JP5092583B2 - Piezoelectric vibration device - Google Patents
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Description
本発明は、電子機器等に用いられる圧電振動デバイスに関するものである。 The present invention relates to a piezoelectric vibration device used for electronic equipment and the like.
表面実装型の圧電振動デバイスの封止工程では、上面に金属膜層が形成された環状の堤部を有するセラミック積層体からなる容器体(ベース)と、金属からなる矩形状の蓋体とが、シーム溶接法などの封止手段によって気密接合される。 In the sealing process of the surface mount type piezoelectric vibration device, a container body (base) made of a ceramic laminate having an annular bank portion with a metal film layer formed on the upper surface, and a rectangular lid made of metal And hermetically bonded by a sealing means such as a seam welding method.
前記シーム溶接時は、金属性の蓋体が高温状態になるため、当該蓋体に接触しているベースの温度も熱伝導により上昇する。しかし、前記蓋体と前記ベースの熱膨張率(線膨張係数)の違いから、前記シーム溶接が完了して常温まで温度が低下する際に、蓋体およびベースに引張応力等の各種応力が発生する。このとき、ベース内の温度勾配が大きい状態にあると熱応力の影響が大きくなり、ベース1の側面や底面などに割れやクラックが発生しやすくなる。割れやクラックが発生すると、気密不良やベース内部応力の増大による発振周波数のズレなどの不具合が生じる。(図15参照)
At the time of seam welding, the metallic lid is in a high temperature state, so that the temperature of the base in contact with the lid also rises due to heat conduction. However, due to the difference in thermal expansion coefficient (linear expansion coefficient) between the lid and the base, various stresses such as tensile stress are generated in the lid and the base when the seam welding is completed and the temperature is lowered to room temperature. To do. At this time, if the temperature gradient in the base is in a large state, the influence of thermal stress is increased, and cracks and cracks are likely to occur on the side surface and bottom surface of the
前記応力を緩和するために、上記金属膜層と前記蓋体との間に緩衝材として金属枠体を介在させた構成のベースがあるが、圧電振動デバイスの小型化によって、堤部の幅が狭くなり、前記金属膜層のベース基体に対する接合強度が低下し、シーム溶接後の冷却過程で蓋体と金属枠体とが収縮することによって発生する応力が前記金属膜層に加わり、ベース基体から金属膜層が剥離してしまう問題点があった。このような問題点を解決するために、導体が充填された溝状の切り欠きをベース側面の上端から中央部にかけて形成した電子部品収納用パッケージが特許文献1に開示されている。
In order to relieve the stress, there is a base having a configuration in which a metal frame is interposed as a cushioning material between the metal film layer and the lid, but due to the miniaturization of the piezoelectric vibration device, the width of the bank portion is reduced. Since the bonding strength of the metal film layer to the base substrate is reduced, the stress generated by the shrinkage of the lid and the metal frame during the cooling process after seam welding is applied to the metal film layer, There was a problem that the metal film layer peeled off. In order to solve such a problem,
しかしながら、特許文献1のパッケージ(ベース)は、前記溝状の切り欠きによって、金属枠体と金属膜層とを接合するロウ材が、金属枠体と金属膜層との接合面から、溝状の切り欠きに充填された導体の露出表面にかけてフィレットを形成するので接合力の向上は望めるものの、金属枠体の厚みが加わるため圧電振動デバイスの低背化に繋がらない。
However, in the package (base) of
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、気密封止時のベース内の温度勾配を抑制でき、低背化にも対応したベースを用いることによって、信頼性の高い気密封止を行うことができる圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and can suppress a temperature gradient in the base during hermetic sealing, and can achieve highly reliable hermetic sealing by using a base that also supports low profile. An object of the present invention is to provide a piezoelectric vibration device that can be used.
上記目的を達成するために、本発明の請求項1によると、内部に圧電振動素子を収容するための凹部と、当該凹部を囲繞し、上面に金属封止部材が周状に形成された環状の堤部とを具備する絶縁性材料の積層体からなる平面視矩形状のベースであって、
少なくとも前記ベースの長辺側の堤部の外側面、内部、内側面のいずれか1つ、または2つ以上を組み合わせた位置に、金属導体からなる熱伝導部が積層間で異なった幅で一箇所以上形成されているとともに、少なくとも1つ以上は、前記堤部の深さ方向に、前記凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインよりも下の位置まで形成されているので、蓋体で前記凹部を封止する際に、高温になったベース上部の熱を前記熱伝導部を介して急速にベース下部方向へ伝えることができる。
In order to achieve the above object, according to
At least one of the outer surface, the inner surface, and the inner surface of the bank on the long side of the base, or a combination of two or more of them, the heat conducting portion made of a metal conductor has a different width between layers. At least one or more portions are formed in the depth direction of the bank portion up to a position below the virtual line extending in the horizontal direction from the inner bottom surface of the recess, so that the lid When sealing the concave portion with a body, the heat of the upper part of the base, which has become a high temperature, can be rapidly transmitted to the lower part of the base through the heat conducting part.
上記構成によると、高温になったベース上部の熱をベース下部にまで伝導させることができるため、ベースの温度勾配を抑制することができる。 According to the above configuration, since the heat of the upper part of the base that has reached a high temperature can be conducted to the lower part of the base, the temperature gradient of the base can be suppressed.
上記構成によって、前記ベースに加わる各種応力の集中をベース内部に分散させることができるため、ベースのクラックの発生を抑制することができる。 With the above configuration, since the concentration of various stresses applied to the base can be dispersed inside the base, occurrence of cracks in the base can be suppressed.
矩形状のベースと蓋体とをシーム溶接によって接合する時には、辺長の長い長辺側の方が、シームローラーの接触時間が長くなるため、ベース上面の温度もベースの長辺側の方が短辺側よりも高くなる。したがってベース内の温度勾配は長辺側の方が大きくなると考えられる。また、ベースの製造ばらつきによって、ベースの構造的に脆弱な部分にはクラックが発生することがある。しかし、本発明の構成によると、少なくとも前記ベースの長辺側の堤部の外側面、内部、内側面のいずれか1つ、または2つ以上を組み合わせた位置に、金属導体からなる熱伝導部が積層間で異なった幅で一箇所以上形成されているとともに、前記熱伝導部の少なくとも1つ以上は、前記堤部の深さ方向に、前記凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインよりも下の位置まで形成されているので、ベース上部の熱がベース下部方向へ急速に伝導され、ベースの温度勾配を抑制することができる。前記熱伝導部によってベース温度を均一化させることができるため、ベースのクラックの発生を抑制することができる。 When joining the rectangular base and the lid by seam welding, the longer side with the longer side has longer contact time with the seam roller, so the temperature of the upper surface of the base is also higher on the longer side of the base. It becomes higher than the short side. Therefore, the temperature gradient in the base is considered to be larger on the long side. In addition, cracks may occur in structurally fragile portions of the base due to manufacturing variations of the base. However, according to the configuration of the present invention, at least one of the outer side surface, the inner side, and the inner side surface of the bank portion on the long side of the base, or a position where a combination of two or more is provided, the heat conducting unit made of a metal conductor Are formed at one or more places with different widths between the stacked layers , and at least one of the heat conducting portions extends in the depth direction of the bank portion from the inner bottom surface of the concave portion in the horizontal direction. Since it is formed to a position below the line, the heat at the top of the base is rapidly conducted toward the bottom of the base, and the temperature gradient of the base can be suppressed. Since the base temperature can be made uniform by the heat conducting part, the occurrence of cracks in the base can be suppressed.
前記熱伝導部が、ベースの堤部の外側面に形成されている場合はベース上部の熱が、外部へ拡散(放熱)を伴った状態でベース下部方向へ伝導される。しかしながら、前記熱伝導部は前記堤部の深さ方向に、前記凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインよりも下の位置まで形成されているため、熱拡散を伴いながら、ベース上部の熱を、前記凹部のベース内底面から下の領域に拡散させることができる。これにより、ベースの温度勾配の急峻化を抑制することができる。 When the heat conducting portion is formed on the outer surface of the base bank portion, the heat of the upper portion of the base is conducted toward the lower portion of the base with diffusion (heat dissipation) to the outside. However, since the heat conducting portion is formed in the depth direction of the bank portion to a position below a virtual line extending in the horizontal direction from the inner bottom surface of the recess, the base upper portion is accompanied by heat diffusion. This heat can be diffused from the bottom surface of the base of the concave portion to the lower region. Thereby, the steepness of the temperature gradient of the base can be suppressed.
前記熱伝導部がベースの堤部の内部に形成されている場合は、当該熱伝導部がベース絶縁材料に包囲されているため、ベース上部の熱の放熱を抑制することができるとともに、ベース下部方向へ伝導されるので熱伝導効率に優れる。 When the heat conducting portion is formed inside the base bank portion, the heat conducting portion is surrounded by the base insulating material. Excellent heat transfer efficiency because it is conducted in the direction.
前記熱伝導部がベースの堤部の内側面に形成されている場合は、放熱による熱的損失を伴うものの、前記放熱は外部空間に対してではなく内部空間、すなわち前記凹部空間(キャビティ)内への放熱であるため熱的損失を抑制でき、ベースの温度勾配を抑制することができる。 When the heat conducting portion is formed on the inner side surface of the base bank portion, although heat loss is caused by heat dissipation, the heat dissipation is not in the external space but in the internal space, that is, in the recessed space (cavity). Since heat is released to the heat, thermal loss can be suppressed and the temperature gradient of the base can be suppressed.
前記熱伝導部の配設は、前記ベース長辺側の堤部の外側面、内部、内側面のいずれか1つ、または2つ以上を組み合わせた位置に形成されるが、熱伝導効率の良い長辺側の堤部の内部に形成した上で、さらに前記ベース短辺側の堤部の外側面、内部、内側面のいずれか1つ、または2つ以上を組み合わせた位置にも形成することによって、より多くの熱容量を確保することができ、ベース温度の均一化により効果が期待できる。 The arrangement of the heat conducting portion is formed at any one of the outer side surface, the inner side, the inner side surface of the bank portion on the long side of the base, or a combination of two or more, but the heat conduction efficiency is good. It is formed inside the long side bank portion, and is also formed at a position where one or more of the outer side surface, the inner side, and the inner side surface of the bank side portion on the short side of the base are combined. Therefore, more heat capacity can be ensured, and the effect can be expected by making the base temperature uniform.
また、前記熱伝導部の配設数は、前記ベース長辺側の堤部の外側面、内部、内側面のいずれか1つ、または2つ以上を組み合わせた位置に各々1箇所だけでなく、複数配設されていてもよい。特に前記ベース長辺側の堤部の内部に複数配設されている場合は、ベース温度勾配の抑制に効果的である。 In addition, the number of the heat conduction portions disposed is not only one at each of the positions of the outer surface, the inside, the inner surface of the bank portion on the long side of the base, or a combination of two or more, A plurality may be provided. In particular, when a plurality of bases are provided in the bank side on the long side of the base, it is effective for suppressing the base temperature gradient.
なお、前記熱伝導部は、一部あるいは全ての熱伝導部が前記金属封止部材と電気的に独立した状態であってもよい。例えば3枚のセラミックグリーンシートが積層されたベースの場合、中間の層にだけ熱伝導部が形成され、堤部上面の前記金属封止部材と前記熱伝導部とが接続されていない状態であってもよい。このような構造であっても、高温になった前記金属封止部材の熱をベース基体(セラミック)を介する熱伝導によって、当該熱伝導部に伝導させることができるため、ベース温度の均一化を図ることができる。 In addition, the heat conduction part may be in a state where a part or all of the heat conduction parts are electrically independent from the metal sealing member. For example, in the case of a base in which three ceramic green sheets are laminated, a heat conduction portion is formed only in an intermediate layer, and the metal sealing member on the upper surface of the bank portion and the heat conduction portion are not connected. May be. Even in such a structure, the heat of the metal sealing member that has reached a high temperature can be conducted to the heat conducting portion by heat conduction through the base substrate (ceramic), so that the base temperature can be made uniform. Can be planned.
上記構成によると、熱伝導部の形成量は、前記金属封止部材と接続している場合よりも少なくすることができるため、熱伝導部の導体使用量を削減することができる。 According to the said structure, since the formation amount of a heat conductive part can be decreased rather than the case where it connects with the said metal sealing member, the conductor usage-amount of a heat conductive part can be reduced.
さらにまた、前記熱伝導部は、前記金属封止部材と電気的に接続したビアホール(導体が充填された円筒状の孔)と、当該ビアホールに接続した前記セラミックグリーンシート積層間の配線導体とを介して、前記金属封止部材と接続した構造とすることも可能である。本構造によってもベース温度の急速な均一化を図ることができる。 Furthermore, the heat conduction part includes a via hole (cylindrical hole filled with a conductor) electrically connected to the metal sealing member, and a wiring conductor between the ceramic green sheet stacks connected to the via hole. It is also possible to have a structure connected to the metal sealing member. Even with this structure, the base temperature can be rapidly uniformized.
さらに、前記熱伝導部の配設は前記ベース長辺側の堤部だけでなく、短辺側の堤部にも形成されていてもよい。この場合、前記温度勾配を2方向から抑制することができるので、ベース温度の均一化により効果的である。 Furthermore, the arrangement of the heat conducting portion may be formed not only on the long side of the base but also on the short side. In this case, since the temperature gradient can be suppressed from two directions, it is more effective to make the base temperature uniform.
前述のように、前記熱伝導部を形成することによって、ベースの温度勾配を抑制することができるので、ベース堤部の幅を縮小することが可能となり、ベースの外形寸法に対するキャビティの容積をより大きく確保することができる。さらに、ベースのキャビティ容積を大きくすることができるため、同一外形寸法のベースにおいて、従来よりもキャビティ内に搭載される圧電振動素子のサイズを拡大することが可能となり、設計の余裕度が増すことになる。また、更なる小型化要求にも対応した設計が可能となる。 As described above, since the temperature gradient of the base can be suppressed by forming the heat conducting portion, the width of the base bank portion can be reduced, and the volume of the cavity with respect to the outer dimensions of the base can be further increased. It can be secured greatly. In addition, since the cavity volume of the base can be increased, it is possible to increase the size of the piezoelectric vibration element mounted in the cavity in the base of the same external dimensions as compared with the conventional one, and the design margin increases. become. In addition, it is possible to design for further miniaturization requirements.
また、本発明の請求項2によると、前記ベースの前記金属封止部材に近い層にある熱伝導部の幅の方が、当該層の下方の層にある熱伝導部の幅よりも大きくなるように形成され、前記熱伝導部の少なくとも1つ以上は、前記金属封止部材と電気的に接続し、前記堤部の深さ方向に、前記凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインよりも下の位置まで形成されているので、ベース上部の熱をより効率的にベース下部へ伝導させることができるとともに、ベース温度の急速な均一化に効果的である。これはシーム溶接時またはビーム溶接時に高温に達する前記金属封止部材に、より近い層にある熱伝導部の幅の方を、当該層の下方の層にある熱伝導部の幅よりも大きくすることによって、より多くの熱容量を確保できることによる。 According to claim 2 of the present invention, the width of the heat conducting part in the layer near the metal sealing member of the base is larger than the width of the heat conducting part in the layer below the layer. And at least one of the heat conducting portions is electrically connected to the metal sealing member, and extends in the depth direction of the bank portion from the inner bottom surface of the recess in the horizontal direction. Since it is formed to a position below the line, the heat of the upper part of the base can be more efficiently conducted to the lower part of the base, and it is effective for rapid uniformization of the base temperature. This is because the width of the heat conduction part in the layer closer to the metal sealing member that reaches a high temperature during seam welding or beam welding is made larger than the width of the heat conduction part in the layer below the layer. This is because more heat capacity can be secured.
また、請求項3によると、前記熱伝導部は複数形成され、当該複数の熱伝導部の間隔が、長辺側の堤部の略中央付近から前記堤部の両端付近にかけて漸次広くなるように形成されているので、ベース温度の均質化をより効率的に行うことができる。これは長辺側の堤部の中央近辺が、シーム溶接によってベースに加わる各種応力の集中領域と考えられることから、長辺側の堤部の中央付近においてより多くの熱容量をベース下部方向へ熱移動させて熱勾配を抑制することができることによる。According to a third aspect of the present invention, a plurality of the heat conducting portions are formed, and an interval between the plurality of heat conducting portions is gradually widened from approximately the center of the long side bank portion to both ends of the bank portion. Since it is formed, the base temperature can be homogenized more efficiently. This is because the area around the center of the bank on the long side is considered to be a concentrated area of various stresses applied to the base by seam welding, so that more heat capacity is transferred toward the bottom of the base near the center of the bank on the long side. This is because the thermal gradient can be suppressed by being moved.
また、本発明の請求項4によると、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のベースの凹部内に圧電振動素子を収容し、平面視矩形状の蓋体と前記金属封止部材とを、シーム溶接またはビーム溶接によって気密接合したことを特徴とする圧電振動デバイスであり、気密接合時に前記蓋体からベース堤部上面の金属封止部材を介してベース上部に伝わった熱を、前記熱伝導部によってベース下部方向へ急速に伝導させることができる。これにより、ベースの温度勾配が抑制されるとともに、ベース温度を均一化させることによってクラックの発生を抑制することができるので、信頼性の高い圧電振動デバイスを得ることができる。 According to a fourth aspect of the present invention , the piezoelectric vibration element is accommodated in the concave portion of the base according to any one of the first to third aspects, and the lid body having a rectangular shape in plan view and the metal sealing member Is a piezoelectric vibration device characterized in that it is hermetically joined by seam welding or beam welding , and heat transmitted from the lid body to the upper part of the base via the metal sealing member on the upper surface of the base bank at the time of hermetic joining, The heat conduction part can conduct quickly toward the lower part of the base. Accordingly, the temperature gradient of the base is suppressed, and the occurrence of cracks can be suppressed by making the base temperature uniform, so that a highly reliable piezoelectric vibration device can be obtained.
以上のように、本発明によれば、気密封止時のベース内の温度勾配を抑制でき、低背化にも対応したベースを用いることによって、信頼性の高い気密封止を行うことができる圧電振動デバイスを提供することができる。 As described above, according to the present invention, the temperature gradient in the base at the time of hermetic sealing can be suppressed, and a highly reliable hermetic sealing can be performed by using the base corresponding to the low profile. A piezoelectric vibration device can be provided.
−第1の実施形態−
以下、本発明による第1の実施形態について図1乃至図5を参照して説明する。なお、以下に示す実施形態は圧電振動デバイスとして、表面実装型の水晶振動子を本発明に適用した場合を示す。
-First embodiment-
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The following embodiment shows a case where a surface-mount type crystal resonator is applied to the present invention as a piezoelectric vibration device.
図1は本発明の第1の実施形態を示すベースの斜視図を、図2は図1のA−A線における断面図を、図3は第1の実施形態を示すベース上面図を示している。図4は第1の実施形態を示すシーム溶接前の水晶振動子長辺方向の断面図であり、図5は第1の実施形態を示すシーム溶接完了後の水晶振動子長辺方向の断面図である。なお、図1乃至図5において、ベース底面に形成された外部接続電極およびベース内部に形成された配線導体の記載は省略している。また、図4乃至図5においては水晶振動板の表裏面に対向して形成されている一対の励振電極の記載を省略している。 FIG. 1 is a perspective view of a base showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a top view of the base showing the first embodiment. Yes. FIG. 4 is a cross-sectional view of the crystal resonator in the long side direction before seam welding showing the first embodiment, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the crystal resonator in the long side direction after seam welding showing the first embodiment. It is. 1 to 5, the external connection electrodes formed on the bottom surface of the base and the wiring conductors formed inside the base are not shown. Also, in FIGS. 4 to 5, the description of the pair of excitation electrodes formed to face the front and back surfaces of the crystal diaphragm is omitted.
本発明で適用される表面実装型の水晶振動子のベース1は、図1に示すように内部に圧電振動素子を収容するための凹部3と、当該凹部3を囲繞する環状の堤部2とを具備するアルミナ等のセラミックを主体とした絶縁性材料からなる容器体である。
As shown in FIG. 1, a surface mount type
ベース1は4枚のセラミックグリーンシートを積層して焼成によって形成され、ベース底面側から順に、1a,1b,1c,1dで構成されている(図2参照)。そしてベース1の内部にはベース底面に形成された外部接続電極(図示せず)と接続した配線導体(図示せず)が形成されている。
The
前記堤部2の上面は平坦な状態となっており、金属封止部材として、下から順にタングステンメタライズ層、ニッケルメッキ層、金メッキ層の3層からなる金属膜層4が周状に形成されている。なお、前記タングステンの代わりにモリブデンを用いてもよい。
The upper surface of the bank portion 2 is flat, and a
そして、前記ベース1の長辺側の対向する2つの堤部それぞれの内部には、円柱状の熱伝導部5が複数配設されている。本実施形態では、前記熱伝導部5は一長辺につき6箇所、すなわち長辺全体で12箇所に配設されている。短辺方向については一短辺につき3箇所、すなわち短辺全体で6箇所に配設されている。つまり、ベース1全体では合計18箇所に熱伝導部が形成されている。なお、図1において熱伝導部5の形成状態をわかりやすくするために点線で表示している。
A plurality of columnar
図2に示すように前記熱伝導部5は深さ方向については、前記金属膜層4と接続し、堤部2の内部を通って、前記凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインLよりも下の位置、すなわち前記ベース1の第1層目(1a)の上面の位置まで形成されている。平面方向については、堤部の幅(以下シールパスと称す)の中央を結ぶライン上に、円柱状の熱伝導部の中心軸が略一致するようにして、長辺および短辺方向に一定間隔で整列して配設されている(図3参照)。なお、前記熱伝導部5の直径は、シールパスが0.2mmの場合、0.1mmφ程度が好ましい。
As shown in FIG. 2, in the depth direction, the
前記熱伝導部5は導体からなり、本実施形態においては前記配線導体と同一の材料であり、タングステンあるいはモリブデンなどが使用される。そして前記熱伝導部5は、スクリーン印刷によって形成される。具体的にはセラミックグリーンシートに貫通孔(ビアホール)を形成し、スキージすることによって前記貫通孔内部に導体を充填した後、セラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成によって一体的に形成される。そして、前記熱伝導部5の上端側、すなわち前記堤部2の上面にはタングステンメタライズ層が形成され、さらにその上面にニッケル層、金層の順に金属膜層4がメッキ法によって成膜される(図3参照)。
The
図2において、ベース1の内底部(1bの上面)には一対の搭載パッド9(図示せず)が形成されており、これらの搭載パッドはベース1の内部(1a)に形成された前記配線導体を介して、ベース底面(1aの下面)に形成された前記外部接続電極と電気的に繋がっている。前記一対の搭載パッドは、例えばタングステンメタライズ層の上面にニッケル、金の順でメッキ等の手法により金属層が形成されている。本実施形態では搭載パッドはベース内底部上の一短辺部側に並列して形成されている。
In FIG. 2, a pair of mounting pads 9 (not shown) are formed on the inner bottom portion (upper surface of 1 b) of the
本発明で適用される表面実装型の水晶振動子は、表裏面に圧電振動素子を駆動させるための励振電極が形成された直方体形状のATカット水晶振動板6を、前記ベース1の凹部内に形成された前記搭載パッド9上に導電性接合材10を介して電気的機械的に接続した後、平面視矩形状の金属からなる蓋体7を、ベース堤部上面の金属膜層4上に載置してシーム溶接によって気密接合することによって得られる(図4乃至図5参照)。
A surface-mount type crystal resonator applied in the present invention includes a rectangular parallelepiped AT-
図4において、蓋体7はコバールを基体とする平面視矩形状で金属性の蓋体であり、当該蓋体7の表裏面にはニッケルメッキ層(図示せず)が形成されている。また蓋体7の前記金属膜層4との接合面側には、前記ニッケルメッキ層の下(接合面側)に金属から成るロウ材8が全面に亘って形成されている。なお、本実施形態では、前記ロウ材として銀ロウが使用されている。
In FIG. 4, the
以下、本発明が適用された水晶振動子の製造方法について説明していく。まず、前記一対の搭載パッド9の上部に、ディスペンサ等によって導電性接合材10を適量塗布した後、水晶振動板保持ツール(図示せず)によって吸引保持された水晶振動板6を搭載し、所定の温度プロファイルにて前記導電性接合材10を硬化させ、水晶振動板6と搭載パッド9とを電気的機械的に接続する。なお、前記導電性接合材10は例えばペースト状のシリコーン系樹脂導電接合材が使用されるが、これに限定されるものではなく、エポキシ系樹脂導電接合材等を使用してもよい。
Hereinafter, a method for manufacturing a crystal resonator to which the present invention is applied will be described. First, an appropriate amount of the
水晶振動板6を導電性接合材10を介して前記搭載パッド9に接合した後、前記蓋体7を搭載ツール(図示せず)を使用して、ベース1の堤部上面に形成された金属膜層4の上に載置する。このとき、前記金属膜層4の上に、前記蓋体7の前記金属膜層4との接合面側に形成されたロウ材8が略一致するようにして蓋体7が載置される。
After the
前記蓋体7のベース上面への載置後に、一対のシームローラーRを蓋体7の対向する二長辺各々の略中央部分(2箇所)に当接させて仮止めを行う。前記仮止め作業は、蓋体7とベース1とを2箇所で仮固定することにより、接合位置のズレを防止する為に実施している。なお、前記仮止め作業は2箇所以上、例えば4箇所(一長辺に一定間隔で2箇所)で実施してもよい。
After the
前記仮止めの後に、図4に示すようにシームローラーRを蓋体2の対向する二長辺の、一端側の周辺上に当接させ、蓋体7と金属膜層4とに大電流を印加させながら、蓋体7の対向する二長辺の他端側に向って転動させることによって、水晶振動子1の長辺方向における前記ロウ材8と前記金属膜層4とが封止接合される(第1の封止工程)。
After the temporary fixing, as shown in FIG. 4, the seam roller R is brought into contact with the periphery on one end side of the two opposite long sides of the lid 2, and a large current is applied to the
次に、シームローラーRを、前記蓋体7の対向する二短辺の一端側の周辺上に当接させ、蓋体7と金属膜層4とに大電流を印加させながら、他端側に向って転動させることによって、短辺方向における前記ロウ材8と前記金属膜層4とが封止接合され、図5に示すように蓋体7とベース1とが気密封止される(第2の封止工程)。なお、前記第1と第2の封止工程は不活性ガス雰囲気中にて行われる。
Next, the seam roller R is brought into contact with the periphery of one end side of the two opposing short sides of the
前述のシーム溶接時において、高温状態になった金属性の蓋体7および前記金属膜層4を通じてベース1に熱が伝わるが、前記熱伝導部5により、前記金属膜層4の熱を当該ベースの下方へ急速に伝熱させることができる。つまり、複数の熱伝導部5によって、高温になった前記金属膜層4の熱を速くベース下方(本実施形態の場合、第1層目1aの上面周辺)にまで伝えることができるので、ベース内の温度勾配を抑制することができ、ベースの温度を均一化させることができる。この効果によって、ベース内部応力を緩和することができるので、クラックの発生を抑制することができる。
During the seam welding described above, heat is transferred to the
なお、本実施形態では前記熱伝導部5の配設数は、一長辺につき6箇所であるが、これに限定されるものではない。つまり、一長辺につき1箇所だけあるいは複数箇所で形成されていてもよい。この場合、熱伝導部の形成位置は長辺の中央あるいは、長辺中央を含んで両側に近接する位置が好ましい。これはシーム溶接によってベースに加わる各種応力の集中をベース内部に分散させるためである。このような構成であっても、シーム溶接時に高温になったベース上部の熱をベース下部方向へ急速に伝導させることができるので、ベースの温度勾配が抑制され、クラックの抑制に効果がある。
In the present embodiment, the number of the
あるいはまた、前記熱伝導部5の配設数は、一長辺につき6箇所以上であってもよい。この場合は、より多くの面積でベース上部の熱をベース下部へ伝導することができるため、ベース温度の均一化に、より効果的に機能する。
Alternatively, the number of the
前記熱伝導部5の配設は前記ベース長辺側の堤部だけでなく、短辺側の堤部にも形成されていてもよい。この場合、前記温度勾配を2方向から抑制することができるので、ベース温度の均一化により効果が期待できる。
The
前記熱伝導部5の形状は円柱に限定されるものではなく、角柱状や楕円柱状であってもよい。
The shape of the
前記熱伝導部5の形成によってベースの温度勾配を抑制することができるので、ベースのシールパスを縮小することが可能となり、ベースの外形寸法に対する凹部空間(キャビティ)の容積をより大きく確保することができる。さらに、ベースのキャビティ容積を大きくすることができるため、同一外形寸法のベースにおいて、従来よりもキャビティ内に搭載される圧電振動素子のサイズを拡大することが可能となり、設計の余裕度が増す。また、更なる小型化要求にも対応した設計が可能となる。
Since the temperature gradient of the base can be suppressed by the formation of the
なお、前記熱伝導部5の導体材料としてタングステンあるいはモリブデンの他に、これらの導体よりもさらに熱伝導率のよい導体、例えば銅などを用いることも可能である。
In addition to tungsten or molybdenum, it is also possible to use a conductor having higher thermal conductivity than these conductors, such as copper, as the conductor material of the
本発明のベースであれば前記金属膜層4の上面に金属枠体を形成することなく、シーム溶接後の応力緩和を図ることができるため、圧電振動デバイスの低背化に寄与することができる。なお、本実施形態では金属枠体を用いない構成であるが、金属枠体を用いた構成のベースであっても本発明の適用は可能である。例えば金属枠体を前記金属膜層4の上に金属接合材を介して接合し、熱伝導部は金属枠体と前記金属膜とに接続した状態で前記堤部の深さ方向に形成されていればよい。
If it is the base of this invention, since stress relaxation after seam welding can be aimed at without forming a metal frame on the upper surface of the
本実施形態の場合、不活性ガス雰囲気にて封止が行われるが、真空雰囲気の場合、封止後のキャビティ内への熱拡散を抑える効果が期待できる。 In the case of this embodiment, sealing is performed in an inert gas atmosphere, but in the case of a vacuum atmosphere, an effect of suppressing thermal diffusion into the cavity after sealing can be expected.
本実施形態では蓋体とベースとの気密封止接合にシーム溶接を用いているが、レーザーや電子ビームなどによるビーム溶接においても適用可能である。 In this embodiment, seam welding is used for hermetic sealing joining between the lid and the base, but the present invention can also be applied to beam welding using a laser or an electron beam.
なお、本発明において蓋体の材料は封止方法がシーム溶接の場合は金属製となるが、ビーム溶接の場合は金属以外にセラミックも使用可能である。 In the present invention, the material of the lid is made of metal when the sealing method is seam welding, but ceramics can be used in addition to metal in the case of beam welding.
−第1の実施形態の変形例−
本発明の実施形態の変形例として、第2の層1bおよび第3の層1cと、第4の層1dとに形成される熱伝導部の幅(直径)が異なった形態にすることも可能である。つまり、第2の層1bおよび第3の層1cにおける熱伝導部の直径よりも、上層に位置する第4の層1dにおける熱伝導部の直径の方が大きくなるように形成する。これは高温に達する前記金属膜層4に、より近い第4の層にある熱伝導部の直径の方を大きくすることによって、より多くの熱容量を確保するためである。このような構成によってもシーム溶接時に高温になったベース上部の熱をベース下部方向へ急速に伝導させることができるので、ベースの温度勾配が抑制され、クラックの抑制に効果が期待できる。
-Modification of the first embodiment-
As a modification of the embodiment of the present invention, the width (diameter) of the heat conducting portion formed in the
さらに、本発明の実施形態の他の変形例として、少なくとも長辺側の堤部の内部に複数の熱伝導部を配設し、シーム溶接によってベースに加わる各種応力が集中すると考えられる位置、つまり長辺中央付近の熱伝導部だけを、他の熱伝導部に対して体積の大きい長楕円形状とすることで、より多くの熱容量を確保して熱勾配抑制効果を高めることも可能である。さらに前記長楕円形状の熱伝導部に、銅などの熱伝導率のよい導体を用いることによっても、より高い熱勾配抑制効果が期待できる。 Furthermore, as another modification of the embodiment of the present invention, a plurality of heat conducting portions are disposed at least inside the bank on the long side, and various stresses applied to the base by seam welding are concentrated, that is, By making only the heat conducting portion near the center of the long side into an elliptical shape having a larger volume than the other heat conducting portions, it is possible to secure more heat capacity and enhance the thermal gradient suppressing effect. Furthermore, a higher thermal gradient suppression effect can also be expected by using a conductor having good thermal conductivity such as copper for the elliptical heat conducting portion.
−第2の実施形態−
以下、本発明の第2の実施形態について図6乃至図7を基に説明する。図6は第2の実施形態を示すベースの上面図であり、図7は図6のB−B線における断面図である。図6において熱伝導部は形成状態をわかりやすくするために点線と塗り潰しを併用して表示している。なお、第1の実施形態と同様の構成については同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、第1の実施形態と同様の効果を有する。また、本実施形態においても表面実装型の水晶振動子を本発明に適用した場合を示す。
-Second Embodiment-
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a top view of the base showing the second embodiment, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. In FIG. 6, the heat conduction part is displayed using both a dotted line and a fill in order to make the formation state easy to understand. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, while attaching | subjecting the same number and omitting a part of description, it has an effect similar to 1st Embodiment. Also in this embodiment, a case where a surface-mount type crystal resonator is applied to the present invention is shown.
図6においてベース11は、4枚のセラミックグリーンシートの積層体であり、ベース底面側から順に、1a,1b,1c,1dで構成されている。そしてベース11の内部にはベース底面に形成された外部接続電極(図示せず)と接続した配線導体(図示せず)が形成されている。また、堤部2の上面は平坦な状態で、金属封止部材として第1の実施形態と同様の膜構成で3層からなる金属膜層4が周状に形成されている。
In FIG. 6, a
図6に示すように本実施形態において熱伝導部は、長辺側の堤部2の内部に形成されているだけでなく、長辺側の堤部2の内側面にも形成されている。前記堤部2の内側面に形成された熱伝導部51は堤部上面の金属膜層4と接続し、前記1b層の上面の深さまで形成され、円柱を高さ方向に2分割した“半円柱”形状となっている。本実施形態では、前記熱伝導部5は一長辺の内部に等間隔で6箇所、一長辺の堤部内壁に等間隔で6箇所、よって一長辺単位では12箇所に配設されている。したがって長辺全体では24箇所になる。
As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the heat conducting portion is formed not only inside the long-side bank 2 but also on the inner surface of the long-side bank 2. The
短辺方向については、前記熱伝導部5は一短辺につき等間隔で3箇所、一短辺の堤部内壁に等間隔で3箇所、よって一短辺単位では6箇所に配設されている。つまり、短辺全体では12箇所に配設されている。したがって、ベース11全体では長短辺を合わせて合計36箇所に熱伝導部が形成されている。なお、前記複数の熱伝導部5は、長辺および短辺のシールパスの中央を結ぶライン上に、円柱状の熱伝導部の中心軸が略一致するように、かつ一定間隔で整列して配設されている。そして前記熱伝導部51は半円柱の中心軸が、堤部内壁面に一致するように一定間隔で整列して配設されている。
Regarding the short side direction, the
前記熱伝導部51はセラミックグリーンシート状態において全円状の貫通孔を環状に複数形成しておき、当該貫通孔の中にタングステンあるいはモリブデンの導体を充填した後、それぞれの孔の直径を通って面積を2分する周状のラインでプレス加工することによって形成される。本実施形態では、熱伝導部51の導体材料は前記熱伝導部5と同一の材料で構成されている。なお、熱伝導部51の材料は同一材料に限定されるものではなく、異種材料であってもよい。
In the state of ceramic green sheet, the
上記構成の場合、熱伝導部の熱容量を前記ベース長辺側の堤部の内部にだけ形成されている場合よりも更に多く確保することができるため、ベース11の温度の急速な均一化により効果的である。また図7に示すように、前記熱伝導部5は金属膜層4から、下方向に、前記凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインLよりも下の位置、すなわち当該ベース11の第1層目1aの上面に亘って形成されているので、高温になったベース上部の熱をベース下部にまで熱伝導によって伝えることができる。このような構成によってベースの温度分布を均一化させることが可能となる。
In the case of the above configuration, since the heat capacity of the heat conducting portion can be secured more than in the case where the heat capacity is formed only inside the bank on the long side of the base, it is effective due to rapid uniformization of the temperature of the
なお、ベース内側面に熱伝導部51の配設は、少なくとも長辺側の一つの堤部の内側面の中央周辺に1箇所形成するのが熱勾配抑制効果の点から好ましく、一つの堤部に1箇所以上形成する場合は長辺の内側面中央を含んで両側に近接する位置に形成するのが好ましい。
In addition, it is preferable from the point of the thermal gradient inhibitory effect to arrange | position the
−第2の実施形態の変形例−
以下、本発明の第2の実施形態の変形例について図8乃至図11を基に説明する。図8は第2の実施形態の変形例を示すベースの上面図であり、図9は図8のC−C線における断面図である。図10は第2の実施形態のその他の変形例を示すベース長辺方向の断面図である。図11は第2の実施形態のその他の変形例を示すベースの上面図である。図8と図11において熱伝導部は形成状態をわかりやすくするために一部を点線で表示している。なお、前述の実施形態と同様の構成については同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、前述の実施形態と同様の効果を有する。
-Modification of the second embodiment-
Hereinafter, a modification of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a top view of a base showing a modification of the second embodiment, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view in the base long side direction showing another modification of the second embodiment. FIG. 11 is a top view of a base showing another modification of the second embodiment. In FIGS. 8 and 11, a part of the heat conduction part is indicated by a dotted line for easy understanding of the formation state. In addition, about the structure similar to the above-mentioned embodiment, while attaching | subjecting the same number and omitting a part of description, it has an effect similar to the above-mentioned embodiment.
図8乃至図11においてもベース12は、4枚のセラミックグリーンシート(ベース底面側から順に1a,1b,1c,1d)の積層体で構成されている。また、堤部2の上面は金属封止部材として、前述の実施形態と同様の膜構成で3層からなる金属膜層4が周状に形成されている。
8 to 11, the
図8において、熱伝導部は長辺側および短辺側の堤部2の内部に形成されているだけでなく、長辺側および短辺側の堤部2の外側面にも形成されている。前記堤部2の外側面に形成された熱伝導部52は堤部上面の金属膜層4と接続し、前記1a層の上面まで形成され、円柱を高さ方向に2分割した“半円柱”形状となっている。そして前記熱伝導部52は、図9に示すように金属膜層4と接続し、当該金属膜層より下方向に、ベース凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインLよりも下の位置、すなわち当該ベース12の第1層目1aの上面にまで形成されているので、高温になったベース上部の熱を外部に放熱するとともに、ベース下部にまで熱伝導によって伝えることができる。さらに、堤部2の内部に熱伝導効率の良い熱伝導部も形成されているため、ベースの温度分布をより速く均一化させることができる。
In FIG. 8, the heat conduction part is formed not only inside the long side and short side bank 2 but also on the outer side of the long side and short side bank 2. . The
また、図10に示すように熱伝導部を、堤部2の外側面と内部と内側面の3箇所に形成することも可能である。このような構成の場合、例えば堤部2の外側面に形成される熱伝導部52は、熱伝導効率の観点からベース12の第1層目の上面(1a上面)の深さまで形成されていることが好ましい。
Moreover, as shown in FIG. 10, it is also possible to form a heat conductive part in three places, the outer surface of the bank part 2, an inside, and an inner surface. In such a configuration, for example, the
上記構成の場合、熱容量がさらに多く確保できるとともに、堤部の深さ方向だけでなく、厚み(シールパス)方向においてもより速く温度分布を均一化させることができるため、ベースの温度勾配が抑制され、クラックの抑制に好適である。 In the case of the above configuration, the heat distribution can be ensured more and the temperature distribution in the thickness (seal path) direction can be equalized not only in the depth direction but also in the thickness (seal path) direction, so that the temperature gradient of the base is suppressed. Suitable for suppressing cracks.
本発明の実施形態において複数の熱伝導部を配設する場合、堤部2の外側面、内部、内側面の2つ以上を組み合わせて形成された熱伝導部は、必ずしもシールパス(堤部幅)方向において直線上に整列している必要はなく、例えば図11のように堤部内部の熱伝導部と堤部内側面の熱伝導部とがシールパス方向に非整列(互い違い)となった状態であってもよい。 In the case where a plurality of heat conduction portions are provided in the embodiment of the present invention, the heat conduction portion formed by combining two or more of the outer side surface, the inner side, and the inner side surface of the bank portion 2 is not necessarily a seal path (bank portion width). For example, as shown in FIG. 11, the heat conduction part inside the bank and the heat conduction part on the inner side of the bank are not aligned in the seal path direction (alternately) as shown in FIG. May be.
上記構成であれば、堤部側面方向から見たときに前記熱伝導部がより分散した状態で形成されるため、より高い熱勾配抑制効果が期待できる。 If it is the said structure, since the said heat conductive part is formed in the state disperse | distributed more when it sees from the bank side surface direction, the higher thermal gradient suppression effect can be anticipated.
−第3の実施形態−
以下、本発明の第3の実施形態について図12を基に説明する。図12は第3の実施形態を示す長辺方向堤部の断面図である。なお、前述の実施形態と同様の構成については同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、第1乃至第2の実施形態と同様の効果を有する。
-Third embodiment-
Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view of the long side direction bank portion showing the third embodiment. In addition, about the structure similar to the above-mentioned embodiment, while attaching | subjecting the same number and omitting a part of description, it has an effect similar to 1st thru | or 2nd embodiment.
図12において、熱伝導部5は一つの長辺側堤部の内部に6箇所形成され、深さ方向にはベース14の堤部上面の金属膜層4に接続し、第1層目(1a)の上面の位置に亘って形成されている。複数の熱伝導部5の間隔は一定ではなく、長辺側の堤部の略中央付近にから、前記堤部両端付近にかけて漸次前記間隔が広くなるように形成されている。つまり長辺側の堤部の中央付近では間隔が狭い“密”な状態になっており、逆に長辺辺側の堤部両端付近では間隔が拡がった“疎”な状態になっている。
In FIG. 12, six
上記構成は、長辺側の堤部の中央近辺が、シーム溶接によってベースに加わる各種応力の集中領域と考えられることから、長辺側の堤部の中央付近においてより多くの熱容量をベース下部方向へ熱移動させて熱勾配を抑制することを目的としている。上記構成により、ベース温度の均一化をより効率的に行うことができる。なお、熱伝導部間の間隔は任意に設定可能であり、図12に示す形態に限定されるものではない。 In the above configuration, since the vicinity of the center of the bank on the long side is considered to be a concentrated area of various stresses applied to the base by seam welding, more heat capacity is placed near the center of the bank on the long side. The purpose is to suppress the thermal gradient by heat transfer to. With the above configuration, the base temperature can be made more efficient. In addition, the space | interval between heat conduction parts can be set arbitrarily, and is not limited to the form shown in FIG.
−第3の実施形態の変形例−
第3の実施形態の変形例を図13を基に説明する。図13は第3の実施形態の変形例を示すベース長辺方向の堤部の断面図である。なお、前述の実施形態と同様の構成については同番号を付して説明の一部を割愛するとともに、前述の実施形態と同様の効果を有する。
-Modification of the third embodiment-
A modification of the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13: is sectional drawing of the bank part of the base long side direction which shows the modification of 3rd Embodiment. In addition, about the structure similar to the above-mentioned embodiment, while attaching | subjecting the same number and omitting a part of description, it has an effect similar to the above-mentioned embodiment.
図13に示すように、ベース15のセラミックグリーンシート積層間に水平方向に配線導体16を形成し、複数の熱伝導部5の一部を当該配線導体16と接続して導通状態とすることによって、ベース上部の熱を鉛直方向だけでなく水平方向にも伝導させることができる。ここで、前記配線導体16は熱伝導部5あるいはベース15の底面に形成された外部接続端子と接続したベース内部の配線導体を介してアース接続された構造であってもよい。
As shown in FIG. 13, wiring
上記構成によると、鉛直方向および水平方向の双方向において温度勾配を緩和することができるため、ベースの温度の均一化により効果が期待できる。 According to the above configuration, since the temperature gradient can be relaxed in both the vertical direction and the horizontal direction, an effect can be expected by making the temperature of the base uniform.
なお、上記構成において配線導体16と熱伝導部5との接続は図13のように隣接する熱伝導部間で形成深さを変える構造であってもよい。あるいはまた、全ての熱伝導部が前記配線導体16と接続した構造(単一深さ)であってもよい。
In the above configuration, the connection between the
また、本発明の実施形態の他の変形例として、図14に示すように、ベース17において、第2の層1bから第4の層1dの間に円柱状の熱伝導部5を形成するとともに、前記第2の層1bと第4の層1dに形成された熱伝導部の直径が、第3の層1cの熱伝導部の直径よりも大きくなるように形成してもよい。あるいは第3の層1cと第4の層1dの熱伝導部の直径が、第2の層1bの熱伝導部の直径よりも大きくなるように形成してもよい。
As another modification of the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 14, in the
本発明の実施形態では圧電振動デバイスとしてATカット水晶振動子を挙げているが、その他の例として音叉型水晶振動子や、その他のカットの水晶振動子の製造においても本発明は適用可能である。さらに、ベース内底部上にICを搭載した後、ワイヤボンディングやフェースダウンボンディング等によってIC接続端子とベース内底部に形成されたパッド電極とが電気的に接続され、その上方に圧電振動素子が搭載された構造の発振器、あるいは、前記ICと圧電振動素子の位置関係が上下逆構造の発振器の製造においても本発明は適用可能である。また、前記圧電振動デバイス内に収容される圧電振動素子は単数に限定されるものではなく、複数の圧電振動素子が収容されていてもよい。 In the embodiment of the present invention, an AT-cut crystal resonator is cited as the piezoelectric vibration device. However, the present invention can also be applied to the manufacture of tuning fork crystal resonators and other cut crystal resonators as other examples. . Furthermore, after mounting the IC on the base bottom of the base, the IC connection terminal and the pad electrode formed on the base bottom of the base are electrically connected by wire bonding, face-down bonding, etc., and the piezoelectric vibration element is mounted above it. The present invention can also be applied to the manufacture of an oscillator having the above structure, or an oscillator in which the positional relationship between the IC and the piezoelectric vibration element is inverted. Further, the piezoelectric vibration element accommodated in the piezoelectric vibration device is not limited to a single one, and a plurality of piezoelectric vibration elements may be accommodated.
本発明は、複数個の蓋体またはベースがマトリクス状に整列して一体的に形成された集合基板を用いた製造方法についても適用可能である。 The present invention is also applicable to a manufacturing method using an aggregate substrate in which a plurality of lids or bases are integrally formed in a matrix.
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。 The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof. Therefore, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.
圧電振動デバイスの量産に適用できる。 It can be applied to mass production of piezoelectric vibration devices.
1、11、12、13、14、15、17 ベース
2 堤部
3 凹部
4 金属膜層
5、51、52 熱伝導部
6 水晶振動板
7 蓋体
8 ロウ材
DESCRIPTION OF
Claims (4)
少なくとも前記ベースの長辺側の堤部の外側面、内部、内側面のいずれか1つ、または2つ以上を組み合わせた位置に、金属導体からなる熱伝導部が積層間で異なった幅で一箇所以上形成されているとともに、少なくとも1つ以上は、前記堤部の深さ方向に、前記凹部の内底面から水平方向へ延出した仮想ラインよりも下の位置まで形成されていることを特徴とするベース。 The planar view which consists of a laminated body of the insulating material which comprises the recessed part for accommodating a piezoelectric vibration element inside, and the cyclic | annular dam part which surrounded the said recessed part and the metal sealing member was formed in the upper surface at the upper surface A rectangular base,
At least one of the outer surface, the inner surface, and the inner surface of the bank on the long side of the base, or a combination of two or more of them, the heat conducting portion made of a metal conductor has a different width between layers. More than one part is formed, and at least one or more is formed in the depth direction of the bank portion up to a position below a virtual line extending in the horizontal direction from the inner bottom surface of the recess. And base.
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