JP5083469B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波装置に関し、特に、圧電基板の上に形成されたＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を覆うように形成されている誘電体層とを備える弾性表面波装置に関する。

従来、携帯電話機などの通信機器におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に、デュプレクサや段間フィルタなどとして、弾性表面波装置が搭載されている。

弾性表面波装置は、圧電基板の上に形成されたＩＤＴ電極を有し、ＩＤＴ電極において励振された弾性表面波が圧電基板の表面を伝搬する。弾性表面波装置において、圧電基板としては、ＬｉＴａＯ_３基板やＬｉＮｂＯ_３基板などが用いられる。これらの圧電基板は負の周波数温度係数（ＴＣＦ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を有する。具体的には、ＬｉＮｂＯ_３基板のＴＣＦは、−９０〜−７０ｐｐｍ／℃程度であり、ＬｉＴａＯ_３基板のＴＣＦは、−４０〜−３０ｐｐｍ／℃程度である。このため、これらの圧電基板の上にＩＤＴ電極のみを形成した弾性表面波装置では、デュプレクサや段間フィルタで求められる優れた周波数温度特性が得難いという問題がある。

このような問題に鑑み、例えば下記の特許文献１などにおいては、ＬｉＴａＯ_３基板やＬｉＮｂＯ_３基板などの圧電基板の上に形成されており、Ａｕ，Ａｇ，ＣｕまたはＰｔなどの高密度の金属からなるＩＤＴ電極を覆うように、正のＴＣＦを有するＳｉＯ_２からなる誘電体層を形成し、かつ誘電体層の表面を平坦化することが提案されている。特許文献１には、このような構成を採用することにより、優れた周波数温度特性と、大きな反射係数とを実現できる旨が記載されている。

特開２００６−２５４５０７号公報

しかしながら、特許文献１に記載の弾性表面波装置では、スプリアスやリップルが生じ、共振子特性やフィルタ特性が悪くなることがあるという問題があった。

本発明は、このような問題を解決し、スプリアスやリップルが抑圧されており、優れた共振特性やフィルタ特性を有する弾性表面波装置を提供することを目的とする。

本発明に係るある弾性表面波装置は、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、誘電体層とを備えている。ＩＤＴ電極は、圧電基板上に形成されている。誘電体層は、圧電基板上において、ＩＤＴ電極を覆うように形成されている。ＩＤＴ電極は、第１及び第２のくし歯状電極を備えている。第１及び第２のくし歯状電極のそれぞれは、複数の電極指を有する。第１及び第２のくし歯状電極は、互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極が形成されている領域は、交差領域と、非交差領域とを含む。交差領域は、第１のくし歯状電極の電極指と、当該電極指に隣接している第２のくし歯状電極の電極指とが、弾性表面波伝搬方向に対して垂直な交差幅方向において交差している領域である。非交差領域は、第１のくし歯状電極の電極指と、当該電極指に隣接している第２のくし歯状電極の電極指とが、交差幅方向において交差していない領域である。誘電体層の非交差領域に形成されている部分である、非交差領域部は、交差幅方向において厚さが異なる部分を含む。

本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、ＩＤＴ電極は、交差幅重み付けされている。第１のくし歯状電極は、第２のくし歯状電極の電極指の先端部と、交差幅方向において対向しているダミー電極指を有する。第２のくし歯状電極は、第１のくし歯状電極の電極指の先端部と、交差幅方向において対向しているダミー電極指を有する。第１及び第２のくし歯状電極のダミー電極指は、非交差領域に配置されている。

本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、非交差領域部の厚さは、交差幅方向において徐変している。この構成によれば、スプリアスやリップルをより効果的に抑圧することができる。

本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面では、非交差領域部の表面は、交差幅方向において、圧電基板の表面に対して傾斜した方向に延びている部分を有する。

本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、非交差領域部は、第１の部分と、交差幅方向において第１の部分に隣接している第２の部分とを含む。第１の部分の表面と第２の部分の表面との間に段差が形成されている。

本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、誘電体層の交差領域に形成されている部分である、交差領域部の表面は、圧電基板の表面に平行かつ平坦である。この構成によれば、より優れた周波数温度特性を実現し得る。

本発明に係る弾性表面波装置のさらにまた他の特定の局面では、第１及び第２のくし歯状電極のそれぞれは、複数の電極指が接続されているバスバーを有する。複数の電極指は、第１の導電膜により構成されている。バスバーは、第１の導電膜と、第１の導電膜の上に形成されている第２の導電膜とにより構成されている。

本発明に係る弾性表面波装置のさらにまた他の特定の局面では、ＩＤＴ電極が設けられている領域の弾性表面波伝搬方向の両側に位置する一対の反射器をさらに備える。反射器は誘電体層に覆われている。誘電体層の反射器が形成されている領域の部分が、交差幅方向において厚さが異なる部分を含む。

本発明に係る別の弾性表面波装置は、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、一対の反射器と、誘電体層とを備えている。ＩＤＴ電極は、圧電基板上に形成されている。反射器は、ＩＤＴ電極が設けられている領域の弾性表面波伝搬方向の両側に位置する。誘電体層は、圧電基板上において、ＩＤＴ電極と反射器とを覆うように形成されている。ＩＤＴ電極は、第１及び第２のくし歯状電極を備えている。第１及び第２のくし歯状電極のそれぞれは、複数の電極指を有する。第１及び第２のくし歯状電極は、互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極が形成されている領域は、交差領域を含む。交差領域は、第１のくし歯状電極の電極指と、当該電極指に隣接している第２のくし歯状電極の電極指とが、弾性表面波伝搬方向に対して垂直な交差幅方向において交差している領域である。誘電体層の反射器が形成されている領域の部分が、交差幅方向において厚さが異なる部分を含む。

本発明に係る弾性表面波装置及び本発明に係る別の弾性表面波装置の特定の局面では、誘電体層は、バイアススパッタリング法により形成されたものである。このため、誘電体層とＩＤＴ電極との間に隙間が形成され難く、弾性表面波装置の信頼性を高めることができる。

本発明では、誘電体層の非交差領域に形成されている部分である、非交差領域部、誘電体層の反射器が形成されている領域の部分など、誘電体層の弾性表面波の反射領域に形成されている部分は、交差幅方向において厚さが異なる部分を含む。このため、スプリアスやリップルを抑圧することができ、優れた共振特性やフィルタ特性を得ることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置の略図的平面図である。なお、図１では、誘電体層及び保護層の描画を省略している。 図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。 図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。 図４は、比較例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。 図５は、実施例に係る弾性表面波装置と、比較例に係る弾性表面波装置とのそれぞれのインピーダンス特性を表すグラフである。なお、図５において、実線が実施例に係る弾性表面波装置のインピーダンス特性を表す。一点破線が比較例に係る弾性表面波装置のインピーダンス特性を表す。 図６は、実施例に係る弾性表面波装置と、比較例に係る弾性表面波装置とのそれぞれのリターンロスを表すグラフである。なお、図６において、実線が実施例に係る弾性表面波装置のリターンロスを表す。一点破線が比較例に係る弾性表面波装置のリターンロスを表す。 図７は、誘電体層の膜厚差波長比が１．２％、２．０％、３．２％、５．１％のそれぞれの場合の実施例に係る弾性表面波装置と、誘電体層の膜厚差波長比が０％である比較例に係る弾性表面波装置のそれぞれのインピーダンス特性を表すグラフである。 図８は、誘電体層の膜厚差波長比が１．２％、２．０％、３．２％、５．１％のそれぞれの場合の実施例に係る弾性表面波装置と、誘電体層の膜厚差波長比が０％である比較例に係る弾性表面波装置のそれぞれのリターンロスを表すグラフである。 図９は、本発明の第１の変形例に係る弾性表面波装置の略図的断面図である。 図１０は、本発明の第２の変形例に係る弾性表面波装置の略図的平面図である。なお、図１０では、誘電体層及び保護層の描画を省略している。 図１１は、本発明の第３の変形例に係る弾性表面波装置の略図的平面図である。なお、図１１では、誘電体層及び保護層の描画を省略している。 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置の略図的回路図である。 図１３は、本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装置の略図的平面図である。なお、図１３では、誘電体層及び保護層の描画を省略している。 図１４は、本発明の第４の実施形態に係る弾性表面波装置の略図的回路図である。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置１の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。なお、図１では、誘電体層１６及び保護層１７の描画を省略している。

以下、本発明の好ましい実施形態について、図１に示す弾性表面波装置１を例に挙げて説明する。図１に示す弾性表面波装置１は、レイリー波（Ｐ＋ＳＶ波）をメインモードとして使用する１ポート型弾性表面波共振子である。但し、弾性表面波装置１は、単なる例示である。本発明に係る弾性表面波装置は、弾性表面波装置１に何ら限定されない。本発明に係る弾性表面波装置は、弾性表面波フィルタや弾性表面波分波器などであってもよい。また、本発明に係る弾性表面波装置は、例えば、ラブ波などのレイリー波以外の弾性表面波をメインモードとして使用するものであってもよい。

図１〜図３に示すように、弾性表面波装置１は、圧電基板１０を有する。圧電基板１０は、適宜の圧電体により形成することができる。圧電基板１０は、例えば、ＬｉＮｂＯ_３基板、ＬｉＴａＯ_３基板や水晶基板などの圧電単結晶基板により構成することができる。具体的には、本実施形態では、圧電基板１０は、１２７°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ_３基板により構成されている。

図１に示すように、圧電基板１０の上には、ＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１が設けられている領域の弾性表面波伝搬方向ｘの両側に位置する一対の反射器１４，１５とが形成されている。

ＩＤＴ電極１１は、第１及び第２のくし歯状電極１２，１３を備えている。第１及び第２のくし歯状電極１２，１３のそれぞれは、弾性表面波伝搬方向ｘに沿って配列された複数の電極指１２ａ，１３ａと、複数の電極指１２ａ，１３ａが接続されているバスバー１２ｃ，１３ｃとを有する。第１及び第２のくし歯状電極１２，１３は、互いに間挿し合っている。すなわち、第１及び第２のくし歯状電極１２，１３は、電極指１２ａ，１３ａが弾性表面波伝搬方向ｘにおいて交互に配列されるように設けられている。第１のくし歯状電極１２は、第２のくし歯状電極１３の各電極指１３ａの先端部と、交差幅方向ｙにおいて対向しているダミー電極指１２ｂを有する。交差幅方向ｙは、弾性表面波伝搬方向ｘに対して垂直である。ダミー電極指１２ｂもバスバー１２ｃに接続されている。同様に、第２のくし歯状電極１３も、第１のくし歯状電極１２の各電極指１２ａの先端部と、交差幅方向ｙにおいて対向しているダミー電極指１３ｂを有する。ダミー電極指１３ｂもバスバー１３ｃに接続されている。

本実施形態において、ＩＤＴ電極１１には、交差幅重み付けが施されている。すなわち、隣り合う電極指１２ａ，１３ａが交差幅方向ｙにおいて交差している幅である交差幅が、弾性表面波伝搬方向ｘにおいて変化するように、ＩＤＴ電極１１が構成されている。具体的には、本実施形態では、ＩＤＴ電極１１は、弾性表面波伝搬方向ｘにおいて、交差幅の極大値が複数現れるように交差幅重み付けされている。このため、本実施形態においては、弾性表面波装置１の反共振周波数におけるＱ値が高められ、かつ弾性表面波装置１の耐電力性が高められている。

ここで、電極指１２ａの交差幅方向ｙにおける先端を結んでなる仮想線を、第１の包絡線Ａとする。また、電極指１３ａの交差幅方向ｙにおける先端を結んでなる仮想線を、第２の包絡線Ｂとする。第１及び第２の包絡線Ａ，Ｂのそれぞれは、弾性表面波伝搬方向ｘにおいて一方側に傾斜している第１の包絡線部Ａ１，Ａ３，Ｂ１，Ｂ３と、弾性表面波伝搬方向ｘにおいて他方側に傾斜している第２の包絡線部Ａ２，Ａ４，Ｂ２，Ｂ４とを備えている。第１及び第２の包絡線Ａ，Ｂのそれぞれにおいて、第１の包絡線部Ａ１，Ａ３，Ｂ１，Ｂ３と、第２の包絡線部Ａ２，Ａ４，Ｂ２，Ｂ４とは、弾性表面波伝搬方向ｘにおいて交互に配列されている。

ＩＤＴ電極１１が設けられている領域のうち、第１及び第２の包絡線Ａ，Ｂにより囲まれた領域が交差領域Ｃであり、交差幅方向ｙにおいて、第１及び第２の包絡線Ａ，Ｂの外側に位置する領域が非交差領域Ｄである。交差領域Ｃにおいては、第１のくし歯状電極１２の電極指１２ａと、その電極指１２ａに隣接している第２のくし歯状電極１３の電極指１３ａとが、交差している。電極指１２ａ，１３ａに電圧が印加されることにより、この交差領域Ｃにおいて弾性表面波が励振される。すなわち、交差領域Ｃは、弾性表面波の励振領域である。

一方、非交差領域Ｄにおいては、電極指１２ａ，１３ａの弾性表面波伝搬方向ｘの両側には、ダミー電極指１２ｂ，１３ｂが位置している。非交差領域Ｄにおいては、第１のくし歯状電極１２の電極指１２ａと、その電極指１２ａに隣接している第２のくし歯状電極１３の電極指１３ａとが、交差していない。この非交差領域Ｄにおいては、弾性表面波は励振されず、交差領域Ｃにおいて励振された弾性表面波がダミー電極指１２ｂ，１３ｂによって反射される。すなわち、非交差領域Ｄは、弾性表面波の反射領域である。

反射器１４，１５は、グレーティング反射器である。ＩＤＴ電極１１の交差領域Ｃにおいて励振された弾性表面波は、反射器１４，１５によって反射される。すなわち、反射器１４，１５が形成されている領域は、弾性表面波の反射領域である。

ＩＤＴ電極１１及び反射器１４，１５は、適宜の導電材料により形成することができる。ＩＤＴ電極１１及び反射器１４，１５は、例えば、Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｍｎなどの金属や、これらの金属のうちの一種以上を主成分とする合金などにより形成することができる。また、ＩＤＴ電極１１及び反射器１４，１５は、上記金属や合金からなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。

具体的には、本実施形態では、図３に示すように、ＩＤＴ電極１１のうちの電極指１２ａ，１３ａ及びダミー電極指１２ｂ，１３ｂと、反射器１４，１５とは、第１の導電膜１８により構成されている。ＩＤＴ電極１１のうちのバスバー１２ｃ，１３ｃと、図示しない配線によりＩＤＴ電極１１に接続されている図示しないパッドとは、上記第１の導電膜１８と、第１の導電膜１８の上に積層されている第２の導電膜１９との積層体により構成されている。このため、バスバー１２ｃ，１３ｃと、配線及びパッドの厚さが厚くされている。これにより、バスバー１２ｃ，１３ｃと、配線及びパッドの電気抵抗値を小さくすることができるため、損失を小さくすることができる。また、バスバー１２ｃ，１３ｃと、配線及びパッドの機械的強度を高めることができる。

なお、バスバー１２ｃ，１３ｃにおいては、第２の導電膜１９は、第１の導電膜１８の少なくとも一部の上に積層されていればよく、第１の導電膜１８の全体の上に第２の導電膜１９が形成されている必要は必ずしもない。

具体的には、本実施形態では、第１の導電膜１８は、圧電基板１０側から、ＮｉＣｒ層（厚さ：１０ｎｍ）、Ｐｔ層（厚さ：３３ｎｍ）、Ｔｉ層（厚さ：１０ｎｍ）、Ａｌ−Ｃｕ合金層（厚さ：１３０ｎｍ）、Ｔｉ層（厚さ：１０ｎｍ）がこの順番で積層された積層膜により構成されている。これにより、高い反射係数を実現し得る。一方、第２の導電膜１９は、第１の導電膜１８側から、Ａｌ−Ｃｕ合金層（厚さ：７００ｎｍ）、Ｔｉ層（厚さ：６００ｎｍ）、Ａｌ層（厚さ：１１４０ｎｍ）がこの順番で積層された積層膜により構成されている。本実施形態では、第１及び第２の導電膜１８，１９の積層体は、後述の誘電体層１６よりも厚く形成されている。

なお、第１及び第２の導電膜１８，１９の形成方法は、特に限定されず、リフトオフ法などの適宜の薄膜形成方法により形成することができる。

圧電基板１０の上には、ＩＤＴ電極１１及び反射器１４，１５を覆うように誘電体層１６が形成されている。この誘電体層１６は、例えば、弾性表面波装置１の周波数温度特性を改善する目的などのために形成された層である。誘電体層１６が弾性表面波装置１の周波数温度特性の改善を目的の一つとする層である場合は、誘電体層１６は、圧電基板１０のＴＣＦと異なる符号のＴＣＦを有するか、圧電基板１０のＴＣＦと同符号であるものの、圧電基板１０のＴＣＦの絶対値よりも絶対値が小さなＴＣＦを有するものであることが好ましい。本実施形態では、圧電基板１０が負のＴＣＦを有するＬｉＮｂＯ_３基板により構成されているため、誘電体層１６は正のＴＣＦを有することが好ましい。このため、誘電体層１６は、例えば、ＳｉＯ_２層からなることが好ましい。但し、本発明において、誘電体層１６は、ＳｉＯ_２層からなるものに限定されない。誘電体層１６は、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｅＯ_２などからなるものであってもよい。

誘電体層１６の厚さは、ＩＤＴ電極１１により励振された弾性表面波をメインモードとして使用することができるような厚さである限りにおいて特に限定されないが、ＩＤＴ電極１１の電極指１２ａ，１３ａ及びダミー電極指１２ｂ，１３ｂが誘電体層１６に埋め込まれた状態となるような厚さであることが好ましい。すなわち、誘電体層１６は、ＩＤＴ電極１１の電極指１２ａ，１３ａ及びダミー電極指１２ｂ，１３ｂを構成している第１の導電膜１８よりも厚いことが好ましい。これにより、優れた周波数温度特性を実現し得る。誘電体層１６の厚さは、例えば、弾性表面波の波長比で２０％〜５０％程度とすることができる。誘電体層１６の厚さが厚すぎると、通過帯域が良好に形成されず、所望のフィルタ特性を実現することができない場合がある。誘電体層１６の厚さが薄すぎると、周波数温度特性を十分に改善することができない場合がある。本実施形態では、具体的には、誘電体層１６は、厚さが６２０ｎｍのＳｉＯ_２膜により構成されている。

誘電体層１６の形成方法は、特に限定されないが、誘電体層１６の好適な形成方法としては、例えば、バイアススパッタリング法が挙げられる。本実施形態では、具体的には、誘電体層１６は、バイアススパッタリング法により形成される。

本実施形態では、誘電体層１６の上に、保護層１７が形成されている。この保護層１７により誘電体層１６が被覆されている。

保護層１７は、誘電体層１６よりもＨ_２Ｏ透過率が低い材料からなり、耐湿性を有するものであることが好ましい。また、保護層１７は、誘電体層１６よりも、伝搬する弾性表面波の音速が速い材料からなることが好ましい。この場合、保護層１７をエッチングするなどして保護層１７の厚さを調整することにより、弾性表面波装置１の周波数特性を調整することができるためである。

具体的には、保護層１７は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｅＯ_２などからなる単一膜または積層膜により構成されていることが好ましい。より具体的には、本実施形態では、保護層１７は、厚さが２０ｎｍのＳｉＮ膜により構成されている。従って、保護層１７により弾性表面波装置１の耐湿性が高められており、かつ、保護層１７の厚さを調整することにより弾性表面波装置１の周波数特性を調整することができる。

保護層１７の厚さは、ＩＤＴ電極１１により励振された弾性表面波をメインモードとして使用することができるような厚さであれば特に限定されない。保護層１７の厚さは、例えば、弾性表面波の波長比で０．２％〜５％程度とすることができる。保護層１７の厚さが厚すぎると、弾性表面波装置の周波数特性を調整する機能が低下する場合がある。保護層１７の厚さが薄すぎると、弾性表面波装置の耐湿性が劣化する場合がある。

保護層１７の形成方法は、特に限定されない。保護層１７は、例えば、スパッタリング法や蒸着法などにより形成することができる。

本実施形態では、誘電体層１６の非交差領域Ｄに形成されている部分である、非交差領域部１６ａ（図３を参照）は、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を含む。上述のように、非交差領域Ｄは、弾性表面波の反射領域である。そのため、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａは、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を含むということになる。具体的には、非交差領域部１６ａの表面１６ａ１が、交差幅方向ｙにおいて、圧電基板１０の表面１０ａに対して傾斜した方向に延びている部分を有する。このため、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａの厚さは、交差幅方向ｙにおいて徐変している。従って、スプリアスやリップルを効果的に抑圧することができ、優れた共振特性やフィルタ特性を得ることができる。

また、本実施形態では、誘電体層１６の交差領域Ｃに形成されている部分である、交差領域部１６ｂは、交差幅方向ｙにおいて、厚さがほぼ均一である。上述のように、交差領域Ｃは、弾性表面波の励振領域である。そのため、誘電体層１６の弾性表面波の励振領域に形成されている部分である、交差領域部１６ｂは、交差幅方向ｙにおいて、厚さがほぼ均一であるということになる。具体的には、交差領域部１６ｂの表面１６ｂ１は、圧電基板１０の表面１０ａに平行かつ平坦に形成されている。従って、低損失を実現し得る。

以下、この本実施形態の効果について実施例に基づいて詳細に説明する。

実施例として、上記実施形態において説明した弾性表面波装置１を以下の要領で作製した。

まず、１２７°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ_３基板からなる圧電基板１０の上に、上述の膜構成の第１及び第２の導電膜１８，１９をリフトオフにより形成することにより、ＩＤＴ電極１１、反射器１４，１５、配線及びパッドを形成した。

次に、ＩＤＴ電極１１、反射器１４，１５、配線及びパッドを覆うように、圧電基板１０の上に、厚さが６２０ｎｍのＳｉＯ_２膜からなる誘電体層１６を形成した。誘電体層１６の形成は、バイアススパッタリング法により形成した。本実施例のように、バイアススパッタリング法により誘電体層１６を形成することにより、誘電体層１６とＩＤＴ電極１１等との間に隙間が形成され難い。従って、信頼性の高い弾性表面波装置１を作製することができる。

バイアススパッタリング法により誘電体層１６を形成するプロセスにおいては、材料の堆積による膜の形成が進行する一方で、Ａｒプラズマによる形成された膜のエッチングも同時に進行する。形成された膜のエッチングレートよりも膜が形成されていく成膜レートの方が高いため、誘電体層１６が形成されていく。ここで、第１及び第２の導電膜１８，１９により構成されている厚膜の部分（以下、「厚膜部」と呼ぶことがある。）の周囲では、厚膜部によりＡｒプラズマが遮られ、Ａｒプラズマによる形成された膜のエッチングが阻害される。その結果、厚膜部に近づくに従って形成された膜のエッチングレートが低くなり、成膜レートが高くなる。ここで、本実施形態では、バスバー１２ｃ，１３ｃが第１及び第２の導電膜１８，１９により構成されており、厚膜部を有するため、バスバー１２ｃ，１３ｃに近づくに従って誘電体層１６の成膜レートが高くなる。その結果、非交差領域Ｄにおいて、誘電体層１６の厚さは、バスバー１２ｃ，１３ｃ近傍において最も厚くなり、交差幅方向ｙのバスバー１２ｃ，１３ｃ側から交差領域Ｃ側に向かって薄くなる。この結果、誘電体層１６において、非交差領域部１６ａの表面１６ａ１が、交差幅方向ｙにおいて、圧電基板１０の表面１０ａに対して傾斜した方向に延びている部分を有する形状となり、非交差領域部１６ａは交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を含むことになる。このため、非交差領域部１６ａの厚さが、交差幅方向ｙにおいて徐変することになる。一方、交差領域Ｃにおいては、誘電体層１６の交差領域部１６ｂの厚さはほぼ均一となり、交差領域部１６ｂの表面１６ｂ１は、圧電基板１０の表面１０ａに平行かつ平坦となる。

バイアススパッタリング法では、成膜時のパラメータ（スパッタ出力および基板バイアス出力）を変えることによって、非交差領域部１６ａの表面１６ａ１の傾斜角度を所望の大きさとすることができる。このため、誘電体層１６に所望の厚み偏差を形成しやすい。なお、スパッタ出力は、成膜レートに影響を及ぼす。基板バイアス出力は、エッチングレートに影響を及ぼす。基板バイアス出力を大きくするほど、非交差領域部１６ａの表面１６ａ１の傾斜角度を大きくすることができる。

なお、本実施例では、誘電体層１６の膜厚差波長比は、５．１％であった。誘電体層１６の膜厚差波長比は、交差領域Ｃにおける誘電体層１６の厚さと、非交差領域Ｄにおける誘電体層１６の最大厚さとの差を弾性表面波の波長で規格化した数値である。本実施例では、非交差領域Ｄにおける誘電体層１６の最大厚さは、誘電体層１６におけるバスバー１２ｃ，１３ｃに最も近接している部分の厚さとなる。誘電体層１６の膜厚差波長比は、非交差領域部１６ａの厚さの変化の大きさを示している。

次に、誘電体層１６の上に、厚さが２０ｎｍのＳｉＮ膜からなる保護層１７を、スパッタリング法により形成した。

最後に、パッドのバンプを形成する領域の上に位置している誘電体層１６と保護層１７とをエッチングにより除去することにより、実施例に係る弾性表面波装置１を完成させた。

比較例として、図４に示す断面構造の弾性表面波装置１００を作製した。具体的には、上記実施例と同様に、ＩＤＴ電極１１１と誘電体層１１６とを圧電基板１１０の上に形成した。このとき、誘電体層１１６をバイアススパッタリング法により形成することで、誘電体層１１６の全体の厚さが交差幅方向において均一となるようにした。すなわち、誘電体層１１６の表面が平坦となるようにした。その後、上記実施例と同様にして保護層１１７を形成することにより比較例に係る弾性表面波装置１００を作製した。比較例に係る弾性表面波装置１００は、誘電体層１１６の膜厚差波長比が０％である。

なお、上記実施例に係る弾性表面波装置１と比較例に係る弾性表面波装置１００とでは、電気的特性の相違が分かりやすいように、共振周波数及び反共振周波数が異なっている。具体的には、実施例に係る弾性表面波装置１の共振周波数は１８７５．０ＭＨｚであり、反共振周波数は１９３１．６ＭＨｚである。比較例に係る弾性表面波装置１００の共振周波数は１８９０．８ＭＨｚであり、反共振周波数は１９４９．０ＭＨｚである。

次に、上記実施例に係る弾性表面波装置１と比較例に係る弾性表面波装置１００のインピーダンス特性とリターンロスとを測定した。結果を図５及び図６に示す。

図５及び図６に示す結果から明らかなように、比較例に係る弾性表面波装置１００では、反共振周波数よりも高周波数側である２０３２．５ＭＨｚ付近においてリップルが発生している。このリップルは、メインモード（レイリー波）に起因するものであり、弾性表面波の反射領域である非交差領域Ｄのストップバンドの上端（高周波数側の端部）に位置している。このため、比較例に係る弾性表面波装置１００のような１ポート型弾性表面波共振子を、直列腕共振子や並列腕共振子として用いてラダー型弾性表面波フィルタを構成すると、１ポート型弾性表面波共振子におけるリップルは通過帯域よりも高周波数側に位置するスプリアスとなり、フィルタ特性が悪化することになる。さらに、送信側フィルタと受信側フィルタとを有し、送信側フィルタの通過帯域が受信側フィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置する弾性表面波分波器において、このラダー型弾性表面波フィルタを送信側フィルタとして用いると、受信側フィルタにリップルが生じ、受信側フィルタの特性が悪化することになる。

それに対して、実施例に係る弾性表面波装置１では、反共振周波数よりも高周波数側である２０１０．３ＭＨｚ付近において発生しているリップルの大きさが、比較例に係る弾性表面波装置１００において発生したリップルよりも小さい。すなわち、本実施例では、リップルが抑圧されており、優れた共振特性が実現されている。以上の結果から、本実施例に係る弾性表面波装置１のように、誘電体層１６の非交差領域部１６ａ、すなわち、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分に、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を設けることにより、１ポート型弾性表面波共振子におけるリップルを抑圧することができ、優れた共振特性を得ることができることが分かる。また、このような１ポート型弾性表面波共振子を用いてラダー型弾性表面波フィルタや弾性表面波分波器を構成することにより、優れたフィルタ特性を実現することができることが分かる。

なお、この効果が得られる理由としては、以下のような理由が考えられる。

一般に、ＩＤＴ電極１１を覆う誘電体層１６の厚さが薄くなるとストップバンドが広がり、誘電体層１６の厚さが厚くなるとストップバンドが狭くなる。これは、誘電体層１６の厚さにより、音速が変化することによる。

このため、本実施例に係る弾性表面波装置１のように、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を含んでいる場合は、非交差領域部１６ａにおいて音速に分布が生じる。この結果、リップルの周波数位置が分散することになり、リップルが小さくなるものと考えられる。このため、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａの厚さの交差幅方向ｙにおける分布幅が大きいこと、すなわち、誘電体層１６の膜厚差波長比が大きいことが好ましい。

図７は、誘電体層１６の膜厚差波長比が１．２％、２．０％、３．２％、５．１％のそれぞれの場合の本実施例に係る弾性表面波装置１と、誘電体層１１６の膜厚差波長比が０％である比較例に係る弾性表面波装置１００のそれぞれのインピーダンス特性を表すグラフである。図８は、誘電体層１６の膜厚差波長比が１．２％、２．０％、３．２％、５．１％のそれぞれの場合の本実施例に係る弾性表面波装置１と、誘電体層１１６の膜厚差波長比が０％である比較例に係る弾性表面波装置１００のそれぞれのリターンロスを表すグラフである。

図７及び図８において、誘電体層１６の膜厚差波長比が１．２％である弾性表面波装置１を、Δ＝１．２％で表す。誘電体層１６の膜厚差波長比が２．０％である弾性表面波装置１を、Δ＝２．０％で表す。誘電体層１６の膜厚差波長比が３．２％である弾性表面波装置１を、Δ＝３．２％で表す。誘電体層１６の膜厚差波長比が５．１％である弾性表面波装置１を、Δ＝５．１％で表す。誘電体層１１６の膜厚差波長比が０％である比較例に係る弾性表面波装置１００を、Δ＝０％で表す。

なお、図７及び図８においては、各弾性表面波装置の電気的特性の相違が分かりやすいように、共振周波数及び反共振周波数を異ならせている。誘電体層１６の膜厚差波長比が１．２％である弾性表面波装置１の共振周波数は、１８８５．４ＭＨｚであり、反共振周波数は１９４６．１ＭＨｚである。誘電体層１６の膜厚差波長比が２．０％である弾性表面波装置１の共振周波数は、１８９３．５ＭＨｚであり、反共振周波数は１９５６．４ＭＨｚである。誘電体層１６の膜厚差波長比が３．２％である弾性表面波装置１の共振周波数は、１８８０．３ＭＨｚであり、反共振周波数は１９４１．５ＭＨｚである。誘電体層１６の膜厚差波長比が５．１％である弾性表面波装置１の共振周波数は、１８７８．１ＭＨｚであり、反共振周波数は１９３７．５ＭＨｚである。誘電体層１１６の膜厚差波長比が０％である比較例に係る弾性表面波装置１００の共振周波数は、１８９１．９０ＭＨｚであり、反共振周波数は１９５２．３８ＭＨｚである。

図７及び図８に示す結果から、誘電体層１１６の膜厚差波長比が０％である比較例に係る弾性表面波装置１００では、反共振周波数よりも高周波数側である２０３８．３３ＭＨｚ付近において大きなリップルが発生している。誘電体層１６の膜厚差波長比が１．２％である弾性表面波装置１は、２０２０．６７ＭＨｚ付近においてリップルが発生している。誘電体層１６の膜厚差波長比が２．０％である弾性表面波装置１は、２０３６．００ＭＨｚ付近においてリップルが発生している。誘電体層１６の膜厚差波長比が３．２％である弾性表面波装置１は、２０２１．３３ＭＨｚ付近においてリップルが発生している。誘電体層１６の膜厚差波長比が５．１％である弾性表面波装置１は、２０２０．００ＭＨｚ付近においてリップルが発生している。

但し、本実施例に係る弾性表面波装置１において、誘電体層１６の膜厚差波長比が大きくなるにつれてリップルが小さくなることが分かる。

なお、上記実施例では、バスバー１２ｃ，１３ｃが第１及び第２の導電膜１８，１９により構成されており、厚膜部を有することを利用して、誘電体層１６の非交差領域部１６ａが、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分を含むように形成したが、本発明において、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分を含むように形成する方法はこれに限定されない。例えば、バスバー１２ｃ，１３ｃが第１の導電膜１８により構成されており、バスバー１２ｃ，１３ｃを構成する第１の導電膜１８の上にＳｉＯ_２膜などの誘電体層を形成し、この誘電体層により、バイアススパッタリング法による誘電体層１６の形成時のエッチングレートを制御することにより、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分を含むように形成してもよい。

また、犠牲層を用いたエッチバック法により、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を含むように形成することもできる。具体的には、バイアススパッタリング法、基板バイアスを印加しないＲＦスパッタリング法やＤＣスパッタリング法などにより形成した誘電体層１６の上にレジストを塗布する。その後、レジストと共に誘電体層１６をエッチングする（レジスト・エッチバック）ことにより、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を含むように形成することができる。

上記第１の実施形態では、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａの全体で、表面１６ａ１が交差幅方向ｙにおいて圧電基板１０の表面１０ａに対して傾斜した方向に延びている、すなわち、非交差領域部１６ａの全体に交差幅方向ｙにおける厚み偏差が形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、誘電体層１６の非交差領域部１６ａの一部において、表面１６ａ１が交差幅方向ｙにおいて圧電基板１０の表面１０ａに対して傾斜した方向に延びており、その他の部分において、表面１６ａ１が交差幅方向ｙにおいて圧電基板１０の表面１０ａに対して平行な方向に延びていてもよい。すなわち、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分の一部において、交差幅方向ｙにおける厚み偏差が形成されており、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分のうち、その他の部分において、厚さが、交差幅方向ｙにおいて一定であってもよい。

上記第１の実施形態では、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａの厚さは、交差幅方向ｙにおいて、バスバー１２ｃ，１３ｃの厚膜部に近づく、すなわち、交差領域Ｃから離れるに従って、厚くなる例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａは、例えば、交差幅方向ｙにおいて、交差領域Ｃに近づくに従って厚くなるように形成されていてもよい。このような場合であっても、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分を含むため、上記第１の実施形態の場合と同様に、リップルやスプリアスを抑制することができる。

上記第１の実施形態では、誘電体層１６の非交差領域部１６ａに、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分が設けられている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、誘電体層１６の反射器１４，１５が形成されている領域の部分にも、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分が設けられていてもよい。反射器１４，１５が形成されている領域は、非交差領域Ｄと同様に弾性表面波の反射領域である。このような場合であっても、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分が、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分を含むため、リップルやスプリアスを抑制することができる。

以下、本発明の好ましい実施形態の変形例及び他の実施形態について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に同様の機能を有する部材を同様の符号で参照し、説明を省略する。

（第１の変形例）
図９は、本発明の第１の変形例に係る弾性表面波装置２の略図的断面図である。

本変形例の弾性表面波装置２は、誘電体層１６の形状を除いては、上記第１の実施形態に係る弾性表面波装置１と実質的に同様の構成を有する。

上記第１の実施形態では、誘電体層１６の非交差領域部１６ａの厚さが、交差幅方向ｙにおいて徐変する例について説明した。但し、本発明は、誘電体層１６の非交差領域Ｄに形成されている部分である非交差領域部１６ａなど、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分が、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分を含む限りにおいて、上記構成に限定されない。

例えば、図９に示すように、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが、段差構造に形成されていてもよい。具体的には、本変形例では、非交差領域部１６ａは、第１の部分１６ａ２，第２の部分１６ａ３及び第３の部分１６ａ４を備えている。第１の部分１６ａ２，第２の部分１６ａ３及び第３の部分１６ａ４は、交差幅方向ｙにおいて、交差領域Ｃ側からこの順番で設けられている。そして、第１の部分１６ａ２の表面と第２の部分１６ａ３の表面との間、第２の部分１６ａ３の表面と第３の部分１６ａ４の表面との間のそれぞれに段差が形成されている。このように、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分である、非交差領域部１６ａが段差構造を有することにより、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分が形成されていてもよい。その場合であっても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

なお、本変形例における誘電体層１６は、誘電体層１６を形成した後に、感光性レジストなどの耐エッチング用マスクを用いて誘電体層１６をエッチングすることにより形成することができる。

（第２及び第３の変形例）
図１０は、本発明の第２の変形例に係る弾性表面波装置３の略図的平面図である。図１１は、本発明の第３の変形例に係る弾性表面波装置４の略図的平面図である。なお、図１０及び図１１では、誘電体層１６及び保護層１７の描画を省略している。

上記第１の実施形態では、ＩＤＴ電極１１は、弾性表面波伝搬方向ｘにおいて、交差幅の極大値が複数現れるように交差幅重み付けされている例について説明した。但し、本発明において、ＩＤＴ電極１１の構成は、特に限定されない。

例えば、図１０に示すように、ＩＤＴ電極１１は、弾性表面波伝搬方向ｘにおいて、交差幅の極大値が一つ現れるように交差幅重み付けされていてもよい。具体的には、図１０に示すように、ＩＤＴ電極１１は、弾性表面波伝搬方向ｘにおける中央において交差幅が最大となり、弾性表面波伝搬方向における端部に向かうにつれて交差幅が小さくなるように交差幅重み付けされている。このような場合であっても、誘電体層１６の非交差領域Ｄに形成されている部分である非交差領域部１６ａなど、誘電体層１６の弾性表面波の反射領域に形成されている部分が、交差幅方向ｙにおいて厚さが異なる部分を含むように形成されていることにより、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、図１１に示すように、ＩＤＴ電極１１は、交差幅が弾性表面波伝搬方向ｘにおいて一定である正規型のＩＤＴ電極であってもよい。ＩＤＴ電極１１が正規型のＩＤＴ電極である場合、反射器１４，１５が形成されている領域が、弾性表面波の反射領域である。このため、ＩＤＴ電極１１が正規型のＩＤＴ電極である場合、誘電体層１６の反射器１４，１５が形成されている領域の部分に、交差幅方向ｙにおいて、厚さが異なる部分を設けることにより、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

また、バスバー１２ｃ，１３ｃは、直線状に形成されていなくてもよい。例えば、バスバー１２ｃ，１３ｃは、バスバー１２ｃ，１３ｃの端部と包絡線Ａ、Ｂとの間の距離が弾性表面波伝搬方向ｘにおいて略一定となるような形状に形成されていてもよい。この場合、電極指１２ａ，１３ａやダミー電極指１２ｂ，１３ｂにおいて生じる電気的抵抗損失を小さくすることができる。従って、リターンロスをより小さくすることができる。

（第２の実施形態）
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置５の略図的回路図である。

上記第１の実施形態では、本発明の好ましい形態について、１ポート型弾性表面波共振子である弾性表面波装置１を例に挙げて説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明に係る弾性表面波装置は、例えば、弾性表面波フィルタであってもよい。第２の実施形態では、ラダー型の弾性表面波フィルタとしての弾性表面波装置５を例に挙げて、本発明の好ましい実施形態について説明する。

図１２に示すように、本実施形態の弾性表面波装置５は、入力端子３１と、出力端子３２とを備えている。入力端子３１と出力端子３２とは、直列腕３３によって接続されている。直列腕３３には、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ７が設けられている。直列腕３３とグラウンド電位との間には、並列腕３４ａ〜３４ｃが接続されている。各並列腕３４ａ〜３４ｃには、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３が設けられている。並列腕３４ａ及び並列腕３４ｂとは、インダクタＬ１を介して共通にグラウンド電位に接続されている。並列腕３４ｃとグラウンド電位との間には、インダクタＬ２が接続されている。

そして、本実施形態においては、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ７及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３のうちの少なくとも一つが、上記第１の実施形態に係る弾性表面波装置１により構成されている。従って、スプリアスやリップルが抑圧されており、良好なフィルタ特性を得ることができる。なお、ラダー型の弾性表面波フィルタとしての弾性表面波装置は、他の回路構成であってもよい。

（第３の実施形態）
図１３は、本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装置６の略図的平面図である。なお、図１３では、誘電体層１６及び保護層１７の描画を省略している。第３の実施形態では、縦結合共振子型弾性表面波フィルタとしての弾性表面波装置６を例に挙げて、本発明の好ましい実施形態について説明する。

図１３に示すように、本実施形態の弾性表面波装置６は、入力端子４１と出力端子４２との間に縦続接続されている第１及び第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部４３，４４が設けられている。第１及び第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部４３，４４のそれぞれは、複数のＩＤＴ電極を備えている。これら、第１及び第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部４３，４４を構成している複数のＩＤＴ電極のうちの少なくとも一つが、上記第１の実施形態に係る弾性表面波装置１のＩＤＴ電極１１と同様に構成されている。従って、スプリアスやリップルが抑圧されており、良好なフィルタ特性を得ることができる。

（第４の実施形態）
図１４は、本発明の第４の実施形態に係る弾性表面波装置７の略図的回路図である。上記第１の実施形態では、本発明の好ましい形態について、１ポート型弾性表面波共振子である弾性表面波装置１を例に挙げて説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明に係る弾性表面波装置は、例えば、弾性表面波分波器であってもよい。第４の実施形態では、弾性表面波分波器としての弾性表面波装置７を例に挙げて、本発明の好ましい実施形態について説明する。

図１４に示すように、本実施形態の弾性表面波装置７は、アンテナ５１に接続されるアンテナ端子５２と、第１及び第２の受信側信号端子５３ａ，５３ｂと、送信側信号端子５４とを備えている。アンテナ端子５２と第１及び第２の受信側信号端子５３ａ，５３ｂとの間には、受信側フィルタ５５が接続されている。アンテナ端子５２と送信側信号端子５４との間には、送信側フィルタ５６が接続されている。そして、受信側フィルタ５５及び送信側フィルタ５６は弾性表面波フィルタからなり、受信側フィルタ５５及び送信側フィルタ５６を構成しているＩＤＴ電極のうちの少なくとも一つが、上記第１の実施形態に係る弾性表面波装置１のＩＤＴ電極１１と同様に構成されている。受信側フィルタ５５を構成しているＩＤＴ電極のうちの少なくとも一つが、上記第１の実施形態に係る弾性表面波装置１のＩＤＴ電極１１と同様に構成されている場合は、弾性表面波装置７の受信側のフィルタ特性を向上することができる。送信側フィルタ５６を構成しているＩＤＴ電極のうちの少なくとも一つが、上記第１の実施形態に係る弾性表面波装置１のＩＤＴ電極１１と同様に構成されている場合は、弾性表面波装置７の送信側のフィルタ特性を向上することができる。

１〜７…弾性表面波装置
１０…圧電基板
１０ａ…圧電基板の表面
１１…ＩＤＴ電極
１２…第１のくし歯状電極
１２ａ…電極指
１２ｂ…ダミー電極指
１２ｃ…バスバー
１３…第２のくし歯状電極
１３ａ…電極指
１３ｂ…ダミー電極指
１３ｃ…バスバー
１４，１５…反射器
１６…誘電体層
１６ａ…誘電体層の非交差領域部
１６ａ１…誘電体層の非交差領域部の表面
１６ａ２…誘電体層の非交差領域部の第１の部分
１６ａ３…誘電体層の非交差領域部の第２の部分
１６ａ４…誘電体層の非交差領域部の第３の部分
１６ｂ…誘電体層の交差領域部
１６ｂ１…誘電体層の交差領域部の表面
１７…保護層
１８…第１の導電膜
１９…第２の導電膜
３１…入力端子
３２…出力端子
３３…直列腕
３４ａ〜３４ｃ…並列腕
４１…入力端子
４２…出力端子
４３，４４…第１及び第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
５１…アンテナ
５２…アンテナ端子
５３ａ，５３ｂ…第１及び第２の受信側信号端子
５４…送信側信号端子
５５…受信側フィルタ
５６…送信側フィルタ
Ａ１，Ａ３，Ｂ１，Ｂ３…第１の包絡線部
Ａ２，Ａ４，Ｂ２，Ｂ４…第２の包絡線部
Ｌ１，Ｌ２…インダクタ
Ｐ１〜Ｐ３…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ７…直列腕共振子

Claims (5)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に形成されているＩＤＴ電極と、
   前記圧電基板上において、前記ＩＤＴ電極を覆うように形成されている誘電体層とを備える弾性表面波装置であって、
   前記ＩＤＴ電極は、それぞれ複数の電極指を有し、互いに間挿し合っている第１及び第２のくし歯状電極を備え、
   前記ＩＤＴ電極が形成されている領域は、前記第１のくし歯状電極の電極指と、当該電極指に隣接している前記第２のくし歯状電極の電極指とが、弾性表面波伝搬方向に対して垂直な交差幅方向において交差している交差領域と、前記第１のくし歯状電極の電極指と、当該電極指に隣接している前記第２のくし歯状電極の電極指とが、交差幅方向において交差していない非交差領域とを含み、
   前記誘電体層の前記非交差領域に形成されている部分である、非交差領域部は、前記交差幅方向において厚さが異なる部分を含み、
   前記非交差領域部は、第１の部分と、前記交差幅方向において前記第１の部分に隣接している第２の部分とを含み、
   前記第１の部分の表面と前記第２の部分の表面との間に段差が形成されている、弾性表面波装置。
2. 前記ＩＤＴ電極は、交差幅重み付けされており、
   前記第１のくし歯状電極は、前記第２のくし歯状電極の電極指の先端部と、交差幅方向において対向しているダミー電極指を有し、
   前記第２のくし歯状電極は、前記第１のくし歯状電極の電極指の先端部と、交差幅方向において対向しているダミー電極指を有し、
   前記第１及び第２のくし歯状電極のダミー電極指は、非交差領域に配置されている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
3. 前記誘電体層の前記交差領域に形成されている部分である、交差領域部の表面は、前記圧電基板の表面に平行かつ平坦である、請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
4. 前記第１及び第２のくし歯状電極のそれぞれは、前記複数の電極指が接続されているバスバーを有し、
   前記複数の電極指は、第１の導電膜により構成されており、
   前記バスバーは、前記第１の導電膜と、前記第１の導電膜の上に形成されている第２の導電膜とにより構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
5. 前記ＩＤＴ電極が設けられている領域の弾性表面波伝搬方向の両側に位置する一対の反射器をさらに備え、
   前記反射器は前記誘電体層に覆われており、
   前記誘電体層の反射器が形成されている領域の部分が、前記交差幅方向において厚さが異なる部分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。

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