JP4898680B2 - グレートーンマスク用ブランクスを用いたグレートーンマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)、そして第二のエッチング液としてITOエッチング液(HCl+FeCl 3 系)又はFeCl 3 溶液の順で二液エッチングにより前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングし、マスク開口部を形成し、次に、前記遮光膜のみを選択的にウエットエッチングできるCrエッチング液一液を用いて、ハーフエッチングを行い半透光部を形成することを特徴としている。
また、本発明によるブランクスを用いてグレートーンマスクを製造する方法においては、前記第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)を室温で使用し、前記第二のエッチング液としてITOエッチング液(HCl+FeCl 3 系)を室温以上に加熱して使用し得る。
純Niターゲット(厚さ3mm)、及び各種Ni合金ターゲット(Ni9Ti原子%、Ni31Cu原子%/モネル合金、それぞれ厚さ6mm)、及び純Niターゲット上に各種純金属片(Al、Ti、Zr、V、Nb、Ta、W)をチップオンしたターゲット及び純Crターゲット(厚さ6mm)を使用して所定の雰囲気ガスの真空室内で直流スパッタリング法により遮光膜及び半透光膜を成膜した。
比較例 1
Ni22Cr原子%/ニクロム合金、Ni25Mo原子%/ハステロイ系合金からなるターゲット(6mm)を使用して、実施例1と同様な条件で成膜を行った。形成された金属Ni22Cr膜(NO.23)、金属Ni25Mo膜(NO.24)のエッチングレートを調べた結果は表1の通りであった。その結果、いずれもCrエッチング液には可溶であった。
2:半透光膜
3:遮光膜
4:レジスト膜
5:レジストパターン
6:開口部
7:レジスト膜
8:レジストパターン
9:半透光部
10:遮光部
Claims (2)
- 遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスク用ブランクスにおいて、透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜及び半透光膜を有し、前記遮光膜及び前記半透光膜の金属成分の組成が異なっており、前記半透光膜がNi酸化物、Ni酸窒化物、Niを95〜60原子%、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Cu、Fe、Al、Pdのうち少なくとも一種を合計5〜40原子%含むNi合金、前記Ni合金の酸化物、又は前記Ni合金の酸窒化物のいずれからなる薄膜であり、前記遮光膜が金属成分としてCrを含む薄膜から成る前記グレートーンマスク用ブランクスを用いてグレートーンマスクを製造する方法であって、
第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)、そして第二のエッチング液としてITOエッチング液(HCl+FeCl 3 系)又はFeCl 3 溶液の順で二液エッチングにより前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングし、マスク開口部を形成し、次に、前記遮光膜のみを選択的にウエットエッチングできるCrエッチング液一液を用いて、ハーフエッチングを行い半透光部を形成することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。 - 前記第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)を室温で使用し、前記第二のエッチング液としてITOエッチング液(HCl+FeCl 3 系)を室温以上に加熱して使用することを特徴とする請求項1に記載のグレートーンマスクの製造方法。
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JP5105407B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-12-26 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
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JP5531702B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-06-25 | 旭硝子株式会社 | 遮光膜付ガラス基板および液晶表示装置 |
JP2014523633A (ja) * | 2011-05-27 | 2014-09-11 | エムシー10 インコーポレイテッド | 電子的、光学的、且つ/又は機械的装置及びシステム並びにこれらの装置及びシステムを製造する方法 |
CN102569038A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-07-11 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 图形化衬底的制作方法 |
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Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52136526A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-15 | Akai Electric | Method of forming twoocolor stripe filter |
JPS5779174A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Etching solution for chromium film and chromium oxide film |
JPH07168343A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
JPH1115135A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JPH11119676A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-30 | Ulvac Seimaku Kk | ブランクス及びブラックマトリクス |
JPH11223931A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
JP2002189281A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
JP2003322956A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2005024730A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法 |
JP2005084366A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク及びその製造法並びに露光マスク |
JP2005084682A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Schott Ag | 減衰性移相マスクブランク及びフォトマスク |
JP2005208660A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Schott Ag | 超高透過率の位相シフト型のマスクブランク |
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52136526A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-15 | Akai Electric | Method of forming twoocolor stripe filter |
JPS5779174A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Etching solution for chromium film and chromium oxide film |
JPH07168343A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-07-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
JPH1115135A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JPH11119676A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-30 | Ulvac Seimaku Kk | ブランクス及びブラックマトリクス |
JPH11223931A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
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