JP4882662B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置では、その完成時や納品時などに、電源及びテスト用の画像信号等を供給可能な検査装置にセットされ、その動作検査や動作調整が行われる。このような検査や調整が終えられ、電気光学装置が検査装置から取り外されると、電気光学装置の周辺回路や配線には、各種信号に基づく電荷が残る。このような電荷が残留していると、その後に更に実施される検査や調整を高精度で実施することが困難となる。

このため、特許文献１では、電気光学装置の外部にて、画像信号線や対向電極電位線に接続される外部回路接続端子を、放電抵抗や短絡用スイッチを介して相互に接続する技術が提案されている。

特許第３１７３２００号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、電気光学装置に、接続用の放電抵抗や短絡スイッチを設ける必要がある。このように、基板上に接続用の放電抵抗や短絡スイッチを作り込んだとしても、限られた基板上の領域では、これらと画像信号線や対向電極電位線とを接続するためのコンタクトホールや配線を形成する際に基板上の他の素子に影響を与えてしまうおそれがあるという技術的問題点がある。特に、画素部における蓄積容量の上側電極を構成する定電位の容量線と蓄積容量よりも下側に形成された放電抵抗とを接続するために、蓄積容量を構成する誘電体膜に直接エッチング等によりコンタクトホールを形成すれば、誘電体膜の特性に悪影響を与えてしまい、正常な蓄積容量として機能させることが困難となるという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、誘電体膜上の導電膜と該誘電体膜より下側の導電膜とを、誘電体膜の特性に悪影響を与えることなく、互いに電気的に接続可能な電気光学装置及びその方法、並びに該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、画素領域において、複数の画素電極と、前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されて形成された蓄積容量と、を備え、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域において、前記誘電体膜が延在している延在部と、前記誘電体膜の延在部より上層に配置された第１導電膜と、前記誘電体膜の延在部より下層に配置された第２導電膜と、 前記第２導電膜よりも下層側に配置され、前記第２導電膜と電気的に接続された第３導電膜と、前記第１導電膜より上層に配置され、前記複数の画素電極と同一膜より少なくともなると共に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に中継接続する中継層とを備えたことを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、基板上における画素領域には、複数の画素電極が、例えばマトリクス状に配列されている。即ち、画素領域には、例えば縦横に複数のデータ線及び複数の走査線が形成されており、これらデータ線及び走査線の交差に対応して画素電極が設けられている。各画素電極は、これに電気的に接続された、例えば画素スイッチング素子を介してデータ線及び走査線に電気的に接続される。ここに「画素領域」とは、基板上で平面的に見て複数の画素電極が配列された領域、即ち、複数の画素電極により画像を表示させるための領域を意味し、例えば本発明の実施形態に係る「画像表示領域」が、その一例或いは典型例となる。

このように構成された電気光学装置の動作時には、基板上では、例えば各走査線は走査信号が供給されることにより、選択される。そして例えば、選択された走査線より走査信号が供給されることにより画素スイッチング素子がオン状態となると、データ線及び画素スイッチング素子を介して画素電極には画像信号が供給される。これらの結果、画素電極とこれに対向すると共に所定電位に維持された、例えば対向電極との間に印加電圧が印加される。これにより、電気光学装置では、画素電極及び対向電極間に狭持された例えば液晶等の電気光学物質の配向状態を変化させて、例えば光源から入射される光を変調することにより、画素領域において画像表示が行われる。この際、蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。

本発明では、第１導電膜は、誘電体膜の延在部上に配置されており、第２導電膜は、誘電体膜より下層側に配置されている。このため、例えば、第１導電膜を、第２導電膜に電気的に接続された放電抵抗を介して、接地電位に接続することにより第１導電膜に残留する電荷を取り除くようにする場合等には、第１導電膜を第２導電膜に電気的に接続する必要がある。

尚、第１導電膜は、蓄積容量の上側電極を構成する導電膜と同一膜であってもよいし、異なる膜であってもよい。他方、第２導電膜は、蓄積容量の下側電極を構成する導電膜と同一膜であってもよいし、異なる膜であってもよい。いずれの場合にも、基板上の積層構造においては、第１導電膜と第２導電膜との層間位置には、少なくとも蓄積容量の誘電体膜が存在しており、即ち誘電体膜の延在部が介在している。但し、延在部上に直接、第１導電膜が形成されている場合に対して、後に述べる如き誘電体膜が第１導電膜のパターニングやコンタクトホール開孔のためのエッチング雰囲気にさらされる状態を回避することにより得られる利益が、より増大することになる。

本発明では特に、複数の画素電極と同一膜より少なくともなると共に、第１導電膜と第２導電膜とを電気的に中継接続する中継層を備える。ここで、「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜より少なくともなる」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。即ち、中継層は、例えば第１導電膜上層の間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して、第１導電膜に電気的に接続されると共に、例えば第１導電膜上の層間絶縁膜と誘電体膜の延在部とを貫通して開孔されたコンタクトホールを介して、第２導電膜に電気的に接続される。よって、第１導電膜を第２導電膜に電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する際に、例えばフォトエッチング等を、第１導電膜下に配置された誘電体膜の延在部に、直接即ち該延在部上に層間絶縁膜がない状態（言い換えれば、誘電体膜の延在部の上層側の表面が大気又は雰囲気にさらされた状態、即ち誘電体膜が露出された状態）で施さずに済む。即ち、例えばフォトエッチング等を、誘電体膜の延在部上の、基板上で平面的に見て、第１導電膜が形成されない領域に積層されることとなる層間絶縁膜を介して誘電体膜の延在部に施すことにより、第１導電膜を第２導電膜に電気的に接続するためのコンタクトホール（即ち、中継層を第２導電膜に電気的に接続するためのコンタクトホール）を開孔することができる。従って、コンタクトホールを開孔するための例えばフォトエッチング等を誘電体膜の延在部に施すことによって、画素電極に電気的に接続された蓄積容量を構成する誘電体膜の特性に悪影響を及ぼしてしまうことを抑制或いは防止できる。これにより、画像表示におけるコントラストが低減してしまう等、画像品質が劣化してしまうことを抑制或いは防止できる。

更に、上述のように第１導電膜と第２導電膜とが中継層によって電気的に中継接続されることにより、誘電体の特性に悪影響を及ぼすため実践的には第１導電膜と第２導電膜とを電気的に接続できない場合に比べて、第１導電膜の低抵抗化も可能となる。

加えて、第１導電膜を外部回路と接続するための外部回路接続端子を第２導電膜より少なくともなるようにすることが可能となる。即ち、外部回路接続端子を、第１導電膜から形成することなく、これと電気的に接続された第２導電膜から形成することができる。言い換えれば、第２導電膜と同一膜、或いはこれと電気的に接続されると共に相異なる導電膜より少なくともなる例えば他の回路を外部回路と接続するための外部回路接続端子を含めた、複数の外部回路接続端子を第２導電膜及びこれと同一膜から統一して形成することができる。よって、複数の外部回路接続端子を形成するための例えばエッチング等によるエッチング深さを揃えることができる。従って、ラビング処理の際に発生し得る、複数の外部回路接続端子のエッチング深さの差異に起因したラビングロールの乱れ（即ち、ラビングロールのクロス材の毛乱れ）を殆ど無くすことができる、言い換えれば、殆ど均一にラビング処理を行うことができる。その結果、ラビングロールの乱れに起因して画像表示におけるラビングスジが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記中継層は、前記層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して前記第１導電膜に電気的に接続されると共に、少なくとも前記層間絶縁膜及び前記延在部を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して前記第２導電膜に電気的に接続される。

この態様によれば、第１導電膜と第２導電膜とを、第１及び第２コンタクトホールを介して、中継層によって確実に電気的に接続することができる。特に、誘電体膜の延在部が露出している製造段階で、該誘電体膜に対してエッチングを施す状態を経る必要なく、このような誘電体膜を突き抜けての上下導通をとることが可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記中継層は、前記周辺領域内に配置される。

この態様によれば、画像表示を殆ど或いは全く妨げることなく、中継層によって第１導電膜と第２導電膜とを電気的に中継接続することができる。

上述した中継層が周辺領域内に配置される電気光学装置の他の態様では、前記基板と対向配置された対向基板と、前記基板及び前記対向基板を接着するシール材とを備え、前記中継層は、前記周辺領域のうち前記シール材が形成されるシール領域内に配置されるように構成してもよい。

このように構成すれば、画像表示を殆ど或いは全く妨げることなく、且つ、基板サイズを殆ど或いは全く大きくすることなく、中継層によって第１導電膜と第２導電膜とを電気的に中継接続することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２導電膜よりも下層側に配置され、前記第２導電膜と電気的に接続された第３導電膜を備える。

この態様によれば、第１導電膜は、第２導電膜に加え第３導電膜とも電気的に接続されるので、冗長配線の構造を採ることで、第１導電膜より少なくともなる配線等をより一層低抵抗化することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１導電膜と比べて高抵抗の膜より少なくともなると共に前記第２導電膜と電気的に接続された放電抵抗を備える。

この態様によれば、第１導電膜を第２導電膜に電気的に接続された放電抵抗を介して例えば接地電位に接続することにより、例えば検査装置から取り外された後等に第１導電膜に残留する電荷を取り除くことができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１導電膜は、前記上側電極に電気的に接続された容量線を構成する。

この態様によれば、上側電極と同一膜又は異なる膜より少なくともなる第１導電膜から構成される容量線と第２導電膜とが、中継層によって中継接続されるので、容量線を低抵抗化することできる。更に、容量線を外部回路と接続するための外部回路接続端子を第２導電膜より少なくともなるようにすることができる。ここに「上側電極に電気的に接続された容量線」とは、容量線と上側電極とが一体的になる場合も含む意味である。この場合には、第１導電膜は、上側電極と同一膜より少なくともなる。見方を変えれば、容量線の一部が上側電極としても機能する場合も含む意味である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の画素電極に対向する対向電極を備え、前記第１導電膜は、前記対向電極に所定電位を供給する対向電極電位線を構成する。

この態様によれば、対向電極電位線と第２導電膜とが、中継層によって中継接続されるので、対向電極電位線を低抵抗化することできる。更に、対向電極電位線を外部回路と接続するための外部回路接続端子を第２導電膜より少なくともなるようにすることができる。

本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素領域に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、前記誘電体膜の延在部上に配置された第１導電膜と、前記誘電体膜より下層側に配置された第２導電膜とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記第２導電膜を形成すべき領域に、前記第２導電膜を形成する工程と、少なくとも前記蓄積容量を形成すべき領域に、前記第２導電膜より上層側に、前記下側電極及び前記誘電体膜を順に積層する工程と、前記誘電体膜上の前記蓄積容量を形成すべき領域に、前記上側電極を積層することにより前記蓄積容量を形成すると共に、前記延在部上に前記第１導電膜を形成する工程と、前記蓄積容量、前記第１導電膜及び前記誘電体膜より上層側に前記層間絶縁膜を積層する工程と、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に中継接続する中継層を前記第１導電膜に電気的に接続するための第１コンタクトホールを、前記層間絶縁膜に開孔する工程と、前記中継層を前記第２導電膜に電気的に接続するための第２コンタクトホールを、前記層間絶縁膜及び前記延在部を貫通して開孔する工程と、前記画素領域に前記複数の画素電極を形成すると共に、前記複数の画素電極と同一膜から前記中継層を形成する工程とを含む。

本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を製造できる。ここで特に、中継層は、誘電体膜より層間絶縁膜を介して上層側に配置される複数の画素電極と同一膜から形成されるので、誘電体膜の延在部が露出している製造段階で、該誘電体膜に対して、第２コンタクトホールの開孔のためのエッチングを施す状態を経る必要なく、中継層と第２導電膜との誘電体膜を突き抜けての上下導通をとることが可能となる。よって、誘電体膜の特性に悪影響を及ぼすことを抑制或いは防止しつつ、中継層によって第１導電膜と第２導電膜とを電気的に中継接続することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の画像を表示可能な、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、更には電気光学装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置など、各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば、電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）等を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１４を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの外側に設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って、複数の配線１０５が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

尚、本実施形態では特に、シール領域５２ａ内には、図１０から図１４を参照して後述する、中継層９０１、第１中継配線９１０及び第２中継配線９２０が形成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。また、中継層９０１は、シール領域５２ａ内に、後述するように画素電極９ａと同一膜から形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料より少なくともなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、後述する放電抵抗等が形成されている。製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、この液晶装置の主要な構成について図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の要部の構成を示す平面図である。

図３において、液晶装置は、例えば石英基板、ガラス基板或いはシリコン基板等より少なくともなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０（図２参照）とが液晶層を介して対向配置され、画像表示領域１０ａにおいて区画配列された画素電極９ａに印加する電圧を制御し、液晶層５０（図２参照）にかかる電界を画素毎に変調する構成となっている。これにより、両基板間の透過光量が制御され、画像が階調表示される。この液晶装置はＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、ＴＦＴアレイ基板１０における画像表示領域１０ａには、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａと、互いに交差して配列された複数の走査線１１ａ及びデータ線６ａとが形成され、画素に対応する画素部が構築されている。また、画像表示領域１０ａの周辺領域には、データ線駆動回路１０１等の駆動回路、外部回路接続端子１０２及び静電保護回路４１０が形成されている。ここに静電保護回路４１０の具体的構成としては、例えばダイオード接続されたＴＦＴを介して、或いはダイオードを介して引回配線９０が電源配線等に接続された形式のものなど、既存の各種形式の静電保護回路を採用可能である。更に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給するための画像信号線９１及び接地電位の電源である第２電源信号ＶＳＳＸ，ＶＳＳＹを供給するための接地電位線９３を含む複数の引回配線９０が、外部回路接続端子１０２からデータ線駆動回路１０１等の駆動回路へ引き回されている。

対向基板２０（図２参照）上に、画素電極９ａに対向する対向電極２１が形成されている。引回配線９０は、対向電極２１に対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための対向電極電位線９９を更に含んでいる。尚、対向電極電位ＬＣＣＯＭは、本発明に係る「所定電位」の一例である。ＴＦＴアレイ基板１０上に、対向電極電位線９９及び対向電極２１を相互に電気的に接続するための上下導通端子１０６が更に形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０（図２参照）間に、上下導通端子１０６及び対向電極２１（図２参照）を相互に電気的に接続する上下導通材１０７が設けられている。

画像信号線９１及び対向電極電位線９９は夫々、画像信号線９１、対向電極電位線９９及び接地電位線９３を構成する導電膜と比べて高抵抗である放電抵抗７００を介して、接地電位線９３ａに電気的に接続されている。

次に、このように構成された本実施形態の液晶装置の動作について、図３を参照しつつ説明する。

本実施形態の液晶装置の動作時には、外部回路接続端子１０２にＦＰＣ等を介して接続された外部回路から外部回路接続端子１０２及び引回配線９０を経由して、データ線駆動回路１０１を動作させるための、クロック信号、第１電源信号ＶＤＤＸ、第２電源信号ＶＳＳＸ、制御信号及び画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６等の各種信号がデータ線駆動回路１０１に供給される。これと並行して、外部回路から外部回路接続端子１０２及び引回配線９０を経由して、走査線駆動回路１０４を動作させるための、クロック信号、第１電源信号ＶＤＤＹ、第２電源信号ＶＳＳＹ、制御信号等の各種信号が走査線駆動回路１０４に供給される。この際、引回配線９０のうち接地電位線９３ａを介して接地電位である第２電源信号ＶＳＳＸがデータ線駆動回路１０１に供給され、接地電位線９３ｂを介して接地電位である第２電源信号ＶＳＳＹが走査線駆動回路１０４に供給される。また、引回配線９０のうち画像信号線９１を介して画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリング回路７に供給される。他方で、引回配線９０のうち対向電極電位線９９を介して、更に上下導通端子１０６及び上下導通材１０７を介して、対向電極電位ＬＣＣＯＭが対向電極２１（図２参照）に供給される。これらにより、データ線駆動回路１０１によりデータ線６ａを介して画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が画素部に供給されると共に、走査線駆動回路１０４により走査線１１ａを介して走査信号が画素部に供給され、画素電極９ａ及び対向電極２１間に挟持された、液晶層５０を各画素部で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が行なわれる。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部における構成について、図４から図７を参照して説明する。ここに図４は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図５及び図６は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図であり、図５及び図６は、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図５）と上層部分（図６）に相当する。図７は、図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図４において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して液晶層５０の液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、対向電極電位ＬＣＣＯＭとなるように、対向電極電位線９９と電気的に接続された容量線４００に接続されている。容量線４００は、走査線１１ａ及びデータ線６ａの各々に沿って、即ち、画像表示領域１０ａにおいて縦横方向（Ｘ方向及びＹ方向）に沿って設けられている。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図５から図７を参照して説明する。

図５から図７では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板より少なくともなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層より少なくともなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３及び層間絶縁膜４９がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図５に示され、第４層から第５層が上層部分として図６に示されている。

（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図５のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図５のＹ方向に延びる突出部とより少なくともなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａ'に対向する領域を含むように配置されている。このため、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、液晶装置をライトバルブとして用いて複板式のプロジェクタを構築した場合に、他の液晶装置から発せられプリズム等の合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光についても、走査線１１ａによりチャネル領域１ａ'を下層側から遮光できる。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ'、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅより少なくともなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分であるゲート電極３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。

尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。

（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。

データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ'に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を遮光できる。また、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。

尚、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａ'に対向する側には、データ線６ａの本体を構成するＡｌ膜等の導電膜に比べて反射率が低い導電膜を形成してもよい。このようにすれば、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａ'に対向する側の面で戻り光が反射して、これから多重反射光や迷光等が発生することを防止できる。

中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図５に示したように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。

（第４層の構成―蓄積容量等―）
第４層は、蓄積容量７０及び容量線４００で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。

本発明に係る「上側電極」の一例としての容量電極３００は、本発明に係る「第１導電膜」の一例としての容量線４００と電気的に接続されており、対向電極電位ＬＣＣＯＭに保持される。言い換えれば、容量電極３００は、対向電極電位線９９に電気的に接続された容量線４００と同一膜から一体的に形成されている。

本発明に係る「下側電極」の一例としての下部電極７１の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。即ち、下部電極７１は、中継層６００を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。

容量電極３００又は下部電極７１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドより少なくともなる。このため、データ線６ａ上に層間絶縁膜４２を介して近接配置可能な蓄積容量７０によって、上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を、より一層確実に遮光できる。

誘電体膜７５は、図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている、即ち、開口領域に殆ど形成されていない。よって、誘電体膜７５が、仮に不透明な膜であっても、開口領域における透過率を低下させないで済む。従って、誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いプラズマシリコン窒化膜（ｐＳｉＮ）等から形成されている。このため更に、誘電体膜７５は、水分や湿気を防ぐための膜としても機能させることが可能となり、耐水性、耐湿性を高めることも可能となる。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。

誘電体膜７５は、図６に示すように、相隣接する蓄積容量７０間にも延在しており、延在部７５ｓが形成されている。そして、誘電体膜７５の延在部７５ｓの下層側には、層間絶縁膜４９が、例えばＮＳＧによって形成されている（図７参照）。即ち、ＴＦＴアレイ基板上で平面的に見て、下部電極７１が延在して形成されている領域（即ち、蓄積容量７０を形成しない領域）には、下部電極７１、層間絶縁膜４９、及び延在部７５ｓが順に積層されている。これにより、蓄積容量７０を形成すべき領域にだけ形成することができる。尚、層間絶縁膜４９は、ＮＳＧの他、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。

第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第２層間絶縁膜４２の表面は、化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）や研磨処理、スピンコート処理、凹への埋め込み処理等の平坦化処理がなされている。よって、下層側のこれらの要素に起因した凹凸が除去され、第２層間絶縁膜４２の表面は平坦化されている。このため、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に挟みこまれた液晶層５０の配向状態に乱れを生じさせる可能性を低減することができ、より高品位な表示が可能となる。尚、このような平坦化処理は、他の層間絶縁膜の表面に対して行ってもよい。

（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。

画素電極９ａ（図６中、破線９ａ'で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図５及び図６参照）。また、画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜より少なくともなる。

画素電極９ａは、第３層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、下部電極７１の延在部と電気的に接続されている（図７参照）。即ち、下部電極７１の電位は、画素電位となっている。

下部電極７１の延在部と中継層６００と、及び、中継層６００とＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００の延在部を中継して中継接続されている。従って、画素電極９ａ及びドレイン間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。しかも、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。

画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。

以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。

他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図７では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜より少なくともなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。

このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。

以上に説明した画素部の構成は、図５及び図６に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。

次に、本実施形態に係る放電抵抗の構成について、図７に加えて、図８及び図９を参照して説明する。ここに図８は、図３におけるＣ１の部分拡大平面図である。図９は、図８におけるＢ−Ｂ'線での断面図である。

図８において、対向電極電位線９９は、放電抵抗７００としての放電抵抗７００Ｌを介して、接地電位線９３ａに電気的に接続されている。

画像信号線９１は、シリアル−パラレル展開された複数の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が供給される複数の画像信号線９１ａ〜９１ｆからなり、複数の画像信号線９１ａ〜９１ｆは夫々、放電抵抗７００として複数の放電抵抗７００ａ〜７００ｆのうち対応する一の放電抵抗を介して接地電位線９３ａに電気的に接続されている。

図９において、放電抵抗７００は、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地絶縁膜１２を介して、不純物ドープされた半導体層で形成された放電抵抗７００ａから構成されている。放電抵抗７００ａには、画素スイッチング用のＴＦＴを構成する半導体膜に対して行われる不純物ドープとは別である専用の不純物ドープが行なわれることで、半導体素子を構成する半導体膜とは異なる抵抗値を有する。更に、放電抵抗７００と画像信号線９１及び対向電極電位線９９との接続部には、放電抵抗７００よりも高濃度に不純物ドープされた放電抵抗７００ａから構成された高濃度不純物ドープ部分である放電抵抗７００ｄ及び放電抵抗７００ｅが局所的に存在している。放電抵抗７００上には、高濃度不純物ドープ部分である放電抵抗７００ｄ及び放電抵抗７００ｅへ通じるコンタクトホール８６及びコンタクトホール８７が夫々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。

第１層間絶縁膜４１の上には、画像信号線９１ｄ及び接地電位線９３ａが形成されている。画像信号線９１ｄは、コンタクトホール８６を介して、高濃度不純物ドープ部分である放電抵抗７００ｄに電気的に接続されており、接地電位線９３ａは、コンタクトホール８７を介して、高濃度不純物ドープ部分である放電抵抗７００ｅに電気的に接続されている。これらの上には第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３が順に形成されている。

尚、本実施形態においては、放電抵抗７００は、データ線駆動回路用の接地電位線９３ａに接続されているが、走査線駆動回路用の接地電位線９３ｂに接続されていてもよい。

次に、本実施形態に係る容量線と放電抵抗との電気的な接続について、図１０から図１４を参照して説明する。ここに図１０は、中継層のＴＦＴアレイ基板上における平面的な配置を模式的に示す平面図である。図１１は、図１０におけるＣ２の部分拡大平面図である。図１２は、図１１におけるＣ３の部分拡大平面図である。図１３は、図１２におけるＥ−Ｅ'線での断面図である。図１４は、図１２におけるＦ−Ｆ'線での断面図である。尚、図１０において、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１等は図示を省略してある。

図１０において、中継層９０１は、シール領域５２ａのうち、画像表示領域１０ａの右辺に沿ったシール領域５２ａ１、左辺に沿ったシール領域５２ａ２及び上辺に沿ったシール領域５２ａ３内に夫々設けられている。即ち、Ｙ方向に沿って画像表示領域１０ａの左右外側、及び、Ｘ方向に沿って画像表示領域１０ａに対して外部回路接続端子１０２と反対側に夫々設けられている。中継層９０１は、これらのシール領域５２ａ１，５２ａ２，５２ａ３の各々において、中継層９０１ａ及び中継層９０１ｂより少なくともなる。

図１１において、容量線４００は、図４及び図６を参照して上述したように、画像表示領域１０ａ内において、縦横（即ち、Ｘ方向及びＹ方向）に夫々沿って設けられている。シール領域５２ａ１内では、画像表示領域１０ａ内からＸ方向に沿って延びて設けられている。尚、シール領域５２ａ２内でも、同様に、画像表示領域１０ａ内からＸ方向に沿って延びて設けられている。また、シール領域５２ａ３内では、画像表示領域１０ａ内からＹ方向に沿って延びて設けられている。

中継層９０１（即ち、中継層９０１ａ及び中継層９０１ｂ）は、シール領域５２ａ１内において、Ｙ方向に沿って設けられている。中継層９０１ａ及び中継層９０１ｂは、容量線４００とコンタクトホール８１０を介して夫々電気的に接続されている。尚、コンタクトホール８１０は、本発明に係る「第１コンタクトホール」の一例である。

図１２において、本発明に係る電気光学装置は、第１中継配線９１０及び第２中継配線９２０を備えている。尚、第１中継配線９１０は、本発明に係る「第２導電膜」の一例であり、第２中継配線９２０は、本発明に係る「第３導電膜」の一例である。

図１３に示すように、第１中継配線９１０は、図７を参照して上述した下部電極７１と同一膜から形成されている。尚、第１中継配線９１０は、下部電極７１とは分離して形成されている。

図１２に示すように、第１中継配線９１０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、シール領域５２ａ１内において、容量線４００及び中継層９０１ｂと夫々重なる部分を有するように設けられている。即ち、第１中継配線９１０は、Ｙ方向に沿った中継層９０１ａ及び９０１ｂに重なる２つの部分とＸ方向に沿った容量線４００に重なる複数の部分とを有している。

図１３に示すように、第２中継配線９２０は、図７を参照して上述したデータ線６ａと同一膜から形成されている。即ち、第２中継配線９２０は、図９を参照して上述した対向電極電位線９９と同一膜から形成されている。第２中継配線９２０は、対向電極電位線９９と一体的に形成されており、電気的に接続されている。これにより、第２中継配線９２０は、対向電極電位ＬＣＣＯＭが供給されると共に、対向電極電位線９９を介して放電抵抗７００に電気的に接続されている。

図１２に示すように、第２中継配線９２０は、第１中継配線９１０と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、シール領域５２ａ１内において、容量線４００及び中継層９０１ｂと夫々重なる部分を有するように設けられている。即ち、第１中継配線９１０は、Ｙ方向に沿った中継層９０１ａ及び中継層９０１ｂに重なる２つの部分とＸ方向に沿った容量線４００に重なる複数の部分を有している。

図１３に示すように、中継層９０１ｂは、図７を参照して上述した画素電極９ａと同一膜から形成されており、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８１０を介して容量線４００と電気的に接続されている。即ち、中継層９０１は、製造工程において、画素電極９ａと同一機会に成膜される膜（即ち、同一種類の透明導電膜）から形成される。尚、中継層９０１は、画素電極９ａと相互に分断されている。更に、図１４に示すように、中継層９０１ｂは、第３層間絶縁膜４３、誘電体膜７５の延在部７５ｓ、及び層間絶縁膜４９を貫通して開孔されたコンタクトホール８２０を介して第１中継配線９１０と電気的に接続されている。即ち、容量線４００と第１中継配線９１０とは、中継層９０１ｂによって電気的に中継接続されている。尚、コンタクトホール８２０は、本発明に係る「第２コンタクトホール」の一例である。

図１３に示すように、第１中継配線９１０は、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８３０を介して第２中継配線９２０と電気的に接続されている。よって、容量線４００は、中継層９０１ｂ及び第１中継配線９１０によって第２中継配線９２０と電気的に中継接続されている。これにより、容量線４００は、対向電極電位線９９を介して、対向電極電位ＬＣＣＯＭが供給されると共に放電抵抗７００に電気的に接続される。従って、例えば検査装置から取り外された後等に容量線４００に残留する電荷を取り除くことができる。

図１４において、本実施形態では特に、上述の如き、中継層９０１を備えているので、コンタクトホール８２０を開孔する際のフォトエッチングは、誘電体膜７５の延在部７５ｓに第３層間絶縁膜４３がある状態で行われる。即ち、誘電体膜７５の延在部７５ｓに、直接即ち該延在部７５ｓ上に層間絶縁膜がない状態（言い換えれば、誘電体膜７５の延在部７５ｓの上層側の表面が大気又は雰囲気にさらされた状態、即ち誘電体膜７５が露出された状態）で施さずに済む。よって、コンタクトホールを開孔するためのフォトエッチングを誘電体膜７５の延在部７５ｓに施すことによって、画素電極９ａに電気的に接続された蓄積容量７０を構成する誘電体膜７５の特性に悪影響を及ぼしてしまうことを抑制或いは防止できる。これにより、画像表示におけるコントラストが低減してしまう等、画像品質が劣化してしまうことを抑制或いは防止できる。

更に、上述のように容量線４００と第１中継配線９１０とが中継層９０１によって電気的に中継接続されることにより、誘電体膜７５の特性に悪影響を及ぼすため実践的には容量線４００と誘電体膜７５よりも下層側の導電膜とを電気的に接続できない場合に比べて、容量線４００の低抵抗化も可能である。

加えて、容量線４００を外部回路と接続するための外部回路接続端子１０２を第１中継配線９１０或いは第２中継配線９２０と同一膜から形成することが可能となる。即ち、外部回路接続端子１０２を、誘電体膜７５より上層側に配置された導電膜（即ち、容量線４００と同一膜）から形成することなく、これと電気的に接続された誘電体膜７５より下層側に配置された導電膜（即ち、第１中継配線９１０或いは第２中継配線９２０と同一膜）から形成することができる。言い換えれば、複数の外部回路接続端子１０２を、第１中継配線９１０或いは第２中継配線９２０と同一膜から統一して形成することができる。よって、複数の外部回路接続端子１０２を形成するためのエッチングによるエッチング深さを揃えることができる。従って、ラビング処理の際に発生し得る、複数の外部回路接続端子１０２のエッチング深さの差異に起因したラビングロールの乱れ（即ち、ラビングロールのクロス材の毛乱れ）を殆ど無くすことができ、殆ど均一にラビング処理を行うことができる。その結果、ラビングロールの乱れに起因して画像表示におけるラビングスジが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。

図１０に示すように、本実施形態では特に、中継層９０１は、シール領域５２ａ内に配置されているので、画像表示領域１０ａにおける画像表示を殆ど或いは全く妨げることなく、且つ、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを殆ど或いは全く大きくすることなく、中継層９０１によって容量線４００と第１中継配線９１０とを電気的に中継接続することができる。

図１３に示すように、本実施形態では特に、容量線４００は、第１中継配線９１０に加え第２中継配線９２０とも電気的に接続された冗長配線の構造となっている。これにより、容量線４００をより一層低抵抗化することができる。

＜製造方法＞
次に、上述した本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図１５から図１９を参照して説明する。ここに図１５から図１９は、本実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図である。尚、図１５から図１９では、図７に示した画素スイッチング用のＴＦＴの断面図、図１３に示した中継層９０１の断面図、及び図１４に示した中継層９０１の断面図に適宜対応して示してある。尚、ここでは、本実施形態における液晶装置のうち、第１中継配線９１０及び第２中継配線と中継層９０１との電気的な接続に関して、画素部の製造工程と共に主として説明することとする。

先ず、図１５に示すように、画像表示領域１０ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０上に走査線１１ａから第１層間絶縁膜４１までの各層構造を形成する。この際、下地絶縁膜１２及び第１層間絶縁膜４１は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成される。ＴＦＴ３０は、走査線１１ａ及び後に形成されるデータ線６ａの交差に対応する領域に形成される。尚、各工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。また、第１層間絶縁膜４１の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化しておいてもよい。

尚、ＴＦＴ３０を形成する工程において、図９を参照して上述した放電抵抗７００が、半導体層１ａと同層に形成される。

続いて、第１層間絶縁膜４１の表面の所定位置にエッチングを施し、高濃度ソース領域１ｄに達する深さのコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅに達する深さのコンタクトホール８３を開孔する。

次に、所定のパターンで導電性遮光膜を、膜厚が例えば０．５ｕｍ程度となるように積層し、画像表示領域１０ａにおいて、データ線６ａ及び中継層６００を形成すると共に、シール領域５２ａにおいて、第２中継配線９２０を形成する。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を部分的に覆うように形成されると共に、コンタクトホール８１によって高濃度ソース領域１ｄとひとつながりに接続する。中継層６００は、コンタクトホール８３によって高濃度ドレイン領域１ｅとひとつながりに接続する。第２中継配線９２０は、対向電極電位線９９と一体的に形成されると共に、放電抵抗７００と電気的に接続する。

次に、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、膜厚が例えば３０００ｕｍ程度となるように第２層間絶縁膜４２を形成する。第２層間絶縁膜４２の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化する。続いて、第２層間絶縁膜４２の表面の所定位置にエッチングを施し、画像表示領域１０ａにおいて、中継層６００に達する深さのコンタクトホール８４を開孔すると共に、シール領域５２ａにおいて、第２中継配線９２０に達する深さのコンタクトホール８３０を開孔する。次に、所定のパターンで導電性遮光膜を、膜厚が例えば０．５ｕｍ程度となるように積層し、画像表示領域１０ａにおいて、下部電極７１を形成すると共に、シール領域５２ａにおいて、第１中継配線９１０を形成する。下部電極７１は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'に対向する領域を含むように形成されると共に、コンタクトホール８４によって中継層６００とひとつながりに接続する。第１中継配線９１０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、第２中継配線９２０と重なるように形成されると共に、コンタクトホール８３０によって第２中継配線９２０と電気的に接続する。

次に、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０を形成しない領域に、所定パターンで層間絶縁膜４９を、膜厚が例えば０．４ｕｍ程度となるように積層する。

次に、図１６及び図１７に示すように、所定のパターンで誘電体膜（即ち、本実施形態では、プラズマ窒化シリコン膜）を、膜厚が例えば０．０２ｕｍ程度となるように積層し、蓄積容量７０を形成すべき領域に誘電体膜７５を形成すると共に、容量線４００を形成すべき領域（即ち、層間絶縁膜４９が積層された領域）に誘電体膜７５の延在部７５ｓを形成する。続いて、画像表示領域１０ａにおいて、チャネル領域１ａ'に対向する領域を含む所定の領域に導電性遮光膜を、膜厚が例えば０．５ｕｍ程度となるように積層し、容量電極３００を形成する。この際、容量電極３００に対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための容量線４００を、画像表示領域１０ａ及びシール領域５２ａに所定パターン（図６及び図１１参照）で形成する。続いて、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、膜厚が例えば０．５ｕｍ程度となるように第３層間絶縁膜４３を形成する。第３層間絶縁膜４３の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化する。

次に、図１８に示すように、第３層間絶縁膜４３の表面の所定位置にエッチングを施し、画像表示領域１０ａにおいて、下部電極７１の延在部に達する深さのコンタクトホール８５を開孔すると共に、シール領域５２ａにおいて、容量線４００に達するコンタクトホール８１０及び第１中継配線９１０に達する深さのコンタクトホール８２０を開孔する。コンタクトホール８２０は、第３層間絶縁膜４３、誘電体膜７５の延在部７５ｓ、及び層間絶縁膜４９を貫通して開孔されることとなる。このコンタクトホール開孔の際のエッチングは、第３層間絶縁膜４３の表面に施すので、延在部７５ｓの上層側の表面がエッチング雰囲気にさらされない状態でエッチングを施すことができる。よって、エッチャントが誘電体膜７５に悪影響を及ぼしてしまうことを抑制或いは防止できる。これにより、画素の蓄積容量の能力低下を防止できるので、画像表示におけるコントラストが低減してしまう等、画像品質が劣化してしまうことを抑制或いは防止できる。

次に、図１９に示すように、所定のパターンでＩＴＯ等の透明導電膜を積層し、画像表示領域１０ａにおいて、画素電極９ａを形成すると共に、シール領域５２ａにおいて、中継層９０１を形成する。画素電極９ａは、コンタクトホール８５によって下部電極７１の延在部と電気的に接続する。中継層９０１は、コンタクトホール８１０によって容量線４００と電気的に接続すると共に、コンタクトホール８２０によって第１中継配線９１０と電気的に接続する。よって、容量線４００と第１中継配線９１０とを、コンタクトホール８１０及び８２０を介して、中継層９０１によって確実に電気的に接続することができる。

以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した本実施形態の液晶装置を製造できる。ここで特に、中継層９０１は、画素電極９ａと同一膜から形成されるので、誘電体膜７５の延在部７５ｓが露出している製造段階で、該誘電体膜７５に対して、コンタクトホール８２０の開孔のためのエッチングを施す状態を経る必要なく、中継層９０１と第１中継配線９１０との誘電体膜７５を突き抜けての上下導通をとることが可能となっている。よって、誘電体膜７５の特性に悪影響を及ぼすことを抑制或いは防止しつつ、中継層９０１によって容量線４００と第１中継配線９１０とを電気的に中継接続することができる。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。尚、ここでは、液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図２０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図２０に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源より少なくともなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図２０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図。 図１のＨ−Ｈ'線断面図。 第１実施形態に係る液晶装置の要部の構成を示す平面図。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図。 画素部に係る部分構成（下層部分）を表す平面図。 画素部に係る部分構成（上層部分）を表す平面図。 図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図。 図３におけるＣ１の部分拡大平面図。 図８のＢ−Ｂ'線断面図。 中継層のＴＦＴアレイ基板上における平面的な配置を模式的に示す平面図。 図１０のＣ２の部分拡大平面図。 図１１のＣ３の部分拡大平面図。 図１２のＥ−Ｅ'線断面図。 図１２のＦ−Ｆ'線断面図。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その１）。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その２）。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その３）。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その４）。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その５）。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図。

符号の説明

６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１２…下地絶縁膜、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、３０…ＴＦＴ、４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜、４３…第３層間絶縁膜、４９…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ，５２ａ１，５２ａ２，５２ａ３…シール領域、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７５…誘電体膜、７５ｓ…延在部、９０…引回配線、９１…画像信号線、９３，９３ａ，９３ｂ…接地電位線、９９…対向電極電位線、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、３００…容量電極、４００…容量線、４１０…静電保護回路、７００…放電抵抗、８１０，８２０，８３０…コンタクトホール、９０１，９０１ａ，９０１ｂ…中継層、９１０…第１中継配線、９２０…第２中継配線。

Claims (8)

1. 画素領域において、
   複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されて形成された蓄積容量と、
   を備え、
   前記画素領域の周辺に位置する周辺領域において、
   前記誘電体膜が延在している延在部と、
   前記誘電体膜の延在部より上層に配置された第１導電膜と、
   前記誘電体膜の延在部より下層に配置された第２導電膜と、
   前記第２導電膜よりも下層側に配置され、前記第２導電膜と電気的に接続された第３導電膜と、
   前記第１導電膜より上層に配置され、前記複数の画素電極と同一膜より少なくともなると共に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に中継接続する中継層とを備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記中継層は、前記層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して前記第１導電膜に電気的に接続されると共に、少なくとも前記層間絶縁膜及び前記延在部を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して前記第２導電膜に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記中継層は、前記周辺領域内に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記基板と対向配置された対向基板と、
   前記基板及び前記対向基板を接着するシール材と
   を備え、
   前記中継層は、前記周辺領域のうち前記シール材が形成されるシール領域内に配置される
   ことを特徴とすることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 画素領域において、
   複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されて形成された蓄積容量と、
   を備え、
   前記画素領域の周辺に位置する周辺領域において、
   前記誘電体膜が延在している延在部と、
   前記誘電体膜の延在部より上層に配置された第１導電膜と、
   前記誘電体膜の延在部より下層に配置された第２導電膜と、
   前記第１導電膜より上層に配置され、前記複数の画素電極と同一膜より少なくともなると共に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に中継接続する中継層と、
   前記第１導電膜と比べて高抵抗の膜より少なくともなると共に前記第２導電膜と電気的に接続された放電抵抗とを備えたことを特徴とする電気光学装置。
6. 画素領域において、
   複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置され、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されて形成された蓄積容量と、
   を備え、
   前記画素領域の周辺に位置する周辺領域において、
   前記誘電体膜が延在している延在部と、
   前記誘電体膜の延在部より上層に配置された第１導電膜と、
   前記誘電体膜の延在部より下層に配置された第２導電膜と、
   前記第１導電膜より上層に配置され、前記複数の画素電極と同一膜より少なくともなると共に、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に中継接続する中継層とを備え、
   前記第１導電膜は、前記上側電極に電気的に接続された容量線を構成することを特徴とする電気光学装置。
7. 前記複数の画素電極に対向する対向電極を備え、
   前記第１導電膜は、前記対向電極に所定電位を供給する対向電極電位線を構成することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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