JP4897961B2 - 電子部品検査用配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
即ち、本発明の電子部品検査用配線基板(請求項1)は、複数のセラミック層からなり、表面に形成され複数のパッド、前記セラミック層間に形成された配線層、および上記パッドと配線層と裏面との間を接続する複数のビア導体を有する第1積層体と、上記セラミック層と同じ材料組成で且つ複数のセラミック層からなり、表面と裏面との間を貫通する複数のビア導体を有し、上記第1積層体の裏面側に積層された第2積層体と、を備え、上記第1積層体の導体密度は、第2積層体の導体密度に比べて、高密度であり、上記両積層体の焼成収縮率が相違することに対応して、該第1積層体と第2積層体とを製造する際の両積層体の割掛け率を相違させており、上記第1積層体と第2積層体との間には、第1積層体の裏面に露出するビア導体と第2積層体の表面に露出するビア導体とを接続する複数のランド、およびかかるランドの周りに隙間を介して位置するベタ状の配線層が配置されており、上記ランドの直径は、上記2つのビア導体の直径の2〜5倍である、ことを特徴とする。
しかも、ベタ状の前記配線層は、電源層または接地層として活用できるため、被検査電子部品への給電や、第1積層体に形成された配線層などの接地に活用することが可能となる。
尚、前記ランドの直径が前記ビア導体の直径の2倍未満になると、かかるランドとビア導体との導通が取りにくくなるおそれがあり、一方、ランドの直径がビア導体の直径の5倍を越えると、当該ランドの面積が過大となり、所望数のビア導体を配置することが困難となる。このため、ランドの直径を前記範囲とした。
更に、前記配線層やビア導体は、高温焼成セラミックの場合には、WまたはMoで形成され、低温焼成セラミックの場合には、AgまたはCuで形成される。
また、前記ランドの周りで且つ同じ平面に配置されるベタ状の配線層は、接地用あるいは電源用の配線層である。
これによる場合、上記パッドに被検査電子部品の電極を接続した際に、第1・第2積層体側の各ビア導体、およびこれに確実に接続した前記ランドを介して、上記電子部品の検査情報を正確に収集できる電子部品検査用配線基板を、確実に製造することが可能となる。
図1は、本発明における一形態の電子部品検査用配線基板(以下、単に検査用配線基板と称する)1を示す垂直断面図である。
かかる検査用配線基板1は、平面視が矩形(正方形または長方形)を呈し、図1に示すように、複数のセラミック層s1〜s3からなり、表面2および裏面3を有する第1積層体C1と、その裏面3側に積層され、且つ上記と同じ材料組成からなる複数のセラミック層s4〜s6からなり、表面4および裏面5を有する第2積層体C2と、を備えている。上記セラミック層s1〜s6は、同じ材料組成のアルミナなどからなる。
図1に示すように、第1積層体C1は、上記セラミック層s1〜s3間に形成された配線層7,8、表面2に形成された複数のパッド6、および表・裏面2,3間を導通する複数ビア導体vを有している。第2積層体C2は、表面4に形成された配線層。ランド10、および上記セラミック層s4〜s6の厚み方向に沿って貫通する複数のビア導体Vを有している。
また、配線層7,8は、WまたはMoからなり且つ所定のパターンを有すると共に、セラミック層s1〜s3を貫通するビア導体vを介して、互いに導通し且つ上記パッド6とも導通可能とされている。最下層セラミック層s3を貫通するビア導体vは、第1積層体Cの裏面3側に露出している。上記各ビア導体vも、WまたはMoからなる。
図1に示すように、前記第1積層体C1の裏面3側に露出するビア導体vは、上記ランド10の上面に接続されている。また、複数のランド10は、第2積層体C2のセラミック層s4〜s6を貫通する複数の長いビア導体Vを介して、第2積層体C2の裏面5に形成された複数の裏面側パッド11と個別に導通されている。
前記第1積層体C1と第2積層体C2とでは、前者のパッド6、配線層7,8、およびビア導体vからなる導体の単位体積当たりの密度が、後者の配線層9、ランド10、ビア導体V、および裏面側パッド11からなる導体の単位体積当たりの密度よりも、高くなっている。
尚、長いビア導体Vと裏面側パッド11も、WまたはMoからなる。また、裏面側パッド11は、パッド6、ランド10、およびビア導体v,Vを介して送信された被検査電子部品の検査情報を、外部の電子機器に出力するものである。
以上のような検査用配線基板1によれば、第1積層体C1の裏面3側に露出するビア導体vと第2積層体C2の表面4に露出する長いビア導体Vとが、前記ランド10を介して確実に接続されている。このため、表面2側のパット6と裏面5側の裏面側パッド11とを、ランド10およびビア導体v,Vを介して確実に導通可能となる。従って、第1積層体C1の表面2に形成したパッド6上に搭載したICチップなどの被検査電子部品に通電したり、かかる電子部品の検査情報を正確に収集することが可能となる。
同種のアルミナ粉末、有機バインダ、溶剤などを同量ずつ配合して、同じ材料組成のセラミックスラリーを作り、ドクターブレード法によって、図4に示すように、6枚のグリーンシートg1〜g6を製作した。
図4において、上側のグリーンシートg1〜g3は、各々厚みが約180〜300μmで、且つ追って前記第1積層体C1のセラミック層s1〜s3となり、下側のグリーンシートg4〜g6は、各々厚みが約180〜516μmで、且つ追って前記第2積層体C2のセラミック層s4〜s6となる。
上側のグリーンシートg1〜g3(組)に対し、それぞれ割掛け率を1.2として、図4に示すように、複数のビアホールhを、打ち抜き加工で所定の位置に形成した。また、下側のグリーンシートg4〜g6(組)に対し、それぞれ割掛け率を1.198として、上記と同様に、複数のビアホールhを所定の位置に形成した(ビアホール形成工程)。
次いで、グリーンシートg2〜g4の表面、およびグリーンシートg6の裏面5に、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷によって、図5に示すように、それぞれ所定パターンを有する未焼成の配線層7〜9、ランド10、および裏面側パッド11を形成した(配線層形成工程)。このうち、グリーンシートg4の表面4には、かかる表面4のほぼ全面をベタ状に覆う配線層9が形成されると共に、平面視で格子状に形成された円環形状を呈する複数の隙間cごとの内側に、円形のランド10を配線層9と同一平面において形成した。かかるランド10の直径(d1)は、図5で上方および下方に位置する各ビア導体vの直径(d2)の2〜5倍となるように設定した。
尚、前記配線層9および複数のランド10は、追って第1積層体C1の裏面3となるグリーンシートg3の裏面3側に形成しても良い。この場合、前記割掛け率の差は、例えば、0.003に大きくする。
その結果、図6に示すように、グリーンシートg1〜g3からなる第1積層体C1とグリーンシートg4〜g6からなる第2積層体C2とが積層され、且つ両者のビア導体vがランド10に接続されたグリーンシート積層体GSが形成された(積層工程)。かかるグリーンシート積層体GSを、所定の温度帯に加熱して(同時)焼成した(焼成工程)。
前記焼成工程において、グリーンシート積層体GSで上層側の組のグリーンシートg1〜g3は、比較的高い密度の配線層7,8を有するため、前記割掛け率:1.2に従って、平面方向および厚み方向に沿って比較的大きく焼成収縮した。一方、下層側の組のグリーンシートg4〜g6は、ベタ状の配線層9、ランド10、および裏面側パッド11を除くと、複数の長いビア導体Vを比較的低密度で有するため、前記割掛け率:1.198に従って、平面方向および厚み方向に沿って比較的小さな焼成収縮に留まった。
その結果、図7に示すように、セラミック積層体SSでは、配線層7,8と各ランド10とが、セラミックs1〜s3を貫通する各ビア導体vを介して、導通可能とされ、各ランド10と裏面側パッド11とが、セラミックs4〜s6を貫通する長いビア導体Vを介して、導通可能とされていた。
図8の左側に示すように、セラミック層s1の表面2上に、Ti薄膜層12とCu薄膜層13とを順次スパッタリングによって形成した。次いで、図8の右側に示すように、上記Cu薄膜層13の上に感光性樹脂からなるレジスト層14を形成した後、かかるレジスト層14に対しフォトリソグラフィー技術を施すことによって、ビア導体vごとの上方に円柱形の貫通孔15を形成した。
次に、図9の左側に示すように、各貫通孔15の底面に露出するCu薄膜層13の上に、電解メッキによって、Cuメッキ層16とNiメッキ層17とを、順次形成した。かかる状態で、図9の右側に示すように、上記レジスト層14を現像液によって溶解・除去した。
その結果、被検査電子部品の電極と接触するための複数のパッド6が表面2の搭載エリアaに形成され、かかるパット6および裏面側パッド11を、前記ランド10を介して確実に導通可能とされた前記図1に示す検査用配線基板1を得ることができた。
かかる検査用配線基板1aは、図11に示すように、前記検査用配線基板1と同様な第1積層体C1および第2積層体C2を一体に積層したものである。
検査用配線基板1aが前記検査用配線基板1と相違する点は、第1積層体C1の裏面3と第2積層体C2の表面4との間に、前記同様に複数のランド10が格子状に配置され、これらの間に信号用である細い線状の配線層9aが同じ平面において配置されていることである。複数のランド10の上下には、第1積層体C1側のビア導体vと第2積層体C2側の長いビア導体Vとが接続されている。各ランド10の直径d1は、上下の各ビア導体v,Vの直径d2の2〜5倍である。
以上のような検査用配線基板1aによっても、前記検査用配線基板1と同様な作用が得られ、且つ同様な効果を奏することが可能である。
例えば、前記第1積層体と第2積層体とを形成するためのセラミック層およびグリーンシートは、互いに同じ材料組成ないし成分組成のセラミック材料であれば良く、窒化アルミニウムやムライトなどの高温焼成セラミックや、ガラス−セラミック(例えば、アルミナ)などの低高温焼成セラミックとしても良い。
また、前記第1積層体の裏面と第2積層体の表面との間に形成される複数のランドは、平面視で千鳥状に配設した形態としても良い。
更に、上記ランドは、平面視でほぼ正方形や正多角形を呈する形態としても良く、これらの場合には、平面視で最短の距離が前記直径とされる。
2,4…………表面
3,5…………裏面
6………………パッド
7〜9…………配線層
10……………ランド
C1……………第1積層体
C2……………第2積層体
s1〜s6……セラミック層
v,V…………ビア導体
d1,d2……直径
g1〜g6……グリーンシート
h………………ビアホール
GS……………グリーンシート積層体
Claims (2)
- 複数のセラミック層からなり、表面に形成され複数のパッド、前記セラミック層間に形成された配線層、および上記パッドと配線層と裏面との間を接続する複数のビア導体を有する第1積層体と、
上記セラミック層と同じ材料組成で且つ複数のセラミック層からなり、表面と裏面との間を貫通する複数のビア導体を有し、上記第1積層体の裏面側に積層された第2積層体と、を備え、
上記第1積層体の導体密度は、第2積層体の導体密度に比べて、高密度であり、
上記両積層体の焼成収縮率が相違することに対応して、該第1積層体と第2積層体とを製造する際の両積層体の割掛け率を相違させており、
上記第1積層体と第2積層体との間には、第1積層体の裏面に露出するビア導体と第2積層体の表面に露出するビア導体とを接続する複数のランド、およびかかるランドの周りに隙間を介して位置するベタ状の配線層が配置されており、
上記ランドの直径は、上記2つのビア導体の直径の2〜5倍である、
ことを特徴とする電子部品検査用配線基板。 - 上下2組で且つ同じ材料組成のセラミックからなる複数ずつのグリーンシートに対し、上側の組の各グリーンシートには相対的に大きな割掛け率に従った位置に複数のビアホールを形成すると共に、下側の組の各グリーンシートには相対的に小さな割掛け率に従った位置に複数のビアホールを形成する工程と、
上記ビアホールごとに金属粉末を含む導電性ペーストを充填してビア導体を形成する工程と、
上記上側の組における複数のグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に上記同様の導電性ペーストからなる配線層を形成する工程と、
上記上側の組における最下層のグリーンシートの裏面と、下側の組における最上層のグリーンシートの表面との間において、前者の裏面と後者の表面とに露出するビア導体を、これらの直径よりも2倍以上大きなランドを介して接続し、且つ該ランドの周りに隙間を介してベタ状の配線層が位置するように、上下2組の各グリーンシートを積層することにより、上側の組からなり導体密度が相対的に高い第1積層体と下側の組からなり導体密度が相対的に低い第2積層体とを有するグリーンシート積層体を形成する工程と、
上記グリーンシート積層体を焼成する工程と、含む、
ことを特徴とする電子部品検査用配線基板の製造方法。
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