JP4907912B2 - 新規な1,3,5−トリフェニルベンゼン誘導体およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
特に青色リン光材料についてはエネルギーギャップが大きいためにワイドギャップ化されたホール輸送剤や電子輸送剤が必要になってくる。現在これらリン光材料については、電子輸送材料に従来から使用されているAlq3〔トリス(8−キノリノラト)アルミニウム〕やBAlq2〔ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムp−フェニルフェノラート〕等が使用されているが、リン光材料に使用するには十分なエネルギーギャップを持ち合わせていないため新規なワイドギャップな電子輸送材料の開発が必要である。
M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest APPLIED PHYSICS LETTER 1999 75(1) 4−7 Appl.Phys.Lett.,79, 2082(2001) J.Appl.Phys.90 5048(2001) 4Polyhedron 23 (2004) 419−428
本発明の第2は、請求項1記載の1,3,5−トリフェニルベンゼン誘導体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明の第3は、請求項1記載の1,3,5−トリフェニルベンゼン誘導体を電子輸送材料として使用したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
(2)本発明の1,3,5−トリフェニルベンゼン誘導体を用いることにより、新規な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができた。
(1)1,3,5−トリス(m−ブロモフェニル)ベンゼン{1,3,5−tris(m−bromophenyl)benzene(TmBrPhB)}の合成
THF/n−ヘキサンによる再結晶を行い、白い固体の1,3,5−トリス(m−ブロモフェニル)ベンゼン{1,3,5−tris(m−bromophenyl)benzene(TmBrPhB)}を得た。収率:82.1mol%。
構造確認は1HNMRで行った。
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/酢酸エチル/メタノル=15/5/1)を二回行い、薄い黄色の固体を得た。収率:54.7mol%。
構造確認は1HNMRで行った。電気化学的特性および熱特性を後記表1に示す。
(1)5−(3−クロロフェニル)ピリミジン(CPh5Pm)の合成
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:n−ヘキサン/酢酸エチル=1/1)を行い、白い固体を得た。収率:95.0mol%。
構造確認は1HNMRで行った。
精製はカラムクロマトグラフィー法〔展開溶媒:n−ヘキサン/酢酸エチル=2/1(1回);クロロホルム/酢酸エチル=6/1(2回)〕を行い、薄い黄色の粘体を得た。収率:46.5mol%。
構造確認は1HNMRで行った。
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/酢酸エチル=1/1;酢酸エチル;クロロホルム/メタノール=25/1)を行い、n−ヘキサンによる再結晶を行い白色の粉末を得た。収率:40.0mol%。
構造確認は1HNMRで行った。電気化学的特性および熱特性を後記表1に示す。
Tg(ガラス転移温度)については、DSC(Diffirential Scanning Calorimeter 示差熱量計)中にサンプルを加え、溶融させたものを急冷し、2〜3回繰り返すとガラス転移を表すカーブがチャート上に現れるので、そのカーブを接線で結び、その交点の温度をTgとして採用する。
Tm(融点)は、同じくDSCにサンプルを加え、昇温していくと吸熱カーブが現れるのでその極大のところとの温度を読んで、その温度をTmとする。
Td(分解温度)は、DTA(Differential thermal analyzer 示差熱分析装置)にサンプルを加え、加熱していくとサンプルが熱によって分解し、重量が減少しだす。その減少を開始しだしたところの温度を読んで、その温度をTdとする。
エネルギーギャップ(Eg)については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりの所に接線を引き、求まった交点の波長を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がEgになる。
Eg=1240÷nm
例えば接線を引いて求めた値が470nmだったとしたらこの時のEgの値は
Eg=1240÷470=2.63(eV)
と言うことになる。
Ip(イオン化ポテンシャル)は、イオン化ポテンシャル測定装置(例えば理研計器AC−1)を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始しだしたところの電圧(eV)の値を読む。
Ea(電子親和力)は、IpからEgを引いた値である。
本明細書における波長に対する強度(intensity a.u.)の測定は、浜松ホトニクス社製ストリークカメラを用いて、クライオスタット中で4.2kにおいて測定した。
TmiQPhBを電子輸送層として有機EL素子へ応用
素子構造:
ITO/α−NPD(50nm)/Alq3(40nm)/TmiQPhB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm);(実施例1)
この素子の物性データを表2〜4に示す。
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