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JP4932494B2 - リン化合物を含む触媒組成物及びこれを用いたヒドロホルミル化方法 - Google Patents

リン化合物を含む触媒組成物及びこれを用いたヒドロホルミル化方法 Download PDF

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Description

本発明は、二配位リン化合物を含むヒドロホルミル化触媒組成物及びこれを用いたヒドロホルミル化方法に係り、より詳細には、電位金属触媒に配位子として窒素が含まれた二配位リン化合物を適用し、オレフィン系化合物と一酸化炭素及び水素の混合ガスが共に存在する状況で攪拌、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法に関する。
一般的にオキソ（ＯＸＯ）反応としてよく知られているヒドロホルミル化反応は、金属触媒と配位子の存在下で各種オレフィンと合成気体（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ｇａｓ、ＣＯ／Ｈ２）が反応してオレフィンに炭素数が一つ増加した線形（ｎｏｒｍａｌ）及び分枝形（ＩＳＯ）アルデヒドが生成される過程をいう。ＯＸＯ反応は、１９３８年ドイツのＯｔｔｏ Ｒｏｅｌｅｎにより初めて発見され、２００１年を基準に世界的に約８百４０万トンの各種アルデヒド(アルコール誘導体を含む)がＯＸＯ工程を通じて生産及び消費されている(ＳＲＩ報告書、Ｎｏｖｅｍｂｅｒ ２００２、６８２．７００Ａ)。ＯＸＯ反応により合成された各種アルデヒドは、酸化または還元過程を通じてアルデヒド誘導体である酸及びアルコールに変形される。さらに、アルドールなどの縮合反応後、酸化または還元反応を通じて長いアルキル基が含まれた多様な酸及びアルコールに変形されることもある。このようなアルコール及び酸は、溶媒、添加剤、及び各種可塑剤の原料として使われている。
現在、ＯＸＯ工程に使われる触媒は、主にコバルト(ＣＯ)とロジウム(Ｒｈ)系列であり、適用する配位子の種類及び運転条件によって生成されるアルデヒドのＮ／Ｉ選択性（ｒａｔｉｏ ｏｆ ｌｉｎｅａｒ （ｎｏｒｍａｌ） ｔｏ ｂｒａｎｃｈｅｄ （ｉｓｏ） ｉｓｏｍｅｒｓ）が変わる。現在、全世界の７０％以上のＯＸＯ工場がロジウム系触媒を適用した低圧ＯＸＯ工程を採択している。
ＯＸＯ触媒の中心金属としては、コバルト(ＣＯ)及びロジウム(Ｒｈ)の他にもイリジウム(Ｉｒ)、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）などが適用可能である。しかし、各金属は、Ｒｈ≫Ｃｏ＞Ｉｒ、Ｒｕ＞Ｏｓ＞Ｐｔ＞Ｐｄ＞Ｆｅ＞Ｎｉなどの順に触媒活性を表すと知られているので、大部分の工程及び研究は、ロジウムとコバルトに集中している。配位子としては、ホスフィン（ＰＲ３、Ｒ＝Ｃ６Ｈ５、ｎ−Ｃ４Ｈ９）、ホスフィンオキシド（Ｏ＝Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３）、ホスファイト、アミン、アミド、イソニトリルなどが適用可能であるが、触媒の活性、安定性、及びコスト面でトリフェニルホスフィン（ＴＰＰ）より優れた配位子はほとんどない。したがって、大部分のＯＸＯ工程において、触媒としてはＲｈ金属を使用し、配位子としてはＴＰＰを適用しており、また触媒系の安定性を高めるために配位子であるＴＰＰは、触媒の１００当量以上を適用すると知られている。
イーストマンコダック社とユニオンカーバイド（現在はＤｏｗ子会社）社により、高い触媒活性及びＮ／Ｉ選択性を示す二座ホスフィン配位子が開発され(米国特許第４，６９４，１０９号、米国特許第４，６６８，６５１号)、Ｄｏｗで開発されたビスホスファイト配位子の場合、一部工場にも適用されていると知られている。
米国特許第６，６５３，４８５号は、ビアリールホスフィン及びホスフィニットから誘導されたキラル配位子及び遷移金属触媒を用いた非対称反応を開示しており、前記配位子には窒素が含まれた二配位リン化合物の例があるが、これをヒドロホルミル化反応に実際適用するには限界がある。
最近では、ｎアルデヒドの産業的重要性が著しく高まっているところ、ｎ−アルデヒドまたはイソ−アルデヒドに対する高い選択性を表し、高温でも触媒活性及びＮ／Ｉ選択性を安定的に表す触媒組成物が切実に要求されている。
米国特許第４，６９４，１０９号 米国特許第４，６６８，６５１号 米国特許第６，６５３，４８５号
本発明が達成しようとする第１の技術的課題は、高い触媒活性及びＮ／Ｉ選択性を表す二座配位子及び遷移金属触媒を含む触媒組成物を提供することである。
本発明が達成しようとする第２の技術的課題は、前記触媒組成物をオレフィン系化合物、一酸化炭素及び水素の混合ガスと共に攪拌しつつ、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法を提供することである。
本発明が達成しようとする第３の技術的課題は、前記二座配位子の化合物を提供することである。
本発明が達成しようとする第４の技術的課題は、前記二座配位子の化合物の製造方法を提供することである。
本発明は、前記第１の技術的課題を達成するために、
（ａ）下記化学式１：
Figure 0004932494
 (前記化学式１中、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ炭素原子数１ないし２０の置換または非置換のアルキル基；炭素原子数１ないし２０の置換または非置換のアルコキシ基；炭素原子数５ないし２０の置換または非置換のシクロアルカンまたはシクロアルケン；炭素原子数６ないし３６の置換または非置換のアリール基；炭素原子数１ないし２０の置換または非置換のヘテロアルキル基；炭素原子数４ないし３６の置換または非置換のヘテロアリール基；または炭素原子数４ないし３６の置換または非置換の複素環基であり、
Ａｒ１−Ａｒ２は、ビスアリール系化合物であり、
Ｒ３は、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、カルボアリールオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−ＣＯ２ＲのＲは、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基である)
で表される二座配位子と、
（ｂ）下記化学式２：
Figure 0004932494
 (前記化学式２中、
Ｍは、遷移金属であり、
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、それぞれ水素、ＣＯ、アセチルアセトナート、シクロオクタジエン、ノルボルネン、塩素、またはトリフェニルホスフィンであり、
ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ０ないし５の値を有し、但し、ｌ、ｍ、及びｎが同時に０である場合は除外される）
で表される遷移金属触媒を含む触媒組成物を提供する。
本発明は、また前記第２の技術的課題を達成するために、前記触媒組成物をオレフィン系化合物、一酸化炭素及び水素の混合ガスと共に攪拌しつつ、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法を提供する。
本発明の一実施例によれば、前記オレフィン系化合物は、下記化学式３：
Figure 0004932494
 (前記化学式３中、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ水素、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、フッ素（−Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、ブロム（Ｂｒ）、トリフルオロメチル（−ＣＦ３）、または０ないし５個の置換基を有するＣ６−Ｃ２０のフェニル基であり、この時、フェニル基の置換基は、ニトロ基（−ＮＯ２）、フッ素（−Ｆ）、塩素（−Ｃｌ）、ブロム（−Ｂｒ）、メチル基、エチル基、プロピル基またはブチル基である)
で表される化合物であることが望ましい。
本発明は、また前記第３の技術的課題を達成するために、
下記化学式１：
Figure 0004932494
 (前記式１中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＡｒ１−Ａｒ２は、前記定義した通りである)
で表される化合物を提供する。
本発明は、また前記第４の技術的課題を達成するために、
下記化学式４：
Figure 0004932494
 (前記式４中、
Ｒ３及びＡｒ１−Ａｒ２は、前記定義した通りである)
の化合物と塩基を反応させてアミン塩を製造する段階と、
前記アミン塩をＸＰＲ１Ｒ２化合物(Ｘは、ハロゲンであり、Ｒ１及びＲ２は、前記定義した通りである)
と反応させてリンと窒素とが直接結合された二配位化合物を製造する段階とを含む前記化学式１の化合物の製造方法を提供する。
本発明による触媒組成物は、二座配位子及び遷移金属触媒を含むことを特徴とする。
本発明の二座配位子は、望ましくは、前記化学式１で表される二座配位子のＲ１及びＲ２がそれぞれフェニル基、フェニルオキシ基、アルキル基、アルキルオキシ基、またはピロール基であり、Ｒ３がメチル基、エチル基、フェニル基、またはアセチル基である。
また、前記化学式１のビスアリール系化合物が下記化学式５：
Figure 0004932494
 (前記化学式５中、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ９は、それぞれ水素、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、カルボアリールオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−ＣＯ２ＲのＲは、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基であり、
Ｒ６は、メチル基、メトキシ基、ｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ７は、水素であり、Ｒ８は、メチル基、メトキシ基、ｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ９は、水素またはメチル基であることが望ましい)、
または化学式６：
Figure 0004932494
 (前記化学式６中、
Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、及びＲ１５は、それぞれ水素、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、カルボアリールオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−ＣＯ２ＲのＲは、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基である)
で表される化合物である。
遷移金属触媒において、遷移金属(Ｍ）は、コバルト(ＣＯ)、ロジウム(Ｒｈ)、またはイリジウム(Ｉｒ)であることが望ましく、具体的な例としては、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）、アセチルアセトナートカルボニルトリフェニルホスフィンロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）（ＴＰＰ））、ヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)ロジウム（ＨＲｈ（ＣＯ）（ＴＰＰ）３）、アセチルアセトナートジカルボニルイリジウム（Ｉｒ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）、またはヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)イリジウム（ＨＩｒ（ＣＯ）（ＴＰＰ）３）が望ましい。
本発明の触媒反応において、前記遷移金属の含量は、反応溶液を基準として５０ないし５００ｐｐｍであることが望ましい。遷移金属の含量が５０ｐｐｍより少ない場合、ヒドロホルミル化の反応速度が遅くなるため、商業的に望ましくなく、５００ｐｐｍより多い場合には、遷移金属が高価であるため、コストが増加し、反応速度面においてもさらに有利な効果が得られない。
前記遷移金属１モルを基準として、前記二座配位子の含量は、０．５ないし１００モルであり、望ましくは、１ないし２０モルである、この時、前記二座配位子の含量が０．５モルより少ない場合、触媒系の安定性に問題が発生し、１００モルより多い場合には、特別な利得なしに、高価の配位子を過量使用するようになってコスト上昇の問題点があって望ましくない。
この時、前記遷移金属触媒が、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）であり、前記二座配位子が、２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−１)であることが特に望ましい。
前記オレフィン系化合物は、エテン、プロペン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、及びスチレンよりなる群から選択された化合物であることが望ましい。
本発明によるヒドロホルミル化反応に使われる溶媒としては、プロパンアルデヒド、ブチルアルデヒド、バレルアルデヒドのようあなアルデヒド類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、及びシクロヘキサノンのようなケトン類；ベンゼン、トルエン及びキシレンのような芳香族類；オルソジクロロベンゼンを含むハロゲン化芳香族；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、及びジオキサンのようなエーテル類；ジクロロメタンを含むハロゲン化パラフィン類；ヘプタンのようなパラフィン炭化水素などが使われ、望ましくは、各種アルデヒド及びトルエンなどの芳香族である。
本発明のヒドロホルミル化方法に使われる合成気体ＣＯ／Ｈ２の組成は、広範囲に変わりうる。ＣＯ／Ｈ２のモル比は、通常的に約５：９５ないし７０：３０、望ましくは、約４０：６０ないし６０：４０範囲内であり、ＣＯ／Ｈ２のモル比は、約１：１であるものを使用することが特に望ましい。
ヒドロホルミル化反応の温度は、通常的に約２０ないし１８０℃であり、望ましくは、約５０ないし１５０℃範囲内である。反応圧力は、約１ないし７００ｂａｒ、望ましくは、１ないし３００ｂａｒ範囲内である。
前記化学式１の化合物の製造方法を具体的に説明すれば次の通りである。まず、下記化学式４：
Figure 0004932494
 (前記式４中、
Ｒ３及びＡｒ１−Ａｒ２は、前記定義した通りである)
の化合物を溶媒に溶かした後、前記反応溶液を０℃またはそれ以下に冷却させつつ、ｎ−ブチルリチウムのような塩基を添加してアミンの塩を得る。前記アミン塩の溶液にＸＰＲ１Ｒ２化合物(Ｘは、ハロゲンであり、Ｒ１及びＲ２は、前記定義した通りである)を滴加し、その後、得られた沈殿物をろ過、精製及び乾燥して前記化学式１のようなリンと窒素とが直接結合された二配位化合物が得られた。
前記化学式１の化合物の製造方法に使われる溶媒としては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ベンゼン、トルエン、エーテル、及びジクロロメタンなどが使われ、特に、ＴＨＦが望ましく、塩基としては、ｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、水素化ナトリウム（ＮａＨ）、水素化カリウム（ＫＨ）、トリエチルアミン、またはピリジンよりなる群から選択されうる。
また、前記ＸＰＲ１Ｒ２化合物において、Ｘは、塩素（Ｃｌ）、ブロム（Ｂｒ）、またはヨード（Ｉ）であり、Ｒ１及びＲ２は、それぞれフェニル基、フェニルオキシ基、アルキル基、アルキルオキシ基であることが望ましい。
本発明による窒素が含まれた二配位リン化合物を配位子として適用した触媒組成物のオレフィン系化合物に対するヒドロホルミル化反応は、非常に高い触媒活性を表すだけでなく、置換基によってｎ−アルデヒドまたはイソ−アルデヒドに対する高い選択性を表す。
以下、下記合成例及び実施例を通じて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲が下記内容に限定されるものではない。
合成例１：２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−１）の合成
無水テトラヒドロフラン溶媒に２，２'−ビスメチルアミノ-１，１'−ビフェニル１．５ｇを溶解した。前記反応溶液を冷水で冷却しつつ、ｎ−ブチルリチウム(２．５Ｍ)溶液を６．５ｍＬ添加した後、３０分間攪拌した。以後、３．１ｍＬのクロロジフェニルホスフィンが溶けている１５ｍＬの無水テトラヒドロフラン溶液を反応溶液に攪拌しつつ滴加した。反応溶液を常温で一晩中攪拌して生成された沈殿をろ過し、残っている溶液の溶媒を減圧下で除去した。生成された沈殿に少量の精製されたエタノールを添加して洗浄した後に真空で乾燥した(生成物２．６６ｇ、収率６５％)。前記物質は、クロロホルム−Ｄ(ＣＤＣｌ３)に溶かして水素及びリン核磁気共鳴スペクトルの分析結果は次の通りである。１Ｈ ＮＭＲ(ＣＤＣｌ３)：δ２．５２(ｓ、６Ｈ、−ＣＨ３)、６．８１-７．３２(ｍ、２８Ｈ、Ａｒ−Ｈ)。３１Ｐ ＮＭＲ(ＣＤＣｌ３)：δ５４．３９(ｓ)。
合成例２：２，２'−ビス[Ｎ−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−２）の合成
クロロジフェニルホスフィンの代わりにクロロジピロリルホスフィンを適用したことを除いては、合成例１と同じ方法で目的した化合物を合成した。前記物質は、クロロホルム−Ｄ(ＣＤＣｌ３)に溶かして水素核磁気共鳴スペクトルの分析結果は次の通りである。１Ｈ ＮＭＲ (ＣＤＣｌ３)：δ２．５８(ｂｓ、３Ｈ、−ＣＨ３)、３．０４(ｂｓ、３Ｈ、−ＣＨ３)、６．２４(ｔ、２Ｈ、−ｐｙ)、６．４５(ｔ、６Ｈ、−ｐｙ)、６．８２(ｍ、２Ｈ、−ｐｙ)、６．８９(ｍ、６Ｈ、−ｐｙ)、７．３２−７．４０(ｍ、８Ｈ、Ａｒ−Ｈ)。
実施例１ないし４：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）及び２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル（ＢＰＮＰ−１)を適用したプロペンのヒドロホルミル化反応
オートクレーブ(Ａｕｔｏ Ｃｌａｖｅ)社で製作されたハイスループットスクリーン(ＨＴＳ）の反応器に触媒であるＲｈ（ＡｃＡｃ）(ＣＯ)２を０．１００ｍｇ(０．３９０ｍｍｏｌ)、ＧＣ分析の内標物質であるヘキサデカンを０．２ｍＬ及び下記表１に記載されたロジウムに対するモル比によって、二座配位子であるＢＰＮＰ−１をトルエン溶媒に溶かして、全体溶液を１００ｍＬにした後に添加した。前記反応溶液にプロペン：ＣＯ：Ｈ２のモル比が１：１：１である反応気体を注入して反応器内の圧力を６ｂａｒに維持し、８５℃で攪拌しつつ２．５時間反応させた。
前記反応に対する触媒及び配位子の種類、触媒に対する配位子のモル比、反応温度、Ｎ/Ｉ選択性及び触媒活性を表１に詳細に記載した。
下記表１において、Ｎ/Ｉ値は、反応で生成されたｎ−ブチルアルデヒドの量をイソ−ブチルアルデヒドの量で割った値であり、各アルデヒドの生成量は内標物質として添加したヘキサデカンの量を基準に気体クロマトグラフィー(ＧＣ)分析を通じて求めた。
触媒活性は、前記反応で生成されたｎアルデヒドとイソアルデヒドの総量をブチルアルデヒドの分子量、使用した触媒の濃度、そして反応時間で割った値である。この時、触媒活性の単位は、ｍｏｌ(ＢＡＬ)／ｍｏｌ(Ｒｈ)／ｈである。
Figure 0004932494
実施例５ないし９：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）及び２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−１)を適用した温度変化によるプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子に対するロジウムのモル比を３に固定し、反応温度を７０℃から１１０℃まで１０℃ずつ変化させたことを除いては、実施例１と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表２に示した。
Figure 0004932494
実施例１０ないし１３：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）及び２，２'−ビス[Ｎ−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−２)を適用したプロペンのヒドロホルミル化反応
ＢＰＮＰ−１の代わりに２，２'−ビス[Ｎ−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−２)を適用したことを除いては、実施例１ないし４と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表３に示した。
Figure 0004932494
比較例１：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）触媒及びトリフェニルホスフィン（ＴＰＰ)を用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
ＴＰＰを配位子として使用し、配位子に対するロジウムのモル比が１００であることを除いては、実施例１と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表４に示した。
比較例２ないし３：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）触媒及びトリフェニルホスフィン(ＴＰＰ)を適用した温度変化によるプロペンのヒドロホルミル化反応
反応温度を７０℃及び１００℃としたことを除いては、比較例１と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表４に示した。
比較例４：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）触媒及びＩＳＯ−４４を用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子としてＴＰＰの代わりにＤｏｗで開発されたビス-ホスファイト系配位子であるＩＳＯ−４４(６，６'−[[３，３'−ｂｉｓ(１，１−ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｈｔｙｌ)−５，５'−ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ−[１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ]−２，２'−ｄｉｙｌ]ｂｉｓ(ｏｘｙ)]ｂｉｓ−ｄｉｂｅｎｚｏ[ｄ，ｆ][１，３，２]ｄｉｏｘａｐｈｏｓｐｈｅｐｉｎ)を使用し、配位子に対するロジウムのモル比が５であることを除いては、比較例１と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表４に示した。
比較例５ないし６：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）触媒及びＢＩＳＢＩを用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子としてＴＰＰの代わりにＢＩＳＢＩ(２，２'−ビス(ジフェニルホスフィノメチル)−１，１'−ビフェニル、２，２'−Ｂｉｓ(ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏｍｅｔｈｙｌ)−１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ)を使用し、配位子に対するロジウムのモル比が３または１０であることを除いては、比較例１と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表４に示した。
比較例７：アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）触媒及び２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)アミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−０)を用いたプロペンのヒドロホルミル化反応
配位子としてＴＰＰの代わりにＢＰＮＰ−０を使用し、配位子に対するロジウムのモル比が１であることを除いては、比較例１と同じ方法で触媒活性実験を行い、その結果を表４に示した。
Figure 0004932494
前記比較例１の場合、一配位リン化合物であるＴＰＰを配位子として適用したプロペンのヒドロホルミル化反応に対する触媒活性及びＮ/Ｉ選択性を説明すれば、前記表４に表したように触媒活性は、８５．４ｍｏｌ(ＢＡＬ)／ｍｏｌ(Ｒｈ)／ｈであり、Ｎ／Ｉ選択性は、３．９である。本触媒系の反応温度を７０℃または１００℃に変化させる場合、比較例２ないし３のように、触媒活性は、それぞれ２６．４ｍｏｌ(ＢＡＬ)／ｍｏｌ(Ｒｈ)／ｈ と１７７．２ｍｏｌ(ＢＡＬ)／ｍｏｌ(Ｒｈ)／ｈ とで大きな差があり、Ｎ／Ｉ選択性もやはり反応温度の増加によって大きく増加して８．０の値を表すことが分かる。
ＩＳＯ−４４の場合、現在まで開発された配位子のうち触媒活性及びＮ／Ｉ選択性面で最も優れたものであると知られており、ＭＡＲＫ−ＩＶという名称で商業化されて一部工程に適用されていると知られている。ＩＳＯ−４４を適用した触媒の場合、前記比較例４から分かるように、前記条件でのプロペンのヒドロホルミル化反応に対する触媒活性は、２１９．３ ｍｏｌ(ＢＡＬ)／ｍｏｌ(Ｒｈ)／ｈ 、Ｎ／Ｉ選択性は、９．５であった。
ＢＩＳＢＩを配位子として適用した場合には、比較例５ないし６から分かるように、２０以上の非常に高いＮ／Ｉ選択性を表すが、触媒活性は多少低く、特にロジウムに対する配位子のモル比が増加するほど触媒活性は順次に減少する傾向がある。
さらに、公知の２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)アミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−０)、すなわち、ＢＰＮＰ−１の窒素にメチル基の代わりに水素が置換された化合物を配位子として適用した場合である比較例７から分かるように、触媒活性が非常に低かった。そして、ロジウムに対する配位子の当量が３以上では、前記実験条件で触媒活性が非常に低くて生成されるアルデヒドを全く観察できなかった。
本発明で開発された２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−１）の場合、実施例２ないし４から分かるように、ＢＰＮＰ−１がロジウムの３モル比以上に存在する場合、触媒活性は、平均的にＲｈ／ＴＰＰの１６５％に該当する高い値を表し、この時のＮ／Ｉ値は、約２３であって、Ｒｈ／ＴＰＰより５．９倍高いｎ−アルデヒドに対する選択性を表す。以上の結果から、ＢＰＮＰ−１を配位子として適用する場合、少量を使用しても非常に高い触媒活性と共に高いＮ／Ｉ選択性が表され、配位子の量がロジウムを基準に３から１０モル比に増加しても触媒活性の減少は全く見られなかった。イーストマンコダックにより報告されたＢＩＳＢＩの場合、同じ条件で配位子の含量の増加によって、触媒活性が急激に減少する傾向とは非常に対照的な結果と言える(米国特許第４６９４１０９号)。
ＩＳＯ−４４を使用した比較例４と同じ条件のＢＰＮＰ−１を使用した実施例３を比較すると次の通りである。触媒活性の場合、同じ条件でＩＳＯ−４４がＢＰＮＰ−１より約３０％ほど高い傾向がある。しかし、Ｎ／Ｉ選択性面で見れば、ＩＳＯ−４４の場合、前記条件で９．５の値を表すが、ＢＰＮＰ−１は、その２．５倍である２３．６の値を表す。
すなわち、ＩＳＯ−４４に比べて触媒活性は多少下がるが、ｎ−アルデヒドに対する非常に高い選択性があることが分かる。
実施例５ないし９において、ＢＰＮＰ−１とロジウムとのモル比を３：１に固定させ、反応温度を７０℃から１１０℃までに変化させて同じ条件でプロペンのヒドロホルミル化反応を行う場合、反応温度の増加によって触媒活性は、ほとんど線形的に増加し、Ｎ／Ｉ選択性もやはり２３から３１までに多少増加することが分かる。このような反応温度による触媒活性の特性は、比較例２ないし３に表すように一般的な現象であるが、同じ温度条件で比較すると、Ｒｈ／ＴＰＰよりは依然として優れた触媒活性を表すことが分かる。さらに、反応温度の変化による反応物の色変化は、低い反応温度のものと高い反応温度のものとに全く変化がない点を通じてＢＰＮＰ−１を適用した触媒は、前記条件で非常に安定的であるということが分かる。
ＢＰＮＰ−１のＲ１及びＲ２をそれぞれフェニルからピロールに置換した２，２'−ビス[Ｎ−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−２)を配位子として適用する場合の触媒活性及びＮ／Ｉ選択性を表３に示した。表３の実施例１０ないし１１において、ＢＰＮＰ−２とロジウムとのモル比が低い場合、触媒活性がＢＰＮＰ−１より高いということが分かる。しかし、実施例１２ないし１３において、ＢＰＮＰ−２とロジウムとのモル比の増加によって触媒活性は漸進的に減少することが分かる。このような傾向は、ＢＩＳＢＩと似ていると把握される。しかし、特異点は、ＢＰＮＰ−１の場合、ｎ−アルデヒドに対する選択性が非常に高くてＮ／Ｉ値が２３ほどであることに比べてＢＰＮＰ−２の場合にはイソ−アルデヒドに対する選択性が高くてＮ／Ｉ値は３．６以下であるということが分かる。
以上の結果を通じて、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）を触媒とし、二座配位子である２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−１)を配位子として適用する場合、商業的に広く使われているＲｈ／ＴＰＰに比べて６５％以上の高い触媒活性を表すだけでなく、ｎ−アルデヒドに対する高い選択性があるということが分かる。また、高い反応温度でも触媒活性及びＮ／ＩI選択性が安定的であるということが分かる。Ｒ１及びＲ２をフェニル基の代わりにピロール基に置換した２，２'−ビス[Ｎ−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル(ＢＰＮＰ−２)を配位子として適用する場合、非常に高い触媒活性と共にイソ−アルデヒドに対する高い選択性があるということが分かる。
本発明は、アルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化の方法 に好適に用いられる。

Claims (11)

  1. （ａ）下記化学式１：
    Figure 0004932494
    (前記式１中、
    Ｒ１及びＲ２は、それぞれ炭素原子数１ないし２０の置換または非置換のアルキル基；炭素原子数１ないし２０の置換または非置換のアルコキシ基；炭素原子数５ないし２０の置換または非置換のシクロアルカンまたはシクロアルケン；炭素原子数６ないし３６の置換または非置換のアリール基；炭素原子数１ないし２０の置換または非置換のヘテロアルキル基；炭素原子数４ないし３６の置換または非置換のヘテロアリール基；または炭素原子数４ないし３６の置換または非置換の複素環基であり、
    Ａｒ１−Ａｒ２は、ビスアリール系化合物であり、
    前記ビスアリール系化合物が、下記式５：
    Figure 0004932494
    (前記式５中、
    Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ９は、それぞれ水素、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基、トリアリールシリル基、トリアルキルシリル基、カルボアルコキシ基、ハロゲン、ニトリル基であり、この時、カルボアルコキシ基、−ＣＯ２ＲのＲは、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし２０のアリール基である)
    であり
    Ｒ３は、炭素原子数１ないし２０のアルキル基または炭素原子数６ないし２０のアリール基である)
    で表される二座配位子と、
    （ｂ）下記化学式２：
    Ｍ（Ｌ１）ｌ（Ｌ２）ｍ（Ｌ３）ｎ (２)
    (前記式２中、
    Ｍは、遷移金属であり、
    Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、それぞれ水素、ＣＯ、アセチルアセトナート、シクロオクタジエン、ノルボルネン、塩素、またはトリフェニルホスフィンであり、
    ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ０ないし５の値を有し、但し、ｌ、ｍ、及びｎが同時に０である場合は除外される)
    で表される遷移金属触媒を含む、アルデヒドを調製するためのオレフィン系化合物のヒドロホルミル化反応のための触媒組成物。
  2. 前記式１で表される二座配位子のＲ１及びＲ２が、それぞれフェニル基、フェニルオキシ基、アルキル基、アルキルオキシ基、またはピロール基であることを特徴とする請求項１に記載の触媒組成物。
  3. 前記式１で表される二座配位子のＲ３が、メチル基、エチル基、フェニル基、またはアセチル基(ＣＨ３Ｃ（Ｏ）−)であることを特徴とする請求項１に記載の触媒組成物。
  4. 前記式５の置換基のうち、Ｒ６は、メチル基、メトキシ基、ｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ７は、水素であり、Ｒ８は、メチル基、メトキシ基、ｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ９は、水素またはメチル基であることを特徴とする請求項１に記載の触媒組成物。
  5. 前記式２の遷移金属が、コバルト(Ｃｏ)、ロジウム(Ｒｈ)、またはイリジウム(Ｉｒ)であることを特徴とする請求項１に記載の触媒組成物。
  6. 前記遷移金属触媒が、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）、アセチルアセトナートカルボニルトリフェニルホスフィンロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）（ＴＰＰ））、ヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)ロジウム（ＨＲｈ（ＣＯ）（ＴＰＰ）３）、アセチルアセトナートジカルボニルイリジウム（Ｉｒ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）、またはヒドリドカルボニルトリ(トリフェニルホスフィン)イリジウム（ＨＩｒ（ＣＯ）（ＴＰＰ）３）であることを特徴とする請求項１に記載の触媒組成物。
  7. 前記遷移金属の含量は、触媒反応の全体溶液を基準として５０ないし５００ｐｐｍであり、遷移金属１モルを基準として前記二座配位子の含量は、０．５ないし１００モルであることを特徴とする請求項１に記載の触媒組成物。
  8. 前記遷移金属触媒が、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム（Ｒｈ（ＡｃＡｃ）（ＣＯ）２）であり、前記二座配位子が、２，２'−ビス[Ｎ−(ジフェニルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル（ＢＰＮＰ−１)、または２，２'−ビス[Ｎ−(ジピロリルホスフィノ)メチルアミノ]−１，１'−ビフェニル（ＢＰＮＰ−２)であることを特徴とする請求項１に記載の触媒組成物。
  9. 請求項１ないし８のうち何れか１項に記載の触媒組成物をオレフィン系化合物、一酸化炭素及び水素の混合ガスと共に攪拌しつつ、加温、加圧してアルデヒドを製造するオレフィン系化合物のヒドロホルミル化方法。
  10. 前記オレフィン系化合物が下記式３：
    Figure 0004932494
    (前記式３中、
    Ｒ４及びＲ５は、それぞれ水素、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、フッ素（−Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、ブロム（Ｂｒ）、トリフルオロメチル（−ＣＦ３）、または０ないし５個の置換基を有するＣ６−Ｃ２０のフェニル基であり、この時、フェニル基の置換基は、ニトロ基（−ＮＯ２）、フッ素（−Ｆ）、塩素（−Ｃｌ）、ブロム（−Ｂｒ）、メチル基、エチル基、プロピル基またはブチル基である)
    で表されるオレフィン系化合物であることを特徴とする請求項９に記載のヒドロホルミル化方法。
  11. 前記オレフィン系化合物が、エテン、プロペン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、及びスチレンよりなる群から選択された化合物であることを特徴とする請求項９に記載のヒドロホルミル化方法。
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