KR101253482B1

KR101253482B1 - 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크와 하프톤형위상반전마스크 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR101253482B1
Application number: KR1020060032027A
Authority: KR
Inventors: 남기수; 차한선; 양신주
Original assignee: 주식회사 에스앤에스텍
Priority date: 2006-04-07
Filing date: 2006-04-07
Publication date: 2013-04-11
Anticipated expiration: 2026-04-07
Also published as: KR20070100572A

Abstract

본 발명의 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크와 하프톤형 위상반전마스크 및 그의 제조방법은, 투명기판상에 식각저지막, 위상반전막, 차광막, 반사방지막, 레지스트막으로 이루어지고, 노광광의 파장에서 1% 이상의 투과율을 가지고 160 ～200°의 위상반전이 이루어지는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크에 있어서, 식각저지막은 두께가 10～500Å이고, 노광광의 파장에서 10～90%의 투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 하프톤형 위상 시프트 마스크에 관한 발명이며, 투명기판과 위상반전막 각각에 대해 우수한 선택비를 가지는 식각저지막을 적용함으로 인해 정확한 위상반전을 조절할 수 있으며, 언더컷이 형성됨으로써, 위상반전막 패턴의 측벽에서의 투과광의 강도 감소 없이 위상반전을 극대화할 수 있는 효과가 있다.

마스크, 블랭크, 식각저지막, 위상반전, 하프톤

Description

하프톤형 위상반전 블랭크 마스크와 하프톤형 위상반전마스크 및 그의 제조방법{Half-tone phase shift blankmask and half-tone phase shift mask and their manufacturing method}

도 1은 종래의 기술에 의해 제조된 하프톤형 위상반전마스크의 단면도이다.

도 2는 본 발명에 의해 제조된 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크의 단면도이다.

도 3은 상기 도 2의 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크를 사용하여 제조된 하프톤형 위상반전마스크의 단면도이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

10: 투명기판 20: 식각저지막

30: 위상반전막 40: 차광막

50: 반사방지막 60: 레지스트막

20a: 식각저지막 패턴 30a: 위상반전막 패턴

40a: 차광막 패턴 50a: 반사방지막 패턴

100: 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크

200: 하프톤형 위상반전마스크 300: 언더컷 영역

500: 위상반전막 패턴의 측벽

본 발명은 반도체 집적회로 제조시 사용되는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것으로서, 특히 투명기판에 대해 우수한 선택비를 가지고 우수한 해상도를 구현할 수 있는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 위상반전마스크에 관한 것이다.

반도체 집적회로의 고집적화로 인해 반도체 포토리소그래피 공정시 하프톤형 위상반전마스크가 사용되고 있다. 하프톤형 위상반전마스크는 하프톤형 블랭크 마스크를 통해 제조되며, 일반적으로 투명기판상에 위상반전막 패턴, 차광막, 반사방지막이 형성된 후 레지스트막이 형성된 구조를 가진다. 이때 투명기판은 통상적으로 SiO₂를 주성분으로 하는 석영기판이 사용되며 위상반전막 또한 Si를 주성분으로 하는 MoSiN 또는 MoSiON 또는 MoSiCON 또는 MoSiCN의 조성을 가지는 위상반전막이 사용되고 있다.

일반적으로 포토마스크 제조시 위상반전막 패턴을 형성할 때, 크롬 화합물로 이루어진 차광막과 반사방지막을 식각마스크로 He과 SF₆ 또는 CF_4, 또는 CHF₃와 같은 불소계열의 가스를 사용하여 건식 식각(Dry Etch)을 실시한다. 이러한 불소계열의 가스는 Si을 물리적 또는 화학적 반응에 의해 제거하게 된다. 그런데 투명기판과 위상반전막 모두 Si을 주성분으로 하기 때문에 건식식각시 위상반전막 식각 종점 시간을 설정하기 힘들다. 상기와 같은 문제로 인해 식각 멈춤 검출기(End Point Detector)를 사용한 기술이 적용되고 있지만, 식각 멈춤 검출기를 사용하여 위상반전막의 건식 식각을 실시하더라도 투명기판의 손상 없이 위상반전막의 식각을 실시하기 힘들게 되어, 위상반전막 형성시 측정되었던 위상반전각의 변화를 초래하게 됨으로써 위상반전마스크의 제조가 힘들어지게 된다.

도 1을 참조하면, 종래의 위상반전마스크(200)의 경우 투명기판(10) 위에 형성되는 위상반전막 패턴(30a), 차광막 패턴(40a), 반사방지막 패턴(50a)을 사용하여 위상반전의 효과를 적용하였다. 그러나 반도체 회로의 고집적화가 요구됨에 따라 위상반전마스크에서도 더욱더 미세한 패턴의 형성이 요구되고, 종래의 위상반전마스크의 경우 위상반전막 패턴(30a)의 측벽(500) 지역에서 투과광의 강도가 약해지는 문제가 발생하게 된다. 따라서 투과광의 강도가 약해짐으로 인해 상쇄간섭에 의한 위상반전의 효과가 충분히 발생하지 않게 되어 미세한 패턴의 형성이 힘들게 되는 문제가 있다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 하프톤형 위상반전 마스크의 위상반전 패턴 측벽 지역에서의 투과광 강도를 증가시켜 충분한 상쇄효과를 통한 위상반전 기능을 강화하고, 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크에서 투명기판과 위상반전막 간의 선택비를 향상시킬 수 있는 식각저지막과 같은 박막의 추가를 통해 위상반전막의 건식식각시 투명기판과의 선택비를 개선하여 우수한 품질을 가지는 하프톤형 위상반전 마스크를 제공하기 위함이다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 하프톤형 위상반전마스크는, 투명기판 위에 식각저지막, 위상반전막, 차광막, 반사방지막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크를 사용하여, 투명기판 위에 식각저지막, 위상반전막, 차광막, 반사방지막 패턴이 형성된 위상반전마스크인 것을 특징으로 한다.

특히 상기 본 발명에 의한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 제조 공정의 경우, 바람직하게는 a1) 투명기판 상에 식각저지막을 형성하는 단계; b1) 상기 a1) 단계에서 형성된 식각저지막 상에 위상반전막을 형성하는 단계; c1) 상기 b1) 단계에서 형성된 위상반전막 상에 차광막을 형성하는 단계; d1) 상기 c1) 단계에서 형성된 차광막 상에 반사방지막을 형성하는 단계; e1) 상기 d1) 단계에서 형성된 반사방지막 상에 레지스트막을 형성하여 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크를 제조하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 a1) 단계에서 식각저지막을 형성하기 위한 방법으로는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD), 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD), 열증착(Thermal Evaporation) 등의 방식을 통해 형성될 수 있다.

상기 a1) 단계에서 식각저지막 형성시 사용되는 타겟 물질로는, 붕소(B), 탄소(C), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 비소(As), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드늄(Cd), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 루테튬(Lu), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 플래티늄(Pt), 금(Au), 탈륨(Tl), 납(Pb) 중에서 선택된 1종 이상의 물질이 사용될 수 있다.

상기 a1) 단계에서 식각저지막 형성시 스퍼터링을 통해 형성되는 경우 공정 조건은 압력이 1×10^-1 ～ 9.9×10^-5torr, 전압이 0.01 ～ 10 kW의 범위로 하는 것이 바람직하다.

상기 a1) 단계에서 식각저지막 형성시 스퍼터링을 통해 형성되는 경우, 불활성 가스인 아르곤(Ar)이 1 ～ 100 sccm이 사용되고, 반응성 가스로는 질소(N₂), 산소(O₂), 탄소(C), 불소(F₂) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하여 사용할 수 있다.

상기 a1) 단계에서 식각저지막의 노광 파장에서의 투과율은 0 ～ 90%이며, 식각저지막의 물질은 건식 식각(Dry Etch)시 투명기판과의 선택비(Selectivity)를 고려하여 투명기판을 건식 식각 가능한 식각 가스에 내구성을 지니는 물질인 것이 바람직하다.

상기 a1) 단계에서 투명기판의 물질이 합성 석영(Synthetic Quartz), 소다라임 유리(Sodalime Glass) 등일 경우 식각저지막의 물질의 주성분은 크롬(Chromium)인 것이 바람직하다.

상기 a1) 단계에서 식각저지막의 물질은 위상반전막의 건식 식각시 사용되는 식각 가스에 의해 식각이 되지 않는 물질인 것이 또한 바람직하다.

상기 b1) 단계에서 위상반전막을 형성하기 위한 방법으로는, 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD), 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD), 열증착(Thermal Evaporation) 등의 방식을 통해 형성될 수 있다.

상기 a1) 단계에서 위상반전막 형성시 사용되는 타겟 물질로는, 붕소(B), 탄소(C), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 비소(As), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드늄(Cd), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 루테튬(Lu), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 플래티늄(Pt), 금(Au), 탈륨(Tl), 납(Pb) 중에서 선택된 1종 이상의 물질이 사용될 수 있다.

상기 a1) 단계에서 위상반전막 형성시 스퍼터링을 통해 형성되는 경우의 공정 조건은, 압력이 1×10^-1 ~ 9.9×10^-5torr, 전압이 0.01 ~ 10 kW인 것이 바람직하다.

상기 a1) 단계에서 위상반전막 형성시 스퍼터링을 통해 형성되는 경우, 불활성 가스인 아르곤(Ar)이 1 ~ 100 sccm이 사용되고, 반응성 가스로는 질소(N₂), 산소(O₂), 탄소(C), 불소(F₂) 중에서 선택된 1종 이상의 반응성 가스를 사용하여 형성 되는 것이 바람직하다.

상기 b1) 단계에서 위상반전막의 투과율은 노광파장에서 0.01 ~ 90%인 것이 바람직하며, 상기 위상반전막의 주성분이 몰리브데늄과 실리콘의 조합일 경우에는 MoSiN, MoSiON, MoSiCN 또는 MoSiCON이 될 수 있다.

상기 a1) 및 b1) 단계의 식각저지막과 위상반전막에 있어서, 노광광에 있어서의 위상반전은 식각저지막과 위상반전막의 위상반전 합이 160 ～ 200°인 것이 바람직하다.

상기 b1) 단계에서 위상반전막은 식각저지막의 습식 식각시 사용되는 습식 식각액에 의해 식각 되지 않는 물질인 것이 바람직하다.

상기 c1) 단계에서 차광막의 노광 파장에 있어서의 투과율은 1% 미만인 것이 좋으며, 상기 d1) 단계에서 반사방지막의 반사율은 노광 파장에 있어서 20% 미만인 것이 바람직하다.

상기 a1) 및 c1) 및 d1) 단계에 있어서 식각저지막, 차광막, 반사방지막은 습식 식각시 동일한 식각액에 식각되는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 e1) 단계에서 레지스트막은 포지티브(Positive) 및 네거티브(Negative) 형 각각의 포토레지스트(Photoresist), 전자빔 레지스트(e-beam resist), 화학증폭형레지스트(Chemically Amplified Resist)를 통해 형성되는 레지스트막이 될 수 있다.

특히 상기 본 발명에 의해 제조된 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크를 사용한 하프톤형 위상반전마스크 제조 방법의 경우, 바람직하게는 f1) 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크의 레지스트막을 노광 장비를 사용하여 노광을 하는 단계; g1) 상기 f1) 단계에서 레지스트막의 노광을 한 후 노광 후 굽기(Post Exposure Bake; PEB)를 실시하는 단계; h1) 상기 f1) 단계에서 PEB를 실시한 후 현상을 실시하여 레지스트막 패턴을 형성하는 단계; i1) 상기 h1) 단계에서 현상을 실시하여 얻어진 레지스트막 패턴을 마스크로 사용하여 반사방지막 및 차광막의 식각을 실시하여 반사방지막 및 차광막 패턴을 형성하는 단계; j1) 상기 i1) 단계에서 반사방지막 및 차광막 패턴을 형성한 후 위상반전막의 식각을 실시하여 위상반전막 패턴을 형성하는 단계; k1) 상기 j1) 단계에서 위상반전막 패턴을 형성한 후 필요 없어진 레지스트막 패턴을 스트립(Strip)을 실시하는 단계; l1) 상기 k1) 단계에서 레지스트막 패턴을 스트립을 실시한 후 이물질 제거를 위해 세정을 실시하는 단계; m1) 상기 l1) 단계에서 이물질 제거를 위해 세정을 실시한 후 레지스트막 형성을 하는 단계; n1) 상기 m1) 단계에서 형성된 레지스트막을 노광장치를 사용하여 원하는 영역에 노광을 하는 단계; o1) 상기 n1) 단계에서 레지스트막의 노광을 한 후 PEB를 실시하는 단계; p1) 상기 o1) 단계에서 PEB를 실시한 후 현상을 실시하여 레지스트막 패턴을 형성하는 단계; q1) 상기 p1) 단계에서 형성된 레지스트막 패턴을 식각마스크로 식각을 실시하여 식각저지막, 차광막, 반사방지막 패턴을 형성하는 단계; r1) 상기 q1) 단계에서 식각저지막, 차광막, 반사방지막 패턴 형성 후 필요 없어진 레지스트막 패턴을 스트립을 실시하는 단계; s1) 상기 r1) 단계에서 레지스트막 패턴을 스트립을 실시한 후 이물질 제거를 위해 세정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.

상기의 과정을 통해 본 발명에 의한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 하프톤형 위상반전마스크의 제조를 하였다. 이하, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.

<실시예>

도 2는 본 발명의 실시예에 의해 제조된 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크를 나타낸 단면도이다. 이때 이하의 설명에 있어서, 동일 또는 상당 부분에는 동일한 부호를 사용하여 그 설명을 생략한다.

도면을 참조하면, 합성 석영으로 이루어지고 표면 면적이 6 × 6인치이고 두께가 0.25인치인 투명기판(10) 위에 DC 마그네트론 스퍼터와 크롬 타겟을 사용하여 두께가 10 ～ 500 Å이고 248nm의 노광 파장에서 10 ～ 90%의 투과율을 가지는 질화산화 탄화크롬(CrCON)으로 이루어진 식각저지막(20)을 형성하였다.

다음에 식각저지막(20) 위에 MoTiSi 타겟을 사용하고 DC 마그네트론 스퍼터링 방식을 사용하여 두께가 300 ～ 1,000Å이고 248nm의 노광 파장에서 10 ～ 90%의 투과율을 가지는 질화몰리브덴티타늄실리사이드(MoTiSiN)로 이루어진 위상반전막(30)을 형성하였다.

다음에 식각저지막(20)과 위상반전막(30)이 형성된 후, 248nm의 노광 파장에서 일본 레이저텍사의 MPM-248을 사용하여 식각저지막(20)과 위상반전막(30)에 의한 위상반전을 측정한 결과 160 ～ 200°의 위상반전을 보였다.

다음에 식각저지막(20)과 위상반전막(30) 형성시 사용된 동일한 방법을 사용하여 위상반전막(30) 위에 질화탄화크롬(CrCN)으로 이루어진 차광막(40)을 형성하고, 차광막(40) 위에 질화산화탄화크롬(CrCON)으로 이루어진 반사방지막(50)을 형성하였다.

다음에 포지티브 화학증폭형 레지스트인 일본 후지필름사의 FEP-171을 사용하여 2000~4000Å의 두께를 가지는 레지스트막(60)을 형성하였다.

상기의 과정을 통해 본 발명에 의한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크(100)를 제작하였다.

도 3은 본 발명에 의해 제조된 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크(100, 도 2 참조)를 사용하여 제조하는 하프톤형 위상반전마스크(200)를 도시한 것이다.

도면을 참조하면, 포토마스크 제조시 통상적으로 사용되는 전자빔 노광 장비를 사용하여 레지스트막(60, 도 2 참조)의 원하는 영역에 노광을 한 후, 노광 후 굽기 공정을 적용하고, 현상 공정을 실시하여 레지스트막 패턴(미도시)을 형성하였다.

다음에 레지스트막 패턴을 식각마스크로 염소(Cl₂) 가스를 사용한 건식 식각을 실시하여 차광막 패턴(40a) 및 반사방지막 패턴(50a)을 형성하였다.

다음에 차광막 패턴(40a), 반사방지막 패턴(50a), 레지스트막 패턴(미도시)을 식각마스크로 헥사플루오린화황(SF₆) 가스를 사용한 건식 식각을 실시하여 위상반전막 패턴(30a)을 형성하였다. 이때, CrCON막으로 이루어진 식각저지막(20)은 위상반전막(30)의 건식 식각시 식각이 되지 않아 선택비가 아주 우수하였다.

다음에 불필요해진 상기 레지스트막 패턴을 황산을 사용하여 제거한 후, 다시 포지티브 포토레지스트인 일본 티오케이(TOK)사의 THMR-iP3600을 3,000 ～ 6,000Å의 두께로 도포한 후, 노광 장치를 사용하여 패턴을 형성할 영역에 노광을 하고, 현상 공정을 실시하여 위상반저막 패턴(30a)이 형성되지 않은 부분을 노출시키는 레지스트막 패턴을 형성하였다.

다음에 레지스트막 패턴을 식각마스크로 사용하여 습식 식각 공정으로 노출된 식각저지막 부분을 제거하여 식각저지막 패턴(20a)을 형성한다. 이때, 위상반전막 패턴(30a)의 하부에 배치된 식각저지막 패턴(20a)은 습식 식각 공정에 의한 비등방성(anisotropy) 식각에 의해 상기 위상반전막 패턴(30a)의 가장자리 부분을 따라 언더컷(undercut)된 형상으로 형성된다. 투명기판(10)과 위상반전막 패턴(30a)은 식각저지막과 우수한 선택비를 가짐에 따라 식각되지 않는다.

다음으로, 불필요해진 상기 레지스트막 패턴을 황산을 사용하여 제거를 하였으며, 이물질 제거를 위해 세정 공정을 실시하여 투명기판(10) 위에 언더컷 영역(300)이 형성된 식각저지막 패턴(20a), 위상반전막 패턴(30a), 차광막 패턴(40a)을 갖는 위상반전 마스크(200)를 제조하였다.

이상과 같이 본 실시예에 관한 발명에 의하면, 투명기판과 위상반전막 각각에 대해서 우수한 선택비를 가지는 식각저지막을 투명기판과 위상반전막 사이에 형성함으로써 투명기판과 위상반전막의 손상 없이 위상반전 블랭크 마스크 제조시 형성된 위상반점량을 보전할 수 있어, 고품질을 가지는 하프톤형 위상반전마스크의 제조가 가능하다. 그리고 차광막 또는 반사방지막과 동일 계열의 습식 식각액으로 식각이 가능한 식각저지막을 형성하여 언더컷을 형성함으로 인해 종래의 위상반전막 패턴의 측벽에서 발생하던 투과광의 감소 없이 위상반전 효과가 극대화된 하프톤형 위상반전마스크의 제조가 가능해진다. 따라서 본 발명에 의한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크의 제조를 통해 고품질의 하프톤형 위상반전마스크를 제조할 수 있게 되어, 결과적으로는 우수한 집적도와 고품질을 가지는 반도체 회로의 제작이 가능하다.

본 발명에 의한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 하프톤형 위상반전마스크는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 제조시 투명기판과 위상반전막 각각에 대해 우수한 선택비를 가지는 식각저지막을 적용함으로 인해 투명기판의 손상 없이 위상반전막의 식각이 가능해져 정확한 위상반전을 조절할 수 있게 된다.

또한, 식각저지막이 차광막, 반사방지막과 동일한 습식 식각액에 의한 식각이 가능함으로 인해 언더컷이 형성됨으로써, 위상반전막 패턴의 측벽에서의 투과광의 강도 감소 없이 위상반전을 극대화할 수 있어, 고품질의 하프톤형 위상반전마스크의 제조를 통해 고품질의 반도체 소자 제조가 가능해진다.

Claims

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투명기판 위에 두께가 10 ～ 500Å이고, 노광광의 파장에서 10 ～ 90%의 투과율을 가지는 식각저지막을 형성하는 단계;

상기 식각저지막 상에 위상반전막, 차광막, 반사방지막을 순차적으로 형성하는 단계; 및

상기 반사방지막, 상기 차광막, 상기 위상반전막 및 상기 식각저지막을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 식각저지막은 상기 위상반전막 하부로 언더컷이 형성되도록 패터닝하는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크의 제조 방법.
제 9항에 있어서,

상기 식각저지막과 상기 위상반전막은 통과하는 노광광의 위상이 160 ～ 200° 반전되게 형성하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크의 제조 방법.
투명기판 상에 배치된 식각저지막 패턴 및 위상반전막 패턴을 포함하는 하프톤형 위상반전 마스크로서,

상기 식각저지막 패턴은 상기 위상반전막 패턴의 하부에 배치되며, 상기 위상반전막 패턴의 가장자리 부분에서 언더컷 형상을 갖는 하프톤형 위상반전 마스크.
삭제
제 11항에 있어서,

상기 식각저지막은, 두께가 10 ～ 500Å이고, 노광광의 파장에서 10 ～ 90%의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
제 11항에 있어서,

상기 식각저지막은 차광막 및 반사방지막과 동일한 계열의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
제 14항에 있어서,

상기 식각저지막, 차광막 및 반사방지막을 이루는 물질은, 크롬을 모체로 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
제 11항에 있어서,

상기 위상반전막은, 실리콘과 전이금속이 혼합된 물질을 모체로 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
제 11항에 있어서,

상기 식각저지막은, 상기 위상반전막의 건식 식각시 사용되는 건식 가스에 의해 식각이 되지 않는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크.
제 9항에 있어서,

상기 식각저지막과 상기 위상반전막은 건식 식각시 사용되는 식각 가스에 대하여 상호 식각선택비를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 하프톤형 위상반전 마스크의 제조 방법.