚性层的比较例2、3，划偏大，也见到由经单片化的芯片接触而引起的芯片的裂纹。此外，关于剥离角度30°下的剥离力大于3.0N/25mm的比较例1，产生了芯片剥离及残胶。
如由这些实施例及比较例获知的那样，本发明的半导体晶圆表面保护用粘合带发挥减少划偏量、且能够在不将晶圆污染或破损的情况下加工及剥离的效果。
符号说明
1：半导体晶圆表面保护用粘合带
2：基材树脂膜
4：粘合剂层
5：半导体晶圆
6：切割带
7：槽
8：磨削装置
9：环形框架
11：芯片

Claims (10)

1.一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，其具有基材树脂膜和形成于所述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性的粘合剂层，
所述基材树脂膜具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，
使所述粘合剂层进行放射线固化后的对于以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
2.一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，其具有基材树脂膜、和形成于所述基材树脂膜的至少单面侧且通过放射线的照射不会固化的粘合剂层，
所述基材树脂膜具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，
50℃下的对于以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，由在下述条件(a)～(d)下测定的环刚度的负荷载荷求出的每单位宽度的排斥力为2～15mN/mm，
(a)装置
环刚度测试仪(商品名、株式会社东洋精机制作所制)
(b)环(试验片)形状
长度为50mm、宽度为10mm、试验片方向为带MD方向
(c)压头的压入速度
3.3mm/sec
(d)压头的压入量
从压头与环接触的时刻起压入5mm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，
所述刚性层与所述粘合剂层之间的层仅包含拉伸弹性模量低于1GPa的层，所述粘合剂层的厚度与所述拉伸弹性模量低于1GPa的层的厚度的合计为60μm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，
所述粘合剂层在化学机械研磨用的浆料中浸渍24小时后的不溶成分相对于浸渍于所述浆料中之前的比例为75％以上，所述浆料是在pH12的氢氧化钠水溶液中分散14重量％的平均粒径为50nm的胶体二氧化硅而得到的。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，
所述粘合剂层含有在侧链上具有烯属不饱和基团的放射性反应性树脂，且包含用于通过照射放射线而与所述放射性反应性树脂反应并使剥离力下降的改性剂。
7.根据权利要求6所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，
所述改性剂为非有机硅系。
8.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：(a)沿半导体晶圆的截断预定线，从所述半导体晶圆的表面形成低于所述半导体晶圆的厚度的槽的工序；(b)在形成有所述槽的半导体晶圆表面，贴合权利要求1～7中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的工序；以及(c)通过将所述半导体晶圆背面进行磨削，从而将所述半导体晶圆单片化的工序。
9.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：(a)通过对半导体晶圆的截断预定线上的所述半导体晶圆内部照射激光而形成改性区域的工序；(b)在所述(a)的工序之前或之后，在半导体晶圆表面贴合权利要求1～7中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的工序；以及(c)通过将所述半导体晶圆背面进行磨削，从而将所述半导体晶圆单片化的工序。
10.根据权利要求8或9所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，所述(c)的工序包含进行化学研磨的工序。
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