JP4880907B2 - 光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
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Description
一方、耐光耐久性が高く、柔軟性がある被覆材として、シリコーン樹脂が使用されているが、一般に軟質であり表面タック性を有しているため、実装する際に発光面に異物が付着したり実装用器具により発光面が損傷を受けるという問題があった。
(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、及び(D)熱可塑性樹脂、を必須成分として含有することを特徴とする光学材料用組成物(請求項1)であり、
(A)成分が、SiH基と反応性を有するビニル基を1分子中に少なくとも1個含有する有機化合物であることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物(請求項2)であり、
(A)成分が、SiH基と反応性を有するアリル基を1分子中に少なくとも1個含有する有機化合物であることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物(請求項3)であり、
(A)成分が、1,2−ポリブタジエン、ビニルシクロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエン、ジビニルビフェニル、またはビスフェノールAジアリルエーテルであることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物(請求項4)であり、
(A)成分が、トリアリルイソシアヌレート、またはトリビニルシクロヘキサンであることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物(請求項5)であり、
前記熱可塑性樹脂が、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、オレフィン−マレイミド系樹脂、及びポリエステル系樹脂からなる群より選ばれる一種あるいは複数の樹脂であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光学材料用組成物(請求項6)であり、
前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度が、50℃以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学材料用組成物(請求項7)であり、
光学材料が液晶用フィルムである請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光学材料用組成物(請求項8)であり、
光学材料が液晶用プラスチックセルである請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光学材料用組成物(請求項9)であり、
光学材料が発光ダイオードの封止材である請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光学材料用組成物(請求項10)であり、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部または全部を反応させることによって硬化させてなる光学材料(請求項11)であり、
請求項1乃至10にいずれか一項に記載の光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部または全部を反応させることによる請求項11に記載の光学材料を製造する方法(請求項12)であり、
請求項11に記載の光学材料を用いた液晶表示装置(請求項13)である。
まず、本発明における(A)成分について説明する。
(A)成分はSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物であれば特に限定されない。有機化合物としてはポリシロキサン−有機ブロックコポリマーやポリシロキサン−有機グラフトコポリマーのようなシロキサン単位(Si−O−Si)を含むものではなく、構成元素としてC、H、N、O、S、ハロゲンのみを含むものであることが好ましい。シロキサン単位を含むものの場合は、ガス透過性やはじきの問題がある。
なお、カップリング剤としては例えばシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、分子中に有機基と反応性のある官能基と加水分解性のケイ素基を各々少なくとも1個有する化合物であれば特に限定されない。有機基と反応性のある基としては、取扱い性の点からエポキシ基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビニル基、カルバメート基から選ばれる少なくとも1個の官能基が好ましく、硬化性及び接着性の点から、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基が特に好ましい。加水分解性のケイ素基としては取扱い性の点からアルコキシシリル基が好ましく、反応性の点からメトキシシリル基、エトキシシリル基が特に好ましい。
好ましいシランカップリング剤としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン等のエポキシ官能基を有するアルコキシシラン類;3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキシシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラン等のメタクリル基あるいはアクリル基を有するアルコキシシラン類が例示できる。
(合成例1)
200mLの二口フラスコに、磁気攪拌子、冷却管をセットした。このフラスコにトルエン50g、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)11.3μL、トリアリルイソシアヌレート5.0g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン37.04gを加えて、90℃のオイルバス中で30分加温、攪拌した。さらに130℃のオイルバス中で2時間加熱還流させた。1−エチニル−1−シクロヘキサノール176mgを加えた。未反応の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンおよびトルエンを減圧留去した。1H−NMRによりこのものは1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンのSiH基の一部がトリアリルイソシアヌレートと反応したもの(部分反応物Aと称す)であることがわかった。
(実施例1)
トリアリルイソシアヌレート2.5gと、合成例1で合成した部分反応物A3.0gと、分子量2500、ガラス転移温度−30℃のポリブチルアクリレート1.1gとをカップ中で混合し、硬化性組成物とした。合成例1で示したように部分反応物Aは本発明の(C)成分としての白金ビニルシロキサン錯体を含有している。このものを、2枚のガラス板に0.5mm厚みのシリコーンゴムシートをスペーサーとしてはさみこんで作成したセルに流し、90℃/16時間、100℃/1時間、120℃/1時間、150℃/10時間加熱を行い無色透明のシート状硬化物を得た。得られた硬化物は硬質で表面タックを有しないものであった。
(比較例)
分子量2500のポリブチルアクリレートを用いなかった以外は実施例と同様にして無色透明のシート状硬化物を得た。得られた硬化物は硬質で表面タックを有しないものであった。
(測定例1)
実施例1および比較例で作成した硬化物を用いてJISK6911に準じた方法で曲げ試験を行ったところ、比較例で作成した硬化物は試験中に破断したが、実施例で作成した硬化物は破断しなかった。実施例の硬化物が強靭性が高いことがわかる。
(測定例2)
実施例1で作成した硬化物をスガ試験機SX120型キセノンウェザーメーター(ブラックパネル温度63℃、照射2時間中降雨18分)にて70時間照射して硬化物の状態を目視で観察した。硬化物は黄変がみられず、無色透明の状態を保った。
(参考例1)
実施例1のようにして作成したシート状硬化物を適当な形状に切断し、キャンタイプ用の金属キャップに設けた光透過用窓の部分に固定する。一方で、MOCVD(有機金属気相成長)法によりサファイア基板上に形成した、SiとZnがドープされたInGaN活性層をn型とp型のAlGaNクラッド層で挟んだダブルへテロ構造の発光素子を用意する。続いて、この発光素子をキャンタイプ用の金属のステムに載置した後、p電極、n電極をそれぞれのリードにAu線でワイヤーボンディングする。これを上記のキャンタイプ用の金属キャップで気密封止する。この様にしてキャンタイプの発光ダイオードを作成することができる。
(参考例2)
洗浄したサファイア基板上にMOCVD(有機金属気相成長)法により、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、Siドープのn型電極が形成されn型コンタクト層となるGaN層、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、次に発光層を構成するバリア層となるGaN層、井戸層を構成するInGaN層、バリア層となるGaN層(量子井戸構造)、発光層上にMgがドープされたp型クラッド層としてAlGaN層、Mgがドープされたp型コンタクト層であるGaN層を順次積層させる。エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同一面側で、pn各コンタクト層表面を露出させる。各コンタクト層上に、スパッタリング法を用いてAlを蒸着し、正負各電極をそれぞれ形成させる。出来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子を形成させる。
(参考例3)
参考例2に記載の方法で硬化性組成物および発光素子を作成する。
(参考例4)
参考例2に記載の方法で硬化性組成物および発光素子を作成する。
(参考例5)
参考例2に記載の方法で硬化性組成物および発光素子を作成する。
参考例2と同様に順次積層された窒化物半導体において、RIE(反応性イオンエッチング)装置でp型窒化物半導体層側からエッチングを行い、負電極が形成されるn型コンタクト層の表面を露出させる。次に、最上層にあるp型コンタクト層上のほぼ全面にリフトオフ法によりNi/Auを膜厚60/200Åにて積層し、オーミック接触が良好で且つ優れた透過性を有する第一の正電極を形成する。また、前記透光性第一の正電極上の一部にAuを膜厚1μm積層し、正極側ボンディング部となる第二の正電極を形成する。
また、珪素を含有する無機化合物層を設けこの無機化合物層を本発明の硬化性組成物にて直接被覆すると、他の無機化合物層を設けた場合と比較して信頼性が向上し、高温高湿等の環境条件下においても高い信頼性及び光学特性を維持することができる傾向にある。この理由は定かでないが、珪素を含有する無機化合物層が本発明の硬化性組成物と親和性が良く密着性の高い界面を形成し、水分や外気の侵入が抑制されているためだと考えられる。
Claims (12)
- (A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機単量体系化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、及び(D)アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、オレフィン−マレイミド系樹脂、及びポリエステル系樹脂からなる群より選ばれる一種あるいは複数の熱可塑性樹脂、を必須成分として含有する光学材料用組成物であって、
該組成物を硬化して得られる硬化物のTgが50℃以上である光学材料用組成物。 - (A)成分が、SiH基と反応性を有するビニル基を1分子中に少なくとも1個含有する有機単量体系化合物であることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物。
- (A)成分が、SiH基と反応性を有するアリル基を1分子中に少なくとも1個含有する有機単量体系化合物であることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物。
- (A)成分が、ビニルシクロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエン、ジビニルビフェニル、またはビスフェノールAジアリルエーテルであることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物。
- (A)成分が、トリアリルイソシアヌレート、またはトリビニルシクロヘキサンであることを特徴とする請求項1記載の光学材料用組成物。
- 前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度が、50℃以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光学材料用組成物。
- 光学材料が液晶用フィルムである請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学材料用組成物。
- 光学材料が液晶用プラスチックセルである請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学材料用組成物。
- 光学材料が発光ダイオードの封止材である請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学材料用組成物。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部または全部を反応させることによって硬化させてなる光学材料。
- 請求項1乃至9にいずれか一項に記載の光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とSiH基の一部または全部を反応させることによる請求項10に記載の光学材料を製造する方法。
- 請求項10に記載の光学材料を用いた液晶表示装置。
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